JPS61183936A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明は半導体装置に係り、特に集積度の高い樹脂封止
型半導体装置に関する。
型半導体装置に関する。
樹脂封止型半導体装置にあっては、通常半導体チップを
搭載するベッド部とその回りに放射状に配設されたリー
ドを備えたリードフレームを用いる。このリードフレー
ムの概略構成を第5図に示す。これによればベッド保持
バー2によりフレーム(図示せず)に連結されたベッド
部1とその周囲に一端が近接して略放射状に配設された
複数のり−ド3を備えており、このリードもフレーム(
図示せず)に連結されている。このリードフレームを用
いて半導体装置を製造した様子を第6図の中心断面図に
示す。ベッド部1に半導体チップ4を導電性接着剤等で
固着し、半導体チップ4の表面に形成された電極と周囲
のリード間を金、アルミニウム等のワイヤ5で接続した
後にエポキシ樹脂等の樹脂を用いた封止が行われ、樹脂
封止部6が形成される。
搭載するベッド部とその回りに放射状に配設されたリー
ドを備えたリードフレームを用いる。このリードフレー
ムの概略構成を第5図に示す。これによればベッド保持
バー2によりフレーム(図示せず)に連結されたベッド
部1とその周囲に一端が近接して略放射状に配設された
複数のり−ド3を備えており、このリードもフレーム(
図示せず)に連結されている。このリードフレームを用
いて半導体装置を製造した様子を第6図の中心断面図に
示す。ベッド部1に半導体チップ4を導電性接着剤等で
固着し、半導体チップ4の表面に形成された電極と周囲
のリード間を金、アルミニウム等のワイヤ5で接続した
後にエポキシ樹脂等の樹脂を用いた封止が行われ、樹脂
封止部6が形成される。
リードフレームの加工は一般に鉄系合金、銅系合金等の
金属薄板をプレスする打抜き加工またはエツチングする
ことによって行われるが、リード部のピッチはリードフ
レーム材料の厚さに依存する。すなわち、打抜き可能な
リードの最小幅はほぼ板厚と同程度であり、またリード
の曲がり等が発生してもショートを起さないようにする
にはリード間に最低板厚と同程度の間隔が必要となるか
らリードのビッヂは板厚の約2倍となる。例えば、板厚
が0.15twttである場合、リードのうち樹脂封止
領域にあるインナリードの先箸部の最小ピッチは0.3
mであり、これに対向するベッド部の1辺の長さを6#
とすれば、1辺あたりに配設できるリードの数は20と
なり、4辺でも80本が最高となる。
金属薄板をプレスする打抜き加工またはエツチングする
ことによって行われるが、リード部のピッチはリードフ
レーム材料の厚さに依存する。すなわち、打抜き可能な
リードの最小幅はほぼ板厚と同程度であり、またリード
の曲がり等が発生してもショートを起さないようにする
にはリード間に最低板厚と同程度の間隔が必要となるか
らリードのビッヂは板厚の約2倍となる。例えば、板厚
が0.15twttである場合、リードのうち樹脂封止
領域にあるインナリードの先箸部の最小ピッチは0.3
mであり、これに対向するベッド部の1辺の長さを6#
とすれば、1辺あたりに配設できるリードの数は20と
なり、4辺でも80本が最高となる。
半導体装置の高集積化に伴いリードの数の増加が希望さ
れているが、リードの数を増加させるにはリードのピッ
チおよび幅を変えずにベッド部の大きさを拡大するか、
インナリード先端幅および間隔を狭くするかの2つの解
決法がある。
れているが、リードの数を増加させるにはリードのピッ
チおよび幅を変えずにベッド部の大きさを拡大するか、
インナリード先端幅および間隔を狭くするかの2つの解
決法がある。
しかしながら、ベッド部の大きさを拡大させるのは半導
体装置のパッケージの大きさが一定であることから限度
があり、インナリードのピッチを狭めるためには加工上
の問題がある上ベッド部からインナリード先端までの距
離が増加し、半導体チップ上の電極とインナリード先端
とを接続するボンディングワイヤの長さが増加し、ボン
ディング技術が困難となり信頼性が低下するという問題
がある。
体装置のパッケージの大きさが一定であることから限度
があり、インナリードのピッチを狭めるためには加工上
の問題がある上ベッド部からインナリード先端までの距
離が増加し、半導体チップ上の電極とインナリード先端
とを接続するボンディングワイヤの長さが増加し、ボン
ディング技術が困難となり信頼性が低下するという問題
がある。
本発明はこのような問題を解決するためなされたもので
、高密度で配置された多数のリードを有する信頼性の高
い半導体装置を提供することを目的とする。
、高密度で配置された多数のリードを有する信頼性の高
い半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的達成のため、本発明においては樹脂封止で形成
された外囲器本体内に設けられ、半導体チップをほぼ中
央部に支持づるとともに半導体チップの周囲に略放射状
に配設されて外端部が外部接続用リードに接続され、内
端部が半導体チップの電極と金属ワイヤで接続された金
属筋η体を有する絶縁基板を備えるようにしており、金
属箔の利用によって半導体チップの周囲でのリード密度
を向上させることができるものである。
された外囲器本体内に設けられ、半導体チップをほぼ中
央部に支持づるとともに半導体チップの周囲に略放射状
に配設されて外端部が外部接続用リードに接続され、内
端部が半導体チップの電極と金属ワイヤで接続された金
属筋η体を有する絶縁基板を備えるようにしており、金
属箔の利用によって半導体チップの周囲でのリード密度
を向上させることができるものである。
以下、図面を参照しながら本発明の実施例のいくつかを
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第1図は本発明にかかる半導体装置の構成を示す平面図
であって樹脂封止領域を想像線で描いたものであり、第
2図はその中央断面を示す断面図である。これらによれ
ば、この半導体装置においてはリードフレームのリード
3′の先端部は従来のように半導体チップ4に近接して
おらず、絶縁基板11上にエツチング等で放射状に形成
された金属箔導体12の外端部に接合されている。この
接合ははんだ等による軟ろう付、圧接、超音波溶接、レ
ーザ溶接等により行われる。一方、金属箔導体12の内
端は絶縁基板11の中央部に取付けられた半導体チップ
4の外縁に近接して配置されている。この金属箔導体1
2の内端部は半導体チップ4の上面周端部に設けられた
電極に対応して微小ピッチで形成されており、この電極
との間で金またはアルミニウムのワイヤによりワイヤボ
ンディングが行われている。金属箔導体はポリイミド等
の絶縁基板11上に厚さ0.1s以下で電着形成された
箔をエツチングしたものであるから、その先端部の幅お
よび間隔は厚さと同程度に小さくでき、引出しパターン
の微細化を図ることができる。
であって樹脂封止領域を想像線で描いたものであり、第
2図はその中央断面を示す断面図である。これらによれ
ば、この半導体装置においてはリードフレームのリード
3′の先端部は従来のように半導体チップ4に近接して
おらず、絶縁基板11上にエツチング等で放射状に形成
された金属箔導体12の外端部に接合されている。この
接合ははんだ等による軟ろう付、圧接、超音波溶接、レ
ーザ溶接等により行われる。一方、金属箔導体12の内
端は絶縁基板11の中央部に取付けられた半導体チップ
4の外縁に近接して配置されている。この金属箔導体1
2の内端部は半導体チップ4の上面周端部に設けられた
電極に対応して微小ピッチで形成されており、この電極
との間で金またはアルミニウムのワイヤによりワイヤボ
ンディングが行われている。金属箔導体はポリイミド等
の絶縁基板11上に厚さ0.1s以下で電着形成された
箔をエツチングしたものであるから、その先端部の幅お
よび間隔は厚さと同程度に小さくでき、引出しパターン
の微細化を図ることができる。
第3図および第4図は本発明の他の実施例を示す平面図
および衛面図であって、通常のリードフレームと同様に
同一薄板から打抜き等により形成され外枠(図示せず)
に保持されたリード3′およびベッド保持バー2を介し
て外枠に保持されたベッド1を有したリードフレームを
そのまま用いたものである。このリードフレームにお(
プる各リード3′は従来のリードフレームよりも短かく
、その先端はベッド1′から離れている。ベッド1、ベ
ッド保持バー2、リード3′の下には絶縁基板21が設
けられており、その上に放射状に形成された金属箔導体
22の外端は各リード3′と超音波溶接等の方法で接合
されている。また金属箔導体22はベッド部1上に導電
性接着剤等で固着さ、、 れた半導体チップ4上の
゛電極との間でワイヤボンディングが行われている。な
お、ベッド1は例えば接着剤により絶縁基板21の中心
部に固着されている。
および衛面図であって、通常のリードフレームと同様に
同一薄板から打抜き等により形成され外枠(図示せず)
に保持されたリード3′およびベッド保持バー2を介し
て外枠に保持されたベッド1を有したリードフレームを
そのまま用いたものである。このリードフレームにお(
プる各リード3′は従来のリードフレームよりも短かく
、その先端はベッド1′から離れている。ベッド1、ベ
ッド保持バー2、リード3′の下には絶縁基板21が設
けられており、その上に放射状に形成された金属箔導体
22の外端は各リード3′と超音波溶接等の方法で接合
されている。また金属箔導体22はベッド部1上に導電
性接着剤等で固着さ、、 れた半導体チップ4上の
゛電極との間でワイヤボンディングが行われている。な
お、ベッド1は例えば接着剤により絶縁基板21の中心
部に固着されている。
以上の実施例にあっては金属箔は電着により形成された
ものを使用しているが、基板上に薄く圧延された金属箔
を貼り付けて形成したもの等各種のものが使用でき、ま
た絶縁基板はテープ状のものであってもよい。
ものを使用しているが、基板上に薄く圧延された金属箔
を貼り付けて形成したもの等各種のものが使用でき、ま
た絶縁基板はテープ状のものであってもよい。
以上のように、本発明によれば、半導体チップの周囲に
tI1例状に形成され、内端が半導体チップの電極とワ
イヤボンディングされ、外部が外部引出用リードに接続
された金属筋導体を備えるようにしているので、半導体
チップの周囲における引出し導体の幅およびピッチを減
少させることができ、その結果、全体の大きさを増加さ
ぼることなく多数リードを有する半導体装置を実現させ
ることができる。また、本発明による半導体装置では金
属箔導体の先端が半導体チップの周囲にまで近接して達
しているためボンディング時のワイヤ良さが良くならず
、さらに金属箔導体は移動してショートを起すようなこ
とがないから信頼性を低下させることがない。
tI1例状に形成され、内端が半導体チップの電極とワ
イヤボンディングされ、外部が外部引出用リードに接続
された金属筋導体を備えるようにしているので、半導体
チップの周囲における引出し導体の幅およびピッチを減
少させることができ、その結果、全体の大きさを増加さ
ぼることなく多数リードを有する半導体装置を実現させ
ることができる。また、本発明による半導体装置では金
属箔導体の先端が半導体チップの周囲にまで近接して達
しているためボンディング時のワイヤ良さが良くならず
、さらに金属箔導体は移動してショートを起すようなこ
とがないから信頼性を低下させることがない。
第1図は本発明にかかる半導体装置の一実施例の内部構
造を示す平面図、第2図はその断面図、第3図は本発明
の他の実施例の構成を示す平面図、第4図はその断面図
、第5図は従来の半導体装置の構成を示す平面図、第6
図はその断面図である。 1・・・ベッド、2・・・ベッド保持バー、3,3′・
・・リード、4・・・半導体チップ、5・・・ワイヤ、
6・・・封止樹脂、11.21・・・基板、12.22
・・・金属箔、13.23・・・接合部。
造を示す平面図、第2図はその断面図、第3図は本発明
の他の実施例の構成を示す平面図、第4図はその断面図
、第5図は従来の半導体装置の構成を示す平面図、第6
図はその断面図である。 1・・・ベッド、2・・・ベッド保持バー、3,3′・
・・リード、4・・・半導体チップ、5・・・ワイヤ、
6・・・封止樹脂、11.21・・・基板、12.22
・・・金属箔、13.23・・・接合部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、封止樹脂により形成された外囲器本体と、前記外囲
6本体中に設けられ、半導体チップをほぼ中央部に支持
するとともにこの半導体チップの周囲に略放射状に配設
された複数の金属箔導体を備えた絶縁基板と、 前記金属箔導体の外端部で一端側が接続され、前記外囲
器本体外に他端が導出された複数の外部接続用リードと
を備え、 前記半導体チップ上の電極とこれに対応する前記金属箔
導体の内端部とを金属ワイヤで接続して成る半導体装置
。 2、絶縁基板がポリイミド基板であり、金属箔導体がエ
ッチングにより形成されたものである特許請求の範囲第
1項記載の半導体装置。 3、半導体チップがペット保持バーにより外部接続用リ
ードと共に外枠に連結されたベッド部に搭載され、かつ
これらが絶縁基板上に支持された特許請求の範囲第1項
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60023335A JPS61183936A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60023335A JPS61183936A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61183936A true JPS61183936A (ja) | 1986-08-16 |
Family
ID=12107710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60023335A Pending JPS61183936A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61183936A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6324647A (ja) * | 1986-05-27 | 1988-02-02 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 半導体パッケ−ジ |
JPH01238151A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Nec Corp | 半導体装置用リードフレーム |
JPH02251166A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 表面実装用半導体パッケージ |
WO1991009418A1 (en) * | 1989-12-14 | 1991-06-27 | Gte Products Corporation | Electrode feedthrough connection strap for arc discharge lamp |
JPH03163858A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-07-15 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH04192450A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 複合リードフレーム |
JPH05267534A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Nec Yamagata Ltd | リードフレーム |
US5365409A (en) * | 1993-02-20 | 1994-11-15 | Vlsi Technology, Inc. | Integrated circuit package design having an intermediate die-attach substrate bonded to a leadframe |
JPH088385A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Nec Kyushu Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60023335A patent/JPS61183936A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6324647A (ja) * | 1986-05-27 | 1988-02-02 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 半導体パッケ−ジ |
JPH01238151A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-22 | Nec Corp | 半導体装置用リードフレーム |
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JPH05267534A (ja) * | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Nec Yamagata Ltd | リードフレーム |
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JPH088385A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Nec Kyushu Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
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