JP2003017646A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

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雄一郎 山田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置
の樹脂封止の際、封止シートとダイパッドとの間の残留
空気により樹脂中にボイドが残留するという問題があっ
た。 【解決手段】 樹脂封止型半導体装置のダイパッド部１
はエアベント７を有し、樹脂封止の際の封止シートとダ
イパッド部１との界面に残留した空気（気泡）をそのエ
アベント７を通して、ダイパッド部１の空隙に逃がすこ
とができるため、樹脂封止の際の空気の残留をなくし、
ボイドの発生のない樹脂封止型半導体装置を実現するこ
とができる。特にダイパッド部１が上方に突出した支持
部１ａを有している場合、その突出部１ａの下方の空隙
に空気を逃がすことができ、封止樹脂中へのボイドの残
留を効果的に防止できるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
したダイパッド部が封止樹脂の外部に露出したタイプの
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関し、特に
封止樹脂中への樹脂ボイドの発生を防止した樹脂封止型
半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来のダイパッド部露出型の樹脂封
止型半導体装置について説明する。図６は従来の樹脂封
止型半導体装置を示す図であり、図６（ａ）は平面図、
図６（ｂ）は底面図、図６（ｃ）は図６（ｂ）のＡ−Ａ
１箇所の断面図である。
【０００４】図６に示すように、リードフレームのダイ
パッド部１０１上に半導体素子１０２が搭載され、その
半導体素子１０２とインナーリード部１０３とが金属細
線１０４により電気的に接続されている。そしてダイパ
ッド部１０１上の半導体素子１０２、インナーリード部
１０３の外囲は封止樹脂１０５により封止されている。
また封止樹脂１０５の側面とインナーリード部１０３の
末端部とは同一面に配置されているものであり、ダイパ
ッド部１０１の底面が封止樹脂１０５から露出している
ダイパッド部露出型の樹脂封止型半導体装置である。ま
たインナーリード部１０３の先端部が外部端子１０６と
して露出しているものである。
【０００５】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について説明する。図７はリードフレームを用いた従
来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの
断面図である。
【０００６】まず図７（ａ）に示すように、フレーム枠
と、そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形
状のダイパッド部１０１と、ダイパッド部１０１を支持
する吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その
載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気
的接続するビーム状のインナーリード部１０３とを有し
たリードフレームを用意する。
【０００７】次に図７（ｂ）に示すように、リードフレ
ームのダイパッド部１０１上に半導体素子１０２を銀ペ
ースト等の接着剤により接合する（ダイボンド工程）。
【０００８】次に図７（ｃ）に示すように、ダイパッド
部１０１上に搭載した半導体素子１０２の表面の電極パ
ッド（図示せず）と、リードフレームのインナーリード
部１０３の先端部とを金属細線１０４により接続する
（ワイヤーボンド工程）。
【０００９】その後、図７（ｄ）に示すように、封止シ
ートをリードフレームに密着させた状態でダイパッド部
１０１、半導体素子１０２、インナーリード部１０３の
外囲を封止樹脂１０５により封止する。この工程ではリ
ードフレームの底面に封止シートを密着させて封止して
いるので、ダイパッド部１０１の底面を除く領域、吊り
リード部、半導体素子１０２、インナーリード部１０３
の底面を除く領域、および金属細線１０４の接続領域を
封止するものであり、封止後は封止樹脂１０５の底面か
らダイパッド部１０１の底面が露出した構成となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹
脂封止型半導体装置およびその製造方法では、リードフ
レームに半導体素子を搭載、金属細線で電気的な接続を
行った後の樹脂封止工程で、封止シートをリードフレー
ム底面に密着させて封止しているが、リードフレームの
ダイパッド部、インナーリード部と封止シートとの界面
において、樹脂封止の際に入り込む空気がその界面に残
留し、金型に設けたエアベントまでその空気が押し出さ
れず、結果としてダイパッドの端部に空気が残留するこ
とから、樹脂ボイドとなってダイパッド部近傍の封止樹
脂中に発生してしまう。このような現象は近年、リード
間隔が緻密になっている多ピン、高密度タイプのリード
フレームを用いて、かつ封止シートを用いた樹脂封止工
程の際に発生することが多く、ダイパッド部露出型の樹
脂封止型半導体装置を製造する上で大きな問題となって
いた。
【００１１】封止樹脂中に樹脂ボイドが発生している場
合、樹脂封止型半導体装置を基板実装した際、加熱環境
下での動作中に樹脂へのクラック、実装不良が発生し、
信頼性上、好ましくない状況となる。
【００１２】本発明は前記した従来の課題を解決するも
のであり、特にダイパッド部が封止樹脂の外部に露出し
たタイプの樹脂封止型半導体装置への樹脂ボイドの発生
を防止した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を
提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素
子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持し
た吊りリード部と、前記ダイパッド部上に搭載された半
導体素子と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列
された複数のリード部と、前記半導体素子の電極と前記
リード部とを接続した金属細線と、前記ダイパッド部の
底面を除く領域、吊りリード部、前記半導体素子、前記
リード部の底面と末端部を除く領域、および金属細線の
接続領域を封止した封止樹脂とよりなり、前記リード部
の末端部は前記封止樹脂の側面と略同一面に配列された
樹脂封止型半導体装置であって、前記ダイパッド部の底
面には、エアベントが設けられている樹脂封止型半導体
装置である。
【００１４】具体的には、ダイパッド部の底面に設けら
れたエアベントは、前記ダイパッド部の辺に対して設け
られた切り欠きである樹脂封止型半導体装置である。
【００１５】また、ダイパッド部の底面に設けられたエ
アベントは、前記ダイパッド部の底面の辺に対して設け
られた溝部である樹脂封止型半導体装置である。
【００１６】また、ダイパッド部は、上面に突出した支
持部を有している樹脂封止型半導体装置である。
【００１７】また、少なくともリード部は、先端部がダ
イパッド部に対向して配列された第１のリード部と、先
端部が前記第１のリード部の先端部領域よりも前記ダイ
パッド部側に延在して配置された第２のリード部とより
なる樹脂封止型半導体装置である。
【００１８】また、第１のリード部の底面、第２のリー
ド部の底面はランド電極を構成し、封止樹脂の下面領域
において平面配列で少なくとも２列を構成している樹脂
封止型半導体装置である。
【００１９】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素
子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部の各角部
をその先端部で支持し、末端部が前記フレーム枠に接続
した吊りリード部と、先端部が前記ダイパッド部に対向
して配列され、末端部が前記フレーム枠に接続した複数
のリード部とよりなるリードフレームであって、前記ダ
イパッド部の底面には、エアベントが設けられているリ
ードフレームを用意する工程と、用意したリードフレー
ムの前記ダイパッド部上に半導体素子をその主面を上に
して搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前
記半導体素子の電極と、前記リードフレームのリード部
とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレー
ムの下面であって、少なくとも前記リード部、ダイパッ
ド部の底面に封止シートを密着させ、前記リードフレー
ムの上面側を封止樹脂により樹脂封止し、前記ダイパッ
ド部の底面を除く領域、吊りリード部、前記半導体素
子、前記リード部の底面を除く領域、および金属細線の
接続領域を封止する工程とよりなる樹脂封止型半導体装
置の製造方法である。
【００２０】具体的には、樹脂封止する工程では、封止
シートとリードフレームのダイパッド部との間に残留し
た空気を前記ダイパッド部のエアベントを通じてダイパ
ッド側に逃がして樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の
製造方法である。
【００２１】また、樹脂封止の工程の後、吊りリード
部、リード部の末端部分を切断し、前記吊りリード部、
前記リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に
配列する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２２】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置は、ダイパッド部はエアベントを有し、樹脂封止
の際の封止シートとダイパッド部との界面に残留した空
気（気泡）をエアベントを通して、ダイパッド部の空隙
に逃がすことができるため、樹脂封止の際の空気の残留
をなくしボイドの発生のない樹脂封止型半導体装置を実
現することができる。特にダイパッド部が上方に突出し
た支持部を有している場合、その突出部の下方の空隙に
空気を逃がすことができ、封止樹脂中へのボイドの残留
を防止できるものである。
【００２３】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、樹脂封止する工程では、封止シートとリードフ
レームのダイパッド部との間に残留した空気をダイパッ
ド部のエアベントを通じてダイパッド側に逃がして樹脂
封止するので、樹脂ボイドの発生を防止できるものであ
る。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。
【００２５】図１は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は底
面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図
である。
【００２６】図１に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、半導体素子搭載用の上方に突出部１ａ
を半切断状態で有したダイパッド部１と、そのダイパッ
ド部１を支持した吊りリード部２と、ダイパッド部１の
支持部１ａ上に搭載された半導体素子３と、先端部がダ
イパッド部１に対向して配列された複数のリード部であ
って、先端部がダイパッド部１に対向して配列された第
１のリード部４ａと、先端部が第１のリード部４ａの先
端部領域よりもダイパッド部１側に延在して配置された
第２のリード部４ｂと、半導体素子３の電極と第１，第
２のリード部４ａ，４ｂとを接続した金属細線５と、ダ
イパッド部１の底面を除く領域、吊りリード部２、半導
体素子３、第１，第２のリード部４ａ，４ｂの底面と末
端部を除く領域、および金属細線５の接続領域を封止し
た封止樹脂６とよりなり、第１，第２の各リード部４
ａ，４ｂの末端部は封止樹脂６の側面と略同一面に配列
された樹脂封止型半導体装置であって、ダイパッド部１
の底面には、エアベント７が設けられている樹脂封止型
半導体装置である。
【００２７】そして図１（ｂ）に示すように、本実施形
態の樹脂封止型半導体装置は、第１のリード部４ａの底
面、第２のリード部４ｂの底面はランド電極を構成し、
封止樹脂６の下面領域において平面配列で少なくとも２
列を構成しているランドグリッドアレイ型の樹脂封止型
半導体装置である。
【００２８】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置に
おけるダイパッド部の構成について説明する。
【００２９】図２はダイパッド部の形態を示す図であ
り、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＣ
−Ｃ１箇所の断面図、そして図２（ｃ）は別の形態のダ
イパッド部構成を示す平面図である。
【００３０】まず図２（ａ），（ｂ）に示すように、本
実施形態の樹脂封止型半導体装置で採用しているダイパ
ッド部１は、平面形状が略四角形の形状であり、略中央
部に上方に突出した半導体素子を支持する支持部１ａが
形成されているものである。支持部１ａの形成として
は、ダイパッド部を構成する金属板に対して、下方から
上方に向けて押圧し、半切断状態で突出させているもの
であり、ダイパッド部１の支持部１ａの下部には空隙が
形成されている。そしてダイパッド部１の各辺には切り
欠きが形成され、エアベント７を構成しているものであ
り、樹脂封止の際の封止シートとダイパッド部１との界
面に残留した空気（気泡）をそのエアベント７を通し
て、ダイパッド部の下方の空隙に逃がすことができ、ボ
イドの発生を防止できるものである。
【００３１】また図２（ｃ）に示すように、エアベント
７として、切り欠きに代えて、ダイパッド部１の底面に
板厚を貫通しない溝部を形成し、エアベント７としても
よい。このエアベント構造においても同様にエアベント
を通して、ダイパッド部の下方の空隙に逃がすことがで
きる。
【００３２】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
では、ダイパッド部１はエアベント７を有し、樹脂封止
の際の封止シートとダイパッド部１との界面に残留した
空気（気泡）をそのエアベント７を通して、ダイパッド
部１の空隙に逃がすことができるため、樹脂封止の際の
空気の残留をなくしボイドの発生のない樹脂封止型半導
体装置を実現することができるものである。特にダイパ
ッド部１が上方に突出した支持部１ａを有している場
合、その突出部１ａの下方の空隙に空気を逃がすことが
でき、封止樹脂中へのボイドの残留を防止できるもので
ある。
【００３３】次に本実施形態の半導体装置の製造方法に
ついて説明する。
【００３４】図３，図４，図５は本実施形態の樹脂封止
型半導体装置の製造方法を示す図であり、図３は用いる
リードフレームを示す図であり、図３（ａ）は平面図、
図３（ｂ）は図３（ａ）のＤ−Ｄ１箇所の断面図であ
る。図４，図５は製造方法の主要な工程を示す断面図で
ある。
【００３５】まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【００３６】図３に示すように、銅材または、４２−ア
ロイ等の通常のリードフレームに用いられている金属板
よりなり、半導体素子を搭載する支持部１ａを有した略
四角形のダイパッド部１と、その末端でフレーム枠と接
続し、先端部でダイパッド部１の四隅角を支持する吊り
リード部２と、その先端部がダイパッド部１に対向し、
末端部がフレーム枠と接続して配置された直線状の第１
のリード部４ａと、直線状の第２のリード部４ｂとより
なるリードフレームであり、第１のリード部４ａ、第２
のリード部４ｂはそれぞれその先端底面で外部端子（ラ
ンド部）を構成するものであり、第１のリード部４ａは
その底面に加えて外方側面でも外部端子として実装基板
と接続できるものである。
【００３７】そして詳細には、ダイパッド部１にはその
表面の略中央部分に円形の支持部１ａが設けられ、その
支持部１ａは、ダイパッド部１を構成している平板に対
してプレス加工により半切断状態のプレスを施し、上方
に突出させたものである。この支持部１ａが実質的に半
導体素子を支持する部分となり、半導体素子を搭載した
際、ダイパッド部１の支持部１ａを除く表面と半導体素
子裏面との間には間隙が形成されるよう構成されてい
る。本実施形態では、２００［μｍ］の金属板よりなる
ダイパッド部１（リードフレーム厚）の厚みに対して、
５０［μｍ］〜１００［μｍ］（金属板自体の厚みの２
５［％］〜５０［％］）突出した支持部１ａを形成して
いる。そしてまたダイパッド部１の各辺には切り欠き状
のエアベント７が設けられている。
【００３８】また、本実施形態のリードフレームの第１
のリード部４ａと第２のリード部４ｂは、フレーム枠と
接続した状態では交互配列の並列配置となっており、ダ
イパッド部１に対向する配置においては、第２のリード
部４ｂの先端部が第１のリード部４ａの先端部よりもダ
イパッド部１側に延在し、それら先端部どうしは平面配
置上、千鳥状に配置されているものである。この配置
は、半導体素子を搭載し、樹脂封止した際には、パッケ
ージ底面に２列の外部端子が千鳥状に配置されるように
したものであり、各リード部の先端部底面がパッケージ
底面に配置されるものである。そして各リード部は直線
形状のリードであり、その先端部の底面部分に外部端子
となる先端部が曲率を有したランド部が形成されてお
り、第２のリード部４ａのランド部を形成する部分以外
はハーフエッチ加工により厚みが薄く加工され、ランド
部はリード本来の厚みを有するものである。
【００３９】以下、前述のリードフレームを用いて樹脂
封止型半導体装置を製造する工程について説明する。
【００４０】まず図４（ａ）に示すように、金属板より
なるフレーム枠内に設けられた半導体素子搭載用のダイ
パッド部１と、そのダイパッド部１の各角部をその先端
部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊りリード
部と、先端部がダイパッド部１に対向して配列され、末
端部がフレーム枠に接続した複数の第１，第２のリード
部４ａ，４ｂとよりなるリードフレームであって、ダイ
パッド部１の底面には、エアベントが設けられているリ
ードフレームを用意する。
【００４１】次に図４（ｂ）に示すように、用意したリ
ードフレームのダイパッド部１の支持部１ａ上に半導体
素子３をその主面を上にして接着搭載する。
【００４２】次に図４（ｃ）に示すように、ダイパッド
部１上に搭載した半導体素子３の電極と、リードフレー
ムの第１，第２のリード部４ａ，４ｂとを金属細線５に
より電気的に接続する。
【００４３】そして図４（ｄ）に示すように、リードフ
レームの下面であって、少なくとも第１，第２のリード
部４ａ，４ｂ、ダイパッド部１の底面に封止シート８を
貼付により密着させ、リードフレームの上面側を封止樹
脂６により樹脂封止し、ダイパッド部１の底面を除く領
域、吊りリード部、半導体素子３、第１，第２のリード
部４ａ，４ｂの底面を除く領域、および金属細線５の接
続領域を封止する。
【００４４】この封止工程では、封止シート８とリード
フレームのダイパッド部１との間に残留した空気をダイ
パッド部１の各辺に設けたエアベントを通じてダイパッ
ド部１の支持部１ａ下部の空隙側に逃がして樹脂封止す
るものであり、樹脂ボイドの発生を防止できるものであ
る。ここで通常は封止金型側にはエアベントが設けられ
ているが、本実施形態のようなリード部分が緻密に配置
され、スペース的にも狭ピッチの場合、樹脂封止の際に
は、残留した空気が金型のエアベントまで移動する前に
樹脂封止が完了してしまい、結果として樹脂中にボイド
が発生してしまうが、本実施形態ではダイパッド部にエ
アベントを設けているので、金型側のエアベントに空気
を逃がさずとも、ダイパッド部１の支持部１ａ下部の空
隙側に逃がすことができるため、樹脂ボイドの発生を防
止できるものである。
【００４５】そして図５に示すように、樹脂封止の工程
の後、吊りリード部、第１，第２のリード部４ａ，４ｂ
の末端部分を切断し、吊りリード部、各リード部の各末
端部を封止樹脂６の側面と略同一面に配列することによ
り、前述の図１で示した構造と同様な樹脂封止型半導体
装置を得るものである。図５に示した樹脂封止型半導体
装置は、ダイパッド部１の近傍には樹脂ボイドの発生が
ない信頼性の高い樹脂封止型半導体装置である。
【００４６】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
およびその製造方法では、リードフレームのダイパッド
部はエアベントを有し、樹脂封止の際の封止シートとダ
イパッド部との界面に残留した空気をエアベントを通し
て、ダイパッド部の空隙に逃がすことができるため、樹
脂封止の際の空気の残留をなくしボイドの発生のない樹
脂封止型半導体装置を実現することができる。特にダイ
パッド部が上方に突出した支持部を有している場合、そ
の突出部の下方の空隙に空気を逃がすことができ、封止
樹脂中へのボイドの残留を防止できるものである。
【００４７】なお、本実施形態ではリード部が２列を構
成したタイプの樹脂封止型半導体装置を例に説明した
が、１列タイプ、３列以上の多列であっても、ダイパッ
ド部露出型の片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置の
製造方法に広く適用できるものである。
【００４８】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置
は、特にダイパッド部が封止樹脂から露出したタイプの
樹脂封止型半導体装置において、ダイパッド部の近傍の
封止樹脂中にボイドの発生のない樹脂封止型半導体装置
を実現できるものである。
【００４９】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、樹脂封止する工程では、封止シートとリードフ
レームのダイパッド部との間に残留した空気をダイパッ
ド部に設けたエアベントを通じてダイパッド側に逃がし
て樹脂封止するので、ボイドの発生を防止できるもので
あり、ダイパッド部露出型の片面封止タイプの樹脂封止
型半導体装置の製造方法に広く適用できる優れた製法で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
ダイパッド部を示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法で用いるリードフレームを示す図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図６】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す
断面図
【符号の説明】
１ ダイパッド部 １ａ 突出部 ２ 吊りリード部 ３ 半導体素子 ４ａ 第１のリード部 ４ｂ 第２のリード部 ５ 金属細線 ６ 封止樹脂 ７ エアベント ８ 封止シート １０１ ダイパッド部 １０２ 半導体素子 １０３ インナーリード部 １０４ 金属細線 １０５ 封止樹脂 １０６ 外部端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA01 CA21 DA04 FA03 5F061 AA01 BA01 CA21 DD12 5F067 AA07 BE02 BE03 DE01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子搭載用のダイパッド部と、 前記ダイパッド部を支持した吊りリード部と、 前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、 先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数の
    リード部と、 前記半導体素子の電極と前記リード部とを接続した金属
    細線と、 前記ダイパッド部の底面を除く領域、吊りリード部、前
    記半導体素子、前記リード部の底面と末端部を除く領
    域、および金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とよ
    りなり、 前記リード部の末端部は前記封止樹脂の側面と略同一面
    に配列された樹脂封止型半導体装置であって、 前記ダイパッド部の底面には、エアベントが設けられて
    いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 【請求項２】 ダイパッド部の底面に設けられたエアベ
    ントは、前記ダイパッド部の辺に対して設けられた切り
    欠きであることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止
    型半導体装置。
  3. 【請求項３】 ダイパッド部の底面に設けられたエアベ
    ントは、前記ダイパッド部の底面の辺に対して設けられ
    た溝部であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封
    止型半導体装置。
  4. 【請求項４】 ダイパッド部は、上面に突出した支持部
    を有していることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封
    止型半導体装置。
  5. 【請求項５】 少なくともリード部は、 先端部がダイパッド部に対向して配列された第１のリー
    ド部と、 先端部が前記第１のリード部の先端部領域よりも前記ダ
    イパッド部側に延在して配置された第２のリード部とよ
    りなることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半
    導体装置。
  6. 【請求項６】 第１のリード部の底面、第２のリード部
    の底面はランド電極を構成し、封止樹脂の下面領域にお
    いて平面配列で少なくとも２列を構成していることを特
    徴とする請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置。
  7. 【請求項７】 金属板よりなるフレーム枠内に設けられ
    た半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド
    部の各角部をその先端部で支持し、末端部が前記フレー
    ム枠に接続した吊りリード部と、先端部が前記ダイパッ
    ド部に対向して配列され、末端部が前記フレーム枠に接
    続した複数のリード部とよりなるリードフレームであっ
    て、前記ダイパッド部の底面には、エアベントが設けら
    れているリードフレームを用意する工程と、 用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
    素子をその主面を上にして搭載する工程と、 前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の電極
    と、前記リードフレームのリード部とを金属細線により
    接続する工程と、 前記リードフレームの下面であって、少なくとも前記リ
    ード部、ダイパッド部の底面に封止シートを密着させ、
    前記リードフレームの上面側を封止樹脂により樹脂封止
    し、前記ダイパッド部の底面を除く領域、吊りリード
    部、前記半導体素子、前記リード部の底面を除く領域、
    および金属細線の接続領域を封止する工程とよりなるこ
    とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 樹脂封止する工程では、封止シートとリ
    ードフレームのダイパッド部との間に残留した空気を前
    記ダイパッド部のエアベントを通じてダイパッド側に逃
    がして樹脂封止することを特徴とする請求項７に記載の
    樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 樹脂封止の工程の後、吊りリード部、リ
    ード部の末端部分を切断し、前記吊りリード部、前記リ
    ード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列す
    ることを特徴とする請求項７に記載の樹脂封止型半導体
    装置の製造方法。
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