JPH0760837B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は樹脂封止型半導体装置、特に半導体素子上に同
じ電位又は信号を供給しようとする複数の電極が互いに
離れた位置に存在している場合に、この複数の電極に1
つのリードから同じ電位又は信号を供給できるようにし
た樹脂封止型半導体装置に関する。
じ電位又は信号を供給しようとする複数の電極が互いに
離れた位置に存在している場合に、この複数の電極に1
つのリードから同じ電位又は信号を供給できるようにし
た樹脂封止型半導体装置に関する。
(従来の技術) 従来、上記樹脂封止型半導体装置、例えば、DIP(Dual
lnline Package)としては、第8図乃至第11図に示すも
のが一般に知られている。
lnline Package)としては、第8図乃至第11図に示すも
のが一般に知られている。
即ち、2列に平行に延びるフレーム枠2の中間に、矩形
状のダイパッド3を吊りピン4を介して保持するととも
に、外部との電気信号をやりとりするための端子である
複数のリード5をタイバー6で保持して上記ダイパッド
3の周囲に沿って配置し、更にこの各リード5の内方端
部に金又は銀メッキを施してメッキ部7を形成してリー
ドフレーム1を構成する。そして、第9図に示すよう
に、このリードフレーム1のダイパット3の上面のほぼ
中央に、周縁部に複数の電極パッド9を設けた半導体素
子8を搭載する。
状のダイパッド3を吊りピン4を介して保持するととも
に、外部との電気信号をやりとりするための端子である
複数のリード5をタイバー6で保持して上記ダイパッド
3の周囲に沿って配置し、更にこの各リード5の内方端
部に金又は銀メッキを施してメッキ部7を形成してリー
ドフレーム1を構成する。そして、第9図に示すよう
に、このリードフレーム1のダイパット3の上面のほぼ
中央に、周縁部に複数の電極パッド9を設けた半導体素
子8を搭載する。
この状態で、第10図に示すように、この半導体素子8の
周縁部に備えられた各電極パッド9と上記各リード5の
内方端部に形成されたメッキ部7とを、ボンディングワ
イヤ10で電気的に接続し、しかる後、第11図に示すよう
に、各リード5の外側部分を除いた全体をモールド樹脂
11で樹脂封止し、更に各リード5及び吊りピン4をリー
ドフレーム1のフレーム枠2から切り離した後、タイバ
ー6の除去及びリード5の曲げ加工を施して半導体装置
を構成したものである。
周縁部に備えられた各電極パッド9と上記各リード5の
内方端部に形成されたメッキ部7とを、ボンディングワ
イヤ10で電気的に接続し、しかる後、第11図に示すよう
に、各リード5の外側部分を除いた全体をモールド樹脂
11で樹脂封止し、更に各リード5及び吊りピン4をリー
ドフレーム1のフレーム枠2から切り離した後、タイバ
ー6の除去及びリード5の曲げ加工を施して半導体装置
を構成したものである。
なお、上記半導体素子8は、同図に示すように、ダイパ
ッド3の上面に導電性又は非導電性の接着剤であるマウ
ントペースト12を介して接着(マウント)されている。
ッド3の上面に導電性又は非導電性の接着剤であるマウ
ントペースト12を介して接着(マウント)されている。
近年、半導体素子のサイズ縮小化のため、配線の微細化
が進められ、この結果、配線抵抗が高くなってノイズの
問題が顕在化する傾向にある。特に、例えば半導体素子
の電源配線は、半導体素子の面積の大部分を占めるた
め、サイズ縮小化のためには必要以上に細くすることが
要求されるが、このように細くするとノイズの問題が顕
著に現れてしまう。
が進められ、この結果、配線抵抗が高くなってノイズの
問題が顕在化する傾向にある。特に、例えば半導体素子
の電源配線は、半導体素子の面積の大部分を占めるた
め、サイズ縮小化のためには必要以上に細くすることが
要求されるが、このように細くするとノイズの問題が顕
著に現れてしまう。
このように、ノイズが生じてしまうと、半導体装置の動
作スピードを早くすることが困難となってしまう この対策として、例えば電源をとる電極(電源パッド)
を半導体素子上に複数個設け、この各電源パッドと電源
をとるリード(電源リード)とを夫々直接電気的に接続
することにより、この電源パッドから半導体素子上に形
成されている素子までの距離を短くし、この電源パッド
と素子間の配線抵抗を低くすることが提案されている。
作スピードを早くすることが困難となってしまう この対策として、例えば電源をとる電極(電源パッド)
を半導体素子上に複数個設け、この各電源パッドと電源
をとるリード(電源リード)とを夫々直接電気的に接続
することにより、この電源パッドから半導体素子上に形
成されている素子までの距離を短くし、この電源パッド
と素子間の配線抵抗を低くすることが提案されている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、電源をとるリード(電源リード)が例え
ば1本に限られ、しかも半導体素子上に電源をとる電極
(電源パッド)が互いに離れた位置に複数存在する場
合、例えば1つの電源パッドが上記電源リードの近辺に
存在し、他の電源パッドが上記1の電源パッドと半導体
素子を挟んで反対側の位置にある場合等においては、他
のリードが存在する関係で、電源リードを他の電源パッ
ドまで引き回すことができなかった。
ば1本に限られ、しかも半導体素子上に電源をとる電極
(電源パッド)が互いに離れた位置に複数存在する場
合、例えば1つの電源パッドが上記電源リードの近辺に
存在し、他の電源パッドが上記1の電源パッドと半導体
素子を挟んで反対側の位置にある場合等においては、他
のリードが存在する関係で、電源リードを他の電源パッ
ドまで引き回すことができなかった。
即ち、このような半導体装置を構成することは不可能で
あるのが現状であった。
あるのが現状であった。
なお、上記1つの電源リードと複数の電源パッドとの関
係に限ることなく、他の信号をとる1つのリードとこの
信号を受ける複数の電極との関係に対しても同様のこと
がいえる。
係に限ることなく、他の信号をとる1つのリードとこの
信号を受ける複数の電極との関係に対しても同様のこと
がいえる。
本発明は上記に鑑み、電源又は信号をとるリードが限ら
れ、しかも半導体素子上にこの1つのリードと接続すべ
き複数の電極が互いに離れて存在していても、半導体素
子の組立てを可能としたものを提供することを目的とす
るする。
れ、しかも半導体素子上にこの1つのリードと接続すべ
き複数の電極が互いに離れて存在していても、半導体素
子の組立てを可能としたものを提供することを目的とす
るする。
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明に係る樹脂封止型半導
体装置は、リードフレームのダイパッド上に半導体素子
を搭載するとともに、上記リードフレームの各リード内
方端部と半導体素子の周縁部に備えられた各電極とを電
気的接続して半導体素子全体を樹脂で封止した樹脂封止
型半導体装置において、 上記リード内方端部は上記ダイパッドの側端縁の上方へ
の延長線上の少くとも近傍まで延びているとともに、上
記リード内方端部は上記半導体素子の上面より上方にあ
り、 上記半導体素子の上方に少なくとも1本の配線用リード
を配置し、少なくとも1つのリードと半導体素子上の2
つ以上の電極とをこの配線用リードを介して電気的に接
続して半導体素子全体を樹脂で封止したものである。
体装置は、リードフレームのダイパッド上に半導体素子
を搭載するとともに、上記リードフレームの各リード内
方端部と半導体素子の周縁部に備えられた各電極とを電
気的接続して半導体素子全体を樹脂で封止した樹脂封止
型半導体装置において、 上記リード内方端部は上記ダイパッドの側端縁の上方へ
の延長線上の少くとも近傍まで延びているとともに、上
記リード内方端部は上記半導体素子の上面より上方にあ
り、 上記半導体素子の上方に少なくとも1本の配線用リード
を配置し、少なくとも1つのリードと半導体素子上の2
つ以上の電極とをこの配線用リードを介して電気的に接
続して半導体素子全体を樹脂で封止したものである。
(作用) 上記のように構成した本発明によれば、例えば電源をと
る1つのリード(電源リード)と、この電源リードの近
辺に存在する1つの電極(電源パッド)とを電気的に接
続して半導体素子のこの電源パッドに電源を供給すると
ともに、他のリードと接触してしまうことがないよう半
導体素子の上方に配置された配線用リードを介して、上
記1つの電源パッドから離れた位置にある他の電極(電
源パッド)と上記電源リードとを電気的に接続すること
により、この他の電源パッドにも上記1つの電源リード
から電源を供給することができ、これにより、1つのリ
ードから半導体素子上に離れて存在する複数の電極に同
一の電位又は信号を供給することができる。
る1つのリード(電源リード)と、この電源リードの近
辺に存在する1つの電極(電源パッド)とを電気的に接
続して半導体素子のこの電源パッドに電源を供給すると
ともに、他のリードと接触してしまうことがないよう半
導体素子の上方に配置された配線用リードを介して、上
記1つの電源パッドから離れた位置にある他の電極(電
源パッド)と上記電源リードとを電気的に接続すること
により、この他の電源パッドにも上記1つの電源リード
から電源を供給することができ、これにより、1つのリ
ードから半導体素子上に離れて存在する複数の電極に同
一の電位又は信号を供給することができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図及び第2図に示すように、矩形状のダイパッド33
を吊りピン34を介して保持したリードフレーム21の該ダ
イパット33の上面のほぼ中央には、マウントペースト12
を介して半導体素子51が搭載され、各リード43と半導体
素子51の電極パッド52とはボンディングワイヤ10で電気
的に接続されてているとともに、半導体素子51の上方に
は、配線用リード46が配置され、半導体素子51全体はモ
ールド樹脂11で樹脂封止されている。
を吊りピン34を介して保持したリードフレーム21の該ダ
イパット33の上面のほぼ中央には、マウントペースト12
を介して半導体素子51が搭載され、各リード43と半導体
素子51の電極パッド52とはボンディングワイヤ10で電気
的に接続されてているとともに、半導体素子51の上方に
は、配線用リード46が配置され、半導体素子51全体はモ
ールド樹脂11で樹脂封止されている。
上記リードフレーム21は、第3図に示すベッドフレーム
31と、第4図に示すリード部フレーム41の2枚の板材を
所定の位置に位置合わせして重合させることによって構
成されている。
31と、第4図に示すリード部フレーム41の2枚の板材を
所定の位置に位置合わせして重合させることによって構
成されている。
即ち、ベッドフレーム31は、2列に平行に延びるフレー
ム枠32のほぼ中間に、矩形状のダイパット33を吊りピン
34を介して保持するとともに、この吊りピン34を下方に
屈曲させ、これによってダイパッド33のなす平面がフレ
ーム枠32のなす平面より下方に位置するようなされてい
る。
ム枠32のほぼ中間に、矩形状のダイパット33を吊りピン
34を介して保持するとともに、この吊りピン34を下方に
屈曲させ、これによってダイパッド33のなす平面がフレ
ーム枠32のなす平面より下方に位置するようなされてい
る。
また、リード部フレーム41は、2列に平行に延びるフレ
ーム枠42の内部に、上記ベッドフレーム31と重合させた
時にこのダイパット33の周囲に沿った位置に複数のリー
ド43が位置するようタイバー44を介して該複数のリード
43を保持し、更にこの各リードのうちの1つをVSS電位
(グランド電位)を供給するVSS電源リード(電源リー
ド)43′となすとともに、この電源リード43′に連続し
て横方向に延び他方のフレーム枠42まで達し、所定の位
置にボンディングポスト45を形成した配線用リード46を
この電源リード43′に一体に連接し、更にこの各リード
43の内方端部金又は銀メッキを施してメッキ部47を形成
し、更にボンディングポスト45にもメッキを施したもの
である。
ーム枠42の内部に、上記ベッドフレーム31と重合させた
時にこのダイパット33の周囲に沿った位置に複数のリー
ド43が位置するようタイバー44を介して該複数のリード
43を保持し、更にこの各リードのうちの1つをVSS電位
(グランド電位)を供給するVSS電源リード(電源リー
ド)43′となすとともに、この電源リード43′に連続し
て横方向に延び他方のフレーム枠42まで達し、所定の位
置にボンディングポスト45を形成した配線用リード46を
この電源リード43′に一体に連接し、更にこの各リード
43の内方端部金又は銀メッキを施してメッキ部47を形成
し、更にボンディングポスト45にもメッキを施したもの
である。
半導体素子51は、第5図にその平面を示すように、周縁
部に複数の電極パッド52が設けられているとともに、こ
の電極パッド52の内、互いに長さ方向に対向する位置の
2個の電源パッドは、VSS電位(グランド電位)を必要
とするVSS電極パッド(電源パッド)52′,52″となされ
ている。
部に複数の電極パッド52が設けられているとともに、こ
の電極パッド52の内、互いに長さ方向に対向する位置の
2個の電源パッドは、VSS電位(グランド電位)を必要
とするVSS電極パッド(電源パッド)52′,52″となされ
ている。
このように半導体素子51上に2つの電源パッド52′,5
2″が互いに離れて存在する場合、従来例においては、
この両電源パッド52′,52″と1つの電源リードとを電
気的に接続することができなかったのであるが、本実施
例をこれを可能としたものである。
2″が互いに離れて存在する場合、従来例においては、
この両電源パッド52′,52″と1つの電源リードとを電
気的に接続することができなかったのであるが、本実施
例をこれを可能としたものである。
即ち、第5図に示すように、上記ベッドフレーム31のダ
イパット33の上面のほぼ中央に上記半導体素子51をマウ
ントペースト12を介して搭載し、しかる後、第6図に示
すように、この上に上記リード部フレーム41をフレーム
枠32,42同志を決められた位置にて重合させて、例えば
溶接機を用いて両者を貼り合わせる。
イパット33の上面のほぼ中央に上記半導体素子51をマウ
ントペースト12を介して搭載し、しかる後、第6図に示
すように、この上に上記リード部フレーム41をフレーム
枠32,42同志を決められた位置にて重合させて、例えば
溶接機を用いて両者を貼り合わせる。
これによって、2枚の板体であるベッドフレーム31とリ
ード部フレーム41によってリードフレーム21を構成する
とともに、この内部、即ちダイパット33の上面に半導体
素子51を搭載させ、半導体素子51の各電極パッド52の上
方の周囲に各リード43を位置させ、更に半導体素子51の
上方を配線用リード46が横切るようになすことができ
る。
ード部フレーム41によってリードフレーム21を構成する
とともに、この内部、即ちダイパット33の上面に半導体
素子51を搭載させ、半導体素子51の各電極パッド52の上
方の周囲に各リード43を位置させ、更に半導体素子51の
上方を配線用リード46が横切るようになすことができ
る。
そして、この時、電源リード43′は、電源パッド52′の
周囲に位置し、更にこの電源リード43′に連接された配
線用リード46は、半導体素子51の上方を他のリード43に
邪魔されることなく引き回されて、この配線用リード46
に設けられたボンディングポスト45が電源パッド52″の
近辺まで無理なく達することになる。
周囲に位置し、更にこの電源リード43′に連接された配
線用リード46は、半導体素子51の上方を他のリード43に
邪魔されることなく引き回されて、この配線用リード46
に設けられたボンディングポスト45が電源パッド52″の
近辺まで無理なく達することになる。
従って、第7図に示すように、電源リード43′と電源パ
ッド52′をボンディングワイヤ10で電気的に接続するこ
とにより、電源パッド52′にVSS電位を供給することが
でき、又配線用リード46は電源リード43′と接合されて
いるので、配線用リード46はVSS電位となっている為、
配線用リード46のボンディングポスト45と他の電源パッ
ド52″とをボンディングワイヤ10で電気的に接続するこ
とで、この他の電源パッド52″にもVSS電位を供給する
ことができる。
ッド52′をボンディングワイヤ10で電気的に接続するこ
とにより、電源パッド52′にVSS電位を供給することが
でき、又配線用リード46は電源リード43′と接合されて
いるので、配線用リード46はVSS電位となっている為、
配線用リード46のボンディングポスト45と他の電源パッ
ド52″とをボンディングワイヤ10で電気的に接続するこ
とで、この他の電源パッド52″にもVSS電位を供給する
ことができる。
これにより、電源をとる1つの電源リード43′と、この
電源リード43′の近辺に存在する電源パッド52′とを電
気的に接続して半導体素子51のこの電源パッド52′にV
SS電源を供給するとともに、他のリード43と接触してし
まうことがないよう半導体素子51の上方に配置された配
線用リード46を介して、上記電源パッド52′から離れた
位置にある他の電源パッド52″と上記電源リード43′と
を電気的に接続することにより、この他の電源パッド5
2″にも上記1つの電源リード43′からVSS電源を供給す
ることができることになる。
電源リード43′の近辺に存在する電源パッド52′とを電
気的に接続して半導体素子51のこの電源パッド52′にV
SS電源を供給するとともに、他のリード43と接触してし
まうことがないよう半導体素子51の上方に配置された配
線用リード46を介して、上記電源パッド52′から離れた
位置にある他の電源パッド52″と上記電源リード43′と
を電気的に接続することにより、この他の電源パッド5
2″にも上記1つの電源リード43′からVSS電源を供給す
ることができることになる。
更に、同図に示すように、他の電極パッド52とリード43
のメッキ部47とをボンディングワイヤ10で電気的に接続
する。
のメッキ部47とをボンディングワイヤ10で電気的に接続
する。
そして、リード43、43′の外側部分を除いた全体をモー
ルド樹脂11で樹脂封止し、更に各リード43、43′及び吊
りピン34をリードフレーム21のフレーム枠32,42から切
り離した後、タイバー44の除去及びリード43、43′へ曲
げ加工を施して第1図及び第2図に示す半導体装置を構
成するのである。
ルド樹脂11で樹脂封止し、更に各リード43、43′及び吊
りピン34をリードフレーム21のフレーム枠32,42から切
り離した後、タイバー44の除去及びリード43、43′へ曲
げ加工を施して第1図及び第2図に示す半導体装置を構
成するのである。
なお、上記実施例は、1の電源リードから2つの電源パ
ッドに電源を供給するようにした例を示しているが、例
えば電源リード又は配線用リードに形成したボンディン
グポストの近辺の一方又は双方に同一の電位をとる複数
の電源パッドが存在するような場合には、この複数の電
源パッドと電源リード又は配線用リードのボンディング
ポストとを個々にボンディングワイヤ等で電気的に接続
するようにすることもできる。
ッドに電源を供給するようにした例を示しているが、例
えば電源リード又は配線用リードに形成したボンディン
グポストの近辺の一方又は双方に同一の電位をとる複数
の電源パッドが存在するような場合には、この複数の電
源パッドと電源リード又は配線用リードのボンディング
ポストとを個々にボンディングワイヤ等で電気的に接続
するようにすることもできる。
また、上記電源リードに限ることなく、例えば他の信号
を取る1つのリードに対しても、上記と同様にして、こ
の信号を複数の電源パッドに供給するようにすることが
できる。
を取る1つのリードに対しても、上記と同様にして、こ
の信号を複数の電源パッドに供給するようにすることが
できる。
更に、配線用リードは、1個に限ることなく、段差等を
設けたり所定間隔離間させたりして、互いに接触しない
ようにした2本以上のものを使用し、各配線用リードを
上記と同様に構成するようにすることもできる。
設けたり所定間隔離間させたりして、互いに接触しない
ようにした2本以上のものを使用し、各配線用リードを
上記と同様に構成するようにすることもできる。
〔発明の効果〕 本発明は上記のような構成であるので、半導体素子の複
数の電極に1のリードから同電位又は同信号を供給する
ことができ、これによって、半導体素子の配線の微細化
による配線抵抗の問題、即ち電源及び信号のノイズ発生
の問題に対し、半導体素子上に複数の同一電位または電
極パッドを設けるという対策を施すことが可能となるば
かりでなく、半導体素子の設計に自由度を大幅に向上さ
せることができるといった効果がある。
数の電極に1のリードから同電位又は同信号を供給する
ことができ、これによって、半導体素子の配線の微細化
による配線抵抗の問題、即ち電源及び信号のノイズ発生
の問題に対し、半導体素子上に複数の同一電位または電
極パッドを設けるという対策を施すことが可能となるば
かりでなく、半導体素子の設計に自由度を大幅に向上さ
せることができるといった効果がある。
第1図乃至第7図は本発明の一実施例を示し、第1図は
透視図、第2図は第1図のII−II′線断面図、第3図及
び第4図はリードフレームを構成するベッドフレーム及
びリード部フレームを夫々示す平面図、第5図はベッド
フレーム上に半導体素子を搭載した状態の平面図、第6
図は第5図に示すベッドフレーム上にリード部フレーム
を重ね合わせた状態を示す平面図、第7図は更にワイヤ
ボンディングを施した状態を示す平面図、第8図乃至第
11図は従来例を示し、第8図はフードフレームを示す平
面図、第9図はリードフレーム上に半導体素子を搭載し
た状態を示す平面図、第10図は更にワイヤボンディング
を施した状態を示す平面図、第11図は第2図相当図であ
る。 10……ボンディングワイヤ、11……モールド樹脂、12…
…マウントペースト、21……リードフレーム、31……ベ
ッドフレーム、32……ベッドフレームのフレーム枠、33
……ダイパッド、34……吊りピン、41……リード部フレ
ーム、42……リード部フレームのフレーム枠、43……リ
ード、43′……電源リード、45……ボンディングポス
ト、46……配線用リード、51……半導体素子、52……電
源パッド、52′,52″……電源パッド。
透視図、第2図は第1図のII−II′線断面図、第3図及
び第4図はリードフレームを構成するベッドフレーム及
びリード部フレームを夫々示す平面図、第5図はベッド
フレーム上に半導体素子を搭載した状態の平面図、第6
図は第5図に示すベッドフレーム上にリード部フレーム
を重ね合わせた状態を示す平面図、第7図は更にワイヤ
ボンディングを施した状態を示す平面図、第8図乃至第
11図は従来例を示し、第8図はフードフレームを示す平
面図、第9図はリードフレーム上に半導体素子を搭載し
た状態を示す平面図、第10図は更にワイヤボンディング
を施した状態を示す平面図、第11図は第2図相当図であ
る。 10……ボンディングワイヤ、11……モールド樹脂、12…
…マウントペースト、21……リードフレーム、31……ベ
ッドフレーム、32……ベッドフレームのフレーム枠、33
……ダイパッド、34……吊りピン、41……リード部フレ
ーム、42……リード部フレームのフレーム枠、43……リ
ード、43′……電源リード、45……ボンディングポス
ト、46……配線用リード、51……半導体素子、52……電
源パッド、52′,52″……電源パッド。
Claims (2)
- 【請求項1】リードフレームのダイパッド上に半導体素
子を搭載するとともに、上記リードフレームの各リード
内方端部と半導体素子の周縁部に備えられた各電極とを
電気的接続して半導体素子全体を樹脂で封止した樹脂封
止型半導体装置において、 上記リード内方端部は上記ダイパッドの側端縁の上方へ
の延長線上の少くとも近傍まで延びているとともに、上
記リード内方端部は上記半導体素子の上面より上方にあ
り、 上記半導体素子の上方に少なくとも1本の配線用リード
を配置し、少なくとも1つのリードと半導体素子上の2
つ以上の電極とをこの配線用リードを介して電気的に接
続して半導体素子全体を樹脂で封止したことを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項2】上記リードフレームは、フレーム枠の中間
にこのフレーム枠のなす平面より下方に位置するダイパ
ッドを有するベッドフレームと、上記ベッドフレームと
上記フレーム枠において重合させたときに上記ダイパッ
トの周囲に沿う位置にくる複数のリードを有するリード
部フレームとを備え、 上記リードフレームは、上記ベッドフレームと上記リー
ド部フレームとを重合させて形成されていることを特徴
とする請求項1に記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2062037A JPH0760837B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
US07/667,335 US5089879A (en) | 1990-03-13 | 1991-03-11 | Resin seal type semiconductor device |
DE69114554T DE69114554T2 (de) | 1990-03-13 | 1991-03-12 | Halbleiteranordnung des Harzverkapselungstyps. |
EP91103751A EP0447922B1 (en) | 1990-03-13 | 1991-03-12 | Resin seal type semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2062037A JPH0760837B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03263334A JPH03263334A (ja) | 1991-11-22 |
JPH0760837B2 true JPH0760837B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=13188570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2062037A Expired - Fee Related JPH0760837B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5089879A (ja) |
EP (1) | EP0447922B1 (ja) |
JP (1) | JPH0760837B2 (ja) |
DE (1) | DE69114554T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102515082A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-06-27 | 天水华天科技股份有限公司 | 一种单载体mems器件封装件及其生产方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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EP0468379B1 (en) * | 1990-07-21 | 1999-11-17 | Mitsui Chemicals, Inc. | Semiconductor device having a package |
JP2501953B2 (ja) * | 1991-01-18 | 1996-05-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH05144992A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法ならびにその製造に使用されるリードフレームおよびその製造方法 |
JPH05206354A (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
JP2866572B2 (ja) * | 1994-02-07 | 1999-03-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造方法 |
JP3462921B2 (ja) * | 1995-02-14 | 2003-11-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
EP0887850A3 (en) | 1997-06-23 | 2001-05-02 | STMicroelectronics, Inc. | Lead-frame forming for improved thermal performance |
US20030151120A1 (en) * | 2000-06-28 | 2003-08-14 | Hundt Michael J. | Lead-frame forming for improved thermal performance |
US20040109525A1 (en) * | 2002-12-09 | 2004-06-10 | Chieng Koc Vai Chieng Aka Michael | Automatic chip counting system (process) |
US8120537B2 (en) * | 2008-05-09 | 2012-02-21 | Viasat, Inc. | Inclined antenna systems and methods |
US20090278762A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Viasat, Inc. | Antenna Modular Sub-array Super Component |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6011462B2 (ja) * | 1977-01-31 | 1985-03-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPS58207657A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS6080230A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Akita Denshi Kk | 半導体装置およびその製法 |
US4814943A (en) * | 1986-06-04 | 1989-03-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Printed circuit devices using thermoplastic resin cover plate |
JPS63169051A (ja) * | 1987-01-05 | 1988-07-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
US4796078A (en) * | 1987-06-15 | 1989-01-03 | International Business Machines Corporation | Peripheral/area wire bonding technique |
US4985751A (en) * | 1988-09-13 | 1991-01-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor devices |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP2062037A patent/JPH0760837B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-11 US US07/667,335 patent/US5089879A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-12 EP EP91103751A patent/EP0447922B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-12 DE DE69114554T patent/DE69114554T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102515082A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-06-27 | 天水华天科技股份有限公司 | 一种单载体mems器件封装件及其生产方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69114554T2 (de) | 1996-05-02 |
EP0447922A1 (en) | 1991-09-25 |
JPH03263334A (ja) | 1991-11-22 |
DE69114554D1 (de) | 1995-12-21 |
US5089879A (en) | 1992-02-18 |
EP0447922B1 (en) | 1995-11-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |