JPS622628A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS622628A
JPS622628A JP60142217A JP14221785A JPS622628A JP S622628 A JPS622628 A JP S622628A JP 60142217 A JP60142217 A JP 60142217A JP 14221785 A JP14221785 A JP 14221785A JP S622628 A JPS622628 A JP S622628A
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JP
Japan
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intermediate lead
semiconductor chip
semiconductor device
lead frame
outer leads
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JP60142217A
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English (en)
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Ryuichi Otani
大谷　龍一
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は多ビンを右する半導体装直に係り、特に中間リ
ード帯を右する半導体装置の構造に関する。
〔発明の技術的背頽とその問題点〕
リードフレームの素子搭載領域に載置された半導体素子
の素子電極と、リードフレームのアウタリードとを接続
する技術においで、電極用パッドとアウタリードとの間
の距離をある程度以上大きくすることはできない。そし
て実用的には、この距離は２．５Ｍが限界である。従っ
て半導体チップが小さくなった場合、ワイヤボンディン
グ可能な距離までアウタリードをチップ側に近ずけるこ
とが必要となる。
その結果、隣り合うアウタリード間の開隔は小さくなる
。しかし、プレスフレームでは加工技術上の制約からア
ウタリードの相互の間隔をむやみに小さくすることはで
きず、フレーム材の厚さ程度の間隔が最小値となる。
このような事情から、従来の多ビンデバイスを微細化し
た半導体装置では、ボンディング可能な距離までアウタ
リードをポンディングパッドに近寄せることができない
ことになる。そこで、このようなチップを例えばワイヤ
ボンディング技術を使ってアセンブリしようとする詩に
は、半導体チップとアウタリードとの門に中間リード帯
を配置する必要がある。しかし、中間リード技術は現在
模索段階にあり、決定的な技術としては確立されていな
い。
〔発明の目的〕
本発明は上述した欠点を解消するためになされたもので
、中間リード帯を簡単な技術で構成することにより、多
ビンのチップでも容易に配線が行なえる半導体装置を提
供することを目的とする。
〔発明の概要〕
上記の目的を達成するため本発明は、半導体素子とアウ
タリードとの間に位置するよう素子搭載領域上に設けら
れた絶縁体からなる中継部材と、この中継部材の表面に
設けられた複数の電極と、中継部材および複数の電極′
で構成される中間り一ド帯を介して素子電極とアウタリ
ードとを電気的に接続する接続手段（例えばボンディン
グワイヤ）とを備える半導体装置を提供するものである
。
〔発明の実施例〕
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は一実施例の斜視図である。リードフレームの素
子搭載領域（ベッド）１上に、半導体チップ３を取り囲
むように中間リード枠体２がマウントされている。この
中間リード枠体２Ｇよ、半導体デツプ３とアウタリード
４との間に位置するようにマウン１−される。枠体２の
材料は絶縁体であって、その表面には複数の電極６が設
けられており、これらにより中間リード帯が構成される
。
そしてこの中間リード帯上の配線６を介して、半導体チ
ップ３上の電極パッド５とアウタリード４とがそれぞれ
ワイヤ７．８で電気的に接続される。従ってこの中間リ
ード枠体２は、中継部材としての機能を持っている。
第２図は第１図に示した中間リード枠体２の拡大図で、
フレームの素子搭載領域１上にマウントされた状態を示
したものである。絶縁体としてはガラスエポキシ基板１
０を用い、その表面の配線としては銅板９を用いている
。なお、フレームの索子搭載領域１との接着は、高分子
接着剤１１をエポキシ基板１０の接着面に周知の技術を
用いて塗布することにより行なうことができる。
このように、半導体チップとアウタリードとの中間に位
置するように、中間リード帯をフレームの素子搭載領域
にマウントして設けたため、半導体装置が多ビン構造で
あっても、チップとアウタリードの接続を容易に行なう
ことかできる。ボンディングに際しては、上述したよう
にこの中間リード枠体２を介して両方ともワイヤボンデ
ィングしてよいが、必要ならばパッドと中間リードおよ
び中間リードとアウタリードとの間の、一方もしくは両
方をビームリード、テープオートメイテイッドボンデイ
ング（ＴＡＢ）で接続してｂよい。
なお本実施例の場合には、中継部材としての中間リード
帯を枠体として構成したが、この形状は枠体に限定され
るものではなく、必要に応じて任意の形状を選択するこ
とができる。
上記の実施例で採用される中間リード帯はコストが低く
、しかも採用に際して技術的な困難がさほど無いため、
完成された半導体装置の］ストを上昇させることはない
。
〔発明の効果〕
以上の通り本発明では、素子搭載領域上に半導体チップ
とアウタリードとの電気的接続を行なうための中間リー
ド帯を設けたもので、微細化された多ビンの半導体チッ
プの場合でも容易に配線ができる半導体装置を得ること
ができる。
また、従来の微細化多ビンのパッケージに周知のワイヤ
ボンディング技術を用いて配線をＪ３こなうことができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は本発
明で用いられる中間リード帯の拡大図である。 １・・・リードフレームの素子搭載領域、２・・・中間
リード枠体、３・・・半導体チップ、４・・・アウタリ
ード、５・・・電極パッド、６・・・中間リード配線、
７゜８・・・ワイヤ、９・・・銅板、１１・・・ガラス
エポキシ基板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、リードフレームの素子搭載領域に載置した半導体素
    子の素子電極と、前記リードフレームのアウタリードと
    を導電体で接続した半導体装置において、 前記半導体素子と前記アウタリードとの間に位置するよ
    う前記素子搭載領域上に設けられた絶縁体からなる中継
    部材と、この中継部材の表面に設けられた複数の電極と
    、前記中継部材および複数の電極で構成される中間リー
    ド帯を介して前記素子電極と前記アウタリードとを電気
    的に接続する接続手段とを備えることを特徴とする半導
    体装置。 ２、前記接続手段はボンディングワイヤである特許請求
    の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、前記接続手段はビームリードである特許請求の範囲
    第１項記載の半導体装置。 ４、前記接続手段はＴＡＢである特許請求の範囲第１項
    記載の半導体装置。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62259450A (ja) * 1986-04-28 1987-11-11 モノリシツク　メモリ−ズ，インコ−ポレイテツド 集積回路ダイ・リ−ドフレ−ム相互接続組立体及び方法
JPS6324647A (ja) * 1986-05-27 1988-02-02 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション 半導体パッケ−ジ
JPS6457641U (ja) * 1987-09-30 1989-04-10
US5086335A (en) * 1990-07-31 1992-02-04 Hewlett-Packard Company Tape automated bonding system which facilitate repair
JPH04107961A (ja) * 1990-08-29 1992-04-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 多層リードフレーム
JPH04133460A (ja) * 1990-09-26 1992-05-07 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 樹脂製接着剤の接着・硬化方法
JPH04192449A (ja) * 1990-11-27 1992-07-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 複合リードフレーム
EP0513591A2 (en) * 1991-05-09 1992-11-19 International Business Machines Corporation Lead Frame-chip package
JPH0750315A (ja) * 1994-06-23 1995-02-21 Ricoh Co Ltd 半導体装置の実装方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62259450A (ja) * 1986-04-28 1987-11-11 モノリシツク　メモリ−ズ，インコ−ポレイテツド 集積回路ダイ・リ−ドフレ−ム相互接続組立体及び方法
JPS6324647A (ja) * 1986-05-27 1988-02-02 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション 半導体パッケ−ジ
JPS6457641U (ja) * 1987-09-30 1989-04-10
US5086335A (en) * 1990-07-31 1992-02-04 Hewlett-Packard Company Tape automated bonding system which facilitate repair
JPH04107961A (ja) * 1990-08-29 1992-04-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 多層リードフレーム
JPH04133460A (ja) * 1990-09-26 1992-05-07 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 樹脂製接着剤の接着・硬化方法
JPH04192449A (ja) * 1990-11-27 1992-07-10 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 複合リードフレーム
EP0513591A2 (en) * 1991-05-09 1992-11-19 International Business Machines Corporation Lead Frame-chip package
US5168368A (en) * 1991-05-09 1992-12-01 International Business Machines Corporation Lead frame-chip package with improved configuration
JPH0750315A (ja) * 1994-06-23 1995-02-21 Ricoh Co Ltd 半導体装置の実装方法

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