JP3022393B2 - 半導体装置およびリードフレームならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置およびリードフレームならびに半導体装置の製造方法Info
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 165
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 7
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に半導体チップをバンプを介してリードフレーム
にボンディングすることで小型・薄型化した封止型半導
体装置に関する。
し、特に半導体チップをバンプを介してリードフレーム
にボンディングすることで小型・薄型化した封止型半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器においては小型軽量化が追求さ
れ、その内部に実装される半導体装置も小型化・薄型化
が要求されている。従来の半導体装置においては、ワイ
ヤ・ボンディングにより半導体チップをリードに接続す
ることが行われている。この方法では、ワイヤがループ
状になること、また、ワイヤを樹脂で覆う必要があるこ
とから、半導体装置の薄型化には不向きである。さら
に、ワイヤにインダクタンス成分があるため、高周波用
の半導体チップでは高周波特性が劣化するという問題も
ある。
れ、その内部に実装される半導体装置も小型化・薄型化
が要求されている。従来の半導体装置においては、ワイ
ヤ・ボンディングにより半導体チップをリードに接続す
ることが行われている。この方法では、ワイヤがループ
状になること、また、ワイヤを樹脂で覆う必要があるこ
とから、半導体装置の薄型化には不向きである。さら
に、ワイヤにインダクタンス成分があるため、高周波用
の半導体チップでは高周波特性が劣化するという問題も
ある。
【０００３】これを解決するために、バンプにより半導
体チップとリードとを接続する方法が知られている。例
えば、特開平７−２０１９２８号公報（以下、従来例１
という）には、ＴＡＢテープに半導体チップを搭載し、
樹脂封止した例が記載されている。一般にＴＡＢテープ
に用いるリードは、フィルム状テープに形成した導体パ
ターンをリードとして利用しているため、２０〜５０μ
ｍの厚さしかない。このようにリードが薄いので、機械
的強度を維持するためにはフィルムキャリア（従来例１
の図１の３ｂ）が必要となり、製造コストが高くなる。
また、これをプリント基板に実装して半田付けするため
には、リードを樹脂封止部より外に出す必要があるが、
リードの一方の面がフィルムで覆われているので、半田
付け性が悪くなる。半田付け性を向上させるためにフィ
ルムを除去すると、外部リードが曲がりやすくなり、半
田がプリント基板と接続されなかったり、他のプリント
・パターンとショートしたりする。このようにＴＡＢテ
ープにより構成した半導体装置を表面実装に使うことに
は問題が多い。
体チップとリードとを接続する方法が知られている。例
えば、特開平７−２０１９２８号公報（以下、従来例１
という）には、ＴＡＢテープに半導体チップを搭載し、
樹脂封止した例が記載されている。一般にＴＡＢテープ
に用いるリードは、フィルム状テープに形成した導体パ
ターンをリードとして利用しているため、２０〜５０μ
ｍの厚さしかない。このようにリードが薄いので、機械
的強度を維持するためにはフィルムキャリア（従来例１
の図１の３ｂ）が必要となり、製造コストが高くなる。
また、これをプリント基板に実装して半田付けするため
には、リードを樹脂封止部より外に出す必要があるが、
リードの一方の面がフィルムで覆われているので、半田
付け性が悪くなる。半田付け性を向上させるためにフィ
ルムを除去すると、外部リードが曲がりやすくなり、半
田がプリント基板と接続されなかったり、他のプリント
・パターンとショートしたりする。このようにＴＡＢテ
ープにより構成した半導体装置を表面実装に使うことに
は問題が多い。
【０００４】一方、特開平１−１２８８９３号公報（以
下、従来例２という）に記載された半導体ＩＣ装置があ
る。図７（ａ）にはリードフレーム９１にバンプ９３を
介してチップを搭載する図が示されている。この従来の
半導体ＩＣ装置は、装置全体の薄型化を図ることを目的
としたものであり、図７（ｂ）はその断面図を示してい
る。この半導体ＩＣ装置において、ＩＣチップ９２は、
複数のリード９１のそれぞれの一端に形成された各チッ
プ搭載片９１２とフェースダウンに整合をとり、バンプ
９３を介して直接接続されている。そして、ＩＣチップ
９２は、屈曲部９１１を有する各リード９１とともに成
形材９４によって封止されている。ここで、ＩＣチップ
９２および屈曲部９１１を有する各リード９１を封止す
るに当たって、チップ搭載片９１２の裏面９１３は成形
材９４の下側の表面から露出するように構成されてお
り、このチップ搭載片９１２の裏面９１３（露出面）が
外部接続端子として機能する。この露出面９１３はま
た、ＩＣチップ９２の発熱を外部に放熱する放熱面とし
ても機能する。また、特開平５−１２９４７３号公報
（以下、従来例３という）の図１Ｂには、チップサイズ
パッケージの例が記載されている。従来例３では、直線
状に形成した内部導出リードの上にバンプを介して半導
体チップを搭載し、封止材で封止している。
下、従来例２という）に記載された半導体ＩＣ装置があ
る。図７（ａ）にはリードフレーム９１にバンプ９３を
介してチップを搭載する図が示されている。この従来の
半導体ＩＣ装置は、装置全体の薄型化を図ることを目的
としたものであり、図７（ｂ）はその断面図を示してい
る。この半導体ＩＣ装置において、ＩＣチップ９２は、
複数のリード９１のそれぞれの一端に形成された各チッ
プ搭載片９１２とフェースダウンに整合をとり、バンプ
９３を介して直接接続されている。そして、ＩＣチップ
９２は、屈曲部９１１を有する各リード９１とともに成
形材９４によって封止されている。ここで、ＩＣチップ
９２および屈曲部９１１を有する各リード９１を封止す
るに当たって、チップ搭載片９１２の裏面９１３は成形
材９４の下側の表面から露出するように構成されてお
り、このチップ搭載片９１２の裏面９１３（露出面）が
外部接続端子として機能する。この露出面９１３はま
た、ＩＣチップ９２の発熱を外部に放熱する放熱面とし
ても機能する。また、特開平５−１２９４７３号公報
（以下、従来例３という）の図１Ｂには、チップサイズ
パッケージの例が記載されている。従来例３では、直線
状に形成した内部導出リードの上にバンプを介して半導
体チップを搭載し、封止材で封止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置には、次のような問題点があった。まず第１
には、製造工程中における半導体チップとリードフレー
ムとの接続の問題である。すなわち、従来例２の第２図
に示されるように、樹脂封止前のリードフレーム２にＩ
Ｃチップ１を搭載した状態では、ＩＣチップ１とリード
フレーム２とはバンプで接続されているだけでなので、
製造工程で外部から機械的な振動や衝撃、あるいは熱的
なストレスが加わった場合、その接続が外れてしまい、
電気的な接続が不良となることがあった。具体的に、バ
ンプが受けるストレスには、リードフレームを搬送する
ときの振動、リードフレームを作業台に置いたりピック
アップするときの衝撃、リードフレームのバンプ熱圧着
時の熱膨張および冷えたときの収縮によるストレス、お
よびリードフレームを移動するときの変形によるストレ
スがあげられる。特に、従来例２の例では、リードフレ
ームの短辺方向から衝撃が加わった場合、リード３とバ
ンプとの距離が短く、強い衝撃がバンプに伝わりやす
い。また、図７（ｂ）に示すように従来例２に記載され
た半導体ＩＣ装置では、バンプ９３を介してＩＣチップ
９２と接続されたチップ搭載片９１２の裏面（露出面９
１３）が外部接続端子として成形材９４から露出してい
るために、機械的な衝撃等によってＩＣチップ９２との
接続がルーズコンタクトになったり、剥離して電気的に
接触不良となることがある。
半導体装置には、次のような問題点があった。まず第１
には、製造工程中における半導体チップとリードフレー
ムとの接続の問題である。すなわち、従来例２の第２図
に示されるように、樹脂封止前のリードフレーム２にＩ
Ｃチップ１を搭載した状態では、ＩＣチップ１とリード
フレーム２とはバンプで接続されているだけでなので、
製造工程で外部から機械的な振動や衝撃、あるいは熱的
なストレスが加わった場合、その接続が外れてしまい、
電気的な接続が不良となることがあった。具体的に、バ
ンプが受けるストレスには、リードフレームを搬送する
ときの振動、リードフレームを作業台に置いたりピック
アップするときの衝撃、リードフレームのバンプ熱圧着
時の熱膨張および冷えたときの収縮によるストレス、お
よびリードフレームを移動するときの変形によるストレ
スがあげられる。特に、従来例２の例では、リードフレ
ームの短辺方向から衝撃が加わった場合、リード３とバ
ンプとの距離が短く、強い衝撃がバンプに伝わりやす
い。また、図７（ｂ）に示すように従来例２に記載され
た半導体ＩＣ装置では、バンプ９３を介してＩＣチップ
９２と接続されたチップ搭載片９１２の裏面（露出面９
１３）が外部接続端子として成形材９４から露出してい
るために、機械的な衝撃等によってＩＣチップ９２との
接続がルーズコンタクトになったり、剥離して電気的に
接触不良となることがある。
【０００６】第２には、従来例２に記載された半導体Ｉ
Ｃ装置は、ＩＣチップ９２を搭載したチップ搭載片９１
２の裏面９１３を外部接続端子として成形材９４の下側
表面から露出させているために、外部環境の水分のリー
クパスがわずかチップ搭載片９１２の厚さのみと非常に
短くなり、その結果、耐湿性に劣るという欠点がある。
また、従来例２に記載された半導体ＩＣ装置は、チップ
搭載片９１２の抜けを防止するために、リード９１に設
けられた屈曲部９１１を成形材９４が内蔵するように構
成される。このときＩＣチップ９２はリード９１の側面
視凹側に搭載されるので、屈曲部９１１は、ＩＣチップ
９２の平面寸法およびこの平面寸法に対する搭載位置精
度を考慮して形成されなければならない。したがって、
成形材９４の平面方向の寸法をＩＣチップ９２の寸法に
近づけることができず、その結果、成形材９４の平面寸
法が外部接続端子として作用するチップ搭載片９１２間
の間隔よりも大きくなり、プリント基板の実装面積が大
きくなるという問題点もある。
Ｃ装置は、ＩＣチップ９２を搭載したチップ搭載片９１
２の裏面９１３を外部接続端子として成形材９４の下側
表面から露出させているために、外部環境の水分のリー
クパスがわずかチップ搭載片９１２の厚さのみと非常に
短くなり、その結果、耐湿性に劣るという欠点がある。
また、従来例２に記載された半導体ＩＣ装置は、チップ
搭載片９１２の抜けを防止するために、リード９１に設
けられた屈曲部９１１を成形材９４が内蔵するように構
成される。このときＩＣチップ９２はリード９１の側面
視凹側に搭載されるので、屈曲部９１１は、ＩＣチップ
９２の平面寸法およびこの平面寸法に対する搭載位置精
度を考慮して形成されなければならない。したがって、
成形材９４の平面方向の寸法をＩＣチップ９２の寸法に
近づけることができず、その結果、成形材９４の平面寸
法が外部接続端子として作用するチップ搭載片９１２間
の間隔よりも大きくなり、プリント基板の実装面積が大
きくなるという問題点もある。
【０００７】第３に、従来例３に記載された樹脂封止表
面実装型半導体装置では、外部導出リードが直線状に配
置され、樹脂で上面と側面が覆われているだけなので、
機械的な衝撃等によって封止材から抜けることがある。
また、リード間隔が半導体チップの電極間隔で決まるた
め、小信号トランジスタのように半導体チップの大きさ
が０．５ｍｍ□程度のものでは、リード間の隙間が０．
１ｍｍ程度になってしまう。このようなパッケージをプ
リント基板に実装すると半田ブリッジが生じやすくな
る。また、逆にリード間隔を広げるには半導体チップを
大きくする必要があり、コストアップにつながる。
面実装型半導体装置では、外部導出リードが直線状に配
置され、樹脂で上面と側面が覆われているだけなので、
機械的な衝撃等によって封止材から抜けることがある。
また、リード間隔が半導体チップの電極間隔で決まるた
め、小信号トランジスタのように半導体チップの大きさ
が０．５ｍｍ□程度のものでは、リード間の隙間が０．
１ｍｍ程度になってしまう。このようなパッケージをプ
リント基板に実装すると半田ブリッジが生じやすくな
る。また、逆にリード間隔を広げるには半導体チップを
大きくする必要があり、コストアップにつながる。
【０００８】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、製造工程においてバンプ接続強
度を維持することにある。また、本発明の他の目的は、
小型・薄型の封止型半導体装置において耐湿性を確保す
ることにある。本発明はまた、リードの抜けを防止する
とともに、成形材の平面寸法を半導体チップの寸法に近
づけ、部品実装の際の占有面積を小さくすることにあ
る。
のであり、その目的は、製造工程においてバンプ接続強
度を維持することにある。また、本発明の他の目的は、
小型・薄型の封止型半導体装置において耐湿性を確保す
ることにある。本発明はまた、リードの抜けを防止する
とともに、成形材の平面寸法を半導体チップの寸法に近
づけ、部品実装の際の占有面積を小さくすることにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明にかかる半導体装置は、複数のリードを有
し、各リードの一端がバンプによって半導体チップと固
定された半導体装置において、前記リードの一端から他
端に至る経路は３次元方向に屈曲していることを特徴と
する。 本発明にかかる半導体装置には、リード本体部お
よび前記リード本体部と実質的に直角に設けられたチッ
プ搭載部からなる複数のＬ字状リードと、前記各チップ
搭載部の先端部にバンプを介して直接接続された半導体
チップと、前記各リード本体部の前記各チップ搭載部に
接続された部分から離れた部分を除き上記各構成要素を
封止する成形材とによって構成された半導体装置であっ
て、上記複数のＬ字状リードのそれぞれは、半導体装置
の長手方向の中心線の両側に前記中心線と上記チップ搭
載部が並行となるように配置され、同じ側に配置された
上記Ｌ字状リードは、上記チップ搭載部が同一平面上で
互いに向かい合うように配置され、各Ｌ字状リードのリ
ード本体部は、接続されたチップ搭載部に近い部分に側
面から見て凸の階段状となる屈曲部を備え、上記半導体
チップは、上記屈曲部によって各リード本体部と段違い
に配置された各チップ搭載部の先端部上面にフェースダ
ウンにて搭載され、上記成形材は、上記リード本体部の
上記屈曲部を内蔵するものが含まれる。
に、本発明にかかる半導体装置は、複数のリードを有
し、各リードの一端がバンプによって半導体チップと固
定された半導体装置において、前記リードの一端から他
端に至る経路は３次元方向に屈曲していることを特徴と
する。 本発明にかかる半導体装置には、リード本体部お
よび前記リード本体部と実質的に直角に設けられたチッ
プ搭載部からなる複数のＬ字状リードと、前記各チップ
搭載部の先端部にバンプを介して直接接続された半導体
チップと、前記各リード本体部の前記各チップ搭載部に
接続された部分から離れた部分を除き上記各構成要素を
封止する成形材とによって構成された半導体装置であっ
て、上記複数のＬ字状リードのそれぞれは、半導体装置
の長手方向の中心線の両側に前記中心線と上記チップ搭
載部が並行となるように配置され、同じ側に配置された
上記Ｌ字状リードは、上記チップ搭載部が同一平面上で
互いに向かい合うように配置され、各Ｌ字状リードのリ
ード本体部は、接続されたチップ搭載部に近い部分に側
面から見て凸の階段状となる屈曲部を備え、上記半導体
チップは、上記屈曲部によって各リード本体部と段違い
に配置された各チップ搭載部の先端部上面にフェースダ
ウンにて搭載され、上記成形材は、上記リード本体部の
上記屈曲部を内蔵するものが含まれる。
【００１０】本発明にかかる半導体装置において、半導
体チップは、上記リード本体部の屈曲部によって段違い
に配置されたチップ搭載部、すなわち側面視凸状に配置
されたチップ搭載部上面に搭載され、かつチップ搭載部
およびリード本体部の前記チップ搭載部から上記屈曲部
までとともに封止されるので、外部環境からのリークパ
スを従来よりも長くすることができる。したがって、半
導体装置の耐湿性を確保することができる。また、本発
明にかかる半導体装置は、前記リードの３次元方向の屈
曲部が、半導体チップおよび前記リードを封止する成形
材の内部に封止されるので、リードの抜けや半導体チッ
プとの断線を防止することができる。 また、上記リード
は、リード本体部が屈曲部を備えるのみならず、リード
本体部とチップ搭載部がＬ字状を形成しており、しか
も、半導体チップと直接接続されるチップ搭載部が成形
材内部で半導体装置の長手方向の中心線に並行に配置さ
れているので、リードの抜けや半導体チップとの断線を
防止することができる。
体チップは、上記リード本体部の屈曲部によって段違い
に配置されたチップ搭載部、すなわち側面視凸状に配置
されたチップ搭載部上面に搭載され、かつチップ搭載部
およびリード本体部の前記チップ搭載部から上記屈曲部
までとともに封止されるので、外部環境からのリークパ
スを従来よりも長くすることができる。したがって、半
導体装置の耐湿性を確保することができる。また、本発
明にかかる半導体装置は、前記リードの３次元方向の屈
曲部が、半導体チップおよび前記リードを封止する成形
材の内部に封止されるので、リードの抜けや半導体チッ
プとの断線を防止することができる。 また、上記リード
は、リード本体部が屈曲部を備えるのみならず、リード
本体部とチップ搭載部がＬ字状を形成しており、しか
も、半導体チップと直接接続されるチップ搭載部が成形
材内部で半導体装置の長手方向の中心線に並行に配置さ
れているので、リードの抜けや半導体チップとの断線を
防止することができる。
【００１１】さらに、半導体チップが搭載されるチップ
搭載部は、上に凸の階段状に形成されたリード本体部の
屈曲部によって段違いに配置されるので、半導体チップ
の搭載位置精度を半導体チップの平面寸法よりも小さい
バンプ間距離に対して考慮すればよい。したがって、半
導体装置の成形材の平面寸法を半導体チップの寸法に近
づけることができる。ここで、側面から見て凸の階段状
となる屈曲部は、チップ搭載部を段違いに配置するもの
である。したがって、屈曲部はリード本体部の他の部分
やチップ搭載部に対して必ずしも垂直である必要はな
く、その形状は傾斜していても良い。この場合、プレス
加工により屈曲部を成形する場合は、リードの材質にも
よるが、加工上の限界から４５°前後の傾斜角が適当で
ある。
搭載部は、上に凸の階段状に形成されたリード本体部の
屈曲部によって段違いに配置されるので、半導体チップ
の搭載位置精度を半導体チップの平面寸法よりも小さい
バンプ間距離に対して考慮すればよい。したがって、半
導体装置の成形材の平面寸法を半導体チップの寸法に近
づけることができる。ここで、側面から見て凸の階段状
となる屈曲部は、チップ搭載部を段違いに配置するもの
である。したがって、屈曲部はリード本体部の他の部分
やチップ搭載部に対して必ずしも垂直である必要はな
く、その形状は傾斜していても良い。この場合、プレス
加工により屈曲部を成形する場合は、リードの材質にも
よるが、加工上の限界から４５°前後の傾斜角が適当で
ある。
【００１２】また、本発明にかかる半導体装置は、各リ
ードの他端の間隔は半導体チップのバンプ間隔より広い
ことを特徴とする。 また、本発明にかかる半導体装置
は、前記リードの一端から他端に至る経路の少なくとも
一部に切り込み部を設けたことを特徴とする。 より具体
的には、半導体装置の同じ側に配置された複数のＬ字状
リードのリード本体部の間隔が上記半導体チップのバン
プ間距離よりも大きく、上記チップ搭載部が上記リード
本体部との接続部分に上記リード本体部に沿って切り込
みを有し、上記リード本体部は、前記切り込みから屈曲
されていることを特徴とする。換言するならば、リード
本体部に設けられた屈曲部の上端は、リード本体部と並
行に形成された切り込みの深さの分だけ半導体装置の中
心に位置する。したがって、半導体チップの搭載位置精
度を半導体チップの平面寸法よりも小さいバンプ間距離
に対して考慮すればよく、半導体装置の平面寸法、特に
成形材の幅を半導体チップの寸法に近づけることができ
る。また、Ｌ字状リードのチップ搭載部が半導体装置の
長手方向の中心線に並行に半導体チップに接近し、半導
体装置の同じ側に位置するリード本体部は半導体チップ
のバンプ間距離よりも大きい間隔を有することから、バ
ンプ間距離が小さくなった場合でも、隣り合うリードが
半田ブリッジによって短絡されることを防止することが
できる。
ードの他端の間隔は半導体チップのバンプ間隔より広い
ことを特徴とする。 また、本発明にかかる半導体装置
は、前記リードの一端から他端に至る経路の少なくとも
一部に切り込み部を設けたことを特徴とする。 より具体
的には、半導体装置の同じ側に配置された複数のＬ字状
リードのリード本体部の間隔が上記半導体チップのバン
プ間距離よりも大きく、上記チップ搭載部が上記リード
本体部との接続部分に上記リード本体部に沿って切り込
みを有し、上記リード本体部は、前記切り込みから屈曲
されていることを特徴とする。換言するならば、リード
本体部に設けられた屈曲部の上端は、リード本体部と並
行に形成された切り込みの深さの分だけ半導体装置の中
心に位置する。したがって、半導体チップの搭載位置精
度を半導体チップの平面寸法よりも小さいバンプ間距離
に対して考慮すればよく、半導体装置の平面寸法、特に
成形材の幅を半導体チップの寸法に近づけることができ
る。また、Ｌ字状リードのチップ搭載部が半導体装置の
長手方向の中心線に並行に半導体チップに接近し、半導
体装置の同じ側に位置するリード本体部は半導体チップ
のバンプ間距離よりも大きい間隔を有することから、バ
ンプ間距離が小さくなった場合でも、隣り合うリードが
半田ブリッジによって短絡されることを防止することが
できる。
【００１３】また、本発明にかかる半導体装置は、成形
材の底面と成形材から露出するリード本体部の裏面の高
さを一致させたことを特徴とする。これによって、安定
した実装ができる。
材の底面と成形材から露出するリード本体部の裏面の高
さを一致させたことを特徴とする。これによって、安定
した実装ができる。
【００１４】また、本発明は、複数のリードを有し、複
数の半導体チップをバンプによって各リードに固着する
リードフレームにおいて、各リードは半導体チップをバ
ンプで固着するバンプ接続部と、隣接するリードと連結
するリード連結部とからなり、バンプ接続部からリード
連結部に至る経路は３次元方向に屈曲して形成されるこ
とを特徴とするリードフレームである。 本発明にかかる
リードフレームには、例えば、二本の並行な外枠の内側
に複数のリードを備え複数の半導体チップを搭載するリ
ードフレームにおいて、前記複数のリードのそれぞれ
は、前記外枠と同一平面内に延在するリード本体部とバ
ンプを介して前記複数の半導体チップのうちの一つと電
気的に接続されるチップ搭載部からなり、各リード本体
部の先端から各バンプに至るリード経路がＸ，Ｙ，Ｚ方
向に屈曲して各リード本体部の先端部と各チップ搭載部
とが側面視段違いに配置されたものが含まれる。 さらに
は、前記各リード本体部と前記各チップ搭載部とが実質
的に直角をなす平面視Ｌ字状リードであり、複数のＬ字
状リードのそれぞれは、前記チップ搭載部が前記半導体
装置の長手方向の中心線の両側に前記中心線と並行とな
るように配置され、同じ側に配置された前記Ｌ字状リー
ドは、前記チップ搭載部が同一平面上で互いに向かい合
うように配置されたリードフレームも本発明に含まれ
る。このようにＬ字状リードがＸ，Ｙ，Ｚ方向に屈曲し
ていることにより、バンプにかかる各方向からのストレ
スを吸収することができる。
数の半導体チップをバンプによって各リードに固着する
リードフレームにおいて、各リードは半導体チップをバ
ンプで固着するバンプ接続部と、隣接するリードと連結
するリード連結部とからなり、バンプ接続部からリード
連結部に至る経路は３次元方向に屈曲して形成されるこ
とを特徴とするリードフレームである。 本発明にかかる
リードフレームには、例えば、二本の並行な外枠の内側
に複数のリードを備え複数の半導体チップを搭載するリ
ードフレームにおいて、前記複数のリードのそれぞれ
は、前記外枠と同一平面内に延在するリード本体部とバ
ンプを介して前記複数の半導体チップのうちの一つと電
気的に接続されるチップ搭載部からなり、各リード本体
部の先端から各バンプに至るリード経路がＸ，Ｙ，Ｚ方
向に屈曲して各リード本体部の先端部と各チップ搭載部
とが側面視段違いに配置されたものが含まれる。 さらに
は、前記各リード本体部と前記各チップ搭載部とが実質
的に直角をなす平面視Ｌ字状リードであり、複数のＬ字
状リードのそれぞれは、前記チップ搭載部が前記半導体
装置の長手方向の中心線の両側に前記中心線と並行とな
るように配置され、同じ側に配置された前記Ｌ字状リー
ドは、前記チップ搭載部が同一平面上で互いに向かい合
うように配置されたリードフレームも本発明に含まれ
る。このようにＬ字状リードがＸ，Ｙ，Ｚ方向に屈曲し
ていることにより、バンプにかかる各方向からのストレ
スを吸収することができる。
【００１５】また、本発明は、上述した半導体装置の製
造方法である。すなわち、リード本体部および前記リー
ド本体部と実質的に直角に設けられたチップ搭載部から
なる複数のＬ字状リードが二本の並行な外枠の内側に設
けられ、前記外枠の同じ側に設けられた前記Ｌ字状リー
ドは、前記リード本体部に接続された前記チップ搭載部
が同一平面上で互いに向かい合うように配置されたリー
ドフレームを形成する工程と、各Ｌ字状リードのリード
本体部のチップ搭載部に近い部分に側面から見て凸の階
段状となる屈曲部を成形する工程と、前記屈曲部によっ
て前記各リード本体部と段違いに配置された前記各チッ
プ搭載部を加熱し、予めバンプが形成された半導体チッ
プを前記各チップ搭載部の先端部上面にフェースダウン
にて整合し接合する工程と、前記半導体チップとともに
前記各Ｌ字状リードの前記各チップ搭載部および各リー
ド本体部の屈曲部までを封止し成形部を設ける工程と、
前記成形部近傍で前記リードを切断する工程とからなる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法である。そし
て、前記半導体チップを前記各チップ搭載部の先端部上
面に整合し接合する際に、前記チップ搭載部を、リード
フレーム短辺方向の幅が前記チップ搭載部よりも広い支
持台の上に載置して加熱するものである。
造方法である。すなわち、リード本体部および前記リー
ド本体部と実質的に直角に設けられたチップ搭載部から
なる複数のＬ字状リードが二本の並行な外枠の内側に設
けられ、前記外枠の同じ側に設けられた前記Ｌ字状リー
ドは、前記リード本体部に接続された前記チップ搭載部
が同一平面上で互いに向かい合うように配置されたリー
ドフレームを形成する工程と、各Ｌ字状リードのリード
本体部のチップ搭載部に近い部分に側面から見て凸の階
段状となる屈曲部を成形する工程と、前記屈曲部によっ
て前記各リード本体部と段違いに配置された前記各チッ
プ搭載部を加熱し、予めバンプが形成された半導体チッ
プを前記各チップ搭載部の先端部上面にフェースダウン
にて整合し接合する工程と、前記半導体チップとともに
前記各Ｌ字状リードの前記各チップ搭載部および各リー
ド本体部の屈曲部までを封止し成形部を設ける工程と、
前記成形部近傍で前記リードを切断する工程とからなる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法である。そし
て、前記半導体チップを前記各チップ搭載部の先端部上
面に整合し接合する際に、前記チップ搭載部を、リード
フレーム短辺方向の幅が前記チップ搭載部よりも広い支
持台の上に載置して加熱するものである。
【００１６】ここでリードフレームの材質には、金属等
の導体、たとえば銅やその合金、または鉄やその合金を
用いることができる。また、リードフレームを所定の平
面形状に形成するには、例えば、導体板をプレス加工し
たり、エッチングまたはレーザー光線を利用した加工方
法を用いることができる。なお、ボンディング接続性を
良くするために、リードフレームに予め金、白金、銀等
の貴金属による表面処理を行っても良い。また、所定の
平面形状に形成されたリードフレームにプレス加工を施
すことによってリード本体部に屈曲部を設けることがで
きる。一方、半導体チップと各チップ搭載部とは、熱圧
着または超音波併用熱圧着によりバンプを接合すること
ができる。成形材となる封止材には樹脂を用いること
が、製造が容易となりかつ製造コストの面でも望まし
い。封止材による封止を行ったのち、余分なリードフレ
ームを切断することによって、半導体装置が得られる。
さらに、リードをＬ字状に形成することで、屈曲部を有
するリードフレームであっても、熱圧着に使う支持台の
リードフレームの短辺方向をチップ搭載部より広くする
ことができる。その結果、バンプ接続工程において位置
合わせが容易になると同時に、支持台の熱容量を大きく
してチップ搭載部を載置したときの加熱温度の低下を低
くすることができる。
の導体、たとえば銅やその合金、または鉄やその合金を
用いることができる。また、リードフレームを所定の平
面形状に形成するには、例えば、導体板をプレス加工し
たり、エッチングまたはレーザー光線を利用した加工方
法を用いることができる。なお、ボンディング接続性を
良くするために、リードフレームに予め金、白金、銀等
の貴金属による表面処理を行っても良い。また、所定の
平面形状に形成されたリードフレームにプレス加工を施
すことによってリード本体部に屈曲部を設けることがで
きる。一方、半導体チップと各チップ搭載部とは、熱圧
着または超音波併用熱圧着によりバンプを接合すること
ができる。成形材となる封止材には樹脂を用いること
が、製造が容易となりかつ製造コストの面でも望まし
い。封止材による封止を行ったのち、余分なリードフレ
ームを切断することによって、半導体装置が得られる。
さらに、リードをＬ字状に形成することで、屈曲部を有
するリードフレームであっても、熱圧着に使う支持台の
リードフレームの短辺方向をチップ搭載部より広くする
ことができる。その結果、バンプ接続工程において位置
合わせが容易になると同時に、支持台の熱容量を大きく
してチップ搭載部を載置したときの加熱温度の低下を低
くすることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態にかかる半導体装置の構成を示す図、図２は、
リードと半導体チップの関係を示す斜視図である。図１
（ａ）の平面図に示すように、本実施の形態にかかる半
導体装置において、それぞれリード本体部１０１とチッ
プ搭載部１０２とが平面視ほぼ直角をなすＬ字状リード
１０が、半導体装置の長手方向の中心線をはさんで両側
に２本ずつ配置されている。さらに、同じ側に配置され
たＬ字状リード１０は、チップ搭載部１０２の辺が互い
に向かい合うように配置されている。
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実
施の形態にかかる半導体装置の構成を示す図、図２は、
リードと半導体チップの関係を示す斜視図である。図１
（ａ）の平面図に示すように、本実施の形態にかかる半
導体装置において、それぞれリード本体部１０１とチッ
プ搭載部１０２とが平面視ほぼ直角をなすＬ字状リード
１０が、半導体装置の長手方向の中心線をはさんで両側
に２本ずつ配置されている。さらに、同じ側に配置され
たＬ字状リード１０は、チップ搭載部１０２の辺が互い
に向かい合うように配置されている。
【００１８】図１（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ図１
（ａ）のＡ−ＡおよびＢ−Ｂにおける断面図である。図
１（ｂ），（ｃ）の断面図に示すように、各Ｌ字状リー
ド１０の外部接続端子となるリード本体部１０１とチッ
プ搭載部１０２とが段違いになるように、リード本体部
１０１の一部に屈曲部１０３を設けている。これによっ
て、リード本体部１０１とチップ搭載部１０２は、側面
から見て上に凸の形状となる。このとき、４本の各Ｌ字
状リード１０の外部接続端子となるリード本体部１０１
の底面は、同一平面上に位置している。また、屈曲部１
０２によって段違いに形成された各チップ搭載部１０２
の上面も同一平面上に位置するようになっている。
（ａ）のＡ−ＡおよびＢ−Ｂにおける断面図である。図
１（ｂ），（ｃ）の断面図に示すように、各Ｌ字状リー
ド１０の外部接続端子となるリード本体部１０１とチッ
プ搭載部１０２とが段違いになるように、リード本体部
１０１の一部に屈曲部１０３を設けている。これによっ
て、リード本体部１０１とチップ搭載部１０２は、側面
から見て上に凸の形状となる。このとき、４本の各Ｌ字
状リード１０の外部接続端子となるリード本体部１０１
の底面は、同一平面上に位置している。また、屈曲部１
０２によって段違いに形成された各チップ搭載部１０２
の上面も同一平面上に位置するようになっている。
【００１９】上述のように構成された各Ｌ字状リード１
０の各チップ搭載部１０２の先端部上面に半導体チップ
２０の各表面電極（図１には図示せず）が整合され、金
属バンプ３０を介して直接接続されている。その結果、
半導体チップ２０は、フェースダウンにてＬ字状リード
１０のチップ搭載部１０２に搭載される。ここでバンプ
３０には、熱歪みにより疲労しにくいＰｂ−５％Ｓｎや
Ｐｄ−１％Ａｕ合金を用いる。なお、Ｐｂ−Ｓｎの替わ
りにＡｕを用いても良い。また、バンプ３０によるボン
ディングを良好に行うために、チップ搭載部１０２の上
面には金、銀または白金膜１０４による表面処理が行わ
れている。
０の各チップ搭載部１０２の先端部上面に半導体チップ
２０の各表面電極（図１には図示せず）が整合され、金
属バンプ３０を介して直接接続されている。その結果、
半導体チップ２０は、フェースダウンにてＬ字状リード
１０のチップ搭載部１０２に搭載される。ここでバンプ
３０には、熱歪みにより疲労しにくいＰｂ−５％Ｓｎや
Ｐｄ−１％Ａｕ合金を用いる。なお、Ｐｂ−Ｓｎの替わ
りにＡｕを用いても良い。また、バンプ３０によるボン
ディングを良好に行うために、チップ搭載部１０２の上
面には金、銀または白金膜１０４による表面処理が行わ
れている。
【００２０】半導体チップ２０と各Ｌ字状リード１０の
チップ搭載部１０２および屈曲部１０３は、樹脂成形部
４０内に封止されている。ここで、樹脂成形部４０外部
に露出し外部接続端子となるリード本体部１０１には、
図示はしないが、半田メッキまたはＡｕメッキが施され
ている。また、樹脂成形部４０の底面は、外部接続端子
となるリード本体部１０１の裏面と一致しており、これ
によって安定した部品実装を可能にしている。
チップ搭載部１０２および屈曲部１０３は、樹脂成形部
４０内に封止されている。ここで、樹脂成形部４０外部
に露出し外部接続端子となるリード本体部１０１には、
図示はしないが、半田メッキまたはＡｕメッキが施され
ている。また、樹脂成形部４０の底面は、外部接続端子
となるリード本体部１０１の裏面と一致しており、これ
によって安定した部品実装を可能にしている。
【００２１】以上のような構成を有する半導体装置にお
いて、半導体装置の外部環境から半導体チップ２０まで
のリークパスは、少なくともＬ字状リード１０の屈曲部
１０３とチップ搭載部１０２の長さに相当する。したが
って、従来の半導体装置よりも長いリークパスを確保す
ることによって耐湿性を向上させることができる。ま
た、各チップ搭載部１０２は完全に樹脂成形部４０に内
蔵され、かつ各Ｌ字状リード１０の屈曲部１０３からチ
ップ搭載部１０２までが樹脂成形部４０で封止されてい
るので、バンプ３０による接続部の断線やＬ字状リード
１０の抜けを防止することができる。
いて、半導体装置の外部環境から半導体チップ２０まで
のリークパスは、少なくともＬ字状リード１０の屈曲部
１０３とチップ搭載部１０２の長さに相当する。したが
って、従来の半導体装置よりも長いリークパスを確保す
ることによって耐湿性を向上させることができる。ま
た、各チップ搭載部１０２は完全に樹脂成形部４０に内
蔵され、かつ各Ｌ字状リード１０の屈曲部１０３からチ
ップ搭載部１０２までが樹脂成形部４０で封止されてい
るので、バンプ３０による接続部の断線やＬ字状リード
１０の抜けを防止することができる。
【００２２】さらに、側面視凸状となるようにリード本
体部１０１とチップ搭載部１０２を段違いに形成し、半
導体チップ２０を各チップ搭載部１０２上面に搭載する
ようにしたので、Ｌ字状リード１０の屈曲部１０２を形
成する場合には、バンプ３０間距離、すなわち半導体チ
ップ２０の表面電極間距離にチップ搭載精度を考慮すれ
ばよい。したがって、樹脂成形部４０の平面寸法、特に
幅を半導体チップ２０の寸法に近づけることができ、半
導体装置を小型化することができる。しかも、樹脂成形
部４０の幅は外部接続端子（露出したリード本体部１０
１）間の距離より小さくすることができるので、部品実
装の際にプリント基板の実装面積を小さくできる。加え
て、図１（ａ）に示すように、半導体装置の同一側にお
いてＬ字状リード１０をチップ搭載部１０２が向かい合
うように配置したので、半導体チップ２０の表面電極距
離よりも広い任意の間隔で外部接続端子となるリード本
体部１０１を配置することができる。これによって、部
品実装時にリード１０間に半田ブリッジが生ずる確立を
低減できる。
体部１０１とチップ搭載部１０２を段違いに形成し、半
導体チップ２０を各チップ搭載部１０２上面に搭載する
ようにしたので、Ｌ字状リード１０の屈曲部１０２を形
成する場合には、バンプ３０間距離、すなわち半導体チ
ップ２０の表面電極間距離にチップ搭載精度を考慮すれ
ばよい。したがって、樹脂成形部４０の平面寸法、特に
幅を半導体チップ２０の寸法に近づけることができ、半
導体装置を小型化することができる。しかも、樹脂成形
部４０の幅は外部接続端子（露出したリード本体部１０
１）間の距離より小さくすることができるので、部品実
装の際にプリント基板の実装面積を小さくできる。加え
て、図１（ａ）に示すように、半導体装置の同一側にお
いてＬ字状リード１０をチップ搭載部１０２が向かい合
うように配置したので、半導体チップ２０の表面電極距
離よりも広い任意の間隔で外部接続端子となるリード本
体部１０１を配置することができる。これによって、部
品実装時にリード１０間に半田ブリッジが生ずる確立を
低減できる。
【００２３】次に、本発明の第２の実施の形態を図３を
参照して説明する。図３は本実施の形態にかかる半導体
装置の構成を示す図である。本実施の形態にかかる半導
体装置は、上述した第１の実施の形態と基本的な構成は
同じであるので、共通な部材および構成については説明
を省略する。本実施の形態にかかる半導体装置の特徴
は、特に図３（ａ）の平面図に示すように、各Ｌ字状リ
ード５０のチップ搭載部５０２が、リード本体部５０１
との接続部分にリード本体部５０１に沿って切り込み５
０４を有し、かつ各リード本体部５０２はこの切り込み
５０４から曲げられて屈曲部５０３を形成していること
にある。上述のように切り込み５０４、屈曲部５０３を
設けても、半導体装置の同じ側に配置されたＬ字状リー
ド５０のリード本体部５０１の間隔は半導体チップ２０
のバンプ３０間距離よりも大きいので、チップ搭載部５
０２と半導体チップ２０との接続には影響を与えない。
参照して説明する。図３は本実施の形態にかかる半導体
装置の構成を示す図である。本実施の形態にかかる半導
体装置は、上述した第１の実施の形態と基本的な構成は
同じであるので、共通な部材および構成については説明
を省略する。本実施の形態にかかる半導体装置の特徴
は、特に図３（ａ）の平面図に示すように、各Ｌ字状リ
ード５０のチップ搭載部５０２が、リード本体部５０１
との接続部分にリード本体部５０１に沿って切り込み５
０４を有し、かつ各リード本体部５０２はこの切り込み
５０４から曲げられて屈曲部５０３を形成していること
にある。上述のように切り込み５０４、屈曲部５０３を
設けても、半導体装置の同じ側に配置されたＬ字状リー
ド５０のリード本体部５０１の間隔は半導体チップ２０
のバンプ３０間距離よりも大きいので、チップ搭載部５
０２と半導体チップ２０との接続には影響を与えない。
【００２４】本実施の形態にかかる半導体装置において
は、リード本体部５０１の屈曲部５０２は、上述した第
１の実施の形態にかかる半導体装置よりもさらに半導体
装置の内側、すなわち長手方向の中心線よりに形成する
ことができるので、樹脂成形部６０の平面寸法、特に幅
をより一層半導体チップ２０の寸法に近づけることがで
きる。換言するならば、半導体装置の小型化を図ること
ができる。
は、リード本体部５０１の屈曲部５０２は、上述した第
１の実施の形態にかかる半導体装置よりもさらに半導体
装置の内側、すなわち長手方向の中心線よりに形成する
ことができるので、樹脂成形部６０の平面寸法、特に幅
をより一層半導体チップ２０の寸法に近づけることがで
きる。換言するならば、半導体装置の小型化を図ること
ができる。
【００２５】次に本発明の第３の実施の形態として、第
１の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法につい
て、図４、図５を参照して説明する。ここで図４は、リ
ードフレームを説明するための図である。また、図５
は、図１に示した半導体装置の製造工程を説明する図で
あって、（１ａ）〜（４ａ）および（１ｂ）〜（４ｂ）
は、各製造工程を図１（ａ）の平面図および図２の斜視
図に示す半導体装置のＡ−ＡおよびＣ−Ｃにおける断面
において説明するものである。
１の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法につい
て、図４、図５を参照して説明する。ここで図４は、リ
ードフレームを説明するための図である。また、図５
は、図１に示した半導体装置の製造工程を説明する図で
あって、（１ａ）〜（４ａ）および（１ｂ）〜（４ｂ）
は、各製造工程を図１（ａ）の平面図および図２の斜視
図に示す半導体装置のＡ−ＡおよびＣ−Ｃにおける断面
において説明するものである。
【００２６】本実施の形態にかかる半導体装置の製造方
法においては、所定形状のリードフレーム１００を形成
する。ここでリードフレーム１００は、図４に示すよう
に、２本の並行な外枠１１０の内側に複数のＬ字状リー
ド１０を設けたものである。各Ｌ字状リード１０は、リ
ード本体部１０１およびチップ搭載部１０２から構成さ
れ、各チップ搭載部１０２は各リード本体部１０１と実
質的に直角に設けられている。また、同一の外枠１１０
に設けられた２本のＬ字状リード１０は、チップ搭載部
１０２の辺が０．１ｍｍの間隔で向かい合うように設け
られている。このようなリードフレーム１００は、板厚
０．１〜０．２ｍｍの銅板をエッチングまたはプレスに
よって打ち抜くことによって得ることができる。また、
プレス加工する代わりに上記銅板をレーザー加工するこ
とによっても得ることができる。以下、リードフレーム
外枠１１０の長手方向をＸ軸、短辺方向をＹ軸、上面方
向をＺ軸として説明する。
法においては、所定形状のリードフレーム１００を形成
する。ここでリードフレーム１００は、図４に示すよう
に、２本の並行な外枠１１０の内側に複数のＬ字状リー
ド１０を設けたものである。各Ｌ字状リード１０は、リ
ード本体部１０１およびチップ搭載部１０２から構成さ
れ、各チップ搭載部１０２は各リード本体部１０１と実
質的に直角に設けられている。また、同一の外枠１１０
に設けられた２本のＬ字状リード１０は、チップ搭載部
１０２の辺が０．１ｍｍの間隔で向かい合うように設け
られている。このようなリードフレーム１００は、板厚
０．１〜０．２ｍｍの銅板をエッチングまたはプレスに
よって打ち抜くことによって得ることができる。また、
プレス加工する代わりに上記銅板をレーザー加工するこ
とによっても得ることができる。以下、リードフレーム
外枠１１０の長手方向をＸ軸、短辺方向をＹ軸、上面方
向をＺ軸として説明する。
【００２７】上述のようなリードフレーム１００の各チ
ップ搭載部１０２上面に厚さ５〜８μｍの銀メッキ１０
４を施した後、各リード本体部１０１のチップ搭載部１
０２に近い部分に屈曲部１０３を形成する（図５（１
ａ），（１ｂ））。本実施の形態においては、リード本
体部１０１およびチップ搭載部１０２からなるＬ字状リ
ード１０の厚さを０．１〜０．２ｍｍとし、屈曲部１０
３は、約４５°の角度で形成される。このような屈曲部
１０３は、リードフレーム１００を位置合わせしたうえ
でＬ字状リード１０の先端部分をプレス加工することに
よって形成する。その結果、各チップ搭載部１０２がリ
ードフレーム１００の表側にリードフレーム１００の板
厚分凸になる。また、各チップ搭載部１０２の辺の間
は、互いに約０．１ｍｍの間隔で配置される。
ップ搭載部１０２上面に厚さ５〜８μｍの銀メッキ１０
４を施した後、各リード本体部１０１のチップ搭載部１
０２に近い部分に屈曲部１０３を形成する（図５（１
ａ），（１ｂ））。本実施の形態においては、リード本
体部１０１およびチップ搭載部１０２からなるＬ字状リ
ード１０の厚さを０．１〜０．２ｍｍとし、屈曲部１０
３は、約４５°の角度で形成される。このような屈曲部
１０３は、リードフレーム１００を位置合わせしたうえ
でＬ字状リード１０の先端部分をプレス加工することに
よって形成する。その結果、各チップ搭載部１０２がリ
ードフレーム１００の表側にリードフレーム１００の板
厚分凸になる。また、各チップ搭載部１０２の辺の間
は、互いに約０．１ｍｍの間隔で配置される。
【００２８】このように屈曲部１０３を形成し、チップ
搭載部１０２をリードフレーム１００と段違いに配置し
た後、各チップ搭載部１０２の先端部分に半導体チップ
２０を超音波併用熱圧着法または熱圧着法によって直接
バンプ接続する（図５（２ａ），（２ｂ）、図６）。こ
こで半導体チップ２０は、平面形状が一辺０．５１ｍｍ
の正方形、厚さが０．２ｍｍで、その表面の四隅に図５
には図示しない表面電極が形成されている。半導体チッ
プ２０の各表面電極には、予めＡｕワイヤーを用いた超
音波ボンディング法により、直径０．１ｍｍ、厚さ０．
０４ｍｍのＡｕボールバンプ３０が形成されている。な
お、バンプ３０は、例えばＰｂ−Ｓｎなどの半田バンプ
をメッキ法や蒸着法によって形成することもできる。
搭載部１０２をリードフレーム１００と段違いに配置し
た後、各チップ搭載部１０２の先端部分に半導体チップ
２０を超音波併用熱圧着法または熱圧着法によって直接
バンプ接続する（図５（２ａ），（２ｂ）、図６）。こ
こで半導体チップ２０は、平面形状が一辺０．５１ｍｍ
の正方形、厚さが０．２ｍｍで、その表面の四隅に図５
には図示しない表面電極が形成されている。半導体チッ
プ２０の各表面電極には、予めＡｕワイヤーを用いた超
音波ボンディング法により、直径０．１ｍｍ、厚さ０．
０４ｍｍのＡｕボールバンプ３０が形成されている。な
お、バンプ３０は、例えばＰｂ−Ｓｎなどの半田バンプ
をメッキ法や蒸着法によって形成することもできる。
【００２９】バンプ接続する際には、支持台７２によっ
て支持された各チップ搭載部１０２の先端部分付近を３
５０〜３７０℃で加熱すると同時に、上述のような半導
体チップ２０をフェースダウンに支持した角錐コレット
７１に超音波を印可しながら、チップ搭載部１０２先端
部分とバンプ３０との整合を取って加圧して接続する。
なお、コレット７１の中央には吸引口７１ａが設けられ
ている（図５（２ｂ））。ここで、半導体チップ２０を
搭載するチップ搭載部１０２は、バンプ３０間距離に対
して半導体チップ２０の搭載位置精度を考慮すればよ
い。したがって、上に凸の階段状に形成されたリード本
体部１０１の屈曲部１０３間の間隔は、半導体チップ２
０の平面寸法ではなく、バンプ３０の間隔に基づいて決
定することができる（図５（２ａ））。
て支持された各チップ搭載部１０２の先端部分付近を３
５０〜３７０℃で加熱すると同時に、上述のような半導
体チップ２０をフェースダウンに支持した角錐コレット
７１に超音波を印可しながら、チップ搭載部１０２先端
部分とバンプ３０との整合を取って加圧して接続する。
なお、コレット７１の中央には吸引口７１ａが設けられ
ている（図５（２ｂ））。ここで、半導体チップ２０を
搭載するチップ搭載部１０２は、バンプ３０間距離に対
して半導体チップ２０の搭載位置精度を考慮すればよ
い。したがって、上に凸の階段状に形成されたリード本
体部１０１の屈曲部１０３間の間隔は、半導体チップ２
０の平面寸法ではなく、バンプ３０の間隔に基づいて決
定することができる（図５（２ａ））。
【００３０】また、従来例２や従来例３では、平坦な支
持台を用いてチップ搭載部を支持するのに対し、リード
フレームが屈曲部を有する場合は支持台の一部を凸状に
する必要がある。このように支持台が凸部を有する場
合、支持台の凸部とチップ搭載部との位置合わせが困難
になったり、リードフレームが支持台に接触した際に加
熱温度が低下し、良好な接着強度が得られない場合が生
じる。しかし、本実施の形態においては、各リード１０
をＬ字状に形成し、かつ、リードフレーム１００の同一
側に形成されたＬ字状リード１０は、チップ搭載部１０
２が向かい合うように配置されているので、図５（２
ａ）および図６に示すように、リード本体部１０１間の
隙間を利用して、リードフレーム短辺方向、すなわちＹ
軸方向の幅がチップ搭載部１０２よりも広い支持台７２
を使用することができる。このように熱圧着に使う支持
台７２の幅をチップ搭載部より広くすることによって、
チップ搭載部１０２を支持台７２に載置する際にはリー
ドフレーム短辺方向の余裕ができ、その結果、バンプ接
続工程における位置合わせが容易になる。また、支持台
７２の熱容量を大きくできるので、加熱圧着時の加熱温
度低下を低減することができる。
持台を用いてチップ搭載部を支持するのに対し、リード
フレームが屈曲部を有する場合は支持台の一部を凸状に
する必要がある。このように支持台が凸部を有する場
合、支持台の凸部とチップ搭載部との位置合わせが困難
になったり、リードフレームが支持台に接触した際に加
熱温度が低下し、良好な接着強度が得られない場合が生
じる。しかし、本実施の形態においては、各リード１０
をＬ字状に形成し、かつ、リードフレーム１００の同一
側に形成されたＬ字状リード１０は、チップ搭載部１０
２が向かい合うように配置されているので、図５（２
ａ）および図６に示すように、リード本体部１０１間の
隙間を利用して、リードフレーム短辺方向、すなわちＹ
軸方向の幅がチップ搭載部１０２よりも広い支持台７２
を使用することができる。このように熱圧着に使う支持
台７２の幅をチップ搭載部より広くすることによって、
チップ搭載部１０２を支持台７２に載置する際にはリー
ドフレーム短辺方向の余裕ができ、その結果、バンプ接
続工程における位置合わせが容易になる。また、支持台
７２の熱容量を大きくできるので、加熱圧着時の加熱温
度低下を低減することができる。
【００３１】また、リードフレーム１００の外枠１１０
からバンプ３０までのリードが長く、さらにリードをＬ
字状に形成することでＸ，Ｙ軸方向の振動や衝撃、ある
いは熱的なストレスを吸収することができる。また、屈
曲部１０３を設けることにより、Ｙ軸とＺ軸方向の振動
や衝撃、あるいは熱的なストレスを吸収することができ
る。したがって、製造工程中に生ずる機械的、熱的スト
レスがバンプ３０に集中することを避けることができ、
バンプ３０の接続強度を安定して維持できる。加えて、
各チップ搭載部１０２の上面に金、銀または白金メッキ
１０４による表面処理を施したことによって、半導体チ
ップ２０とチップ搭載部１０２とは十分な接合強度を得
ることができる。
からバンプ３０までのリードが長く、さらにリードをＬ
字状に形成することでＸ，Ｙ軸方向の振動や衝撃、ある
いは熱的なストレスを吸収することができる。また、屈
曲部１０３を設けることにより、Ｙ軸とＺ軸方向の振動
や衝撃、あるいは熱的なストレスを吸収することができ
る。したがって、製造工程中に生ずる機械的、熱的スト
レスがバンプ３０に集中することを避けることができ、
バンプ３０の接続強度を安定して維持できる。加えて、
各チップ搭載部１０２の上面に金、銀または白金メッキ
１０４による表面処理を施したことによって、半導体チ
ップ２０とチップ搭載部１０２とは十分な接合強度を得
ることができる。
【００３２】リードフレーム１００にバンプ３０を介し
て半導体チップ２０を接続した後、半導体チップ２０お
よび各Ｌ字状リード１０のチップ搭載部１０２を熱硬化
性樹脂で封止し、成形部４０を形成する。本実施の形態
においては、樹脂封止を、樹脂成形部４０に相当するキ
ャビティを有する第１の封入金型８１とキャビティを持
たない第２の封入金型８２を用いたトランスファーモー
ルド法によって行う（図５（３ａ），（３ｂ））。すな
わち、第１の封入金型８１のキャビティ内に半導体チッ
プ２０および各リード本体部１０１の屈曲部１０３が入
るように位置決めをして、第１，第２の封入金型８１，
８２を閉じ、１７０〜１９０℃に加熱した封入金型８
１，８２内に熱硬化性樹脂を注入する。このとき、成形
部４０の幅を決めるのは、半導体チップ２０の平面寸法
および屈曲部１０３の間隔である。本実施の形態におい
ては、すでに述べたように、半導体チップ２０の平面寸
法ではなく、バンプ３０間の距離に対応してリードフレ
ーム１００の屈曲部１０３の間隔を決定した。したがっ
て、成形部４０の幅を半導体チップ２０の平面寸法に近
づけることができる。
て半導体チップ２０を接続した後、半導体チップ２０お
よび各Ｌ字状リード１０のチップ搭載部１０２を熱硬化
性樹脂で封止し、成形部４０を形成する。本実施の形態
においては、樹脂封止を、樹脂成形部４０に相当するキ
ャビティを有する第１の封入金型８１とキャビティを持
たない第２の封入金型８２を用いたトランスファーモー
ルド法によって行う（図５（３ａ），（３ｂ））。すな
わち、第１の封入金型８１のキャビティ内に半導体チッ
プ２０および各リード本体部１０１の屈曲部１０３が入
るように位置決めをして、第１，第２の封入金型８１，
８２を閉じ、１７０〜１９０℃に加熱した封入金型８
１，８２内に熱硬化性樹脂を注入する。このとき、成形
部４０の幅を決めるのは、半導体チップ２０の平面寸法
および屈曲部１０３の間隔である。本実施の形態におい
ては、すでに述べたように、半導体チップ２０の平面寸
法ではなく、バンプ３０間の距離に対応してリードフレ
ーム１００の屈曲部１０３の間隔を決定した。したがっ
て、成形部４０の幅を半導体チップ２０の平面寸法に近
づけることができる。
【００３３】上述のようにして成形部４０を形成した
後、外部に露出した各リード本体部１０１に半田メッキ
またはＡｕメッキを施す。そして、図５（４ａ）に示す
ように、各リード本体部１０１を樹脂成形部４０の近傍
のｄ−ｄにおいて切断し、外部接続端子となる部分を残
して半導体装置をリードフレーム１００から切り離す。
リード本体部１０１の切断には、切断金型やレーザ等を
用いることができる。
後、外部に露出した各リード本体部１０１に半田メッキ
またはＡｕメッキを施す。そして、図５（４ａ）に示す
ように、各リード本体部１０１を樹脂成形部４０の近傍
のｄ−ｄにおいて切断し、外部接続端子となる部分を残
して半導体装置をリードフレーム１００から切り離す。
リード本体部１０１の切断には、切断金型やレーザ等を
用いることができる。
【００３４】以上のような方法によって、小型・薄型の
半導体装置を製造することができる。また、耐湿性が高
く、かつ断線やリードの抜けの少ない半導体装置を製造
することができる。
半導体装置を製造することができる。また、耐湿性が高
く、かつ断線やリードの抜けの少ない半導体装置を製造
することができる。
【００３５】
【発明の効果】本発明にかかる半導体装置によれば、リ
ードがＸ，Ｙ，Ｚ方向に屈曲しているのでバンプに伝わ
るストレスを軽減することができる。具体的には、リー
ドをＬ字状に形成することでＸ，Ｙ軸方向の振動や衝
撃、あるいは熱的なストレスを吸収することができ、ま
た、Ｌ字状リードに屈曲部を設けることにより、Ｙ軸と
Ｚ軸方向の振動や衝撃、あるいは熱的なストレスを吸収
することができる。したがって、製造工程中に生ずる機
械的、熱的ストレスがバンプに集中することを避けるこ
とができ、バンプの接続強度を安定して維持できる。ま
た、リード本体部とチップ搭載部がＬ字状を形成してお
り、しかも、チップ搭載部が成形材内部で半導体装置の
長手方向の中心線に並行に配置されているので、リード
の抜けや半導体チップとの剥離を防止することができ
る。この結果、半導体装置の接続不良を大幅に低減でき
る。
ードがＸ，Ｙ，Ｚ方向に屈曲しているのでバンプに伝わ
るストレスを軽減することができる。具体的には、リー
ドをＬ字状に形成することでＸ，Ｙ軸方向の振動や衝
撃、あるいは熱的なストレスを吸収することができ、ま
た、Ｌ字状リードに屈曲部を設けることにより、Ｙ軸と
Ｚ軸方向の振動や衝撃、あるいは熱的なストレスを吸収
することができる。したがって、製造工程中に生ずる機
械的、熱的ストレスがバンプに集中することを避けるこ
とができ、バンプの接続強度を安定して維持できる。ま
た、リード本体部とチップ搭載部がＬ字状を形成してお
り、しかも、チップ搭載部が成形材内部で半導体装置の
長手方向の中心線に並行に配置されているので、リード
の抜けや半導体チップとの剥離を防止することができ
る。この結果、半導体装置の接続不良を大幅に低減でき
る。
【００３６】また、側面視上に凸の階段状の屈曲部を有
することから、外部環境からのリークパスを従来よりも
長くすることができ、半導体装置の耐湿性を確保するこ
とができる。さらに、半導体チップが上に凸に形成され
たチップ搭載部上面に直接接続されるので、半導体チッ
プの搭載位置精度を半導体チップの平面寸法よりも小さ
いバンプに対して考慮すればよい。したがって、半導体
装置の成形材の平面寸法を半導体チップの寸法に近づけ
ることができ、部品実装の際にプリント基板上での実装
面積を小さくできる。また、Ｌ字状リードによってバン
プ間距離が小さくなった場合でも、隣り合うリードが半
田ブリッジによって短絡されることを防止することがで
きる。
することから、外部環境からのリークパスを従来よりも
長くすることができ、半導体装置の耐湿性を確保するこ
とができる。さらに、半導体チップが上に凸に形成され
たチップ搭載部上面に直接接続されるので、半導体チッ
プの搭載位置精度を半導体チップの平面寸法よりも小さ
いバンプに対して考慮すればよい。したがって、半導体
装置の成形材の平面寸法を半導体チップの寸法に近づけ
ることができ、部品実装の際にプリント基板上での実装
面積を小さくできる。また、Ｌ字状リードによってバン
プ間距離が小さくなった場合でも、隣り合うリードが半
田ブリッジによって短絡されることを防止することがで
きる。
【００３７】また、本発明によれば、チップ搭載部にリ
ード本体部に沿って切り込みを設けることによって屈曲
部の間隔をさらに小さくすることができる。したがっ
て、半導体装置の平面寸法、特に成形材の幅を半導体チ
ップの寸法により近づけることができる。その結果、プ
リント基板上における実装面積を小さくできる。また、
本発明にかかる半導体装置によれば、成形材の底面と成
形材から露出するリード本体部の裏面の高さを一致させ
ているので、より安定した実装ができる。
ード本体部に沿って切り込みを設けることによって屈曲
部の間隔をさらに小さくすることができる。したがっ
て、半導体装置の平面寸法、特に成形材の幅を半導体チ
ップの寸法により近づけることができる。その結果、プ
リント基板上における実装面積を小さくできる。また、
本発明にかかる半導体装置によれば、成形材の底面と成
形材から露出するリード本体部の裏面の高さを一致させ
ているので、より安定した実装ができる。
【００３８】また、本発明にかかるリードフレームによ
れば、半導体装置の製造工程においてバンプに伝わるス
トレスを軽減することができる。したがって、バンプの
接続強度を安定して維持できる。
れば、半導体装置の製造工程においてバンプに伝わるス
トレスを軽減することができる。したがって、バンプの
接続強度を安定して維持できる。
【００３９】また、本発明にかかる半導体装置の製造工
程によれば、製造工程においてバンプに伝わるストレス
を軽減することができるので、バンプの接続強度を安定
して維持することができ、かつ耐湿性が高く、断線やリ
ードの抜けの少ない小型・薄型の半導体装置を製造する
ことができる。また、樹脂封止後、リードを折り曲げる
工程がないので、リード本体部のコプラナリティが向上
するとともに、曲げ加工によるストレスが加わらないの
で、樹脂にクラックが入ったり、隙間ができて耐湿性を
低下させることもない。
程によれば、製造工程においてバンプに伝わるストレス
を軽減することができるので、バンプの接続強度を安定
して維持することができ、かつ耐湿性が高く、断線やリ
ードの抜けの少ない小型・薄型の半導体装置を製造する
ことができる。また、樹脂封止後、リードを折り曲げる
工程がないので、リード本体部のコプラナリティが向上
するとともに、曲げ加工によるストレスが加わらないの
で、樹脂にクラックが入ったり、隙間ができて耐湿性を
低下させることもない。
【００４０】さらに、本発明にかかる半導体装置の製造
工程においては、リードをＬ字状に形成することで、屈
曲部を有するリードフレームであっても、熱圧着に使う
支持台のリードフレーム短辺方向の幅をチップ搭載部よ
り広くすることができる。このため、チップ搭載部を支
持台に載置する際にリードフレーム短辺方向の余裕がで
き、バンプ接続工程におけるリードフレームと支持台と
の位置合わせが容易になる。また、バンプの加熱圧着時
にリードフレームが支持台に接触した際の加熱温度の低
下を少なくすることができ、良好な接着強度が得られ
る。
工程においては、リードをＬ字状に形成することで、屈
曲部を有するリードフレームであっても、熱圧着に使う
支持台のリードフレーム短辺方向の幅をチップ搭載部よ
り広くすることができる。このため、チップ搭載部を支
持台に載置する際にリードフレーム短辺方向の余裕がで
き、バンプ接続工程におけるリードフレームと支持台と
の位置合わせが容易になる。また、バンプの加熱圧着時
にリードフレームが支持台に接触した際の加熱温度の低
下を少なくすることができ、良好な接着強度が得られ
る。
【図１】 本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装
置の構成を示す図である。
置の構成を示す図である。
【図２】 本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装
置の斜視図である。
置の斜視図である。
【図３】 本発明の第２の実施の形態にかかる半導体装
置の構成を示す図である。
置の構成を示す図である。
【図４】 本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装
置に用いるリードフレームを示す図である。
置に用いるリードフレームを示す図である。
【図５】 本発明の第３の実施の形態にかかる半導体装
置の製造方法を説明する図である。
置の製造方法を説明する図である。
【図６】 本発明の第３の実施の形態にかかる半導体装
置の製造方法におけるバンプ接続工程を説明する図であ
る。
置の製造方法におけるバンプ接続工程を説明する図であ
る。
【図７】 従来の半導体ＩＣ装置のリードフレームとそ
の断面図である。
の断面図である。
１０、５０…Ｌ字状リード、２０…半導体チップ、３０
…バンプ、４０、６０…成形部、７１…コレット、７１
ａ…吸引口、７２…支持台、８１、８２…封入金型、１
０１、５０１…リード本体部、１０２、５０２…チップ
搭載部、１０３、５０３…屈曲部、１０４…銀メッキ、
１００…リードフレーム、１１０…外枠、５０４…切り
込み。
…バンプ、４０、６０…成形部、７１…コレット、７１
ａ…吸引口、７２…支持台、８１、８２…封入金型、１
０１、５０１…リード本体部、１０２、５０２…チップ
搭載部、１０３、５０３…屈曲部、１０４…銀メッキ、
１００…リードフレーム、１１０…外枠、５０４…切り
込み。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 21/60
Claims (5)
- 【請求項１】 複数のリードを有し、各リードの一端が
バンプによって半導体チップと固定された半導体装置に
おいて、 前記リードの一端から他端に至る経路は３次元方向に屈
曲し、 前記リードの３次元方向の屈曲部が前記半導体チップお
よび前記リードを封止する成形材の内部に形成されてい
ることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載された半導体装置におい
て、 前記リードの一端から他端に至る経路の少なくとも一部
に切り込み部を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２のいずれかに記
載された半導体装置において、 前記成形材の底面と前記成形材から露出する前記リード
本体部の裏面の高さを一致させたことを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項４】 リード本体部および前記リード本体部と
実質的に直角に設けられたチップ搭載部からなる複数の
Ｌ字状リードが二本の並行な外枠の内側に設けられ、 前記外枠の同じ側に設けられた前記Ｌ字状リードは、 前記リード本体部に接続された前記チップ搭載部が同一
平面上で互いに向かい合うように配置されたリードフレ
ームを形成する工程と、 各Ｌ字状リードのリード本体部のチップ搭載部に近い部
分に側面から見て凸の階段状となる屈曲部を成形する工
程と、 前記屈曲部によって前記各リード本体部と段違いに配置
された前記各チップ搭載部をリードフレーム短辺方向の
幅が前記チップ搭載部よりも広い支持台の上に載置して
加熱し、予めバンプが形成された半導体チップを前記各
チップ搭載部の先端部上面に整合し接合する工程と、 前記半導体チップとともに前記各Ｌ字状リードの前記各
チップ搭載部および各リード本体部の屈曲部までを封止
し成形部を設ける工程と、 前記成形部近傍で前記リードを切断する工程とからなる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４に記載された半導体装置の製造
方法において、 前記半導体チップを前記各チップ搭載部の先端部上面に
整合し接合する際に、前記チップ搭載部をリードフレー
ム短辺方向の幅が前記チップ搭載部よりも広い支持台の
上に載置して加熱するようにしたことを特徴とする半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9103192A JP3022393B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 半導体装置およびリードフレームならびに半導体装置の製造方法 |
| US09/063,055 US6084310A (en) | 1997-04-21 | 1998-04-21 | Semiconductor device, lead frame, and lead bonding |
| CN98101704A CN1107349C (zh) | 1997-04-21 | 1998-04-21 | 一种半导体器件引线框架及引线接合法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9103192A JP3022393B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 半導体装置およびリードフレームならびに半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294411A JPH10294411A (ja) | 1998-11-04 |
| JP3022393B2 true JP3022393B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=14347661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9103192A Expired - Lifetime JP3022393B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 半導体装置およびリードフレームならびに半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6084310A (ja) |
| JP (1) | JP3022393B2 (ja) |
| CN (1) | CN1107349C (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MY122101A (en) * | 1997-03-28 | 2006-03-31 | Rohm Co Ltd | Lead frame and semiconductor device made by using it |
| US6143981A (en) | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package |
| KR20000057810A (ko) | 1999-01-28 | 2000-09-25 | 가나이 쓰토무 | 반도체 장치 |
| US7042068B2 (en) | 2000-04-27 | 2006-05-09 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe and semiconductor package made using the leadframe |
| JP2002026044A (ja) * | 2000-07-05 | 2002-01-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| US6545345B1 (en) | 2001-03-20 | 2003-04-08 | Amkor Technology, Inc. | Mounting for a package containing a chip |
| KR100393448B1 (ko) * | 2001-03-27 | 2003-08-02 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
| US6603196B2 (en) * | 2001-03-28 | 2003-08-05 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Leadframe-based semiconductor package for multi-media card |
| US6597059B1 (en) | 2001-04-04 | 2003-07-22 | Amkor Technology, Inc. | Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package |
| US6608366B1 (en) | 2002-04-15 | 2003-08-19 | Harry J. Fogelson | Lead frame with plated end leads |
| SG109495A1 (en) * | 2002-04-16 | 2005-03-30 | Micron Technology Inc | Semiconductor packages with leadfame grid arrays and components and methods for making the same |
| US7723210B2 (en) | 2002-11-08 | 2010-05-25 | Amkor Technology, Inc. | Direct-write wafer level chip scale package |
| US6905914B1 (en) | 2002-11-08 | 2005-06-14 | Amkor Technology, Inc. | Wafer level package and fabrication method |
| US6798047B1 (en) | 2002-12-26 | 2004-09-28 | Amkor Technology, Inc. | Pre-molded leadframe |
| US6750545B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-06-15 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package capable of die stacking |
| US6794740B1 (en) | 2003-03-13 | 2004-09-21 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe package for semiconductor devices |
| US7572681B1 (en) | 2005-12-08 | 2009-08-11 | Amkor Technology, Inc. | Embedded electronic component package |
| DE102006008632B4 (de) * | 2006-02-21 | 2007-11-15 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US7902660B1 (en) | 2006-05-24 | 2011-03-08 | Amkor Technology, Inc. | Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7968998B1 (en) | 2006-06-21 | 2011-06-28 | Amkor Technology, Inc. | Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package |
| JP5060172B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2012-10-31 | 岩谷産業株式会社 | 半導体発光装置 |
| JP5056327B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2012-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US8269324B2 (en) * | 2008-07-11 | 2012-09-18 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with chip on lead |
| US8796561B1 (en) | 2009-10-05 | 2014-08-05 | Amkor Technology, Inc. | Fan out build up substrate stackable package and method |
| US8937381B1 (en) | 2009-12-03 | 2015-01-20 | Amkor Technology, Inc. | Thin stackable package and method |
| US9691734B1 (en) | 2009-12-07 | 2017-06-27 | Amkor Technology, Inc. | Method of forming a plurality of electronic component packages |
| US8324511B1 (en) | 2010-04-06 | 2012-12-04 | Amkor Technology, Inc. | Through via nub reveal method and structure |
| US8294276B1 (en) | 2010-05-27 | 2012-10-23 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device and fabricating method thereof |
| US8440554B1 (en) | 2010-08-02 | 2013-05-14 | Amkor Technology, Inc. | Through via connected backside embedded circuit features structure and method |
| US8487445B1 (en) | 2010-10-05 | 2013-07-16 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer |
| US8791501B1 (en) | 2010-12-03 | 2014-07-29 | Amkor Technology, Inc. | Integrated passive device structure and method |
| US8390130B1 (en) | 2011-01-06 | 2013-03-05 | Amkor Technology, Inc. | Through via recessed reveal structure and method |
| US8426255B2 (en) * | 2011-09-14 | 2013-04-23 | Chipmos Technologies, Inc. | Chip package structure and method for manufacturing the same |
| CN102347305B (zh) * | 2011-10-24 | 2013-04-17 | 上海凯虹科技电子有限公司 | 引线框架的阵列结构 |
| US8552548B1 (en) | 2011-11-29 | 2013-10-08 | Amkor Technology, Inc. | Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device |
| US9048298B1 (en) | 2012-03-29 | 2015-06-02 | Amkor Technology, Inc. | Backside warpage control structure and fabrication method |
| US9129943B1 (en) | 2012-03-29 | 2015-09-08 | Amkor Technology, Inc. | Embedded component package and fabrication method |
| DE112015000183B4 (de) * | 2014-04-30 | 2022-05-05 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitermodul und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US9355945B1 (en) * | 2015-09-02 | 2016-05-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device with heat-dissipating lead frame |
| US11742265B2 (en) * | 2019-10-22 | 2023-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Exposed heat-generating devices |
| CN112117250B (zh) * | 2020-09-07 | 2022-07-01 | 矽磐微电子(重庆)有限公司 | 芯片封装结构及其制作方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2654035B2 (ja) * | 1987-11-14 | 1997-09-17 | 松下電工株式会社 | 半導体ｉｃ装置 |
| US5229329A (en) * | 1991-02-28 | 1993-07-20 | Texas Instruments, Incorporated | Method of manufacturing insulated lead frame for integrated circuits |
| JPH05129473A (ja) * | 1991-11-06 | 1993-05-25 | Sony Corp | 樹脂封止表面実装型半導体装置 |
| KR0128251Y1 (ko) * | 1992-08-21 | 1998-10-15 | 문정환 | 리드 노출형 반도체 조립장치 |
| JPH06349890A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPH07201928A (ja) * | 1993-12-29 | 1995-08-04 | Nippon Steel Corp | フィルムキャリア及び半導体装置 |
| JPH09312367A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波半導体装置 |
| US5863805A (en) * | 1996-07-08 | 1999-01-26 | Industrial Technology Research Institute | Method of packaging semiconductor chips based on lead-on-chip (LOC) architecture |
| KR100216064B1 (ko) * | 1996-10-04 | 1999-08-16 | 윤종용 | 반도체 칩 패키지 |
-
1997
- 1997-04-21 JP JP9103192A patent/JP3022393B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-04-21 CN CN98101704A patent/CN1107349C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-21 US US09/063,055 patent/US6084310A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1197292A (zh) | 1998-10-28 |
| JPH10294411A (ja) | 1998-11-04 |
| CN1107349C (zh) | 2003-04-30 |
| US6084310A (en) | 2000-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080114 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090114 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100114 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| S533 | Written request for registration of change of name |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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