JPH0666351B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH0666351B2 JPH0666351B2 JP62222413A JP22241387A JPH0666351B2 JP H0666351 B2 JPH0666351 B2 JP H0666351B2 JP 62222413 A JP62222413 A JP 62222413A JP 22241387 A JP22241387 A JP 22241387A JP H0666351 B2 JPH0666351 B2 JP H0666351B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor pellet
- pad
- integrated circuit
- pads
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関する。
従来の半導体集積回路は、第３図に示すように、半導体
ペレット１ａと、この半導体ペレット１ａを搭載するマ
ウント部２と、半導体ペレット１ａの上のパッドを半導
体ペレット１ａから外部接続するための複数のリード端
子４〜１０，１１ａ，１２〜１７とを備え、マウント部
２とリード端子４〜１０，１１ａ，１２〜１７とは絶縁
距離を置いて設置されていた。
ペレット１ａと、この半導体ペレット１ａを搭載するマ
ウント部２と、半導体ペレット１ａの上のパッドを半導
体ペレット１ａから外部接続するための複数のリード端
子４〜１０，１１ａ，１２〜１７とを備え、マウント部
２とリード端子４〜１０，１１ａ，１２〜１７とは絶縁
距離を置いて設置されていた。
上述した従来の半導体集積回路は、１個のリード端子と
接続される半導体ペレット上のパッドは同一面にある１
個又は２個のパッドであり、そのパッドに内部接続され
る半導体ペレット内の同一信号線電位は半導体ペレット
上に形成された金属配線が持つ抵抗によりパッドからの
距離に比例して高くなる傾向にあった。
接続される半導体ペレット上のパッドは同一面にある１
個又は２個のパッドであり、そのパッドに内部接続され
る半導体ペレット内の同一信号線電位は半導体ペレット
上に形成された金属配線が持つ抵抗によりパッドからの
距離に比例して高くなる傾向にあった。
この値を小さくするには、接続されるリード端子を多く
するか又は金属配線幅を太くして抵抗を小さくする必要
ががあるが、前者は半導体集積回路のリード端子数が増
加し、後者は半導体ベレット面積が増大するという欠点
がある。
するか又は金属配線幅を太くして抵抗を小さくする必要
ががあるが、前者は半導体集積回路のリード端子数が増
加し、後者は半導体ベレット面積が増大するという欠点
がある。
本発明の半導体集積回路は、複数のパッドと互いに同電
位となるべき第１のパッド及び第２のパッドとを備える
半導体ペレットと、前記半導体ペレットを搭載するマウ
ント部と、前記マウント部の周囲に設けられた複数のリ
ード端子とを有し、これらリード端子が前記半導体ペレ
ット上の前記複数のパッドと前記第１のパッドとにボン
ディングワイヤによってそれぞれ接続される半導体集積
回路において、前記所定のリード端子から導出され前記
マウント部と前記複数のリード端子との間に前記マウン
ト部に沿って延在形成されたボンディング部を設け、こ
のボンディング部に前記半導体ペレット上の前記第２の
パッドをボンディングワイヤにより接続したことを特徴
とする。
位となるべき第１のパッド及び第２のパッドとを備える
半導体ペレットと、前記半導体ペレットを搭載するマウ
ント部と、前記マウント部の周囲に設けられた複数のリ
ード端子とを有し、これらリード端子が前記半導体ペレ
ット上の前記複数のパッドと前記第１のパッドとにボン
ディングワイヤによってそれぞれ接続される半導体集積
回路において、前記所定のリード端子から導出され前記
マウント部と前記複数のリード端子との間に前記マウン
ト部に沿って延在形成されたボンディング部を設け、こ
のボンディング部に前記半導体ペレット上の前記第２の
パッドをボンディングワイヤにより接続したことを特徴
とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。
第１図に示すように、半導体ペレット１と、この半導体
ペレット１を搭載するマウント部２と、半導体ペレット
１上のパッドと接続される複数のリード端子４〜１７
と、マウント部２とリード端子４〜１７との間の領域に
マウント部２の外周を囲うように形成されるボンディン
グ部３とを含む。
ペレット１を搭載するマウント部２と、半導体ペレット
１上のパッドと接続される複数のリード端子４〜１７
と、マウント部２とリード端子４〜１７との間の領域に
マウント部２の外周を囲うように形成されるボンディン
グ部３とを含む。
ボンディング部３はマウント部２を固定するリード端子
５の部分で開放されていて、リード端子１１に直接接続
されており外部接続が可能である。
５の部分で開放されていて、リード端子１１に直接接続
されており外部接続が可能である。
半導体ペレット１上のパッド２１，２２，２３はそれぞ
れリード端子１１，１３，４に接続され、パッド３１は
パッド２１と半導体ペレット１内で金属配線により接続
されていて、パッド３１はボンディング部３と接続され
パッド２１とパッド３１とは同電位とすべきものであ
る。
れリード端子１１，１３，４に接続され、パッド３１は
パッド２１と半導体ペレット１内で金属配線により接続
されていて、パッド３１はボンディング部３と接続され
パッド２１とパッド３１とは同電位とすべきものであ
る。
第２図は第１図の実施例の等価回路図である。
第２図において、リード端子１１からパッド２１までの
ボンディングワイヤの抵抗をＲ１、パッド２１からパッ
ド３１までの半導体ペレット１上の金属配線の抵抗をＲ
２、パッド３１からボンディング部３までのボンディン
グワイヤの抵抗をＲ３、ボンディング部３の抵抗をＲ４
とすると、一般に式(1)が成立する。
ボンディングワイヤの抵抗をＲ１、パッド２１からパッ
ド３１までの半導体ペレット１上の金属配線の抵抗をＲ
２、パッド３１からボンディング部３までのボンディン
グワイヤの抵抗をＲ３、ボンディング部３の抵抗をＲ４
とすると、一般に式(1)が成立する。
（Ｒ１＋Ｒ３＋Ｒ４）＜＜Ｒ２……(1) 従って、見かけ上の金属配線の抵抗を小さくできる。
以上説明したように本発明は、マウント部の外周を囲む
ようにボンディング部を設け半導体ペレット上の金属配
線の両端に接続される２個のパッドの一方をリード端子
に他方をそのリード端子に直接接続されるボンディング
部に接続することにより、半導体ペレット上の金属配線
の抵抗を相対的に小さくできるので、電気的特性を向上
できる効果がある。
ようにボンディング部を設け半導体ペレット上の金属配
線の両端に接続される２個のパッドの一方をリード端子
に他方をそのリード端子に直接接続されるボンディング
部に接続することにより、半導体ペレット上の金属配線
の抵抗を相対的に小さくできるので、電気的特性を向上
できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は第１図の
実施例の等価回路図、第３図は従来の半導体集積回路の
一例の平面図である。 １，１ａ……半導体ペレット、２……マウント部、３…
…ボンディング部、４〜１７，１１ａ……リード端子、
２１，２２，２３，３１……パッド、Ｒ１，Ｒ３……ボ
ンディングワイヤの抵抗、Ｒ２……金属配線の抵抗、Ｒ
４……ボンディング部の抵抗。
実施例の等価回路図、第３図は従来の半導体集積回路の
一例の平面図である。 １，１ａ……半導体ペレット、２……マウント部、３…
…ボンディング部、４〜１７，１１ａ……リード端子、
２１，２２，２３，３１……パッド、Ｒ１，Ｒ３……ボ
ンディングワイヤの抵抗、Ｒ２……金属配線の抵抗、Ｒ
４……ボンディング部の抵抗。
Claims (1)
- 【請求項１】複数のパッドと互いに同電位となるべき第
１のパッド及び第２のパッドとを備える半導体ペレット
と、前記半導体ペレットを搭載するマウント部と、前記
マウント部の周囲に設けられた複数のリード端子とを有
し、これらリード端子が前記半導体ペレット上の前記複
数のパッドと前記第１のパッドとにボンディングワイヤ
によってそれぞれ接続される半導体集積回路において、
前記所定のリード端子から導出され前記マウント部と前
記複数のリード端子との間に前記マウント部に沿って延
在形成されたボンディング部を設け、このボンディング
部に前記半導体ペレット上の前記第２のパッドをボンデ
ィングワイヤにより接続したことを特徴とする半導体集
積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62222413A JPH0666351B2 (ja) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62222413A JPH0666351B2 (ja) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6464347A JPS6464347A (en) | 1989-03-10 |
| JPH0666351B2 true JPH0666351B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=16781994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62222413A Expired - Lifetime JPH0666351B2 (ja) | 1987-09-04 | 1987-09-04 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666351B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5719442A (en) * | 1994-11-11 | 1998-02-17 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03227745A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-10-08 | Mazda Motor Corp | 乗員の姿勢制御装置 |
| JP2917607B2 (ja) * | 1991-10-02 | 1999-07-12 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置用リードフレーム |
| KR20030069648A (ko) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | 두산메카텍 주식회사 | 이동식 자동공구교환장치 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643746A (en) * | 1979-09-18 | 1981-04-22 | Tdk Corp | Lead-less hybrid integrated circuit parts |
-
1987
- 1987-09-04 JP JP62222413A patent/JPH0666351B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5719442A (en) * | 1994-11-11 | 1998-02-17 | Seiko Epson Corporation | Resin sealing type semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6464347A (en) | 1989-03-10 |
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