JPS58207657A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPS58207657A JP57090684A JP9068482A JPS58207657A JP S58207657 A JPS58207657 A JP S58207657A JP 57090684 A JP57090684 A JP 57090684A JP 9068482 A JP9068482 A JP 9068482A JP S58207657 A JPS58207657 A JP S58207657A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）　　発明の技術分野 本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に樹脂封止型
半導体装置の製造方法に関する。
（ｂ）　　技術の背景 昨今大容鴬半導体メモリ等に於て、α線によるソフト・
エラーの問題が話題になっており、今後集積度の向上に
伴ってこの問題は更に大きくなってくるてあらう。
現在上記α線障害に対して橢々の対策がとられている。
即ち。
（１）回路構造の工夫によりチップ自体の耐α線性を向
上させる。
（２）チップ表面を樹脂皮膜によって保穫する。
（３）封止材料のα線源含有量を減少せしめる０等であ
る。
しかしこれら対策はいずれも決定的なものではなく、更
に効果のある対策が各所に於て検討されている状況にあ
る。
（ｃ）　　従来技術と問題点 樹脂封止型半導体装置例えば樹脂モールド型半導体メモ
リ等に於ては、公知のように半導体メモリ・チップが直
かにモールド樹脂中に埋め込まれる。そしてモールド樹
脂中のフィラーにはα線の発生源が多く含まれるので、
該装置の集積度が向上し、メモリ・セルが微細化される
に伴って当然ソフト・エラーの問題が発生して来る。
該樹脂封止型半導体メモリ装置に於ては、ソフト・エラ
一対策として従来半導体チップ上にα線源を含１ない樹
脂層を塗布し、該樹脂層によりα線を遮断する方法條が
こうじられているが、塗布により形成される樹脂層は薄
いために、その遮蔽効果が充分でないという問題があっ
た。
又α線障害とは別に、従来の樹脂封止型構造に於てはり
一ド・フレームのチップステージ０バーの端面が樹脂ケ
ースの側面に表出するため、該表出部からチップステー
ジ・パーとモールド樹脂の界面をつたわって外部の湿気
がチップ面に浸入し、素子の信頼性を低下させるという
問題もあった。
（ｄ）　　発明の目的 本発明は上記問題点に鑑み、樹脂封止型半導体メモリ装
置に於けるソフト・エラーを減少せしめ、且つ耐湿性を
向上せしめる製造方法を提供し、該樹脂封止型半導体装
置の信頼性を向上せ゛しめることを目的とする。
（ｅ）発明の構成 即ち本発明は半導体装置の製造方法に於て、半）４ 導体チップを、チップ搭載領域に高分子フィルムが配設
されたフィルム・キャリア上に、該半導体チップの素子
形成面を前記チップ搭載領域の高分子フィルム面に密着
させてボンディング搭載し、核チップ搭載領域を円部リ
ードが延出された状態でフィルム・キャリアから切り放
し、該チップ搭載領域を内部リード部に於てリード・フ
レームにボンディング固定し、該チップ搭載領域を樹脂
封止する工程を有することを特徴とする。
（ｆ）　　発明の実施例 以下本発明を、実楠例について詳細に説明する。
第１図は本発明の一実倫例に用いるフィルム・キャリア
の平面図（イ）及びＡ　−Ａ’矢視断面図（ロ）、第２
図（イ）乃至（ホ）は本発明の一実施例に於ける工程断
面図、第３図は本発明の一実施例によって形成した四脂
何市型半導体メモリ装置のみ視平面図である０ 本発明の方法に使用するフィルム・キャリアは通常の方
法で形成され、第１図（イ）及び（ロ）に示すような構
造を有してなっている。該フィルム・キャリア１は図に
示すように、チップ搭載ステージＳを有することが特徴
である。そして該フィルム・キャリア１に於ける高分子
フィルム例えはポリイミド・フィルム２は、２〔枚〕の
フィルムが接着剤３によって貼り合わされてなっており
、その合計厚さは例えば１００〔μｍ〕程度である。又
配設される複数本の内部リード４は、例えば２５〜３５
〔μｍ〕程度の厚さの銅（Ｃｕ）或いはアルミニウム（
Ａｔ）等からなり、その先端部がポリイミド・フィルム
２のチ・ツブ搭載ステージＳ部に於て、根部かポリイミ
ド・フィルム２の枠部Ｆに於てそれぞれ２〔枚〕のフィ
ルム間に挾持固着されている。そして内部リード４の表
示部には金（Ａｕ）或いは銀（ＡＰ）等のめっきが施さ
れてなっている。
本発明の方法は、例えば第２図（イ）に示すように前記
ポリイミド・フィルム２からなるチップ搭載ステージＳ
と枠Ｆ及び内部リード４を有するフィルム書キャリア１
を用いる。
そして先ず第２図（Ｏ）に示すように、例えば半導体メ
モリチップ５上に前記フィルム・キャリア１を、半導体
メモリチップ５のメモリ・セル形成面Ｍとフィルム・キ
ャリア１のチップ搭載ステージＳ面を密着せしめた状態
で、半導体メモリチップ５のボンディング健ハツト６と
フィルム・キャリア１の内部リード４を熱圧着して固定
する。（通常ギヤング・ボンディング法により全内部リ
ードを一括ボンディングする）０ なお半導体メモリ・チップ５のセル形成面Ｍとフィルム
・キャリア１のチップ搭載ステージＳ面の密着性を更に
高めるために１これらの面間をα線源を含まない樹脂例
えばエポキシ樹脂等で接着しても良い。
次いで前記内部リード４をフィルム・キャリア１の枠部
Ｆ近傍で切り放し、第２図（ハ）に示すように、半導体
メモリ・チップ５がポリイミド−フィルム２からなるチ
ップ搭載ステージＳ上に密着固定され周囲に内部リード
４が延出された中間組立体７を形成する。
次いで第２図に）に示すように、表面にＡｕ或いはＡｆ
等のめっきが施されたリード・フレーム８上に、上記中
間組立体７を導出されている内部リード４の端部近傍に
於て熱圧着法等によりボンディング固定する。
なお上記内部リード４の切断と、中間組立体７のリード
・フレーム８上への固定は公知のように通常連続動作で
行われ、内部リード４とリードψフレーム８とのボンデ
ィングには通常ギヤング・ボンディング法が用いられる
。
次いで通常通りモールド・プレスを用いて第２図（ホ）
に示すような樹脂封止型半導体メモリ装置を形成する。
同図に於て、２はポリイミド・フィルム、４は内部リー
ド、５は半導体メモリφチップ。
８はリード・フレーム、９は樹脂ケースを示している。
そして前述したように半導体メモリ・チップ５のセル形
成面Ｍ上にはポリイミドのチップ搭載ステージＳ面が密
着せしめられているので、該モールド工程に於てモール
ド樹脂が半導体メモリチップ５のセル領域上まで流れ込
むことはない。
第３図は上記本発明の方法で形成した樹脂封止型半導体
メモリ装置の透視平面図でちる１、該図に於て、２はポ
リイミド・フィルム、４は内部リード、５は半導体メモ
リ・チップ、９は１酊脂ケース。
１０はリード・フレームから切り故された外部リード、
１１は半導体メモリ・チップのボンディング・パッドと
内部リードのボンディング部、１２は内部リードと外部
リードのボンディング部を示す・・ （ｇ）　　発明の詳細 な説明したように本発明の方法で形成した樹脂封止型半
導体メモリ装置に於ては、チップのセル領域面がポリイ
ミド・フィルムと密着しており、該セル領域面にα線源
を含んだモールド樹脂が流れ込むことがない。又セル領
域面を覆っているポリイミド争フィルムは前述のように
１００〔μｍ〕程度の厚さを有する。そのためモールド
樹脂内で発生し、該ポリイミド・フィルムを透過してセ
ル領域面に到達するα線の量は大幅に減少せしめられる
。
以上の点から本発明によれば、樹脂封止型半導体メモリ
装置のソフト・エラーを減少せしめることができる。
史に又、本発明の方法に於ては、上記実施例から明らか
なように、リード・フレームのチップ・ステージを必要
としない。
従って従来構造のようにチップｅステージが保持すれて
いたステージ・バーの端面が樹脂ケースの側面に表出す
ることがなくなる。そのため特にディップ構造等に於て
は樹脂封止型半導体装置の耐湿性力；大幅に向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に用いるフィルム−キャリア
の平面図（イ）及びＡ　−Ａ’矢視断面図（ロ）、第２
図（イ）乃至（ホ）は本発明の一実施例に於ける工程断
面図で、第３図は本発明の一実施例によって形成した樹
脂封止型半導体メモリ装置の透視平面図である。 図に於て、１はフィルム・キャリア、２はポリイミド・
フィルム、３は接着剤、４は内部リード。 ５は半導体メモリ・チップ、６はボンディング・パッド
、Ｈｄ中間組立体、８はリード・フレーム。 ９は樹脂ケース、１０は外部リード、１１．１２はボン
ディング部、Ｆは枠部９Ｍはメモリ・セル形成面、Ｓｌ
″ｉチップ搭載ステージを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップを、チップ搭載領域に高分子フィルムが配
    設されたフィルム・キャリア上に、該半導体チップの素
    子形成面を前記チップ搭載領域の高分子フィルム面に密
    着させてポンディング搭載し、該チップ搭載領域を内部
    リードが延出された状態でフィルム−キャリアから切り
    放し、該チップ搭載領域を内部リード部に於てリード・
    フレームにボンディング固定し、該チップ搭載領域を１
    ｆＡ脂封止する工程を有することを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
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