JP2569400B2 - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置は、図６
（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁基板１上に設けた素
子載置部２と素子載置部２の周囲に放射状に配置したリ
ード３を有するリード基板の素子載置部２にＩＣチップ
５を搭載し、リード３のインナーリード３ａとＩＣチッ
プ５の電極パッドをボンディングワイヤ６で接続し、リ
ード３のアウターリード３ｂと外部端子８を接続した後
ＩＣチップ５およびアウターリード３ｂと外部端子８と
の接合部を含む領域を樹脂体７で封止して構成し、高集
積化されたＩＣチップを有する樹脂封止型半導体装置の
樹脂注入におけるリードの変形によるリード短絡事故を
防止している。
【０００３】また、特開平３−５７２３６号公報に記載
されているように、ＴＡＢデバイスのサスペンダをリー
ドフレームのアイランドに接着して固定することによ
り、機械的強度を高めて同様の効果を得るものも知られ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の樹脂封止型
半導体装置は、リードフレームの外部端子をリード基板
又はＴＡＢデバイスのアウターリードと接合した状態で
樹脂封止し、しかる後に外部端子のタイバーカット，め
っき加工，リードカットの各加工工程と電気的試験を順
次行って良品を選択しているため、樹脂封止後の工程数
が多く、またボンディング工程や樹脂封止工程で不良と
なった半製品についても各加工工程を必要とし、工程や
資材の無駄を生ずるという問題がある。
【０００５】また、電気的試験等により外部端子の変形
を生じて外部端子の再成型を必要とするという問題があ
る。
【０００６】本発明の目的は、不良品に対する外部端子
の加工工程を省いて資源の節約や工数を低減できる樹脂
封止型半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、絶縁基板上に設けた素子載置部と、前記素子
載置部の周囲の前記絶縁基板上に放射状に配置して形成
したリードとを有するリード基板と、前記素子載置部に
搭載して前記リードのインナーリードと電気的に接続し
たＩＣチップとを備え、前記リード基板の周縁部および
前記リードのアウターリードを残して前記ＩＣチップお
よび前記インナーリードを含む領域を樹脂封止した後
に、前記リード基板のフレームを付けた状態で電気的試
験を実施して選別した良品のみ前記フレームから切り離
すとともに、切り離された前記良品に対して前記樹脂体
の外部に導出された前記アウターリードに外部端子を半
田付けし電気的に接続することを特徴とする。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
【０００９】図１（ａ）は本発明の第１の実施例を示す
部分切欠平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線
断面図である。
【００１０】図１（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁基
板１の上面に形成した素子載置部２と、素子載置部２の
周囲の絶縁基板１上にリード３を放射状に配置して形成
したリード基板と、素子載置部２の上に銀ペースト４を
用いて接着しリード３のインナーリード３ａとボンディ
ングワイヤ６で電気的に接続したＩＣチップ５と、リー
ド基板の周縁部とリード３のアウターリード３ｂとを残
して内側のＩＣチップ５およびインナーリード３ａを含
む領域を封止した樹脂体７と、樹脂体７の外部に導出さ
れたアウターリード３ｂに接続した外部端子８とを備え
て構成される。
【００１１】図２（ａ）は本発明の第１の実施例の製造
方法を説明するためのリード基板フレームを示す平面
図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ′線断面図、図３
（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例の製造方法を説
明するための工程順に示した断面図である。
【００１２】まず、図２（ａ），（ｂ）に示すように、
厚さ０．１〜０．５μｍのガラスエポキシン基板あるい
は厚さ０．１〜０．３μｍのポリイミド系樹脂フィルム
等からなる絶縁基板１の中央部に凹部を形成して素子載
置部２を設け、素子載置部２の周囲に放射状にリード３
を配置し、リード３のアウターリード３ｂの端部に接し
て絶縁基板１に形成したスリット１１を有するリード基
板フレームを準備する。ここで、リード基板フレームの
一部には樹脂注入口１２が設けてあり、スリット１１の
端部を含む四隅の破線で囲まれた切断部１３を打抜くこ
とで、リード基板を周囲のフレーム部から切離すことが
できる。なお、必要に応じてスプロケットホール１４や
位置決め孔１５を形成することができる。
【００１３】次に、図３（ａ）に示すように、リード基
板フレームの素子載置部２の上にＩＣチップ５を銀ペー
スト４を用いて接着し、ＩＣチップ５の電極パッドとリ
ード３のインナーリード３ａとの間をボンディングワイ
ヤ６で接続する。
【００１４】次に、図３（ｂ）に示すように、リード基
板の周縁部およびアウターリード３ｂを残してＩＣチッ
プ５およびインナーリード３ａを含む領域の上下両面を
樹脂体７で封止する。
【００１５】次に、図３（ｃ）に示すように、フレーム
を付けた状態で電気的試験を行い、良品を選別した後、
図２（ａ）の切断部１３を打抜き、フレームから良品の
リード基板を切離す。
【００１６】次に、図３（ｄ）に示すように、樹脂体７
から外部に導出されている絶縁基板１の周縁部上のアウ
ターリード３ｂに厚さ０．１〜０．３μｍの４２合金や
銅合金等からなり半田めっきされた外部端子８を半田を
用いて接合する。ここで、外部端子８は、図４（ａ），
（ｂ）に示すように、金属板を型抜きし、且つ、成型し
て外部端子フレーム１６の内側に形成した外部端子８の
先端をアウタリード３ｂと位置合わせして半田で接合し
た後、外部端子フレーム１６を切離して樹脂封止型半導
体装置を構成する。
【００１７】図５（ａ）は本発明の第２の実施例を示す
部分切欠平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＤ−Ｄ′線
断面図である。
【００１８】図５（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁基
板１の周縁部およびその周縁部に設けたアウターリード
３ｂを残してＩＣチップ５およびインナーリード３ａを
含むリード基板の上面のみを樹脂体７で封止し、絶縁基
板１の下面を露出させた以外は第１の実施例と同様の構
成および製造方法を用いるので、放熱効果を高め、且つ
半導体装置の厚さを薄くできるという利点がある。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リード基
板の周縁部およびアウターリードを外部に導出した状態
で樹脂封止し、このアウターリードにより電気的試験を
行い、良品のみを選別して外部端子を取付けることによ
り、樹脂封止後の加工工程を簡略化し、且つ、不良品に
対する不要な加工を省いて資源の節減や工数の低減を実
現できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す部分切欠平面図お
よびＡ−Ａ′線断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めのリード基板フレームを示す平面図およびＢ−Ｂ′線
断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの工程順に示した断面図である。
【図４】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの外部端子フレームを示す平面図およびＣ−Ｃ′線断
面図である。
【図５】本発明の第２の実施例を示す部分切欠平面図お
よびＤ−Ｄ′線断面図である。
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置の一例を示す部分
切欠平面図およびＥ−Ｅ′線断面図である。
【符号の説明】
１ 絶縁基板 ２ 素子載置部 ３ リード ３ａ インナーリード ３ｂ アウターリード ４ 銀ペースト ５ ＩＣチップ ６ ボンディングワイヤ ７ 樹脂体 ８ 外部端子 １１ スリット １２ 樹脂注入口 １３ 切断部 １４ スプロケットホール １５ 位置決め孔 １６ 外部端子フレーム

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁基板上に設けた素子載置部と、前記
    素子載置部の周囲の前記絶縁基板上に放射状に配置して
    形成したリードとを有するリード基板と、前記素子載置
    部に搭載して前記リードのインナーリードと電気的に接
    続したＩＣチップとを備え、前記リード基板の周縁部お
    よび前記リードのアウターリードを残して前記ＩＣチッ
    プおよび前記インナーリードを含む領域を樹脂封止した
    後に、前記リード基板のフレームを付けた状態で電気的
    試験を実施して選別した良品のみ前記フレームから切り
    離すとともに、切り離された前記良品に対して前記樹脂
    体の外部に導出された前記アウターリードに外部端子を
    半田付けし電気的に接続することを特徴とする樹脂封止
    型半導体装置の製造方法。
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