JP2001077279A - リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止後のリードカット工程でのブレード
切断により、切断したリード部の端面に金属バリが発生
するといった課題があった。 【解決手段】 回転ブレード１１で切削して切断する
際、リード部４の切断部５に厚みを他よりも薄くした薄
厚部１３を設けたリードフレームを用いることにより、
リード部４の切断部５の厚み、幅をブレード切断に支障
のない厚み、幅としているため、ブレード切断時のカエ
リ部（金属バリ）の発生を抑制して切断することがで
き、リード部の不良をなくして樹脂封止型半導体装置製
品の実装信頼性を確保できる。
切断により、切断したリード部の端面に金属バリが発生
するといった課題があった。 【解決手段】 回転ブレード１１で切削して切断する
際、リード部４の切断部５に厚みを他よりも薄くした薄
厚部１３を設けたリードフレームを用いることにより、
リード部４の切断部５の厚み、幅をブレード切断に支障
のない厚み、幅としているため、ブレード切断時のカエ
リ部（金属バリ）の発生を抑制して切断することがで
き、リード部の不良をなくして樹脂封止型半導体装置製
品の実装信頼性を確保できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
と称される外部端子となるリード部が片面封止された小
型／薄型の樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレー
ムと、それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製
造方法に関するものであり、特に生産効率を向上させる
とともに、リード部の信頼性を向上させたリードフレー
ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造
方法に関するものである。
Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
と称される外部端子となるリード部が片面封止された小
型／薄型の樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレー
ムと、それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製
造方法に関するものであり、特に生産効率を向上させる
とともに、リード部の信頼性を向上させたリードフレー
ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来のＱＦＮ型の樹脂封止型半導体
装置に使用するリードフレームについて説明する。
装置に使用するリードフレームについて説明する。
【０００４】図１８は、従来のリードフレームの構成を
示す図であり、図１８（ａ）は平面図であり、図１８
（ｂ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
示す図であり、図１８（ａ）は平面図であり、図１８
（ｂ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００５】図１８に示すように、従来のリードフレー
ムは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内
に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０
２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持
し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１
０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導
体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続する
ビーム状のリード部１０４とより構成されている。そし
てリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹
脂部に埋設される部分はインナーリード部１０４ａを構
成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部
１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０
４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して
設けられている。図１８において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１
０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部
分を示している。
ムは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内
に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０
２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持
し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１
０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導
体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続する
ビーム状のリード部１０４とより構成されている。そし
てリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹
脂部に埋設される部分はインナーリード部１０４ａを構
成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部
１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０
４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して
設けられている。図１８において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１
０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部
分を示している。
【０００６】また、従来のリードフレームは、図１８
（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード
部１０３によって支持されているが、その吊りリード部
１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０
２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよ
う、アップセットされているものである。
（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード
部１０３によって支持されているが、その吊りリード部
１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０
２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよ
う、アップセットされているものである。
【０００７】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図１９は、図１８に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１９
（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、
図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図で
ある。
説明する。図１９は、図１８に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１９
（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、
図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図で
ある。
【０００８】図１９に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、そ
の半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード
部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され
ている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０
５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７
により封止されている。そしてそのリード部１０４（イ
ンナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７
の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１
０８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面から
はアウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的
に封止樹脂１０７の側面と同一面である。
イパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、そ
の半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード
部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され
ている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０
５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７
により封止されている。そしてそのリード部１０４（イ
ンナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７
の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１
０８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面から
はアウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的
に封止樹脂１０７の側面と同一面である。
【０００９】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について説明する。
法について説明する。
【００１０】まず図２０に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダ
イパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部が
フレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載
置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接
続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０
４とを有したリードフレームを用意する。
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダ
イパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部が
フレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載
置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接
続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０
４とを有したリードフレームを用意する。
【００１１】そして図２１に示すように、ダイパッド部
１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０
５を搭載しボンディングする。
１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０
５を搭載しボンディングする。
【００１２】次に図２２に示すように、ダイパッド部１
０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッ
ド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１
０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッ
ド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１
０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
【００１３】次に図２３に示すように、半導体素子１０
５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリー
ド部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。こ
の封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂
が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を
露出させるための部材である。
５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリー
ド部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。こ
の封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂
が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を
露出させるための部材である。
【００１４】次に図２４に示すように、リードフレーム
を金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シ
ート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂より
なる封止樹脂１０７を注入し、リードフレームの外囲と
してダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部
１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止す
る。図２５には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を
示している。
を金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シ
ート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂より
なる封止樹脂１０７を注入し、リードフレームの外囲と
してダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部
１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止す
る。図２５には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を
示している。
【００１５】次に図２６に示すように、リードフレーム
のリード部１０４の底面に密着させていた封止シートを
ピールオフ等により除去する。
のリード部１０４の底面に密着させていた封止シートを
ピールオフ等により除去する。
【００１６】次に図２７に示すように、リード部１０４
の切断部１１０に対して、金型による切断刃１１１でリ
ードカットを行う。
の切断部１１０に対して、金型による切断刃１１１でリ
ードカットを行う。
【００１７】そして図２８に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載さ
れ、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナー
リード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接
続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そして
そのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底
面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有し
て露出して、外部端子１０８を構成するとともに、封止
樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成し
た樹脂封止型半導体装置を得る。
ムのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載さ
れ、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナー
リード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接
続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そして
そのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底
面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有し
て露出して、外部端子１０８を構成するとともに、封止
樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成し
た樹脂封止型半導体装置を得る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、特にリードフレームに対して樹脂封止した
後は、金型の切断刃によるリードカットを行っていたた
め、その切断工程において、リードカット時の衝撃によ
りリード部の隣接する封止樹脂の部分に樹脂カケ、クラ
ック等が起こり、またリード部が封止樹脂部分から脱落
するといった課題があった。従来の樹脂封止型半導体装
置の構造は、リード部がその上面だけを封止樹脂で覆わ
れたいわゆる片面封止構造であるため、金型の切断刃に
よるリードカットでは、その衝撃いかんによって、リー
ド部、封止樹脂部の破損が発生しやすい状況であった。
ードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、特にリードフレームに対して樹脂封止した
後は、金型の切断刃によるリードカットを行っていたた
め、その切断工程において、リードカット時の衝撃によ
りリード部の隣接する封止樹脂の部分に樹脂カケ、クラ
ック等が起こり、またリード部が封止樹脂部分から脱落
するといった課題があった。従来の樹脂封止型半導体装
置の構造は、リード部がその上面だけを封止樹脂で覆わ
れたいわゆる片面封止構造であるため、金型の切断刃に
よるリードカットでは、その衝撃いかんによって、リー
ド部、封止樹脂部の破損が発生しやすい状況であった。
【００１９】さらに近年、大型のリードフレーム基板上
に半導体素子を搭載し、金属細線で接続した後、外囲を
全体で封止する一括成形が進んでいるが、この一括成形
では、リードフレーム上面全体を封止樹脂が覆った構成
の場合は、リードカットだけでなく、封止樹脂部もカッ
トしなければならないため、金型の切断刃によるカット
手段では対応できないという課題が顕在化してきてい
る。
に半導体素子を搭載し、金属細線で接続した後、外囲を
全体で封止する一括成形が進んでいるが、この一括成形
では、リードフレーム上面全体を封止樹脂が覆った構成
の場合は、リードカットだけでなく、封止樹脂部もカッ
トしなければならないため、金型の切断刃によるカット
手段では対応できないという課題が顕在化してきてい
る。
【００２０】本発明は前記した従来の課題および今後の
樹脂封止型半導体装置の製造工程の動向に対応できるリ
ードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置を提
供するものであり、生産性を高め、リードフレーム、基
板から樹脂封止型半導体装置を分離する際の切断工程で
リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生しないリード
フレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびそ
の製造方法を提供するものである。
樹脂封止型半導体装置の製造工程の動向に対応できるリ
ードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置を提
供するものであり、生産性を高め、リードフレーム、基
板から樹脂封止型半導体装置を分離する際の切断工程で
リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生しないリード
フレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびそ
の製造方法を提供するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のリードフレームは、金属板よりなる
フレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配
設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で
前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続
した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッ
ド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続
したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した
領域近傍に設けられた薄厚部とよりなるリードフレーム
である。
るために、本発明のリードフレームは、金属板よりなる
フレーム本体と、前記フレーム本体の略中央領域内に配
設された半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で
前記ダイパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続
した吊りリード部と、少なくとも先端部が前記ダイパッ
ド部に向かって延在し、他端部が前記フレーム枠と接続
したリード部と、前記リード部のフレーム枠と接続した
領域近傍に設けられた薄厚部とよりなるリードフレーム
である。
【００２２】また、金属板よりなるフレーム本体と、前
記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子
搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を
支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延
在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、
前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けら
れた狭幅部とよりなるリードフレームである。
記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子
搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を
支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延
在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、
前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けら
れた狭幅部とよりなるリードフレームである。
【００２３】そして本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレー
ム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用の
ダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、
他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なく
とも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端
部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード
部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた薄厚部
とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意
したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子
を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記
半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレー
ムのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程
と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部
の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なくとも
前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の
底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフ
レームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、
金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部の
フレーム枠と接続した領域近傍に設けられた薄厚部を除
く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止
後に前記封止シートを前記リードフレームより除去する
工程と、前記リード部の薄厚部を切断して樹脂封止型半
導体装置を得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の
製造方法である。
造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレー
ム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用の
ダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、
他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なく
とも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端
部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード
部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた薄厚部
とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意
したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子
を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記
半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレー
ムのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程
と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部
の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なくとも
前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の
底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフ
レームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、
金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部の
フレーム枠と接続した領域近傍に設けられた薄厚部を除
く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止
後に前記封止シートを前記リードフレームより除去する
工程と、前記リード部の薄厚部を切断して樹脂封止型半
導体装置を得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の
製造方法である。
【００２４】具体的には、リード部の薄厚部を切断して
樹脂封止型半導体装置を得る工程では、ブレードにより
前記薄厚部を切削して切断する樹脂封止型半導体装置の
製造方法である。
樹脂封止型半導体装置を得る工程では、ブレードにより
前記薄厚部を切削して切断する樹脂封止型半導体装置の
製造方法である。
【００２５】また、リード部の薄厚部を切断して樹脂封
止型半導体装置を得る工程では、切断金型により前記薄
厚部を破断して切断する樹脂封止型半導体装置の製造方
法である。
止型半導体装置を得る工程では、切断金型により前記薄
厚部を破断して切断する樹脂封止型半導体装置の製造方
法である。
【００２６】また、金属板よりなるフレーム本体と、前
記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子
搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を
支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延
在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、
前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けら
れた狭幅部とよりなるリードフレームを用意する工程
と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上
に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に
搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記
リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により
接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なく
ともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程
と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、
前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態
で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設
けられた狭幅部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止す
る工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフ
レームより除去する工程と、前記リード部の狭幅部を切
断して樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなる樹脂
封止型半導体装置の製造方法である。
記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子
搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を
支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延
在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、
前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けら
れた狭幅部とよりなるリードフレームを用意する工程
と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上
に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に
搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記
リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により
接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なく
ともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程
と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、
前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態
で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設
けられた狭幅部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止す
る工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフ
レームより除去する工程と、前記リード部の狭幅部を切
断して樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなる樹脂
封止型半導体装置の製造方法である。
【００２７】具体的には、リード部の狭幅部を切断して
樹脂封止型半導体装置を得る工程では、ブレードにより
前記狭幅部を切削して切断する樹脂封止型半導体装置の
製造方法である。
樹脂封止型半導体装置を得る工程では、ブレードにより
前記狭幅部を切削して切断する樹脂封止型半導体装置の
製造方法である。
【００２８】また、リード部の狭幅部を切断して樹脂封
止型半導体装置を得る工程では、切断金型により前記狭
幅部を破断して切断する樹脂封止型半導体装置の製造方
法である。
止型半導体装置を得る工程では、切断金型により前記狭
幅部を破断して切断する樹脂封止型半導体装置の製造方
法である。
【００２９】前記構成の通り、本発明のリードフレーム
とそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リ
ードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する
際、樹脂封止後のリードカット工程では、金型の切断刃
に代えて、基板ダイシング等で用いるような回転ブレー
ドで切削して切断することにより、切断されるリード部
に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、
リード部、そのリード部近傍の封止樹脂に対するダメー
ジを解消してリードカットすることができる。そのた
め、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をなくし
て信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る。
とそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リ
ードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する
際、樹脂封止後のリードカット工程では、金型の切断刃
に代えて、基板ダイシング等で用いるような回転ブレー
ドで切削して切断することにより、切断されるリード部
に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、
リード部、そのリード部近傍の封止樹脂に対するダメー
ジを解消してリードカットすることができる。そのた
め、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をなくし
て信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る。
【００３０】さらにリード部の切断部に相当する箇所が
薄厚、または狭幅としているため、ブレード切断時のカ
エリ部（金属バリ）の発生を抑制して切断することがで
き、切断後のリード部の形状安定性、それによる実装信
頼性を確保できるものである。
薄厚、または狭幅としているため、ブレード切断時のカ
エリ部（金属バリ）の発生を抑制して切断することがで
き、切断後のリード部の形状安定性、それによる実装信
頼性を確保できるものである。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームと
それを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施
形態について図面を参照しながら説明する。
それを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施
形態について図面を参照しながら説明する。
【００３２】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。
説明する。
【００３３】図１は本実施形態のリードフレームの一部
分を示す図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
分を示す図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
【００３４】図１に示すように、本実施形態のリードフ
レームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半
導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイ
パッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレー
ム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置
した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続
手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とよ
り構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封
止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリ
ード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はア
ウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリ
ード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続し
て設けられている。図１において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４
（アウターリード部４ｂ）を切断する切断部５を示して
いる。
レームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半
導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイ
パッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレー
ム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置
した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続
手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とよ
り構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封
止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリ
ード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はア
ウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリ
ード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続し
て設けられている。図１において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４
（アウターリード部４ｂ）を切断する切断部５を示して
いる。
【００３５】また、本実施形態のリードフレームは、図
１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部
３によって支持されているが、その吊りリード部３に設
けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４
上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされ
ているものである。
１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部
３によって支持されているが、その吊りリード部３に設
けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４
上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされ
ているものである。
【００３６】なお、リードフレームは、図１に示した構
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されるものである。
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されるものである。
【００３７】次に本実施形態のリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１
に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示し
た透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ
１箇所の断面図である。
樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１
に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示し
た透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ
１箇所の断面図である。
【００３８】図２に示すように、リードフレームのダイ
パッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素
子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線
７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部
２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封
止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４
（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底
面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構
成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリ
ード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側
面と同一面である。
パッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素
子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線
７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部
２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封
止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４
（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底
面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構
成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリ
ード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側
面と同一面である。
【００３９】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００４０】まず図３に示すように、フレーム枠と、そ
のフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であ
って、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッ
ド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠
と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有した
リードフレームを用意する。
のフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であ
って、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッ
ド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠
と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有した
リードフレームを用意する。
【００４１】そして図４に示すように、ダイパッド部２
上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載し
ボンディングする。
上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載し
ボンディングする。
【００４２】次に図５に示すように、ダイパッド部２上
に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せ
ず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線
７により電気的に接続する。
に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せ
ず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線
７により電気的に接続する。
【００４３】次に図６に示すように、半導体素子６が搭
載された状態のリードフレームの少なくともリード部４
の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シート
１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよう
に保護し、リード部４の底面を露出させるための部材で
ある。
載された状態のリードフレームの少なくともリード部４
の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シート
１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよう
に保護し、リード部４の底面を露出させるための部材で
ある。
【００４４】次に図７に示すように、リードフレームを
金型内に載置し、金型によりリード部４を封止シート１
０に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止
樹脂８を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッ
ド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細
線７の接続領域を封止する。図８には外囲を封止樹脂８
で封止した状態を示している。
金型内に載置し、金型によりリード部４を封止シート１
０に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止
樹脂８を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッ
ド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細
線７の接続領域を封止する。図８には外囲を封止樹脂８
で封止した状態を示している。
【００４５】次に図９に示すように、リードフレームの
リード部４の底面に密着させていた封止シート１０をピ
ールオフ等により除去する。
リード部４の底面に密着させていた封止シート１０をピ
ールオフ等により除去する。
【００４６】次に図１０に示すように、リード部４の切
断箇所５に対して、回転ブレード１１でリードカットを
行う。
断箇所５に対して、回転ブレード１１でリードカットを
行う。
【００４７】そして図１１に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンド
オフを有して露出して、外部端子９を構成するととも
に、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹
脂封止型半導体装置を得るものである。
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンド
オフを有して露出して、外部端子９を構成するととも
に、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹
脂封止型半導体装置を得るものである。
【００４８】以上、本実施形態のリードフレームを用い
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレード１１で切削して切
断することにより、切断されるリード部４（切断部５）
に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、
リード部４、そのリード部４近傍の封止樹脂８に対する
ダメージを解消してリードカットすることができる。そ
のため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をな
くして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレード１１で切削して切
断することにより、切断されるリード部４（切断部５）
に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、
リード部４、そのリード部４近傍の封止樹脂８に対する
ダメージを解消してリードカットすることができる。そ
のため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をな
くして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。
【００４９】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法で得られた樹脂封止型半導体装置に起こり得る
別の課題について説明する。
製造方法で得られた樹脂封止型半導体装置に起こり得る
別の課題について説明する。
【００５０】図１２は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の起こり得る課題を示す断面図である。図１２に示す
樹脂封止型半導体装置は、基本構成は前記した図２に示
した樹脂封止型半導体装置と同様であるが、製造過程に
おいて、回転ブレードでリード部４の切断部５を切削し
てリードカットしているため、回転ブレードによる回転
力とリード部４の素材である金属材料との関係により、
切断したリード部４のアウターリード部４ｂの面に金属
材によるカエリ部１２（金属バリ）が形成されてしま
う。このカエリ部１２により、樹脂封止型半導体装置を
基板実装する際、実装不良を誘発したり、ハンダ接合時
のハンダブリッジを起こしたりする可能性があり、カエ
リ部１２が発生しないようリードカットする必要性が生
じている。なお、図１２では、カエリ部１２は、リード
部４の底面側に示しているが、リード部４の側面側、お
よびリード部４の上面側にも発生する場合もある。
置の起こり得る課題を示す断面図である。図１２に示す
樹脂封止型半導体装置は、基本構成は前記した図２に示
した樹脂封止型半導体装置と同様であるが、製造過程に
おいて、回転ブレードでリード部４の切断部５を切削し
てリードカットしているため、回転ブレードによる回転
力とリード部４の素材である金属材料との関係により、
切断したリード部４のアウターリード部４ｂの面に金属
材によるカエリ部１２（金属バリ）が形成されてしま
う。このカエリ部１２により、樹脂封止型半導体装置を
基板実装する際、実装不良を誘発したり、ハンダ接合時
のハンダブリッジを起こしたりする可能性があり、カエ
リ部１２が発生しないようリードカットする必要性が生
じている。なお、図１２では、カエリ部１２は、リード
部４の底面側に示しているが、リード部４の側面側、お
よびリード部４の上面側にも発生する場合もある。
【００５１】通常、カエリ部１２の発生要因としては、
リード切断で用いる回転ブレードの切削によって、リー
ド部４を構成している材料である金属材（例えばＣｕ
材）がはね上げられ、金属材の一部が薄膜状に突出し、
カエリ部１２として切断されたリード部４の端面に残留
するものと考えられる。
リード切断で用いる回転ブレードの切削によって、リー
ド部４を構成している材料である金属材（例えばＣｕ
材）がはね上げられ、金属材の一部が薄膜状に突出し、
カエリ部１２として切断されたリード部４の端面に残留
するものと考えられる。
【００５２】以下、主としてリード部４の側面側と底面
側とに発生するカエリ部１２の除去、または発生を防止
する手段の実施形態について、図面を参照しながら説明
する。
側とに発生するカエリ部１２の除去、または発生を防止
する手段の実施形態について、図面を参照しながら説明
する。
【００５３】図１３〜図１５は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上
に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気
的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフ
レームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリード
カット工程を示す断面図である。
の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上
に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気
的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフ
レームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリード
カット工程を示す断面図である。
【００５４】本実施形態では、図１３に示すように、リ
ードフレームとして、リード部４の切断部５に相当する
部分の厚みを薄く構成した薄厚部１３を有したものを用
いるものであり、リード部４のカエリ部が発生する前に
リード部４を切断できるよう、厚みを薄くしているもの
である。本実施形態で用いるリードフレームについて
は、リード部４の切断部５に相当する部分がその厚みを
薄く構成している以外は、図１に示した形態のリードフ
レームと同様な構成を有するものである。
ードフレームとして、リード部４の切断部５に相当する
部分の厚みを薄く構成した薄厚部１３を有したものを用
いるものであり、リード部４のカエリ部が発生する前に
リード部４を切断できるよう、厚みを薄くしているもの
である。本実施形態で用いるリードフレームについて
は、リード部４の切断部５に相当する部分がその厚みを
薄く構成している以外は、図１に示した形態のリードフ
レームと同様な構成を有するものである。
【００５５】図１３に示すように、切断部５の薄厚部１
３に対して、回転ブレード１１により切削して切断する
ことにより、カエリ部の発生を防止して、リードカット
し、樹脂封止型半導体装置を分離できるものである。ま
た切断部５が薄厚部１３で構成されているため、切断時
の衝撃も低減されるので、金型の切断刃１４で切断して
も、樹脂カケ、リード欠損等をなくしてリードカットで
きる。図１４は回転ブレードによりリード部４を切断し
た状態を示し、図１５は分離して得た樹脂封止型半導体
装置を示している。図１５に示すように、リードカット
後のリード部４の端面は薄厚部による段差がやや残る
が、リード部４の底面部分はカエリによる突出等がなく
平坦を構成するので、基板実装上の問題や信頼性劣化の
問題はない。なお、使用するブレード１１は、ブレード
の断面形状は、先端が平坦な、通常、半導体ウェハーの
ダイシングで使用するノーマルブレードを用いる。
３に対して、回転ブレード１１により切削して切断する
ことにより、カエリ部の発生を防止して、リードカット
し、樹脂封止型半導体装置を分離できるものである。ま
た切断部５が薄厚部１３で構成されているため、切断時
の衝撃も低減されるので、金型の切断刃１４で切断して
も、樹脂カケ、リード欠損等をなくしてリードカットで
きる。図１４は回転ブレードによりリード部４を切断し
た状態を示し、図１５は分離して得た樹脂封止型半導体
装置を示している。図１５に示すように、リードカット
後のリード部４の端面は薄厚部による段差がやや残る
が、リード部４の底面部分はカエリによる突出等がなく
平坦を構成するので、基板実装上の問題や信頼性劣化の
問題はない。なお、使用するブレード１１は、ブレード
の断面形状は、先端が平坦な、通常、半導体ウェハーの
ダイシングで使用するノーマルブレードを用いる。
【００５６】また本実施形態では、リード部４の切断部
５の構成を薄厚に構成した例を示したが、図１６（ａ）
に示すように、リード部４の上面部分の厚みを除去した
凹部を構成する以外、図１６（ｂ）に示すように、リー
ド部４の上下面部分の厚みを除去した薄厚部を構成して
もよいし、リード部４の下面部分の厚みを除去した凹部
を構成してもよい。さらに図１７（ａ），（ｂ）に示す
ように、リード部４の厚みを薄くする代わりに、リード
部４の切断部５のリード幅を他の部分よりも減少させ、
回転ブレードによって、カエリ部が発生する前に切断で
きるような構成を採用してもよい。すなわちリード部４
の切断部５の回転ブレードが切削する量を減少させるこ
とにより、ブレードの回転で発生するカエリ部を防止で
きるものである。なお、本実施形態の図１６において、
図１６（ａ），（ｂ）はリード部４の一部分を示す断面
図であり、図１７（ａ）はリード部４の一部分を示す断
面図であり、図１７（ｂ）は図１７（ａ）の平面図であ
る。
５の構成を薄厚に構成した例を示したが、図１６（ａ）
に示すように、リード部４の上面部分の厚みを除去した
凹部を構成する以外、図１６（ｂ）に示すように、リー
ド部４の上下面部分の厚みを除去した薄厚部を構成して
もよいし、リード部４の下面部分の厚みを除去した凹部
を構成してもよい。さらに図１７（ａ），（ｂ）に示す
ように、リード部４の厚みを薄くする代わりに、リード
部４の切断部５のリード幅を他の部分よりも減少させ、
回転ブレードによって、カエリ部が発生する前に切断で
きるような構成を採用してもよい。すなわちリード部４
の切断部５の回転ブレードが切削する量を減少させるこ
とにより、ブレードの回転で発生するカエリ部を防止で
きるものである。なお、本実施形態の図１６において、
図１６（ａ），（ｂ）はリード部４の一部分を示す断面
図であり、図１７（ａ）はリード部４の一部分を示す断
面図であり、図１７（ｂ）は図１７（ａ）の平面図であ
る。
【００５７】すなわち、リード部の幅を小さくしたリー
ドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する場
合も前記同様、その製造工程は、金属板よりなるフレー
ム本体と、そのフレーム本体の略中央領域内に配設され
た半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部でダイパ
ッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリ
ード部と、少なくとも先端部がダイパッド部に向かって
延在し、他端部がフレーム枠と接続したリード部と、リ
ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた狭
幅部とよりなるリードフレームを用意する工程と、その
用意したリードフレームのダイパッド部上に半導体素子
を搭載する工程と、ダイパッド部上に搭載した半導体素
子の主面上の電極パッドと、リードフレームのリード部
の各上面とを金属細線により接続する工程と、リードフ
レームの裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シ
ートを密着させる工程と、少なくともリード部の端部に
押圧力を付加し、リード部の底面を封止シートに押圧し
た状態で、リードフレームの上面側として半導体素子、
ダイパッド部、金属細線、およびリード部の底面とリー
ド部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた狭幅
部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹
脂封止後に封止シートをリードフレームより除去する工
程と、リード部の狭幅部を切断して樹脂封止型半導体装
置を得る工程とよりなり、リード部の狭幅部を切断して
樹脂封止型半導体装置を得る工程では、ブレードにより
狭幅部を切削して切断したり、切断金型により狭幅部を
破断して切断するものである。
ドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する場
合も前記同様、その製造工程は、金属板よりなるフレー
ム本体と、そのフレーム本体の略中央領域内に配設され
た半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部でダイパ
ッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリ
ード部と、少なくとも先端部がダイパッド部に向かって
延在し、他端部がフレーム枠と接続したリード部と、リ
ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた狭
幅部とよりなるリードフレームを用意する工程と、その
用意したリードフレームのダイパッド部上に半導体素子
を搭載する工程と、ダイパッド部上に搭載した半導体素
子の主面上の電極パッドと、リードフレームのリード部
の各上面とを金属細線により接続する工程と、リードフ
レームの裏面側の少なくともリード部の各底面に封止シ
ートを密着させる工程と、少なくともリード部の端部に
押圧力を付加し、リード部の底面を封止シートに押圧し
た状態で、リードフレームの上面側として半導体素子、
ダイパッド部、金属細線、およびリード部の底面とリー
ド部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた狭幅
部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹
脂封止後に封止シートをリードフレームより除去する工
程と、リード部の狭幅部を切断して樹脂封止型半導体装
置を得る工程とよりなり、リード部の狭幅部を切断して
樹脂封止型半導体装置を得る工程では、ブレードにより
狭幅部を切削して切断したり、切断金型により狭幅部を
破断して切断するものである。
【００５８】本実施形態で示したようなリード部４の切
断部５の厚み、幅を小さく構成する方法としては、エッ
チングによるリード部４の材料を除去する方法があり、
ハーフエッチングにより厚み、幅のコントロールが可能
である。
断部５の厚み、幅を小さく構成する方法としては、エッ
チングによるリード部４の材料を除去する方法があり、
ハーフエッチングにより厚み、幅のコントロールが可能
である。
【００５９】また、もちろん実施形態で示したリード部
の切断部の幅、厚さについては、組み合わせることによ
っても、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑
えることができる。
の切断部の幅、厚さについては、組み合わせることによ
っても、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑
えることができる。
【００６０】さらに本実施形態では、フレーム枠内に１
つのダイパッド部２と、それに対向して配置された複数
のリード部４とにより構成されたユニットをその領域内
に複数ユニット有したリードフレームに対して、各ユニ
ットごとに樹脂封止してパッケージ部を構成し、各ユニ
ット間に露出したリード部４をその切断部で切断する例
を示したが、本実施形態で示したように、リード部４の
切断部５に相当する部分の厚み、幅を変更したリードフ
レームを用いる手段によって、一括成形としてリードフ
レーム内の各ユニットを包括して全面樹脂封止し、各ユ
ニット間のリード部４の上面、すなわち各ユニット間の
リード部の切断部に封止樹脂が形成された場合において
も、同様な作用効果を奏するものである。
つのダイパッド部２と、それに対向して配置された複数
のリード部４とにより構成されたユニットをその領域内
に複数ユニット有したリードフレームに対して、各ユニ
ットごとに樹脂封止してパッケージ部を構成し、各ユニ
ット間に露出したリード部４をその切断部で切断する例
を示したが、本実施形態で示したように、リード部４の
切断部５に相当する部分の厚み、幅を変更したリードフ
レームを用いる手段によって、一括成形としてリードフ
レーム内の各ユニットを包括して全面樹脂封止し、各ユ
ニット間のリード部４の上面、すなわち各ユニット間の
リード部の切断部に封止樹脂が形成された場合において
も、同様な作用効果を奏するものである。
【００６１】以上、本実施形態で示したように、リード
フレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する際、
樹脂封止後のリードカット工程では、金型の切断刃に代
えて、基板ダイシング等で用いるような回転ブレードで
切削して切断することにより、切断されるリード部に対
しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、リー
ド部、そのリード部近傍の封止樹脂に対するダメージを
解消してリードカットすることができる。そのため、リ
ード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をなくして信頼
性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
フレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する際、
樹脂封止後のリードカット工程では、金型の切断刃に代
えて、基板ダイシング等で用いるような回転ブレードで
切削して切断することにより、切断されるリード部に対
しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、リー
ド部、そのリード部近傍の封止樹脂に対するダメージを
解消してリードカットすることができる。そのため、リ
ード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をなくして信頼
性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００６２】さらに本実施形態により、リード部のブレ
ード切断時のカエリ部（金属バリ）の発生を抑制して切
断することができ、切断後のリード部の形状安定性、そ
れによる実装信頼性を確保できるものである。
ード切断時のカエリ部（金属バリ）の発生を抑制して切
断することができ、切断後のリード部の形状安定性、そ
れによる実装信頼性を確保できるものである。
【００６３】
【発明の効果】以上、本発明のリードフレームとそれを
用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法により、まず樹
脂封止後のリードカット工程では、金型の切断刃に代え
て、基板ダイシング等で用いるような回転ブレードで切
削して切断することにより、切断されるリード部に対し
ては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、リード
部、そのリード部近傍の封止樹脂に対するダメージを解
消してリードカットすることができる。そのため、リー
ド部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をなくして信頼性
の高い樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法により、まず樹
脂封止後のリードカット工程では、金型の切断刃に代え
て、基板ダイシング等で用いるような回転ブレードで切
削して切断することにより、切断されるリード部に対し
ては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、リード
部、そのリード部近傍の封止樹脂に対するダメージを解
消してリードカットすることができる。そのため、リー
ド部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をなくして信頼性
の高い樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００６４】さらにリード部の切断部の厚み、幅をブレ
ード切断に支障のない厚み、幅としたリードフレームを
用いることにより、リード部のブレード切断時のカエリ
部（金属バリ）の発生を抑制して切断することができ、
リード部の不良をなくして樹脂封止型半導体装置製品の
実装信頼性を確保できるものである。
ード切断に支障のない厚み、幅としたリードフレームを
用いることにより、リード部のブレード切断時のカエリ
部（金属バリ）の発生を抑制して切断することができ、
リード部の不良をなくして樹脂封止型半導体装置製品の
実装信頼性を確保できるものである。
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の課題を示す断面図
の課題を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態のリードフレームのリー
ド部を示す断面図
ド部を示す断面図
【図１７】本発明の一実施形態のリードフレームのリー
ド部を示す図
ド部を示す図
【図１８】従来のリードフレームを示す図
【図１９】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図２０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ リード部 ５ 切断部 ６ 半導体素子 ７ 金属細線 ８ 封止樹脂 ９ 外部端子 １０ 封止シート １１ 回転ブレード １２ カエリ部 １３ 薄厚部 １０１ フレーム枠 １０２ ダイパッド部 １０３ 吊りリード部 １０４ リード部 １０５ 半導体素子 １０６ 金属細線 １０７ 封止樹脂 １０８ 外部端子 １０９ 封止シート １１０ 切断部 １１１ 切断刃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松尾 隆広 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 野村 徹 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F067 AA01 AA09 AB04 BA08 DB01 DE20
Claims (8)
- 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた薄
厚部とよりなることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた狭
幅部とよりなることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた薄
厚部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記
用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した
前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフ
レームのリード部の各上面とを金属細線により接続する
工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリー
ド部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なく
とも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード
部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リー
ドフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド
部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード
部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた薄厚部
を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂
封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去
する工程と、前記リード部の薄厚部を切断して樹脂封止
型半導体装置を得る工程とよりなることを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 リード部の薄厚部を切断して樹脂封止型
半導体装置を得る工程では、ブレードにより前記薄厚部
を切削して切断することを特徴とする請求項３に記載の
樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 リード部の薄厚部を切断して樹脂封止型
半導体装置を得る工程では、切断金型により前記薄厚部
を破断して切断することを特徴とする請求項３に記載の
樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた狭
幅部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記
用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した
前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフ
レームのリード部の各上面とを金属細線により接続する
工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリー
ド部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なく
とも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード
部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リー
ドフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド
部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード
部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた狭幅部
を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂
封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去
する工程と、前記リード部の狭幅部を切断して樹脂封止
型半導体装置を得る工程とよりなることを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 リード部の狭幅部を切断して樹脂封止型
半導体装置を得る工程では、ブレードにより前記狭幅部
を切削して切断することを特徴とする請求項６に記載の
樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 リード部の狭幅部を切断して樹脂封止型
半導体装置を得る工程では、切断金型により前記狭幅部
を破断して切断することを特徴とする請求項６に記載の
樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24751699A JP2001077279A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24751699A JP2001077279A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077279A true JP2001077279A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17164656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24751699A Pending JP2001077279A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077279A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261193A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2015072946A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
| JP2015179737A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US9331254B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| JP2017069236A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-09-01 JP JP24751699A patent/JP2001077279A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261193A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US9331254B2 (en) | 2011-08-12 | 2016-05-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US9537072B2 (en) | 2011-08-12 | 2017-01-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, lead frame and resin cavity molding package |
| JP2015072946A (ja) * | 2013-10-01 | 2015-04-16 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
| JP2015179737A (ja) * | 2014-03-19 | 2015-10-08 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2017069236A (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | Ｓｈマテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
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