JPH07101698B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH07101698B2 JPH07101698B2 JP1193021A JP19302189A JPH07101698B2 JP H07101698 B2 JPH07101698 B2 JP H07101698B2 JP 1193021 A JP1193021 A JP 1193021A JP 19302189 A JP19302189 A JP 19302189A JP H07101698 B2 JPH07101698 B2 JP H07101698B2
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- lead
- resin
- tab
- wire
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕 従来の樹脂封止型半導体装置（以下樹脂封止型ICと呼
ぶ）は、第７図及び第８図に示すように、ICチップ４を
リードフレームのアイランド２にダイボンディングし、
ICチップ４の電極パッドとリドーフレームのインナーリ
ード１をボンディングワイヤー５でワイヤボンディング
する事によって電気的接続を行なっていた。
ぶ）は、第７図及び第８図に示すように、ICチップ４を
リードフレームのアイランド２にダイボンディングし、
ICチップ４の電極パッドとリドーフレームのインナーリ
ード１をボンディングワイヤー５でワイヤボンディング
する事によって電気的接続を行なっていた。
ICチップの高集積化技術が進んでくるに従い、ICチップ
内部の論理回路はますます高集化され、ICチップにおけ
る論理回路部分の面積は縮小されつつある。
内部の論理回路はますます高集化され、ICチップにおけ
る論理回路部分の面積は縮小されつつある。
しかし論理回路部分の面積が縮小されてもICチップ周辺
に位置する電極パッドのパッド間ピッチを縮小しなけれ
ば、結局はチップ全体の面積を縮小する事はできない問
題があった。
に位置する電極パッドのパッド間ピッチを縮小しなけれ
ば、結局はチップ全体の面積を縮小する事はできない問
題があった。
さらにICチップの製造工程において、ステッパーの性能
の限界によって、最大チップ寸法は制限されているの
で、入出力電極を増やそうとすると、パッドピッチの縮
小を行なわねば、電極数を増やす事ができない問題があ
った。
の限界によって、最大チップ寸法は制限されているの
で、入出力電極を増やそうとすると、パッドピッチの縮
小を行なわねば、電極数を増やす事ができない問題があ
った。
一方、パッドピッチを縮小した場合、ボンディングの
際、現在一般に使用されている線径25〜30μのワイヤー
を使用すると、ボンディングツールがボンディング済隣
接ワイヤーと接触し、ワイヤーのループ形状を変形させ
その結果、ワイヤー間に至ったり、ワイヤー強度が低下
するという不具合が生じていた。
際、現在一般に使用されている線径25〜30μのワイヤー
を使用すると、ボンディングツールがボンディング済隣
接ワイヤーと接触し、ワイヤーのループ形状を変形させ
その結果、ワイヤー間に至ったり、ワイヤー強度が低下
するという不具合が生じていた。
又、ワイヤーボンダーの精度の限界により、金線ボール
ボンディングの場合、ボンディング目標点と実際にボン
ディングした金ボールの中心とは必ずしも一致しないの
で、パッドピッチを縮小した場合１つの電極パッドにボ
ンディングした金ボールの外周部が、隣接する電極パッ
ドに接触してシュートに至るという不具合を生じた。
ボンディングの場合、ボンディング目標点と実際にボン
ディングした金ボールの中心とは必ずしも一致しないの
で、パッドピッチを縮小した場合１つの電極パッドにボ
ンディングした金ボールの外周部が、隣接する電極パッ
ドに接触してシュートに至るという不具合を生じた。
又、リードフレームのリードピッチに関して、エッチン
グ及びプレス技術からの制約で、リードピッチの縮小に
も製造上の限界がでてきた。
グ及びプレス技術からの制約で、リードピッチの縮小に
も製造上の限界がでてきた。
その結果多ピンICの場合、ICチップの電極間ピッチが縮
小され、チップサイズが小さくなっても、リードピッチ
が縮まらないため、ICチップとリード間の距離が大きく
なり、ワイヤー長が長くなり、樹脂封止の際ワイヤーが
流れたり、ワイヤーが倒れるという不具合を生じてい
た。
小され、チップサイズが小さくなっても、リードピッチ
が縮まらないため、ICチップとリード間の距離が大きく
なり、ワイヤー長が長くなり、樹脂封止の際ワイヤーが
流れたり、ワイヤーが倒れるという不具合を生じてい
た。
又、リードフレームのリードのICチップ側（インナーリ
ード側）の先端部を薄くしてICチップにインナーリード
ボンディングを行なって、パッドピッチの縮小を行なう
方法もあるが、リードフレームのリードの一部のみを薄
くする事にコストがかかるという問題があった。
ード側）の先端部を薄くしてICチップにインナーリード
ボンディングを行なって、パッドピッチの縮小を行なう
方法もあるが、リードフレームのリードの一部のみを薄
くする事にコストがかかるという問題があった。
本発明の樹脂封止型の製造方法は、TAB方式によってフ
ィルムキャリアのインナーリードにICチップをインナー
リードボンディングしたTABデバイスからインナーリー
ドボンディング済ICチップ，インナーリード及びフィル
ムキャリアのサスペンダー部よりも内側のTABデバイス
小片を切断し、前記TABデバイス小片をリードフレーム
に接着及び熱圧着し、前記TABデバイス小片の前記サス
ペンダー部のリードと前記リードフレームの前記インナ
ーリード間をワイヤーボンディングして構成されてい
る。
ィルムキャリアのインナーリードにICチップをインナー
リードボンディングしたTABデバイスからインナーリー
ドボンディング済ICチップ，インナーリード及びフィル
ムキャリアのサスペンダー部よりも内側のTABデバイス
小片を切断し、前記TABデバイス小片をリードフレーム
に接着及び熱圧着し、前記TABデバイス小片の前記サス
ペンダー部のリードと前記リードフレームの前記インナ
ーリード間をワイヤーボンディングして構成されてい
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の樹脂封止型ICの一実施
例のアイランド部を詳細を示す平面図及び断面図であ
る。
例のアイランド部を詳細を示す平面図及び断面図であ
る。
本発明の樹脂封止型ICの製造方法は、まずICチップ４
に、キャリアテープのリードをインナーリードボンディ
ングし、TABデバイスを製造する。
に、キャリアテープのリードをインナーリードボンディ
ングし、TABデバイスを製造する。
TABデバイスの第２図（ａ）及び第２図（ｂ）に示す箇
所を切断し、第２図（ｃ）に示すTABデバイス小片13を
製造する。
所を切断し、第２図（ｃ）に示すTABデバイス小片13を
製造する。
そしてTABデバイス小片13のICチップ４とリードフレー
ムのアイランド２間を銀ペースト等を用いて、第３図
（ａ）に示す様に接着する。
ムのアイランド２間を銀ペースト等を用いて、第３図
（ａ）に示す様に接着する。
そして第３図（ｈ）に示す様にTABデパイス小片13のサ
スペンダー３とリードフレームのアイランド２とを加圧
治具15とヒーターを用いて熱圧着する。
スペンダー３とリードフレームのアイランド２とを加圧
治具15とヒーターを用いて熱圧着する。
そしてTABデバイス小片のサスペンダー３のリード６と
リードフレームのインナーリードとをボンディングワイ
ヤー５をワイヤボンディングして電気的に接続する。
リードフレームのインナーリードとをボンディングワイ
ヤー５をワイヤボンディングして電気的に接続する。
前述の様な電気的接続を行なった後は、第４図（ａ），
（ｂ）に示す様に樹脂封止を行ない樹脂封止ICとする。
（ｂ）に示す様に樹脂封止を行ない樹脂封止ICとする。
第５図（ａ），（ｂ）に本発明の第２の実施例の内部構
造を説明するための平面図及び断面図である。
造を説明するための平面図及び断面図である。
第２の実施例の樹脂封止型ICの製造方法は、まず前述の
第１の実施例と同様にしてTABデバイスを製造し、TABデ
バイスからTABデバイス小片を切断する。
第１の実施例と同様にしてTABデバイスを製造し、TABデ
バイスからTABデバイス小片を切断する。
TABデバイス小片のサスペンダー３を、前述の実施例と
同様な加圧治具とヒーターを用い、アイランドの無いリ
ードフレームのインナーリード上に熱圧着する。
同様な加圧治具とヒーターを用い、アイランドの無いリ
ードフレームのインナーリード上に熱圧着する。
その後、TABデバイス小片のサスペンダー３のリード６
とリードフレームのインナーリードとをボンディングワ
イヤー５により、第５図（ａ），（ｂ）に示す通りに電
気的に接続する。その後は、前述の実施例と同様に樹脂
封止を行ない樹脂封止ICとする。
とリードフレームのインナーリードとをボンディングワ
イヤー５により、第５図（ａ），（ｂ）に示す通りに電
気的に接続する。その後は、前述の実施例と同様に樹脂
封止を行ない樹脂封止ICとする。
この実施例では、前述の実施例に比べ、リードフレーム
のインナーリード１がTABデバイス小片を支持する機能
も果たしているため、アイランドの大きさによって実装
可能なTABデバイス小片及びICチップの種類の制約を受
ける事がないのでリードフレームの汎用性という面では
利点がある。
のインナーリード１がTABデバイス小片を支持する機能
も果たしているため、アイランドの大きさによって実装
可能なTABデバイス小片及びICチップの種類の制約を受
ける事がないのでリードフレームの汎用性という面では
利点がある。
本発明の樹脂封止型ICで、縮小可能な最小のパッドピッ
チをＡとし、従来の樹脂封止型ICでの縮小可能な最小の
パッドピッチＢとすれば、第６図（ｂ），（ｃ）に示す
ようにＡとＢとの間にはＢ＞Ａの関係が成立している。
チをＡとし、従来の樹脂封止型ICでの縮小可能な最小の
パッドピッチＢとすれば、第６図（ｂ），（ｃ）に示す
ようにＡとＢとの間にはＢ＞Ａの関係が成立している。
ICチップが正方形の場合、一辺当りのパッド数をｎ個と
するとICチップの一辺の長さは（ｎ−１）（Ｂ−Ａ）だ
け縮小される。
するとICチップの一辺の長さは（ｎ−１）（Ｂ−Ａ）だ
け縮小される。
その結果チップ面積は（A/B）２程度の割合で縮小する
ことが出来る。
ことが出来る。
その結果、従来のパッドピッチが約170μ程度だったも
のが、本実施例により110μ程度までに縮小可能となっ
た。
のが、本実施例により110μ程度までに縮小可能となっ
た。
以上説明した様な本発明の樹脂封止型ICでは、縮小化し
たパッドピッチに対しては技術上限界であったワイヤー
ボンディング方式にかわりTAB方式を利用し、尚かつワ
イヤーボンディングも併用する事によってワイヤー長を
現状より長くする事なく、パッドピッチを縮小する事が
できる。
たパッドピッチに対しては技術上限界であったワイヤー
ボンディング方式にかわりTAB方式を利用し、尚かつワ
イヤーボンディングも併用する事によってワイヤー長を
現状より長くする事なく、パッドピッチを縮小する事が
できる。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の樹脂封止型ICのアイラ
ンド部の詳細を示した平面図及び断面図、第２図（ａ）
〜（ｃ）は本発明のICに用いるTABデバイス小片のTABデ
バイスから切断する前の状態の平面図，切断箇所の拡大
図及びTABデバイス小片の平面図、第３図（ａ），
（ｂ）はリードフレームのアイランド部にTABデバイス
から切断したTABデバイス小片を接着した状態の平面図
及びヒーターと加圧治具でTABデバイス小片をリードフ
レームのアイランドに熱圧着している状態の断面図、第
４図（ａ），（ｂ）は本発明のICの樹脂封止後の平面図
及び断面図、第５図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実
施例のアイランド部の詳細を示した平面図及び断面図、
第６図（ａ）は一辺にｎ個のパッドを持つICチップの平
面図、第６図（ｂ）はパッドピッチ縮小前のパッド部の
平面図、第６図（ｃ）はパッドピッチ縮小後のパッド部
の平面図、第７図（ａ），（ｂ）は従来の樹脂封止ICの
一例のアイランド部の詳細を示した平面図及び断面図、
第８図（ａ），（ｂ）は従来のICの封止後の平面図及び
断面図である。 １……リードフレームのインナーリード、２……アイラ
ンド、３……サスペンダー、４……ICチップ、５……ボ
ンディングワイヤー、６……TABデバイス小片のインナ
ーリード、７……サスペンダー部のリード、８……切断
箇所、９……ヒーターブロック、10……Agペースト、11
……封止樹脂、12……アウターリード、13……TABデバ
イス小片、14……ボンディングパッド、15……加圧治
具。
ンド部の詳細を示した平面図及び断面図、第２図（ａ）
〜（ｃ）は本発明のICに用いるTABデバイス小片のTABデ
バイスから切断する前の状態の平面図，切断箇所の拡大
図及びTABデバイス小片の平面図、第３図（ａ），
（ｂ）はリードフレームのアイランド部にTABデバイス
から切断したTABデバイス小片を接着した状態の平面図
及びヒーターと加圧治具でTABデバイス小片をリードフ
レームのアイランドに熱圧着している状態の断面図、第
４図（ａ），（ｂ）は本発明のICの樹脂封止後の平面図
及び断面図、第５図（ａ），（ｂ）は本発明の第２の実
施例のアイランド部の詳細を示した平面図及び断面図、
第６図（ａ）は一辺にｎ個のパッドを持つICチップの平
面図、第６図（ｂ）はパッドピッチ縮小前のパッド部の
平面図、第６図（ｃ）はパッドピッチ縮小後のパッド部
の平面図、第７図（ａ），（ｂ）は従来の樹脂封止ICの
一例のアイランド部の詳細を示した平面図及び断面図、
第８図（ａ），（ｂ）は従来のICの封止後の平面図及び
断面図である。 １……リードフレームのインナーリード、２……アイラ
ンド、３……サスペンダー、４……ICチップ、５……ボ
ンディングワイヤー、６……TABデバイス小片のインナ
ーリード、７……サスペンダー部のリード、８……切断
箇所、９……ヒーターブロック、10……Agペースト、11
……封止樹脂、12……アウターリード、13……TABデバ
イス小片、14……ボンディングパッド、15……加圧治
具。
Claims (1)
- 【請求項１】TAB方式によってフィルムキャリアのイン
ナーリードにICチップをインナーリードボンディングし
たTABデバイスからインナーリードボンディング済ICチ
ップ，インナーリード及びフィルムキャリアのサスペン
ダー部よりも内側のTABデバイス小片を切断し、前記TAB
デバイス小片をリードフレームに接着及び熱圧着し、前
記TABデバイス小片の前記サスペンダー部のリードと前
記リードフレームの前記インナーリード間をワイヤーボ
ンディングする事を特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193021A JPH07101698B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1193021A JPH07101698B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357236A JPH0357236A (ja) | 1991-03-12 |
| JPH07101698B2 true JPH07101698B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=16300857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1193021A Expired - Lifetime JPH07101698B2 (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101698B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ZA859176B (en) * | 1985-03-13 | 1986-08-27 | Albany Int Corp | Papermaking belt with smooth inner surface and method of making same |
| JP2569400B2 (ja) * | 1994-06-23 | 1997-01-08 | 九州日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP3053374B2 (ja) * | 1997-07-03 | 2000-06-19 | 市川毛織株式会社 | シュープレスベルト及びその製造法 |
| JP3342375B2 (ja) | 1997-10-20 | 2002-11-05 | 市川毛織株式会社 | シュープレス用ブランケット |
| JP3408416B2 (ja) * | 1998-02-26 | 2003-05-19 | 市川毛織株式会社 | シュープレス用ベルト及びその製造法 |
| JP3488397B2 (ja) | 1999-04-26 | 2004-01-19 | 市川毛織株式会社 | シュープレス用ベルト及びその製造方法 |
| CN1673452B (zh) | 2004-03-26 | 2013-11-06 | 市川毛织株式会社 | 靴形压榨带 |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP1193021A patent/JPH07101698B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0357236A (ja) | 1991-03-12 |
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