JP3745106B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止型半導体装置およびその製造方法、特に、内部リードの一部を露出させて封止する半導体装置とその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
高密度実装を行う方法としてはフリップチップ方式の実装構造が知られており、マルチチップモジュールにおいて用いられている。フリップチップ実装方式は樹脂封止していない半導体チップ(ベアチップ)の電極パットにバンプを形成しておき、このベアチップを基板上の電極部にフェースダウンボンディングすることにより実装する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構成の半導体装置では、樹脂封止していないため、耐熱性、耐湿性、機械的強度に対して弱いという問題があった。またベアチップ上に形成された電極パットにバンプをけいせいし外部接続端子となるため、ベアチップ上のバンプのレイアウトが外部接続端子のレイアウトになってしまい、それに対応して基板の電極部のレイアウトを設計しなければならなかった。
【0004】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その説明を省略する。
【0005】
図1(a)、図1(b)、図1(c)は、本願発明の第1実施形態を説明するための図であり、図1(a)は、樹脂封止後の断面図、図1(b)は、実装面の平面図、図1(c)は樹脂封止前の平面図を示す。
【0006】
第1実施形態の半導体装置は、その裏面に実装基板などの外部と接続するために部分的に形成された突部6を備えたインナーリード2と、このインナーリードの表面に絶縁樹脂3により固定された半導体チップ1とを備えている。この半導体素子1の回路形成面に形成されている電極パット4は導電材配線5によりインナーリード2と接続されている。この導電材配線5は例えば金やアルミなどが一般的に用いられている。
【0007】
これらインナーリード2、半導体チップ1、導電材配線5は、インナーリード2に形成された突部6を露出させて封止樹脂7により封止されている。
ここで、インナーリード2の先端部、すなわち、半導体チップ1を搭載する部分をインナーリードの他の部分に比べて幅広く形成してもよい。その場合、絶縁樹脂3を塗布する面積が増加することにより、インナーリード2と半導体チップ1とを接合する面積が増加し、より安定して半導体チップ1を固定することができる。
【0008】
次に、この半導体装置の製造方法について、図2(a)〜図2(e)を参照しながら説明する。図2(a)〜図2(b)は半導体チップ1のインナーリード2への取り付け、図2(c)〜図2(e)は導電材配線5の取り付けを説明する図である。
【0009】
まず、インナーリードを部分的にエッチングすることにより、突部6をその一部に形成する。この突起部は、その後の樹脂封止時にこのインナーリード面に形成される樹脂の剥がれを抑制するためにエッチングする厚さを残りの厚さよりも厚くする。例えば、0.25mmの厚さを有するインナーリードを突起部を残して0.15mm程度エッチングし、0.1mmの厚さのインナーリードと0.15mmの厚さの突部を形成する。
【0010】
次に、この突部6と対応する凹部9が形成されたステージ8にインナーリード2の突部6が凹部9と合わさるようにこのインナーリード2を搭載する。その後、インナーリード2の先端に絶縁樹脂3を塗布する。絶縁樹脂3の塗布されたインナーリード2上に、コレット10により保持された半導体チップ1を搬送し、このコレットによりインナーリード2上に半導体チップ1を押さえつけ、接合させる。
【0011】
インナーリード2と半導体チップ1とを絶縁樹脂3で固定した後に、この凹部9を備えたステージ8を用いてワイヤボンディングを行う。
まず、インナーリード2の突部6をステージ8の凹部9に合わさるようにインナーリード2をステージ8上に搭載し、このインナーリード2をウインドクランパー11で固定する。その後、固定されたインナーリード2と半導体チップ1の電極パット4とを導電材配線5により接続する。
【0012】
この後、図示しない上下の金型によりインナーリード2を挟持し、また、インナーリード2の突部6が一方の金型の内面に接するように固定し、樹脂にて封止する。
【0013】
このように、インナーリード2の突部6に対応する凹部9を有するステージ8を用いて半導体チップ1の取り付けあるいは導電材配線5の接続を行う場合、このインナーリード2の位置決めが容易であり、また、インナーリード2をステージ8上に隙間なく固定できるため、安定して確実に半導体チップ1の取り付けや導電材配線5の接続を行うことができる。
【0014】
また、このようにして製造される半導体装置は、外部基板上に形成されたパターンにその電極をはんだを介して実装される。このため、突部6を半導体装置の周辺近傍に設けた場合、基板実装後にはんだが確実に接続されていることを容易に確認することができる。
【0015】
次に、図3(a)〜図3(c)を参照しながら本願発明の第2実施形態を説明する。図3(a)は第2実施形態に係るインナーリード20の平面図、図3(b)は図3(a)におけるA−A’断面図、図3(c)は樹脂封止後の断面図を示す。
【0016】
第2実施形態では、図3(a)に示すように、素子搭載部21と突部22が互いに分岐しているインナーリード20を用いて半導体装置を製造する。
このインナーリード20は、その中央部分に素子搭載部21と、この素子搭載部21とは分岐して形成された突部22と、これらに共通の共通部分23からなる。突部22は、素子搭載部21および共通部分23とは段違いに形成され、その下面においてこれらインナーリード20の他の部分と平行な面を有している。
【0017】
このようなインナーリード20を用い、第1実施形態で説明したものと同様のステージを用いて半導体チップ1をインナーリード20に固定し、また、導電材配線5を接続する。その後、突部22を露出させて封止樹脂7にて半導体チップ1、インナーリード20、導電材配線5を封止する。
【0018】
このように、個々のインナーリード20において、素子搭載部21と、突部22とを分岐させて形成し、この突部を段違いに形成するようにしているため、インナーリードの厚さ方向をエッチングすることなくプレス加工などにより容易に突部を形成できる。
【0019】
次に、図4(a)〜図4(c)を参照しながら本願発明の第3実施形態を説明する。図4(a)は第3実施形態に係るインナーリード30の平面図、図4(b)は図4(a)におけるA−A’断面図、図4(c)は樹脂封止後の断面図を示す。
【0020】
第3実施形態では、図4(a)に示すように、素子搭載部31と突部32が互いに分岐しているインナーリード30を用いて半導体装置を製造する。
このインナーリード30は、その中央部分に素子搭載部31と、この素子搭載部31とは分岐して形成された突部32と、これらに共通の共通部分33からなる。突部32は、素子搭載部31および共通部分33とは段違いに形成され、その下面は、分岐点からその先端にかけて若干の傾きをもって形成されている。
【0021】
このようなインナーリード30を用い、第1実施形態で説明したものと同様のステージを用いて半導体チップ1をインナーリード30に固定し、また、導電材配線5を接続する。その後、インナーリード30の共通部分33を金型の上型と下型とで挟み、樹脂を注入する。このとき、突部32の下面は、図3(c)に示すように、下側の金型に押し付けられることにより金型に対して平坦となる。
【0022】
このように、突部32を傾きを持って形成し、金型に挟持する際にその押圧力で平坦となるようにしているため、突部32は樹脂注入時に金型に強く押し付けられるため、金型と突部32との間に樹脂が回り込むことを低減でき、樹脂封止後の半導体装置の露出しているリード部分に発生する樹脂バリを防止できる。
【0023】
次に、図5(a)〜図5(c)を参照しながら本願発明の第4実施形態を説明する。図5(a)は第4実施形態に係るインナーリード40の平面図、図5(b)は図5(a)におけるA−A’断面図、図5(c)は樹脂封止後の断面図を示す。
【0024】
第4実施形態では、図5(a)に示すように、スリット41に囲まれた突部42をもつインナーリード40を用いて半導体装置を製造する。
この突部は、幅広に形成されたインナーリード40の一部にスリット41を形成し、このスリットに囲まれた部分をプレス加工などによりインナーリード40と段違いに形成することにより得られる。
【0025】
このようなインナーリード40を用い、第1実施形態で説明したものと同様のステージを用いて半導体チップ1をインナーリード40に固定し、また、導電材配線5を接続する。その後、突部42を露出させて封止樹脂7にて半導体チップ1、インナーリード40、導電材配線5を封止する。
【0026】
このように、個々のインナーリード40において、スリット41に囲まれた領域をプレス加工などにより突部としているため、突部を形成する時のインナーリードの歪みを低減することができ、突部42の平坦度を向上することができる。
【0027】
次に、図6(a)〜図6(c)を参照しながら本願発明の第5実施形態を説明する。図6(a)は第5実施形態に係るインナーリード50の平面図、図6(b)は図6(a)におけるA−A’断面図、図6(c)は樹脂封止後の断面図を示す。
【0028】
第5実施形態では、インナーリード50が一端から他端にかけて延在するとともに、途中に屈曲箇所51を設けることにより、同一直線上に配置されるインナーリード同士は独立した構造としている。また、インナーリード50は、その一部に段違いにプレス加工された突部52を有している。
【0029】
このようなインナーリード50を、第1実施形態で説明したものと同様のステージ上に搭載し、、その屈曲箇所51を含む領域に絶縁樹脂を介して半導体チップ1を固定する。その後、半導体チップ1の電極とインナーリード50とを導電材配線5で接着し、これら半導体チップ1、インナーリード50、導電材配線5を樹脂にて封止する。
【0030】
このように、一方から延びるインナーリードは、屈曲箇所51を介して、他方へ延在しているため、インナーリードの強度が向上し、突部52の位置精度の向上が期待できる。
【0031】
次に、図7(a)〜図7(c)を参照しながら本願発明の第6実施形態を説明する。図7(a)は第6実施形態に係る半導体装置を裏面から見た図、図6(b)は半導体装置を横方向から見た捺印工程を示す図、図7(c)は捺印後の半導体装置を裏面から見た図を示す。
【0032】
上述の各実施形態により製造された半導体装置において、樹脂封止時に、突部と金型との間が十分に密着していないと、その隙間に樹脂が回り込むことがある。図7(a)はその様子を示したものであり、封止樹脂7から露出している突部60表面には樹脂バリ61が残っている。
【0033】
第6実施形態においては、この樹脂バリ61をレーザによる半導体装置裏面への捺印時に同時に除去してしまうことを特徴としている。
図7(b)に示すように、レーザー供給部62からのレーザー63を捺印用マスク64を介して半導体装置の裏面に照射する。捺印用マスク64には、捺印の文字に該当する開孔部が形成されているが、その他に外部端子となる突部60に相当する位置にも開孔部を形成しておく。このため、捺印と同時に突部60にもレーザーを照射することができ、それにより突部60上の樹脂バリ61も除去することができる。
【0034】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置によれば、突部を有するインナーリードを用い、このインナーリード上に半導体装置を固着し、その突部を露出させて樹脂にて封止しているため、小型の半導体装置を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を示す図である。
【図2】本発明の第1の実施形態における製造工程を説明する図である。
【図3】本発明の第2の実施形態を示す図である。
【図4】本発明の第3の実施形態を示す図である。
【図5】本発明の第4の実施形態を示す図である。
【図6】本発明の第5の実施形態を示す図である。
【図7】本発明の捺印工程を示す図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ
2 インナーリード
3 絶縁樹脂
4 電極パット
5 導電材配線
6 突部
7 封止樹脂
8 ステージ
9 凹部
10 コレット
11 ウインドクランパー
Claims (7)
- 表面に複数の電極が形成された半導体素子と、前記電極と接続され、前記表面に対向する裏面に固定された複数の内部リードであって、それぞれ半導体素子を固定する固定部とこの固定部から分岐し、かつこの固定部から折り曲げて段違いに形成された段違い部とからなる内部リードと、前記段違い部を露出させて前記複数の内部リードおよび前記半導体素子の少なくとも前記電極部分を封止する封止樹脂と、を有することを特徴とする半導体装置。
- 前記段違い部は、前記内部リードと部分的に切り離されて設けられていることを特徴とする請求項1項記載の半導体装置。
- 前記段違い部は、前記内部リードに設けられたスリットにより部分的に切り離されていることを特徴とする請求項1項記載の半導体装置。
- 表面に複数の電極が形成された半導体素子と、前記電極と接続され、前記表面に対向する裏面に固定された複数の内部リードであって、それぞれ半導体素子を固定する固定部とこの固定部に連続し、かつこの固定部から折り曲げて段違いに形成された段違い部とを備え、このうちの少なくとも1つは前記半導体素子の一側辺からこれに対向する他側辺に延在する複数の内部リードと、前記段違い部を露出させて前記複数の内部リードおよび前記半導体素子の少なくとも前記電極部分を封止する封止樹脂と、を有することを特徴とする半導体装置。
- 前記複数の内部リードは前記固定部において曲がりを有していることを特徴とする請求項4項記載の半導体装置。
- 一端と他端とを有し、その一端に半導体素子の固定部と、この固定部とは分岐し、かつ、この固定部から折り曲げて段違いに形成された段違い部とを備えた複数の内部リードの、前記固定部上に半導体素子を固定する工程と、上下の金型により前記内部リードの他端を挟持するとともに、前記段違い部を前記金型の一方に押し当て、前記リードを前記金型に固定する工程と、前記内部リードが前記金型に固定された状態で前記半導体素子および前記内部リードを樹脂にて封止する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記内部リードの前記段違い部は、分岐点から前記金型の一方にかけて傾斜して形成され、前記内部リードを前記金型に固定する際に、この段違い部が前記一方の金型と略平坦に接することを特徴とする請求項6項記載の半導体装置の製造方法。
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1998
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