JP3705235B2

JP3705235B2 - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP3705235B2
Application number: JP2002112956A
Authority: JP
Inventors: 明司柴田; 直川野辺; 康晴亀山; 章博岡本; 一元小宮
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2002-04-16
Filing date: 2002-04-16
Publication date: 2005-10-12
Anticipated expiration: 2022-04-16
Also published as: JP2003309138A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、配線板上に弾性体材料を介在させて半導体チップを実装した半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置には、絶縁基板上に配線が設けられた配線板上に、弾性体材料を介在させて半導体チップを実装した半導体装置がある。
【０００３】
前記配線板上に前記弾性体材料を介在させて前記半導体チップを実装した半導体装置（以下、単に半導体装置と称する）は、例えば、図１０に示すように、ボンディング用の開口部１Ａを有する絶縁基板１上に配線（導体パターン）２が設けられた配線板上に、弾性体材料３を介在させて半導体チップ４が設けられている。このとき、前記弾性体材料３には、前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａと重なる領域に開口部が設けられている。またこのとき、前記配線２は、前記半導体チップ４の外部電極４０１と接続される部分（以下、インナーリード部と称する）２Ａが前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａ上に突出しており、前記弾性体材料３の開口部内に折り曲げるように変形させて前記半導体チップの外部電極４０１と接続されている。
【０００４】
また、前記半導体装置は、図１０に示したように、前記絶縁基板のボンディング用開口部１Ａ内が、封止絶縁体５により封止されている。なお、図１０では、構成をわかりやすくするために、前記ボンディング用開口部１Ａ内の封止絶縁体５を示す部分のハッチングを省略している。またこのとき、例えば、前記弾性体材料３及び半導体チップ４の側面部分も前記封止絶縁体５で封止されている。
【０００５】
また、前記絶縁基板１は、前記ボンディング用開口部１Ａの他にも開口部が設けられており、前記配線２と電気的に接続されたボール状の外部接続端子６が設けられている。
【０００６】
前記半導体装置を製造するときには、まず、図１１に示すように、絶縁基板１の表面に配線（導体パターン）２が形成された配線板上に、弾性体材料３を形成する。このとき、前記絶縁基板１には、例えば、ポリイミドテープを用い、ボンディング用開口部１Ａ、及び外部接続端子６を形成するための開口部１Ｂの他に、例えば、封止絶縁体５を流し込むための開口部１Ｄを形成しておく。また、前記配線２は、前記インナーリード部２Ａが前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａ上を通るように形成する。
【０００７】
また、前記弾性体材料３は、図示は省略するが、例えば、発泡性の弾性体の両面に接着剤を設けた３層構造になっており、前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａと重なる領域に開口部３Ａを形成して貼り付ける。
【０００８】
次に、図１２に示すように、前記弾性体材料３の上に半導体チップ４を貼り付けて接着する。そして、前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａ上を通る前記インナーリード部２Ａを切断し、前記弾性体材料３の開口部内に押し込むように変形させて、前記半導体チップ４の外部電極４０１と電気的に接続させる。
【０００９】
その後、例えば、前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａ、及び封止絶縁体を流し込むための開口部１Ｄから封止絶縁体５を流し込むと、図１０に示したような半導体装置が得られる。
【００１０】
図１０に示したような半導体装置では、前記配線板（絶縁基板１）の熱膨張係数と前記半導体チップ４の熱膨張係数の差による熱応力を前記弾性体材料３で緩和することができる。そのため、前記半導体装置のそりや、半導体チップ４のはがれを防ぐことができる。また、前記半導体チップ４の前記弾性体材料３と接着された面の裏面（非回路形成面）４Ａが露出しているため、放熱性がよい。
【００１１】
しかしながら、前記半導体装置では、例えば、図１０に示したような前記半導体チップ４が小型化したときに、前記配線板の小型化がともなわず、図１３に示すように、配線板の面積に占める半導体チップ４の実装領域が小さくなることがある。
【００１２】
このとき、前記従来の方法で前記半導体装置を製造すると、前記弾性体材料３及び前記半導体チップ４の側面の周辺のみに前記封止絶縁体５が形成され、前記配線板（絶縁基板１）の外周部分の封止絶縁体５が薄くなる。そのため、前記配線板は、外周部の剛性が低下してそりやすくなるという問題があった。
【００１３】
また、半導体チップ４のサイズが変化すると、前記弾性体材料３及び前記半導体チップ４の側面を前記封止絶縁体５で封止したときの封止部分の外形寸法が変わってくる。そのため、前記半導体装置を取り扱うときに使用する治具を半導体チップ４のサイズに合わせて変更しなければならないという問題があった。
【００１４】
そこで、近年では、前記封止絶縁体５で封止する工程を、トランスファモールドで行う方法が提案されている。
【００１５】
前記トランスファモールドで封止をするときには、例えば、図１４に示すように、上型７０１と平板状の下型７０２の間に、前記弾性体材料３を介在させて半導体チップ４を実装した配線板を配置し、前記上型７０１と前記下型７０２の内部にできる空間（キャビティ）７Ａに前記封止絶縁体５を流し込む。
【００１６】
前記トランスファモールドで封止をするときには、前記上型７０１と前記下型７０２の内部にできるキャビティ７Ａの容積及び形状が一定であれば、前記半導体チップ４の大きさに関係なく、前記半導体装置の外形寸法が一定になる。そのため、半導体チップ４の大きさが変わっても前記半導体装置の取り扱いが容易になる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術では、図１４に示したように、前記上型７０１及び前記下型７０２を用いたトランスファモールドで封止をするときには、一般に、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ａと前記上型７０１の底面７０１Ａの間に高さＨ４の空間が設けられている。そのため、前記トランスファモールドで封止をした半導体装置は、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ａ上に、厚さＨ４の前記封止絶縁体５が形成され、前記半導体装置の薄型化が難しいという問題があった。
【００１８】
また、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ａ上に、厚さＨ４の封止絶縁体５が形成されるため、前記半導体チップ４の放熱性が低下するという問題があった。
【００１９】
本発明の目的は、配線板上に、弾性体を介在させて半導体チップを実装し、前記半導体チップの周囲をトランスファモールドで封止する半導体装置の製造方法において、半導体装置の薄型化が可能な技術を提供することにある。
【００２０】
本発明の他の目的は、配線板上に、弾性体を介在させて半導体チップを実装し、前記半導体チップの周囲をトランスファモールドで封止する半導体装置の製造方法において、半導体チップの放熱性の低下を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【００２１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明において開示される発明の概要を説明すれば、以下の通りである。
【００２３】
（１）開口部を有する絶縁基板上に前記開口部上を通る配線（導体パターン）が形成された配線板上に、発泡性の材料からなる弾性体材料を介在させて半導体チップを接着し、前記配線の前記開口部上を通る部分を切断し、折り曲げて前記半導体チップの外部電極と電気的に接続した後、成形金型を用いて前記配線と半導体チップの外部電極との接続部、及び前記弾性体材料と前記半導体チップの周囲に封止絶縁体を形成する半導体装置の製造方法であって、前記配線板の前記半導体チップが接着された面の裏面と、前記半導体チップの前記弾性体材料と接着した面の裏面を、前記成形金型に接触させた状態で封止絶縁体を形成するにあたり、前記成形金型として、前記封止絶縁体を成形する空間（キャビティ）の、前記配線板の厚さ方向の対向する二つの面の距離が、前記キャビティ内に収容する前の、配線板の半導体チップが実装された面の裏面から半導体チップの前記弾性体材料と接着された面の裏面までの距離よりも小さい金型を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００２４】
前記（１）の手段によれば、前記半導体チップを前記成形金型に接触させた状態で封止絶縁体を形成することにより、前記成形金型を用いて封止したときでも、半導体チップを露出させることができる。そのため、従来の、前記半導体チップ上も封止する場合に比べ、半導体装置を薄型化することができる。また、前記半導体チップが露出しているため、放熱性がよくなる。
【００２５】
このとき、配線板の半導体チップが実装された面の裏面から半導体チップの弾性体材料と接着された面の裏面までの距離（高さ）にはばらつきがあるが、前記弾性体を介在させているため、配線板の半導体チップが実装された面の裏面から半導体チップの弾性体材料と接着された面の裏面までの距離（高さ）が、前記配線板の厚さ方向の対向する二つの面の距離よりも大きい場合でも、前記弾性体材料で衝撃を緩和することができる。
【００２６】
またこのとき、配線板の半導体チップが実装された面の裏面から半導体チップの弾性体材料と接着された面の裏面までの距離（高さ）にはばらつきがあるため、前記成形金型の、前記封止絶縁体を成形する空間（キャビティ）の、前記配線板の厚さ方向の対向する二つの面の距離を、それぞれの配線板の半導体チップが実装された面の裏面から半導体チップの弾性体材料と接着された面の裏面までの距離（高さ）にあわせることが難しい。そのため、前記封止絶縁体を成形する空間（キャビティ）の、前記配線板の厚さ方向の対向する二つの面の距離は、前記キャビティ内に収容する前の、配線板の半導体チップが実装された面の裏面から半導体チップの弾性体材料と接着された面の裏面までの距離よりも小さくすることが好ましい。
【００２７】
前記配線板の半導体チップが実装された面の裏面から半導体チップの弾性体材料と接着された面の裏面までの距離（高さ）は標準の高さに対して大きい場合と小さい場合があるため、前記封止絶縁体を成形する空間（キャビティ）の、前記配線板の厚さ方向の対向する二つの面の距離を、標準の高さにあわせると、標準の高さよりも大きい場合は前記半導体チップと前記成形金型を接触させることができるが、標準の高さよりも小さい場合には、前記半導体チップと前記成形金型の間に隙間ができてしまう。そのため、前記成形金型の、前記封止絶縁体を成形する空間（キャビティ）の、前記配線板の厚さ方向の対向する二つの面の距離を、前記配線板の半導体チップが実装された面の裏面から半導体チップの弾性体材料と接着された面の裏面までの標準的な距離（高さ）よりも小さく設定しておくことにより、標準の高さよりも小さい場合も前記半導体チップと前記成形金型を接触させることができる。
【００２９】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００３０】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３１】
【発明の実施の形態】
（実施例）
図１及び図２は、本発明による一実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図１は半導体装置の平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線での断面図である。なお、図１の平面図は、半導体装置を外部接続端子側（裏面側）から見た平面図であり、図２の断面図は、図１のＡ−Ａ’線での断面の上下を反転させて示している。また、図２の断面図では、構成をわかりやすくするために、断面であることを示すハッチングを一部省略して示している。
【００３２】
図１において、１は絶縁基板、１Ａはボンディング用開口部、２は配線、２Ａはインナーリード部、３は弾性体材料、４は半導体チップ、４０１は半導体チップの外部電極、５は封止絶縁体、６は外部接続端子である。
【００３３】
本実施例の半導体装置は、図１及び図２に示すように、絶縁基板１上に配線（導体パターン）２が設けられた配線板上に、弾性体材料３を介在させて半導体チップ４を実装した半導体装置である。
【００３４】
また、前記半導体装置は、図１及び図２に示したように、前記絶縁基板１にボンディング用開口部１Ａが設けられており、前記配線２のインナーリード部２Ａが前記ボンディング用開口部１Ａ上に突出している。また、前記弾性体材料３は、図２に示したように、前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａと重なる領域が開口している。このとき、前記ボンディング用開口部１Ａ上に突出した前記インナーリード部２Ａは、折り曲げるように変形させて前記半導体チップ４の外部電極４０１と電気的に接続されている。
【００３５】
また、前記半導体装置は、図２に示したように、前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａの内部が、封止絶縁体５で封止されている。また、前記弾性体材料３及び前記半導体チップ４は、側面部分が封止絶縁体５で封止されており、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ａが露出した状態になっている。
【００３６】
また、前記絶縁基板１には、前記ボンディング用開口部１Ａとは別に、外部接続端子を設けるための開口部が設けられており、例えば、図２に示したように、前記配線２と電気的に接続されたボール状の外部接続端子６が設けられている。
【００３７】
図３乃至図９は、本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図３は半導体装置を製造するための配線板の断面図、図４は半導体装置を製造するための配線板の部分拡大平面図、図５は配線板に半導体チップを実装する工程の断面図、図６は半導体チップを実装した配線板を封止する工程で用いる金型の断面図、図７は図６の拡大断面図、図８及び図９は半導体チップを実装した配線板を封止する工程の断面図である。
【００３８】
本実施例の半導体装置を製造するときには、まず、図３に示すように、絶縁基板１の表面に配線（導体パターン）２が形成された配線板上に、弾性体材料３を形成する。このとき、前記絶縁基板１には、ボンディング用開口部１Ａと外部接続端子を形成するための開口部１Ｂが形成されており、前記配線２のインナーリード部２Ａは、前記ボンディング用開口部１Ａ上を通るように形成されている。またこのとき、前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａ上を通る前記配線２のインナーリード部２Ａは、図４に示すように、前記インナーリード部２Ａを切断しやすくするためのノッチＮが形成されている。また、前記配線２の一端は、例えば、前記絶縁基板１の前記外部接続端子を形成するための開口部１Ｂを覆うように形成されている。
【００３９】
また、前記弾性体材料３は、前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａと重なる領域に開口部３Ａが形成されている。
【００４０】
図３及び図４に示した配線板は、例えば、ポリイミドテープなどの絶縁基板１の表面に、銅箔などの導体膜を形成し、前記導体膜をパターニングして前記配線２を形成した後、炭酸ガスレーザなどのレーザを利用したレーザエッチングにより、前記絶縁基板１にボンディング用開口部１Ａ及び外部接続端子を形成するための開口部１Ｂを形成する。その後、前記絶縁基板１の前記配線２が形成された面に、前記ボンディング用開口部１Ａと重なる領域に開口部３Ａを形成した前記弾性体材料３を形成する。このとき、図示は省略するが、前記弾性体材料３は、発泡性の弾性体をコアとし、その両面に、例えば、熱硬化性樹脂などの接着剤が設けられた３層構造のものを用いる。またこのとき、前記弾性体材料３の厚さＨ１は、約１８０μｍとする。
【００４１】
図３及び図４に示した配線板を用いて半導体装置を製造するときには、まず、図５に示すように、前記配線板に形成された前記弾性体材料３の表面に半導体チップ４を接着し、前記配線板に形成された配線２のインナーリード部２Ａと前記半導体チップ４の外部電極４０１を電気的に接続する。
【００４２】
このとき、前記配線２のインナーリード部２Ａは、例えば、図４に示したような、前記ノッチＮが形成された部分で切断し、前記弾性体材料３の開口部内に折り曲げるように変形させて前記半導体チップの外部電極４０１と接続する。
【００４３】
次に、トランスファモールドにより、前記配線板上に実装された半導体チップ４を封止する。前記トランスファモールドで封止するときには、一般に、図６に示すように、上型７０１と下型７０２からなる成形金型７を用いて行う。このとき、前記上型７０１と前記下型７０２の間にできる空間（キャビティ）７Ａに前記半導体チップ４が実装された部分を収容して封止する。またこのとき、前記キャビティ７Ａの外側には、例えば、図６及び図７に示すように、前記配線板（絶縁基板１）をはさんで固定するための空間７Ｂが設けられている。
【００４４】
また、図示は省略するが、前記成形金型７には、封止絶縁体を前記キャビティ７に注入するためのポット及びプランジャ、封止後に封止体を取り出すためのエジェクタ等が設けられている。
【００４５】
このとき、図７に示すような、前記下型７０２の表面７０２Ａから上型７０１の表面７０１Ａまでの距離（以下、キャビティの深さと称する）Ｈ３を、例えば、図５に示したような、前記絶縁基板１の前記半導体チップ４が接着された面の裏面１Ｃから、前記半導体チップ４の前記弾性体と接着された面の裏面（非回路形成面）４Ａまでの距離（以下、チップ実装領域の厚さと称する）Ｈ２と等しくすれば、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ａを前記上型７０１と接触させた状態で封止することができる。
【００４６】
しかしながら、前記チップ実装領域の厚さＨ２は、前記絶縁基板１、前記弾性体材料３、前記半導体チップ４の厚さの公差（ばらつき）により、約２０μｍから３０μｍのばらつきが生じている。そのため、前記キャビティの深さＨ３を前記チップ実装領域の厚さＨ２に合わせることが難しい。
【００４７】
そこで、あらかじめ、前記絶縁基板１上の各チップ実装領域の厚さを計測し、標準の厚さＨ２Ａを求めておき、前記キャビティの深さＨ３を、前記チップ実装領域の標準の厚さＨ２Ａよりも小さくすることが好ましい。このとき、前記キャビティの深さＨ３は、前記チップ実装領域の標準の厚さＨ２Ａよりも、例えば、１０μｍ小さくする。
【００４８】
図６及び図７に示したような成形金型７を用いてトランスファモールドをするときには、図８に示すように、前記下型７０２上に、前記半導体チップ４を実装した配線板を配置し、その上から前記上型７０１をかぶせて前記配線板（絶縁基板１）を固定する。
【００４９】
このとき、前記キャビティの深さＨ３を、例えば、前記チップ実装領域の標準の厚さＨ２Ａよりも１０μｍ小さくしておくと、前記標準の厚さＨ２Ａよりも厚い部分、及び前記標準の厚さＨ２Ａよりも薄いがその差が１０μｍ以内の部分の半導体チップ４、すなわち、大部分の半導体チップ４は、図８に示すように、前記絶縁基板１が前記上型７０１と前記下型７０２ではさまれる前に、前記上型７０１の表面７０１Ａと接触する。
【００５０】
その後、図９に示すように、前記上型７０１と前記下型７０２に加圧して前記配線板（絶縁基板１）をはさんで固定する。このとき、図８に示したように、固定する前に半導体チップ４が前記上型７０１の表面７０１Ａと接触している部分は、前記弾性体材料３が厚さＨ１’に縮むことで前記半導体チップ４への衝撃が緩和される。またこのとき、前記配線２のインナーリード部２Ａは、前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａ上に突出して空中に浮いた状態であるため、前記弾性体材料３が厚さＨ１’に縮んでも、前記インナーリード部２Ａが変形することで、前記インナーリード部２Ａと前記半導体チップ４の外部電極４０１の接続部にかかる負荷を緩和することができる。
【００５１】
また、前記チップ実装領域の厚さＨ２のばらつきは、前記標準的のＨ２Ａに対して２０μｍ前後である。そのため、一番厚い状態として、例えば、前記標準の厚さＨ２Ａよりも２０μｍ厚い場合を考えると、前記弾性体材料３は約３０μｍ押し縮められることになるが、３０μｍ程度であれば衝撃を十分に緩和でき、半導体チップ４の破損を防ぐことができる。
【００５２】
またこのとき、前記成形金型７からの衝撃を吸収した弾性体材料３は、前記成形金型７から取り出した後、必ずしも元の厚さＨ１に戻るとは限らず、塑性変形もともなうことから、半導体装置の厚さ、すなわち、前記チップ実装領域の厚さＨ２のばらつきを抑制することも可能になる。
【００５３】
この状態で前記キャビティ７Ａ内に封止絶縁体５を流し込んで成型すると、前記半導体チップ４の非回路形成面は、前記上型７０１の表面７０１Ａと接触した状態であるため、図２に示したように、前記半導体チップ４の非回路形成面を露出させることができる。
【００５４】
またこのとき、図示は省略するが、前記キャビティ７Ａに流れ込んだ封止絶縁体５は、前記絶縁基板１のボンディング用開口部１Ａ内にも流れ込み、前記配線２のインナーリード部２Ａと前記半導体チップ４の外部電極４０１の接続部分も封止される。
【００５５】
また、前記キャビティの深さＨ３を、前記チップ実装領域の標準の厚さＨ２Ａよりも１０μｍ小さくした場合、前記標準の厚さＨ２Ａよりも薄く、その差が１０μｍ以上の場合には、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ａと前記上型７０１の表面７０１Ａの間に隙間ができてしまう。しかしながら、前記チップ実装領域の厚さＨ２のばらつきは、前記標準の厚さＨ２Ａに対して２０μｍ前後であり、前記隙間の高さは１０μｍ程度である。そのため、前記封止絶縁体５を流し込んだときに、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ａと前記上型７０１の表面７０１Ａの間に前記封止絶縁体が入り込むことはほとんどない。
【００５６】
その後、前記封止絶縁体５で封止したものを前記成形金型７から取り出し、前記絶縁基板１の外部接続端子を形成するための開口部１Ｂに、例えば、Ｓｎ−Ｐｂ系はんだなどの接合材を用いてボール状の外部接続端子６を形成すると、図２に示したような半導体装置が得られる。
【００５７】
以上説明したように、本実施例の半導体装置の製造方法によれば、前記キャビティの深さＨ３が、前記半導体チップ４を実装した配線板の前記チップ実装領域の標準の厚さＨ２Ａよりも小さい成形金型７を用いて封止絶縁体５を形成することにより、トランスファモールドで封止した場合でも、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ａを容易に露出させることができる。
【００５８】
また、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ａ上に封止絶縁体５を形成しないため、従来のトランスファモールドで封止した半導体装置に比べ、装置を薄型化することができる。
【００５９】
また、前記半導体チップ４の非回路形成面４Ａを露出させることができるため、従来のトランスファモールドで封止した半導体装置に比べ、装置（半導体チップ４）の放熱性をよくすることができる。
【００６０】
また、前記配線板上に実装する半導体チップ４のみを小型化した場合でも、前記成形金型７の前記キャビティ７Ａの容積及び形状が一定であれば、前記半導体装置の外形寸法が変わらないので、装置の取り扱いが容易になる。
【００６１】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【００６２】
【発明の効果】
本発明において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
【００６３】
（１）配線板上に、弾性体を介在させて半導体チップを実装し、前記半導体チップの周囲をトランスファモールドで封止する半導体装置の製造方法において、半導体装置を薄型化できる。
【００６４】
（２）配線板上に、弾性体を介在させて半導体チップを実装し、前記半導体チップの周囲をトランスファモールドで封止する半導体装置の製造方法において、半導体チップの放熱性の低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による一実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】本実施例の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図１のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図３】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、半導体装置の製造するための配線板の断面図である。
【図４】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、半導体装置の製造するための配線板の部分拡大平面図である。
【図５】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、配線板に半導体チップを実装する工程の断面図である。
【図６】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、半導体チップを実装した配線板を封止する工程で用いる金型の断面図である。
【図７】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、図６の拡大断面図である。
【図８】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、半導体チップを実装した配線板を封止する工程の断面図である。
【図９】本実施例の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、半導体チップを実装した配線板を封止する工程の断面図である。
【図１０】従来の半導体装置の概略構成を示す模式断面図である。
【図１１】従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、半導体装置を製造するための配線板の断面図である。
【図１２】従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、配線板に半導体チップを実装する工程の断面図である。
【図１３】従来の半導体装置の課題を説明するための模式図である。
【図１４】従来の半導体装置の製造方法を説明するための模式図であり、成形金型を用いて封止する工程の断面図である。
【符号の説明】
１絶縁基板
１Ａボンディング用開口部
１Ｂ，１Ｄ絶縁基板の開口部
１Ｃ絶縁基板の半導体チップが接着された面の裏面
２配線
２Ａ配線のインナーリード部
３弾性体材料
３Ａ弾性体材料の開口部
４半導体チップ
４０１半導体チップの外部電極
５封止絶縁体
６外部接続端子
７成形金型
７Ａキャビティ
７０１上型
７０１Ａ上型の底面
７０２下型
７０２Ａ下型の表面

Claims

開口部を有する絶縁基板上に前記開口部上を通る配線が形成された配線板上に、発泡性の材料からなる弾性体材料を介在させて半導体チップを接着し、前記配線の、前記開口部上を通る部分を切断し、折り曲げて前記半導体チップの外部電極と電気的に接続した後、成形金型を用いて前記配線と半導体チップの外部電極との接続部、及び前記弾性体材料と前記半導体チップの周囲に封止絶縁体を形成する半導体装置の製造方法であって、前記配線板の前記半導体チップが接着された面の裏面と、前記半導体チップの前記弾性体材料と接着した面の裏面を、前記成形金型に接触された状態で封止絶縁体を形成するにあたり、前記成形金型として、前記封止絶縁体を成形する空間であるキャビティの、前記配線板の厚さ方向の対向する二つの面の距離が、前記キャビティ内に収容する前の、配線板の半導体チップが実装された面の裏面から半導体チップの前記弾性体材料と接着された面の裏面までの距離よりも小さい金型を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。