JPH05326648A - フィルムキャリアとこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 インナーリードが曲がらないフィルムキャリ
アとこれを用いた半導体装置の製造方法を提供するこ
と。 【構成】 このフィルムキャリア１は半導体素子搭載部
３の内側に、半導体素子搭載部３の外形よりも小さいイ
ンナーリードサポート部６を、インナーリード４１の先
端部を保持する状態に設ける。このフィルムキャリア１
を用いた半導体装置の製造方法は、半導体素子の電極パ
ッドとフィルムキャリア１のインナーリード４１とを接
触させ、この接触部分のみを圧着した後、アウターリー
ド４２を切断するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ベースフィルムに複数
本のリードが形成されたフィルムキャリアとこれを用い
た半導体装置の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、その電気回路の高集積化
に伴い、外形の小型化および薄型化が進んでいる。この
ような半導体装置のうち、フィルムキャリアを用いた、
いわゆるＴＡＢ方式による半導体装置は、薄型化を図る
うえで特に有効である。ここで、従来のフィルムキャリ
アを図４の平面図に基づいて説明する。

【０００３】このフィルムキャリア１は、ポリイミド等
のベースフィルム２の略中央部に穿設された穴から成る
半導体素子搭載部３（図中二点鎖線）と、この半導体素
子搭載部３の各辺から内側に向けて延出する複数本のリ
ード４とが設けられており、半導体素子搭載部３よりも
外側のリード４の略中央部がサポートリング５により保
持されたものである。リード４のインナーリード４１は
このサポートリング５の内側の半導体素子搭載部３内に
延出した自由端となっており、また、アウターリード４
２はサポートリング５の外側に設けられたアウターリー
ドホール８を跨いだ状態に配置されている。

【０００４】このフィルムキャリア１を用いて半導体装
置を製造するには、先ず、チップ状の半導体素子（図示
せず）をこの半導体素子搭載部３に合わせて配置して、
自由端であるインナーリード４１と半導体素子の電極パ
ッドとを熱圧着等により接続した後、アウターリードホ
ール８に沿って切断する。これにより、サポートリング
５の外側に各アウターリード４２た延出した状態の半導
体装置を製造できる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなフィルムキャリアとこれを用いた半導体装置の製造
方法には、次のような問題がある。すなわち、半導体装
置の高集積化が進みリードの本数が多くなる一方、その
外形を小型化する必要があるため、各リードの幅を小さ
くしたり、隣合うリードとリードの間隔を狭くする、い
わゆるファインピッチ化を図る必要がある。このため、
半導体素子搭載部から延出するリードの先端の強度、す
なわちインナーリードの強度が弱く、折れや曲がり等が
起きたり、隣合うインナーリードの接触による短絡が発
生しやすくなる。例えば、インナーリードの幅が約５０
μｍで、隣合うインナーリードとのピッチが約１２０μ
ｍである場合、その隙間は約７０μｍ程度であり、微小
な外力が加わっただけであっても隣合うインナーリード
が接触する可能性が大きい。

【０００６】また、このようなインナーリードの曲がり
等が発生すると、半導体素子をフィルムキャリアに搭載
した状態で、半導体素子の電極パッドとインナーリード
との位置合わせが不正確となり、圧着による電気的な接
続を得るのが困難となる。このため、半導体装置の製造
歩留りに悪影響を及ぼし、生産性の低下を招いてしま
う。よって、本発明はインナーリードが曲がらないフィ
ルムキャリアとこれを用いた半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成されたフィルムキャリアとこれを用
いた半導体装置の製造方法である。すなわち、このフィ
ルムキャリアは、ベースフィルムの略中央部に略四角形
の半導体素子搭載部を設け、この半導体素子搭載部の各
辺から内側に向けて複数本のリードのインナーリードを
延出したもので、この半導体素子搭載部の内側に、半導
体素子搭載部の外形よりも小さいインナーリードサポー
ト部を、インナーリードの先端を保持する状態に設けた
ものである。

【０００８】また、このフィルムキャリアを用いた半導
体装置の製造方法は、ベースフィルムに設けられた略四
角形の半導体素子搭載部の各辺に直交して複数本のリー
ドが延出され、この各リードの先端部が半導体素子搭載
部の外形よりも小さいインナーリードサポート部にて保
持されたフィルムキャリアを用いたもので、先ず、半導
体素子搭載部に半導体素子を配置して、インナーリード
サポート部の外側のリードと半導体素子に形成された電
極パッドとを電気的に接触させ、次いで、この接触する
部分のみをボンディングツールにて押圧し、インナーリ
ードと電極パッドとを圧着し、半導体素子よりも外側の
リードを切断してベースフィルムと半導体素子とを切り
離すものである。

【０００９】

【作用】半導体素子搭載部の内側にインナーリードの先
端部を保持するインナーリードサポート部が設けられて
いるため、特に外力が加わりやすいインナーリードの先
端部が固定端となり補強されることになる。このため、
インナーリードが曲がったり、隣合うインナーリードが
接触することがなく、各インナーリードの間隔が保持さ
れる。このフィルムキャリアを用いて半導体装置を製造
すれば、各インナーリードの間隔が一定に保持されてい
るため、インナーリードと半導体素子の電極パッドとの
位置合わせを正確に行うことができる。また、インナー
リードと電極パッドとの圧着においては、これらが接触
する部分にのみボンディングツールによる押圧を加える
ことで確実な接続を行うことができる。

【００１０】

【実施例】以下に本発明のフィルムキャリアとこれを用
いた半導体装置の製造方法の実施例を図に基づいて説明
する。先ず、本発明のフィルムキャリアについて図１に
基づいて説明する。図１は本発明のフィルムキャリアを
説明する図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ線矢視断面図である。このフィルムキャリア１は、ポ
リイミド等から成るベースフィルム２と、ベースフィル
ム２の略中央部に設けられた略四角形の半導体素子搭載
部３と、この半導体素子搭載部３（図中二点鎖線）の各
辺から内側に向けてそのインナーリード４１が延出する
複数本のリード４とから成り、半導体素子搭載部３の外
側にはリード４の略中央部を保持するサポートリング５
が第１タイバー５１を介してベースフィルム２と連結し
ている。さらに、半導体素子搭載部３の内側には、半導
体素子搭載部３の外形よりも小さいインナーリードサポ
ート部６が各インナーリード４１の先端部を保持する状
態に設けられており、第２タイバー５２を介してサポー
トリング５に取り付けられている。

【００１１】インナーリードサポート部６とサポートリ
ング５との間には所定の隙間が設けられており、この隙
間をインナーリード４１が跨いだ状態となっている。ま
た、サポートリング５の外側には所定の隙間が開いたア
ウターリードホール８が設けられており、このアウター
リードホール８をアウターリード４２が跨いだ状態とな
っている。

【００１２】このフィルムキャリア１を製造するには、
先ず、ベースフィルム２にサポートリング５および第１
タイバー５１、インナーリードサポート部６および第２
タイバー５２を残すようなパンチを用いて穴を穿設す
る。これにより、インナーリードサポート部６は絶縁物
であるベースフィルム２と一体的に形成される。次に、
この穴の開いたベースフィルム２の片面全体に銅箔等の
金属を貼り付ける。そして、フォトリソグラフィー法に
より銅箔をエッチング加工して、所定の形状のリード４
を形成する。この後、リード４に金やハンダ等のメッキ
を施して、フィルムキャリア１が完成する。

【００１３】この半導体素子搭載部３の内側に設けられ
たインナーリードサポート部６により、各インナーリー
ド４１の間隔が保持されるとともに、外力に弱いインナ
ーリード４１の先端部が補強されることになる。このた
め、インナーリード４１の折れや曲がり等が発生しなく
なる。なお、このインナーリードサポート部６は、イン
ナーリード４１の先端部分のみを保持するものであれば
よく、例えば中央部分に穴が開いたドーナツ形状のもの
であってもよい。

【００１４】次に、このフィルムキャリア１を用いた半
導体装置の製造方法について説明する。図２は、本発明
のフィルムキャリア１を用いた半導体装置の製造方法を
工程順に示した断面図である。先ず、実装工程として図
２（ａ）に示すように、半導体素子１１をフィルムキャ
リア１のインナーリード４１が形成された面側の半導体
素子搭載部３に配置するとともに、半導体素子１１の各
電極パッド１２とこれに対応する位置のインナーリード
４１とをバンプ１３等を介して接触させる。この接触の
位置として、インナーリードサポート部６とサポートリ
ング５との間の隙間で行う。

【００１５】次に、圧着工程として図２（ｂ）に示すよ
うに、フィルムキャリア１のベースフィルム２側からボ
ンディングツール７を用いてインナーリード４１と半導
体素子１１の電極パッド１２とを熱圧着して接続を行
う。このボンディングツール７を用いた熱圧着におい
て、ボンディングツール７の直下にはインナーリードサ
ポート部６があるため、ボンディングツール７の圧着面
に凹凸が設けられている。

【００１６】すなわち、図３の斜視図に示すように、ボ
ンディングツール７の圧着面の略中央部には、インナー
リードサポート部６の大きさに対応する凹部７２が設け
られており、その周囲にはインナーリードサポート部６
とサポートリング５との間の隙間に対応する大きさの凸
部７１が設けられている。この凸部７１の高さは、少な
くともインナーリードサポート部６の厚さよりも高いも
ので、例えばインナーリードサポート部６の厚さが７５
μｍ程度である場合、凸部７１の高さは１００μｍ程度
にすればよい。さらに、凸部７１の各隅部には、第２タ
イバー５２を逃がすための切り込み部７３が設けられて
いる。このようなボンディングツール７を用いること
で、インナーリード４１と電極パッド１２との接触部分
を確実に接続することができる。

【００１７】そして、切断工程として図２（ｃ）に示す
ように、ベースフィルム２の穴３の内側の位置で打ち抜
き加工等を施しリード４を切断する。また、この加工と
同時に第１タイバー５１（図１参照）も切断すること
で、リード４が配線された半導体素子１１とベースフィ
ルム２とを切り離す。これにより、サポートリング５の
周囲から各アウターリード４２が延出した半導体装置１
０となる。

【００１８】また、この半導体装置１０の製造に用いた
フィルムキャリア１において、インナーリードサポート
部６に銅箔等のパターンを形成しておき、このパターン
に半導体素子１１の接地端子（図示せず）を接続するこ
とで、半導体装置１０の電磁シールド効果を高めること
ができる。また、半導体素子１１に複数の接地端子また
は電源端子を設け、これらをインナーリードサポート部
６上で配線することで、電源インピーダンスを下げるこ
ともできる。なお、本発明のフィルムキャリア１は長尺
状のベースフィルム２から成るものでもよく、この場合
は半導体素子搭載部３やインナーリードサポート部６お
よび各リード４が一定の間隔で連続して形成されたもの
となる。

【００１９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のフィルム
キャリアとこれを用いた半導体装置の製造方法によれば
次のような効果がある。すなわち、本発明のフィルムキ
ャリアの半導体素子搭載部の内側には、各インナーリー
ドの先端部を保持するためのインナーリードサポート部
が設けられているため、インナーリードの先端が曲がっ
たり、隣合うインナーリードの接触による短絡が発生し
ない。このため、本発明のフィルムキャリアを用いた半
導体装置の製造方法において、半導体素子の電極パッド
とインナーリードとの位置合わせを正確に行うことがで
きるため、半導体装置の生産性向上を図ることが可能と
なる。これらの効果は、リードの幅が狭くなったり、隣
合うリードの間隔が狭くなるほど顕著に現れるため、半
導体装置のファインピッチ化を図るうえで多大な効果を
発揮することになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のフィルムキャリアを説明する図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図
である。

【図２】本発明のフィルムキャリアを用いた半導体装置
の製造方法を工程順に説明する断面図で、（ａ）は実装
工程、（ｂ）は圧着工程、（ｃ）は切断工程である。

【図３】ボンディングツールを説明する斜視図である。

【図４】従来のフィルムキャリアを説明する平面図であ
る。

【符号の説明】

１ フィルムキャリア ２ ベースフィル
ム ３ 半導体素子搭載部 ４ リード ５ サポートリング ６ インナーリー
ドサポート部 ８ アウターリードホー １０ 半導体装置 １１ 半導体素子 ４１ インナーリ
ード ４２ アウターリード ５１ 第１タイバ
ー ５２ 第２タイバー

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベースフィルムの略中央部に設けられた
   略四角形の半導体素子搭載部と、 前記半導体素子搭載部の各辺から内側に向けて、そのイ
   ンナーリードが延出する複数本のリードとから成るフィ
   ルムキャリアにおいて、 前記半導体素子搭載部の内側には、前記半導体素子搭載
   部の外形よりも小さいインナーリードサポート部が前記
   各インナーリードの先端部を保持する状態に設けられて
   いることを特徴とするフィルムキャリア。
2. 【請求項２】 ベースフィルムに設けられた略四角形の
   半導体素子搭載部の各辺に複数本のリードが直交した状
   態で延出され、前記各リードの先端部が前記半導体素子
   搭載部の外形よりも小さいインナーリードサポート部に
   て保持されたフィルムキャリアを用いた半導体装置の製
   造方法において、 先ず、前記半導体素子搭載部に半導体素子を配置し、前
   記インナーリードサポート部の外側のリードと前記半導
   体素子に形成された電極パッドとを電気的に接触させる
   工程と、 次いで、前記接触する部分のみをボンディングツールに
   て押圧し、前記リードと前記電極パッドとを圧着する工
   程と、 前記半導体素子よりも外側の前記リードを切断して、前
   記ベースフィルムと前記半導体素子とを切り離す工程と
   から成ることを特徴とするフィルムキャリアを用いた半
   導体装置の製造方法。