JP2003007954A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装
置の製造方法では高密度小型化を達成し、かつその底面
側で実装基板と接続する構造を実現するには困難であっ
た。 【解決手段】 外部電極となるランド電極をリード体で
設け、パッケージ底面領域内に第２のリード部４の底面
と第１のリード部３の底面とが配置されて２列配置のラ
ンド電極を構成してＬＧＡパッケージを構成する製法に
おいて、リードフレームの第１のリード部３に設けた認
識部５を用いて、金属細線接続の際の位置認識、位置合
わせを精度よく行うことができ、丸み形状のリードを有
したＬＧＡ型のリードフレームの位置認識精度が低下す
るというＬＧＡ型樹脂封止型半導体装置の製法上の課題
を解決できるものである。
置の製造方法では高密度小型化を達成し、かつその底面
側で実装基板と接続する構造を実現するには困難であっ
た。 【解決手段】 外部電極となるランド電極をリード体で
設け、パッケージ底面領域内に第２のリード部４の底面
と第１のリード部３の底面とが配置されて２列配置のラ
ンド電極を構成してＬＧＡパッケージを構成する製法に
おいて、リードフレームの第１のリード部３に設けた認
識部５を用いて、金属細線接続の際の位置認識、位置合
わせを精度よく行うことができ、丸み形状のリードを有
したＬＧＡ型のリードフレームの位置認識精度が低下す
るというＬＧＡ型樹脂封止型半導体装置の製法上の課題
を解決できるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに加えて、外部端子とな
るランド電極を備えたリードを有したリードフレームを
用い、ランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）を実現する
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
リードを備えたリードフレームに加えて、外部端子とな
るランド電極を備えたリードを有したリードフレームを
用い、ランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）を実現する
樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。
するリードフレームについて説明する。
【０００４】図６は、従来のリードフレームの構成を示
す平面図である。図６に示すように、従来のリードフレ
ームは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内
に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０
２と、ダイパッド部１０２を支持する吊りリード部１０
３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体
素子と金属細線等の接続手段により電気的接続するビー
ム状のインナーリード部１０４と、そのインナーリード
部１０４と連続して設けられ、外部端子との接続のため
のアウターリード部１０５と、アウターリード部１０５
どうしを連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めとなるタ
イバー部１０６とより構成されていた。
す平面図である。図６に示すように、従来のリードフレ
ームは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内
に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０
２と、ダイパッド部１０２を支持する吊りリード部１０
３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体
素子と金属細線等の接続手段により電気的接続するビー
ム状のインナーリード部１０４と、そのインナーリード
部１０４と連続して設けられ、外部端子との接続のため
のアウターリード部１０５と、アウターリード部１０５
どうしを連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めとなるタ
イバー部１０６とより構成されていた。
【０００５】なお、リードフレームは、図５に示した構
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されたものである。
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されたものである。
【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図７は、図６に示したリードフレームを用い
た樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
説明する。図７は、図６に示したリードフレームを用い
た樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【０００７】図７に示すように、リードフレームのダイ
パッド部１０２上に半導体素子１０７が搭載され、その
半導体素子１０７とインナーリード部１０４とが金属細
線１０８により電気的に接続されている。そしてダイパ
ッド部１０２上の半導体素子１０７、インナーリード部
１０４の外囲は封止樹脂１０９により封止されている。
封止樹脂１０９の側面からはアウターリード部１０５が
突出して設けられ、先端部はベンディングされている。
パッド部１０２上に半導体素子１０７が搭載され、その
半導体素子１０７とインナーリード部１０４とが金属細
線１０８により電気的に接続されている。そしてダイパ
ッド部１０２上の半導体素子１０７、インナーリード部
１０４の外囲は封止樹脂１０９により封止されている。
封止樹脂１０９の側面からはアウターリード部１０５が
突出して設けられ、先端部はベンディングされている。
【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図８に示すように、リードフレームのダイパッド部
１０２上に半導体素子１０７を接着剤により接合した後
（ダイボンド工程）、半導体素子１０７とインナーリー
ド部１０４の上面とを金属細線１０８により接続する
（ワイヤーボンド工程）。その後、半導体素子１０７の
外囲を封止するが、封止領域はリードフレームのタイバ
ー部１０６で包囲された領域内を封止樹脂１０９により
封止し、アウターリード部１０５を外部に突出させて封
止する（樹脂封止工程）。そしてタイバー部１０６で封
止樹脂１０９の境界部をカッティングし、各アウターリ
ード部１０５を分離し、フレーム枠１０１を除去すると
ともに、アウターリード部１０５の先端部をベンディン
グすることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図
７に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造すること
ができる。ここで図８において、破線で示した領域が封
止樹脂１０９で封止する領域である。
は、図８に示すように、リードフレームのダイパッド部
１０２上に半導体素子１０７を接着剤により接合した後
（ダイボンド工程）、半導体素子１０７とインナーリー
ド部１０４の上面とを金属細線１０８により接続する
（ワイヤーボンド工程）。その後、半導体素子１０７の
外囲を封止するが、封止領域はリードフレームのタイバ
ー部１０６で包囲された領域内を封止樹脂１０９により
封止し、アウターリード部１０５を外部に突出させて封
止する（樹脂封止工程）。そしてタイバー部１０６で封
止樹脂１０９の境界部をカッティングし、各アウターリ
ード部１０５を分離し、フレーム枠１０１を除去すると
ともに、アウターリード部１０５の先端部をベンディン
グすることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図
７に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造すること
ができる。ここで図８において、破線で示した領域が封
止樹脂１０９で封止する領域である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームタイプの樹脂封止型半導体装置では、半導
体素子が高集積化し、多ピンとなった場合、インナーリ
ード部（アウターリード部）の幅の形成には限界があ
り、多ピンに対応しようとする場合は、インナーリード
部（アウターリード部）の数が多くなるため、リードフ
レーム自体が大きくなり、結果として樹脂封止型半導体
装置も大きくなり、要望される小型、薄型の樹脂封止型
半導体装置は実現できないという課題があった。また、
半導体素子の多ピン対応としてリードフレームのサイズ
を変更せず、インナーリード部を増加させる場合は、１
本当たりのインナーリード部の幅を細くしなければなら
ず、リードフレーム形成のエッチング等の加工で課題が
多くなってしまう。
ードフレームタイプの樹脂封止型半導体装置では、半導
体素子が高集積化し、多ピンとなった場合、インナーリ
ード部（アウターリード部）の幅の形成には限界があ
り、多ピンに対応しようとする場合は、インナーリード
部（アウターリード部）の数が多くなるため、リードフ
レーム自体が大きくなり、結果として樹脂封止型半導体
装置も大きくなり、要望される小型、薄型の樹脂封止型
半導体装置は実現できないという課題があった。また、
半導体素子の多ピン対応としてリードフレームのサイズ
を変更せず、インナーリード部を増加させる場合は、１
本当たりのインナーリード部の幅を細くしなければなら
ず、リードフレーム形成のエッチング等の加工で課題が
多くなってしまう。
【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極（ボール電極、ランド電極）を設け
たキャリア（配線基板）上に半導体素子を搭載し、電気
的接続を行った後、そのキャリアの上面を樹脂封止した
半導体装置であるボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）
タイプやランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）タイプの
半導体装置がある。このタイプの半導体装置はその底面
側でマザー基板と実装する半導体装置であり、今後、こ
のような面実装タイプの半導体装置が主流になりつつあ
る。したがって、このような動向に対応するには、従来
のリードフレーム、そのリードフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置では、対応できないという大きな課題が
顕在化してきている。
て、底面に外部電極（ボール電極、ランド電極）を設け
たキャリア（配線基板）上に半導体素子を搭載し、電気
的接続を行った後、そのキャリアの上面を樹脂封止した
半導体装置であるボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）
タイプやランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）タイプの
半導体装置がある。このタイプの半導体装置はその底面
側でマザー基板と実装する半導体装置であり、今後、こ
のような面実装タイプの半導体装置が主流になりつつあ
る。したがって、このような動向に対応するには、従来
のリードフレーム、そのリードフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置では、対応できないという大きな課題が
顕在化してきている。
【００１１】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるリードフレームタイプの
樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
半導体装置の動向に対応できるリードフレームタイプの
樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッ
ド部を支持した吊りリード部と、先端部が各々、前記ダ
イパッド部に対向して配置された複数の第１のリード部
と、前記第１のリード部よりも長く延在して先端部が各
々、前記ダイパッド部に対向して配置された複数の第２
のリード部とよりなり、少なくとも前記第１のリード部
の表面には、直線で形成された少なくとも二辺よりなる
角部で認識部が形成されているリードフレームを用意す
る工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッ
ド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド
部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッド
と、前記リードフレームの第１のリード部、第２のリー
ド部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記
半導体素子、ダイパッド部、金属細線の領域を封止樹脂
により樹脂封止する工程と、よりなる樹脂封止型半導体
装置の製造方法であって、前記ダイパッド部上に搭載し
た前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リード
フレームの第１のリード部、第２のリード部の各上面と
を金属細線により接続する工程では、前記第１のリード
部の表面に形成された角部による認識部でリードフレー
ムの位置合わせを行った後、金属細線で接続する樹脂封
止型半導体装置の製造方法である。
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッ
ド部を支持した吊りリード部と、先端部が各々、前記ダ
イパッド部に対向して配置された複数の第１のリード部
と、前記第１のリード部よりも長く延在して先端部が各
々、前記ダイパッド部に対向して配置された複数の第２
のリード部とよりなり、少なくとも前記第１のリード部
の表面には、直線で形成された少なくとも二辺よりなる
角部で認識部が形成されているリードフレームを用意す
る工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッ
ド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド
部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッド
と、前記リードフレームの第１のリード部、第２のリー
ド部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記
半導体素子、ダイパッド部、金属細線の領域を封止樹脂
により樹脂封止する工程と、よりなる樹脂封止型半導体
装置の製造方法であって、前記ダイパッド部上に搭載し
た前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リード
フレームの第１のリード部、第２のリード部の各上面と
を金属細線により接続する工程では、前記第１のリード
部の表面に形成された角部による認識部でリードフレー
ムの位置合わせを行った後、金属細線で接続する樹脂封
止型半導体装置の製造方法である。
【００１３】そして具体的には、リードフレームを用意
する工程では、第１のリード部、第２のリード部の平面
形状は全体的に丸みを帯びた形状であるリードフレーム
を用意する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
する工程では、第１のリード部、第２のリード部の平面
形状は全体的に丸みを帯びた形状であるリードフレーム
を用意する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００１４】また、ダイパッド部上に搭載した半導体素
子の主面上の電極パッドと、リードフレームの第１のリ
ード部、第２のリード部の各上面とを金属細線により接
続する工程では、前記第１のリード部の表面に形成され
た角部による認識部でリードフレームのＸ，Ｙ，θの位
置合わせを行った後、金属細線で接続する樹脂封止型半
導体装置の製造方法である。
子の主面上の電極パッドと、リードフレームの第１のリ
ード部、第２のリード部の各上面とを金属細線により接
続する工程では、前記第１のリード部の表面に形成され
た角部による認識部でリードフレームのＸ，Ｙ，θの位
置合わせを行った後、金属細線で接続する樹脂封止型半
導体装置の製造方法である。
【００１５】また、リードフレームを用意する工程で
は、第１のリード部の表面に形成された認識部はリード
フレーム面内で対角に位置する第１のリード部の表面に
形成されているリードフレームを用意する樹脂封止型半
導体装置の製造方法である。
は、第１のリード部の表面に形成された認識部はリード
フレーム面内で対角に位置する第１のリード部の表面に
形成されているリードフレームを用意する樹脂封止型半
導体装置の製造方法である。
【００１６】また、リードフレームとして、第１のリー
ド部の底面、第２のリード部の底面はランド電極を構成
し、平面配列で少なくとも２列を構成しているリードフ
レームを用意する樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
る。
ド部の底面、第２のリード部の底面はランド電極を構成
し、平面配列で少なくとも２列を構成しているリードフ
レームを用意する樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
る。
【００１７】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、外部電極となるランド電極を有し
た樹脂封止型半導体装置をリード体を用いて実現できる
ものであり、樹脂封止型半導体装置の底面、すなわちパ
ッケージ底面領域内には、第２のリード部の底面先端の
ランド部が配置され、そのランド部の外側には第１のリ
ード部の底面がランドとして配置されて２列配置の外部
端子を構成したＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型
パッケージを構成することができる。
体装置の製造方法は、外部電極となるランド電極を有し
た樹脂封止型半導体装置をリード体を用いて実現できる
ものであり、樹脂封止型半導体装置の底面、すなわちパ
ッケージ底面領域内には、第２のリード部の底面先端の
ランド部が配置され、そのランド部の外側には第１のリ
ード部の底面がランドとして配置されて２列配置の外部
端子を構成したＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型
パッケージを構成することができる。
【００１８】そしてさらに、リードフレームのリード部
の底面はランド部を構成するものであるため、その平面
形状は全体的に丸みを帯びた形状であり、その丸み形状
故にリードフレームの位置認識精度が低下するという新
規課題が発生するが、本発明では、リードフレームとし
て、第１のリード部の表面には、直線で形成された少な
くとも二辺よりなる角部で認識部が形成されているリー
ドフレームを用い、特にワイヤーボンド工程でのリード
部位置の認識、位置合わせの際には、その認識部でリー
ドフレームの位置合わせを行った後、金属細線で接続す
るものであり、角部のシャープな部分を用いて精度よく
位置認識、位置合わせが可能で、信頼性の高い金属細線
接続ができるものである。
の底面はランド部を構成するものであるため、その平面
形状は全体的に丸みを帯びた形状であり、その丸み形状
故にリードフレームの位置認識精度が低下するという新
規課題が発生するが、本発明では、リードフレームとし
て、第１のリード部の表面には、直線で形成された少な
くとも二辺よりなる角部で認識部が形成されているリー
ドフレームを用い、特にワイヤーボンド工程でのリード
部位置の認識、位置合わせの際には、その認識部でリー
ドフレームの位置合わせを行った後、金属細線で接続す
るものであり、角部のシャープな部分を用いて精度よく
位置認識、位置合わせが可能で、信頼性の高い金属細線
接続ができるものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置の製造方法の主とした実施形態について図面を参照
しながら説明する。
装置の製造方法の主とした実施形態について図面を参照
しながら説明する。
【００２０】まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置を
実現するリードフレームについて説明する。
実現するリードフレームについて説明する。
【００２１】図１は本実施形態のリードフレームを示す
平面図である。図２は本実施形態のリードフレームの一
つの第１のリード部分を示す図であり、図１の円内で示
される部分の拡大図を示し、図２（ａ）は平面図であ
り、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図で
ある。図３は図１のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
平面図である。図２は本実施形態のリードフレームの一
つの第１のリード部分を示す図であり、図１の円内で示
される部分の拡大図を示し、図２（ａ）は平面図であ
り、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図で
ある。図３は図１のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【００２２】図示するように、本実施形態で用いるリー
ドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常のリ
ードフレームに用いられている金属材よりなり、半導体
素子搭載用のダイパッド部１であって、中央部が半切断
プレスにより突出したスポットフロート構造のダイパッ
ド部１と、そのダイパッド部１を各角部で４点支持した
吊りリード部２と、先端部が各々、ダイパッド部１に対
向して配置された複数の第１のリード部３と、第１のリ
ード部３よりも長く延在して先端部が各々、ダイパッド
部１に対向して配置された複数の第２のリード部４とよ
りなり、各辺の第１のリード部の１つの表面には、直線
で形成された少なくとも二辺よりなる角部で認識部５が
形成されているリードフレームである。そして第１のリ
ード部３の底面、第２のリード部４の先端部底面はラン
ド電極を構成するものであり、それら第１のリード部、
第２のリード部の各ランド電極により平面配列で少なく
とも２列を構成しているリードフレームである。すなわ
ち、リードフレームの第１のリード部３と第２のリード
部４は、フレーム枠と接続した状態では交互配列の並列
配置となっており、ダイパッド部１に対向する配置にお
いては、第２のリード部４の先端部が第１のリード部３
の先端部よりもダイパッド部１側に延在し、それら先端
部どうしは平面配置上、千鳥状に配置されているもので
ある。この配置は、半導体素子を搭載し、樹脂封止した
際には、パッケージ底面に２列の外部端子が千鳥状に配
置されるようにしたものであり、ランドリードの第１の
リード部３の底面、第２のリード部４の先端部底面がパ
ッケージ底面に配置されるものである。
ドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常のリ
ードフレームに用いられている金属材よりなり、半導体
素子搭載用のダイパッド部１であって、中央部が半切断
プレスにより突出したスポットフロート構造のダイパッ
ド部１と、そのダイパッド部１を各角部で４点支持した
吊りリード部２と、先端部が各々、ダイパッド部１に対
向して配置された複数の第１のリード部３と、第１のリ
ード部３よりも長く延在して先端部が各々、ダイパッド
部１に対向して配置された複数の第２のリード部４とよ
りなり、各辺の第１のリード部の１つの表面には、直線
で形成された少なくとも二辺よりなる角部で認識部５が
形成されているリードフレームである。そして第１のリ
ード部３の底面、第２のリード部４の先端部底面はラン
ド電極を構成するものであり、それら第１のリード部、
第２のリード部の各ランド電極により平面配列で少なく
とも２列を構成しているリードフレームである。すなわ
ち、リードフレームの第１のリード部３と第２のリード
部４は、フレーム枠と接続した状態では交互配列の並列
配置となっており、ダイパッド部１に対向する配置にお
いては、第２のリード部４の先端部が第１のリード部３
の先端部よりもダイパッド部１側に延在し、それら先端
部どうしは平面配置上、千鳥状に配置されているもので
ある。この配置は、半導体素子を搭載し、樹脂封止した
際には、パッケージ底面に２列の外部端子が千鳥状に配
置されるようにしたものであり、ランドリードの第１の
リード部３の底面、第２のリード部４の先端部底面がパ
ッケージ底面に配置されるものである。
【００２３】またダイパッド部１にはその表面の略中央
部分に円形の突出部１ａが設けられ、その突出部１ａ
は、ダイパッド部１を構成している平板に対してプレス
加工により半切断状態のプレスを施し、上方に突出させ
たものである。この突出部１ａが実質的に半導体素子を
支持する部分となり、半導体素子を搭載した際、ダイパ
ッド部１の突出部１ａを除く表面と半導体素子裏面との
間には間隙が形成されるよう構成されている。
部分に円形の突出部１ａが設けられ、その突出部１ａ
は、ダイパッド部１を構成している平板に対してプレス
加工により半切断状態のプレスを施し、上方に突出させ
たものである。この突出部１ａが実質的に半導体素子を
支持する部分となり、半導体素子を搭載した際、ダイパ
ッド部１の突出部１ａを除く表面と半導体素子裏面との
間には間隙が形成されるよう構成されている。
【００２４】また図２に示すように、第１のリード部３
の先端部はハーフエッチ等によって薄厚部が形成され、
この薄厚部で構成されたリード表面に認識部５が形成さ
れているものである。したがって認識部５は表面エリア
に形成されているため、リード底面のランド電極に対し
て影響を及ぼすことはない。また第１のリード部３の底
面のランドは図２（ａ）の破線で示した丸みを帯びた形
状である。また図３に示すように、第２のリード部４は
ランド電極を構成する先端部以外はハーフエッチによる
薄厚部から構成されている。
の先端部はハーフエッチ等によって薄厚部が形成され、
この薄厚部で構成されたリード表面に認識部５が形成さ
れているものである。したがって認識部５は表面エリア
に形成されているため、リード底面のランド電極に対し
て影響を及ぼすことはない。また第１のリード部３の底
面のランドは図２（ａ）の破線で示した丸みを帯びた形
状である。また図３に示すように、第２のリード部４は
ランド電極を構成する先端部以外はハーフエッチによる
薄厚部から構成されている。
【００２５】なお、本実施形態において、図１では４つ
の認識部５がそれぞれ各辺の第１のリード部３の１つの
表面に形成されているが、各辺に少なくとも１つ認識部
を設けてもよく、またリードフレーム面内で対角に位置
する各第１のリード部３の表面に設けたり、場合によっ
ては第１のリード部３の表面に設けてもよい。
の認識部５がそれぞれ各辺の第１のリード部３の１つの
表面に形成されているが、各辺に少なくとも１つ認識部
を設けてもよく、またリードフレーム面内で対角に位置
する各第１のリード部３の表面に設けたり、場合によっ
ては第１のリード部３の表面に設けてもよい。
【００２６】さらに、第１のリード部３、第２のリード
部４の数は、搭載する半導体素子のピン数などにより、
その数を適宜設定できるものである。また本実施形態の
リードフレームはその表面がメッキ処理されたものであ
り、必要に応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウ
ム（Ｐｄ）および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適
宜メッキされているものである。また本実施形態のリー
ドフレームは図１に示したようなパターンが１つよりな
るものではなく、左右・上下に連続して形成できるもの
である。また認識部に対して、孔を設けて認識精度を高
めるようにしてもよい。
部４の数は、搭載する半導体素子のピン数などにより、
その数を適宜設定できるものである。また本実施形態の
リードフレームはその表面がメッキ処理されたものであ
り、必要に応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウ
ム（Ｐｄ）および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適
宜メッキされているものである。また本実施形態のリー
ドフレームは図１に示したようなパターンが１つよりな
るものではなく、左右・上下に連続して形成できるもの
である。また認識部に対して、孔を設けて認識精度を高
めるようにしてもよい。
【００２７】次に本実形態のリードフレームを用いた樹
脂封止型半導体装置について説明する。
脂封止型半導体装置について説明する。
【００２８】図４は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は底
面図、図４（ｃ）図４（ｂ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図で
ある。
を示す図であり、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は底
面図、図４（ｃ）図４（ｂ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図で
ある。
【００２９】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、表
面に突出部１ａを有したダイパッド部１と、そのダイパ
ッド部１の突出部１ａ上に銀ペースト等の導電性接着剤
（図示せず）を介して搭載された半導体素子６と、底面
が露出した第１のリード部３と、第１のリード部３の先
端部領域よりもダイパッド部１側に延在して配置され、
その先端部の底面が露出してランド電極を構成する第２
のリード部４と、半導体素子６の主面の電極パッド（図
示せず）と第１のリード部３、第２のリード部４の表面
のボンディングパッド部とを電気的に接続した金属細線
７と、ダイパッド部１の底面を除く領域、搭載された半
導体素子６、第１のリード部３の底面を除く領域、第２
のリード部４の外部側面と底面とを除く領域、および金
属細線７を封止した封止樹脂８とよりなるものである。
そして封止樹脂８よりなるパッケージ部より露出した第
２のリード部４の先端部底面と、第１のリード部３の外
部側面と底面とは、プリント基板等の実装基板への実装
の際、外部電極を構成するランド電極を構成しており、
第１のリード部３の底面とその先端部領域の第２のリー
ド部４の先端部底面とが露出して千鳥状の２列ランド構
成を有しているものである。そしてランド電極は封止樹
脂８より露出しているが、２０［μｍ］程度の段差を有
して突出して露出しているものであり、基板実装時のス
タンドオフを有しているものである。同様にダイパッド
部１の底面も突出して露出しているものであり、基板実
装時はハンダ接合により放熱効率を向上させることがで
きる。さらに、ダイパッド部１の底面には、表面の突出
部１ａに対応した凹部が形成されており、これは突出部
１ａをダイパッド部１の上面にプレス加工による半切断
状態で形成しているため、その突出量分の凹部が対応し
て底面に形成されているものである。本実施形態では、
２００［μｍ］の金属板よりなるダイパッド部１（リー
ドフレーム厚）の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８
０［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出した突出部１ａを形成している。
面に突出部１ａを有したダイパッド部１と、そのダイパ
ッド部１の突出部１ａ上に銀ペースト等の導電性接着剤
（図示せず）を介して搭載された半導体素子６と、底面
が露出した第１のリード部３と、第１のリード部３の先
端部領域よりもダイパッド部１側に延在して配置され、
その先端部の底面が露出してランド電極を構成する第２
のリード部４と、半導体素子６の主面の電極パッド（図
示せず）と第１のリード部３、第２のリード部４の表面
のボンディングパッド部とを電気的に接続した金属細線
７と、ダイパッド部１の底面を除く領域、搭載された半
導体素子６、第１のリード部３の底面を除く領域、第２
のリード部４の外部側面と底面とを除く領域、および金
属細線７を封止した封止樹脂８とよりなるものである。
そして封止樹脂８よりなるパッケージ部より露出した第
２のリード部４の先端部底面と、第１のリード部３の外
部側面と底面とは、プリント基板等の実装基板への実装
の際、外部電極を構成するランド電極を構成しており、
第１のリード部３の底面とその先端部領域の第２のリー
ド部４の先端部底面とが露出して千鳥状の２列ランド構
成を有しているものである。そしてランド電極は封止樹
脂８より露出しているが、２０［μｍ］程度の段差を有
して突出して露出しているものであり、基板実装時のス
タンドオフを有しているものである。同様にダイパッド
部１の底面も突出して露出しているものであり、基板実
装時はハンダ接合により放熱効率を向上させることがで
きる。さらに、ダイパッド部１の底面には、表面の突出
部１ａに対応した凹部が形成されており、これは突出部
１ａをダイパッド部１の上面にプレス加工による半切断
状態で形成しているため、その突出量分の凹部が対応し
て底面に形成されているものである。本実施形態では、
２００［μｍ］の金属板よりなるダイパッド部１（リー
ドフレーム厚）の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８
０［μｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０
［％］）突出した突出部１ａを形成している。
【００３０】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、図示していないが、用いているリードフレームの特
質上、少なくとも１つの第１のリード部の表面には位置
合わせで用いる角を有した認識部を有しているものであ
る。
は、図示していないが、用いているリードフレームの特
質上、少なくとも１つの第１のリード部の表面には位置
合わせで用いる角を有した認識部を有しているものであ
る。
【００３１】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂８に封止された第２のリード部４の先端
部、第１のリード部３の先端部の上面の面積が、封止樹
脂８から露出、突出した側のランド電極側の面積よりも
大きく構成されており、封止樹脂８との食いつきを良好
にし、密着性を向上させることができ、基板実装の際の
接続の信頼性を得ることができるものである。
は、封止樹脂８に封止された第２のリード部４の先端
部、第１のリード部３の先端部の上面の面積が、封止樹
脂８から露出、突出した側のランド電極側の面積よりも
大きく構成されており、封止樹脂８との食いつきを良好
にし、密着性を向上させることができ、基板実装の際の
接続の信頼性を得ることができるものである。
【００３２】以上のように、本実施形態の樹脂封止型半
導体装置は、パッケージ底面には、第２のリード部４の
ランド電極の底面が配置され、そのランド電極の外側に
は第１のリード部３の底面であるランド電極が配置され
て千鳥状の２列配置の外部端子を構成するものであり、
ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケージを構
成することができる。
導体装置は、パッケージ底面には、第２のリード部４の
ランド電極の底面が配置され、そのランド電極の外側に
は第１のリード部３の底面であるランド電極が配置され
て千鳥状の２列配置の外部端子を構成するものであり、
ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケージを構
成することができる。
【００３３】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図５は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を
示す工程ごとの断面図である。なお、本実施形態では、
図１，図２，図３に示したようなリードフレームを用い
てＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置を製造する形態を説
明する。また本実施形態では便宜的に第１のリード部，
第２のリード部の断面を併記した図を用いて説明する。
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図５は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を
示す工程ごとの断面図である。なお、本実施形態では、
図１，図２，図３に示したようなリードフレームを用い
てＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置を製造する形態を説
明する。また本実施形態では便宜的に第１のリード部，
第２のリード部の断面を併記した図を用いて説明する。
【００３４】まず図５（ａ）に示すように、半導体素子
搭載用のダイパッド部１と、ダイパッド部１を支持した
吊りリード部と、先端部が各々、ダイパッド部１に対向
して配置された複数の第１のリード部３と、第１のリー
ド部３よりも長く延在して先端部が各々、ダイパッド部
１に対向して配置された複数の第２のリード部４とより
なり、少なくとも第１のリード部の表面には、直線で形
成された少なくとも二辺よりなる角部で認識部が形成さ
れているリードフレームを用意する。
搭載用のダイパッド部１と、ダイパッド部１を支持した
吊りリード部と、先端部が各々、ダイパッド部１に対向
して配置された複数の第１のリード部３と、第１のリー
ド部３よりも長く延在して先端部が各々、ダイパッド部
１に対向して配置された複数の第２のリード部４とより
なり、少なくとも第１のリード部の表面には、直線で形
成された少なくとも二辺よりなる角部で認識部が形成さ
れているリードフレームを用意する。
【００３５】そして図５（ｂ）に示すように、用意した
リードフレームのダイパッド部１の突出部１ａ上に接着
剤を介して半導体素子６を接着搭載する。
リードフレームのダイパッド部１の突出部１ａ上に接着
剤を介して半導体素子６を接着搭載する。
【００３６】そして図５（ｃ）に示すように、ダイパッ
ド部１上に搭載した半導体素子６の主面上の電極パッド
と、リードフレームの第１のリード部３、第２のリード
部４の各上面とを金属細線７により接続する。ここで本
実施形態では第１のリード部３の表面には角部による認
識部が設けられているので、その第１のリード部３の表
面に形成された角部による認識部でリードフレームの
Ｘ，Ｙ，θのズレを補正し、位置合わせを行った後、金
属細線７で接続する。本実施形態で用いるＬＧＡ用のリ
ードフレームの第１のリード部３，第２のリード部４の
形状は、全体的に丸みを帯びた平面形状であり、その丸
み形状故にリードフレームの位置認識精度が低下する恐
れがあるが、本実施形態ではリードフレームとして、第
１のリード部の表面には、直線で形成された少なくとも
二辺よりなる角部で認識部が形成されているリードフレ
ームを用い、特にワイヤーボンド工程でのリード部位置
の認識、位置合わせの際には、その認識部でリードフレ
ームの位置合わせを行った後、金属細線で接続するもの
であり、角部のシャープな部分を用いて精度よく位置認
識、位置合わせが可能で、信頼性の高い金属細線接続が
できるものである。
ド部１上に搭載した半導体素子６の主面上の電極パッド
と、リードフレームの第１のリード部３、第２のリード
部４の各上面とを金属細線７により接続する。ここで本
実施形態では第１のリード部３の表面には角部による認
識部が設けられているので、その第１のリード部３の表
面に形成された角部による認識部でリードフレームの
Ｘ，Ｙ，θのズレを補正し、位置合わせを行った後、金
属細線７で接続する。本実施形態で用いるＬＧＡ用のリ
ードフレームの第１のリード部３，第２のリード部４の
形状は、全体的に丸みを帯びた平面形状であり、その丸
み形状故にリードフレームの位置認識精度が低下する恐
れがあるが、本実施形態ではリードフレームとして、第
１のリード部の表面には、直線で形成された少なくとも
二辺よりなる角部で認識部が形成されているリードフレ
ームを用い、特にワイヤーボンド工程でのリード部位置
の認識、位置合わせの際には、その認識部でリードフレ
ームの位置合わせを行った後、金属細線で接続するもの
であり、角部のシャープな部分を用いて精度よく位置認
識、位置合わせが可能で、信頼性の高い金属細線接続が
できるものである。
【００３７】そして図５（ｄ）に示すように、半導体素
子６、ダイパッド部１、金属細線７の領域を封止樹脂８
により樹脂封止し、第１のリード部３、第２のリード部
４などのリード加工と成形とを行うことにより、図４に
示したようなＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置を得るも
のである。
子６、ダイパッド部１、金属細線７の領域を封止樹脂８
により樹脂封止し、第１のリード部３、第２のリード部
４などのリード加工と成形とを行うことにより、図４に
示したようなＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置を得るも
のである。
【００３８】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法では、リードフレームの第１のリード部に設
けた認識部を用いて、特に金属細線で各リード部と半導
体素子とを接続する際の位置認識、位置合わせを精度よ
く行うことができ、丸み形状のリードを有したＬＧＡ型
のリードフレームの位置認識精度が低下するというＬＧ
Ａ型樹脂封止型半導体装置の製法上の新規課題を解決で
きるものである。
の製造方法では、リードフレームの第１のリード部に設
けた認識部を用いて、特に金属細線で各リード部と半導
体素子とを接続する際の位置認識、位置合わせを精度よ
く行うことができ、丸み形状のリードを有したＬＧＡ型
のリードフレームの位置認識精度が低下するというＬＧ
Ａ型樹脂封止型半導体装置の製法上の新規課題を解決で
きるものである。
【００３９】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法では、外部電極となるランド電極をリード体と
して設けたものであり、半導体素子を搭載し、金属細線
で半導体素子と各リードとを接続し、樹脂封止して樹脂
封止型半導体装置を構成した際、樹脂封止型半導体装置
の底面、すなわちパッケージ底面領域内には、第２のリ
ード部のランド部の底面が配置され、そのランド部の外
側には第１のリード部の底面が配置されて２列配置の外
部端子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリッ
ド・アレイ）型パッケージを構成することができる。ま
た本発明により、リードフレームの第１のリード部に設
けた認識部を用いて、特に金属細線で各リード部と半導
体素子とを接続する際の位置認識、位置合わせを精度よ
く行うことができ、丸み形状のリードを有したＬＧＡ型
のリードフレームの位置認識精度が低下するというＬＧ
Ａ型樹脂封止型半導体装置の製法上の課題を解決できる
ものである。
製造方法では、外部電極となるランド電極をリード体と
して設けたものであり、半導体素子を搭載し、金属細線
で半導体素子と各リードとを接続し、樹脂封止して樹脂
封止型半導体装置を構成した際、樹脂封止型半導体装置
の底面、すなわちパッケージ底面領域内には、第２のリ
ード部のランド部の底面が配置され、そのランド部の外
側には第１のリード部の底面が配置されて２列配置の外
部端子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリッ
ド・アレイ）型パッケージを構成することができる。ま
た本発明により、リードフレームの第１のリード部に設
けた認識部を用いて、特に金属細線で各リード部と半導
体素子とを接続する際の位置認識、位置合わせを精度よ
く行うことができ、丸み形状のリードを有したＬＧＡ型
のリードフレームの位置認識精度が低下するというＬＧ
Ａ型樹脂封止型半導体装置の製法上の課題を解決できる
ものである。
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
面図
【図２】本発明の一実施形態のリードフレームの一部を
示す図
示す図
【図３】本発明の一実施形態のリードフレームを示す断
面図
面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
示す図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図６】従来のリードフレームを示す平面図
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す
平面図
平面図
１ ダイパッド部
１ａ 突出部
２ 吊りリード部
３ 第１のリード部
４ 第２のリード部
５ 認識部
６ 半導体素子
７ 金属細線
８ 封止樹脂
１０１ フレーム枠
１０２ ダイパッド部
１０３ 吊りリード部
１０４ インナーリード部
１０５ アウターリード部
１０６ タイバー部
１０７ 半導体素子
１０８ 金属細線
１０９ 封止樹脂
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F067 AA01 AA06 AA07 AB04 BB01
BB02 BC06 BD05 BE02 DA16
DA17 DA18 DF04 DF07
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子搭載用のダイパッド部と、前
記ダイパッド部を支持した吊りリード部と、先端部が各
々、前記ダイパッド部に対向して配置された複数の第１
のリード部と、前記第１のリード部よりも長く延在して
先端部が各々、前記ダイパッド部に対向して配置された
複数の第２のリード部とよりなり、少なくとも前記第１
のリード部の表面には、直線で形成された少なくとも二
辺よりなる角部で認識部が形成されているリードフレー
ムを用意する工程と、 前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半
導体素子を搭載する工程と、 前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上
の電極パッドと、前記リードフレームの第１のリード
部、第２のリード部の各上面とを金属細線により接続す
る工程と、 前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線の領域を封止
樹脂により樹脂封止する工程と、よりなる樹脂封止型半
導体装置の製造方法であって、 前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上
の電極パッドと、前記リードフレームの第１のリード
部、第２のリード部の各上面とを金属細線により接続す
る工程では、前記第１のリード部の表面に形成された角
部による認識部でリードフレームの位置合わせを行った
後、金属細線で接続することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 リードフレームを用意する工程では、第
１のリード部、第２のリード部の平面形状は全体的に丸
みを帯びた形状であるリードフレームを用意することを
特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製
造方法。 - 【請求項３】 ダイパッド部上に搭載した半導体素子の
主面上の電極パッドと、リードフレームの第１のリード
部、第２のリード部の各上面とを金属細線により接続す
る工程では、前記第１のリード部の表面に形成された角
部による認識部でリードフレームのＸ，Ｙ，θの位置合
わせを行った後、金属細線で接続することを特徴とする
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 リードフレームを用意する工程では、第
１のリード部の表面に形成された認識部はリードフレー
ム面内で対角に位置する第１のリード部の表面に形成さ
れているリードフレームを用意することを特徴とする請
求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 リードフレームとして、第１のリード部
の底面、第２のリード部の底面はランド電極を構成し、
平面配列で少なくとも２列を構成しているリードフレー
ムを用意することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封
止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194118A JP2003007954A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194118A JP2003007954A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007954A true JP2003007954A (ja) | 2003-01-10 |
Family
ID=19032300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001194118A Pending JP2003007954A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003007954A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057067A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6977431B1 (en) * | 2003-11-05 | 2005-12-20 | Amkor Technology, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
| JP2006108306A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Yamaha Corp | リードフレームおよびそれを用いた半導体パッケージ |
| JP2013165285A (ja) * | 2013-04-18 | 2013-08-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
-
2001
- 2001-06-27 JP JP2001194118A patent/JP2003007954A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057067A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6977431B1 (en) * | 2003-11-05 | 2005-12-20 | Amkor Technology, Inc. | Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof |
| JP2006108306A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Yamaha Corp | リードフレームおよびそれを用いた半導体パッケージ |
| JP2013165285A (ja) * | 2013-04-18 | 2013-08-22 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
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