JP2001077263A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止後のリードカット工程でのブレード
切断により、切断したリード部の端面に金属バリが発生
するといった課題があった。 【解決手段】 リードフレームから樹脂封止型半導体装
置をリードカットして分離する際、リード部４の上面に
第１の切断溝１３を形成し、再度、回転ブレード１１に
より第２の切断溝を形成して切断部を切断し、リード部
４をフレーム枠と分離することにより、多段階で徐々に
切断溝を形成してリード部４を切断するため、リード部
の切断した端面部分へのカエリ部（金属バリ）の発生を
防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ Ｐａｃｋａｇｅ）
と称される外部端子となるリード部が片面封止された小
型／薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するも
のであり、特に生産効率を向上させるとともに、リード
部の信頼性を向上させた樹脂封止型半導体装置の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来のＱＦＮ型の樹脂封止型半導体
装置に使用するリードフレームについて説明する。
【０００４】図３２は、従来のリードフレームの構成を
示す図であり、図３２（ａ）は平面図であり、図３２
（ｂ）は図３２（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００５】図３２に示すように、従来のリードフレー
ムは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内
に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０
２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持
し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１
０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導
体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続する
ビーム状のリード部１０４とより構成されている。そし
てリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹
脂部に埋設される部分はインナーリード部１０４ａを構
成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部
１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０
４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して
設けられている。図３２において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１
０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部
分を示している。
【０００６】また、従来のリードフレームは、図３２
（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード
部１０３によって支持されているが、その吊りリード部
１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０
２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよ
う、アップセットされているものである。
【０００７】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図３３は、図３２に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図３３
（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、
図３３（ｂ）は図３３（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図で
ある。
【０００８】図３３に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、そ
の半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード
部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され
ている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０
５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７
により封止されている。そしてそのリード部１０４（イ
ンナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７
の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１
０８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面から
はアウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的
に封止樹脂１０７の側面と同一面である。
【０００９】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について説明する。
【００１０】まず図３４に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状で
あって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダ
イパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部が
フレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載
置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接
続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０
４とを有したリードフレームを用意する。
【００１１】そして図３５に示すように、ダイパッド部
１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０
５を搭載しボンディングする。
【００１２】次に図３６に示すように、ダイパッド部１
０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッ
ド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１
０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
【００１３】次に図３７に示すように、半導体素子１０
５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリー
ド部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。こ
の封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂
が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を
露出させるための部材である。
【００１４】次に図３８に示すように、リードフレーム
を金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シ
ート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂より
なる封止樹脂１０７を注入し、リードフレームの外囲と
してダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部
１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止す
る。図３９には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を
示している。
【００１５】次に図４０に示すように、リードフレーム
のリード部１０４の底面に密着させていた封止シートを
ピールオフ等により除去する。
【００１６】次に図４１に示すように、リード部１０４
の切断部１１０に対して、金型による切断刃１１１でリ
ードカットを行う。
【００１７】そして図４２に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載さ
れ、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナー
リード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接
続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そして
そのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底
面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有し
て露出して、外部端子１０８を構成するとともに、封止
樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成し
た樹脂封止型半導体装置を得る。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製
造方法では、特にリードフレームに対して樹脂封止した
後は、金型の切断刃によるリードカットを行っていたた
め、その切断工程において、リードカット時の衝撃によ
りリード部の隣接する封止樹脂の部分に樹脂カケ、クラ
ック等が起こり、またリード部が封止樹脂部分から脱落
するといった課題があった。従来の樹脂封止型半導体装
置の構造は、リード部がその上面だけを封止樹脂で覆わ
れたいわゆる片面封止構造であるため、金型の切断刃に
よるリードカットでは、その衝撃いかんによって、リー
ド部、封止樹脂部の破損が発生しやすい状況であった。
【００１９】さらに近年、大型のリードフレーム基板上
に半導体素子を搭載し、金属細線で接続した後、外囲を
全体で封止する一括成形が進んでいるが、この一括成形
では、リードフレーム上面全体を封止樹脂が覆った構成
の場合は、リードカットだけでなく、封止樹脂部もカッ
トしなければならないため、金型の切断刃によるカット
手段では対応できないという課題が顕在化してきてい
る。
【００２０】本発明は前記した従来の課題および今後の
樹脂封止型半導体装置の製造工程の動向に対応できる樹
脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものであり、
生産性を高め、リードフレーム、基板から樹脂封止型半
導体装置を分離する際の切断工程でリード部、封止樹脂
部に欠陥、欠損の発生しない樹脂封止型半導体装置の製
造方法を提供するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム本体
の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダイパ
ッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部
でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくとも先
端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部が前
記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部のフ
レーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部とより
なるリードフレームを用意する工程と、前記用意したリ
ードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を搭載
する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体
素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレームのリ
ード部の各上面とを金属細線により接続する工程と、少
なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、ダイパ
ッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リ
ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切
断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、
少なくとも前記リード部の切断部に対してブレードによ
り第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝に対して再
度ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断
し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよりなる樹脂封
止型半導体装置の製造方法である。
【００２２】また、金属板よりなるフレーム本体と、前
記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子
搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を
支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延
在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、
前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けら
れた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程
と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上
に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に
搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記
リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により
接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なく
ともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程
と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、
前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態
で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設
けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止す
る工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフ
レームより除去する工程と、少なくとも前記リード部の
切断部に対してブレードにより第１の切断溝を形成し、
前記第１の切断溝に対して再度ブレードにより第２の切
断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置
を得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法
である。
【００２３】その具体的手段は、少なくともリード部の
切断部に対してブレードにより第１の切断溝を形成し、
前記第１の切断溝に対して再度ブレードにより第２の切
断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置
を得る工程は、リード部の切断部に対してブレードによ
り第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝に対して再
度ブレードにより第２の切断溝を形成し、前記第２の切
断溝に対して再々度ブレードにより第３の切断溝を形成
して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程
である樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２４】また、ブレードはその断面形状がＶ型であ
るブレードを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方法で
ある。
【００２５】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレー
ム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用の
ダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、
他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なく
とも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端
部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード
部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部
とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意
したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子
を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記
半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレー
ムのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程
と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、
ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と
前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けら
れた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工
程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第１の
面側からブレードにより第１の切断溝を形成する工程
と、前記第１の切断溝が形成されたリード部の切断部の
第２の面側から再度ブレードにより第２の切断溝を形成
して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程
とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２６】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレーム
本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用のダ
イパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他
端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なくと
も先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端部
が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード部
のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部と
よりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意し
たリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子を
搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半
導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレーム
のリード部の各上面とを金属細線により接続する工程
と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリード部
の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なくとも
前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード部の
底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフ
レームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、
金属細線、および前記リード部の底面と前記リード部の
フレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部を除
く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂封止
後に前記封止シートを前記リードフレームより除去する
工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第１
の面側からブレードにより第１の切断溝を形成する工程
と、前記第１の切断溝が形成されたリード部の切断部の
第２の面側から再度ブレードにより第２の切断溝を形成
して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程
とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２７】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレー
ム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用の
ダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、
他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なく
とも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端
部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード
部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部
とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意
したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子
を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記
半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレー
ムのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程
と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、
ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と
前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けら
れた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工
程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して、その
断面形状がＶ型である第１のブレードにより、断面Ｖ型
の第１の切断溝を形成し、前記断面Ｖ型の第１の切断溝
に対して第２のブレードにより第２の切断溝を形成して
切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよ
りなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２８】また、金属板よりなるフレーム本体と、前
記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子
搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を
支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延
在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、
前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けら
れた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程
と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上
に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に
搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記
リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により
接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なく
ともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程
と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、
前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態
で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設
けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止す
る工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフ
レームより除去する工程と、少なくとも前記リード部の
切断部に対して、その断面形状がＶ型である第１のブレ
ードにより、断面Ｖ型の第１の切断溝を形成し、前記断
面Ｖ型の第１の切断溝に対して第２のブレードにより第
２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導
体装置を得る工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製
造方法である。
【００２９】その具体的手段は、第２のブレードはその
先端部が平坦であるブレードを用いる樹脂封止型半導体
装置の製造方法である。
【００３０】また、第２のブレードは第１のブレードと
同等のブレードを用いる樹脂封止型半導体装置の製造方
法である。
【００３１】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、金属板よりなるフレーム本体と、前記フレー
ム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載用の
ダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、
他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少なく
とも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、他端
部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リード
部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部
とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記用意
したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素子
を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した前記
半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフレー
ムのリード部の各上面とを金属細線により接続する工程
と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素子、
ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底面と
前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けら
れた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工
程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第１の
幅を有する第１のブレードにより第１の切断溝を形成す
る第１の切断工程と、前記第１の切断溝に対して前記第
１のブレードよりもブレード幅の小さい第２のブレード
により第２の切断溝を形成して切断部を切断し、樹脂封
止型半導体装置を得る第２の切断工程とよりなる樹脂封
止型半導体装置の製造方法である。
【００３２】また、金属板よりなるフレーム本体と、前
記フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子
搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を
支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延
在し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、
前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けら
れた切断部とよりなるリードフレームを用意する工程
と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上
に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に
搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記
リードフレームのリード部の各上面とを金属細線により
接続する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なく
ともリード部の各底面に封止シートを密着させる工程
と、少なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、
前記リード部の底面を前記封止シートに押圧した状態
で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設
けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止す
る工程と、樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフ
レームより除去する工程と、少なくとも前記リード部の
切断部に対して第１の幅を有する第１のブレードにより
第１の切断溝を形成する第１の切断工程と、前記第１の
切断溝に対して前記第１のブレードよりもブレード幅の
小さい第２のブレードにより第２の切断溝を形成して切
断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る第２の切断
工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
る。
【００３３】その具体的手段は、第１のブレードの幅は
１５０［μｍ］であり、第２のブレードの幅は１００
［μｍ］であるブレードを用いる樹脂封止型半導体装置
の製造方法である。
【００３４】また、第１のブレードはその断面形状がＶ
型であるブレードを用いる樹脂封止型半導体装置の製造
方法である。
【００３５】また、第２のブレードはその断面形状がＶ
型であるブレードを用いる樹脂封止型半導体装置の製造
方法である。
【００３６】また、第１のブレード，第２のブレードは
その断面形状がそれぞれＶ型であるブレードを用いる樹
脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３７】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、特に切断分離したリード部の端面
に発生するカエリ部（金属バリ）の発生を抑えるもので
あり、特にリードカット工程では、リード部に対して徐
々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、幅、
切断する面の方向を変えて実施することにより、１度に
切削する量を低減し、回転ブレードの切削によるリード
部材料である金属材のはね上がりの度合いを低減し、リ
ード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることが
できる。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置の製造方法の一実施形態について図面を参照しなが
ら説明する。
【００３９】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。
【００４０】図１は本実施形態のリードフレームの一部
分を示す図であり、図１（ａ）は平面図であり、図１
（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
【００４１】図１に示すように、本実施形態のリードフ
レームは、フレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半
導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイ
パッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレー
ム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置
した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続
手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とよ
り構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封
止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリ
ード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はア
ウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリ
ード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続し
て設けられている。図１において、破線で示した領域
は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成
する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また
一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封
止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４
（アウターリード部４ｂ）を切断する切断部５を示して
いる。
【００４２】また、本実施形態のリードフレームは、図
１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部
３によって支持されているが、その吊りリード部３に設
けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４
上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされ
ているものである。
【００４３】なお、リードフレームは、図１に示した構
成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上
下に連続して配列されるものである。
【００４４】次に本実施形態のリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１
に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示し
た透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ
１箇所の断面図である。
【００４５】図２に示すように、リードフレームのダイ
パッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素
子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線
７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部
２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封
止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４
（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底
面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構
成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリ
ード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側
面と同一面である。
【００４６】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
【００４７】まず図３に示すように、フレーム枠と、そ
のフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であ
って、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッ
ド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠
と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場
合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段に
より電気的に接続するビーム状のリード部４とを有した
リードフレームを用意する。
【００４８】そして図４に示すように、ダイパッド部２
上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子６を搭載し
ボンディングする。
【００４９】次に図５に示すように、ダイパッド部２上
に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せ
ず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線
７により電気的に接続する。
【００５０】次に図６に示すように、半導体素子６が搭
載された状態のリードフレームの少なくともリード部４
の底面に封止シート１０を密着させる。この封止シート
１０はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないよう
に保護し、リード部４の底面を露出させるための部材で
ある。
【００５１】次に図７に示すように、リードフレームを
金型内に載置し、金型によりリード部４を封止シート１
０に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止
樹脂８を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッ
ド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細
線７の接続領域を封止する。図８には外囲を封止樹脂８
で封止した状態を示している。
【００５２】次に図９に示すように、リードフレームの
リード部４の底面に密着させていた封止シート１０をピ
ールオフ等により除去する。
【００５３】次に図１０に示すように、リード部４の切
断箇所５に対して、回転ブレード１１でリードカットを
行う。
【００５４】そして図１１に示すように、リードフレー
ムのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その
半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが
金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８
により封止され、そしてそのリード部４（インナーリー
ド部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンド
オフを有して露出して、外部端子９を構成するととも
に、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露
出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹
脂封止型半導体装置を得るものである。
【００５５】以上、本実施形態のリードフレームを用い
て樹脂封止型半導体装置を製造する際、樹脂封止後のリ
ードカット工程では、金型の切断刃に代えて、基板ダイ
シング等で用いるような回転ブレード１１で切削して切
断することにより、切断されるリード部４（切断部５）
に対しては、切断時の押圧力による衝撃が印加されず、
リード部４、そのリード部４近傍の封止樹脂８に対する
ダメージを解消してリードカットすることができる。そ
のため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損の発生をな
くして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を得ることが
できる。
【００５６】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法で得られた樹脂封止型半導体装置に起こり得る
別の課題について説明する。
【００５７】図１２は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の課題を示す断面図である。図１２に示す樹脂封止型
半導体装置は、基本構成は前記した図２に示した樹脂封
止型半導体装置と同様であるが、製造過程において、回
転ブレードでリード部４の切断部５を切削してリードカ
ットしているため、回転ブレードによる回転力とリード
部４の素材である金属材料（銅材）との関係により、切
断したリード部４のアウターリード部４ｂの面に金属材
によるカエリ部１２（金属バリ）が形成されてしまう。
このカエリ部１２により、樹脂封止型半導体装置を基板
実装する際、実装不良を誘発したり、ハンダ接合時のハ
ンダブリッジを起こしたりする可能性があり、カエリ部
１２が発生しないようリードカット、または発生したカ
エリ部１２を除去する必要性が生じている。なお、図１
２では、カエリ部１２は、リード部４の底面側に示して
いるが、リード部４の側面側、およびリード部４の上面
側にも発生する場合もある。
【００５８】通常、カエリ部１２の発生要因としては、
リード切断で用いる回転ブレードの切削によって、リー
ド部４を構成している材料である金属材（例えばＣｕ
材）がはね上げられ、金属材の一部が薄膜状に突出し、
カエリ部１２として切断されたリード部４の端面に残留
するものと考えられる。
【００５９】以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法について、主としてリード部４の側面側と底面側
とに発生するカエリ部１２の除去、またはそれ自体の発
生を防止する実施形態について、課題解決における実施
形態として図面を参照しながら説明する。
【００６０】まず本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法におけるカエリ部発生防止の実施形態の第１の実施
形態について説明する。
【００６１】図１３〜図１７は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上
に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気
的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフ
レームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリード
カット工程を示す断面図である。なお、それ以前の工程
については、図３〜図９と同等である。
【００６２】本実施形態では、図１３に示すように、樹
脂封止後のリードフレームのダイパッド部２上に半導体
素子６が搭載され、その半導体素子６の電極とリード部
４のインナーリード部４ａとが金属細線７により接続さ
れ、外囲を封止樹脂８で封止された状態のリード部４の
切断部５に対して、回転ブレード１１によりリード部４
の上面部分に第１の切断溝１３を形成する。図１４には
第１の切削溝１３を形成した状態を示す。
【００６３】そして図１５，図１６に示すように、リー
ド部４の上面に形成した第１の切断溝１３に対して、再
度、回転ブレード１１により第２の切断溝１４を形成し
て切断部を切断し、リード部４をフレーム枠と分離して
樹脂封止型半導体装置を得る。
【００６４】図１７には、切断分離後のダイパッド部２
上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリー
ド部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電
気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止され、そ
してそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部
分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出し
て、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８の側面
からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹
脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を
示し、リード部４の切断した端面にはカエリ部の発生は
ない。
【００６５】なお、本実施形態では、第１の切断溝１３
を形成した後、第２の切断溝１４を形成してリード部４
を切断するという２段階のブレードによるリード切断の
実施形態を示したが、２段階ではなく、リードフレーム
の材質、回転ブレード１１の回転数、ブレード材質、切
断時の被切断物の送り速度によっては、２段階ではな
く、例えば３段階以上の複数回に分けて切断溝を形成
し、リード部４の切断した端面部分へのカエリ部の発生
を確実に防止することができる。
【００６６】また、使用するブレードはその断面形状が
Ｖ型であるブレードを用いることによっても、リード部
４の切断した端面部分へのカエリ部の発生を低減できる
ものである。
【００６７】以上、本実施形態では、樹脂封止した後の
リードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半
導体装置を分離する際、リード部の切断部に対して、２
段階以上の複数回に分けて回転ブレードによる切断溝を
形成していき、リード部を切断することにより、リード
部の切断した端面部分へのカエリ部の発生を防止するこ
とができる。これはリード部の切断部を徐々に切断する
ことにより、１度に切削する量を低減し、回転ブレード
の切削によるリード部材料である金属材のはね上がりの
度合いを低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の
発生を抑えることができるためである。
【００６８】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法におけるカエリ部発生防止の実施形態の第２の実施
形態について説明する。
【００６９】図１８〜図２２は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上
に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気
的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフ
レームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリード
カット工程を示す断面図であり、多段リードカットの変
形形態である。なお、それ以前の工程については、図３
〜図９と同等である。
【００７０】本実施形態では、図１８、図１９に示すよ
うに、樹脂封止後のリードフレームのダイパッド部２上
に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６の電極と
リード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７によ
り接続され、外囲を封止樹脂８で封止された状態のリー
ド部４の切断部５に対して、回転ブレード１１によりリ
ード部４の上面部分（第１の面）に第１の切断溝１３を
形成する。
【００７１】そして図２０に示すように、第１の切削溝
１３を形成した状態のリードフレームの底面側（第２の
面）から、回転ブレード１１によりリード部４の第１の
切断溝１３に相当するリード部分に対して第２の切断溝
を形成する。
【００７２】そして図２１に示すように、第２の切断溝
１４によりリード部４を切断し、リード部４をフレーム
枠と分離して樹脂封止型半導体装置を得る。
【００７３】図２２には、切断分離後のダイパッド部２
上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリー
ド部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電
気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止され、そ
してそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部
分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出し
て、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８の側面
からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹
脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を
示し、リード部４の切断した端面にはカエリ部の発生は
ない。
【００７４】なお、使用するブレードはその断面形状が
Ｖ型であるブレードを用いることによっても、リード部
４の切断した端面部分へのカエリ部の発生を低減できる
ものである。
【００７５】以上、本実施形態では、樹脂封止した後の
リードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半
導体装置を分離する際、リード部に第１の切断部を形成
した後、その第１の切断部の裏面側から第２の切断部を
形成することによってリード部を切断することにより、
リード部の切断した端面部分へのカエリ部の発生を防止
することができる。これはリード部の切断部を徐々に切
断することにより、１度に切削する量を低減し、回転ブ
レードの切削によるリード部材料である金属材のはね上
がりの度合いを低減し、リード部の端面に残留するカエ
リ部の発生を抑えることができるためである。
【００７６】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法におけるカエリ部発生防止の実施形態の第３の実施
形態について説明する。
【００７７】図２３〜図２６は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上
に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気
的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフ
レームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリード
カット工程を示す断面図であり、多段リードカットの変
形形態である。なお、それ以前の工程については、図３
〜図９と同等である。
【００７８】本実施形態では、図２３に示すように、樹
脂封止後のリードフレームのダイパッド部２上に半導体
素子６が搭載され、その半導体素子６の電極とリード部
４のインナーリード部４ａとが金属細線７により接続さ
れ、外囲を封止樹脂８で封止された状態のリード部４の
切断部５に対して、第１のブレードとして、ブレード先
端の断面形状がＶ型の回転ブレード１５によりリード部
４の上面部分にＶ型の第１の切断溝１６を形成する。図
２４にはＶ型の第１の切削溝１６を形成した状態を示
す。
【００７９】そして図２５に示すように、リード部４の
上面に形成したＶ型の第１の切断溝１６に対して、再
度、第２のブレードとして、通常用いるブレード先端が
平坦な回転ブレード１１により第２の切断溝を形成して
切断部を切断し、リード部４をフレーム枠と分離して樹
脂封止型半導体装置を得る。
【００８０】図２６には樹脂封止型半導体装置を切断分
離した状態を示し、ダイパッド部２上に半導体素子６が
搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリ
ード部４ａとが金属細線７により電気的に接続され、外
囲が封止樹脂８により封止され、そしてそのリード部４
（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底
面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構
成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリー
ド部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面
を構成した樹脂封止型半導体装置を示し、リード部４の
切断した端面にはカエリ部の発生はない。図２６中、切
断分離した部分が第２の切断溝１４を示している。
【００８１】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、切断分離の際に形成した第１の切断溝１６がＶ型で
あるため、その形状が残り、リード部４の切断した端面
の上面部分（アウターリード部４ｂ）は、テーパー状
（ベベル形状）を有しているものであり、基板実装時の
ハンダ接合においては、ハンダのフィレットがよりリー
ド表面に形成されるため、樹脂封止型半導体装置として
実装強度が向上する構造を有している。
【００８２】なお、本実施形態では、Ｖ型の第１の切断
溝１６を形成した後、第２の切断溝１４を形成してリー
ド部４を切断するという２段階のブレードによるリード
切断の実施形態を示したが、２段階ではなく、リードフ
レームの材質、回転ブレード１１の回転数、ブレード材
質、切断時の被切断物の送り速度によっては、２段階で
はなく、例えば３段階の複数回に分けて切断溝を形成
し、リード部４の切断した端面部分へのカエリ部の発生
を確実に防止することができる。
【００８３】また、第２のブレードとして、第１のブレ
ードと同様にその断面形状がＶ型であるブレードを用い
ることによっても、リード部４の切断した端面部分への
カエリ部の発生を低減できるものである。
【００８４】以上、本実施形態では、樹脂封止した後の
リードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半
導体装置を分離する際、リード部の切断部に対して、複
数回に分けて回転ブレードによる切断溝を順次形成して
いき、リード部を切断することにより、リード部の切断
した端面部分へのカエリ部の発生を防止することができ
る。これはリード部の切断部を徐々に切断することによ
り、１度に切削する量を低減し、回転ブレードの切削に
よるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを
低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑
えることができるためである。またＶ型のブレードによ
ってＶ型の切断溝を形成することにより、リード部の断
面方向への切断を徐々に行うため、リード部端面への垂
直位置への回転ブレードの切削によるリード部材料であ
る金属材のはね上がりの度合いを低減し、リード部の端
面に残留するカエリ部の発生を抑えることができる。
【００８５】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法におけるカエリ部発生防止の実施形態の第４の実施
形態について説明する。
【００８６】図２７〜図３１は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法として、リードフレームのダイパッド部２上
に半導体素子６を搭載し、リード部４と金属細線で電気
的に接続し、外囲を封止樹脂８で封止した後のリードフ
レームから樹脂封止型半導体装置を分離する際のリード
カット工程を示す断面図であり、多段リードカットの変
形形態である。なお、それ以前の工程については、図３
〜図９と同等である。
【００８７】本実施形態では、図２７に示すように、樹
脂封止後のリードフレームのダイパッド部２上に半導体
素子６が搭載され、その半導体素子６の電極とリード部
４のインナーリード部４ａとが金属細線７により接続さ
れ、外囲を封止樹脂８で封止された状態のリード部４の
切断部５に対して、第１のブレードとして、ブレード幅
が通常使用するブレードよりも広い幅広の回転ブレード
１７により、リード部４の上面部分に切削して第１の切
断溝１８を形成する。図２８には第１の切削溝１８を形
成した状態を示す。
【００８８】そして図２９，図３０に示すように、リー
ド部４の上面に形成した第１の切断溝１８に対して、再
度、第２のブレードとして、通常用いるブレード先端が
平坦な回転ブレード１１により第２の切断溝１４を形成
して切断部を切断し、リード部４をフレーム枠と分離し
て樹脂封止型半導体装置を得る。すなわち、第２のブレ
ードは第１のブレードよりも幅が狭いブレードで切断す
るものである。図３０中、切断分離した部分が第２の切
断溝１４を示している。
【００８９】図３１には樹脂封止型半導体装置を切断分
離した状態を示し、ダイパッド部２上に半導体素子６が
搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリ
ード部４ａとが金属細線７により電気的に接続され、外
囲が封止樹脂８により封止され、そしてそのリード部４
（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底
面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構
成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリー
ド部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面
を構成した樹脂封止型半導体装置を示し、リード部４の
切断した端面にはカエリ部の発生はない。
【００９０】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、使用するブレードの違いにより、切断分離の際に形
成した第１の切断溝１８が第２の切断溝１４よりも幅広
であるため、その段差形状が残り、リード部４の切断し
た端面の上面部分（アウターリード部４ｂ）は、階段状
の段差形状を有しているものであり、基板実装時のハン
ダ接合においては、ハンダのフィレットがよりリード表
面に形成されるため、樹脂封止型半導体装置として実装
強度が向上する構造を有している。
【００９１】なお、本実施形態では、幅広の第１の切断
溝１８を形成した後、第２の切断溝１４を形成してリー
ド部４を切断するという２段階のブレードによるリード
切断の実施形態を示したが、２段階ではなく、リードフ
レームの材質、回転ブレード１１の回転数、ブレード材
質、切断時の被切断物の送り速度によっては、２段階で
はなく、例えば３段階以上の複数回に分けて切断溝を形
成し、リード部４の切断した端面部分へのカエリ部の発
生を確実に防止することができる。
【００９２】また、本実施形態の回転ブレードとして
は、第１のブレード１７の幅は、１００〜２００［μ
ｍ］であって、好ましくは１５０［μｍ］であり、第２
のブレード１１の幅は、５０［μｍ］〜１００［μｍ］
であって、好ましくは１００［μｍ］である。
【００９３】また、第２のブレードとして、その断面形
状がＶ型であるブレードを用いることによっても、リー
ド部４の切断した端面部分へのカエリ部の発生を低減で
きるものである。
【００９４】以上、本実施形態では、樹脂封止した後の
リードフレームに対して、リード切断して樹脂封止型半
導体装置を分離する際、リード部の切断部に対して、複
数回に分けて回転ブレードによる切断溝を順次形成して
いき、リード部を切断することにより、リード部の切断
した端面部分へのカエリ部の発生を防止することができ
る。これはリード部の切断部を徐々に切断することによ
り、１度に切削する量を低減し、回転ブレードの切削に
よるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを
低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑
えることができるためである。またＶ型のブレードによ
ってＶ型の切断溝を形成することにより、リード部の断
面方向への切断を徐々に行うため、リード部端面への垂
直位置への回転ブレードの切削によるリード部材料であ
る金属材のはね上がりの度合いを低減し、リード部の端
面に残留するカエリ部の発生を抑えることができる。
【００９５】さらに本実施形態では、フレーム枠内に１
つのダイパッド部と、それに対向して配置された複数の
リード部とにより構成されたユニットをその領域内に複
数ユニット有したリードフレームに対して、各ユニット
ごとに樹脂封止してパッケージ部を構成し、各ユニット
間に露出したリード部をその切断部で切断する例を示し
たが、本実施形態で示したように、リード部に対して徐
々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、幅、
切断する面の方向を変えてリードカットを実施する手段
によって、一括成形としてリードフレーム内の各ユニッ
トを包括して全面樹脂封止し、各ユニット間のリード部
の上面、すなわち各ユニット間のリード部の切断部に封
止樹脂が形成された場合においても、同様な作用効果を
奏するものである。
【００９６】以上、リード部の側面側と底面側とに発生
するカエリ部の除去、またはそれ自体の発生を防止する
各実施形態について説明した通り、リード部に対して徐
々に切削を行い、またその切削をブレードの形状、幅、
切断する面の方向を変えて実施することにより、１度に
切削する量を低減し、回転ブレードの切削によるリード
部材料である金属材のはね上がりの度合いを低減し、リ
ード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑えることが
できる。もちろん各実施形態で示したブレード幅、ブレ
ード形状、切削する面の方向等については、組み合わせ
ることによっても、リード部の端面に残留するカエリ部
の発生を抑えることができる。
【００９７】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、樹脂封止後のリードカット工程で
は、金型の切断刃に代えて、基板ダイシング等で用いる
ような回転ブレードで切削して切断することにより、切
断されるリード部に対しては、切断時の押圧力による衝
撃が印加されず、リード部、そのリード部近傍の封止樹
脂に対するダメージを解消してリードカットすることが
できる。そのため、リード部、封止樹脂部に欠陥、欠損
の発生をなくして信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を
得ることができる。
【００９８】また、リードカット工程では、リード部に
対して徐々に切削を行い、またその切削をブレードの形
状、幅、切断する面の方向を変えて実施することによ
り、１度に切削する量を低減し、回転ブレードの切削に
よるリード部材料である金属材のはね上がりの度合いを
低減し、リード部の端面に残留するカエリ部の発生を抑
えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の課題を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図２９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図３２】従来のリードフレームを示す図
【図３３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図３４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３５】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図３９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【図４２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
【符号の説明】
１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ リード部 ５ 切断部 ６ 半導体素子 ７ 金属細線 ８ 封止樹脂 ９ 外部端子 １０ 封止シート １１ 回転ブレード １２ カエリ部 １３ 第１の切断溝 １４ 第２の切断溝 １５ Ｖ型の回転ブレード １６ Ｖ型の第１の切断溝 １７ 幅広の回転ブレード １８ 第１の切断溝 １０１ フレーム枠 １０２ ダイパッド部 １０３ 吊りリード部 １０４ リード部 １０５ 半導体素子 １０６ 金属細線 １０７ 封止樹脂 １０８ 外部端子 １０９ 封止シート １１０ 切断部 １１１ 切断刃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹村 邦和 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 南尾 匡紀 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 Ｆターム(参考） 5F061 AA01 BA01 CA21 CB12 CB13 EA03 5F067 AA01 AA09 AB04 BC12 DB00 DE14 DE20

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
    用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
    し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
    なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
    他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
    ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切
    断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記
    用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
    素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した
    前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフ
    レームのリード部の各上面とを金属細線により接続する
    工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素
    子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
    面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設
    けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止す
    る工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対してブ
    レードにより第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝
    に対して再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切
    断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とより
    なることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  2. 【請求項２】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
    用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
    し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
    なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
    他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
    ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切
    断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記
    用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
    素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した
    前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフ
    レームのリード部の各上面とを金属細線により接続する
    工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリー
    ド部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なく
    とも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード
    部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リー
    ドフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド
    部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード
    部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部
    を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂
    封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去
    する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して
    ブレードにより第１の切断溝を形成し、前記第１の切断
    溝に対して再度ブレードにより第２の切断溝を形成して
    切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程とよ
    りなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 少なくともリード部の切断部に対してブ
    レードにより第１の切断溝を形成し、前記第１の切断溝
    に対して再度ブレードにより第２の切断溝を形成して切
    断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程は、少
    なくともリード部の切断部に対してブレードにより第１
    の切断溝を形成し、前記第１の切断溝に対して再度ブレ
    ードにより第２の切断溝を形成し、前記第２の切断溝に
    対して再々度ブレードにより第３の切断溝を形成して切
    断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程である
    ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の樹脂
    封止型半導体装置の製造方法。
  4. 【請求項４】 ブレードはその断面形状がＶ型であるブ
    レードを用いることを特徴とする請求項１または請求項
    ２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
    用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
    し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
    なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
    他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
    ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切
    断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記
    用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
    素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した
    前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフ
    レームのリード部の各上面とを金属細線により接続する
    工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素
    子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
    面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設
    けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止す
    る工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して第
    １の面側からブレードにより第１の切断溝を形成する工
    程と、前記第１の切断溝が形成されたリード部の切断部
    の第２の面側から再度ブレードにより第２の切断溝を形
    成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工
    程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
    製造方法。
  6. 【請求項６】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
    用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
    し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
    なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
    他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
    ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切
    断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記
    用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
    素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した
    前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフ
    レームのリード部の各上面とを金属細線により接続する
    工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリー
    ド部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なく
    とも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード
    部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リー
    ドフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド
    部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード
    部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部
    を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂
    封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去
    する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して
    第１の面側からブレードにより第１の切断溝を形成する
    工程と、前記第１の切断溝が形成されたリード部の切断
    部の第２の面側から再度ブレードにより第２の切断溝を
    形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る
    工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
    の製造方法。
  7. 【請求項７】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
    用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
    し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
    なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
    他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
    ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切
    断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記
    用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
    素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した
    前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフ
    レームのリード部の各上面とを金属細線により接続する
    工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導体素
    子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部の底
    面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設
    けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止す
    る工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対して、
    その断面形状がＶ型である第１のブレードにより、断面
    Ｖ型の第１の切断溝を形成し、前記断面Ｖ型の第１の切
    断溝に対して第２のブレードにより第２の切断溝を形成
    して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る工程
    とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
    造方法。
  8. 【請求項８】 金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
    レーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭載
    用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持
    し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、少
    なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在し、
    他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前記リ
    ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切
    断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、前記
    用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
    素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載した
    前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リードフ
    レームのリード部の各上面とを金属細線により接続する
    工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともリー
    ド部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少なく
    とも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リード
    部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記リー
    ドフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド
    部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リード
    部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切断部
    を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、樹脂
    封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去
    する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対し
    て、その断面形状がＶ型である第１のブレードにより、
    断面Ｖ型の第１の切断溝を形成し、前記断面Ｖ型の第１
    の切断溝に対して第２のブレードにより第２の切断溝を
    形成して切断部を切断し、樹脂封止型半導体装置を得る
    工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置
    の製造方法。
  9. 【請求項９】 第２のブレードはその先端部が平坦であ
    るブレードを用いることを特徴とする請求項７または請
    求項８に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 第２のブレードは第１のブレードと同
    等のブレードを用いることを特徴とする請求項７または
    請求項８に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 金属板よりなるフレーム本体と、前記
    フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭
    載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支
    持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、
    少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在
    し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前
    記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられ
    た切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、
    前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半
    導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載
    した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リー
    ドフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続
    する工程と、少なくとも前記リードフレームの前記半導
    体素子、ダイパッド部、金属細線、および前記リード部
    の底面と前記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍
    に設けられた切断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封
    止する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対し
    て第１の幅を有する第１のブレードにより第１の切断溝
    を形成する第１の切断工程と、前記第１の切断溝に対し
    て前記第１のブレードよりもブレード幅の小さい第２の
    ブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断
    し、樹脂封止型半導体装置を得る第２の切断工程とより
    なることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  12. 【請求項１２】 金属板よりなるフレーム本体と、前記
    フレーム本体の略中央領域内に配設された半導体素子搭
    載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支
    持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、
    少なくとも先端部が前記ダイパッド部に向かって延在
    し、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、前
    記リード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられ
    た切断部とよりなるリードフレームを用意する工程と、
    前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半
    導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッド部上に搭載
    した前記半導体素子の主面上の電極パッドと、前記リー
    ドフレームのリード部の各上面とを金属細線により接続
    する工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくとも
    リード部の各底面に封止シートを密着させる工程と、少
    なくとも前記リード部の端部に押圧力を付加し、前記リ
    ード部の底面を前記封止シートに押圧した状態で、前記
    リードフレームの上面側として前記半導体素子、ダイパ
    ッド部、金属細線、および前記リード部の底面と前記リ
    ード部のフレーム枠と接続した領域近傍に設けられた切
    断部を除く領域を封止樹脂により樹脂封止する工程と、
    樹脂封止後に前記封止シートを前記リードフレームより
    除去する工程と、少なくとも前記リード部の切断部に対
    して第１の幅を有する第１のブレードにより第１の切断
    溝を形成する第１の切断工程と、前記第１の切断溝に対
    して前記第１のブレードよりもブレード幅の小さい第２
    のブレードにより第２の切断溝を形成して切断部を切断
    し、樹脂封止型半導体装置を得る第２の切断工程とより
    なることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  13. 【請求項１３】 第１のブレードの幅は１５０［μｍ］
    であり、第２のブレードの幅は１００［μｍ］であるブ
    レードを用いることを特徴とする請求項１１または請求
    項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 第１のブレードはその断面形状がＶ型
    であるブレードを用いることを特徴とする請求項１１ま
    たは請求項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  15. 【請求項１５】 第２のブレードはその断面形状がＶ型
    であるブレードを用いることを特徴とする請求項１１ま
    たは請求項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
    法。
  16. 【請求項１６】 第１のブレード，第２のブレードはそ
    の断面形状がそれぞれＶ型であるブレードを用いること
    を特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の樹脂
    封止型半導体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6882048B2 (en) * 2001-03-30 2005-04-19 Dainippon Printing Co., Ltd. Lead frame and semiconductor package having a groove formed in the respective terminals for limiting a plating area
JP2015142088A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 株式会社ディスコ パッケージ基板の分割方法
JP2017199888A (ja) * 2016-04-30 2017-11-02 新日本無線株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置

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