JP2001077129A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止後のリードカット工程でのブレード
切断により、切断したリード部の端面に金属バリが発生
するといった課題があった。 【解決手段】 樹脂封止した後のリードフレームに対し
て、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離する
際、回転ブレード１１によってリード部４の切断部に対
して第１の切削でリードカットを行い、リード部４の切
断した端面にカエリ部１２が発生しても、さらにリード
部４の第１の切削の経路に対して逆方向にブレードによ
り第２の切削を行い、その第１の切削により、発生した
縦カエリ部および横カエリ部を除去できるものである。
すなわち第１の切削でリードカットの切削を行い、第２
の切削でカエリ部１２を除去する切削を行うという１つ
の切断部に対して２回以上の切削を行うことにより、リ
ードカットとともにカエリ部を除去できるものである。
切断により、切断したリード部の端面に金属バリが発生
するといった課題があった。 【解決手段】 樹脂封止した後のリードフレームに対し
て、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離する
際、回転ブレード１１によってリード部４の切断部に対
して第１の切削でリードカットを行い、リード部４の切
断した端面にカエリ部１２が発生しても、さらにリード
部４の第１の切削の経路に対して逆方向にブレードによ
り第２の切削を行い、その第１の切削により、発生した
縦カエリ部および横カエリ部を除去できるものである。
すなわち第１の切削でリードカットの切削を行い、第２
の切削でカエリ部１２を除去する切削を行うという１つ
の切断部に対して２回以上の切削を行うことにより、リ
ードカットとともにカエリ部を除去できるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
と称される外部端子となるリード部が片面封止された小
型／薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するも
のであり、特に生産効率を向上させるとともに、リード
部の信頼性を向上させた樹脂封止型半導体装置を実現す
るための製造方法に関するものである。
Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
と称される外部端子となるリード部が片面封止された小
型／薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するも
のであり、特に生産効率を向上させるとともに、リード
部の信頼性を向上させた樹脂封止型半導体装置を実現す
るための製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来のＱＦＮ型の樹脂封止型半導体
装置に使用するリードフレームについて説明する。
装置に使用するリードフレームについて説明する。
【０００４】図１８は、従来のリードフレームの構成を
示す図であり、図１８（ａ）は平面図であり、図１８
（ｂ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
示す図であり、図１８（ａ）は平面図であり、図１８
（ｂ）は図１８（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００５】図１８に示すように、従来のリードフレー
ムは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内
に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０
２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持
し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１
０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導
体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続する
ビーム状のリード部１０４とより構成されている。そし
てリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹
脂部に埋設される部分はインナーリード部１０４ａを構
成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部
１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０
４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して
設けられている。図１８において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１
０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部
分を示している。
ムは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内
に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０
２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持
し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１
０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導
体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続する
ビーム状のリード部１０４とより構成されている。そし
てリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹
脂部に埋設される部分はインナーリード部１０４ａを構
成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部
１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０
４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して
設けられている。図１８において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１
０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部
分を示している。
【０００６】また、従来のリードフレームは、図１８
（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード
部１０３によって支持されているが、その吊りリード部
１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０
２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよ
う、アップセットされているものである。
（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード
部１０３によって支持されているが、その吊りリード部
１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０
２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよ
う、アップセットされているものである。
【０００７】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図１９は、図１８に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１９
（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、
図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図で
ある。
説明する。図１９は、図１８に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１９
（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、
図１９（ｂ）は図１９（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図で
ある。
【０００８】図１９に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、そ
の半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード
部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され
ている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０
５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７
により封止されている。そしてそのリード部１０４（イ
ンナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７
の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１
０８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面から
はアウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的
に封止樹脂１０７の側面と同一面である。
イパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、そ
の半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード
部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され
ている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０
５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７
により封止されている。そしてそのリード部１０４（イ
ンナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７
の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１
０８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面から
はアウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的
に封止樹脂１０７の側面と同一面である。
【０００９】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について説明する。
法について説明する。
【００１０】まず図２０に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダ
イパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部が
フレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載
置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接
続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０
４とを有したリードフレームを用意する。
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダ
イパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部が
フレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載
置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接
続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０
４とを有したリードフレームを用意する。
【００１１】そして図２１に示すように、ダイパッド部
１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０
５を搭載しボンディングする。
１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０
５を搭載しボンディングする。
【００１２】次に図２２に示すように、ダイパッド部１
０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッ
ド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１
０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッ
ド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１
０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
【００１３】次に図２３に示すように、半導体素子１０
５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリー
ド部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。こ
の封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂
が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を
露出させるための部材である。
５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリー
ド部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。こ
の封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂
が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を
露出させるための部材である。
【００１４】次に図２４に示すように、リードフレーム
を金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シ
ート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂より
なる封止樹脂１０７を注入し、リードフレームの外囲と
してダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部
１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止す
る。図２５には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を
示している。
を金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シ
ート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂より
なる封止樹脂１０７を注入し、リードフレームの外囲と
してダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部
１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止す
る。図２５には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を
示している。
【００１５】次に図２６に示すように、リードフレーム
のリード部１０４の底面に密着させていた封止シートを
ピールオフ等により除去する。
のリード部１０４の底面に密着させていた封止シートを
ピールオフ等により除去する。
【００１６】次に図２７に示すように、リード部１０４
の切断部１１０に対して、金型による切断刃１１１でリ
ードカットを行い、樹脂封止型半導体装置を分離する。
の切断部１１０に対して、金型による切断刃１１１でリ
ードカットを行い、樹脂封止型半導体装置を分離する。
【００１７】そして図２８に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載さ
れ、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナー
リード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接
続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そして
そのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底
面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有し
て露出して、外部端子１０８を構成するとともに、封止
樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成し
た樹脂封止型半導体装置を得る。
ムのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載さ
れ、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナー
リード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接
続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そして
そのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底
面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有し
て露出して、外部端子１０８を構成するとともに、封止
樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成し
た樹脂封止型半導体装置を得る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、特にリードフレームに対して樹脂封止した
後は、金型の切断刃によるリードカットを行っていたた
め、その切断工程において、リードカット時の衝撃によ
りリード部の隣接する封止樹脂の部分に樹脂カケ、クラ
ック等が起こり、またリード部が封止樹脂部分から脱落
するといった課題があった。従来の樹脂封止型半導体装
置の構造は、リード部がその上面だけを封止樹脂で覆わ
れたいわゆる片面封止構造であるため、金型の切断刃に
よるリードカットでは、その衝撃いかんによって、リー
ド部、封止樹脂部の破損が発生しやすい状況であった。
ードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、特にリードフレームに対して樹脂封止した
後は、金型の切断刃によるリードカットを行っていたた
め、その切断工程において、リードカット時の衝撃によ
りリード部の隣接する封止樹脂の部分に樹脂カケ、クラ
ック等が起こり、またリード部が封止樹脂部分から脱落
するといった課題があった。従来の樹脂封止型半導体装
置の構造は、リード部がその上面だけを封止樹脂で覆わ
れたいわゆる片面封止構造であるため、金型の切断刃に
よるリードカットでは、その衝撃いかんによって、リー
ド部、封止樹脂部の破損が発生しやすい状況であった。
【００１９】さらに近年、大型のリードフレーム基板上
に半導体素子を搭載し、金属細線で接続した後、外囲を
全体で封止する一括成形が進んでいるが、この一括成形
では、リードフレーム上面全体を封止樹脂が覆った構成
の場合は、リードカットだけでなく、封止樹脂部もカッ
トしなければならないため、金型の切断刃によるカット
手段では対応できないという課題が顕在化してきてい
る。
に半導体素子を搭載し、金属細線で接続した後、外囲を
全体で封止する一括成形が進んでいるが、この一括成形
では、リードフレーム上面全体を封止樹脂が覆った構成
の場合は、リードカットだけでなく、封止樹脂部もカッ
トしなければならないため、金型の切断刃によるカット
手段では対応できないという課題が顕在化してきてい
る。
【００２０】本発明は前記した従来の課題および今後の
樹脂封止型半導体装置の製造工程の動向に対応できる樹
脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものであり、
生産性を高め、リードフレーム、または基板から樹脂封
止型半導体装置を分離する際の切断工程でリード部、封
止樹脂部に欠陥、欠損の発生しない樹脂封止型半導体装
置の製造方法を提供するものである。
樹脂封止型半導体装置の製造工程の動向に対応できる樹
脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものであり、
生産性を高め、リードフレーム、または基板から樹脂封
止型半導体装置を分離する際の切断工程でリード部、封
止樹脂部に欠陥、欠損の発生しない樹脂封止型半導体装
置の製造方法を提供するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパ
ッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部
でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先
端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前
記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部の前
記フレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部と
よりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意し
たリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を
搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半
導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレーム
のリード部の各上面とを金属細線により接続する工程
と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、
前記リード部の底面を前記金属膜に押圧した状態で、前
記リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイ
パッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記
リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた
切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程
と、前記リードの切断部上面に対してブレードによる第
１の切削を行い、前記切断部をフル切断して樹脂封止型
半導体装置を分離し、さらに前記第１の切削の経路に対
して逆方向にブレードにより第２の切削を行い、前記切
断部を往復切削して前記切断部の端面に発生したカエリ
部を除去する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製
造方法である。
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパ
ッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部
でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先
端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前
記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部の前
記フレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部と
よりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意し
たリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を
搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半
導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレーム
のリード部の各上面とを金属細線により接続する工程
と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、
前記リード部の底面を前記金属膜に押圧した状態で、前
記リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイ
パッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記
リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた
切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程
と、前記リードの切断部上面に対してブレードによる第
１の切削を行い、前記切断部をフル切断して樹脂封止型
半導体装置を分離し、さらに前記第１の切削の経路に対
して逆方向にブレードにより第２の切削を行い、前記切
断部を往復切削して前記切断部の端面に発生したカエリ
部を除去する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製
造方法である。
【００２２】また、片面封止パッケージのような樹脂封
止型半導体装置の場合は、金属板よりなるフレーム本体
と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導
体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッ
ド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリー
ド部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かっ
て延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部
と、前記リード部の前記フレーム枠と接続した領域近傍
に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意す
る工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッ
ド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド
部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッド
と、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細
線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側
の少なくともリード部の各底面に封止シートを密着させ
る工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付
加し、前記リード部の底面を前記金属膜に押圧した状態
で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設
けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止す
る工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフ
レームより除去する工程と、前記リードの切断部上面に
対してブレードによる第１の切削を行い、前記切断部を
フル切断して樹脂封止型半導体装置を分離し、さらに前
記第１の切削の経路に対して逆方向にブレードにより第
２の切削を行い、前記切断部を往復切削して前記切断部
の端面に発生したカエリ部を除去する工程とよりなる樹
脂封止型半導体装置の製造方法である。
止型半導体装置の場合は、金属板よりなるフレーム本体
と、前記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導
体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッ
ド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリー
ド部と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かっ
て延在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部
と、前記リード部の前記フレーム枠と接続した領域近傍
に設けられた切断部とよりなるリードフレームを用意す
る工程と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッ
ド部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド
部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッド
と、前記リードフレームのリード部の各上面とを金属細
線により接続する工程と、前記リードフレームの裏面側
の少なくともリード部の各底面に封止シートを密着させ
る工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付
加し、前記リード部の底面を前記金属膜に押圧した状態
で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設
けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止す
る工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフ
レームより除去する工程と、前記リードの切断部上面に
対してブレードによる第１の切削を行い、前記切断部を
フル切断して樹脂封止型半導体装置を分離し、さらに前
記第１の切削の経路に対して逆方向にブレードにより第
２の切削を行い、前記切断部を往復切削して前記切断部
の端面に発生したカエリ部を除去する工程とよりなる樹
脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２３】また、リードの切断部上面に対してブレー
ドによる第１の切削を行い、切断部をフル切断し、さら
に前記第１の切削の経路に対して逆方向にブレードによ
り第２の切削を行い、前記切断部を往復切削して前記切
断部の端面に発生したカエリ部を除去する工程は、前記
第１の切削の経路に対して順方向にブレードにより第２
の切削を行い、前記切断部の端面に発生したカエリ部を
除去する工程である樹脂封止型半導体装置の製造方法で
ある。
ドによる第１の切削を行い、切断部をフル切断し、さら
に前記第１の切削の経路に対して逆方向にブレードによ
り第２の切削を行い、前記切断部を往復切削して前記切
断部の端面に発生したカエリ部を除去する工程は、前記
第１の切削の経路に対して順方向にブレードにより第２
の切削を行い、前記切断部の端面に発生したカエリ部を
除去する工程である樹脂封止型半導体装置の製造方法で
ある。
【００２４】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、ブレードによるリードカットによ
り、生産性を高め、リードフレーム、基板から樹脂封止
型半導体装置を分離する際の切断工程でリード部、封止
樹脂部に欠陥、欠損の発生を防止できるものである。
体装置の製造方法は、ブレードによるリードカットによ
り、生産性を高め、リードフレーム、基板から樹脂封止
型半導体装置を分離する際の切断工程でリード部、封止
樹脂部に欠陥、欠損の発生を防止できるものである。
【００２５】さらに樹脂封止した後のリードフレームに
対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離す
る際、第１の切削の経路に対して逆方向にブレードによ
り第２の切削を行い、切断部を往復切断したり、第１の
切削の経路に対して順方向にブレードにより第２の切削
を行い、切断部を切断することにより、リード部の切断
部に対して第１の切削でリードカットを行い、リード部
の切断した端面にカエリが発生しても、さらに第２の切
削を行い、その第２の切削により、発生した縦カエリ部
および横カエリ部を除去できるものである。すなわち第
１の切削でリードカットの切削を行い、第２の切削でカ
エリ部を除去する切削を行うという１つの切断部に対し
て２回以上の切削を行うことにより、リードカットとと
もにカエリ部を除去できるものである。
対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離す
る際、第１の切削の経路に対して逆方向にブレードによ
り第２の切削を行い、切断部を往復切断したり、第１の
切削の経路に対して順方向にブレードにより第２の切削
を行い、切断部を切断することにより、リード部の切断
部に対して第１の切削でリードカットを行い、リード部
の切断した端面にカエリが発生しても、さらに第２の切
削を行い、その第２の切削により、発生した縦カエリ部
および横カエリ部を除去できるものである。すなわち第
１の切削でリードカットの切削を行い、第２の切削でカ
エリ部を除去する切削を行うという１つの切断部に対し
て２回以上の切削を行うことにより、リードカットとと
もにカエリ部を除去できるものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームと
それを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施
形態について図面を参照しながら説明する。
それを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施
形態について図面を参照しながら説明する。
【００２７】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。
説明する。
【００２８】図１は本実施形態のリードフレームの一部
分を示す図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
分を示す図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
【００２９】図１に示すように、本実施形態のリードフ
レームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半
導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイ
パッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレー
ム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置
した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続
手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とよ
り構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封
止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリ
ード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はア
ウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリ
ード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続し
て設けられている。図１において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４
（アウターリード部４ｂ）を切断する切断部５を示して
いる。
レームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半
導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイ
パッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレー
ム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置
した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続
手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とよ
り構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封
止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリ
ード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はア
ウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリ
ード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続し
て設けられている。図１において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４
（アウターリード部４ｂ）を切断する切断部５を示して
いる。
【００３０】また、本実施形態のリードフレームは、図
１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部
３によって支持されているが、その吊りリード部３に設
けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４
上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされ
ているものである。
１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部
３によって支持されているが、その吊りリード部３に設
けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４
上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされ
ているものである。
【００３１】なお、リードフレームは、図１に示した構
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されるものである。
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されるものである。
【００３２】次に本実施形態のリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１
に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示し
た透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ
１箇所の断面図である。
樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１
に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示し
た透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ
１箇所の断面図である。
【００３３】図２に示すように、リードフレームのダイ
パッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素
子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線
７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部
２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封
止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４
（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底
面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構
成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリ
ード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側
面と同一面である。
パッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素
子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線
７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部
２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封
止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４
（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底
面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構
成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリ
ード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側
面と同一面である。
【００３４】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００３５】まず図３に示すように、フレーム枠と、そ
のフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であ
って、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッ
ド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠
と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有した
リードフレームを用意する。
のフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であ
って、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッ
ド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠
と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有した
リードフレームを用意する。
【００３６】そして図４に示すように、ダイパッド部２
上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載し
ボンディングする。
上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載し
ボンディングする。
【００３７】次に図５に示すように、ダイパッド部２上
に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せ
ず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線
７により電気的に接続する。
に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せ
ず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線
７により電気的に接続する。
【００３８】次に図６に示すように、半導体素子６が搭
載された状態のリードフレームの少なくともリード部４
の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シート
１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよう
に保護し、リード部４の底面を露出させるための部材で
ある。
載された状態のリードフレームの少なくともリード部４
の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シート
１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよう
に保護し、リード部４の底面を露出させるための部材で
ある。
【００３９】次に図７に示すように、リードフレームを
金型内に載置し、金型によりリード部４を封止シート１
０に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止
樹脂８を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッ
ド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細
線７の接続領域を封止する。図８には外囲を封止樹脂８
で封止した状態を示している。
金型内に載置し、金型によりリード部４を封止シート１
０に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止
樹脂８を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッ
ド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細
線７の接続領域を封止する。図８には外囲を封止樹脂８
で封止した状態を示している。
【００４０】次に図９に示すように、リードフレームの
リード部４の底面に密着させていた封止シート１０をピ
ールオフ等により除去する。
リード部４の底面に密着させていた封止シート１０をピ
ールオフ等により除去する。
【００４１】次に図１０に示すように、リード部４の切
断箇所５に対して、回転ブレード１１でリードカットを
行う。なお、ここで使用するブレード１１の幅は通常、
ウェハーのダイシングで使用するブレードと同様な１０
０［μｍ］程度である。
断箇所５に対して、回転ブレード１１でリードカットを
行う。なお、ここで使用するブレード１１の幅は通常、
ウェハーのダイシングで使用するブレードと同様な１０
０［μｍ］程度である。
【００４２】そして図１１に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンド
オフを有して露出して、外部端子９を構成するととも
に、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹
脂封止型半導体装置を得るものである。
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンド
オフを有して露出して、外部端子９を構成するととも
に、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹
脂封止型半導体装置を得るものである。
【００４３】以上、本実施形態のリードフレームを用い
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレード１１で切削して切
断することにより、切断されるリード部４（切断部５）
に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、
リード部４、そのリード部４近傍の封止樹脂８に対する
ダメージを解消してリードカットすることができる。そ
のため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をな
くして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレード１１で切削して切
断することにより、切断されるリード部４（切断部５）
に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、
リード部４、そのリード部４近傍の封止樹脂８に対する
ダメージを解消してリードカットすることができる。そ
のため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をな
くして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。
【００４４】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法で得られた樹脂封止型半導体装置に起こり得る
別の課題について説明する。
製造方法で得られた樹脂封止型半導体装置に起こり得る
別の課題について説明する。
【００４５】図１２は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の課題を示す断面図である。図１２に示す樹脂封止型
半導体装置は、基本構成は前記した図２に示した樹脂封
止型半導体装置と同様であるが、製造過程において、回
転ブレードでリード部４の切断部５を切削してリードカ
ットしているため、回転ブレードによる回転力とリード
部４の素材である金属材料との関係により、切断したリ
ード部４のアウターリード部４ｂの面に金属材によるカ
エリ部１２（金属バリ）が形成されてしまう。このカエ
リ部１２により、樹脂封止型半導体装置を基板実装する
際、実装不良を誘発したり、ハンダ接合時のハンダブリ
ッジを起こしたりする可能性があり、カエリ部１２が発
生しないようリードカット、または発生したカエリ部１
２を除去する必要性が生じている。なお、図１２では、
カエリ部１２は、リード部４の底面側に示しているが、
リード部４の側面側、およびリード部４の上面側にも発
生する場合もある。
置の課題を示す断面図である。図１２に示す樹脂封止型
半導体装置は、基本構成は前記した図２に示した樹脂封
止型半導体装置と同様であるが、製造過程において、回
転ブレードでリード部４の切断部５を切削してリードカ
ットしているため、回転ブレードによる回転力とリード
部４の素材である金属材料との関係により、切断したリ
ード部４のアウターリード部４ｂの面に金属材によるカ
エリ部１２（金属バリ）が形成されてしまう。このカエ
リ部１２により、樹脂封止型半導体装置を基板実装する
際、実装不良を誘発したり、ハンダ接合時のハンダブリ
ッジを起こしたりする可能性があり、カエリ部１２が発
生しないようリードカット、または発生したカエリ部１
２を除去する必要性が生じている。なお、図１２では、
カエリ部１２は、リード部４の底面側に示しているが、
リード部４の側面側、およびリード部４の上面側にも発
生する場合もある。
【００４６】通常、カエリ部１２の発生要因としては、
リード切断で用いる回転ブレードの切削によって、リー
ド部４を構成している材料である金属材（例えばＣｕ
材）がはね上げられ、金属材の一部が薄膜状に突出し、
カエリ部１２として切断されたリード部４の端面に残留
するものと考えられる。
リード切断で用いる回転ブレードの切削によって、リー
ド部４を構成している材料である金属材（例えばＣｕ
材）がはね上げられ、金属材の一部が薄膜状に突出し、
カエリ部１２として切断されたリード部４の端面に残留
するものと考えられる。
【００４７】以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法について、主としてリード部４の側面側と底面側
とに発生するカエリ部１２の除去、またはそれ自体の発
生を防止する実施形態について、課題解決における実施
形態として図面を参照しながら説明する。
造方法について、主としてリード部４の側面側と底面側
とに発生するカエリ部１２の除去、またはそれ自体の発
生を防止する実施形態について、課題解決における実施
形態として図面を参照しながら説明する。
【００４８】図１３〜図１７は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上
に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気
的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフ
レームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリード
カット工程を示す断面図である。なお、それ以前の工程
については、図３〜図９に示した工程と同等の工程であ
る。
の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上
に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気
的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフ
レームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリード
カット工程を示す断面図である。なお、それ以前の工程
については、図３〜図９に示した工程と同等の工程であ
る。
【００４９】まず図１３に示すように、ダイパッド部２
上に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電
気的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリード
フレームから樹脂封止型半導体装置を分離するリードカ
ット工程では、リード部４の切断部５に対して、通常の
ダイシング工程で使用する回転ブレード１１により第１
の切削を行うものである。
上に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電
気的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリード
フレームから樹脂封止型半導体装置を分離するリードカ
ット工程では、リード部４の切断部５に対して、通常の
ダイシング工程で使用する回転ブレード１１により第１
の切削を行うものである。
【００５０】そして図１４に示すように、回転ブレード
１１によって第１の切削では、リード部４の切断部に対
してフルカットを行い、あえてカエリ部１２を発生させ
るものである。すなわち、リード部４のフルカットして
切断したリードの端面部にカエリ部の発生の有無に構わ
ず、生産性を高めたブレード切断の条件を設定できるも
のであり、ブレードの回転数、被切断物の送り速度を高
めて、短時間でリード部４を切断するものである。
１１によって第１の切削では、リード部４の切断部に対
してフルカットを行い、あえてカエリ部１２を発生させ
るものである。すなわち、リード部４のフルカットして
切断したリードの端面部にカエリ部の発生の有無に構わ
ず、生産性を高めたブレード切断の条件を設定できるも
のであり、ブレードの回転数、被切断物の送り速度を高
めて、短時間でリード部４を切断するものである。
【００５１】そして図１５に示すように、リード部４の
切断部上面に対してブレードによる第１の切削を行い、
切断部をフルカットして樹脂封止型半導体装置を分離し
た状態で、さらに第１の切削の経路に対して逆方向、つ
まり復路に対して回転ブレード１１により第２の切削を
行い、リード部４の切断部を往復切削して切断部の端面
に発生したカエリ部を除去するものである。
切断部上面に対してブレードによる第１の切削を行い、
切断部をフルカットして樹脂封止型半導体装置を分離し
た状態で、さらに第１の切削の経路に対して逆方向、つ
まり復路に対して回転ブレード１１により第２の切削を
行い、リード部４の切断部を往復切削して切断部の端面
に発生したカエリ部を除去するものである。
【００５２】なお、この工程では、第１の切削の経路に
対して順方向にブレードにより第２の切削を行い、切断
部の端面に発生したカエリ部を除去してもよい。
対して順方向にブレードにより第２の切削を行い、切断
部の端面に発生したカエリ部を除去してもよい。
【００５３】そして図１６に示すように、リード部４を
切断して、その切断した端面にはカエリ部の発生のない
樹脂封止型半導体装置をリードフレームから分離できる
ものである。
切断して、その切断した端面にはカエリ部の発生のない
樹脂封止型半導体装置をリードフレームから分離できる
ものである。
【００５４】図１７には、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６と
リード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７によ
り電気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止さ
れ、そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の
底面部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して
露出して、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８
の側面からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に
封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体
装置を示しており、リード部４の端面にはカエリ部の発
生はない。
部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６と
リード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７によ
り電気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止さ
れ、そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の
底面部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して
露出して、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８
の側面からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に
封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体
装置を示しており、リード部４の端面にはカエリ部の発
生はない。
【００５５】以上、本実施形態では、樹脂封止した後の
リードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半
導体装置を分離する際、リード部の切断部に対して、回
転ブレードによってリード部をフルカットして第１の切
削を行い、次いでその第１の切削した経路に対して同様
に第２の切削を逆方向または順方向から行うことによ
り、リード部の切断した端面に発生したカエリ部を除去
し、しかも生産性を高めて短時間でリードカットできる
ものである。
リードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半
導体装置を分離する際、リード部の切断部に対して、回
転ブレードによってリード部をフルカットして第１の切
削を行い、次いでその第１の切削した経路に対して同様
に第２の切削を逆方向または順方向から行うことによ
り、リード部の切断した端面に発生したカエリ部を除去
し、しかも生産性を高めて短時間でリードカットできる
ものである。
【００５６】なお、切断時のブレードの回転数、被切断
物の送り速度、ブレードのサイズ、ブレード材質等につ
いては、適宜、最適値を設定する。
物の送り速度、ブレードのサイズ、ブレード材質等につ
いては、適宜、最適値を設定する。
【００５７】さらに本実施形態では、フレーム枠内に１
つのダイパッド部と、それに対向して配置された複数の
リード部とにより構成されたユニットをその領域内に複
数ユニット有したリードフレームに対して、各ユニット
ごとに樹脂封止してパッケージ部を構成し、各ユニット
間に露出したリード部をその切断部で切断する例を示し
たが、本実施形態で示したように、リード部に対して徐
々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、幅、
切断する面の方向を変えてリードカットを実施する手段
によって、一括成形としてリードフレーム内の各ユニッ
トを包括して全面樹脂封止し、各ユニット間のリード部
の上面、すなわち各ユニット間のリード部の切断部に封
止樹脂が形成された場合においても、同様な作用効果を
奏するものである。
つのダイパッド部と、それに対向して配置された複数の
リード部とにより構成されたユニットをその領域内に複
数ユニット有したリードフレームに対して、各ユニット
ごとに樹脂封止してパッケージ部を構成し、各ユニット
間に露出したリード部をその切断部で切断する例を示し
たが、本実施形態で示したように、リード部に対して徐
々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、幅、
切断する面の方向を変えてリードカットを実施する手段
によって、一括成形としてリードフレーム内の各ユニッ
トを包括して全面樹脂封止し、各ユニット間のリード部
の上面、すなわち各ユニット間のリード部の切断部に封
止樹脂が形成された場合においても、同様な作用効果を
奏するものである。
【００５８】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、樹脂封止後のリードカット工程で
は、金型の切断刃に代えて、基板ダイシング等で用いる
ような回転ブレードで切削して切断することにより、切
断されるリード部に対しては、切断時の押圧力による衝
撃が印加されず、リード部、そのリード部近傍の封止樹
脂に対するダメージを解消してリードカットすることが
できる。そのため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損
の発生をなくして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を
得ることができる。
製造方法において、樹脂封止後のリードカット工程で
は、金型の切断刃に代えて、基板ダイシング等で用いる
ような回転ブレードで切削して切断することにより、切
断されるリード部に対しては、切断時の押圧力による衝
撃が印加されず、リード部、そのリード部近傍の封止樹
脂に対するダメージを解消してリードカットすることが
できる。そのため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損
の発生をなくして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を
得ることができる。
【００５９】さらに樹脂封止した後のリードフレームに
対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離す
る際、第１の切削の経路に対して逆方向にブレードによ
り第２の切削を行い、切断部を往復切断したり、第１の
切削の経路に対して順方向にブレードにより第２の切削
を行い、切断部を切断することにより、リード部の切断
部に対して第１の切削でリードカットを行い、リード部
の切断した端面にカエリが発生しても、さらに第２の切
削を行い、その第１の切削により発生した縦カエリ部お
よび横カエリ部を除去できるものである。すなわち第１
の切削でリードカットの切削を行い、第２の切削でカエ
リ部を除去する切削を行うという１つの切断部に対して
２回以上の切削を行うことにより、リードカットととも
にカエリ部を除去できるものである。
対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離す
る際、第１の切削の経路に対して逆方向にブレードによ
り第２の切削を行い、切断部を往復切断したり、第１の
切削の経路に対して順方向にブレードにより第２の切削
を行い、切断部を切断することにより、リード部の切断
部に対して第１の切削でリードカットを行い、リード部
の切断した端面にカエリが発生しても、さらに第２の切
削を行い、その第１の切削により発生した縦カエリ部お
よび横カエリ部を除去できるものである。すなわち第１
の切削でリードカットの切削を行い、第２の切削でカエ
リ部を除去する切削を行うという１つの切断部に対して
２回以上の切削を行うことにより、リードカットととも
にカエリ部を除去できるものである。
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の課題を示す断面図
の課題を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１８】従来のリードフレームを示す図
【図１９】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図２０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ リード部 ５ 切断部 ６ 半導体素子 ７ 金属細線 ８ 封止樹脂 ９ 外部端子 １０ 封止シート １１ 回転ブレード １２ カエリ部 １０１ フレーム枠 １０２ ダイパッド部 １０３ 吊りリード部 １０４ リード部 １０５ 半導体素子 １０６ 金属細線 １０７ 封止樹脂 １０８ 外部端子 １０９ 封止シート １１０ 切断部 １１１ 切断刃
フロントページの続き (72)発明者 竹村 邦和 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 内海 勝喜 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F067 AA01 AA09 AB04 DB01 DE20 DF16
Claims (3)
- 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
ード部の前記フレーム枠と接続した領域近傍に設けられ
た切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、
前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半
導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載
した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リー
ドフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続
する工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を
付加し、前記リード部の底面を前記金属膜に押圧した状
態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設
けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止す
る工程と、前記リードの切断部上面に対してブレードに
よる第１の切削を行い、前記切断部をフル切断して樹脂
封止型半導体装置を分離し、さらに前記第１の切削の経
路に対して逆方向にブレードにより第２の切削を行い、
前記切断部を往復切削して前記切断部の端面に発生した
カエリ部を除去する工程とよりなることを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
ード部の前記フレーム枠と接続した領域近傍に設けられ
た切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、
前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半
導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載
した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リー
ドフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続
する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくとも
リード部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少
なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リ
ード部の底面を前記金属膜に押圧した状態で、前記リー
ドフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド
部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード
部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部
を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂
封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去
する工程と、前記リードの切断部上面に対してブレード
による第１の切削を行い、前記切断部をフル切断して樹
脂封止型半導体装置を分離し、さらに前記第１の切削の
経路に対して逆方向にブレードにより第２の切削を行
い、前記切断部を往復切削して前記切断部の端面に発生
したカエリ部を除去する工程とよりなることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 リードの切断部上面に対してブレードに
よる第１の切削を行い、切断部をフル切断し、さらに前
記第１の切削の経路に対して逆方向にブレードにより第
２の切削を行い、前記切断部を往復切削して前記切断部
の端面に発生したカエリ部を除去する工程は、前記第１
の切削の経路に対して順方向にブレードにより第２の切
削を行い、前記切断部の端面に発生したカエリ部を除去
する工程であることを特徴とする請求項１または請求項
２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24752099A JP4362902B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24752099A JP4362902B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077129A true JP2001077129A (ja) | 2001-03-23 |
| JP4362902B2 JP4362902B2 (ja) | 2009-11-11 |
Family
ID=17164722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24752099A Expired - Fee Related JP4362902B2 (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4362902B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6800018B2 (en) | 2002-02-12 | 2004-10-05 | Saint-Gobain Abrasives Technology Company | Cutting device for separating individual laminated chip assemblies from a strip thereof, method of separation and a method of making the cutting device |
| JP2005347464A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物に形成された電極の加工方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06196608A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびその方法において用いるダム切断装置 |
| JPH0837266A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびそれに使用する製造装置 |
| JPH09246427A (ja) * | 1996-03-12 | 1997-09-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 表面実装型半導体装置の製造方法および表面実装型半導体装置 |
-
1999
- 1999-09-01 JP JP24752099A patent/JP4362902B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06196608A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびその方法において用いるダム切断装置 |
| JPH0837266A (ja) * | 1994-07-26 | 1996-02-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法およびそれに使用する製造装置 |
| JPH09246427A (ja) * | 1996-03-12 | 1997-09-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 表面実装型半導体装置の製造方法および表面実装型半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2005347464A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物に形成された電極の加工方法 |
| JP4542375B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2010-09-15 | 株式会社ディスコ | 板状物に形成された電極の加工方法 |
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| JP4362902B2 (ja) | 2009-11-11 |
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