JP2569371B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2569371B2
JP2569371B2 JP2005272A JP527290A JP2569371B2 JP 2569371 B2 JP2569371 B2 JP 2569371B2 JP 2005272 A JP2005272 A JP 2005272A JP 527290 A JP527290 A JP 527290A JP 2569371 B2 JP2569371 B2 JP 2569371B2
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健 森川
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体素子を収容するための半導体装置の構
造に関するものである。
[従来の技術] 半導体素子は、下記の理由から樹脂モールド(樹脂封
止)することが一般的に行われている。
半導体素子を湿気や外部からの機械的衝撃など、外
部環境から保護する。
半導体素子を機械的に固定する。
外部環境の変化による衝撃、摩擦、振動による応力
を防止する。
熱放散を良くし、内部温度上昇を少なくする。
電気特性を向上する。
従来、内部に半導体素子を収容する半導体装置として
は、例えば第2図に示すものが知られている。第2図に
おいて、1は厚み75μm程度のポリイミド・テープ等か
らなる絶縁物、2は半導体素子、3はエポキシ樹脂等か
らなる樹脂モールド、4は金やアルミニウム等の金属
線、5は厚み350μm程度の銅箔からなるインナーリー
ド(内部リード)、6は同じく銅箔からなるアウターリ
ード(外部リード)、7は同じく銅箔からなるダイパッ
トである。
前記構成からなる従来技術の半導体素子について、以
下その作用を説明する。
まず絶縁物1の片面に、銅箔からなるダイパット7、
インナーリード5、アウターリード6を取着してフレキ
シブルテープを形成した後に、半導体素子2を銀ロウ等
のロウ材や樹脂等の接着剤を用いて、前記ダイパット7
に搭載させる。
次に半導体素子2の各電極とインナーリード5とを金
やアルミニウム等の金属線4により結線し、しかる後に
半導体装置を成型するための枠体(図示せず)で、前記
フレキシブルテープを狭持し、前記枠体内部にエポキシ
等の樹脂を注入し硬化させ、最後に該枠体を取り外すこ
とで、最終的な半導体装置が完成する。
[発明が解決しようとする課題] ところで、近年、半導体素子の高密度化や高集積度化
に伴い、半導体装置の薄型化や軽量化が強く要望されて
いる。
しかしながら、第2図に示す従来の半導体装置では、
銅箔、絶縁物の2層、または銅箔、接着剤、絶縁物の3
層からなるフレキシブルテープの両面に樹脂モールドが
形成されているため、半導体装置の厚みや重量にある一
定の制限が課せられてしまい、前述の要望に答えること
ができないという課題を有していた。
本発明はこのような従来技術の課題を解決するもの
で、半導体装置の薄型化や軽量化が達成できるようにし
た半導体装置の構造を提供するものである。
[課題を解決するための手段] 前記目的を達成するため、本発明は下記の構成からな
る。すなわち本発明は、絶縁物よりなる樹脂テープ上の
片面に設けられた金属箔により少なくともダイパッドと
リードとが形成されたフレキシブルテープと、前記ダイ
パッド上に搭載された半導体素子と、前記リードの先端
部付近と前記半導体素子とを接続した金属線と、前記ダ
イパッド上の半導体素子と前記リードの先端部付近であ
って、前記フレキシブルテープ上の前記金属箔が形成さ
れた面のみを封止した封止樹脂と、前記リードから延在
し、前記封止樹脂の外部に突出したアウターリードとよ
りなる半導体装置である。
[作用] 前記した本発明の構成によれば、半導体素子が搭載さ
れている面は実質的に樹脂モールドされ、前記半導体素
子が搭載されていない面は実質的に樹脂モールドされて
いないので、従来技術であれば存在していた片面の樹脂
モールドが無くなるか、又は実質的に無くなるので、そ
の分、半導体装置の薄型化や軽量化を達成することが可
能となる。
前記本発明の構成において、半導体素子が搭載されて
いる面が実質的に樹脂モールドされてなるという意味
は、半導体素子を湿気や外部からの機械的衝撃など、外
部環境から保護したり、半導体素子を機械的に固定する
ことなどの作用を達成できることをいう。
前記本発明の構成において、半導体素子が搭載されて
いない面は実質的に樹脂モールドされていないというこ
とは、樹脂モールドがまったくないか、または半導体装
置の薄型化や軽量化が達成できる程度の厚さの樹脂モー
ルドがなされていることを含むものである。
[実施例] 以下、一実施例を用いて本発明をさらに具体的に説明
する。なお本発明は下記の実施例に限定されるものでは
ない。
第1図は、本発明の一実施態様を示すものである。す
なわち第1図は本発明にかかる半導体装置の正面断面図
であり、1は厚み75μm程度のポリイミド・テープ等か
らなる絶縁物、2は半導体素子、3はエポキシ樹脂等か
らなる樹脂モールド、4は金やアルミニウム等からなる
金属線、5は厚み35μm程度の銅箔からなるインハーリ
ード、6は同じく銅箔からなるアウターリード、7は同
じく銅箔からなるダイパットである。
次に前記した本発明の実施例の構成について、以下そ
の製造方法を説明する。
まず、前記絶縁物1の片面に前記インナーリード5、
アウターリード6、ダイパット7を厚み20μm程度の接
着剤を用いて披着して形成したフレキシブル基板上に配
線のパターンニングを施し、フレキシブルテープを作製
する。
こうしてできた銅箔、絶縁物の2層、または銅箔、接
着剤、絶縁物の3層からなるフレキシブルテープの前記
ダイパット7に、半導体素子2を銀ロウ等のロウ材や樹
脂等の接着剤を用いて搭載する。
次に半導体素子2の各電極とインナーリード5とを金
やアルミニウム等の金属線4で結線するが、インナーリ
ード5とアウターリード6とは導通を持つため、アウタ
ーリード6を外部の電気回路基板に接続することで、半
導体素子2の各電極が、外部の電気回路基板と電気的に
接続されることになる。
次に、前記電気接続体に樹脂をモールディングするた
めの成型金型(図示せず)を、前記フレキシブルテープ
の下面側が膨出し、上面側がフラットになるように設置
し、しかる後、前記枠体内部に、エポキシ等の樹脂を注
入し、硬化させる。次に前記成型金型を取り外すことに
より、本発明の一実施例の半導体装置が完成する。
こうして完成した半導体装置は、前記フレキシブルテ
ープにおいて、半導体素子が搭載される面にのみ樹脂モ
ールドが存在するため、従来品と比較した場合、一例に
よれば、約(2/3)の厚みで完成でき、その重量も大幅
に低減することができる。
なお、本発明の実施例において、使用できるモールド
用樹脂は、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタ
ン系樹脂、フェノール系樹脂などその種類は問わない。
[発明の効果] 以上のように本発明によれば、半導体素子が搭載され
ている面は実質的に樹脂モールドされ、前記半導体素子
が搭載されていない面は実質的に樹脂モールドされてい
ないので、従来技術であれば存在していた片面の樹脂モ
ールドをまったく無くことができか、又は実質的に無く
することができるので、その分、半導体装置の薄型化や
軽量化ができるという特別の効果を達成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す半導体装置の正面断面
図、第2図は従来例を示す正面断面図である。 1……絶縁物(ポリイミド・テープ)、2……半導体素
子、3……樹脂モールド、4……金属線、5……インナ
ーリード、6……アウターリード、7……ダイパット。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁物よりなる樹脂テープ上の片面に設け
    られた金属箔により少なくともダイパッドとリードとが
    形成されたフレキシブルテープと、前記ダイパッド上に
    搭載された半導体素子と、前記リードの先端部付近と前
    記半導体素子とを接続した金属線と、前記ダイパッド上
    の半導体素子と前記リードの先端部付近であって、前記
    フレキシブルテープ上の前記金属箔が形成された面のみ
    を封止した封止樹脂と、前記リードから延在し、前記封
    止樹脂の外部に突出したアウターリードとよりなること
    を特徴とする半導体装置。
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