JP2003007953A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装
置では高密度小型化を達成し、かつその底面側で実装基
板と接続する構造を実現するには困難を極めていた。 【解決手段】 外部電極となるランド電極をリード体で
設け、樹脂封止型半導体装置を構成した際、パッケージ
底面領域内には、ランドリード部の底面とリード部５の
底面とが配置されて２列配置のランド電極を構成してＬ
ＧＡパッケージを構成している。そして懸念される金属
細線１４のロングワイヤー化に対しては、リード部５上
の接続位置をリード部５の先端部に設けた薄厚部５ａ上
に設定して金属細線１４で接続することにより、金属細
線１４の長さがより短くなり、樹脂封止時のワイヤー流
れ、ワイヤー垂れが起こりにくくなるため、樹脂封止型
半導体装置としての信頼性を保つことができる。
置では高密度小型化を達成し、かつその底面側で実装基
板と接続する構造を実現するには困難を極めていた。 【解決手段】 外部電極となるランド電極をリード体で
設け、樹脂封止型半導体装置を構成した際、パッケージ
底面領域内には、ランドリード部の底面とリード部５の
底面とが配置されて２列配置のランド電極を構成してＬ
ＧＡパッケージを構成している。そして懸念される金属
細線１４のロングワイヤー化に対しては、リード部５上
の接続位置をリード部５の先端部に設けた薄厚部５ａ上
に設定して金属細線１４で接続することにより、金属細
線１４の長さがより短くなり、樹脂封止時のワイヤー流
れ、ワイヤー垂れが起こりにくくなるため、樹脂封止型
半導体装置としての信頼性を保つことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに加えて、外部端子とな
るランド電極を備えたリードを有したリードフレームを
用い、ランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）型の樹脂封
止型半導体装置およびその製造方法に関するものであ
る。
リードを備えたリードフレームに加えて、外部端子とな
るランド電極を備えたリードを有したリードフレームを
用い、ランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）型の樹脂封
止型半導体装置およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。
するリードフレームについて説明する。
【０００４】図１７は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図１７に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０
１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部
１０２と、ダイパッド部１０２を支持する吊りリード部
１０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半
導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続する
ビーム状のインナーリード部１０４と、そのインナーリ
ード部１０４と連続して設けられ、外部端子との接続の
ためのアウターリード部１０５と、アウターリード部１
０５どうしを連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めとな
るタイバー部１０６とより構成されていた。
示す平面図である。図１７に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０
１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部
１０２と、ダイパッド部１０２を支持する吊りリード部
１０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半
導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続する
ビーム状のインナーリード部１０４と、そのインナーリ
ード部１０４と連続して設けられ、外部端子との接続の
ためのアウターリード部１０５と、アウターリード部１
０５どうしを連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めとな
るタイバー部１０６とより構成されていた。
【０００５】なお、リードフレームは、図１７に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。
【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図１８は、図１７に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
説明する。図１８は、図１７に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【０００７】図１８に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０７が搭載され、そ
の半導体素子１０７とインナーリード部１０４とが金属
細線１０８により電気的に接続されている。そしてダイ
パッド部１０２上の半導体素子１０７、インナーリード
部１０４の外囲は封止樹脂１０９により封止されてい
る。封止樹脂１０９の側面からはアウターリード部１０
５が突出して設けられ、先端部はベンディングされてい
る。
イパッド部１０２上に半導体素子１０７が搭載され、そ
の半導体素子１０７とインナーリード部１０４とが金属
細線１０８により電気的に接続されている。そしてダイ
パッド部１０２上の半導体素子１０７、インナーリード
部１０４の外囲は封止樹脂１０９により封止されてい
る。封止樹脂１０９の側面からはアウターリード部１０
５が突出して設けられ、先端部はベンディングされてい
る。
【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図１９に示すように、リードフレームのダイパッド
部１０２上に半導体素子１０７を接着剤により接合した
後（ダイボンド工程）、半導体素子１０７とインナーリ
ード部１０４の上面とを金属細線１０８により接続する
（ワイヤーボンド工程）。その後、半導体素子１０７の
外囲を封止するが、封止領域はリードフレームのタイバ
ー部１０６で包囲された領域内を封止樹脂１０９により
封止し、アウターリード部１０５を外部に突出させて封
止する（樹脂封止工程）。そしてタイバー部１０６で封
止樹脂１０９の境界部をカッティングし、各アウターリ
ード部１０５を分離し、フレーム枠１０１を除去すると
ともに、アウターリード部１０５の先端部をベンディン
グすることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図
１８に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造するこ
とができる。ここで図１９において、破線で示した領域
が封止樹脂１０９で封止する領域である。
は、図１９に示すように、リードフレームのダイパッド
部１０２上に半導体素子１０７を接着剤により接合した
後（ダイボンド工程）、半導体素子１０７とインナーリ
ード部１０４の上面とを金属細線１０８により接続する
（ワイヤーボンド工程）。その後、半導体素子１０７の
外囲を封止するが、封止領域はリードフレームのタイバ
ー部１０６で包囲された領域内を封止樹脂１０９により
封止し、アウターリード部１０５を外部に突出させて封
止する（樹脂封止工程）。そしてタイバー部１０６で封
止樹脂１０９の境界部をカッティングし、各アウターリ
ード部１０５を分離し、フレーム枠１０１を除去すると
ともに、アウターリード部１０５の先端部をベンディン
グすることにより（タイバーカット・ベンド工程）、図
１８に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造するこ
とができる。ここで図１９において、破線で示した領域
が封止樹脂１０９で封止する領域である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。
【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極（ボール電極、ランド電極）を設け
たキャリア（配線基板）上に半導体素子を搭載し、電気
的接続を行った後、そのキャリアの上面を樹脂封止した
半導体装置であるボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）
タイプやランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）タイプの
半導体装置がある。このタイプの半導体装置はその底面
側でマザー基板と実装する半導体装置であり、今後、こ
のような面実装タイプの半導体装置が主流になりつつあ
る。したがって、このような動向に対応するには、従来
のリードフレーム、そのリードフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置では、対応できないという大きな課題が
顕在化してきている。
て、底面に外部電極（ボール電極、ランド電極）を設け
たキャリア（配線基板）上に半導体素子を搭載し、電気
的接続を行った後、そのキャリアの上面を樹脂封止した
半導体装置であるボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）
タイプやランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）タイプの
半導体装置がある。このタイプの半導体装置はその底面
側でマザー基板と実装する半導体装置であり、今後、こ
のような面実装タイプの半導体装置が主流になりつつあ
る。したがって、このような動向に対応するには、従来
のリードフレーム、そのリードフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置では、対応できないという大きな課題が
顕在化してきている。
【００１１】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるリードフレームタイプの
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供するも
のであり、底面側で基板実装できる半導体装置をフレー
ム体を用いて構成することを目的とするものである。
半導体装置の動向に対応できるリードフレームタイプの
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供するも
のであり、底面側で基板実装できる半導体装置をフレー
ム体を用いて構成することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、上方に突
出した半導体素子搭載用の支持部を有したダイパッド部
と、前記ダイパッド部の各角部を支持した吊りリード部
と、前記ダイパッド部の支持部上に接着剤を介して搭載
された半導体素子と、薄厚の先端部が前記ダイパッド部
に対向して延在配列された第１のリード部と、その先端
部が前記第１のリード部の先端部領域よりも前記ダイパ
ッド部側に延在して配置された第２のリード部と、前記
半導体素子の電極と前記第１のリード部、前記第２のリ
ード部の上面とを接続した金属細線と、前記ダイパッド
部の底面を除く領域、吊りリード部、前記半導体素子、
前記第１のリード部の底面と末端部を除く領域、前記第
２のリード部の底面と末端部を除く領域、および金属細
線の接続領域を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型
半導体装置であって、金属細線は前記第１のリード部の
先端部の薄厚の部分上面に接続されている樹脂封止型半
導体装置である。
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、上方に突
出した半導体素子搭載用の支持部を有したダイパッド部
と、前記ダイパッド部の各角部を支持した吊りリード部
と、前記ダイパッド部の支持部上に接着剤を介して搭載
された半導体素子と、薄厚の先端部が前記ダイパッド部
に対向して延在配列された第１のリード部と、その先端
部が前記第１のリード部の先端部領域よりも前記ダイパ
ッド部側に延在して配置された第２のリード部と、前記
半導体素子の電極と前記第１のリード部、前記第２のリ
ード部の上面とを接続した金属細線と、前記ダイパッド
部の底面を除く領域、吊りリード部、前記半導体素子、
前記第１のリード部の底面と末端部を除く領域、前記第
２のリード部の底面と末端部を除く領域、および金属細
線の接続領域を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封止型
半導体装置であって、金属細線は前記第１のリード部の
先端部の薄厚の部分上面に接続されている樹脂封止型半
導体装置である。
【００１３】具体的には、第１のリード部と第２のリー
ド部の各末端部は封止樹脂の側面と略同一面に露出して
いる樹脂封止型半導体装置である。
ド部の各末端部は封止樹脂の側面と略同一面に露出して
いる樹脂封止型半導体装置である。
【００１４】また、第１のリード部の底面、第２のリー
ド部の底面はランド電極を構成し、封止樹脂の下面領域
において平面配列で少なくとも２列を構成している樹脂
封止型半導体装置である。
ド部の底面はランド電極を構成し、封止樹脂の下面領域
において平面配列で少なくとも２列を構成している樹脂
封止型半導体装置である。
【００１５】また、第１のリード部の先端部の薄厚の部
分の長手方向の長さは０．２［ｍｍ］である樹脂封止型
半導体装置。
分の長手方向の長さは０．２［ｍｍ］である樹脂封止型
半導体装置。
【００１６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッ
ド部を支持した吊りリード部と、先端部が各々、前記ダ
イパッド部に対向して配置された第１のリード部と、前
記第１のリード部よりも長く延在して先端部が各々、前
記ダイパッド部に対向して配置された第２のリード部と
よりなり、前記第１のリード部の先端部は薄厚で構成さ
れ、その薄厚部分が前記ダイパッド部に延在しているリ
ードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフ
レームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工
程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の
主面上の電極パッドと、前記リードフレームの第１のリ
ード部、第２のリード部の各上面とを金属細線により接
続する工程と、前記半導体素子、ダイパッド部、金属細
線の領域を封止樹脂により樹脂封止する工程とよりなる
樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記ダイパ
ッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッ
ドと、前記リードフレームの第１のリード部、第２のリ
ード部の各上面とを金属細線により接続する工程では、
前記第１のリード部の先端部の薄厚部分上面に金属細線
を接続する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
は、半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッ
ド部を支持した吊りリード部と、先端部が各々、前記ダ
イパッド部に対向して配置された第１のリード部と、前
記第１のリード部よりも長く延在して先端部が各々、前
記ダイパッド部に対向して配置された第２のリード部と
よりなり、前記第１のリード部の先端部は薄厚で構成さ
れ、その薄厚部分が前記ダイパッド部に延在しているリ
ードフレームを用意する工程と、前記用意したリードフ
レームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載する工
程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の
主面上の電極パッドと、前記リードフレームの第１のリ
ード部、第２のリード部の各上面とを金属細線により接
続する工程と、前記半導体素子、ダイパッド部、金属細
線の領域を封止樹脂により樹脂封止する工程とよりなる
樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記ダイパ
ッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッ
ドと、前記リードフレームの第１のリード部、第２のリ
ード部の各上面とを金属細線により接続する工程では、
前記第１のリード部の先端部の薄厚部分上面に金属細線
を接続する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００１７】また、金属板よりなるフレーム本体と、前
記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子
搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を
支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、少なくとも薄厚の先端部が前記ダイパッド部に向か
って延在し、他端部が前記フレーム枠と接続し、底面が
ランド電極となる第１のリード部と、前記第１のリード
部の先端部領域に延在してその先端部が配置され、他端
部が前記フレーム枠と接続し、底面がランド電極となる
第２のリード部とよりなり、前記第１のリード部の底面
のランド電極と前記第２のリード部の底面のランド電極
とで２列のランド電極を構成するリードフレームを用意
する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパ
ッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッ
ド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッド
と、前記リードフレームの第１のリード部、第２のリー
ド部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記
リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパ
ッド部、金属細線の領域を封止樹脂により片面樹脂封止
する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法で
あって、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子
の主面上の電極パッドと、前記リードフレームの第１の
リード部、第２のリード部の各上面とを金属細線により
接続する工程では、前記第１のリード部の薄厚の先端部
上面に金属細線を接続する樹脂封止型半導体装置の製造
方法である。
記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子
搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を
支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、少なくとも薄厚の先端部が前記ダイパッド部に向か
って延在し、他端部が前記フレーム枠と接続し、底面が
ランド電極となる第１のリード部と、前記第１のリード
部の先端部領域に延在してその先端部が配置され、他端
部が前記フレーム枠と接続し、底面がランド電極となる
第２のリード部とよりなり、前記第１のリード部の底面
のランド電極と前記第２のリード部の底面のランド電極
とで２列のランド電極を構成するリードフレームを用意
する工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパ
ッド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッ
ド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッド
と、前記リードフレームの第１のリード部、第２のリー
ド部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記
リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパ
ッド部、金属細線の領域を封止樹脂により片面樹脂封止
する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法で
あって、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子
の主面上の電極パッドと、前記リードフレームの第１の
リード部、第２のリード部の各上面とを金属細線により
接続する工程では、前記第１のリード部の薄厚の先端部
上面に金属細線を接続する樹脂封止型半導体装置の製造
方法である。
【００１８】そしてリードフレームを用意する工程にお
いて、第１のリード部の薄厚の先端部の長手方向の長さ
は０．２［ｍｍ］のリードフレームを用意する樹脂封止
型半導体装置の製造方法である。
いて、第１のリード部の薄厚の先端部の長手方向の長さ
は０．２［ｍｍ］のリードフレームを用意する樹脂封止
型半導体装置の製造方法である。
【００１９】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置は、概して、樹脂封止型半導体装置を構成した
際、その外部電極となるランド電極をリード体として設
けたものであり、半導体素子を搭載し、金属細線で半導
体素子と各リードとを接続し、樹脂封止して樹脂封止型
半導体装置を構成した際、樹脂封止型半導体装置の底
面、すなわちパッケージ底面領域内には、第２のリード
部のランド部の底面が配置され、そのランド部の外側に
は第１のリード部の底面が配置されて２列配置の外部端
子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・
アレイ）型パッケージを構成することができる。
体装置は、概して、樹脂封止型半導体装置を構成した
際、その外部電極となるランド電極をリード体として設
けたものであり、半導体素子を搭載し、金属細線で半導
体素子と各リードとを接続し、樹脂封止して樹脂封止型
半導体装置を構成した際、樹脂封止型半導体装置の底
面、すなわちパッケージ底面領域内には、第２のリード
部のランド部の底面が配置され、そのランド部の外側に
は第１のリード部の底面が配置されて２列配置の外部端
子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・
アレイ）型パッケージを構成することができる。
【００２０】またさらに、懸念される金属細線のロング
ワイヤー化に対しては、第１のリード上の接続位置をリ
ード部の先端部に設けた薄厚部上に設定して金属細線で
接続することにより、金属細線の長さがより短くなり、
樹脂封止時のワイヤー流れ、ワイヤー垂れが起こりにく
くなるため、樹脂封止型半導体装置としての信頼性を保
つことができるものである。また第１のリード部の先端
部をダイパッド部に延在させ、その先端部で金属細線に
より接続することにより、樹脂封止時の樹脂注入でワイ
ヤー流れが発生しても、金属細線どうしの近接を極力避
けて、隣接する第２のリード部と接続した金属細線との
接触も避けられるので、電気的接続の安定を図ることが
できる。
ワイヤー化に対しては、第１のリード上の接続位置をリ
ード部の先端部に設けた薄厚部上に設定して金属細線で
接続することにより、金属細線の長さがより短くなり、
樹脂封止時のワイヤー流れ、ワイヤー垂れが起こりにく
くなるため、樹脂封止型半導体装置としての信頼性を保
つことができるものである。また第１のリード部の先端
部をダイパッド部に延在させ、その先端部で金属細線に
より接続することにより、樹脂封止時の樹脂注入でワイ
ヤー流れが発生しても、金属細線どうしの近接を極力避
けて、隣接する第２のリード部と接続した金属細線との
接触も避けられるので、電気的接続の安定を図ることが
できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の主とした実施形態について図
面を参照しながら説明する。
装置およびその製造方法の主とした実施形態について図
面を参照しながら説明する。
【００２２】まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置を
実現するリードフレームについて説明する。
実現するリードフレームについて説明する。
【００２３】図１は本実施形態のリードフレームを示す
平面図である。図２は本実施形態のリードフレームのリ
ード部分を示す拡大図であり、図１における円内部分の
拡大図として、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）
は図２（ａ）のＡ−Ａ１、Ｂ−Ｂ１箇所の各断面図であ
る。なお、図１において、二点鎖線で示した領域は、本
実施形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載
し、樹脂封止する際の封止領域を示している。
平面図である。図２は本実施形態のリードフレームのリ
ード部分を示す拡大図であり、図１における円内部分の
拡大図として、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）
は図２（ａ）のＡ−Ａ１、Ｂ−Ｂ１箇所の各断面図であ
る。なお、図１において、二点鎖線で示した領域は、本
実施形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載
し、樹脂封止する際の封止領域を示している。
【００２４】図１，図２に示すように本実施形態のリー
ドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常のリ
ードフレームに用いられている金属板よりなり、半導体
素子を搭載するダイパッド部１と、その末端でフレーム
枠２と接続し、先端部でダイパッド部１の四隅角を支持
する吊りリード部３と、その先端部がダイパッド部１に
対向し、末端部がフレーム枠２と接続して配置された直
線状のランドリード部４（第２のリード部）と直線状の
リード部５（第１のリード部）とよりなるリードフレー
ムであり、ランドリード部４とリード部５はそれぞれそ
の底面で外部端子（ランド部）を構成するものであり、
リード部５はその底面に加えて外方側面でも外部端子と
して実装基板と接続できるものである。
ドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常のリ
ードフレームに用いられている金属板よりなり、半導体
素子を搭載するダイパッド部１と、その末端でフレーム
枠２と接続し、先端部でダイパッド部１の四隅角を支持
する吊りリード部３と、その先端部がダイパッド部１に
対向し、末端部がフレーム枠２と接続して配置された直
線状のランドリード部４（第２のリード部）と直線状の
リード部５（第１のリード部）とよりなるリードフレー
ムであり、ランドリード部４とリード部５はそれぞれそ
の底面で外部端子（ランド部）を構成するものであり、
リード部５はその底面に加えて外方側面でも外部端子と
して実装基板と接続できるものである。
【００２５】そして詳細には、ダイパッド部１にはその
表面の略中央部分に円形の突出部６が設けられ、その突
出部６は、ダイパッド部１を構成している平板に対して
プレス加工により半切断状態のプレスを施し、上方に突
出させたものである。この突出部６が実質的に半導体素
子を支持する部分となり、半導体素子を搭載した際、ダ
イパッド部１の突出部６を除く表面と半導体素子裏面と
の間には間隙が形成されるよう構成されている。またダ
イパッド部１の表面の突出部６を包囲する領域には溝部
７が設けられ、半導体素子を搭載し、樹脂封止した際に
封止樹脂がその溝部７に入り込むように設けられてい
る。本実施形態では溝部７は円形の環状の溝部７を設け
たものである。この溝部７により、ダイパッド部１の突
出部６上に接着剤により半導体素子を搭載し、樹脂封止
した際に封止樹脂がその溝部７に入り込むため、熱膨張
による応力でダイパッド部１の表面と封止樹脂との間に
樹脂剥離が発生しても、その剥離自体を溝部でトラップ
することができ、信頼性低下を防止することができるも
のである。もちろん、溝部７の構成としては、環状の構
成以外、部分的に溝部を連結した構成でもよく、その数
も２本以上の３本，４本、または１本でもよいが、ダイ
パッド部１の大きさと搭載する半導体素子の大きさによ
り設定することができる。
表面の略中央部分に円形の突出部６が設けられ、その突
出部６は、ダイパッド部１を構成している平板に対して
プレス加工により半切断状態のプレスを施し、上方に突
出させたものである。この突出部６が実質的に半導体素
子を支持する部分となり、半導体素子を搭載した際、ダ
イパッド部１の突出部６を除く表面と半導体素子裏面と
の間には間隙が形成されるよう構成されている。またダ
イパッド部１の表面の突出部６を包囲する領域には溝部
７が設けられ、半導体素子を搭載し、樹脂封止した際に
封止樹脂がその溝部７に入り込むように設けられてい
る。本実施形態では溝部７は円形の環状の溝部７を設け
たものである。この溝部７により、ダイパッド部１の突
出部６上に接着剤により半導体素子を搭載し、樹脂封止
した際に封止樹脂がその溝部７に入り込むため、熱膨張
による応力でダイパッド部１の表面と封止樹脂との間に
樹脂剥離が発生しても、その剥離自体を溝部でトラップ
することができ、信頼性低下を防止することができるも
のである。もちろん、溝部７の構成としては、環状の構
成以外、部分的に溝部を連結した構成でもよく、その数
も２本以上の３本，４本、または１本でもよいが、ダイ
パッド部１の大きさと搭載する半導体素子の大きさによ
り設定することができる。
【００２６】また、本実施形態のリードフレームのラン
ドリード部４とリード部５は、フレーム枠２と接続した
状態では交互配列の並列配置となっており、ダイパッド
部１に対向する配置においては、ランドリード部４の先
端部がリード部５の先端部よりもダイパッド部１側に延
在し、それら先端部どうしは平面配置上、千鳥状に配置
されているものである。この配置は、半導体素子を搭載
し、樹脂封止した際には、パッケージ底面に２列の外部
端子が千鳥状に配置されるようにしたものであり、ラン
ドリード部４の先端部底面とリード部５の底面とがパッ
ケージ底面に配置されるものである。そして特に図２に
示すように、ランドリード部４は直線形状のリードであ
り、その先端部の底面部分に外部端子となる先端部が曲
率を有したランド部８が形成されており、ランド部８を
形成する部分以外はハーフエッチ加工により厚みが薄く
加工され、ランド部８はリード本来の厚みを有するもの
である。
ドリード部４とリード部５は、フレーム枠２と接続した
状態では交互配列の並列配置となっており、ダイパッド
部１に対向する配置においては、ランドリード部４の先
端部がリード部５の先端部よりもダイパッド部１側に延
在し、それら先端部どうしは平面配置上、千鳥状に配置
されているものである。この配置は、半導体素子を搭載
し、樹脂封止した際には、パッケージ底面に２列の外部
端子が千鳥状に配置されるようにしたものであり、ラン
ドリード部４の先端部底面とリード部５の底面とがパッ
ケージ底面に配置されるものである。そして特に図２に
示すように、ランドリード部４は直線形状のリードであ
り、その先端部の底面部分に外部端子となる先端部が曲
率を有したランド部８が形成されており、ランド部８を
形成する部分以外はハーフエッチ加工により厚みが薄く
加工され、ランド部８はリード本来の厚みを有するもの
である。
【００２７】すなわちランドリード部４においてランド
部８は下方に突出した形状を有し、ランドリード部４自
体は上面が下面よりも広い面積を有している。なお図１
では、ランドリード部４の先端底面の破線で示した部分
がランド部８を示し、図２では格子状ハッチング領域が
ハーフエッチされている部分を示している。またリード
部５は同様に図２に示すように、その先端部の外周部分
がハーフエッチ加工により薄厚に加工され、先端部が幅
広部９を有し、その幅広部９の根本付近には溝部１０が
設けられている。また先端部の底面には先端部が曲率を
有した形状でランド部が形成されている。図１，図２に
おいてハッチングを付した部分が溝部１０である。本実
施形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載し、
樹脂封止した際、リード部５自体は底面と側面が露出さ
れる片面封止構成となるため、従来のようなフルモール
ドパッケージのリード部とは異なり、封止樹脂による応
力、基板実装後の応力がリード部に印加される場合があ
る。しかし、この溝部１０により、封止樹脂による応
力、基板実装後の応力によりリード部５自体に応力が印
加されても、溝部１０で応力を吸収できるものであり、
金属細線の接続部分の破壊を防止し、実装後の製品の信
頼性を維持できるものである。なお、ここでランドリー
ド部４のランド部８の表面領域、リード部５の幅広部９
は金属細線が接続されるボンディングパッドを構成する
ものである。
部８は下方に突出した形状を有し、ランドリード部４自
体は上面が下面よりも広い面積を有している。なお図１
では、ランドリード部４の先端底面の破線で示した部分
がランド部８を示し、図２では格子状ハッチング領域が
ハーフエッチされている部分を示している。またリード
部５は同様に図２に示すように、その先端部の外周部分
がハーフエッチ加工により薄厚に加工され、先端部が幅
広部９を有し、その幅広部９の根本付近には溝部１０が
設けられている。また先端部の底面には先端部が曲率を
有した形状でランド部が形成されている。図１，図２に
おいてハッチングを付した部分が溝部１０である。本実
施形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載し、
樹脂封止した際、リード部５自体は底面と側面が露出さ
れる片面封止構成となるため、従来のようなフルモール
ドパッケージのリード部とは異なり、封止樹脂による応
力、基板実装後の応力がリード部に印加される場合があ
る。しかし、この溝部１０により、封止樹脂による応
力、基板実装後の応力によりリード部５自体に応力が印
加されても、溝部１０で応力を吸収できるものであり、
金属細線の接続部分の破壊を防止し、実装後の製品の信
頼性を維持できるものである。なお、ここでランドリー
ド部４のランド部８の表面領域、リード部５の幅広部９
は金属細線が接続されるボンディングパッドを構成する
ものである。
【００２８】本実施形態のリードフレームは、ランドリ
ード部４、リード部５は互いに直線状のリードであっ
て、それら底面のランド部８を構成する部分は、先端部
が曲率を有した形状であり、また互いに直線状であるた
め、パッケージ配置において、ランド部８どうしは千鳥
状を構成するものである。
ード部４、リード部５は互いに直線状のリードであっ
て、それら底面のランド部８を構成する部分は、先端部
が曲率を有した形状であり、また互いに直線状であるた
め、パッケージ配置において、ランド部８どうしは千鳥
状を構成するものである。
【００２９】また、本実施形態のリードフレームのダイ
パッド部１の突出部６を包囲する領域に相当する底面に
は、矩形状の環状の溝部１１を設けている。この溝部１
１により、ダイパッド部１の底面にハンダ等の接合材料
を用いて基板実装した際、ハンダの余分な広がりを防止
し、実装精度を向上させるとともに、半導体素子からの
放熱作用によるダイパッド部１自体の応力を吸収できる
ものである。また本実施形態では溝部１１を１つとして
いるが、ダイパッド部１の底面の外周部近傍にも環状の
溝部を形成してもさらなる実装精度向上を達成できる。
さらに吊りリード部３にダミーランド部を設けたり、吊
りリード部３に屈曲部を設けてもよい。この場合、吊り
リード部３の屈曲によって上方に配置された面はダイパ
ッド部１の突出部６の面よりも低くなるように設定し、
半導体素子をダイパッド部１の突出部６上に搭載した際
に吊りリード部３に接触しないようにする。これにより
大型の半導体素子が搭載可能となり、樹脂封止型半導体
装置としてチップ占有率の高いチップサイズパッケージ
（ＣＳＰ化）が可能となる。
パッド部１の突出部６を包囲する領域に相当する底面に
は、矩形状の環状の溝部１１を設けている。この溝部１
１により、ダイパッド部１の底面にハンダ等の接合材料
を用いて基板実装した際、ハンダの余分な広がりを防止
し、実装精度を向上させるとともに、半導体素子からの
放熱作用によるダイパッド部１自体の応力を吸収できる
ものである。また本実施形態では溝部１１を１つとして
いるが、ダイパッド部１の底面の外周部近傍にも環状の
溝部を形成してもさらなる実装精度向上を達成できる。
さらに吊りリード部３にダミーランド部を設けたり、吊
りリード部３に屈曲部を設けてもよい。この場合、吊り
リード部３の屈曲によって上方に配置された面はダイパ
ッド部１の突出部６の面よりも低くなるように設定し、
半導体素子をダイパッド部１の突出部６上に搭載した際
に吊りリード部３に接触しないようにする。これにより
大型の半導体素子が搭載可能となり、樹脂封止型半導体
装置としてチップ占有率の高いチップサイズパッケージ
（ＣＳＰ化）が可能となる。
【００３０】なお、ランドリード部４、リード部５の数
は、搭載する半導体素子のピン数などにより、その数を
適宜設定できるものである。また本実施形態のリードフ
レームはその表面がメッキ処理されたものであり、必要
に応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐ
ｄ）および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッ
キされているものである。また本実施形態のリードフレ
ームは図１に示したようなパターンが１つよりなるもの
ではなく、左右・上下に連続して形成できるものであ
る。
は、搭載する半導体素子のピン数などにより、その数を
適宜設定できるものである。また本実施形態のリードフ
レームはその表面がメッキ処理されたものであり、必要
に応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐ
ｄ）および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッ
キされているものである。また本実施形態のリードフレ
ームは図１に示したようなパターンが１つよりなるもの
ではなく、左右・上下に連続して形成できるものであ
る。
【００３１】本実施形態のリードフレームにより、半導
体素子を搭載し、金属細線で半導体素子と各リードとを
接続し、樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を構成した
際、樹脂封止型半導体装置の底面、すなわちパッケージ
底面には、ランドリード部４の先端部が曲率を有したラ
ンド部８の底面が配置され、そのランド部８の外側には
リード部５の先端部が曲率を有した底面部分が配置され
て千鳥状の２列配置の外部端子を構成するものであり、
ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケージを構
成することができる。そして本実施形態のリードフレー
ムを用いて樹脂封止型半導体装置を構成することによ
り、ダイパッド部１の表面には溝部７が設けられてお
り、樹脂封止後の樹脂剥離が起こっても、その剥離を溝
部７でトラップできるため、樹脂封止型半導体装置とし
て信頼性を維持できるものである。その他、放熱特性の
向上、基板実装時のハンダ接合の精度向上、大きい面積
の半導体素子を搭載できるなどの利点もある。
体素子を搭載し、金属細線で半導体素子と各リードとを
接続し、樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を構成した
際、樹脂封止型半導体装置の底面、すなわちパッケージ
底面には、ランドリード部４の先端部が曲率を有したラ
ンド部８の底面が配置され、そのランド部８の外側には
リード部５の先端部が曲率を有した底面部分が配置され
て千鳥状の２列配置の外部端子を構成するものであり、
ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケージを構
成することができる。そして本実施形態のリードフレー
ムを用いて樹脂封止型半導体装置を構成することによ
り、ダイパッド部１の表面には溝部７が設けられてお
り、樹脂封止後の樹脂剥離が起こっても、その剥離を溝
部７でトラップできるため、樹脂封止型半導体装置とし
て信頼性を維持できるものである。その他、放熱特性の
向上、基板実装時のハンダ接合の精度向上、大きい面積
の半導体素子を搭載できるなどの利点もある。
【００３２】次に本発明の樹脂封止型半導体装置につい
て図面を参照しながら説明する。図３は本実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、図４は本
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示す底面図であ
り、図５，図６は本実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。図５の断面図は、図３における
Ｃ−Ｃ１箇所、図４におけるＥ−Ｅ１箇所の断面を示
し、図６の断面図は、図３におけるＤ−Ｄ１箇所、図４
におけるＦ−Ｆ１箇所の断面を示す。また本実施形態で
は図１，図２に示したリードフレームを例として用いた
樹脂封止型半導体装置である。
て図面を参照しながら説明する。図３は本実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、図４は本
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示す底面図であ
り、図５，図６は本実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。図５の断面図は、図３における
Ｃ−Ｃ１箇所、図４におけるＥ−Ｅ１箇所の断面を示
し、図６の断面図は、図３におけるＤ−Ｄ１箇所、図４
におけるＦ−Ｆ１箇所の断面を示す。また本実施形態で
は図１，図２に示したリードフレームを例として用いた
樹脂封止型半導体装置である。
【００３３】図３，図４，図５および図６に示すよう
に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、表面に突出
部６と、その突出部６を包囲する円形または矩形または
それらの組み合わせの環状の溝部７と、底面に環状の溝
部１１を有したダイパッド部１と、そのダイパッド部１
の突出部６上に銀ペースト等の導電性接着剤（図示せ
ず）を介して搭載された半導体素子１２と、表面に溝部
１０を有し、底面が露出したリード部５と、リード部５
の先端部領域よりもダイパッド部１側に延在して配置さ
れ、その先端部の底面が露出してランド電極を構成する
ランドリード部４と、半導体素子１２の主面の電極パッ
ド（図示せず）とランドリード部４、リード部５のボン
ディングパッド部１３とを電気的に接続した金属細線１
４と、ダイパッド部１の底面を除く領域、搭載された半
導体素子１２、ランドリード部４の底面を除く領域、リ
ード部５の外部側面と底面とを除く領域、および金属細
線１４を封止した封止樹脂１５とよりなるものである。
そして封止樹脂１５よりなるパッケージ部より露出した
ランドリード部４の先端部底面と、リード部５の外部側
面と底面とは、プリント基板等の実装基板への実装の
際、外部電極を構成するランド電極１６を構成してお
り、リード部５の底面とその先端部領域のランドリード
部４の先端部底面とが露出して千鳥状の２列ランド構成
を有しているものである。そしてランド電極１６は封止
樹脂１５より露出しているが、２０［μｍ］程度の段差
を有して突出して露出しているものであり、基板実装時
のスタンドオフを有しているものである。同様にダイパ
ッド部１の底面も突出して露出しているものであり、基
板実装時はハンダ接合により放熱効率を向上させること
ができる。さらに、ダイパッド部１の底面には、凹部１
７が形成されており、これは突出部６をダイパッド部１
の上面にプレス加工による半切断状態で形成しているた
め、その突出量分の凹部が対応して底面に形成されてい
るものである。本実施形態では、２００［μｍ］の金属
板よりなるダイパッド部１（リードフレーム厚）の厚み
に対して、１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（金属板自
体の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出した突出部６
を形成している。
に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、表面に突出
部６と、その突出部６を包囲する円形または矩形または
それらの組み合わせの環状の溝部７と、底面に環状の溝
部１１を有したダイパッド部１と、そのダイパッド部１
の突出部６上に銀ペースト等の導電性接着剤（図示せ
ず）を介して搭載された半導体素子１２と、表面に溝部
１０を有し、底面が露出したリード部５と、リード部５
の先端部領域よりもダイパッド部１側に延在して配置さ
れ、その先端部の底面が露出してランド電極を構成する
ランドリード部４と、半導体素子１２の主面の電極パッ
ド（図示せず）とランドリード部４、リード部５のボン
ディングパッド部１３とを電気的に接続した金属細線１
４と、ダイパッド部１の底面を除く領域、搭載された半
導体素子１２、ランドリード部４の底面を除く領域、リ
ード部５の外部側面と底面とを除く領域、および金属細
線１４を封止した封止樹脂１５とよりなるものである。
そして封止樹脂１５よりなるパッケージ部より露出した
ランドリード部４の先端部底面と、リード部５の外部側
面と底面とは、プリント基板等の実装基板への実装の
際、外部電極を構成するランド電極１６を構成してお
り、リード部５の底面とその先端部領域のランドリード
部４の先端部底面とが露出して千鳥状の２列ランド構成
を有しているものである。そしてランド電極１６は封止
樹脂１５より露出しているが、２０［μｍ］程度の段差
を有して突出して露出しているものであり、基板実装時
のスタンドオフを有しているものである。同様にダイパ
ッド部１の底面も突出して露出しているものであり、基
板実装時はハンダ接合により放熱効率を向上させること
ができる。さらに、ダイパッド部１の底面には、凹部１
７が形成されており、これは突出部６をダイパッド部１
の上面にプレス加工による半切断状態で形成しているた
め、その突出量分の凹部が対応して底面に形成されてい
るものである。本実施形態では、２００［μｍ］の金属
板よりなるダイパッド部１（リードフレーム厚）の厚み
に対して、１４０［μｍ］〜１８０［μｍ］（金属板自
体の厚みの７０［％］〜９０［％］）突出した突出部６
を形成している。
【００３４】また、ランドリード部４、リード部５にお
けるボンディングパッド部１３の面積は、１００［μ
ｍ］以上のワイヤーボンドができる大きさであればよ
く、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の８０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。
けるボンディングパッド部１３の面積は、１００［μ
ｍ］以上のワイヤーボンドができる大きさであればよ
く、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の８０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。
【００３５】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂１５に封止されたランドリード部４の先端
部、リード部５の先端部の上面の面積が、封止樹脂１５
から露出、突出した側のランド電極１６側の面積よりも
大きく構成されており、封止樹脂１５との食いつきを良
好にし、密着性を向上させることができ、基板実装の際
の接続の信頼性を得ることができるものである。
は、封止樹脂１５に封止されたランドリード部４の先端
部、リード部５の先端部の上面の面積が、封止樹脂１５
から露出、突出した側のランド電極１６側の面積よりも
大きく構成されており、封止樹脂１５との食いつきを良
好にし、密着性を向上させることができ、基板実装の際
の接続の信頼性を得ることができるものである。
【００３６】以上のように、本実施形態の樹脂封止型半
導体装置は、パッケージ底面には、ランドリード部４の
ランド電極１６の底面が配置され、そのランド電極１６
の外側にはリード部５の底面であるランド電極１６が配
置されて千鳥状の２列配置の外部端子を構成するもので
あり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケー
ジを構成することができる。またダイパッド部１の表面
には溝部７が設けられており、半導体素子１２の裏面と
ダイパッド部１表面との間で封止樹脂１５の樹脂剥離が
起こっても、その剥離を溝部７でトラップできるため、
樹脂封止型半導体装置として信頼性を維持できるもので
ある。その他、放熱特性の向上、基板実装時のハンダ接
合の精度向上、大きい面積の半導体素子を搭載できるな
どの利点もある。
導体装置は、パッケージ底面には、ランドリード部４の
ランド電極１６の底面が配置され、そのランド電極１６
の外側にはリード部５の底面であるランド電極１６が配
置されて千鳥状の２列配置の外部端子を構成するもので
あり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケー
ジを構成することができる。またダイパッド部１の表面
には溝部７が設けられており、半導体素子１２の裏面と
ダイパッド部１表面との間で封止樹脂１５の樹脂剥離が
起こっても、その剥離を溝部７でトラップできるため、
樹脂封止型半導体装置として信頼性を維持できるもので
ある。その他、放熱特性の向上、基板実装時のハンダ接
合の精度向上、大きい面積の半導体素子を搭載できるな
どの利点もある。
【００３７】さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、従来のように配線基板、回路基板を用いず、リード
フレームを用いたＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置にお
いて、基板実装の実装強度を向上させた樹脂封止型半導
体装置である。図７は図６に示した本実施形態の樹脂封
止型半導体装置の実装状態の一例を示す断面図である。
は、従来のように配線基板、回路基板を用いず、リード
フレームを用いたＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置にお
いて、基板実装の実装強度を向上させた樹脂封止型半導
体装置である。図７は図６に示した本実施形態の樹脂封
止型半導体装置の実装状態の一例を示す断面図である。
【００３８】図７に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、パッケージ底面のランド電極１６とプ
リント基板等の実装基板１８とをハンダ等の接合剤１９
により接続し、実装している。ここでランドリード部の
底面のランド電極はその底面部分のみが接合剤と接触し
て実装されているが、リード部５のランド電極１６はそ
の底面部分が接合剤１９と接触して実装されることに加
えて、リード部５の外部側面が露出していることによ
り、接合剤１９がそのリード部５の側面とも接触して実
装されている。
型半導体装置は、パッケージ底面のランド電極１６とプ
リント基板等の実装基板１８とをハンダ等の接合剤１９
により接続し、実装している。ここでランドリード部の
底面のランド電極はその底面部分のみが接合剤と接触し
て実装されているが、リード部５のランド電極１６はそ
の底面部分が接合剤１９と接触して実装されることに加
えて、リード部５の外部側面が露出していることによ
り、接合剤１９がそのリード部５の側面とも接触して実
装されている。
【００３９】すなわち、通常はランド電極として、その
底面部分のみが接合剤を介して実装基板に接合されるも
のであるが、本実施形態では、列構成のランド電極にお
いて外側のランド電極は、リード部５よりなるものであ
り、その外側部分はパッケージ部分（封止樹脂１５）よ
り露出しているので、その外部側面に対して、接合剤を
設けることにより、底面＋側面の２点接合構造となり、
実装基板との接続の実装強度を向上させ、接続の信頼性
を向上させることができる。これは通常のリードフレー
ムＬＧＡ型半導体装置では達成できなかった実装構造で
あり、本実施形態では、ランド電極の構成をランド電
極、リード型ランド電極の２種類で２列構成としている
ため、パッケージの外側にも接続部分を設けることがで
き、底面＋側面の２点接合構造により、接続の信頼性を
向上させることができる革新的な構造を有している。
底面部分のみが接合剤を介して実装基板に接合されるも
のであるが、本実施形態では、列構成のランド電極にお
いて外側のランド電極は、リード部５よりなるものであ
り、その外側部分はパッケージ部分（封止樹脂１５）よ
り露出しているので、その外部側面に対して、接合剤を
設けることにより、底面＋側面の２点接合構造となり、
実装基板との接続の実装強度を向上させ、接続の信頼性
を向上させることができる。これは通常のリードフレー
ムＬＧＡ型半導体装置では達成できなかった実装構造で
あり、本実施形態では、ランド電極の構成をランド電
極、リード型ランド電極の２種類で２列構成としている
ため、パッケージの外側にも接続部分を設けることがで
き、底面＋側面の２点接合構造により、接続の信頼性を
向上させることができる革新的な構造を有している。
【００４０】以上、本実施形態で示したようなリードフ
レームを用いることにより、半導体素子を搭載し、樹脂
封止することにより、樹脂封止型半導体装置の底面部分
に半導体素子と電気的に接続したランド電極を直線状ま
たは千鳥状の２列で配列することができる。その結果、
面実装タイプの半導体装置が得られ、従来のようなリー
ド接合による実装に比べて、基板実装の信頼性を向上さ
せることができる。
レームを用いることにより、半導体素子を搭載し、樹脂
封止することにより、樹脂封止型半導体装置の底面部分
に半導体素子と電気的に接続したランド電極を直線状ま
たは千鳥状の２列で配列することができる。その結果、
面実装タイプの半導体装置が得られ、従来のようなリー
ド接合による実装に比べて、基板実装の信頼性を向上さ
せることができる。
【００４１】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド
電極を設けた回路基板等の基板を用いるものでなく、リ
ードフレームという金属板からなるフレーム本体からＬ
ＧＡ型の半導体装置を構成するものであり、量産性、コ
スト性などの面においては、従来のＢＧＡタイプの半導
体装置よりも有利となる。
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド
電極を設けた回路基板等の基板を用いるものでなく、リ
ードフレームという金属板からなるフレーム本体からＬ
ＧＡ型の半導体装置を構成するものであり、量産性、コ
スト性などの面においては、従来のＢＧＡタイプの半導
体装置よりも有利となる。
【００４２】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置で
は、列構成のランド電極において外側のランド電極は、
リード部よりなるものであり、その外側部分の側端はパ
ッケージ部分より露出しているので、その外部側面に対
して、接合剤を設けることによりフィレットが形成さ
れ、底面＋側面の２点接合構造となり、実装基板との接
続の実装強度を向上させ、接続の信頼性を向上させるこ
とができる。これは通常のリードフレームＬＧＡ型半導
体装置では達成できなかった実装構造であり、本実施形
態では、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、実装強度を向上させることができ
る構造である。
は、列構成のランド電極において外側のランド電極は、
リード部よりなるものであり、その外側部分の側端はパ
ッケージ部分より露出しているので、その外部側面に対
して、接合剤を設けることによりフィレットが形成さ
れ、底面＋側面の２点接合構造となり、実装基板との接
続の実装強度を向上させ、接続の信頼性を向上させるこ
とができる。これは通常のリードフレームＬＧＡ型半導
体装置では達成できなかった実装構造であり、本実施形
態では、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、実装強度を向上させることができ
る構造である。
【００４３】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図８〜図１３は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す工程ごとの断面図である。なお、本実施形
態では、図１に示したようなリードフレームを用いてＬ
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置を製造する形態を説明す
る。また本実施形態では便宜的にランドリード部４の断
面方向の図を用いて説明するので、図中、リード部５は
示されていない。
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図８〜図１３は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す工程ごとの断面図である。なお、本実施形
態では、図１に示したようなリードフレームを用いてＬ
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置を製造する形態を説明す
る。また本実施形態では便宜的にランドリード部４の断
面方向の図を用いて説明するので、図中、リード部５は
示されていない。
【００４４】まず図８に示すように、金属板よりなるフ
レーム本体と、そのフレーム本体の開口した領域内に配
設されて、表面に突出部６と、その突出部６を包囲する
円形または矩形の環状の溝部７と、底面に環状の溝部１
１と凹部１７を有した半導体素子搭載用のダイパッド部
１と、先端部でそのダイパッド部１を支持し、他端部で
フレーム枠（図示せず）と接続した吊りリード部（図示
せず）と、図示されないが、底面がランド電極となり、
その先端部表面に金属細線が接続される幅広のボンディ
ングパッド部を有し、そのボンディングパッド部の近傍
に溝部が設けられ、規則性を有して配列され、他端部が
フレーム枠と接続したリード部と、底面がランド電極１
６となり、その先端部表面に金属細線が接続される幅広
のボンディングパッド部１３を有し、上面が下面よりも
面積的に大きく、前記したリード部の先端部に千鳥状に
その先端部が配置されてそのリード部とともに２列構成
を形成し、他端部がフレーム枠と接続したランドリード
部４とを有するリードフレームを用意する。
レーム本体と、そのフレーム本体の開口した領域内に配
設されて、表面に突出部６と、その突出部６を包囲する
円形または矩形の環状の溝部７と、底面に環状の溝部１
１と凹部１７を有した半導体素子搭載用のダイパッド部
１と、先端部でそのダイパッド部１を支持し、他端部で
フレーム枠（図示せず）と接続した吊りリード部（図示
せず）と、図示されないが、底面がランド電極となり、
その先端部表面に金属細線が接続される幅広のボンディ
ングパッド部を有し、そのボンディングパッド部の近傍
に溝部が設けられ、規則性を有して配列され、他端部が
フレーム枠と接続したリード部と、底面がランド電極１
６となり、その先端部表面に金属細線が接続される幅広
のボンディングパッド部１３を有し、上面が下面よりも
面積的に大きく、前記したリード部の先端部に千鳥状に
その先端部が配置されてそのリード部とともに２列構成
を形成し、他端部がフレーム枠と接続したランドリード
部４とを有するリードフレームを用意する。
【００４５】次に図９に示すように、用意したリードフ
レームのダイパッド部１の突出部６上に銀ペースト等の
導電性接着剤を介して半導体素子１２をその主面を上に
して接合する。
レームのダイパッド部１の突出部６上に銀ペースト等の
導電性接着剤を介して半導体素子１２をその主面を上に
して接合する。
【００４６】次に図１０に示すように、ダイパッド部１
上に接合により搭載した半導体素子１２の主面上の電極
パッドと、リードフレームのランドリード部４、リード
部（図示せず）の各上面のボンディングパッド部１３と
を金属細線１４により電気的に接続する。ここで金属細
線１４が接続される各ボンディングパッド部の面積は、
一例として１００［μｍ］以上である。
上に接合により搭載した半導体素子１２の主面上の電極
パッドと、リードフレームのランドリード部４、リード
部（図示せず）の各上面のボンディングパッド部１３と
を金属細線１４により電気的に接続する。ここで金属細
線１４が接続される各ボンディングパッド部の面積は、
一例として１００［μｍ］以上である。
【００４７】次に図１１に示すように、リードフレーム
の裏面側、すなわちダイパッド部１の底面、ランドリー
ド部４のランド電極１６、リード部（図示せず）の各底
面に密着するようにリードフレームの裏面側に封止テー
プまたは封止シート２０を密着させる。ここで使用する
封止シート２０は、リードフレームに対して接着力がな
く、樹脂後は容易にピールオフ等により除去できる樹脂
シートであり、樹脂封止工程でのリードフレームの裏面
側への封止樹脂の回り込みを確実に防止でき、その結
果、ダイパッド部１、ランドリード部４、リード部（図
示せず）の裏面への樹脂バリの付着を防止できる。その
ため、樹脂封止後の樹脂バリ除去のためのウォータージ
ェット工程を省略することができる。
の裏面側、すなわちダイパッド部１の底面、ランドリー
ド部４のランド電極１６、リード部（図示せず）の各底
面に密着するようにリードフレームの裏面側に封止テー
プまたは封止シート２０を密着させる。ここで使用する
封止シート２０は、リードフレームに対して接着力がな
く、樹脂後は容易にピールオフ等により除去できる樹脂
シートであり、樹脂封止工程でのリードフレームの裏面
側への封止樹脂の回り込みを確実に防止でき、その結
果、ダイパッド部１、ランドリード部４、リード部（図
示せず）の裏面への樹脂バリの付着を防止できる。その
ため、樹脂封止後の樹脂バリ除去のためのウォータージ
ェット工程を省略することができる。
【００４８】次に図１２に示すように、封止シート２０
を密着させた状態でリードフレームの上面側を封止樹脂
１５により樹脂封止し、半導体素子１２、ダイパッド部
１、金属細線１４の領域を樹脂封止する。通常は上下封
止金型を用いたトランスファーモールドにより片面封止
を行う。すなわち、ダイパッド部１、ランドリード部
４、リード部（図示せず）の底面部分を除いた片面封止
構造となる。また特にランドリード部４、リード部（図
示せず）のフレーム枠２と接続した部分、つまり樹脂封
止されないリード部分を封止シート２０を介して上下金
型の第１の金型により第２の金型に対して押圧すること
により、ランドリード部４、リード部（図示せず）の各
底面を封止シート２０に押圧、密着させた状態で樹脂封
止することにより、樹脂バリの発生を防止するととも
に、ランドリード部４、リード部（図示せず）の各底面
をパッケージ底面（封止樹脂１５底面）からスタンドオ
フを有して配置させることができる。
を密着させた状態でリードフレームの上面側を封止樹脂
１５により樹脂封止し、半導体素子１２、ダイパッド部
１、金属細線１４の領域を樹脂封止する。通常は上下封
止金型を用いたトランスファーモールドにより片面封止
を行う。すなわち、ダイパッド部１、ランドリード部
４、リード部（図示せず）の底面部分を除いた片面封止
構造となる。また特にランドリード部４、リード部（図
示せず）のフレーム枠２と接続した部分、つまり樹脂封
止されないリード部分を封止シート２０を介して上下金
型の第１の金型により第２の金型に対して押圧すること
により、ランドリード部４、リード部（図示せず）の各
底面を封止シート２０に押圧、密着させた状態で樹脂封
止することにより、樹脂バリの発生を防止するととも
に、ランドリード部４、リード部（図示せず）の各底面
をパッケージ底面（封止樹脂１５底面）からスタンドオ
フを有して配置させることができる。
【００４９】なお、封止シート２０のリードフレーム裏
面への密着、貼付は、樹脂封止する封止用の上下金型に
予め供給しておいた封止シートを樹脂封止前に密着させ
てもよいし、樹脂封止前に別工程で封止シートをリード
フレームに密着、貼付したものを封止金型に供給し、樹
脂封止してもよい。
面への密着、貼付は、樹脂封止する封止用の上下金型に
予め供給しておいた封止シートを樹脂封止前に密着させ
てもよいし、樹脂封止前に別工程で封止シートをリード
フレームに密着、貼付したものを封止金型に供給し、樹
脂封止してもよい。
【００５０】次に図１３に示すように、樹脂封止後は封
止シートをピールオフ等により除去した後、吊りリード
部やランドリード部４、リード部の各リード部のフレー
ム枠と接続した部分を切断する。この段階で実質的に各
リード部の端部が樹脂封止したパッケージの側面と同一
面に配列するように切断する。そしてランドリード部
４、リード部の底面はランド電極１６を構成し、またリ
ード部の外側の側面部分も外部電極を構成し、ダイパッ
ド部１の底面も露出し、放熱構造を有するものである。
止シートをピールオフ等により除去した後、吊りリード
部やランドリード部４、リード部の各リード部のフレー
ム枠と接続した部分を切断する。この段階で実質的に各
リード部の端部が樹脂封止したパッケージの側面と同一
面に配列するように切断する。そしてランドリード部
４、リード部の底面はランド電極１６を構成し、またリ
ード部の外側の側面部分も外部電極を構成し、ダイパッ
ド部１の底面も露出し、放熱構造を有するものである。
【００５１】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法により、パッケージ底面の内側列には、ラン
ドリード部４のランド電極１６の底面が配置され、その
ランド電極１６の外側列にはリード部の底面であるラン
ド電極が配置されて直線状もしくは千鳥状の２列配置の
外部端子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリ
ッド・アレイ）型パッケージを構成することができる。
さらに、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、接続の信頼性を向上させることが
できる樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
の製造方法により、パッケージ底面の内側列には、ラン
ドリード部４のランド電極１６の底面が配置され、その
ランド電極１６の外側列にはリード部の底面であるラン
ド電極が配置されて直線状もしくは千鳥状の２列配置の
外部端子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリ
ッド・アレイ）型パッケージを構成することができる。
さらに、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、接続の信頼性を向上させることが
できる樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００５２】次に、本実施形態で示したリードフレーム
の構造では、別途、新たな問題が顕在化してきている。
の構造では、別途、新たな問題が顕在化してきている。
【００５３】すなわち、多ピン化にともなう樹脂封止型
半導体装置の配線構造としては、高密度配線構造とな
り、半導体素子と各リード部とを電気的に接続する金属
細線の長さが影響し、ロングワイヤー構造での樹脂封止
時のワイヤー流れ、ワイヤー垂れが発生する恐れが懸念
されている。以上のような懸念されるＬＧＡ型半導体装
置での技術的課題を解決するため、リード部分の構造と
金属細線接続の部位に着目した樹脂封止型半導体装置の
構造について説明する。
半導体装置の配線構造としては、高密度配線構造とな
り、半導体素子と各リード部とを電気的に接続する金属
細線の長さが影響し、ロングワイヤー構造での樹脂封止
時のワイヤー流れ、ワイヤー垂れが発生する恐れが懸念
されている。以上のような懸念されるＬＧＡ型半導体装
置での技術的課題を解決するため、リード部分の構造と
金属細線接続の部位に着目した樹脂封止型半導体装置の
構造について説明する。
【００５４】図１４は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置において、特にダイパッド部１上の半導体素子１２と
金属細線１４により接続されたリード部５の部分を示し
た断面図であり、図示しない他の構成については、前述
の実施形態と同様であるため省略する。
置において、特にダイパッド部１上の半導体素子１２と
金属細線１４により接続されたリード部５の部分を示し
た断面図であり、図示しない他の構成については、前述
の実施形態と同様であるため省略する。
【００５５】図１４に示すように、本実施形態では、ロ
ングワイヤー構造での樹脂封止時のワイヤー流れ、ワイ
ヤー垂れに対応するために、金属細線１４を接続するリ
ード部５の位置をリード部５の先端部に設けた薄厚部５
ａ上に設定している。すなわち、図１５に示すように、
先に示した樹脂封止型半導体装置では金属細線１４（破
線）の接続位置をリード部５の先端部の薄厚部５ａから
内側に入った肉厚部分に設定していたが、その接続位置
をリード部５の先端部に設けた薄厚部５ａ上に設定して
金属細線１４（実線）で接続するものである。この接続
構造により、金属細線の長さが先の実施形態の構造より
も短くなり、樹脂封止時のワイヤー流れ、ワイヤー垂れ
が起こりにくくなるため、樹脂封止型半導体装置として
の信頼性を保つことができる。
ングワイヤー構造での樹脂封止時のワイヤー流れ、ワイ
ヤー垂れに対応するために、金属細線１４を接続するリ
ード部５の位置をリード部５の先端部に設けた薄厚部５
ａ上に設定している。すなわち、図１５に示すように、
先に示した樹脂封止型半導体装置では金属細線１４（破
線）の接続位置をリード部５の先端部の薄厚部５ａから
内側に入った肉厚部分に設定していたが、その接続位置
をリード部５の先端部に設けた薄厚部５ａ上に設定して
金属細線１４（実線）で接続するものである。この接続
構造により、金属細線の長さが先の実施形態の構造より
も短くなり、樹脂封止時のワイヤー流れ、ワイヤー垂れ
が起こりにくくなるため、樹脂封止型半導体装置として
の信頼性を保つことができる。
【００５６】またリード部５の構造としては、図１６に
示すように、先端部の薄厚部５ａの長手方向への突出長
さ（ｌ）は２００［μｍ］であり、薄厚部の厚み（ｔ）
はリード部５の厚みの概ね半分である。したがって、リ
ード部５の先端部の薄厚部５ａに金属細線を接続した場
合、肉厚部分へ接続した場合に比較して１００［μｍ］
の距離だけ金属細線長を短縮できるものである。またリ
ード部５の薄厚部５ａの長さはリード部５と第２のリー
ド部であるランドリード部との配置関係、または隣接す
る吊りリード部との配置関係を考慮して２００［μｍ］
を超えた長さでもよい。
示すように、先端部の薄厚部５ａの長手方向への突出長
さ（ｌ）は２００［μｍ］であり、薄厚部の厚み（ｔ）
はリード部５の厚みの概ね半分である。したがって、リ
ード部５の先端部の薄厚部５ａに金属細線を接続した場
合、肉厚部分へ接続した場合に比較して１００［μｍ］
の距離だけ金属細線長を短縮できるものである。またリ
ード部５の薄厚部５ａの長さはリード部５と第２のリー
ド部であるランドリード部との配置関係、または隣接す
る吊りリード部との配置関係を考慮して２００［μｍ］
を超えた長さでもよい。
【００５７】本実施形態では特に半導体素子から遠い位
置に配置されている第１のリード部であるリード部５と
半導体素子とを接続している金属細線の２ｎｄボンド側
の接続位置について説明したが、他の構造、および樹脂
封止型半導体装置の製造方法については、先に説明した
実施形態と同様である。ただし、金属細線で接続する位
置関係が異なり、ワイヤーボンド時にリード部５の下部
を支持する治具を介して接続する点が異なるだけであ
る。
置に配置されている第１のリード部であるリード部５と
半導体素子とを接続している金属細線の２ｎｄボンド側
の接続位置について説明したが、他の構造、および樹脂
封止型半導体装置の製造方法については、先に説明した
実施形態と同様である。ただし、金属細線で接続する位
置関係が異なり、ワイヤーボンド時にリード部５の下部
を支持する治具を介して接続する点が異なるだけであ
る。
【００５８】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、外部電極となるランド電極をリード体としてエリア
配置で設けたものであり、半導体素子を搭載し、金属細
線で半導体素子と各リードとを接続し、樹脂封止して樹
脂封止型半導体装置を構成した際、樹脂封止型半導体装
置の底面、すなわちパッケージ底面領域内には、第２の
リード部のランド部の底面が配置され、そのランド部の
外側には第１のリード部の底面が配置されて２列配置の
外部端子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリ
ッド・アレイ）型パッケージを構成することができる。
そしてさらに、懸念される金属細線のロングワイヤー化
に対しては、リード上の接続位置をリード部の先端部に
設けた薄厚部上に設定して金属細線で接続することによ
り、金属細線の長さがより短くなり、樹脂封止時のワイ
ヤー流れ、ワイヤー垂れが起こりにくくなるため、樹脂
封止型半導体装置としての信頼性を保つことができるも
のである。
は、外部電極となるランド電極をリード体としてエリア
配置で設けたものであり、半導体素子を搭載し、金属細
線で半導体素子と各リードとを接続し、樹脂封止して樹
脂封止型半導体装置を構成した際、樹脂封止型半導体装
置の底面、すなわちパッケージ底面領域内には、第２の
リード部のランド部の底面が配置され、そのランド部の
外側には第１のリード部の底面が配置されて２列配置の
外部端子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリ
ッド・アレイ）型パッケージを構成することができる。
そしてさらに、懸念される金属細線のロングワイヤー化
に対しては、リード上の接続位置をリード部の先端部に
設けた薄厚部上に設定して金属細線で接続することによ
り、金属細線の長さがより短くなり、樹脂封止時のワイ
ヤー流れ、ワイヤー垂れが起こりにくくなるため、樹脂
封止型半導体装置としての信頼性を保つことができるも
のである。
【００５９】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置に
おいては、外部電極となるランド電極をリード体として
設けたものであり、半導体素子を搭載し、金属細線で半
導体素子と各リードとを接続し、樹脂封止して樹脂封止
型半導体装置を構成した際、樹脂封止型半導体装置の底
面、すなわちパッケージ底面領域内には、第２のリード
部のランド部の底面が配置され、そのランド部の外側に
は第１のリード部の底面が配置されて２列配置の外部端
子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・
アレイ）型パッケージを構成することができる。そして
高密度配線構造で懸念される金属細線のロングワイヤー
化に対しては、リード上の接続位置をリード部の先端部
に設けた薄厚部上に設定して金属細線で接続することに
より、金属細線の長さがより短くなり、樹脂封止時のワ
イヤー流れ、ワイヤー垂れが起こりにくくなるため、樹
脂封止型半導体装置としての信頼性を保つことができる
ものである。また第１のリード部の先端部をダイパッド
部に延在させ、その先端部で金属細線により接続するこ
とにより、樹脂封止時の樹脂注入でワイヤー流れが発生
しても、金属細線どうしの近接を極力避けて、隣接する
第２のリード部と接続した金属細線との接触も避けられ
るので、電気的接続の安定を図ることができる。
おいては、外部電極となるランド電極をリード体として
設けたものであり、半導体素子を搭載し、金属細線で半
導体素子と各リードとを接続し、樹脂封止して樹脂封止
型半導体装置を構成した際、樹脂封止型半導体装置の底
面、すなわちパッケージ底面領域内には、第２のリード
部のランド部の底面が配置され、そのランド部の外側に
は第１のリード部の底面が配置されて２列配置の外部端
子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・
アレイ）型パッケージを構成することができる。そして
高密度配線構造で懸念される金属細線のロングワイヤー
化に対しては、リード上の接続位置をリード部の先端部
に設けた薄厚部上に設定して金属細線で接続することに
より、金属細線の長さがより短くなり、樹脂封止時のワ
イヤー流れ、ワイヤー垂れが起こりにくくなるため、樹
脂封止型半導体装置としての信頼性を保つことができる
ものである。また第１のリード部の先端部をダイパッド
部に延在させ、その先端部で金属細線により接続するこ
とにより、樹脂封止時の樹脂注入でワイヤー流れが発生
しても、金属細線どうしの近接を極力避けて、隣接する
第２のリード部と接続した金属細線との接触も避けられ
るので、電気的接続の安定を図ることができる。
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
面図
【図２】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す平面図
示す平面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図
示す底面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図
示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
実装構造を示す断面図
実装構造を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の一部を示す断面図
の一部を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の一部を示す断面図
の一部を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
のリード部を示す断面図
のリード部を示す断面図
【図１７】従来のリードフレームを示す平面図
【図１８】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
【図１９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図
す平面図
１ ダイパッド部
２ フレーム枠
３ 吊りリード部
４ ランドリード部
５ リード部
５ａ 薄厚部
６ 突出部
７ 溝部
８ ランド部
９ 幅広部
１０ 溝部
１１ 溝部
１２ 半導体素子
１３ ボンディングパッド部
１４ 金属細線
１５ 封止樹脂
１６ ランド電極
１７ 凹部
１８ 実装基板
１９ 接合剤
２０ 封止シート
１０１ フレーム枠
１０２ ダイパッド部
１０３ 吊りリード部
１０４ インナーリード部
１０５ アウターリード部
１０６ タイバー部
１０７ 半導体素子
１０８ 金属細線
１０９ 封止樹脂
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小野 高志
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 5F067 AA01 AA06 AA18 AB04 BB01
BB02 BB04 BC00 BC06 BD05
BE02 DA17 DA18 DF11
Claims (7)
- 【請求項１】 上方に突出した半導体素子搭載用の支持
部を有したダイパッド部と、 前記ダイパッド部の各角部を支持した吊りリード部と、 前記ダイパッド部の支持部上に接着剤を介して搭載され
た半導体素子と、 薄厚の先端部が前記ダイパッド部に対向して延在配列さ
れた第１のリード部と、 その先端部が前記第１のリード部の先端部領域よりも前
記ダイパッド部側に延在して配置された第２のリード部
と、 前記半導体素子の電極と前記第１のリード部、前記第２
のリード部の上面とを接続した金属細線と、 前記ダイパッド部の底面を除く領域、吊りリード部、前
記半導体素子、前記第１のリード部の底面と末端部を除
く領域、前記第２のリード部の底面と末端部を除く領
域、および金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とよ
りなる樹脂封止型半導体装置であって、 金属細線は前記第１のリード部の先端部の薄厚の部分上
面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導体
装置。 - 【請求項２】 第１のリード部と第２のリード部の各末
端部は封止樹脂の側面と略同一面に露出していることを
特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 第１のリード部の底面、第２のリード部
の底面はランド電極を構成し、封止樹脂の下面領域にお
いて平面配列で少なくとも２列を構成していることを特
徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 第１のリード部の先端部の薄厚の部分の
長手方向の長さは０．２［ｍｍ］であることを特徴とす
る請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 半導体素子搭載用のダイパッド部と、前
記ダイパッド部を支持した吊りリード部と、先端部が各
々、前記ダイパッド部に対向して配置された第１のリー
ド部と、前記第１のリード部よりも長く延在して先端部
が各々、前記ダイパッド部に対向して配置された第２の
リード部とよりなり、前記第１のリード部の先端部は薄
厚で構成され、その薄厚部分が前記ダイパッド部に延在
しているリードフレームを用意する工程と、 前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半
導体素子を搭載する工程と、 前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上
の電極パッドと、前記リードフレームの第１のリード
部、第２のリード部の各上面とを金属細線により接続す
る工程と、 前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線の領域を封止
樹脂により樹脂封止する工程と、よりなる樹脂封止型半
導体装置の製造方法であって、 前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上
の電極パッドと、前記リードフレームの第１のリード
部、第２のリード部の各上面とを金属細線により接続す
る工程では、前記第１のリード部の先端部の薄厚部分上
面に金属細線を接続することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
なくとも薄厚の先端部が前記ダイパッド部に向かって延
在し、他端部が前記フレーム枠と接続し、底面がランド
電極となる第１のリード部と、前記第１のリード部の先
端部領域に延在してその先端部が配置され、他端部が前
記フレーム枠と接続し、底面がランド電極となる第２の
リード部とよりなり、前記第１のリード部の底面のラン
ド電極と前記第２のリード部の底面のランド電極とで２
列のランド電極を構成するリードフレームを用意する工
程と、 前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半
導体素子を搭載する工程と、 前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上
の電極パッドと、前記リードフレームの第１のリード
部、第２のリード部の各上面とを金属細線により接続す
る工程と、 前記リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダ
イパッド部、金属細線の領域を封止樹脂により片面樹脂
封止する工程と、よりなる樹脂封止型半導体装置の製造
方法であって、 前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主面上
の電極パッドと、前記リードフレームの第１のリード
部、第２のリード部の各上面とを金属細線により接続す
る工程では、前記第１のリード部の薄厚の先端部上面に
金属細線を接続することを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法。 - 【請求項７】 リードフレームを用意する工程におい
て、第１のリード部の薄厚の先端部の長手方向の長さは
０．２［ｍｍ］であるリードフレームを用意することを
特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194117A JP2003007953A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001194117A JP2003007953A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003007953A true JP2003007953A (ja) | 2003-01-10 |
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ID=19032299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001194117A Pending JP2003007953A (ja) | 2001-06-27 | 2001-06-27 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003007953A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057067A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2006108306A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Yamaha Corp | リードフレームおよびそれを用いた半導体パッケージ |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340409A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Matsushita Electron Corp | リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| JP2000307049A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Matsushita Electronics Industry Corp | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| WO2001003186A1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and structure for mounting semiconductor device |
| JP2001077278A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-03-23 | Amkor Technology Korea Inc | 半導体パッケージと、このためのリードフレーム及び、半導体パッケージの製造方法とそのモールド |
| JP2001189402A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-06-27 JP JP2001194117A patent/JP2003007953A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340409A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Matsushita Electron Corp | リードフレームおよびその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| JP2000307049A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Matsushita Electronics Industry Corp | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| WO2001003186A1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and structure for mounting semiconductor device |
| JP2001077278A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-03-23 | Amkor Technology Korea Inc | 半導体パッケージと、このためのリードフレーム及び、半導体パッケージの製造方法とそのモールド |
| JP2001189402A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005057067A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2006108306A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Yamaha Corp | リードフレームおよびそれを用いた半導体パッケージ |
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