JPH1050918A - リードフレームに液状の接着剤を塗布して形成された不連続的な接着層を有するリードオンチップ半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
リードフレームに液状の接着剤を塗布して形成された不連続的な接着層を有するリードオンチップ半導体パッケージ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液状の接着剤をリードフレームに塗布して形
成された不連続的な接着層により、半導体チップとリー
ドフレーム間の接着を実現することにある。 【解決手段】 半導体チップ100の電極パッド112
とリードフレームの内部リード122は、ボンディング
ワイヤ140により電気的に連結され、封止手段にて封
止される。接着層130は、粘度を有する液状の接着剤
より形成される。接着剤は、内部リード122の各上面
だけでなく、内部リード間の全空間に連続的に塗布され
る。しかし、各空間に塗布された接着剤は自然に除去さ
れるので、接着層130は、内部リード122の表面上
のみに形成される。内部リード122の最外側に、他の
内部リードに比べて幅の広い最外側リードを形成するこ
とが好ましい。接着層130の形成のため、接着剤とし
ては、熱可塑性樹脂が好ましいが、熱硬化性樹脂も可能
である。熱可塑性樹脂の場合、硬化温度は、約200℃
であり、チップ接着段階の温度は、約400℃である。
成された不連続的な接着層により、半導体チップとリー
ドフレーム間の接着を実現することにある。 【解決手段】 半導体チップ100の電極パッド112
とリードフレームの内部リード122は、ボンディング
ワイヤ140により電気的に連結され、封止手段にて封
止される。接着層130は、粘度を有する液状の接着剤
より形成される。接着剤は、内部リード122の各上面
だけでなく、内部リード間の全空間に連続的に塗布され
る。しかし、各空間に塗布された接着剤は自然に除去さ
れるので、接着層130は、内部リード122の表面上
のみに形成される。内部リード122の最外側に、他の
内部リードに比べて幅の広い最外側リードを形成するこ
とが好ましい。接着層130の形成のため、接着剤とし
ては、熱可塑性樹脂が好ましいが、熱硬化性樹脂も可能
である。熱可塑性樹脂の場合、硬化温度は、約200℃
であり、チップ接着段階の温度は、約400℃である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードオンチップ
半導体パッケージに関し、より詳細には、液状の接着剤
をリードフレームに塗布して形成された不連続的な接着
層により、半導体チップとリードフレーム間の接着を実
現するリードオンチップ半導体パッケージ及びその製造
方法に関する。
半導体パッケージに関し、より詳細には、液状の接着剤
をリードフレームに塗布して形成された不連続的な接着
層により、半導体チップとリードフレーム間の接着を実
現するリードオンチップ半導体パッケージ及びその製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路素子の集積度が増加する
にしたがって、半導体チップのサイズが増加している。
しかしながら、半導体チップを収容し、且つ外部システ
ムに実装されるパッケージでは、そのサイズの減少が要
望されている。このようなパッケージの小型化に対する
要求に応じて、多くのパッケージング技術が開発されて
いるが、その一つが、リードオンチップ(LOC)半導
体パッケージである。
にしたがって、半導体チップのサイズが増加している。
しかしながら、半導体チップを収容し、且つ外部システ
ムに実装されるパッケージでは、そのサイズの減少が要
望されている。このようなパッケージの小型化に対する
要求に応じて、多くのパッケージング技術が開発されて
いるが、その一つが、リードオンチップ(LOC)半導
体パッケージである。
【0003】前記LOCパッケージでは、複数のリード
が半導体チップの活性面の上部に配置されて取り付けら
れ、これによりリードオンチップ構造を形成する。ま
た、LOCパッケージでは、ダイパッド(又はリードフ
レームパッド)無しに半導体チップがリードに直接取り
付けられるため、パッケージ内に搭載可能な半導体素子
のサイズが増加するという長所を有する。その他にも、
リードフレームの設計自由度が増加するだけでなく、半
導体素子の特性が向上するという長所などを有する。
が半導体チップの活性面の上部に配置されて取り付けら
れ、これによりリードオンチップ構造を形成する。ま
た、LOCパッケージでは、ダイパッド(又はリードフ
レームパッド)無しに半導体チップがリードに直接取り
付けられるため、パッケージ内に搭載可能な半導体素子
のサイズが増加するという長所を有する。その他にも、
リードフレームの設計自由度が増加するだけでなく、半
導体素子の特性が向上するという長所などを有する。
【0004】従来の一般的なLOCパッケージを図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【0005】図7は、従来技術によるリードフレームを
用いたLOC半導体パッケージ50の部分切欠斜視図で
あり、図8は、図7に示したLOC半導体パッケージ5
0における半導体チップ10、接着テープ30、リード
フレーム20の関係を示す分解斜視図である。
用いたLOC半導体パッケージ50の部分切欠斜視図で
あり、図8は、図7に示したLOC半導体パッケージ5
0における半導体チップ10、接着テープ30、リード
フレーム20の関係を示す分解斜視図である。
【0006】図7及び図8を参照すると、従来のLOC
半導体パッケージ50は、リードフレーム20の内部リ
ード22が半導体チップ10の活性面に取り付けられる
構造を有する。前記リードフレーム20と半導体チップ
10とは、接着テープ30により取り付けられている。
前記接着テープ30は、3つの層、すなわち、ポリイミ
ド等のベースフィルム32の両面に熱硬化性エポキシの
ような接着層34、36が塗布された構造を有するもの
である。前記半導体チップ10は、電極パッド12が半
導体チップ10の活性面の中央部に配設された、いわゆ
るセンタパッド型チップである。前記リードフレーム2
0は、電極パッド12が外部に露出されるように離隔配
置された内部リード22を含む。前記電極パッド12
は、電極パッド12に延びる内部リード22に電気的に
連結される。
半導体パッケージ50は、リードフレーム20の内部リ
ード22が半導体チップ10の活性面に取り付けられる
構造を有する。前記リードフレーム20と半導体チップ
10とは、接着テープ30により取り付けられている。
前記接着テープ30は、3つの層、すなわち、ポリイミ
ド等のベースフィルム32の両面に熱硬化性エポキシの
ような接着層34、36が塗布された構造を有するもの
である。前記半導体チップ10は、電極パッド12が半
導体チップ10の活性面の中央部に配設された、いわゆ
るセンタパッド型チップである。前記リードフレーム2
0は、電極パッド12が外部に露出されるように離隔配
置された内部リード22を含む。前記電極パッド12
は、電極パッド12に延びる内部リード22に電気的に
連結される。
【0007】前記半導体チップ10とリードフレーム2
0間の電気的連結は、ボンディングワイヤ40により行
われる。リードフレーム20の内部リード22が半導体
チップ10の中央部に配設された電極パッド12に非常
に近接しているので、ボンディングワイヤ40の長さを
短くすることができる。前記半導体チップ10と内部リ
ード22及びボンディングワイヤ40は、外部環境から
の汚染を防止するため、エポキシ樹脂等の封止手段によ
り封止することにより、パッケージ胴体52が得られ
る。封止工程後、図8に示したリードフレーム20のダ
ムバー26及び縁部28は、除去される。次いで、図7
に示したようにパッケージ胴体52から露出した外部リ
ード24は、外部システム(図示せず)に実装するのに
適合な形態で変形される。前記タイバー27は、パッケ
ージ胴体52を形成するエポキシ樹脂との結合力を増加
させる役割をし、半導体チップに電源を安定的に供給す
るためのバスバーを形成するときに使用される。
0間の電気的連結は、ボンディングワイヤ40により行
われる。リードフレーム20の内部リード22が半導体
チップ10の中央部に配設された電極パッド12に非常
に近接しているので、ボンディングワイヤ40の長さを
短くすることができる。前記半導体チップ10と内部リ
ード22及びボンディングワイヤ40は、外部環境から
の汚染を防止するため、エポキシ樹脂等の封止手段によ
り封止することにより、パッケージ胴体52が得られ
る。封止工程後、図8に示したリードフレーム20のダ
ムバー26及び縁部28は、除去される。次いで、図7
に示したようにパッケージ胴体52から露出した外部リ
ード24は、外部システム(図示せず)に実装するのに
適合な形態で変形される。前記タイバー27は、パッケ
ージ胴体52を形成するエポキシ樹脂との結合力を増加
させる役割をし、半導体チップに電源を安定的に供給す
るためのバスバーを形成するときに使用される。
【0008】かかる構造を有するLOCパッケージ50
の製造方法を簡単に説明する。まず、両面接着性を有す
る接着テープ30をリードフレーム20の内部リード2
2の下部に位置させる。次に、前記接着テープ30の下
部に半導体チップ10を位置させる。すなわち、接着テ
ープ30は第1接着層34によりリードフレーム20の
内部リード22に取り付けられ、半導体チップ10は第
2接着層36により接着テープ30に取り付けられる。
このようなチップ接着段階は、接着テープ30を適当な
サイズで切断する工程を含む。同時に、所定の温度でテ
ープ30に圧力を加えながら、テープ30をチップ10
に接着する。その後、ワイヤボンディング、封止、折曲
等の工程を経てLOCパッケージ50が完成される。
の製造方法を簡単に説明する。まず、両面接着性を有す
る接着テープ30をリードフレーム20の内部リード2
2の下部に位置させる。次に、前記接着テープ30の下
部に半導体チップ10を位置させる。すなわち、接着テ
ープ30は第1接着層34によりリードフレーム20の
内部リード22に取り付けられ、半導体チップ10は第
2接着層36により接着テープ30に取り付けられる。
このようなチップ接着段階は、接着テープ30を適当な
サイズで切断する工程を含む。同時に、所定の温度でテ
ープ30に圧力を加えながら、テープ30をチップ10
に接着する。その後、ワイヤボンディング、封止、折曲
等の工程を経てLOCパッケージ50が完成される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のLO
C構造では、次のような問題点を有する。
C構造では、次のような問題点を有する。
【0010】まず、第1は、接着テープの構造上の問題
である。接着テープは、3つの層を有するので、半導体
チップとリードフレーム間の接着界面は、4つになる。
性質の異なる2物質間の接着界面では、熱応力によるク
ラック又は剥離等の不良が生じやすく、吸湿性も高くな
り、パッケージの信頼性を低下させる要因にもなる。
である。接着テープは、3つの層を有するので、半導体
チップとリードフレーム間の接着界面は、4つになる。
性質の異なる2物質間の接着界面では、熱応力によるク
ラック又は剥離等の不良が生じやすく、吸湿性も高くな
り、パッケージの信頼性を低下させる要因にもなる。
【0011】第2の問題点は、接着テープの製造に関連
することである。接着テープは、ベースフィルムの一方
の面に接着物質を塗布し硬化した後、さらにベースフィ
ルムの他方の面に接着物質を塗布し硬化させることによ
り、製造される。従って、製造工程が複雑であるだけで
なく、両面に接着層が存在するため、接着テープの取扱
いも容易ではない。
することである。接着テープは、ベースフィルムの一方
の面に接着物質を塗布し硬化した後、さらにベースフィ
ルムの他方の面に接着物質を塗布し硬化させることによ
り、製造される。従って、製造工程が複雑であるだけで
なく、両面に接着層が存在するため、接着テープの取扱
いも容易ではない。
【0012】さらに第3の問題点は、LOCパッケージ
の組立工程に関連することである。接着テープは、チッ
プ接着工程の際、チップ接着と同時に適当なサイズで切
断されなければならい。したがって、製造工程が煩雑で
あり、接着テープの切断に起因するバリのような機械的
不良が生じ、パッケージの信頼性が低下する。また、接
着テープのベースフィルムとして使用されるポリイミド
の価格が高いだけでなく、接着テープの製造及びチップ
接着工程が複雑であるので、製造費用が上昇するという
問題もある。
の組立工程に関連することである。接着テープは、チッ
プ接着工程の際、チップ接着と同時に適当なサイズで切
断されなければならい。したがって、製造工程が煩雑で
あり、接着テープの切断に起因するバリのような機械的
不良が生じ、パッケージの信頼性が低下する。また、接
着テープのベースフィルムとして使用されるポリイミド
の価格が高いだけでなく、接着テープの製造及びチップ
接着工程が複雑であるので、製造費用が上昇するという
問題もある。
【0013】したがって、本発明の目的は、半導体チッ
プとリードフレーム間の接着界面の数を減少させること
により、LOC半導体パッケージの信頼性を向上させる
LOC半導体パッケージを提供ことにある。
プとリードフレーム間の接着界面の数を減少させること
により、LOC半導体パッケージの信頼性を向上させる
LOC半導体パッケージを提供ことにある。
【0014】本発明の他の目的は、液状の接着剤をリー
ドフレームに塗布して形成された接着層により、半導体
チップとリードフレーム間の接着を実現するLOC半導
体パッケージの製造方法を提供することにある。
ドフレームに塗布して形成された接着層により、半導体
チップとリードフレーム間の接着を実現するLOC半導
体パッケージの製造方法を提供することにある。
【0015】本発明のさらに他の目的は、LOC半導体
パッケージの製造費用を減少させるLOC半導体パッケ
ージ及びその製造方法を提供することにある。
パッケージの製造費用を減少させるLOC半導体パッケ
ージ及びその製造方法を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、請求項1記載の第1の発明は、複数の電極パッドが
形成された主面を有する半導体チップと、前記半導体チ
ップの主面上に位置し、前記電極パッドが露出されるよ
うに配列された複数の内部リードと複数の外部リードと
を有するリードフレームと、前記半導体チップの主面と
前記リードフレームの複数の内部リードとの間に位置
し、所定の粘度を有する液状の接着剤から形成された単
一層よりなり、前記内部リードの上面に不連続的に形成
されることにより、前記リードフレームの前記複数の内
部リードと前記半導体チップの主面とを接着させる接着
層と、前記各々の電極パッドと前記各々の内部リードと
を電気的に相互接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記接着層、前記リードフレームの
複数の内部リード及び前記ボンディングワイヤを封止す
る封止手段とを含むことを要旨とする。従って、半導体
チップとリードフレーム間の接着界面の数を減少させる
ことにより、LOC半導体パッケージの信頼性を向上で
きる。
め、請求項1記載の第1の発明は、複数の電極パッドが
形成された主面を有する半導体チップと、前記半導体チ
ップの主面上に位置し、前記電極パッドが露出されるよ
うに配列された複数の内部リードと複数の外部リードと
を有するリードフレームと、前記半導体チップの主面と
前記リードフレームの複数の内部リードとの間に位置
し、所定の粘度を有する液状の接着剤から形成された単
一層よりなり、前記内部リードの上面に不連続的に形成
されることにより、前記リードフレームの前記複数の内
部リードと前記半導体チップの主面とを接着させる接着
層と、前記各々の電極パッドと前記各々の内部リードと
を電気的に相互接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記接着層、前記リードフレームの
複数の内部リード及び前記ボンディングワイヤを封止す
る封止手段とを含むことを要旨とする。従って、半導体
チップとリードフレーム間の接着界面の数を減少させる
ことにより、LOC半導体パッケージの信頼性を向上で
きる。
【0017】請求項2記載の第2の発明は、前記複数の
内部リードは、前記接着層を安定的に形成するため前記
接着層が形成される表面に形成された窪みをさらに含む
ことを要旨とする。
内部リードは、前記接着層を安定的に形成するため前記
接着層が形成される表面に形成された窪みをさらに含む
ことを要旨とする。
【0018】請求項3記載の第3の発明は、前記リード
フレームの複数の内部リードは、前記内部リードの最外
側に形成される1つ以上の最外側リードをさらに含み、
前記最外側リードは、他の内部リードより大きい幅を有
することを要旨とする。従って、液状の接着剤の厚さを
均一に形成することができる。
フレームの複数の内部リードは、前記内部リードの最外
側に形成される1つ以上の最外側リードをさらに含み、
前記最外側リードは、他の内部リードより大きい幅を有
することを要旨とする。従って、液状の接着剤の厚さを
均一に形成することができる。
【0019】請求項4記載の第4の発明は、前記半導体
チップの電極パッドは、前記半導体チップの主面の中央
部に形成されることを要旨とする。
チップの電極パッドは、前記半導体チップの主面の中央
部に形成されることを要旨とする。
【0020】請求項5記載の第5の発明は、複数の電極
パッドが形成された主面を有する半導体チップと複数の
内部リード及び複数の外部リードを有するリードフレー
ムとを用意する段階と、前記リードフレームの前記複数
の内部リードの上面に所定の粘度を有する液状の接着剤
を塗布して不連続的な接着層を形成する段階と、前記電
極パッドが前記複数の内部リードの間に露出されるよう
に前記リードフレームを前記半導体チップの主面上に位
置させた後、前記内部リードに形成された前記接着層を
介して前記リードフレームと前記半導体チップとを接着
する段階と、前記各々の電極パッドと前記各々の内部リ
ードとをボンディングワイヤにてお互いに電気的に連結
する段階と、前記半導体チップ、前記接着層、前記リー
ドフレームの複数の内部リード及び前記ボンディングワ
イヤを封止手段で封止する段階とを含むことを要旨とす
る。従って、液状の接着剤をリードフレームに塗布して
形成された接着層により、半導体チップとリードフレー
ム間の接着を実現できる。
パッドが形成された主面を有する半導体チップと複数の
内部リード及び複数の外部リードを有するリードフレー
ムとを用意する段階と、前記リードフレームの前記複数
の内部リードの上面に所定の粘度を有する液状の接着剤
を塗布して不連続的な接着層を形成する段階と、前記電
極パッドが前記複数の内部リードの間に露出されるよう
に前記リードフレームを前記半導体チップの主面上に位
置させた後、前記内部リードに形成された前記接着層を
介して前記リードフレームと前記半導体チップとを接着
する段階と、前記各々の電極パッドと前記各々の内部リ
ードとをボンディングワイヤにてお互いに電気的に連結
する段階と、前記半導体チップ、前記接着層、前記リー
ドフレームの複数の内部リード及び前記ボンディングワ
イヤを封止手段で封止する段階とを含むことを要旨とす
る。従って、液状の接着剤をリードフレームに塗布して
形成された接着層により、半導体チップとリードフレー
ム間の接着を実現できる。
【0021】請求項6記載の第6の発明は、前記リード
フレームの前記複数の内部リードに前記液状の接着剤を
塗布する段階は、ディスペンサーを用いた塗布工程と硬
化工程とよりなることを要旨とする。
フレームの前記複数の内部リードに前記液状の接着剤を
塗布する段階は、ディスペンサーを用いた塗布工程と硬
化工程とよりなることを要旨とする。
【0022】請求項7記載の第7の発明は、前記複数の
内部リードに塗布された前記液状の接着剤は、熱可塑性
樹脂であることを要旨とする。従って、再作業が可能で
あり、取扱いが容易になる。
内部リードに塗布された前記液状の接着剤は、熱可塑性
樹脂であることを要旨とする。従って、再作業が可能で
あり、取扱いが容易になる。
【0023】請求項8記載の第8の発明は、前記熱可塑
性樹脂は、ポリエーテルアミド、ポリイミドシロキサ
ン、ポリイミドよりなる群から選ばれた一種であること
を要旨とする。従って、再作業が可能であり、取扱いが
容易になる。
性樹脂は、ポリエーテルアミド、ポリイミドシロキサ
ン、ポリイミドよりなる群から選ばれた一種であること
を要旨とする。従って、再作業が可能であり、取扱いが
容易になる。
【0024】請求項9記載の第9の発明は、前記複数の
内部リードに前記熱可塑性樹脂を塗布して前記接着層を
形成する段階は、約200℃で行われる硬化工程を含む
ことを要旨とする。従って、硬化は、半硬化状態の接着
層が形成できる。
内部リードに前記熱可塑性樹脂を塗布して前記接着層を
形成する段階は、約200℃で行われる硬化工程を含む
ことを要旨とする。従って、硬化は、半硬化状態の接着
層が形成できる。
【0025】請求項10記載の第11の発明は、前記接
着層により前記リードフレームと前記半導体チップとを
接着する段階は、約400℃で行われる熱圧着工程を含
むことを要旨とする。従って、再作業が可能であり、取
扱いが容易になる。
着層により前記リードフレームと前記半導体チップとを
接着する段階は、約400℃で行われる熱圧着工程を含
むことを要旨とする。従って、再作業が可能であり、取
扱いが容易になる。
【0026】請求項11記載の第11の発明は、前記複
数の内部リードに塗布された前記液状の接着剤は、熱硬
化性樹脂であることを要旨とする。
数の内部リードに塗布された前記液状の接着剤は、熱硬
化性樹脂であることを要旨とする。
【0027】請求項12記載の第12の発明は、前記複
数の内部リードに前記熱硬化性樹脂を塗布して前記接着
層を形成する段階は、約150℃で行われる硬化工程を
含むことを要旨とする。
数の内部リードに前記熱硬化性樹脂を塗布して前記接着
層を形成する段階は、約150℃で行われる硬化工程を
含むことを要旨とする。
【0028】請求項13記載の第13の発明は、前記接
着層により前記リードフレームと前記半導体チップとを
接着する段階は、約200℃で行われる熱圧着工程を含
むことを要旨とする。
着層により前記リードフレームと前記半導体チップとを
接着する段階は、約200℃で行われる熱圧着工程を含
むことを要旨とする。
【0029】請求項14記載の第14の発明は、複数の
電極パッドが形成された主面を有する半導体チップ及
び、複数の内部リードと複数の外部リードとを有し、前
記複数の内部リードの各先端を連結し、前記内部リード
に対して直角方向に形成された連結バーをさらに含むリ
ードフレームを用意する段階と、前記リードフレームの
前記連結バーの上面に、所定の粘度を有する液状の接着
剤を塗布して接着層を形成する段階と、前記接着層が形
成された連結バーを、前記各々の内部リードに対応する
ように切断分離することにより、前記接着層を各内部リ
ードの上面に不連続的に形成する段階と、前記電極パッ
ドが前記複数の内部リードの間に露出されるように前記
リードフレームを前記半導体チップの主面上に位置させ
た後、前記内部リードに形成された前記接着層を介して
前記リードフレームと前記半導体チップとを接着する段
階と、前記各々の電極パッドと前記各々の内部リードと
をボンディングワイヤにてお互いに電気的に連結する段
階と、前記半導体チップ、前記接着層、前記リードフレ
ームの複数の内部リード及び前記ボンディングワイヤを
封止手段で封止する段階とを含むことを要旨とする。従
って、液状の接着剤をリードフレームに塗布して形成さ
れた接着層により、半導体チップとリードフレーム間の
接着を実現できる。
電極パッドが形成された主面を有する半導体チップ及
び、複数の内部リードと複数の外部リードとを有し、前
記複数の内部リードの各先端を連結し、前記内部リード
に対して直角方向に形成された連結バーをさらに含むリ
ードフレームを用意する段階と、前記リードフレームの
前記連結バーの上面に、所定の粘度を有する液状の接着
剤を塗布して接着層を形成する段階と、前記接着層が形
成された連結バーを、前記各々の内部リードに対応する
ように切断分離することにより、前記接着層を各内部リ
ードの上面に不連続的に形成する段階と、前記電極パッ
ドが前記複数の内部リードの間に露出されるように前記
リードフレームを前記半導体チップの主面上に位置させ
た後、前記内部リードに形成された前記接着層を介して
前記リードフレームと前記半導体チップとを接着する段
階と、前記各々の電極パッドと前記各々の内部リードと
をボンディングワイヤにてお互いに電気的に連結する段
階と、前記半導体チップ、前記接着層、前記リードフレ
ームの複数の内部リード及び前記ボンディングワイヤを
封止手段で封止する段階とを含むことを要旨とする。従
って、液状の接着剤をリードフレームに塗布して形成さ
れた接着層により、半導体チップとリードフレーム間の
接着を実現できる。
【0030】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照として説明する。
て図面を参照として説明する。
【0031】図1は、本発明の一実施の形態によるLO
C半導体パッケージ100を示す部分切欠斜視図であ
り、図2は、図1に示したパッケージに使用されるリー
ドフレーム120であって、液状の接着剤を塗布して形
成された不連続的な接着層130を有するリードフレー
ム120を示す斜視図である。
C半導体パッケージ100を示す部分切欠斜視図であ
り、図2は、図1に示したパッケージに使用されるリー
ドフレーム120であって、液状の接着剤を塗布して形
成された不連続的な接着層130を有するリードフレー
ム120を示す斜視図である。
【0032】図1及び図2を参照すると本発明のLOC
半導体パッケージ100は、従来と同様に、リードフレ
ーム120の内部リード122が半導体チップ110の
主面に接着される構造を有する。この際、半導体チップ
110とリードフレーム120間の接着は、単一の接着
層130により達成される。前記半導体チップ110
は、その主面に形成された複数の電極パッド112を有
する。前記電極パッド112の位置は、好ましくは主面
の中央部に形成されるが、中央部に限定されるものでは
ない。前記半導体チップ110とリードフレーム120
が接着された後、半導体チップ110の電極パッド11
2は、リードフレーム120の内部リード122と電気
的に連結されなければならないので、当該内部リード1
22は、電極パッド112が外部に露出されるように配
列された形態を有する。
半導体パッケージ100は、従来と同様に、リードフレ
ーム120の内部リード122が半導体チップ110の
主面に接着される構造を有する。この際、半導体チップ
110とリードフレーム120間の接着は、単一の接着
層130により達成される。前記半導体チップ110
は、その主面に形成された複数の電極パッド112を有
する。前記電極パッド112の位置は、好ましくは主面
の中央部に形成されるが、中央部に限定されるものでは
ない。前記半導体チップ110とリードフレーム120
が接着された後、半導体チップ110の電極パッド11
2は、リードフレーム120の内部リード122と電気
的に連結されなければならないので、当該内部リード1
22は、電極パッド112が外部に露出されるように配
列された形態を有する。
【0033】前記半導体チップ110とリードフレーム
120間の電気的接続は、従来と同様にボンディングワ
イヤ140のような接続手段により行われる。また、半
導体チップ110と接着層130と内部リード122及
びボンディングワイヤ140は、外部環境からの汚染を
防止するため、エポキシのような封止手段により封止さ
れてパッケージ胴体150を形成する。封止工程後、図
2に示したリードフレーム120のダムバー126と縁
部128は除去され、パッケージ胴体150から突出し
た外部リード124は、図1に示したように、外部シス
テム(図示せず)に実装するのに適合な形態で折曲され
る。前記内部リード122と外部リード124の間に位
置するダムバー126は、リードフレーム120を支持
するだけでなく、封止工程の際に封止手段の流れを防止
する役割をする。また、リードフレーム120の縁部1
28は、製造工程中にリードフレーム120を安定的に
維持させる役割をする。パッケージ胴体の内部に残存す
るタイバー127は、パッケージ胴体150を形成する
エポキシ樹脂との結合力を増加させる役割をし、半導体
チップ110に電源を安定的に供給するためのバスバー
(図示せず)を形成する時にも使用される。図2の参照
符号123は、最外側リードを示したものであり、これ
については後述する。
120間の電気的接続は、従来と同様にボンディングワ
イヤ140のような接続手段により行われる。また、半
導体チップ110と接着層130と内部リード122及
びボンディングワイヤ140は、外部環境からの汚染を
防止するため、エポキシのような封止手段により封止さ
れてパッケージ胴体150を形成する。封止工程後、図
2に示したリードフレーム120のダムバー126と縁
部128は除去され、パッケージ胴体150から突出し
た外部リード124は、図1に示したように、外部シス
テム(図示せず)に実装するのに適合な形態で折曲され
る。前記内部リード122と外部リード124の間に位
置するダムバー126は、リードフレーム120を支持
するだけでなく、封止工程の際に封止手段の流れを防止
する役割をする。また、リードフレーム120の縁部1
28は、製造工程中にリードフレーム120を安定的に
維持させる役割をする。パッケージ胴体の内部に残存す
るタイバー127は、パッケージ胴体150を形成する
エポキシ樹脂との結合力を増加させる役割をし、半導体
チップ110に電源を安定的に供給するためのバスバー
(図示せず)を形成する時にも使用される。図2の参照
符号123は、最外側リードを示したものであり、これ
については後述する。
【0034】本発明では、接着層130により半導体チ
ップ110とリードフレーム120間の接着を行うこと
が特徴的である。前記接着層130は、従来の3層の接
着テープとは別に、単一層よりなる。また、接着層13
0は、所定の粘度を有する液状の接着剤をリードフレー
ム120の内部リード122上に連続的に塗布し、硬化
することにより、不連続的な接着層130を形成する一
連の工程を経て形成される。
ップ110とリードフレーム120間の接着を行うこと
が特徴的である。前記接着層130は、従来の3層の接
着テープとは別に、単一層よりなる。また、接着層13
0は、所定の粘度を有する液状の接着剤をリードフレー
ム120の内部リード122上に連続的に塗布し、硬化
することにより、不連続的な接着層130を形成する一
連の工程を経て形成される。
【0035】図3は、図2の不連続的な接着層130を
形成するため、液状の接着剤132をリードフレームの
内部リード122に塗布する過程を説明するための概略
図である。図2及び図3を参照すると、まず、液状の接
着剤132が、図3に示したように、塗布手段により内
部リード122に塗布され、次いで、図示しない硬化工
程を経ることにより、図2のように半硬化状態の不連続
的な接着層130が得られる。前記接着剤132として
は、電気的に絶縁性を有する熱可塑性樹脂や熱硬化性樹
脂のいずれも使用可能であるが、再作業が可能であり、
取扱いが容易である点から、ポリエーテルアミドやポリ
イミドシロキサン、ポリイミド等の熱可塑性樹脂が主に
使用される。
形成するため、液状の接着剤132をリードフレームの
内部リード122に塗布する過程を説明するための概略
図である。図2及び図3を参照すると、まず、液状の接
着剤132が、図3に示したように、塗布手段により内
部リード122に塗布され、次いで、図示しない硬化工
程を経ることにより、図2のように半硬化状態の不連続
的な接着層130が得られる。前記接着剤132として
は、電気的に絶縁性を有する熱可塑性樹脂や熱硬化性樹
脂のいずれも使用可能であるが、再作業が可能であり、
取扱いが容易である点から、ポリエーテルアミドやポリ
イミドシロキサン、ポリイミド等の熱可塑性樹脂が主に
使用される。
【0036】前記接着剤132は、液状であり、所定の
粘度を有する。したがって、内部リード122に接着剤
132を連続的に塗布することが可能であり、また、内
部リード122間の空間に塗布された接着剤132が自
然に除去されるので、接着剤132が内部リード122
の上面のみに存在することになる。前記液状の接着剤1
32の粘性は、特に限定されるものではなく、内部リー
ド間の空間に塗布された接着剤は自然に除去される反
面、内部リードの上面に塗布された接着剤は残存するこ
とができる程度の粘性であれば、充分である。
粘度を有する。したがって、内部リード122に接着剤
132を連続的に塗布することが可能であり、また、内
部リード122間の空間に塗布された接着剤132が自
然に除去されるので、接着剤132が内部リード122
の上面のみに存在することになる。前記液状の接着剤1
32の粘性は、特に限定されるものではなく、内部リー
ド間の空間に塗布された接着剤は自然に除去される反
面、内部リードの上面に塗布された接着剤は残存するこ
とができる程度の粘性であれば、充分である。
【0037】接着剤132の塗布手段としては、図3に
示したように、ディスペンサー80を使用することがで
きる。前記ディスペンサー80は、液状の接着剤132
が入っているシリンジ82と、接着剤132をシリンジ
82から噴射するための通路であるノズル84と、シリ
ンジ82内の接着剤132をノズル84を介して噴射さ
せる手段である空気注入管86とを含む。また、図示し
ないが、ディスペンサー80には駆動手段を含ませるこ
とができる。前記駆動手段は、ディスペンサー80を内
部リードに対して直角方向で移動させることが可能であ
る。前記空気注入管86を介してシリンジ82内の接着
剤132に一定の圧力を加え、駆動手段によりディスペ
ンサー80を一定の速度で移動させながら、内部リード
122に液状の接着剤132を塗布する。
示したように、ディスペンサー80を使用することがで
きる。前記ディスペンサー80は、液状の接着剤132
が入っているシリンジ82と、接着剤132をシリンジ
82から噴射するための通路であるノズル84と、シリ
ンジ82内の接着剤132をノズル84を介して噴射さ
せる手段である空気注入管86とを含む。また、図示し
ないが、ディスペンサー80には駆動手段を含ませるこ
とができる。前記駆動手段は、ディスペンサー80を内
部リードに対して直角方向で移動させることが可能であ
る。前記空気注入管86を介してシリンジ82内の接着
剤132に一定の圧力を加え、駆動手段によりディスペ
ンサー80を一定の速度で移動させながら、内部リード
122に液状の接着剤132を塗布する。
【0038】前記内部リード122間の間隔は、必ずし
も同一である必要はないが、均一の接着層を得るため
に、内部リード122の最外側に他の内部リードより広
い幅を有する最外側リード123を形成することができ
る。その理由は、ディスペンサー80で接着剤132を
塗布するとき接着剤132の滴下、ディスペンサーの速
度差異等の好ましくない現象に起因して、開始点と終了
点において塗布された接着剤132の厚さが不均一にな
ることである。
も同一である必要はないが、均一の接着層を得るため
に、内部リード122の最外側に他の内部リードより広
い幅を有する最外側リード123を形成することができ
る。その理由は、ディスペンサー80で接着剤132を
塗布するとき接着剤132の滴下、ディスペンサーの速
度差異等の好ましくない現象に起因して、開始点と終了
点において塗布された接着剤132の厚さが不均一にな
ることである。
【0039】したがって、開始点と終了点に位置した最
外側リード123の幅を他の内部リード122の幅より
大きくすることにより、液状の接着剤132の厚さを均
一に形成することができる。前記接着剤132は、所定
の粘度を有するが、内部リード122の上面に塗布され
た接着剤132がリード間の空間に流れるおそれがあ
る。よって、内部リード122は、接着層130が形成
される内部リード122の表面に多様な形態のくぼみを
形成することができる。
外側リード123の幅を他の内部リード122の幅より
大きくすることにより、液状の接着剤132の厚さを均
一に形成することができる。前記接着剤132は、所定
の粘度を有するが、内部リード122の上面に塗布され
た接着剤132がリード間の空間に流れるおそれがあ
る。よって、内部リード122は、接着層130が形成
される内部リード122の表面に多様な形態のくぼみを
形成することができる。
【0040】図4に多様な形態の窪みを有する内部リー
ドの上面を示した。ディンプル125a、溝125b、
コイン領域125cのようなくぼみは、通常のリードフ
レーム加工方法、例えば、エッチングやスタンピング方
法により形成することができる。
ドの上面を示した。ディンプル125a、溝125b、
コイン領域125cのようなくぼみは、通常のリードフ
レーム加工方法、例えば、エッチングやスタンピング方
法により形成することができる。
【0041】塗布段階後、液状の接着剤132を硬化す
ることにより、液状の接着剤132が半硬化状態の接着
層130に変化する。接着剤が熱可塑性樹脂である場
合、硬化は、半硬化状態の接着層が形成されるように約
200℃で行われ、熱硬化性樹脂の場合は約150℃で
行われる。半硬化状態の接着層130が形成されてか
ら、図5に示したように、熱圧着によるチップ接着工程
が進行される。これについては、図5を参照として詳述
する。
ることにより、液状の接着剤132が半硬化状態の接着
層130に変化する。接着剤が熱可塑性樹脂である場
合、硬化は、半硬化状態の接着層が形成されるように約
200℃で行われ、熱硬化性樹脂の場合は約150℃で
行われる。半硬化状態の接着層130が形成されてか
ら、図5に示したように、熱圧着によるチップ接着工程
が進行される。これについては、図5を参照として詳述
する。
【0042】図5は、図2の不連続的な接着層130を
有するリードフレーム120を半導体チップ110に取
り付けるチップ接着段階を説明するための概略図であ
る。図5に示したように、半硬化状態の接着層130を
有するリードフレーム120が、半導体チップ110の
主面上に整列された後、熱圧着により半導体チップ11
0に取り付けられる。熱可塑性樹脂の場合、約400℃
でチップ接着段階が行われ、熱硬化性樹脂の場合、約2
00℃で行われる。前記熱可塑性樹脂は、熱硬化性樹脂
に比べてガラス転移温度(Tg)が高いため、チップ接
着段階の際に熱硬化性樹脂より高い温度で硬化されるべ
きであるが、以後のワイヤボンディング段階では温度の
影響を受けない。
有するリードフレーム120を半導体チップ110に取
り付けるチップ接着段階を説明するための概略図であ
る。図5に示したように、半硬化状態の接着層130を
有するリードフレーム120が、半導体チップ110の
主面上に整列された後、熱圧着により半導体チップ11
0に取り付けられる。熱可塑性樹脂の場合、約400℃
でチップ接着段階が行われ、熱硬化性樹脂の場合、約2
00℃で行われる。前記熱可塑性樹脂は、熱硬化性樹脂
に比べてガラス転移温度(Tg)が高いため、チップ接
着段階の際に熱硬化性樹脂より高い温度で硬化されるべ
きであるが、以後のワイヤボンディング段階では温度の
影響を受けない。
【0043】結論的に、図3に示したように、接着剤塗
布段階が行われ、次に、図示しないが、塗布された接着
剤の硬化段階が行われ、図5に示したように、熱圧着に
よるチップ接着が実行される。図2に示したリードフレ
ームは、硬化された接着層を含み、図1に示したLOC
パッケージは、チップ接着が完了されたリードフレーム
を含む。
布段階が行われ、次に、図示しないが、塗布された接着
剤の硬化段階が行われ、図5に示したように、熱圧着に
よるチップ接着が実行される。図2に示したリードフレ
ームは、硬化された接着層を含み、図1に示したLOC
パッケージは、チップ接着が完了されたリードフレーム
を含む。
【0044】図1乃至図5を参照として本発明の一実施
の形態を説明したように、本発明の接着層130は、従
来の3層構造の接着テープとは異なり、単一層を有する
ので、接着界面の数が減少し、これにより改善された信
頼性を有するLOCパッケージ100が得られる。ま
た、接着層130は、接着剤132を塗布する簡単な工
程により形成されるので、従来の接着テープに比べて簡
単な製造工程及び低コストを達成することがきる。さら
に、接着テープの切断による信頼性低下の問題も解決す
ることができる。
の形態を説明したように、本発明の接着層130は、従
来の3層構造の接着テープとは異なり、単一層を有する
ので、接着界面の数が減少し、これにより改善された信
頼性を有するLOCパッケージ100が得られる。ま
た、接着層130は、接着剤132を塗布する簡単な工
程により形成されるので、従来の接着テープに比べて簡
単な製造工程及び低コストを達成することがきる。さら
に、接着テープの切断による信頼性低下の問題も解決す
ることができる。
【0045】しかるに、本発明の接着層は、他の方法で
形成することもできる。これらの例を図6(A)乃至図
6(C)に示す。図6(A)乃至図6(C)は、図2の
不連続的な接着層130を形成するための他の工程を示
す部分斜視図である。図6(A)に示したように、内部
リード122の先端部分には、連結バー121が形成さ
れている。この連結バー121は、内部リード122に
対して直角方向に形成される。連結バー121の上面に
は、図6(B)に示したように、液状の接着剤132が
塗布されている。次いで、硬化工程(図示せず)を経て
図8(C)に示したような硬化層130が得られる。そ
の後、接着層130を有する連結バー121を、各内部
リードに対応するように切断除去することにより、内部
リード122の上面に不連続的な接着層が形成される。
この際、図示しないが、切断を容易にするために、連結
バーにおける切断除去部分に、予め切欠や溝を形成する
こともできる。
形成することもできる。これらの例を図6(A)乃至図
6(C)に示す。図6(A)乃至図6(C)は、図2の
不連続的な接着層130を形成するための他の工程を示
す部分斜視図である。図6(A)に示したように、内部
リード122の先端部分には、連結バー121が形成さ
れている。この連結バー121は、内部リード122に
対して直角方向に形成される。連結バー121の上面に
は、図6(B)に示したように、液状の接着剤132が
塗布されている。次いで、硬化工程(図示せず)を経て
図8(C)に示したような硬化層130が得られる。そ
の後、接着層130を有する連結バー121を、各内部
リードに対応するように切断除去することにより、内部
リード122の上面に不連続的な接着層が形成される。
この際、図示しないが、切断を容易にするために、連結
バーにおける切断除去部分に、予め切欠や溝を形成する
こともできる。
【0046】以上、好ましい実施の形態に関連して本発
明を説明したが、本発明は、その精神又は主要な特徴か
ら逸脱することなく、他の種々の形態で実施することが
できる。例えば、液状の接着剤を塗布する方法として、
スクリンプリント法やスプレー法も可能である。したが
って、本発明の請求範囲の要旨及び範囲は、ここに開示
した実施の形態に限定するものではない。
明を説明したが、本発明は、その精神又は主要な特徴か
ら逸脱することなく、他の種々の形態で実施することが
できる。例えば、液状の接着剤を塗布する方法として、
スクリンプリント法やスプレー法も可能である。したが
って、本発明の請求範囲の要旨及び範囲は、ここに開示
した実施の形態に限定するものではない。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、次のよ
うな利点を有する。
うな利点を有する。
【0048】本発明のリードオンチップ半導体パッケー
ジは、単一接着層を有するので、半導体チップとリード
フレーム間の接着界面の数が減少し、これにより半導体
パッケージの信頼性が向上する。また、本発明による
と、液状の接着剤をリードフレームの内部リードに塗布
し、硬化させる簡単な工程により、接着層を容易に製造
することができる。つまり、本発明によると、LOC半
導体パッケージの製造工程を簡単にすることができ、低
コスト及び高信頼性を図ることができる。
ジは、単一接着層を有するので、半導体チップとリード
フレーム間の接着界面の数が減少し、これにより半導体
パッケージの信頼性が向上する。また、本発明による
と、液状の接着剤をリードフレームの内部リードに塗布
し、硬化させる簡単な工程により、接着層を容易に製造
することができる。つまり、本発明によると、LOC半
導体パッケージの製造工程を簡単にすることができ、低
コスト及び高信頼性を図ることができる。
【図1】本発明の一実施の形態によるLOC半導体パッ
ケージを示す部分切欠斜視図である。
ケージを示す部分切欠斜視図である。
【図2】図1に示したパッケージに使用されるリードフ
レームであって、液状の接着剤を塗布して形成された不
連続的な接着層を有するリードフレームを示す斜視図で
ある。
レームであって、液状の接着剤を塗布して形成された不
連続的な接着層を有するリードフレームを示す斜視図で
ある。
【図3】図2の不連続的な接着層を形成するために、液
状の接着剤をリードフレームに塗布する過程を説明する
ための概略図である。
状の接着剤をリードフレームに塗布する過程を説明する
ための概略図である。
【図4】図2に示したリードフレームの内部リード上面
の各種形状を示す部分斜視図である。
の各種形状を示す部分斜視図である。
【図5】図2の不連続的な接着層を有するリードフレー
ムを半導体チップに取り付ける過程を説明するための概
略図である。
ムを半導体チップに取り付ける過程を説明するための概
略図である。
【図6】図2の不連続的な接着層を形成するための他の
工程を示す部分斜視図である。
工程を示す部分斜視図である。
【図7】従来技術によるLOC半導体パッケージの部分
切欠斜視図である。
切欠斜視図である。
【図8】図7に示したLOC半導体パッケージにおける
半導体チップ、接着テープ、リードフレームの関係を示
す分解斜視図である。
半導体チップ、接着テープ、リードフレームの関係を示
す分解斜視図である。
80 ディスペンサー 100 半導体パッケージ 110 半導体チップ 112 電極パッド 120 リードフレーム 121 連結バー 122 内部リード 123 最外側リード 124 外部リード 125a ディンプル 125b 溝 125c コイン領域 126 ダムバー 127 タイバー 128 縁部 130 接着層 132 接着剤
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黄 贊 丞 大韓民国京畿道軍舗市産本2洞冬柏羽聲ア パート1309洞1201号
Claims (14)
- 【請求項1】 複数の電極パッドが形成された主面を有
する半導体チップと、 前記半導体チップの主面上に位置し、前記電極パッドが
露出されるように配列された複数の内部リードと複数の
外部リードとを有するリードフレームと、 前記半導体チップの主面と前記リードフレームの複数の
内部リードとの間に位置し、所定の粘度を有する液状の
接着剤から形成された単一層よりなり、前記内部リード
の上面に不連続的に形成されることにより、前記リード
フレームの前記複数の内部リードと前記半導体チップの
主面とを接着させる接着層と、 前記各々の電極パッドと前記各々の内部リードとを電気
的に相互接続する複数のボンディングワイヤと、 前記半導体チップ、前記接着層、前記リードフレームの
複数の内部リード及び前記ボンディングワイヤを封止す
る封止手段と、 を含むことを特徴とするリードオンチップ半導体パッケ
ージ。 - 【請求項2】 前記複数の内部リードは、前記接着層を
安定的に形成するため前記接着層が形成される表面に形
成された窪みをさらに含むことを特徴とする請求項1記
載のリードオンチップ半導体パッケージ。 - 【請求項3】 前記リードフレームの複数の内部リード
は、前記内部リードの最外側に形成される1つ以上の最
外側リードをさらに含み、前記最外側リードは、他の内
部リードより大きい幅を有することを特徴とする請求項
1記載のリードオンチップ半導体パッケージ。 - 【請求項4】 前記半導体チップの電極パッドは、前記
半導体チップの主面の中央部に形成されることを特徴と
する請求項1記載のリードオンチップ半導体パッケー
ジ。 - 【請求項5】 複数の電極パッドが形成された主面を有
する半導体チップと複数の内部リード及び複数の外部リ
ードを有するリードフレームとを用意する段階と、 前記リードフレームの前記複数の内部リードの上面に所
定の粘度を有する液状の接着剤を塗布して不連続的な接
着層を形成する段階と、 前記電極パッドが前記複数の内部リードの間に露出され
るように前記リードフレームを前記半導体チップの主面
上に位置させた後、前記内部リードに形成された前記接
着層を介して前記リードフレームと前記半導体チップと
を接着する段階と、 前記各々の電極パッドと前記各々の内部リードとをボン
ディングワイヤにてお互いに電気的に連結する段階と、 前記半導体チップ、前記接着層、前記リードフレームの
複数の内部リード及び前記ボンディングワイヤを封止手
段で封止する段階と、 を含むことを特徴とするリードオンチップ半導体パッケ
ージの製造方法。 - 【請求項6】 前記リードフレームの前記複数の内部リ
ードに前記液状の接着剤を塗布する段階は、ディスペン
サーを用いた塗布工程と硬化工程とよりなることを特徴
とする請求項5記載のリードオンチップ半導体パッケー
ジの製造方法。 - 【請求項7】 前記複数の内部リードに塗布された前記
液状の接着剤は、熱可塑性樹脂であることを特徴とする
請求項5記載のリードオンチップ半導体パッケージの製
造方法。 - 【請求項8】 前記熱可塑性樹脂は、ポリエーテルアミ
ド、ポリイミドシロキサン、ポリイミドよりなる群から
選ばれた一種であることを特徴とする請求項7記載のリ
ードオンチップ半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項9】 前記複数の内部リードに前記熱可塑性樹
脂を塗布して前記接着層を形成する段階は、約200℃
で行われる硬化工程を含むことを特徴とする請求項7記
載のリードオンチップ半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項10】 前記接着層により前記リードフレーム
と前記半導体チップとを接着する段階は、約400℃で
行われる熱圧着工程を含むことを特徴とする請求項7記
載のリードオンチップ半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項11】 前記複数の内部リードに塗布された前
記液状の接着剤は、熱硬化性樹脂であることを特徴とす
る請求項5記載のリードオンチップ半導体パッケージの
製造方法。 - 【請求項12】 前記複数の内部リードに前記熱硬化性
樹脂を塗布して前記接着層を形成する段階は、約150
℃で行われる硬化工程を含むことを特徴とする請求項1
1記載のリードオンチップ半導体パッケージの製造方
法。 - 【請求項13】 前記接着層により前記リードフレーム
と前記半導体チップとを接着する段階は、約200℃で
行われる熱圧着工程を含むことを特徴とする請求項11
記載のリードオンチップ半導体パッケージの製造方法。 - 【請求項14】 複数の電極パッドが形成された主面を
有する半導体チップ及び、複数の内部リードと複数の外
部リードとを有し、前記複数の内部リードの各先端を連
結し、前記内部リードに対して直角方向に形成された連
結バーをさらに含むリードフレームを用意する段階と、 前記リードフレームの前記連結バーの上面に、所定の粘
度を有する液状の接着剤を塗布して接着層を形成する段
階と、 前記接着層が形成された連結バーを、前記各々の内部リ
ードに対応するように切断分離することにより、前記接
着層を各内部リードの上面に不連続的に形成する段階
と、 前記電極パッドが前記複数の内部リードの間に露出され
るように前記リードフレームを前記半導体チップの主面
上に位置させた後、前記内部リードに形成された前記接
着層を介して前記リードフレームと前記半導体チップと
を接着する段階と、 前記各々の電極パッドと前記各々の内部リードとをボン
ディングワイヤにてお互いに電気的に連結する段階と、 前記半導体チップ、前記接着層、前記リードフレームの
複数の内部リード及び前記ボンディングワイヤを封止手
段で封止する段階と、 を含むことを特徴とするリードオンチップ半導体パッケ
ージの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960015464A KR0174983B1 (ko) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 유체상태의 접착제를 이용한 반도체 칩 실장 방법 및 그에 이용되는 loc형 반도체 칩 패키지의 리드 프레임 |
KR1996-15464 | 1996-05-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1050918A true JPH1050918A (ja) | 1998-02-20 |
JP2914624B2 JP2914624B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=19458328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9105762A Expired - Fee Related JP2914624B2 (ja) | 1996-05-10 | 1997-04-23 | リードフレームに液状の接着剤を塗布して形成された不連続的な接着層を有するリードオンチップ半導体パッケージ及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5923957A (ja) |
JP (1) | JP2914624B2 (ja) |
KR (1) | KR0174983B1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6013535A (en) | 1997-08-05 | 2000-01-11 | Micron Technology, Inc. | Method for applying adhesives to a lead frame |
US6040205A (en) * | 1997-08-05 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for controlling the depth of immersion of a semiconductor element in an exposed surface of a viscous fluid |
US6110761A (en) * | 1997-08-05 | 2000-08-29 | Micron Technology, Inc. | Methods for simultaneously electrically and mechanically attaching lead frames to semiconductor dice and the resulting elements |
US6204093B1 (en) | 1997-08-21 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for applying viscous materials to a lead frame |
KR100493189B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2005-09-26 | 삼성테크윈 주식회사 | 리이드프레임제조방법 |
US6387732B1 (en) | 1999-06-18 | 2002-05-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of attaching a semiconductor chip to a leadframe with a footprint of about the same size as the chip and packages formed thereby |
KR100335481B1 (ko) * | 1999-09-13 | 2002-05-04 | 김덕중 | 멀티 칩 패키지 구조의 전력소자 |
US6603195B1 (en) * | 2000-06-28 | 2003-08-05 | International Business Machines Corporation | Planarized plastic package modules for integrated circuits |
JP2006032871A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
US8530279B2 (en) * | 2008-09-11 | 2013-09-10 | Texas Instruments Incorporated | Offset gravure printing process for improved mold compound and die attach adhesive adhesion on leadframe surface using selective adhesion promoter |
JP4360446B1 (ja) * | 2008-10-16 | 2009-11-11 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0158868B1 (ko) * | 1988-09-20 | 1998-12-01 | 미다 가쓰시게 | 반도체장치 |
US5583375A (en) * | 1990-06-11 | 1996-12-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device with lead structure within the planar area of the device |
US5086018A (en) * | 1991-05-02 | 1992-02-04 | International Business Machines Corporation | Method of making a planarized thin film covered wire bonded semiconductor package |
US5286679A (en) * | 1993-03-18 | 1994-02-15 | Micron Technology, Inc. | Method for attaching a semiconductor die to a leadframe using a patterned adhesive layer |
-
1996
- 1996-05-10 KR KR1019960015464A patent/KR0174983B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-04-23 JP JP9105762A patent/JP2914624B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-05-09 US US08/853,907 patent/US5923957A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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---|---|
US5923957A (en) | 1999-07-13 |
JP2914624B2 (ja) | 1999-07-05 |
KR0174983B1 (ko) | 1999-02-01 |
KR970077548A (ko) | 1997-12-12 |
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