JPH02144955A - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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JPH02144955A
JPH02144955A JP63298617A JP29861788A JPH02144955A JP H02144955 A JPH02144955 A JP H02144955A JP 63298617 A JP63298617 A JP 63298617A JP 29861788 A JP29861788 A JP 29861788A JP H02144955 A JPH02144955 A JP H02144955A
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bonding
bonding wire
wire
lead
lead frame
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Kenji Toyosawa
健司 豊沢
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、ボンディングワイヤによって半導体チップの
電極と接続されるリードフレームに関する。
〈従来の技術〉 従来のリードフレームを第５図〜第８図を参照しつつ説
明する。
半導体装置は、グイシングされた半導体チップ１０をリ
ードフレーム２０にボンディングする工程と、半導体チ
ップ１０及びリードフレーム２０を封止樹脂でモールド
する工程と、モールドされたリードフレーム２０をカッ
ト、フォーミングする工程とを経て組み立てられる。通
常、半導体チップ１０のリードフレーム２０との接続は
、ワイヤボンディングで行われる。
半導体チップ１０が接続されるリードフレーム２０には
、半導体チップ１０の電極１１に対応した複数本のイン
ナリード２１が形成されており、このインナリード２１
と前記電極１１とが金線等のボンディングワイヤ４０で
接続されるのである。インナリード２１の表面には、よ
り完全な接続のためにＡｇメツキ２１１が施されている
。
このワイヤボンディングは、以下のような工程で行われ
る。
図外のトーチ等によってボンディングワイヤ４０の先端
にポールを形成し、このボールを第１ボンデイング箇所
である半導体チップ１０の電極１１に圧接する。すなわ
ち、第１ボンデイングを行う。
第１ボンデイングが完了したならば、ボンディングワイ
ヤ４０を繰り出しつつ、キャピラリ５０を第２ボンデイ
ング箇所であるインナリード２１側に移動させる（第５
図（ａ）参照）。
キャピラリ５０によってボンディングワイヤ４０を第２
ボンデイング箇所であるインナリード２１の先端に圧接
（第５図（ｂ）参照）し、キャピラリー５０に加えられ
た超音波でボンディングワイヤ４０とインナリード２１
の表面のＡｇメツキ２１１が完全に接合される　（第５
図（Ｃ）参照）。
その後、接合されたボンディングワイヤ４０を引っ張る
ことによってボンディングワイヤ４０を接合部で切断し
く第５図（ｄ）参照）、次のワイヤボンディングを行う
。
インナリード２１は細くなるに従って、僅かの、外力で
も曲がり易くなる。曲がったインナリード２１では、正
確なワイヤボンディングが困難であり、電気的にショー
ト及びリークを起こす場合もあるので、インナーリード
２１には曲がり防止のための絶縁テープ３０が貼付され
ている。この絶縁テープ３０は、第６図に示すようにイ
ンナリード２１の基端側、すなわち第２ボンデイング箇
所より外側に貼付されている。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、上述したような従来のリードフレームに
は以下のような問題点がある。
すなわち、リードフレーム２０のインナリード２１が多
くなるほど、インナリード２１の先端は、極端に細く、
かつピッチが狭くなる。このようなインナリード２１で
のワイヤボンディングは、キャピラリ５０から飛び出て
いるボンディングワイヤ４０が接続されるべきインナリ
ード２１だけでなく、それに隣接するインナリード２１
にも接触し、ショートが発生するという問題点を有して
いる　（第７図に示すＡ部参照）。この問題は、特に半
導体チップｌＯの設計上の都合で、電極１１とこの電極
１１と接続されるインナリード２１との間を最短距離に
設定できない場合に発生しやすい。
また、インナリード２１はワイヤボンダーのヒータブロ
ック６０の上に固定してボンディングするが（第８図参
照）、インナリード２１先端部のワイヤボンディング箇
所が特に細い場合、（インナーリード底部は、更に細く
なっている）キャピラリー５０の先端から出ているボン
ディングワイヤー４０がインナーリード２１に圧着して
、超音波を加えてもインナリードがヒータブロック６０
上で安定して固定されないため、安定したボンディング
ができないという問題点も有している。
これらの問題は、特に多ピン化された半導体装置の組立
工程において生じやすい。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、多ピンの
半導体装置であっても、ショート等が発生しないととも
に、安定したボンディングを行うことができるリードフ
レームを提供することを目的としている。
く課題を解決するための手段〉 本発明に係るリードフレームは、ボンディングワイヤに
よって半導体チップの電極と接続されるリードフレーム
であって、インナリードのボンディング箇所より内側に
各インナリードを連結する絶縁テープが貼付されている
。
〈作用〉 キャピラリの先端から突出したボンディングワイヤにト
ーチでもってボールを形成し、このボールを第１ボンデ
イング箇所である電極に圧接し、接合する。
次に、ボンディングワイヤを繰り出しつつ、キャピラリ
を第２ボンデイング箇所であるインナリード側に移動さ
せる。
そして、絶縁テープが貼付されている部分より外側の部
分にボンディングワイヤをキャピラリでもって圧接し、
超音波を加えてボンディングワイヤとインナリードのボ
ンディングを行う。
さらに、超音波発振手段でもってボンディングワイヤと
インナリードとに超音波を加えてより完全なボンディン
グを行う。そして、インナリードからボンディングワイ
ヤを引っ張って切断し、次のワイヤボンディングを行う
。
〈実施例〉 以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を説明する
。
第１図は本発明に係るリードフレームの一部を示す平面
図、第２図は第１図におけるａ部の拡大断面図、第３図
は第１図におけるａ部の拡大平面図、第４図は第１図に
おけるａ部の拡大側面図である。なお、第１図では説明
のためにリードフレームの１７４が示されているのみで
ある。また、各図面において、各部の寸法等は説明のた
めに誇張して示しである。さらに、従来のものと路間−
の部品等には同一の符号を付して説明を行う。
本発明に係るリードフレーム２０は、ボンディングワイ
ヤ４０によって半導体チップ１０の電極１１と接続され
るリードフレーム２０であり、インナリード２１のボン
ディング箇所より内側に各インナリード２１を連結する
絶縁テープ３０が貼付されている。
半導体チップ１０は、各種のプロセス工程を経た半導体
ウェハをダイシングしたものであって、周縁部には複数
の電極１１が形成されている。この電極１１は、ワイヤ
ボンディング工程において、最初にボンディングワイヤ
４０が接合される第１ボンデイング箇所となる。
リードフレーム２０は、前記半導体チップ１０をボンデ
ィングするものであって、半導体チップ１０をグイボン
ディングするためのアイづンド２２と、このアイランド
２２にグイボンディングされた半導体チップ１０の電極
１１とボンディングワイヤ４０で接続される複数本のイ
ンナリード２１とが設けられている。このリードフレー
ム２０は、多ピンになると、エツチングによって成形さ
れるのが一般的である。
インナリード２Ｊは、前記電極１１と接続されるもので
あって、恰もアイランド２２を包囲するかのように放射
状に形成されている。このインナリード２１は、前記電
極１１とほぼ同数形成されており、図外のアウタリード
と一体になっている。そして、この複数本のインナリー
ド２１の先端部は、ポリイミド等の絶縁材料からなる絶
縁テープ３０によって互いに連結されている。なお、ア
イランド２２及びインナリード２１の表面には、Ａｇメ
ツキ２１１等が施されている。
次に、本発明に係るリードフレームを用いたワイヤボン
ディング工程について説明する。
まず、アイランド２２に半導体チップ１０をグイボンデ
ィングする。
キャピラリ５０の先端から突出したボンディングワイヤ
４０に図外のトーチでもってボール４１を形成する。こ
のボール４１を第１ボンデイング箇所である電極１１に
圧接し、接合する。すなわち、第１ボンデイングを行う
。
次に、ボンディングワイヤ４０を繰り出しつつ、キャピ
ラリ５０を第２ボンデイング箇所であるインナリード２
１側に移動させる。
そして、絶縁テープ３０が貼付されている部分より外側
の部分にボンディングワイヤ４０をキャピラリ５０でも
って圧接する。この時、インナリード２１の先端には絶
縁テープ３０が貼付されているため、に、たとえボンデ
ィングワイヤ４０が接続されるべきインナリード２１に
隣接するインナリード２１の上方に位置していたとして
も、隣接するインナリード２１にボンディングワイヤ４
０が接触することがない（第２図及び第３図に示すＡ部
参照）。
さらに、図外の超音波発振手段でもってボンディングワ
イヤ４０に超音波を加えてボンディングを行う。この時
、インナリード２１の先端は絶縁テープ３０で互いに連
結されているので、恰もインナリード２１の先端は固定
されたような状態になっており、超音波はボンディング
ワイヤ４０とインナリード２１とに効率よく伝わって、
より完全なボンディングを行うことができる。そして、
ボンディングワイヤ４０を引っ張って切断する。
これで、１回のワイヤボンディングが終了する。
さらに、上述と同様の手順でもって他の電極１１とイン
ナリード２１とをボンディングワイヤ４ｏで接続する。
〈発明の効果〉 上述したように本発明に係るリードフレームには、イン
ナリードのボンディング箇所より内側に各インナリード
を互いに連結する絶縁テープが貼付されているので、ワ
イヤボンディング工程、特に第２ボンディング時にボン
ディングワイヤが接続されるべきインナリードではな（
、隣接するインナリードに接触することがない。また、
インナリードの先端は、互いに絶縁テープで連結されて
いるので、超音波を確実に第２ボンデイング箇所に加え
ることができる。特に、本発明に係るリードフレームは
、インナリードの先端が極端に細く形成される多ピンの
半導体装置の場合に有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るリードフレームの一部を示す平面
図、第２図は第１図におけるａ部の拡大断面図、第３図
は第１図におけるａ部の拡大平面図、第４図は第１図に
おけるａ部の拡大側面図、第５図はボンディングワイヤ
を第２ボンデイング箇所であるインナリードに接続する
際のキャピラリの動きを説明する説明図、第６図は従来
のＩＪ−ドフレームの一部を示す平面図、第７図及び第
８図は従来のリードフレームを用いた場合の問題点を示
す説明図である。なお、第１図及び第６図ではリードフ
レームの１７４が示されているのみである。 １０・・・半導体チップ、１１・・・電極、２０・・・
リードフレーム、２１・ ・・絶縁テープ、４０

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ボンディングワイヤによって半導体チップの電極
    と接続されるリードフレームにおいて、インナリードの
    ボンディング箇所より内側に各インナリードを連結する
    絶縁テープが貼付されたことを特徴とするリードフレー
    ム。
JP63298617A 1988-11-26 1988-11-26 リードフレーム Pending JPH02144955A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63298617A JPH02144955A (ja) 1988-11-26 1988-11-26 リードフレーム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63298617A JPH02144955A (ja) 1988-11-26 1988-11-26 リードフレーム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02144955A true JPH02144955A (ja) 1990-06-04

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ID=17862046

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63298617A Pending JPH02144955A (ja) 1988-11-26 1988-11-26 リードフレーム

Country Status (1)

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JP (1) JPH02144955A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0969597A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Nec Corp リードフレーム
US5666009A (en) * 1993-05-25 1997-09-09 Rohm Co. Ltd. Wire bonding structure for a semiconductor device

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