JPH0357236A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH0357236A JPH0357236A JP1193021A JP19302189A JPH0357236A JP H0357236 A JPH0357236 A JP H0357236A JP 1193021 A JP1193021 A JP 1193021A JP 19302189 A JP19302189 A JP 19302189A JP H0357236 A JPH0357236 A JP H0357236A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する．
〔従来の技術〕
従来の樹脂封止型半導体装置（以下樹脂封止型ＩＣと呼
ぶ）は、第７図及び第８図に示すように、ＩＣチップ４
をリードフレームのアイランド２にダイポンディングし
，ＩＣチップ４の電極パッドとリードフレームのインナ
ーリードｌをポンディングワイヤー５でワイヤポンディ
ングする事によって電気的接続を行なっていた。
ぶ）は、第７図及び第８図に示すように、ＩＣチップ４
をリードフレームのアイランド２にダイポンディングし
，ＩＣチップ４の電極パッドとリードフレームのインナ
ーリードｌをポンディングワイヤー５でワイヤポンディ
ングする事によって電気的接続を行なっていた。
ＩＣチップの高集積化技術が進んでくるに従い、ＩＣチ
ップ内部の論理回路はますます高集化され、ＩＣチップ
における論理回路部分の面積は縮小されつつある。
ップ内部の論理回路はますます高集化され、ＩＣチップ
における論理回路部分の面積は縮小されつつある。
しかし論理回路部分の面積が縮小されてもＩＣチップ周
辺に位置する電極パッドのパッド間ピッチを縮小しなげ
れば、結局はチップ全体の面積を縮小する事はできない
問題があった。
辺に位置する電極パッドのパッド間ピッチを縮小しなげ
れば、結局はチップ全体の面積を縮小する事はできない
問題があった。
さらにＩＣチップの製造工程において、ステ，パーの性
能の限界によって、最大チップ寸法は制限されているの
で、入出力電極を増やそうとすると、パッドピッチの縮
小を行なわねば、電極数を増やす事ができない問題があ
った。
能の限界によって、最大チップ寸法は制限されているの
で、入出力電極を増やそうとすると、パッドピッチの縮
小を行なわねば、電極数を増やす事ができない問題があ
った。
一方、パッドピッチを縮小した場合、ポンディングの際
、現在一般に使用されている線径２５〜３０μのワイヤ
ーを使用すると、ポンディングツールがポンディング済
隣接ワイヤーと接触し、ワイヤーのループ形状を変形さ
せその結果、ワイヤー間に至ったり、ワイヤー強度が低
下するという不具合が生じていた。
、現在一般に使用されている線径２５〜３０μのワイヤ
ーを使用すると、ポンディングツールがポンディング済
隣接ワイヤーと接触し、ワイヤーのループ形状を変形さ
せその結果、ワイヤー間に至ったり、ワイヤー強度が低
下するという不具合が生じていた。
又、ワイヤーポンダーの精度の限界により、金線ポール
ポンディングの場合、ポンディング目標点と実際にボン
ディングした金ボールの中心とは必ずしも一致しないの
で、パッドピッチを縮小した場合１つの電極パッドにボ
ンディングした金ボールの外周部が、隣接する電極パッ
ドに接触してショートに至るという不具合を生じた。
ポンディングの場合、ポンディング目標点と実際にボン
ディングした金ボールの中心とは必ずしも一致しないの
で、パッドピッチを縮小した場合１つの電極パッドにボ
ンディングした金ボールの外周部が、隣接する電極パッ
ドに接触してショートに至るという不具合を生じた。
又、リードフレームのリードピッチに関して、エッチン
グ及びプレス技術からの制約で、リードピッチの縮小に
も製造上の限界がでてきた。
グ及びプレス技術からの制約で、リードピッチの縮小に
も製造上の限界がでてきた。
その結果多ピンＩＣの場合、ＩＣチップの電極間ピッチ
が縮小され、チップサイズが小さくなっても、リードピ
ッチが縮まらないため、ＩＣチップとリード間の距離が
大きくなり、ワイヤー長が長くなり、樹脂封止の際ワイ
ヤーが流れたり、ワイヤーが倒れるという不具合を生じ
ていた。
が縮小され、チップサイズが小さくなっても、リードピ
ッチが縮まらないため、ＩＣチップとリード間の距離が
大きくなり、ワイヤー長が長くなり、樹脂封止の際ワイ
ヤーが流れたり、ワイヤーが倒れるという不具合を生じ
ていた。
又、リードフレームのリードのＩＣチップ側（インナー
リード側）の先端部を薄くシてＩＣチップにインナーリ
ードボンディングを行なって、パッドピッチの縮小を行
なう方法もあるが、リードフレームのリードの一部のみ
を薄くする事にコストがかかるという問題があった。
リード側）の先端部を薄くシてＩＣチップにインナーリ
ードボンディングを行なって、パッドピッチの縮小を行
なう方法もあるが、リードフレームのリードの一部のみ
を薄くする事にコストがかかるという問題があった。
本発明の樹脂封止型の製造方法は、ＴＡＢ方式に゛よっ
てフィルムキャリアのインナーリードにＩＣチップをイ
ンナーリードボンディングしたＴＡＢデバイスからイン
ナーリードボンディング済ＩＣチッフ゜，インナーリー
ド及びフィルムキャリアのサスペンダー部よりも内側の
ＴＡＢデバイス小片を切断し、前記ＴＡＢデバイス小片
をリードフレームに接着及び熱圧着し、前記ＴＡＢデバ
イス小片の前記サスペンダー部のリードと前記リードフ
レームの前記インナーリード間をワイヤーポンディング
して構或されている。
てフィルムキャリアのインナーリードにＩＣチップをイ
ンナーリードボンディングしたＴＡＢデバイスからイン
ナーリードボンディング済ＩＣチッフ゜，インナーリー
ド及びフィルムキャリアのサスペンダー部よりも内側の
ＴＡＢデバイス小片を切断し、前記ＴＡＢデバイス小片
をリードフレームに接着及び熱圧着し、前記ＴＡＢデバ
イス小片の前記サスペンダー部のリードと前記リードフ
レームの前記インナーリード間をワイヤーポンディング
して構或されている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）， （ｂ）は本発明の樹脂封止型ＩＣの一
実施例のアイランド部を詳細を示す平面図及び断面図で
ある。
実施例のアイランド部を詳細を示す平面図及び断面図で
ある。
本発明の樹脂封止型ＩＣの製造方法は、まずＩＣチップ
４に、キャリアテープのリードをインナーリードボンデ
ィングし、ＴＡＢデバイスを製造する。
４に、キャリアテープのリードをインナーリードボンデ
ィングし、ＴＡＢデバイスを製造する。
ＴＡＢデバイスの第２図（ａ）及び第２図（ｂ）に示す
箇所を切断し、第２図（ｃ）に示すＴＡＢデバイス小片
１３を製造する。
箇所を切断し、第２図（ｃ）に示すＴＡＢデバイス小片
１３を製造する。
そしてＴＡＢデバイス小片１３のＩＣチップ４とリード
フレームのアイランド２間を銀ペースト等を用いて、第
３図（ａ）に示す様に接着する。
フレームのアイランド２間を銀ペースト等を用いて、第
３図（ａ）に示す様に接着する。
そして第３図（ｂ）に示す様にＴＡＢデバイス小片１３
のサスペンダー３とリードフレームのアイランド２とを
加圧治具ｌ５とヒーターを用いて熱圧着する。
のサスペンダー３とリードフレームのアイランド２とを
加圧治具ｌ５とヒーターを用いて熱圧着する。
そしてＴＡＢデバイス小片のサスペンダー３のリード６
とリードフレームのインナーリードとをポンディングワ
イヤー５をワイヤポンディングして電気的に接続する。
とリードフレームのインナーリードとをポンディングワ
イヤー５をワイヤポンディングして電気的に接続する。
前述の様な電気的接続を行なった後は、第４図（ａ），
（ｂ）に示す様に樹脂封止を行ない樹脂封止ＩＣとす
る。
（ｂ）に示す様に樹脂封止を行ない樹脂封止ＩＣとす
る。
第５図（ａ）， （ｂ）に本発明の第２の実施例の内部
構造を説明するための平面図及び断面図である。
構造を説明するための平面図及び断面図である。
第２の実施例の樹脂封止型ＩＣの製造方法は、まず前述
の第１の実施例と同様にしてＴＡＢデバイスを製造し、
ＴＡＢデバイスからＴＡＢデバイス小片を切断する。
の第１の実施例と同様にしてＴＡＢデバイスを製造し、
ＴＡＢデバイスからＴＡＢデバイス小片を切断する。
ＴＡＢデバイス小片のサスペンダー３を、前述の実施例
と同様な加圧治具とヒーターを用い、アイランドの無い
リードフレームのインナーリード上に熱圧着する。
と同様な加圧治具とヒーターを用い、アイランドの無い
リードフレームのインナーリード上に熱圧着する。
その後、ＴＡＢデバイス小片のサスペンダー２のリード
６とリードフレームのインナーリードとをポンディング
ワイヤー５により、第５図（ａ），（ｂ）に示す通りに
電気的に接続する。その後は、前述の実施例と同様に樹
脂封止を行ない樹脂封壮ＩＣとする。
６とリードフレームのインナーリードとをポンディング
ワイヤー５により、第５図（ａ），（ｂ）に示す通りに
電気的に接続する。その後は、前述の実施例と同様に樹
脂封止を行ない樹脂封壮ＩＣとする。
この実施例では、前述の実施例に比べ リートフレーム
のインナーリード１がＴＡＢデバイス４・片を支持する
機能も果たしているため、アイランドの大きさによって
実装可能なＴＡＢデバイスＪ・片及びＩＣチップの種類
の制約を受ける事がなしのでリードフレームの汎用性と
いう面では利点がある。
のインナーリード１がＴＡＢデバイス４・片を支持する
機能も果たしているため、アイランドの大きさによって
実装可能なＴＡＢデバイスＪ・片及びＩＣチップの種類
の制約を受ける事がなしのでリードフレームの汎用性と
いう面では利点がある。
本発明の樹脂封止型ＩＣで、縮小可能な最小のパッドピ
ッチをＡとし、従来の樹脂封止型ＩＣでの縮小可能な最
小のパッドピッチＢとすれば、第６図（ｂ）， （ｃ）
に示すようにＡとＢとの間にはＢ〉Ａの関係が成立して
いる。
ッチをＡとし、従来の樹脂封止型ＩＣでの縮小可能な最
小のパッドピッチＢとすれば、第６図（ｂ）， （ｃ）
に示すようにＡとＢとの間にはＢ〉Ａの関係が成立して
いる。
ＩＣチップが正方形の場合、一辺当りのパッド数をｎ個
とするとＩＣチップの一辺の長さは（ｎ−１）（Ｂ−Ａ
）だけ縮小される。
とするとＩＣチップの一辺の長さは（ｎ−１）（Ｂ−Ａ
）だけ縮小される。
その結果チップ面積は（Ｔ）２程度の割合で縮小するこ
とが出来る。
とが出来る。
その結果、従来のパッドピッチが約１７０μ程度だった
ものが、本実施例により１’ＩＯμ程度までに縮小可能
となった。
ものが、本実施例により１’ＩＯμ程度までに縮小可能
となった。
以上説明した様な本発明の樹脂封止型ＩＣでは、縮小化
したパッドピッチに対しては技術上限界であったワイヤ
ーボンディング方式にかわりＴＡＢ方式な利用し、尚か
つワイヤーボンディングも併用する事によってフィヤー
長を現状よウ長くする事なく、パッドピッチを縮小する
事ができる。
したパッドピッチに対しては技術上限界であったワイヤ
ーボンディング方式にかわりＴＡＢ方式な利用し、尚か
つワイヤーボンディングも併用する事によってフィヤー
長を現状よウ長くする事なく、パッドピッチを縮小する
事ができる。
第１図（ａ）． （ｂ）は本発明の樹脂封止型ＩＣのア
イランド部の詳細を示した平面図及び断面図、第２図（
ａ）〜（ｃ）は本発明のＩＣに用いるＴＡＢデバイス小
片のＴＡＢデバイスから切断する前の状態の平面図，切
断箇所の拡大図及びＴＡＢデバイス小片の平面図、第３
図（ａ）， （ｂ）はリードフレームのアイランド部に
ＴＡＢデバイスから切断したＴＡＢデバイス小片を接着
した状態の平面図及びヒーターと加圧治具でＴＡＢデバ
イス小片をリードフレームのアイランドに熱圧着してい
る状態の断面図、第４図（ａ）， （ｂ）は本発明のＩ
Ｃの樹脂封止後の平面図及び断面図、第５図（ａ），
（ｂ）は本発明の第２の実施例のアイランド部の詳細を
示した平面図及び断面図、第６図（ａ）は一辺にｎ個の
パッドを持つＩＣチップの平面図、第６図（ｂ）はパッ
ドピッチ縮小前のパッド部の平面図、第６図（Ｃ）はパ
ッドピッチ縮小後のパッド部の平面図、第７図（ａ），
（ｂ）は従来の樹脂封止工Ｃの一例のアイランド部の
詳細を示した平面図及び断面図、第８図（ａ） ， ’
（ｂ）は従来のＩＣの封止後の平面図及び断面図である
。 ｌ・・・・・・リードフレームのインナーリード、２・
・・・・・アイランド、３・・・・・・サスペンダー、
４・・・・・・ＩＣチップ、５・・・・・・ボンディン
グワイヤー ６・・・・・・ＴＡＢデバイス小片のイン
ナーリード、スベンダ一部のリード、８・・・・・・切
断箇所、ヒーターブロック、１０・・・・・・Ａｇペー
スト・・・・・・封止樹脂、１２・・・・・・アウター
リード、・・・ＴＡＢデバイス小片、１４・・・・・・
ポンディッド、１５・・・・・・加圧治具。 ７・・・・・・サ ９・・・・・・ 、１１ ｌ ３・・・ ングパ
イランド部の詳細を示した平面図及び断面図、第２図（
ａ）〜（ｃ）は本発明のＩＣに用いるＴＡＢデバイス小
片のＴＡＢデバイスから切断する前の状態の平面図，切
断箇所の拡大図及びＴＡＢデバイス小片の平面図、第３
図（ａ）， （ｂ）はリードフレームのアイランド部に
ＴＡＢデバイスから切断したＴＡＢデバイス小片を接着
した状態の平面図及びヒーターと加圧治具でＴＡＢデバ
イス小片をリードフレームのアイランドに熱圧着してい
る状態の断面図、第４図（ａ）， （ｂ）は本発明のＩ
Ｃの樹脂封止後の平面図及び断面図、第５図（ａ），
（ｂ）は本発明の第２の実施例のアイランド部の詳細を
示した平面図及び断面図、第６図（ａ）は一辺にｎ個の
パッドを持つＩＣチップの平面図、第６図（ｂ）はパッ
ドピッチ縮小前のパッド部の平面図、第６図（Ｃ）はパ
ッドピッチ縮小後のパッド部の平面図、第７図（ａ），
（ｂ）は従来の樹脂封止工Ｃの一例のアイランド部の
詳細を示した平面図及び断面図、第８図（ａ） ， ’
（ｂ）は従来のＩＣの封止後の平面図及び断面図である
。 ｌ・・・・・・リードフレームのインナーリード、２・
・・・・・アイランド、３・・・・・・サスペンダー、
４・・・・・・ＩＣチップ、５・・・・・・ボンディン
グワイヤー ６・・・・・・ＴＡＢデバイス小片のイン
ナーリード、スベンダ一部のリード、８・・・・・・切
断箇所、ヒーターブロック、１０・・・・・・Ａｇペー
スト・・・・・・封止樹脂、１２・・・・・・アウター
リード、・・・ＴＡＢデバイス小片、１４・・・・・・
ポンディッド、１５・・・・・・加圧治具。 ７・・・・・・サ ９・・・・・・ 、１１ ｌ ３・・・ ングパ
Claims (1)
- ＴＡＢ方式によってフィルムキャリアのインナーリード
にＩＣチップをインナーリードボンディングしたＴＡＢ
デバイスからインナーリードボンディング済ＩＣチップ
、インナーリード及びフィルムキャリアのサスペンダー
部よりも内側のＴＡＢデバイス小片を切断し、前記ＴＡ
Ｂデバイス小片をリードフレームに接着及び熱圧着し、
前記ＴＡＢデバイス小片の前記サスペンダー部のリード
と前記リードフレームの前記インナーリード間をワイヤ
ーボンディングする事を特徴とする樹脂封止型半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193021A JPH07101698B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193021A JPH07101698B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357236A true JPH0357236A (ja) | 1991-03-12 |
| JPH07101698B2 JPH07101698B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=16300857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1193021A Expired - Lifetime JPH07101698B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101698B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258715A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-11-17 | アルバニ−・インタ−ナシヨナル・コ−ポレイシヨン | 紙製造用エンドレスベルトおよびその製造法 |
| US5606204A (en) * | 1994-06-23 | 1997-02-25 | Nec Corporation | Resin-sealed semiconductor device |
| US5968318A (en) * | 1997-07-03 | 1999-10-19 | Ichikawa Co., Ltd. | Shoe press belt and manufacturing method therefor |
| US6086719A (en) * | 1998-02-26 | 2000-07-11 | Ichikawa Co., Ltd. | Shoe press belt and method of manufacture |
| US6214752B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-04-10 | Ichikawa Co., Ltd. | Shoe press jacket |
| US6284102B1 (en) | 1999-04-26 | 2001-09-04 | Ichikawa Co., Ltd. | Shoe press belt and method for manufacturing the same |
| US7185757B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-03-06 | Ichikawa Co., Ltd. | Shoe press belt |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP1193021A patent/JPH07101698B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61258715A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-11-17 | アルバニ−・インタ−ナシヨナル・コ−ポレイシヨン | 紙製造用エンドレスベルトおよびその製造法 |
| JPH0357236B2 (ja) * | 1985-03-13 | 1991-08-30 | ||
| US5606204A (en) * | 1994-06-23 | 1997-02-25 | Nec Corporation | Resin-sealed semiconductor device |
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| US6284102B1 (en) | 1999-04-26 | 2001-09-04 | Ichikawa Co., Ltd. | Shoe press belt and method for manufacturing the same |
| US7185757B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-03-06 | Ichikawa Co., Ltd. | Shoe press belt |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07101698B2 (ja) | 1995-11-01 |
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