JP2001077266A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2001077266A JP2001077266A JP24753499A JP24753499A JP2001077266A JP 2001077266 A JP2001077266 A JP 2001077266A JP 24753499 A JP24753499 A JP 24753499A JP 24753499 A JP24753499 A JP 24753499A JP 2001077266 A JP2001077266 A JP 2001077266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- resin
- frame
- semiconductor device
- lead portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止後のリードカット工程でのブレード
切断により、切断したリード部の端面に金属バリが発生
するといった課題があった。 【解決手段】 リード部４に粘着剤１４を有した金属シ
ート１３を密着させ、樹脂封止した後、ブレードにより
リードカットし、そして金属シート１３を粘着剤１４と
ともに剥ぎ取ることにより、切断したリード部４の端面
へ発生したカエリ部１２（金属バリ）を除去でき、リー
ド部の信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を実現でき
る。
切断により、切断したリード部の端面に金属バリが発生
するといった課題があった。 【解決手段】 リード部４に粘着剤１４を有した金属シ
ート１３を密着させ、樹脂封止した後、ブレードにより
リードカットし、そして金属シート１３を粘着剤１４と
ともに剥ぎ取ることにより、切断したリード部４の端面
へ発生したカエリ部１２（金属バリ）を除去でき、リー
ド部の信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を実現でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
と称される外部端子となるリード部が片面封止された小
型／薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するも
のであり、特に生産効率を向上させるとともに、リード
部の信頼性を向上させた樹脂封止型半導体装置を実現す
るための製造方法に関するものである。
Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
と称される外部端子となるリード部が片面封止された小
型／薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するも
のであり、特に生産効率を向上させるとともに、リード
部の信頼性を向上させた樹脂封止型半導体装置を実現す
るための製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来のＱＦＮ型の樹脂封止型半導体
装置に使用するリードフレームについて説明する。
装置に使用するリードフレームについて説明する。
【０００４】図２２は、従来のリードフレームの構成を
示す図であり、図２２（ａ）は平面図であり、図２２
（ｂ）は図２２（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
示す図であり、図２２（ａ）は平面図であり、図２２
（ｂ）は図２２（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００５】図２２に示すように、従来のリードフレー
ムは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内
に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０
２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持
し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１
０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導
体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続する
ビーム状のリード部１０４とより構成されている。そし
てリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹
脂部に埋設される部分はインナーリード部１０４ａを構
成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部
１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０
４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して
設けられている。図２２において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１
０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部
分を示している。
ムは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内
に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０
２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持
し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１
０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導
体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続する
ビーム状のリード部１０４とより構成されている。そし
てリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹
脂部に埋設される部分はインナーリード部１０４ａを構
成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部
１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０
４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して
設けられている。図２２において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１
０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部
分を示している。
【０００６】また、従来のリードフレームは、図２２
（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード
部１０３によって支持されているが、その吊りリード部
１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０
２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよ
う、アップセットされているものである。
（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード
部１０３によって支持されているが、その吊りリード部
１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０
２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよ
う、アップセットされているものである。
【０００７】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図２３は、図２２に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図２３
（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、
図２３（ｂ）は図２３（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図で
ある。
説明する。図２３は、図２２に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図２３
（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、
図２３（ｂ）は図２３（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図で
ある。
【０００８】図２３に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、そ
の半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード
部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され
ている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０
５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７
により封止されている。そしてそのリード部１０４（イ
ンナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７
の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１
０８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面から
はアウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的
に封止樹脂１０７の側面と同一面である。
イパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、そ
の半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード
部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され
ている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０
５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７
により封止されている。そしてそのリード部１０４（イ
ンナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７
の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１
０８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面から
はアウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的
に封止樹脂１０７の側面と同一面である。
【０００９】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について説明する。
法について説明する。
【００１０】まず図２４に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダ
イパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部が
フレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載
置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接
続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０
４とを有したリードフレームを用意する。
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダ
イパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部が
フレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載
置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接
続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０
４とを有したリードフレームを用意する。
【００１１】そして図２５に示すように、ダイパッド部
１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０
５を搭載しボンディングする。
１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０
５を搭載しボンディングする。
【００１２】次に図２６に示すように、ダイパッド部１
０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッ
ド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１
０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッ
ド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１
０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
【００１３】次に図２７に示すように、半導体素子１０
５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリー
ド部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。こ
の封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂
が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を
露出させるための部材である。
５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリー
ド部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。こ
の封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂
が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を
露出させるための部材である。
【００１４】次に図２８に示すように、リードフレーム
を金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シ
ート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂より
なる封止樹脂１０７を注入し、リードフレームの外囲と
してダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部
１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止す
る。図２９には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を
示している。
を金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シ
ート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂より
なる封止樹脂１０７を注入し、リードフレームの外囲と
してダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部
１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止す
る。図２９には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を
示している。
【００１５】次に図３０に示すように、リードフレーム
のリード部１０４の底面に密着させていた封止シートを
ピールオフ等により除去する。
のリード部１０４の底面に密着させていた封止シートを
ピールオフ等により除去する。
【００１６】次に図３１に示すように、リード部１０４
の切断部１１０に対して、金型による切断刃１１１でリ
ードカットを行う。
の切断部１１０に対して、金型による切断刃１１１でリ
ードカットを行う。
【００１７】そして図３２に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載さ
れ、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナー
リード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接
続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そして
そのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底
面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有し
て露出して、外部端子１０８を構成するとともに、封止
樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成し
た樹脂封止型半導体装置を得る。
ムのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載さ
れ、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナー
リード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接
続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そして
そのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底
面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有し
て露出して、外部端子１０８を構成するとともに、封止
樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成し
た樹脂封止型半導体装置を得る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、特にリードフレームに対して樹脂封止した
後は、金型の切断刃によるリードカットを行っていたた
め、その切断工程において、リードカット時の衝撃によ
りリード部の隣接する封止樹脂の部分に樹脂カケ、クラ
ック等が起こり、またリード部が封止樹脂部分から脱落
するといった課題があった。従来の樹脂封止型半導体装
置の構造は、リード部がその上面だけを封止樹脂で覆わ
れたいわゆる片面封止構造であるため、金型の切断刃に
よるリードカットでは、その衝撃いかんによって、リー
ド部、封止樹脂部の破損が発生しやすい状況であった。
ードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、特にリードフレームに対して樹脂封止した
後は、金型の切断刃によるリードカットを行っていたた
め、その切断工程において、リードカット時の衝撃によ
りリード部の隣接する封止樹脂の部分に樹脂カケ、クラ
ック等が起こり、またリード部が封止樹脂部分から脱落
するといった課題があった。従来の樹脂封止型半導体装
置の構造は、リード部がその上面だけを封止樹脂で覆わ
れたいわゆる片面封止構造であるため、金型の切断刃に
よるリードカットでは、その衝撃いかんによって、リー
ド部、封止樹脂部の破損が発生しやすい状況であった。
【００１９】さらに近年、大型のリードフレーム基板上
に半導体素子を搭載し、金属細線で接続した後、外囲を
全体で封止する一括成形が進んでいるが、この一括成形
では、リードフレーム上面全体を封止樹脂が覆った構成
の場合は、リードカットだけでなく、封止樹脂部もカッ
トしなければならないため、金型の切断刃によるカット
手段では対応できないという課題が顕在化してきてい
る。
に半導体素子を搭載し、金属細線で接続した後、外囲を
全体で封止する一括成形が進んでいるが、この一括成形
では、リードフレーム上面全体を封止樹脂が覆った構成
の場合は、リードカットだけでなく、封止樹脂部もカッ
トしなければならないため、金型の切断刃によるカット
手段では対応できないという課題が顕在化してきてい
る。
【００２０】本発明は前記した従来の課題および今後の
樹脂封止型半導体装置の製造工程の動向に対応できる樹
脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものであり、
生産性を高め、リードフレーム、基板から樹脂封止型半
導体装置を分離する際の切断工程でリード部、封止樹脂
部に欠陥、欠損の発生しない樹脂封止型半導体装置の製
造方法を提供するものである。
樹脂封止型半導体装置の製造工程の動向に対応できる樹
脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものであり、
生産性を高め、リードフレーム、基板から樹脂封止型半
導体装置を分離する際の切断工程でリード部、封止樹脂
部に欠陥、欠損の発生しない樹脂封止型半導体装置の製
造方法を提供するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパ
ッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部
でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先
端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前
記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフ
レーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とより
なるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリ
ードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載
する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体
素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリ
ード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前
記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各底
面に粘着剤を有した金属シートをその粘着剤により密着
させる工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力
を付加し、前記リード部の底面を前記金属シートに押圧
した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半
導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード
部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近
傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂
封止する工程と、前記リードの切断部上面に対してブレ
ードによる切削を行い、前記切断部下面に密着している
金属シートと共に切断部を切断して樹脂封止型半導体装
置を分離する工程と、前記リードフレームの裏面側の少
なくともリード部の各底面に密着している粘着剤を有し
た金属シートを引き剥がすことにより、前記粘着剤によ
り前記リード部の切断部に発生した金属バリを除去する
工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
る。
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパ
ッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部
でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先
端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前
記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフ
レーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とより
なるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリ
ードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載
する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体
素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリ
ード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前
記リードフレームの裏面側の少なくともリード部の各底
面に粘着剤を有した金属シートをその粘着剤により密着
させる工程と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力
を付加し、前記リード部の底面を前記金属シートに押圧
した状態で、前記リードフレームの上面側として前記半
導体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード
部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近
傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂
封止する工程と、前記リードの切断部上面に対してブレ
ードによる切削を行い、前記切断部下面に密着している
金属シートと共に切断部を切断して樹脂封止型半導体装
置を分離する工程と、前記リードフレームの裏面側の少
なくともリード部の各底面に密着している粘着剤を有し
た金属シートを引き剥がすことにより、前記粘着剤によ
り前記リード部の切断部に発生した金属バリを除去する
工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
る。
【００２２】具体的には、金属シートはリードフレーム
の材質よりも軟質の金属よりなる金属シートである樹脂
封止型半導体装置の製造方法てある。
の材質よりも軟質の金属よりなる金属シートである樹脂
封止型半導体装置の製造方法てある。
【００２３】また、金属シートはアルミニウムを主成分
とする金属よりなる金属シートである樹脂封止型半導体
装置の製造方法である。
とする金属よりなる金属シートである樹脂封止型半導体
装置の製造方法である。
【００２４】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、樹脂封止した後のリードフレーム
に対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離
する際、粘着剤を有した金属シートを少なくともリード
部の底面に密着させ、その状態で樹脂封止し、次いでリ
ードカットしているため、切断したリード部の端面にカ
エリ部が発生しても、金属シートを剥ぎ取ることによ
り、カエリ部が粘着剤に粘着されて、除去されるため、
カエリ部のないリード部を形成できるものである。ま
た、金属シートであるため、封止工程で使用でき、リー
ド部に対して片面封止が可能であり、金属シートが樹脂
よりなるものではないため、収縮が少なく、封止した樹
脂とリード部との境界への溝の発生を防止でき、信頼性
の高い樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、金属
シートはアルミニウム材よりなるリード部の素材よりも
軟質な金属よりなるため、リードカットによってリード
部の切断された端面にはカエリ部が発生するが、金属シ
ートを剥ぎ取ることにより、カエリ部が粘着剤に粘着さ
れて、除去されるため、カエリ部のないリード部を形成
できるものである。
体装置の製造方法は、樹脂封止した後のリードフレーム
に対して、リード切断して樹脂封止型半導体装置を分離
する際、粘着剤を有した金属シートを少なくともリード
部の底面に密着させ、その状態で樹脂封止し、次いでリ
ードカットしているため、切断したリード部の端面にカ
エリ部が発生しても、金属シートを剥ぎ取ることによ
り、カエリ部が粘着剤に粘着されて、除去されるため、
カエリ部のないリード部を形成できるものである。ま
た、金属シートであるため、封止工程で使用でき、リー
ド部に対して片面封止が可能であり、金属シートが樹脂
よりなるものではないため、収縮が少なく、封止した樹
脂とリード部との境界への溝の発生を防止でき、信頼性
の高い樹脂封止型半導体装置を実現できる。また、金属
シートはアルミニウム材よりなるリード部の素材よりも
軟質な金属よりなるため、リードカットによってリード
部の切断された端面にはカエリ部が発生するが、金属シ
ートを剥ぎ取ることにより、カエリ部が粘着剤に粘着さ
れて、除去されるため、カエリ部のないリード部を形成
できるものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームと
それを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施
形態について図面を参照しながら説明する。
それを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施
形態について図面を参照しながら説明する。
【００２６】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。
説明する。
【００２７】図１は本実施形態のリードフレームの一部
分を示す図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
分を示す図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
【００２８】図１に示すように、本実施形態のリードフ
レームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半
導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイ
パッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレー
ム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置
した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続
手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とよ
り構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封
止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリ
ード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はア
ウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリ
ード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続し
て設けられている。図１において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４
（アウターリード部４ｂ）を切断する切断部５を示して
いる。
レームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半
導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイ
パッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレー
ム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置
した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続
手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とよ
り構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封
止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリ
ード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はア
ウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリ
ード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続し
て設けられている。図１において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４
（アウターリード部４ｂ）を切断する切断部５を示して
いる。
【００２９】また、本実施形態のリードフレームは、図
１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部
３によって支持されているが、その吊りリード部３に設
けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４
上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされ
ているものである。
１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部
３によって支持されているが、その吊りリード部３に設
けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４
上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされ
ているものである。
【００３０】なお、リードフレームは、図１に示した構
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されるものである。
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されるものである。
【００３１】次に本実施形態のリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１
に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示し
た透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ
１箇所の断面図である。
樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１
に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示し
た透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ
１箇所の断面図である。
【００３２】図２に示すように、リードフレームのダイ
パッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素
子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線
７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部
２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封
止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４
（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底
面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構
成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリ
ード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側
面と同一面である。
パッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素
子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線
７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部
２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封
止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４
（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底
面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構
成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリ
ード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側
面と同一面である。
【００３３】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００３４】まず図３に示すように、フレーム枠と、そ
のフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であ
って、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッ
ド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠
と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有した
リードフレームを用意する。
のフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であ
って、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッ
ド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠
と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有した
リードフレームを用意する。
【００３５】そして図４に示すように、ダイパッド部２
上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載し
ボンディングする。
上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載し
ボンディングする。
【００３６】次に図５に示すように、ダイパッド部２上
に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せ
ず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線
７により電気的に接続する。
に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せ
ず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線
７により電気的に接続する。
【００３７】次に図６に示すように、半導体素子６が搭
載された状態のリードフレームの少なくともリード部４
の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シート
１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよう
に保護し、リード部４の底面を露出させるための部材で
ある。
載された状態のリードフレームの少なくともリード部４
の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シート
１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよう
に保護し、リード部４の底面を露出させるための部材で
ある。
【００３８】次に図７に示すように、リードフレームを
金型内に載置し、金型によりリード部４を封止シート１
０に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止
樹脂８を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッ
ド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細
線７の接続領域を封止する。図８には外囲を封止樹脂８
で封止した状態を示している。
金型内に載置し、金型によりリード部４を封止シート１
０に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止
樹脂８を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッ
ド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細
線７の接続領域を封止する。図８には外囲を封止樹脂８
で封止した状態を示している。
【００３９】次に図９に示すように、リードフレームの
リード部４の底面に密着させていた封止シート１０をピ
ールオフ等により除去する。
リード部４の底面に密着させていた封止シート１０をピ
ールオフ等により除去する。
【００４０】次に図１０に示すように、リード部４の切
断部５に対して、回転ブレード１１でリードカットを行
う。
断部５に対して、回転ブレード１１でリードカットを行
う。
【００４１】そして図１１に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンド
オフを有して露出して、外部端子９を構成するととも
に、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹
脂封止型半導体装置を得るものである。
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンド
オフを有して露出して、外部端子９を構成するととも
に、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹
脂封止型半導体装置を得るものである。
【００４２】以上、本実施形態のリードフレームを用い
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレード１１で切削して切
断することにより、切断されるリード部４（切断部５）
に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、
リード部４、そのリード部４近傍の封止樹脂８に対する
ダメージを解消してリードカットすることができる。そ
のため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をな
くして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレード１１で切削して切
断することにより、切断されるリード部４（切断部５）
に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、
リード部４、そのリード部４近傍の封止樹脂８に対する
ダメージを解消してリードカットすることができる。そ
のため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をな
くして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。
【００４３】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法で得られた樹脂封止型半導体装置に起こり得る
別の課題について説明する。
製造方法で得られた樹脂封止型半導体装置に起こり得る
別の課題について説明する。
【００４４】図１２は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の課題を示す断面図である。図１２に示す樹脂封止型
半導体装置は、基本構成は前記した図２に示した樹脂封
止型半導体装置と同様であるが、製造過程において、回
転ブレードでリード部４の切断部５を切削してリードカ
ットしているため、回転ブレードによる回転力とリード
部４の素材である金属材料との関係により、切断したリ
ード部４のアウターリード部４ｂの面に金属材によるカ
エリ部１２（金属バリ）が形成されてしまう。このカエ
リ部１２により、樹脂封止型半導体装置を基板実装する
際、実装不良を誘発したり、ハンダ接合時のハンダブリ
ッジを起こしたりする可能性があり、カエリ部１２が発
生しないようリードカット、または発生したカエリ部１
２を除去する必要性が生じている。なお、図１２では、
カエリ部１２は、リード部４の底面側に示しているが、
リード部４の側面側、およびリード部４の上面側にも発
生する場合もある。
置の課題を示す断面図である。図１２に示す樹脂封止型
半導体装置は、基本構成は前記した図２に示した樹脂封
止型半導体装置と同様であるが、製造過程において、回
転ブレードでリード部４の切断部５を切削してリードカ
ットしているため、回転ブレードによる回転力とリード
部４の素材である金属材料との関係により、切断したリ
ード部４のアウターリード部４ｂの面に金属材によるカ
エリ部１２（金属バリ）が形成されてしまう。このカエ
リ部１２により、樹脂封止型半導体装置を基板実装する
際、実装不良を誘発したり、ハンダ接合時のハンダブリ
ッジを起こしたりする可能性があり、カエリ部１２が発
生しないようリードカット、または発生したカエリ部１
２を除去する必要性が生じている。なお、図１２では、
カエリ部１２は、リード部４の底面側に示しているが、
リード部４の側面側、およびリード部４の上面側にも発
生する場合もある。
【００４５】通常、カエリ部１２の発生要因としては、
リード切断で用いる回転ブレードの切削によって、リー
ド部４を構成している材料である金属材（例えばＣｕ
材）がはね上げられ、金属材の一部が薄膜状に突出し、
カエリ部１２として切断されたリード部４の端面に残留
するものと考えられる。
リード切断で用いる回転ブレードの切削によって、リー
ド部４を構成している材料である金属材（例えばＣｕ
材）がはね上げられ、金属材の一部が薄膜状に突出し、
カエリ部１２として切断されたリード部４の端面に残留
するものと考えられる。
【００４６】以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法について、主としてリード部４の側面側と底面側
とに発生するカエリ部１２の除去、またはそれ自体の発
生を防止する実施形態について、課題解決における実施
形態として図面を参照しながら説明する。
造方法について、主としてリード部４の側面側と底面側
とに発生するカエリ部１２の除去、またはそれ自体の発
生を防止する実施形態について、課題解決における実施
形態として図面を参照しながら説明する。
【００４７】図１３〜図２１は、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図であ
る。なお、ここで用いるリードフレームは、図１に示し
た構成と同様の構成を有するものである。
型半導体装置の製造方法を示す工程ごとの断面図であ
る。なお、ここで用いるリードフレームは、図１に示し
た構成と同様の構成を有するものである。
【００４８】まず図１３に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパ
ッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム
枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有した
リードフレームを用意する。
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパ
ッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム
枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有した
リードフレームを用意する。
【００４９】そして図１４に示すように、ダイパッド部
２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載
しボンディングする。
２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載
しボンディングする。
【００５０】次に図１５に示すように、ダイパッド部２
上に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示
せず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細
線７により電気的に接続する。
上に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示
せず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細
線７により電気的に接続する。
【００５１】次に図１６に示すように、半導体素子６が
搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部
４の底面に金属シート１３を密着させる。この金属シー
ト１３はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよ
うに保護し、リード部４の底面を露出させるための部材
であり、さらにリード部４の材質よりも軟質な金属より
構成され、リード部４と密着する面には粘着剤１４が形
成されており、その粘着剤１４によりリード部４と密着
するものである。金属材としては、リード部４の材質が
銅（Ｃｕ）を主成分としている場合は、それより軟質金
属であるアルミニアムを主成分としたものを用いる。な
お、樹脂封止型半導体装置を構成した後は、金属シート
１３を容易に除去できるような剥離容易な粘着剤を用い
る。
搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部
４の底面に金属シート１３を密着させる。この金属シー
ト１３はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよ
うに保護し、リード部４の底面を露出させるための部材
であり、さらにリード部４の材質よりも軟質な金属より
構成され、リード部４と密着する面には粘着剤１４が形
成されており、その粘着剤１４によりリード部４と密着
するものである。金属材としては、リード部４の材質が
銅（Ｃｕ）を主成分としている場合は、それより軟質金
属であるアルミニアムを主成分としたものを用いる。な
お、樹脂封止型半導体装置を構成した後は、金属シート
１３を容易に除去できるような剥離容易な粘着剤を用い
る。
【００５２】次に図１７に示すように、リードフレーム
を金型内に載置し、金型によりリード部４を金属シート
１３の粘着剤１４の層に対して押圧した状態で、エポキ
シ系樹脂よるなる封止樹脂８を注入し、リードフレーム
の外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部
４の上面領域と金属細線７の接続領域を封止する。図１
８には外囲を封止樹脂８で封止した状態を示している。
を金型内に載置し、金型によりリード部４を金属シート
１３の粘着剤１４の層に対して押圧した状態で、エポキ
シ系樹脂よるなる封止樹脂８を注入し、リードフレーム
の外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部
４の上面領域と金属細線７の接続領域を封止する。図１
８には外囲を封止樹脂８で封止した状態を示している。
【００５３】次に図１９に示すように、金属シート１３
を介した状態でリード部４の切断箇所５に対して、回転
ブレード１１でリードカットを行う。このカットではフ
ルカットを行う。この場合、フルカット後には、リード
部４の切断した端面にはカエリ部１２（金属バリ）が発
生する場合がある。
を介した状態でリード部４の切断箇所５に対して、回転
ブレード１１でリードカットを行う。このカットではフ
ルカットを行う。この場合、フルカット後には、リード
部４の切断した端面にはカエリ部１２（金属バリ）が発
生する場合がある。
【００５４】次に図２０に示すように、リード部４に密
着させていた金属シート１３を粘着剤１４とともに剥が
す。この処理によって、リード部４の切断した端面に発
生していたカエリ部１２が、金属シート１３の粘着剤１
４に粘着して、シートの剥離とともに除去される。
着させていた金属シート１３を粘着剤１４とともに剥が
す。この処理によって、リード部４の切断した端面に発
生していたカエリ部１２が、金属シート１３の粘着剤１
４に粘着して、シートの剥離とともに除去される。
【００５５】そして図２１に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面から、微量分
突出（スタンドオフを有して）して露出して、外部端子
９を構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウタ
ーリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と
同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を得るものであ
る。この状態ではリード部４の切断された端面にはカエ
リ部はない。
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面から、微量分
突出（スタンドオフを有して）して露出して、外部端子
９を構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウタ
ーリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と
同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を得るものであ
る。この状態ではリード部４の切断された端面にはカエ
リ部はない。
【００５６】本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、金属シートを少なくともリード部の底面に密着
させ、その状態で樹脂封止し、次いでリードカットして
いるため、リード部の端面にカエリ部が発生しても、金
属シートの剥がしにより、カエリ部を金属シートの粘着
剤とともに剥がし取ることができるため、リード部にカ
エリ部のない樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る。すなわち本実施形態では、金属シートにリード部よ
りも軟質の金属よりなるアルミニウムなどを主成分とし
た金属シートを用い、あえて分離の際のブレード切断で
リード部の端面にカエリ部を発生させるが、その発生し
たカエリ部を金属シートの粘着剤とともに剥離除去でき
るので、リード部にカエリ部のない樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。
方法は、金属シートを少なくともリード部の底面に密着
させ、その状態で樹脂封止し、次いでリードカットして
いるため、リード部の端面にカエリ部が発生しても、金
属シートの剥がしにより、カエリ部を金属シートの粘着
剤とともに剥がし取ることができるため、リード部にカ
エリ部のない樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る。すなわち本実施形態では、金属シートにリード部よ
りも軟質の金属よりなるアルミニウムなどを主成分とし
た金属シートを用い、あえて分離の際のブレード切断で
リード部の端面にカエリ部を発生させるが、その発生し
たカエリ部を金属シートの粘着剤とともに剥離除去でき
るので、リード部にカエリ部のない樹脂封止型半導体装
置を得ることができるものである。
【００５７】なお、切断時のブレードの回転数、被切断
物の送り速度、ブレードのサイズ、ブレード材質等につ
いては、適宜、最適値を設定する。
物の送り速度、ブレードのサイズ、ブレード材質等につ
いては、適宜、最適値を設定する。
【００５８】さらに本実施形態では、代表としてリード
底面に金属シートを密着させる構成を示したが、リード
フレームのリード部の切断箇所に相当する部分の上面に
金属膜、例えばリード材よりも硬い金属よりなる金属膜
を形成し、かつ樹脂封止前にリード底面にリード材より
硬い材質による金属シートを密着させ、リード部を金属
膜と金属シートとでサンドウィッチ構造として、共切り
してリードカットすることにより、リード部の両面を金
属材で挟んだ状態を構成してリードカットできるので、
よりカエリ部の発生を防止してリードカットできる。ま
た、リード部に対してフルカットする工程では、１回の
フルカットに加えて、同じ箇所を２回ブレード切削する
往復カットでもよい。
底面に金属シートを密着させる構成を示したが、リード
フレームのリード部の切断箇所に相当する部分の上面に
金属膜、例えばリード材よりも硬い金属よりなる金属膜
を形成し、かつ樹脂封止前にリード底面にリード材より
硬い材質による金属シートを密着させ、リード部を金属
膜と金属シートとでサンドウィッチ構造として、共切り
してリードカットすることにより、リード部の両面を金
属材で挟んだ状態を構成してリードカットできるので、
よりカエリ部の発生を防止してリードカットできる。ま
た、リード部に対してフルカットする工程では、１回の
フルカットに加えて、同じ箇所を２回ブレード切削する
往復カットでもよい。
【００５９】また、本実施形態では、フレーム枠内に１
つのダイパッド部と、それに対向して配置された複数の
リード部とにより構成されたユニットをその領域内に複
数ユニット有したリードフレームに対して、各ユニット
ごとに樹脂封止してパッケージ部を構成し、各ユニット
間に露出したリード部をその切断部で切断する例を示し
たが、本実施形態で示したように、リード部に対して徐
々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、幅、
切断する面の方向を変えてリードカットを実施する手段
によって、一括成形としてリードフレーム内の各ユニッ
トを包括して全面樹脂封止し、各ユニット間のリード部
の上面、すなわち各ユニット間のリード部の切断部に封
止樹脂が形成された場合においても、同様な作用効果を
奏するものである。
つのダイパッド部と、それに対向して配置された複数の
リード部とにより構成されたユニットをその領域内に複
数ユニット有したリードフレームに対して、各ユニット
ごとに樹脂封止してパッケージ部を構成し、各ユニット
間に露出したリード部をその切断部で切断する例を示し
たが、本実施形態で示したように、リード部に対して徐
々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、幅、
切断する面の方向を変えてリードカットを実施する手段
によって、一括成形としてリードフレーム内の各ユニッ
トを包括して全面樹脂封止し、各ユニット間のリード部
の上面、すなわち各ユニット間のリード部の切断部に封
止樹脂が形成された場合においても、同様な作用効果を
奏するものである。
【００６０】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、樹脂封止後のリードカット工程で
は、金型の切断刃に代えて、基板ダイシング等で用いる
ような回転ブレードで切削して切断することにより、切
断されるリード部に対しては、切断時の押圧力による衝
撃が印加されず、リード部、そのリード部近傍の封止樹
脂に対するダメージを解消してリードカットすることが
できる。そのため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損
の発生をなくして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を
得ることができる。
製造方法において、樹脂封止後のリードカット工程で
は、金型の切断刃に代えて、基板ダイシング等で用いる
ような回転ブレードで切削して切断することにより、切
断されるリード部に対しては、切断時の押圧力による衝
撃が印加されず、リード部、そのリード部近傍の封止樹
脂に対するダメージを解消してリードカットすることが
できる。そのため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損
の発生をなくして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を
得ることができる。
【００６１】また、金属シートを少なくともリード部の
底面に密着させ、その状態で樹脂封止し、次いでリード
カットしているため、リード部の端面にカエリ部が発生
しても、金属シートの剥がしにより、カエリ部を金属シ
ートの粘着剤とともに剥がし取ることができるため、リ
ード部にカエリ部のない樹脂封止型半導体装置を得るこ
とができる。
底面に密着させ、その状態で樹脂封止し、次いでリード
カットしているため、リード部の端面にカエリ部が発生
しても、金属シートの剥がしにより、カエリ部を金属シ
ートの粘着剤とともに剥がし取ることができるため、リ
ード部にカエリ部のない樹脂封止型半導体装置を得るこ
とができる。
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の課題を示す断面図
の課題を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２２】従来のリードフレームを示す図
【図２３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図２４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図２９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図３０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図３１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
【図３２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ リード部 ５ 切断部 ６ 半導体素子 ７ 金属細線 ８ 封止樹脂 ９ 外部端子 １０ 封止シート １１ 回転ブレード １２ カエリ部 １３ 金属シート １４ 粘着剤 １０１ フレーム枠 １０２ ダイパッド部 １０３ 吊りリード部 １０４ リード部 １０５ 半導体素子 １０６ 金属細線 １０７ 封止樹脂 １０８ 外部端子 １０９ 封止シート １１０ 切断部 １１１ 切断刃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 丸尾 哲正 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F061 AA01 BA01 CA21 CB12 CB13 EA03 5F067 AA01 AA09 AB04 BC12 DB00 DE14 DE20
Claims (3)
- 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切
断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記
用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した
前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフ
レームのリード部の各上面とを金属細線により接続する
工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリー
ド部の各底面に粘着剤を有した金属シートをその粘着剤
により密着させる工程と、少なくとも前記リード部の端
部に押圧力を付加し、前記リード部の底面を前記金属シ
ートに押圧した状態で、前記リードフレームの上面側と
して前記半導体素子、ダイパッド部、金属細線、および
前記リード部の底面と前記リード部のフレーム枠と接続
した領域近傍に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂
により樹脂封止する工程と、前記リードの切断部上面に
対してブレードによる切削を行い、前記切断部下面に密
着している金属シートと共に切断部を切断して樹脂封止
型半導体装置を分離する工程と、前記リードフレームの
裏面側の少なくともリード部の各底面に密着している粘
着剤を有した金属シートを引き剥がすことにより、前記
粘着剤により前記リード部の切断部に発生した金属バリ
を除去する工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 金属シートはリードフレームの材質より
も軟質の金属よりなる金属シートであることを特徴とす
る請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 金属シートは、リードフレームが銅（Ｃ
ｕ）を主成分とする材質の場合、アルミニウム（Ａｌ）
を主成分とする金属よりなる金属シートであることを特
徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24753499A JP2001077266A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24753499A JP2001077266A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077266A true JP2001077266A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17164937
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24753499A Pending JP2001077266A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077266A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6358778B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor package comprising lead frame with punched parts for terminals |
| US6583499B2 (en) * | 2000-11-30 | 2003-06-24 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Quad flat non-leaded package and leadframe for use in a quad flat non-leaded package |
| JP2006210941A (ja) * | 2006-03-27 | 2006-08-10 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| CN100409418C (zh) * | 2006-08-01 | 2008-08-06 | 上海凯虹科技电子有限公司 | Qfn芯片封装工艺 |
| CN102544262A (zh) * | 2012-01-17 | 2012-07-04 | 成都泰鼎科技有限公司 | 一种led芯片封装工艺 |
-
1999
- 1999-09-01 JP JP24753499A patent/JP2001077266A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6358778B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor package comprising lead frame with punched parts for terminals |
| US6583499B2 (en) * | 2000-11-30 | 2003-06-24 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Quad flat non-leaded package and leadframe for use in a quad flat non-leaded package |
| JP2006210941A (ja) * | 2006-03-27 | 2006-08-10 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| CN100409418C (zh) * | 2006-08-01 | 2008-08-06 | 上海凯虹科技电子有限公司 | Qfn芯片封装工艺 |
| CN102544262A (zh) * | 2012-01-17 | 2012-07-04 | 成都泰鼎科技有限公司 | 一种led芯片封装工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3062192B1 (ja) | リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3436159B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2003017646A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11260985A (ja) | リードフレーム，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2002261228A (ja) | リードフレーム | |
| JP2005223331A (ja) | リードフレーム、これを利用した半導体チップパッケージ及びその製造方法 | |
| JP2000307045A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2003174131A (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000307049A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001077265A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2001077266A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2001077279A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2006245459A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001077263A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP4570797B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4362902B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2001077285A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3503502B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2001077281A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2001077130A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2001077275A (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2001077264A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP4446719B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2007081232A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002164496A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |