JP2904154B2 - 半導体素子を含む電子回路装置 - Google Patents
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Description
を有する半導体素子を含む電子回路装置に関する。
半導体素子2を回路基板3上に搭載した電子回路装置は
公知である。半導体素子2はバンプ電極1を回路基板3
の配線導体4に半田付けすることによって取付けられ、
外部から水分等の異物が侵入することを防止するために
第1及び第2の保護樹脂層5、6によって被覆されてい
る。第1の保護樹脂層5はシリコーンゲルから成り、バ
ンプ電極1を被覆し且つ半導体素子2の本体部2aの下
面と回路基板3との間を充填するように設けられてい
る。第2の保護樹脂層6はシリコーンラバーから成り、
半導体素子2の本体部2aの上面及び第1の保護樹脂層
5を被覆すると共に高集積化のために半導体素子2の近
傍に配置された別の回路素子に接続された金属細線8の
接続部分も被覆するように形成されている。回路基板3
は上面に金属細線接続用の配線導体9を有し、下面に金
属層10を有する。なお、半導体素子2の下面を含めて
全体を被覆するようにシリコーンラバーから成る第2の
保護樹脂層6を設けないのは、半導体素子2の下面にシ
リコーンラバーを注入すると、シリコーンラバーは比較
的大きな弾性率を有するために半導体素子2を上方に持
ち上げてバンプ電極1を破断するおそれがあるためであ
る。また、半導体素子2の上面も含めて全体を被覆する
ようにシリコーンゲルから成る第1の保護樹脂層5を設
けないのは、シリコーンゲルはシリコーンラバーに比べ
て粘度が十分に小さいため、シリコーンゲルのみでは半
導体素子2の全体を良好に被覆することができないため
である。
に金属細線8が第2の保護樹脂層6で被覆されると、金
属細線8が回路基板3上の配線導体9の界面から剥離す
ることがあった。その理由は必ずしも明らかではない
が、第2の保護樹脂層6を構成するシリコーンラバーの
分解によるものと思われる。この金属細線8の剥離即ち
接続不良を防ぐために金属細線8及び配線導体9を半導
体素子2から離れた位置に設け、これ等を第2の保護樹
脂層6で被覆しない構成にすることが考えられる。しか
し、この様に構成すると高集積化が阻害され、電子回路
装置の小型化が達成されない。図1では金属細線8が回
路基板3上に設けられた電子回路素子7に接続されてい
るが、この金属細線8を回路基板3以外の部分(例えば
外部リード)に対して接続する場合にも同様な問題が生
じる。
体素子を良好に保護することができると共に金属細線の
接続不良も防止することができる電子回路装置を提供す
ることを目的とする。
目的を達成するための本発明は、バンプ電極を備えた半
導体素子と、回路基板と、金属細線と、第1及び第2の
保護樹脂層と、樹脂封止体とから成り、前記半導体素子
の平板状の本体部は前記バンプ電極によって前記回路基
板の配線導体に接続され、前記金属細線の少なくとも一
端部が前記回路基板上の前記半導体素子の近傍の配線導
体又は電子回路素子の電極に接続され、前記第1の保護
樹脂層は、前記半導体素子の前記バンプ電極を被覆し且
つ前記半導体素子の前記本体部の一方の主面と前記回路
基板との間を充填しているが前記半導体素子の前記本体
部の他方の主面と前記金属細線の前記配線導体又は前記
電極に対する接続部とを被覆しないように設けられ、前
記第2の保護樹脂層は、前記半導体素子の前記本体部の
他方の主面と前記第1の保護樹脂層と前記金属細線の少
なくとも前記配線導体又は前記電極に対する接続部を被
覆するように設けられ、前記樹脂封止体は前記第2の保
護樹脂層を介して前記回路基板を覆うように設けられ、
前記第1の保護樹脂層は液状エポキシ樹脂に基づいて形
成され、前記第2の保護樹脂層はポリイミド又はポリア
ミド系樹脂から成り、前記第1の保護樹脂層は前記第2
の保護樹脂層よりも大きい硬度(かたさ)を有している
ことを特徴とする電子回路装置に係わるものである。な
お、本発明において、半導体素子とはトランジスタ、ダ
イオード、サイリスタ、集積回路、混成集積回路等の半
導体を含む全ての素子又は部品を意味する。また、電子
回路装置は、半導体集積回路装置、混成集積回路装置、
複合半導体素子、半導体装置等の種々の回路装置を意味
する。
する。 (イ) 半導体素子を被覆する第2の保護樹脂層がポリ
イミド又はポリアミド系樹脂から成るので、高集積化の
ために半導体素子と共に第2の保護樹脂層で被覆された
金属細線の配線導体又は電極からの剥離が防止される。
この理由は必ずしも明確でないが、ポリイミド又はポリ
アミド系樹脂は従来のシリコーンラバーに比べて耐熱性
があり、熱分解を起し難いためと思われる。 (ロ) 半導体素子と回路基板との間には第2の保護樹
脂層よりも硬度が大きいエポキシ樹脂から成る第1の保
護樹脂層が設けられているので、樹脂封止体の熱膨張又
は熱収縮によって半導体素子が回路基板の方向に押圧さ
れても、バンプ電極が押しつぶされない。なお、第1の
保護樹脂層の部分まで第1の保護樹脂層と同一のポリイ
ミド又はポリアミド系樹脂を設けると、粘度があまり高
くならないので半導体素子と回路基板との間に十分に樹
脂を充填することができず、隙き間が生じ、樹脂封止体
の熱変形によって半導体素子が押圧された時にバンプ電
極が押しつぶされるおそれがある。
る電子回路装置を説明する。図2に示す電子回路装置は
混成集積回路であって、図1と同様に金属突起から成る
バンプ電極1を有する半導体素子2と例えばセラミック
から成る絶縁性回路基板3と電子回路素子7と内部リー
ド細線としての金属細線8とを備えている。半導体素子
2のバンプ電極1は回路基板3上の配線導体4に半田付
けされている。即ち半導体素子2のPN接合等を含む平
板状の本体部2aの一方の主面が回路基板3の主面に所
定の間隔を有して対向するようにフェースダウンボンデ
ィングされている。例えば直径200μmのAlワイヤ
から成る金属細線8の一端は半導体素子2の近傍に配置
された回路基板3上の配線導体9に周知のワイヤボンデ
ィング法によってステッチボンディングされ、この他端
は電子回路素子7の上面の電極にワイヤボンディング法
によってステッチボンディングされている。
み且つ半導体素子2の本体部2aと回路基板3との間を
充填するように第1の保護樹脂層5aが設けられ、ま
た、半導体素子2の本体部2aの上面と第1の保護樹脂
層5aと少なくとも金属細線8の配線導体9に対する接
続部を被覆するように第2の保護樹脂層6aが設けられ
ている。しかし、この第1及び第2の保護樹脂層5a、
6aの材料及び製造方法が図1の従来の第1及び第2の
保護樹脂層5、6と相違している。
の第2の保護樹脂層6を形成するためのシリコーンゴム
よりも粘度が高く、従来の第1の保護樹脂層5を形成す
るシリコーンゲルに近い粘度を有する液状エポキシ樹脂
を半導体素子2の本体部2aと回路基板3との間に充填
し、しかる後、硬化することによって形成したものであ
る。
脂を塗布して硬化することによって形成したものであ
る。なお、ポリイミド系樹脂の粘度は第1の保護樹脂層
5aの液状エポキシ樹脂の粘度よりも小さい。また、硬
化した後において、第1の保護樹脂層5aの硬度(かた
さ)及び剛性(こわさ)は第2の保護樹脂層6aのこれ
等よりも大きい。
熱性を有する金属支持板11の上に配置され、この下面
の金属層10が半田(導電性接合材)12によって支持
板11に結合され、これ等はエポキシ樹脂から成る樹脂
封止体13によって一体に成形されている。樹脂封止体
13は、回路基板3、第2の保護樹脂層6a、電子回路
素子7、金属細線8及び支持板11を覆うように金型を
使用した周知のトランスファモールドで形成されてい
る。なお、図2には示されていないが、回路基板3上の
端子(電極)を外部回路に接続するための外部リードも
設けられており、この外部リードと回路基板3の端子と
が金属細線(内部リード)で接続され、これも樹脂封止
体13で被覆されている。樹脂封止体13の硬度は第2
の保護樹脂層6aの硬度よりも大きく、第1の保護樹脂
層5aの硬度と同一又はこれよりも小さいことが望まし
い。
体素子2の近傍に配置された金属細線8の配線導体9へ
の接続部が第2の保護樹脂層6aによって剥離され難く
なる。この理由は必ずしも明確でないが、第2の保護樹
脂層6aは従来のシリコーンラバーよりも耐熱性に優
れ、熱分解しにくいポリイミド樹脂から成るためと思わ
れる。また、ポリイミド樹脂は粘度が低いために半導体
素子2と回路基板3との間に良好に充填することができ
ず隙き間が生じるが、本実施例のようにポリイミド樹脂
よりも粘度が大きい液状エポキシ樹脂を使用すると隙き
間が生じないように良好に第1の保護樹脂層5aを形成
することができる。また、第1の保護樹脂層5aの硬度
は第2の保護樹脂層6aの硬度よりも大きいので、樹脂
封止体12の熱変形に基づいて押圧されてもバンプ電極
1がつぶれるような問題は生じない。
く、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 図2では金属細線8を電子回路素子7に接続し
ているが、この代りに外部リード(図示せず)に接続す
ることができる。 (2) 第2の保護樹脂層6aを電子回路素子7及び金
属細線8の全部を被覆するように形成することができ
る。 (3) 支持板11の下面を樹脂封止体12で被覆しな
いように構成することができる。 (4) ポリアミド樹脂によって第2の保護樹脂層6a
を形成し得る。
面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 バンプ電極を備えた半導体素子と、回路
基板と、金属細線と、第1及び第2の保護樹脂層と、樹
脂封止体とから成り、 前記半導体素子の平板状の本体部は前記バンプ電極によ
って前記回路基板の配線導体に接続され、 前記金属細線の少なくとも一端部が前記回路基板上の前
記半導体素子の近傍の配線導体又は電子回路素子の電極
に接続され、前記 第1の保護樹脂層は、前記半導体素子の前記バンプ
電極を被覆し且つ前記半導体素子の前記本体部の一方の
主面と前記回路基板との間を充填しているが前記半導体
素子の前記本体部の他方の主面と前記金属細線の前記配
線導体又は前記電極に対する接続部とを被覆しないよう
に設けられ、 前記第2の保護樹脂層は、前記半導体素子の前記本体部
の他方の主面と前記第1の保護樹脂層と前記金属細線の
少なくとも前記配線導体又は前記電極に対する接続部を
被覆するように設けられ、 前記樹脂封止体は前記第2の保護樹脂層を介して前記回
路基板を覆うように設けられ、 前記第1の保護樹脂層は液状エポキシ樹脂に基づいて形
成され、 前記第2の保護樹脂層はポリイミド又はポリアミド系樹
脂から成り、 前記第1の保護樹脂層は前記第2の保護樹脂層よりも大
きい硬度を有していることを特徴とする電子回路装置。
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