JPH0621134A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPH0621134A
JPH0621134A JP4174118A JP17411892A JPH0621134A JP H0621134 A JPH0621134 A JP H0621134A JP 4174118 A JP4174118 A JP 4174118A JP 17411892 A JP17411892 A JP 17411892A JP H0621134 A JPH0621134 A JP H0621134A
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JP
Japan
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wire
semiconductor device
semiconductor element
fixing means
inner lead
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JP4174118A
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Takashi Abe
孝詩 阿部
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【構成】絶縁性部材で作られたワイヤ固定手段をダイパ
ット上に形成し、キャピラリーの軌跡、またはエアーま
たはフオーミング部材で押しつけワイヤを固定する。ま
た、ワイヤボンデイング後、ワイヤにポリイミドテープ
を貼り付けるか、絶縁性樹脂を塗布する。 【効果】ワイヤ長さが４ｍｍから５ｍｍのループ長さの
もでもワイヤボンデイング時ワイヤが曲がり、ショート
が発生することがなくなりワイヤボンデイングが可能と
なる。またワイヤボンデイング後のハンドリングによる
ワイヤループの変形、モールド時、樹脂注入によりワイ
ヤ流れ、ワイヤショートも発生することもなくなりワイ
ヤが長い製品でも歩留が向上する。また従来の絶縁性基
板上にエッチングで中継パターンを形成する必要もなく
なり中継基板製作費用が安くなり、組立コスト、パッケ
ージコストも安くなる

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置とその製造方
法、さらに詳しくは中継方式のワイヤボンデイングを用
い樹脂封止した半導体装置とその製造方法に関するもの
である
【０００２】
【従来の技術】図６は従来のワイヤボンデイングを用い
樹脂封止した半導体装置を示す断面図である。図におい
てダイパット１２に接着された半導体素子１１とインナ
ーリード１８はワイヤ１９が半導体素子にボールボンド
１５を、インナーリード上にステッチボンド１７を形成
して接続されていた。
【０００３】さらに図７は従来の中継方式のワイヤボン
デイングを用い樹脂封止した半導体装置を示す断面図で
ある。図において半導体素子１１と中継パターン４６は
ワイヤ４８が半導体素子上にボールボンド４２を、中継
パターン上に ステッチボンド４３を形成して接続され
ている。さらに中継パターン４６とインナーリード１８
はワイヤ４７が中継パターン上にボールボンド４４を
インナーリード上にスッテチボンド４５を形成して接続
されており全体として半導体素子１１とインナーリード
１８の接続を可能にしていた。中継パターンが形成され
た絶縁性基板はダイパットに接着されており半導体素子
は絶縁性基板に接着されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のワイヤボンデイ
ングを用い樹脂封止した半導体装置はダイパットに接着
された半導体素子とインナーリードはワイヤが半導体素
子上にボールボンドを、インナーリード上にステッチボ
ンドを形成して直接接続されていた。このためピン数が
多く半導体素子サイズが小さい製品はワイヤ長さが４ｍ
ｍから５ｍｍになりワイヤボンデイング時ワイヤが曲が
り、ショートが発生し易くワイヤボンデイングが出来な
かった。及びワイヤボンデイング後のハンドリングでワ
イヤループを変形させると言う課題もあった。さらにモ
ールド時、樹脂注入によりワイヤ流れ、ワイヤショート
も発生し易く歩留も低くなるという課題があった。
【０００５】また従来の中継ボンデイングを用い樹脂封
止した半導体装置は絶縁性基板上にエッチングで中継パ
ターンを形成していたため中継基板製作費用が高く、さ
らに中継基盤接着工数もかかり組立コスト、パッケージ
コストも高いという課題があった。
【０００６】本発明は上記の課題を解決するべくなされ
たもので、ワイヤが長くてもワイヤボンデイングを可能
にして組立歩留も下げない。さらに中継ボンデイングを
用いても低コストで中継基板を提供することを目的とし
たものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置とそ
の製造方法は、半導体素子をリードフレームダイパット
に搭載し、半導体素子の電極とインナーリードとをワイ
ヤで接続したあと樹脂封止材で封止するパッケージにお
いて、ダイパットの外周に絶縁性部材で作られたワイヤ
固定手段を形成することを特徴としている。
【０００８】ダイパットの外周の絶縁性部材で作られた
ワイヤの固定手段は、粘着材、熱硬化性接着剤、熱可塑
性樹脂がある。
【０００９】また、ワイヤボンデイング装置は、ワイヤ
を半導体素子に接続し絶縁性部材で作られたワイヤ固定
手段に接触させて固定した後、ワイヤを切らずにインナ
ーリードに接続する動作が出来るボンデイング装置を使
ってワイヤボンデイングを行うことを特徴としている。
【００１０】他の絶縁性部材固定手段はワイヤボンデイ
ング終了後、エアーをワイヤに吹き付けるか、ワイヤフ
オーミング部材でワイヤを押しつけ、ワイヤ固定手段に
接触させてワイヤを固定することを特徴としている。
【００１１】また、絶縁性部材で作られたワイヤの固定
手段は、粘着剤の付いたポリイミドテープ、または熱可
塑性樹脂で、半導体素子とインナーリードの間でワイヤ
を固定しても良い。
【００１２】
【作用】本発明においては、ワイヤを半導体素子上にボ
ールボンドを形成して接続したあと絶縁性部材で作られ
たワイヤ固定手段に接触させて固定し、ワイヤを切らず
に、インナーリード上にステッチボンドを形成して接続
する動作が出来るボンデイング装置を使ってワイヤボン
デイングを行う。ワイヤ固定手段に接触させて固定する
ときは、ボンデイングキャピラリーに超音波をかけても
かけなくてよい。及び、ワイヤを絶縁性部材に接触させ
る手段として、ワイヤボンデイング終了後、絶縁性固定
部材の反対側からワイヤにエアーを吹き付けても良く、
ワイヤフオーミング部材でワイヤを押しつけても良い。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の実施例における断面図であっ
てダイパット１２に接着された半導体素子１１にワイヤ
１９はボールボンド１５を形成し、ダイパットに接着さ
れた絶縁性基板１３上の絶縁性固定部材１４にワイヤ固
定部１６でワイヤループを固定されている。インナーリ
ード１８にステッチボンド１７を形成し半導体素子とイ
ンナーリードは接続されている。
【００１４】絶縁性固定部材１４は図２に示すようにダ
イパット１２に直接印刷して形成しても良い。絶縁性固
定部材は粘着材、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が使用さ
れる。 粘着材、熱可塑性樹脂はワイヤボンデイング時
の温度により粘度が低くなっておりワイヤが接触するだ
けで固定させる。熱硬化性樹脂も未硬化の状態でワイヤ
を接触させれば同様の効果が得られる。
【００１５】またワイヤを絶縁性固定部材に接触させる
手段としてワイヤをループ２０の様に形成し矢印２１の
方向にエアーを吹き付けるかまたはワイヤフオーミング
部材でワイヤを押しつけても良い。
【００１６】図３は ワイヤボンデイング装置で、ワイ
ヤを、半導体素子に接続したあと絶縁性部材で作られた
ワイヤ固定手段に接触させる製造方法を説明している。
図において半導体素子１１にボールボンドを形成した後
キャピラリーは矢印３１の方向に動き絶縁性固定部材１
４にワイヤを接触させる。その後、固定したワイヤを切
らずに、キャピラリーは矢印３３の様に動きインナーリ
ードに接続する動作をする。ワイヤを絶縁性固定部材に
接触させるとき超音波をかけてもかけなくても良い。
【００１７】以上のような構成により、ピン数が多く半
導体素子サイズが小さい製品でワイヤ長さが４ｍｍから
５ｍｍのループ長さのもでもワイヤボンデイング時ワイ
ヤ曲がり、ショートが発生することがなくなりワイヤボ
ンデイングが可能となった。図４は本発明の他の実施例
を示す図でありワイヤボンデイング終了後、粘着材５０
の付いたポリイミドテープ４９をワイヤ１９に張り付け
ワイヤを固定する。本図の中ではポリイミドテープは分
割された矩形の物で説明したがリング状の一体型の物で
も良い。
【００１８】図５は本発明のその他の実施例を示す図で
ありワイヤボンデイング終了後、熱硬化性樹脂５１をワ
イヤ１９に塗布しワイヤを固定する。熱硬化性樹脂はシ
リコーン樹脂が特に効果がある。
【００１９】以上のような構成により、ピン数が多く半
導体素子サイズが小さい製品でワイヤ長さが４ｍｍから
５ｍｍのループ長さのもでもワイヤボンデイング時ワイ
ヤが曲がりショートが発生することがなくなりワイヤボ
ンデイングが可能となった。更にワイヤボンデイング後
のハンドリングでワイヤループを変形させるということ
もなくなった。
【００２０】及びモールド時、樹脂注入によりワイヤ流
れ、ワイヤショートも発生することもなくなりワイヤが
長い製品でも歩留が向上した。
【００２１】また従来の絶縁性基板上にエッチングで中
継パターンを形成する必要もなくなり中継基板製作費用
が安くなり、さらに中継基盤接着工数も不要となり組立
コスト、パッケージコストも安くなった。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば絶縁性
部材で作られたワイヤ固定手段をダイパット上に形成
し、キャピラリーの軌跡、またはエアーまたはフオーミ
ング部材で押しつけワイヤを固定すること、あるいはワ
イヤにポリイミドテープを貼り付けるか熱硬化性樹脂を
塗布することにより、ピン数が多く半導体素子サイズが
小さい製品でワイヤ長さが４ｍｍから５ｍｍのループ長
さのもでもワイヤボンデイング時ワイヤが曲がりショー
トが発生することがなくなりワイヤボンデイングが可能
となった。
【００２３】更にワイヤボンデイング後のハンドリング
でワイヤループを変形させるということもなくなった。
【００２４】及びモールド時、樹脂注入によりワイヤ流
れ、ワイヤショートも発生することもなくなりワイヤが
長い製品でも歩留が向上した。
【００２５】また従来の絶縁性基板上にエッチングで中
継パターンを形成する必要もなくなり中継基板製作費用
が安くなり、さらに中継基盤接着工数も不要となり組立
コスト、パッケージコストも安くなった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】本発明のもう一つの実施例を示す断面図。
【図３】本発明の製造方法を示す断面図。
【図４】本発明の実施例を示す図。
【図５】本発明の実施例を示す図。
【図６】従来の半導体装置を示す図。
【図７】従来の他の実施例を示す図。
【符号の説明】
１１・・・半導体素子 １２・・・ダイパット １３・・・絶縁性基板 １４・・・絶縁性固定部材 １６・・・ワイヤ固定部 １９・・・ワイヤ ４９・・・ポリイミドテープ ５０・・・粘着材 ５１・・・熱硬化性樹脂

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体素子をリードフレームダイパットに
    搭載し、半導体素子の電極とインナーリードとをワイヤ
    で接続したあと樹脂封止材で封止するパッケージにおい
    て、半導体素子とインナーリードの間に絶縁性部材で作
    られたワイヤ固定手段を有することを特徴とする半導体
    装置。
  2. 【請求項２】絶縁性部材で作られたワイヤの固定手段が
    ダイパットの外周上に粘着材で作られたことを特徴とす
    る請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】絶縁性部材で作られたワイヤの固定手段が
    ダイパットの外周上に熱硬化性接着剤で作られたことを
    特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】絶縁性部材で作られたワイヤの固定手段が
    ダイパットの外周上に熱可塑性樹脂で作られたことを特
    徴とする請求項１記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】ワイヤを、半導体素子に接続し、絶縁性部
    材で作られたワイヤ固定手段に接触させて固定した後、
    ワイヤを切らずにインナーリードに接続する動作が出来
    るボンデイング装置を使ってワイヤボンデイングするこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】ワイヤを半導体装置とインナーリード接続
    した後、エアーをワイヤに吹き付けワイヤ固定手段に接
    触させてワイヤを固定することを特徴とする請求項１記
    載の半導体装置の製造方法。
  7. 【請求項７】ワイヤを半導体装置とインナーリード接続
    した後、ワイヤフオーミング部材でワイヤを押しつけワ
    イヤ固定手段に接触させてワイヤを固定することを特徴
    とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】絶縁性部材で作られたワイヤの固定手段
    が、粘着剤の付いたポリイミドテープで、半導体素子と
    インナーリードの間でワイヤを固定したことを特徴とす
    る請求項１記載の半導体装置。
  9. 【請求項９】絶縁性部材で作られたワイヤの固定手段
    が、熱硬化性樹脂で、半導体素子とインナーリードの間
    でワイヤを固定したことを特徴とする請求項１記載の半
    導体装置。
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