JPS639372B2 - - Google Patents

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JPS639372B2
JPS639372B2 JP54111503A JP11150379A JPS639372B2 JP S639372 B2 JPS639372 B2 JP S639372B2 JP 54111503 A JP54111503 A JP 54111503A JP 11150379 A JP11150379 A JP 11150379A JP S639372 B2 JPS639372 B2 JP S639372B2
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JP
Japan
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substrate
dielectric material
insulating substrate
hole
lead wire
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Toshio Kasuga
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に
改良された液状モールド半導体装置の組立及び封
止方法に関するものである。
従来技術によるこの種の半導体装置において
は、導電パターンを有するセラミツク又はガラス
エポキシ等から成る絶縁基板に半導体素子が塔載
され、全細線等のワイヤーにより素子電極とこれ
に対応する導電パターン電極とが接続され、その
素子並びにワイヤーの周辺部にこれを囲む枠体が
取付けられ、枠体内部にエポキシ樹脂からなるモ
ールド部材が充填されている。この時の枠体は、
モールド部材の流れ止め効果及び整形効果を有し
ている。しかしながらこの枠体を絶縁基板に接着
して取りつけることが必要であり、この為の位置
合わせ及び取り付け作業には、ワイヤー及びチツ
プに枠体がふれないように細心の注意が必要であ
つた。このため工数の増大、及びワイヤーやチツ
プに接触することによる歩留の減少を招いてい
た。さらに、機械化された時にも機械の精度等に
よる限界が生じ、やはり同じ結果となつていた。
さらにワイヤーボンデイング技術を利用した接
続の為にワイヤーのループを充分にとりワイヤー
がチツプエツヂに接触することを防ぐと共にワイ
ヤーへの応力を緩和させていた。このループの高
さが通常数百ミクロンのオーダーあり、その分だ
け樹脂厚を大きくしなければならなかつた。近年
小型化実装、薄型化実装の動きに対して大きな限
界となつていた。
又ワイヤーボンデイングを行う為に特にLSI等
の多ピンチツプ化の傾向とともにワイヤーが他の
ワイヤー又は、チツプエツヂに接触する不良が増
加しやすくなり、歩留減少を招いていた。その上
多ピンの為のボンデイング工数及び上記不良修正
の為の工数等がそれぞれ増加する傾向があつて信
頼性の面のみならずコストの面でも大きな欠点を
有していた。
本発明の目的は、これらの欠点を解決し高信頼
性で安価な半導体装置の製造方法を提供するもの
である。
本発明の特徴は、導電パターンを有する絶縁基
板上に半導体素子を搭載し、樹脂モールド部材に
よつて封止する半導体装置の製造方法において、
導電パターンを有する絶縁基板を準備し、かつ貫
通孔を有する誘電材料基板に設けられたリード線
の該貫通孔内に突出している内端部が半導体素子
の電極に対応して接続され、かつ該リード線の外
端部が前記絶縁基板の導電パターンに対応して設
けられているリードボンデイング済の半導体素子
を準備する工程と、次に、前記半導体素子および
前記誘電材料基板を接着剤により絶縁基板に接着
する工程と、しかる後、前記誘電材料基板に設け
られているリード線の外端部と前記絶縁基板上に
設けられた導電パターンとをボンデイングする工
程と、前記誘電材料基板を流れ止めとして使用し
てモールド部材を少なくとも誘電材料基板の貫通
孔内に充填する工程とを含む半導体装置の製造方
法にある。
以下図面に基いて本発明を説明する。
第１図は従来の半導体装置の組立及び封止構造
を説明する断面図Ａ及びＡの樹脂モールド部材を
省いた平面図Ｂである。
セラミツク又はガラスエポキシ等からなる絶縁
基板１１に導電パターン１２が形成されている。
半導体素子１３は該基板１１に導電ペースト等の
接着剤１４で固着された上素子１３の電極と導電
パターン１２とは金の細線１５で電気的に接続さ
れている。
さらにエポキシ系或はポリエチレンテレフタレ
ート系等の材料よりなる枠体１６を接着剤１４で
基板１１に固定し、該枠体１６の内部にエポキシ
樹脂等よりなるモールド部材１７が素子１３及び
細線１５を覆う様に充填されている。この時の枠
体１６はモールド部材１７が流れ拡がらないよう
流れ止めの効果を有し、又モールド部材１７の外
形形状を保つ整形効果を有していた。
しかしながら該枠体１６を基板１１に接着して
取り付ける為の位置合わせ及び取り付け作業時に
金細線１５及び素子１３に枠体１６が接触しない
ように細心の注意が必要であり工数の増大を招
き、枠体１６が細線１５や素子１３に接触するこ
とにより細線同志の接触、細線と素子との接触、
細線及び素子自身への損傷という不良の増大を招
いていた。
さらに細線１５を使う、ワイヤーボンデイング
技術による接続の為細線１５のループを充分にと
り細線１５が素子１３に接触することを防ぐと共
に細線１５への応力を緩和させていたが、このル
ープの高さ（通常数百ミクロン）の分だけモール
ド部材１７の厚さを大きくしなければならなかつ
た。このことは、近年の小型化実装、薄型化実装
の動向に対して大きな限界となつていた。
さらにワイヤーボンデイングを行う為、特に
LSI等の多ピンの素子を接続する場合細線１５が
他の細線１５及び素子１３に接触する不良が増加
しやすくなると共に、多ピンの為、特に接続工数
及び上記不良修正の工数等がそれぞれ増加し、信
頼性の面のみならずコストの面でも大きな欠点と
なつていた。
第２図は本発明による半導体装置の第１の実施
例の組立及び封止構造を示した断面図である。
貫通孔２８を有した、例えばポリイミド系樹脂
よりなる誘電材料基材２６に設けられた銅、アル
ミ等の金属材料よりなるリード線２５が貫通孔２
８内に突出しており該リード線２５の内端２５′
が半導体素子２３の電極に対応して、熱圧着、共
晶合金、超音波或いは蒸着又は導電ペースト等の
方法で接続されている。該リード線２５の外端２
５″は誘電材料基材２６より外方へ突出しており、
セラミツク或はカラスエポキシ等よりなる絶縁基
板２１に設けられた導電パターン２２に対応して
いる。次に上記リード線２５が接続された半導体
素子２３を絶縁基板２１に接着剤２４で固着す
る。さらに誘電材料基材２６と絶縁基板２１とを
接着剤２４′で取りつける。
上記接着剤２４，２４′は同一種類でも良く異
種のものでもかまわない。同一種類の方が、素子
２３の固着及び誘電材料基材２６の取り付けを同
一工程で処理できる利点がある。
しかる後リード線２５″を絶縁基板２１の導電
パターン２２と熱圧着、超音波、半田溶触法或い
は導電ペースト法等により接続して、エポキシ樹
脂等よりなるモールド部材２７を誘電材料基材２
６の貫通孔２８内に充填する。かかる方法によれ
ば、誘電材料基材２６がモールド部材２７の流れ
防止及び整形の効果を有し、素子２３を絶縁基板
２１に接続後枠体を取りつけるという作業が不要
で安定したかつ工数を減少させた組立及び封止構
造を可能にする。更に該リード線２５は、複数電
極を同時に接続することが可能であり、多ピンの
素子２３においても組立上の工数をワイヤーボン
デイングより大幅に減少せしめかつワイヤーボン
デイングにおける細線のループ状の形状を要しな
くとも該リード線２５は強度的にも安定しており
少くとも細線のループの高さの分だけ装置の小形
化、薄型化を容易にしている。
第３図は、本発明による半導体装置の他の実施
例の組立及び封止構造を示した断面図である。
本図は特に誘電材料基材３６の厚さが半導体素
子３３の厚さより薄い場合の効果的な実施例であ
り、絶縁基板３１の素子３３を固着する部分が凹
状になつており、絶縁基板３１の表面より素子３
３が突出する高さが誘電材料基材３６の厚さより
も小さくすることができモールド部材３７の表面
をほぼ平滑にできる効果を有する。
第４図は本発明による半導体装置の他の実施例
の組立及び封止構造を示した断面図である。
リード線４５は誘電材料基材４６に接着剤４４
でラミネートされた金属薄膜をエツチング等によ
り形成されていることが多く、該接着剤４４を誘
電材料基材４６と絶縁基板４１との取りつけに利
用できる効果を有している。さらにリード線４５
がモールド部材４７によつて覆われる為信頼性上
より好ましくなつている。
第５図は本発明による半導体装置の他の実施例
の組立及び封止構造を示した断面図である。
素子５３に接続されたリード線５５の外端５
５″は誘電材料基材５６の外方に突出せず、誘電
材料基材５６設けられかつ絶縁基板５１の導電パ
ターン５２と電気的に接続されている。素子５３
及び誘電材料基材５６を接着剤５４，５４′で絶
縁基板５１に取りつけた後モールド部材５７を誘
電材料基材５６の貫通孔５８内及び誘電材料基材
５６上のリード線５５を覆つて充填する。誘電材
料基材５６及び基料表面の表面張力によりモール
ド部材５７の流れを防止できるとともに整形を可
能にしている。さらにリード線５５が完全にモー
ルド部材５７で覆われている為に信頼性上より好
ましくなつている。
上記実施例において説明した構造のみならず
各々の組み合わせによる構造でも本発明による効
果は失なわない。
又、本発明の実施例において説明した誘電材料
基材絶縁基板は金属等の材料でも良く半導体素子
の機能を損なわない材料構成であれば良いことは
言うまでもないことである。
以上詳細に説明したように本発明によれば、モ
ールド部材の流れ防止及び整形の効果を有する枠
体を取りつけるにあたり、半導体装置の歩留を低
下させることなく作業能率を高め、高信頼性で安
価な半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図Ａ及び第１図Ｂは、従来の半導体装置の
組立及び封止構造を説明する断面図と平面図、第
２図、第３図、第４図及び第５図は本発明による
半導体装置の実施例の組立及び封止構造を示した
断面図である。 １１，２１，３１，４１，５１……絶縁基板、
１２，２２，３２，４２，５２……導電パター
ン、１３，２３，３３，４３，５３……半導体素
子、１４，１４″，２４，２４′，３４，３４′，
４４，４４′，５４，５４′……接着剤、１６……
枠体、２６，３６，４６，５６……誘電材料基
材、１５……細線、２５，２５′，２５″，３５，
３５′，３５″，４５，４５，５５′，５５″……リ
ード線、１７，２７，３７，４７，５７……モー
ルド部材、２８，３８，４８，５８……貫通孔、
５９……スルーホール。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 導電パターンを有する絶縁基板上に半導体素
    子を搭載し樹脂モールド部材によつて封止してな
    る半導体装置の製造方法において、導電パターン
    を有する絶縁基板を準備し、かつ、貫通孔を有す
    る誘電材料基板に設けられたリード線の該貫通孔
    内に突出している内端部が半導体素子の電極に対
    応して接続され、かつ該リード線の外端部が前記
    絶縁基板の導電パターンに対応して設けられてい
    るリード線ボンデイング済の半導体素子を準備す
    る工程と、次に、前記半導体素子および前記誘電
    材料基板を接着剤により前記絶縁基板に接着する
    工程と、しかる後に、前記誘電材料基板に設けら
    れているリード線の外端部を前記絶縁基板上に設
    けられた導電パターンにボンデイングしかつ前記
    誘電材料基板を流れ止めとして使用してモールド
    部材を誘電材料基板の貫通孔内に充填する工程と
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP11150379A 1979-08-30 1979-08-30 Semiconductor device Granted JPS5635448A (en)

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JPS5635448A JPS5635448A (en) 1981-04-08
JPS639372B2 true JPS639372B2 (ja) 1988-02-29

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