JPS6080230A - 半導体装置およびその製法 - Google Patents
半導体装置およびその製法Info
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- JPS6080230A JPS6080230A JP58186903A JP18690383A JPS6080230A JP S6080230 A JPS6080230 A JP S6080230A JP 58186903 A JP58186903 A JP 58186903A JP 18690383 A JP18690383 A JP 18690383A JP S6080230 A JPS6080230 A JP S6080230A
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2924/15165—Monolayer substrate
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にワイヤボンディングを
必要とせず、一度でボンディングを完了することができ
る半導体装置およびその製法に関する。
必要とせず、一度でボンディングを完了することができ
る半導体装置およびその製法に関する。
半導体素子を半導体パッケージに組込むには、半導体素
子の電極（ポンディングパッド）から外部リード端子（
以下単に外部リードという）への電気的接続が必要であ
る。この接続にはＡｕ線やＡＪ線などのコネクタワイヤ
が使用され、半導体素子側のパッドと外部リード側のパ
ッドとをこのコネクタワイヤによりワイヤボンディング
することにより行われている。
子の電極（ポンディングパッド）から外部リード端子（
以下単に外部リードという）への電気的接続が必要であ
る。この接続にはＡｕ線やＡＪ線などのコネクタワイヤ
が使用され、半導体素子側のパッドと外部リード側のパ
ッドとをこのコネクタワイヤによりワイヤボンディング
することにより行われている。
しかし、電極数が増々増加する傾向にあり、例えば４０
ビン以上特に７０ビン以上の多数のワイヤボンディング
ではポンディングパッドが近接しており、本発明者の検
討によれば、品質確保上ボンディングのスピードアップ
がなかなか出来ず、出来上った夷品のワイヤー間の接触
による不良等を招き品質面、信頼性の面でも問題か多い
。
ビン以上特に７０ビン以上の多数のワイヤボンディング
ではポンディングパッドが近接しており、本発明者の検
討によれば、品質確保上ボンディングのスピードアップ
がなかなか出来ず、出来上った夷品のワイヤー間の接触
による不良等を招き品質面、信頼性の面でも問題か多い
。
一方、メ七ＩＪＩＯ等におけるα線による誤動作（ソフ
トエラー）の関係から、ポリイミド系合成樹脂などを半
導体チップにコートすることが行われ又いる（特公昭５
２−２６９８９号公報）が、このためには塗布工程を一
工程増さねばならない。
トエラー）の関係から、ポリイミド系合成樹脂などを半
導体チップにコートすることが行われ又いる（特公昭５
２−２６９８９号公報）が、このためには塗布工程を一
工程増さねばならない。
本発明の目的は、ワイヤボンディングを必要とせず、ボ
ンディングＹｉＩ度よく行うことができ、しかもα線遮
へい効果がある半導体装置およびその製法を提供するこ
とにある。
ンディングＹｉＩ度よく行うことができ、しかもα線遮
へい効果がある半導体装置およびその製法を提供するこ
とにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願に倉いて開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、合成樹脂の板状体、例えばフィルムに予じめ
コネクタワイヤに相当する細線配線パターンを形成して
おき、当該フィルムに半導体素子ｌボンディングするこ
とにより、多数結線を一度に可能とし、さらに当該フィ
ルムの材質にα線遮へい効果のあるものを選択すること
によりα線を遮へいするものである。
コネクタワイヤに相当する細線配線パターンを形成して
おき、当該フィルムに半導体素子ｌボンディングするこ
とにより、多数結線を一度に可能とし、さらに当該フィ
ルムの材質にα線遮へい効果のあるものを選択すること
によりα線を遮へいするものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の半導体装置の断面図を示し、Ｄ Ｉ
Ｐ （Ｄｕａｌ Ｉｎ−Ｉ、ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）
セラミツフタ（プ（ＤＬＬ−０）のパッケージを示す。
Ｐ （Ｄｕａｌ Ｉｎ−Ｉ、ｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）
セラミツフタ（プ（ＤＬＬ−０）のパッケージを示す。
第１図にて、１は合成樹脂製シート、フィルム。
テープなどの板状体、２は当該シート表面に形成された
外部リードに結線できる配線パターン、３は半導体素子
接続用バッド、４は半導体素子、５は配線パターン２に
設けられた。当該パターンを外部リードにボンディング
しゃすいようにするために設けられた突起部（ボンディ
ング部）、６はペース、７は半導体素子をベース上に接
合固着するための接合材料、８は外部リード、９は封止
材、１０はキャップである。合成樹脂板状体１としては
、フレキシブルで高温でも変質せず、α線遮へい効果の
ある、例えばポリイミド系合成樹脂より構成されるもの
が好ましい。配線パターン２は。
外部リードに結線できる配線パターン、３は半導体素子
接続用バッド、４は半導体素子、５は配線パターン２に
設けられた。当該パターンを外部リードにボンディング
しゃすいようにするために設けられた突起部（ボンディ
ング部）、６はペース、７は半導体素子をベース上に接
合固着するための接合材料、８は外部リード、９は封止
材、１０はキャップである。合成樹脂板状体１としては
、フレキシブルで高温でも変質せず、α線遮へい効果の
ある、例えばポリイミド系合成樹脂より構成されるもの
が好ましい。配線パターン２は。
例えば銅（Ｏｕ）箔により構成され、Ｏｕを蒸着し、ホ
トリソグラフィ技術を用いたエツチングにより、多数の
コネクタワイヤに相当する細線配線パターンを形成する
。半導体素子接続用バッド３の構造の詳細は第２図で一
部図示するように、当該配線パターン２上に、例えば、
メッキにより。
トリソグラフィ技術を用いたエツチングにより、多数の
コネクタワイヤに相当する細線配線パターンを形成する
。半導体素子接続用バッド３の構造の詳細は第２図で一
部図示するように、当該配線パターン２上に、例えば、
メッキにより。
クロム（Ｏｒ）層３１、Ｏｕ層３２、金（Ａｕ）層３３
を順次積層し、Ａｕ層上に鉛との合金（Ｐｂ： Ｓｎ
）ボンディングバラ計゛３４’＆形成することにより得
られ、いわゆるフリップチシ“ブに用いられるような半
田バンプ（突程電極→に相当するものが例示される。半
導体素子４は、周知の技術により、論理回路やメモリ回
路などが形成された素子で、この半導体素子の具体例と
してはＭＯ８ＩＯ（Ｍｅｔａｌ Ｑｘｉｄｅ Ｓｅｍ１
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＩｎｔｅｒｇｒａｔｅｄＯｅｒｃ
ｕｉｔ）が挙げられる。配線パターン２に設けた突起部
５は半導体素子接続用バッド３と同様に構成される。当
該突起部５を第２図に例示した。
を順次積層し、Ａｕ層上に鉛との合金（Ｐｂ： Ｓｎ
）ボンディングバラ計゛３４’＆形成することにより得
られ、いわゆるフリップチシ“ブに用いられるような半
田バンプ（突程電極→に相当するものが例示される。半
導体素子４は、周知の技術により、論理回路やメモリ回
路などが形成された素子で、この半導体素子の具体例と
してはＭＯ８ＩＯ（Ｍｅｔａｌ Ｑｘｉｄｅ Ｓｅｍ１
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＩｎｔｅｒｇｒａｔｅｄＯｅｒｃ
ｕｉｔ）が挙げられる。配線パターン２に設けた突起部
５は半導体素子接続用バッド３と同様に構成される。当
該突起部５を第２図に例示した。
第２図にて、５１はＯｒ層、５２はＯｕ層、５３はＡｕ
層、５４はＰｂ ： Ｓｎバッドである。ベース６には
各種基板が使用され、例えばセラミック基板が使用され
る。接合材料７は、例えば、銀（Ａｇ）ペーストや合成
樹脂ペーストにより構成され、遮へい効果のある合成樹
脂を使用することが好ましい。合成樹脂製板状体１とこ
の接合材料７により、上下で、半導体素子につい℃α線
を遮へいする戸とができる。外部リード８は例えばタン
グステン（Ｗ）、モリブデン（ＭＯ）等の印刷配線忙ニ
ッケル（Ｎｔ）、錫（Ｓｎ）あるいはＡｕ等をメッキし
たものにより構成される。封止材９には、例えば低融点
ガラスが使用され、キャップ１０は例えばセラミックに
より構成される。
層、５４はＰｂ ： Ｓｎバッドである。ベース６には
各種基板が使用され、例えばセラミック基板が使用され
る。接合材料７は、例えば、銀（Ａｇ）ペーストや合成
樹脂ペーストにより構成され、遮へい効果のある合成樹
脂を使用することが好ましい。合成樹脂製板状体１とこ
の接合材料７により、上下で、半導体素子につい℃α線
を遮へいする戸とができる。外部リード８は例えばタン
グステン（Ｗ）、モリブデン（ＭＯ）等の印刷配線忙ニ
ッケル（Ｎｔ）、錫（Ｓｎ）あるいはＡｕ等をメッキし
たものにより構成される。封止材９には、例えば低融点
ガラスが使用され、キャップ１０は例えばセラミックに
より構成される。
次に、第１図に示すような半導体装置の製法例の一例を
第２〜第３図により説明する。
第２〜第３図により説明する。
第２図に示すように合成樹脂製板状体１表面に予じめ細
線配線パターン２並びに半導体素子用接続用パッド３お
よび外部リード接続用パッド５を形成しておく。次いで
、この板状体１０半導体接続用バッド３に、第３図に示
すように、半導体素子４の電極（図示せず）を介して、
半導体素子４表面をホンディングする。当該パッド３は
図示していないが、多数列設されており、半導体素子４
の複数電極と個々にボンディング１−るのではなく、一
度に（−回で）ボンディングする。ボンディングは各パ
ッドを溶融させ又行う半田１」ゆにより行えばよい。半
導体素子ボンディング後の板状体１０半導体素子４裏面
を第１図に示すようにベース６に接合材料７を用いて接
合する。次いで板状体１の配線パターン２の端部な外部
リード８に直接ボンディングしてもよいが、当該パター
ン２に予じめ形成された上記外部リード接続用パッド５
を介してホンディングしてもよい。このボンディングも
一厩に行われる。
線配線パターン２並びに半導体素子用接続用パッド３お
よび外部リード接続用パッド５を形成しておく。次いで
、この板状体１０半導体接続用バッド３に、第３図に示
すように、半導体素子４の電極（図示せず）を介して、
半導体素子４表面をホンディングする。当該パッド３は
図示していないが、多数列設されており、半導体素子４
の複数電極と個々にボンディング１−るのではなく、一
度に（−回で）ボンディングする。ボンディングは各パ
ッドを溶融させ又行う半田１」ゆにより行えばよい。半
導体素子ボンディング後の板状体１０半導体素子４裏面
を第１図に示すようにベース６に接合材料７を用いて接
合する。次いで板状体１の配線パターン２の端部な外部
リード８に直接ボンディングしてもよいが、当該パター
ン２に予じめ形成された上記外部リード接続用パッド５
を介してホンディングしてもよい。このボンディングも
一厩に行われる。
−Ｆ記において配線パターン２を外部リード８にボンデ
ィング後に、半導体素子４裏面をベース６に接合しても
よい。次いで、ベース６上に第１図に示すように、キャ
ップｌロケ載置し、封止材９により、半導体素子４を気
密封止する。
ィング後に、半導体素子４裏面をベース６に接合しても
よい。次いで、ベース６上に第１図に示すように、キャ
ップｌロケ載置し、封止材９により、半導体素子４を気
密封止する。
（１１、合成樹脂製板状体に予じめ細線配線パターンが
形成されているので、煩雑な一本ずつのワイヤボンディ
ングを必要としない。
形成されているので、煩雑な一本ずつのワイヤボンディ
ングを必要としない。
（２）、合成樹脂製板状体に予じめ細線配線パターンが
形成されでいるため、半導体装置における多数結線が一
度に可能となり、ボンディングが短時間で済むので、ボ
ンディング作業能率を著しく高め得、また、予じめ細線
の配線パターンが形成されているので、多数ボンディン
グが精匪良（行うことができる。
形成されでいるため、半導体装置における多数結線が一
度に可能となり、ボンディングが短時間で済むので、ボ
ンディング作業能率を著しく高め得、また、予じめ細線
の配線パターンが形成されているので、多数ボンディン
グが精匪良（行うことができる。
（３）１合成樹脂製板状体や接合材料にｊｍへい効果の
ある材質のものを使用することにより、半導体素子のα
線によるソフトエラーケ防止することができる。
ある材質のものを使用することにより、半導体素子のα
線によるソフトエラーケ防止することができる。
α線対策として従来合成樹脂などの有機物のコートヲ必
要としていたが、本発明によればかかるコートｔ８要と
せず、従って工程数を減らすことができる。
要としていたが、本発明によればかかるコートｔ８要と
せず、従って工程数を減らすことができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は、上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば外部配！８は
パッケージに設けた凹円に設けるようにしてもよい。
具体的に説明したが、本発明は、上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば外部配！８は
パッケージに設けた凹円に設けるようにしてもよい。
゛以上の説明では、主として本発明者によって１１され
た発明をその背景となった利用分野であるセラミック型
半導体装置忙適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、例えばベースおよびキャップ
にアルミナを使用したサーディツプタイプの半導体装置
に適用することもでき、その他各種半導体装置に適用す
ることができる。
た発明をその背景となった利用分野であるセラミック型
半導体装置忙適用した場合について説明したが、それに
限定されるものではなく、例えばベースおよびキャップ
にアルミナを使用したサーディツプタイプの半導体装置
に適用することもでき、その他各種半導体装置に適用す
ることができる。
第１図は本発明の実施例を示す半導体装置の断面図、
第２図および第３図は本発明の製造工程の説明図である
。 １・・・合成樹脂製板状体、２・・・配線パターン、３
・・・半導体素子接続用パッド、４・・・半導体素子、
５・・・突起部、６・・・ベース、７・・・接合材料、
８・・・外部リード、９・・・封止材、１０・・・キャ
ップ、３１．５１−・・Ｏｒ層、３２．５２−Ｏｕ層、
３３． ５３−・・Ａｕ層、３４，５４−・Ｐｂ：Ｓｎ
パッド。
。 １・・・合成樹脂製板状体、２・・・配線パターン、３
・・・半導体素子接続用パッド、４・・・半導体素子、
５・・・突起部、６・・・ベース、７・・・接合材料、
８・・・外部リード、９・・・封止材、１０・・・キャ
ップ、３１．５１−・・Ｏｒ層、３２．５２−Ｏｕ層、
３３． ５３−・・Ａｕ層、３４，５４−・Ｐｂ：Ｓｎ
パッド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子接続用パッドと外部リードに結線できる
配線パターンとを形成した合成樹脂製シート、フィルム
、テープなどの板状体の下部に、前記パッドを介して、
半導体素子をボンディングするとともに、前記パターン
を外部リードにボンディングし、かつ前記半導体素子の
裏面が固着されたベース上にキャップを気密封止して成
ることを特徴とする半導体装置。 ２、合成樹脂製板状体の配線パターンにおい又。 その配線パターンが、外部リードとのボンディングのた
めの突起部を有する、特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置。 、１ ３、合成樹脂製シート、フィルム、テープなどの板状体
に、予じめ半導体素子接続用パッドと外部リードに結線
できる配線パターンとを形成し℃おく工程と当該板状体
に前記パッドを介して、半導体素子を一度にボンディン
グする工程と板状体の前記配線パターンを外部リードに
ボンディングする工程と前記半導体素子の裏面が固着さ
れたペース上にキャップを気密封止する工程とを含む半
導体装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186903A JPS6080230A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 半導体装置およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186903A JPS6080230A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 半導体装置およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080230A true JPS6080230A (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=16196694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58186903A Pending JPS6080230A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 半導体装置およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080230A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5089879A (en) * | 1990-03-13 | 1992-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin seal type semiconductor device |
| US5109270A (en) * | 1989-04-17 | 1992-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency semiconductor device |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP58186903A patent/JPS6080230A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5109270A (en) * | 1989-04-17 | 1992-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency semiconductor device |
| US5089879A (en) * | 1990-03-13 | 1992-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin seal type semiconductor device |
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