JP3847432B2 - 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止半導体装置の構造及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、このような分野の樹脂封止半導体装置としては、以下に示すようなものがあった。
【0003】
図9はかかる従来の樹脂封止半導体装置の断面図である。
【0004】
この図に示すように、従来の樹脂封止半導体装置は、ダイパット1上に導電性、及び絶縁性のペースト剤2により接着された半導体素子3上の電極パッド4と外部電極5を金属細線6により電気的に接続したものを樹脂7で封止した構造であった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の樹脂封止半導体装置の構造では、半導体素子上の電極パッドと外部電極を金属細線により接続するため、樹脂封止サイズが大きくなってしまう。また、リードフレームにより外部電極を設けるため半導体装置の製造コストが高くなってしまうという問題があった。
【0006】
本発明は、上記問題点を除去し、樹脂封止サイズを小さくし、外部電極を低コストで形成することができる樹脂封止半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔1〕樹脂封止半導体装置において、半導体素子と、前記半導体素子上に形成された電極パッドと、前記半導体素子と前記電極パッドとを覆い、ダイシングにより形成された側面及びテーパ部を有する樹脂封止部と、前記電極パッドに接続され、前記樹脂封止部の前記テーパ部に露出される金属細線と、前記樹脂封止部から露出された前記金属細線に接続される外部電極とを有するようにしたものである。
【0008】
〔2〕樹脂封止半導体装置の製造方法において、半導体ウエハ状態で、隣り合う半導体素子の電極パッド同士を金属配線でウェッジボンディングにより接合する工程と、半導体ウエハ状態で樹脂封止し、樹脂封止部を形成する工程と、両面にテーパを備えたダイシングブレードを用いてダイシングを行って個々の半導体素子に分割し、前記樹脂封止部に側面及びテーパ部を形成するとともに、前記金属細線が表面実装可能な位置に露出するように前記テーパ部に露出させ、この金属細線の露出部に外部電極を形成する工程とを施すようにしたものである。
【0009】
〔3〕上記〔2〕記載の樹脂封止半導体装置の製造方法において、半導体ウエハ状態で樹脂封止された半導体ウエハを個々の半導体素子に分割する際のアライメントを決めるためのグリッドラインを前記半導体ウエハの樹脂封止領域外に延長して樹脂封止するようにしたものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【0011】
図1は本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の断面図である。
【0012】
この図において、11は半導体素子、12は電極パッド、13は金属細線、14は樹脂封止部(パッケージ)、15は半田ボール(又は半田バンプ)である。
【0013】
このように、半導体素子11上の電極パッド12に接続された金属細線13が樹脂封止部14の表面に露出している。その露出した金属細線13に、半田ボール15が接合されている。なお、11Aは半導体素子11のテーパ部である。
【0014】
ここでは、樹脂封止部14の表面に露出した金属細線13を直接外部電極としている。樹脂封止部14の表面に露出した金属細線13には、接合性を良くするための半田ボール15を設ける。
【0015】
以下、この実施例の樹脂封止半導体装置の製造方法について説明する。
【0016】
(1)まず、図2(a)〜図2(c)に示すように、半導体ウエハ10上の隣り合う半導体素子11の電極パッド12同士を金属細線13にて接続する。
【0017】
このときのワイヤボンディング方法は、低ループ及びループ形状を左右対象にするためにウェッジボンドであることが望ましい。なお、10Aはグリッドラインを示している。
【0018】
(2)次に、図3(a)に示すように、半導体ウエハ10の全体に樹脂封止部14を形成する。その断面を示すと、図3(b)のようになる。
【0019】
(3)次いで、図4に示すように、樹脂封止後、ダイシングブレード(図示なし)により、個々の半導体素子11に分割し、その半導体素子のテーパ部11Aに金属細線13の先端を露出させる。
【0020】
(4)最後に、図5に示すように、金属細線13が露出した部分に半田ボール15を形成する。
【0021】
以下、上記した各製造工程を詳細に説明する。
【0022】
図6は本発明の実施例の金属細線を接合済の半導体ウエハをモールド上金型、モールド下金型でクランプした状態を示す図である。
【0023】
この図に示すように、モールド上金型21、モールド下金型22には、ウエハ割れ防止ブロック26が設けられている。なお、23は樹脂注入ランナー、24は上部キャビティ、25は下部キャビティ、27は樹脂洩れ防止部材である。
【0024】
そこで、まず、モールド下金型22に半導体ウエハ10をセットし、モールド上金型21とモールド下金型22で半導体ウエハ10をクランプする。クランプ位置については、ウエハ割れ防止ブロック26にて決定する。
【0025】
このように、モールド上金型21とモールド下金型22にまず当接するウエハ割れ防止ブロック26を設けることにより、半導体ウエハ10をクランプする際に、樹脂洩れ防止部材27により半導体ウエハ10を過度に押さえ付けることがなくなり、半導体ウエハ10が破損することを防ぐことができる。
【0026】
ウエハ割れ防止ブロック26のサイズについては、半導体ウエハ10の厚さ、反り量等を考慮し決定する。
【0027】
ここで、図7に示すように、半導体ウエハ10の樹脂封止領域端面からは、グリッドライン10Aが適当にはみ出すようにしている。
【0028】
したがって、半導体ウエハ10を、樹脂封止する際に用いるモールド上金型21、モールド下金型22は、各グリッドライン10Aの両端が適当にはみ出すように上部キャビティ24、下部キャビティ25のサイズが決められており、樹脂封止部14からはみ出したグリッドライン10Aをアライメントマークとすることにより、個々の半導体素子11に分割する際のアライメントが容易になる。
【0029】
図8は本発明の実施例を示す金属細線を接合済の半導体ウエハを樹脂封止したもののダイシング工程を示す断面図である。
【0030】
まず、図8(a)に示すように、金属細線13を接合済の半導体ウエハ10が樹脂封止された樹脂封止部14が形成されている。その裏面にダイシングテープ31を貼り付け、半導体ウエハ10をダイシングテープ31で固定する。
【0031】
次に、図8(b)に示すように、ダイシングブレード41を用いて、個々の半導体素子11に分割する。
【0032】
ここで、ダイシングブレード41には、その両肩にテーパ42を形成するようにすることが望ましい。このダイシングブレード41により、樹脂封止済の半導体ウエハ10を個々の半導体素子11に分割することにより、その半導体素子11の切断面にテーパ部11Aが形成され、このテーパ部11Aから金属細線13が露出する。
【0033】
このように、ダイシングブレード41のテーパ42により、個々の半導体素子11の切断面にテーパ部11Aを設けることができ、このテーパ部11Aが実装面となるため、露出した金属細線13に半田ボール15を設けて、容易に実装することができる。そのテーパ部11Aの角度については、用途により適当に決めることができる。
【0034】
したがって、この実施例の樹脂封止半導体装置は、半導体素子11上の電極パッド12に接続した金属細線13部が外部電極となるため、従来のように、リードフレームにより外部電極を設ける必要がなくなり、樹脂封止部(パッケージ)のサイズが小さくなるため、リードフレーム・樹脂等の材料費を大幅に省くことができる。よって、個々の半導体素子の製造コストを低減することができる。
【0035】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0036】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【0037】
(A)請求項1又は2記載の発明によれば、樹脂封止サイズを小さくし、外部電極を低いコストで形成することができる。
【0038】
(B)請求項3記載の発明によれば、半導体ウエハを、樹脂封止する際に用いるモールド上金型、モールド下金型は、各グリッドライン10Aの両端が適当にはみ出すように上部キャビティ、下部キャビティのサイズが決められており、樹脂封止部からはみ出したグリッドラインをアライメントマークとすることにより、個々の半導体素子に分割する際のアライメントが容易になる。
【0039】
(C)請求項1又は2記載の発明によれば、ダイシングブレードのテーパにより、個々の半導体素子の切断面にテーパ部を設けることができ、このテーパ部が実装面となるため、露出した金属細線に半田ボールを設けて、容易に実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の断面図である。
【図2】 本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の第1製造工程の説明図である。
【図3】 本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の第2製造工程の説明図である。
【図4】 本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の第3製造工程の説明図である。
【図5】 本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の最終工程の説明図である。
【図6】 本発明の実施例の金属細線を接合済の半導体ウエハをモールド上金型、モールド下金型でクランプした状態を示す図である。
【図7】 本発明の実施例を示す半導体ウエハの斜視図である。
【図8】 本発明の実施例を示す金属細線を接合済の半導体ウエハを樹脂封止したもののダイシング工程を示す断面図である。
【図9】 従来の樹脂封止半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
10 半導体ウエハ
10A グリッドライン
11 半導体素子
11A テーパ部
12 電極パッド
13 金属細線
14 樹脂封止部(パッケージ)
15 半田ボール(又は半田バンプ)
21 モールド上金型
22 モールド下金型
23 樹脂注入ランナー
24 上部キャビティ
25 下部キャビティ
26 ウエハ割れ防止ブロック
27 樹脂洩れ防止部材
31 ダイシングテープ
41 ダイシングブレード
42 テーパ
Claims (3)
- 半導体素子と、
前記半導体素子上に形成された電極パッドと、
前記半導体素子と前記電極パッドとを覆い、ダイシングにより形成された側面及びテーパ部を有する樹脂封止部と、
前記電極パッドに接続され、前記樹脂封止部の前記テーパ部に露出される金属細線と、
前記樹脂封止部から露出された前記金属細線に接続される外部電極と、
を有することを特徴とする樹脂封止半導体装置。 - 半導体ウエハ状態で、隣り合う半導体素子の電極パッド同士を金属配線でウェッジボンディングにより接合する工程と、
半導体ウエハ状態で樹脂封止し、樹脂封止部を形成する工程と、
両面にテーパを備えたダイシングブレードを用いてダイシングを行って個々の半導体素子に分割し、前記樹脂封止部に側面及びテーパ部を形成するとともに、前記金属細線が表面実装可能な位置に露出するように前記テーパ部に露出させ、該金属細線の露出部に外部電極を形成する工程と、
を施すことを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の樹脂封止半導体装置の製造方法において、
半導体ウエハ状態で樹脂封止された半導体ウエハを個々の半導体素子に分割する際のアライメントを決めるためのグリッドラインを前記半導体ウエハの樹脂封止領域外に延長して樹脂封止することを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。
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