JP4570797B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、リードフレームを用いて組み立てる半導体装置の歩留り向上に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
小形化を図った半導体装置として、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) と呼ばれる半導体チップより若干大きい程度の小形半導体パッケージが開発されており、樹脂モールドによって形成された封止部の裏面の周縁部に外部端子となる複数のリードが露出して配置され、このような構造の半導体パッケージは、ペリフェラル形と呼ばれている。
【０００４】
ＱＦＮの組み立てでは、多数個取りのリードフレームを用いて、ダイボンディング、ワイヤボンディング、樹脂封止の各処理が行われ、その後、リード切断が行われて個片化される。
【０００５】
なお、リードフレームを用いて組み立てるＱＦＮの構造については、例えば、特開平１０−１８９８３０号公報や、株式会社プレスジャーナル１９９８年７月２７日発行、「月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ増刊号'9９半導体組立・検査技術」、５３〜５７頁に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術のＱＦＮの組み立てでは、図１２〜図１４の比較例に示すように、樹脂封止（モールド）後のリード切断時に、封止部３の周縁封止部３ｃ（本体封止部３ｂも含む）の裏面（被実装側の面）３ａにクラック１１が形成される。
【０００７】
これは、切断用パンチであるピンチカットパンチ７から荷重が付与された際に、本体封止部３ｂの根元部３ｄを中心として切断方向に図１４に示すような曲げモーメント（Ｍ）が発生し、この曲げモーメント（Ｍ）によって封止部３の周縁封止部３ｃの裏面３ａに引っ張り応力（σ）が作用して、強度が弱い周縁封止部３ｃの裏面３ａにクラック１１が形成されるものである。
【０００８】
すなわち、図１３の比較例に示すように、リード切断時に、前記ピンチカットパンチ７によってダムバー（ダム部）１ｉと周縁封止部３ｃの端部との両者に荷重が付与されると、本体封止部３ｂと周縁封止部３ｃとの境界である根元部３ｄを中心として切断方向に図１４に示す曲げモーメント（Ｍ）が発生し、この曲げモーメント（Ｍ）によって周縁封止部３ｃの裏面３ａに引っ張り応力（σ）が作用してクラック１１に至る。
【０００９】
特に、図１４（ｂ）の比較例に示すように、ＱＦＮ１３の角部には、タブ吊りリード１ｅが配置されるとともに、このタブ吊りリード１ｅの被接続面１ｄと反対側の面である上面には樹脂モールドの際にベントホール樹脂が形成されるため、図１２に示す受けダイ９には前記ベントホール樹脂を逃げる溝が形成されており、受けダイ９は角部では十分に受けてはいない。したがって、角部でのリード切断は比較的困難である。
【００１０】
さらに、リード切断時には、タブ吊りリード１ｅと樹脂との境界の曲線部に図１４（ａ）に示すような引っ張り応力（σ）が集中し易く、その結果、クラック１１が入り易い。
【００１１】
これにより、ＱＦＮ１３の外観検査で不良となり、ＱＦＮ１３の歩留りが低下することが問題となる。
【００１２】
さらに、クラック１１のための専用の外観検査を行わなければならず、製造性が悪いことが問題となる。
【００１３】
また、ＱＦＮ１３の組み立てでは、そのリード切断によって発生したはんだめっきによるめっき屑またはレジン屑あるいはリードフレーム素材屑などの異物が製品（ＱＦＮ１３）に付着し、これによって電気的ショートや断線を引き起こすことがある。
【００１４】
したがって、ＱＦＮ１３の組み立て工程において、全数異物検査を行うことや検出された異物の除去工程が必要となることが問題である。
【００１５】
本発明の目的は、半導体装置の歩留り向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１８】
本発明は、（ａ）チップ搭載部と、一端部が前記チップ搭載部と対向するように前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、一端部が前記チップ搭載部と対向するように前記チップ搭載部と一体に形成された複数のタブ吊りリードと、表面、及び前記表面と反対側の裏面を有し、前記表面の端部又は前記裏面の端部の何れか一方が他方よりも前記チップ搭載部側に迫り出し、前記複数のリードのそれぞれの前記一端部と反対側の他端部及び前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記一端部と反対側の他端部とそれぞれ一体に形成されたダム部と、を備えるリードフレームを準備する工程、（ｂ）複数のパッドが形成された主面を有する半導体チップを前記チップ搭載部の表面上に搭載する工程、（ｃ）前記半導体チップの前記複数のパッドと前記リードフレームの前記複数のリードとを複数のワイヤでそれぞれ電気的に接続する工程、（ｄ）モールド金型のキャビティ内に前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを配置し、前記キャビティ内に樹脂を供給することで、前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する本体封止部、及び前記本体封止部と一体に形成され、前記リードフレームの前記ダム部と密着する周縁封止部を形成する工程、（ｅ）前記ダム部の前記表面の前記端部及び前記ダム部の前記裏面の前記端部のうち、前記チップ搭載部側に迫り出している端部を有する面と反対側の面側から、前記ダム部のみに切断用パンチを接触させ、前記ダム部に荷重を付与することにより、前記ダム部を前記周縁封止部から剥離し、前記複数のリード及び前記複数のタブ吊りリードのそれぞれを前記リードフレームから切断分離する工程、を含むものである。
【００１９】
さらに本願のその他の発明の概要を項に分けて簡単に示す。
１．チップ搭載部と、その周囲に配置された複数のリードと、前記チップ搭載部および前記複数のリードをそれぞれに備えた複数のデバイス領域を区画する切断部とを有したリードフレームを用いて組み立てる半導体装置の製造方法であり、前記切断部にモールド時の封止用樹脂の流出を阻止するとともに前記封止用樹脂と密着する端部において表裏面の何れか一方が他方より迫り出したダム部が設けられた前記リードフレームを準備する工程と、前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップを樹脂封止して本体封止部を形成するとともに、前記本体封止部と一体でこれの周縁部に前記ダム部に密着させて周縁封止部を形成する工程と、前記複数のリードを切断用パンチによって前記リードフレームから切断分離するとともに、前記リードフレームの前記デバイス領域の角部の前記切断部において、前記ダム部の端部の表裏面のうち迫り出した面が前記周縁封止部から離れる方向に前記ダム部を前記周縁封止部から剥離する工程とを有するものである。
２．チップ搭載部と、その周囲に配置された複数のリードと、前記チップ搭載部および前記複数のリードをそれぞれに備えた複数のデバイス領域を区画する切断部とを有したリードフレームを用いて組み立てる半導体装置の製造方法であり、前記切断部にモールド時の封止用樹脂の流出を阻止するとともに前記封止用樹脂と密着する端部において表裏面の何れか一方が他方より迫り出したダム部が設けられた前記リードフレームを準備する工程と、前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップを樹脂封止して本体封止部を形成するとともに、前記本体封止部と一体でこれの周縁部に前記ダム部に密着させて周縁封止部を形成する工程と、前記リードフレームの前記デバイス領域の角部の前記切断部において、切断用パンチによって前記周縁封止部の外側の前記ダム部に荷重を付与して、前記ダム部の端部の表裏面のうち迫り出した面が前記周縁封止部から離れる方向に前記ダム部を前記周縁封止部から剥離するとともに、前記複数のリードを前記リードフレームから切断分離する工程とを有するものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２１】
図１、図２は本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法によって組み立てられるＱＦＮの構造を示す図、図３は図１に示すＱＦＮの組み立て手順を示す図、図４、図５、図６は図１に示すＱＦＮの組み立てに用いられるリードフレームの構造を示す図、図７はモールド後の構造を示す図、図８はリード切断工程におけるダム部の剥離方法の一例を示す図、図９は変形例のリードフレームを用いた際のリード切断工程におけるダム部の剥離方法を示す図、図１０、図１１は本発明の実施の形態のダム部の剥離方法における曲げモーメントとパンチ距離の関係、および最大曲げモーメント図、図１２、図１３および図１４は比較例のダム部切断方法を示す部分断面図および部分平面図である。
【００２２】
図１に示す本実施の形態の半導体装置の製造方法によって組み立てられる半導体装置は、図４に示すリードフレーム１を用い、かつこのリードフレーム１の片方の面である表面（チップ搭載側の面）側にモールドによって図１に示す封止部３が形成される片面モールドの樹脂封止形の小形半導体パッケージであり、さらに、封止部３の裏面３ａの周縁部に複数のリード１ａの被接続面１ｄを露出させて配置したペリフェラル形のものでもあり、前記半導体装置の一例として、ＱＦＮ５を取り上げて説明する。
【００２３】
したがって、ＱＦＮ５の各リード１ａは、封止部３に埋め込まれたインナリードと、封止部３の裏面３ａの周縁部に露出するアウタリードとの両者の機能を兼ねている。
【００２４】
図１、図２を用いて、ＱＦＮ５の詳細構成について説明すると、半導体チップ２が樹脂封止されて形成された封止部３と、半導体チップ２を支持するチップ支持面１ｃを備えたタブ（チップ搭載部）と、タブ１ｂを支持するとともに封止部３の裏面３ａの周縁部の４つの角部に露出して配置されたタブ吊りリード１ｅと、タブ１ｂの周囲に配置され、かつ封止部３の裏面３ａの周縁部に並んで被接続面１ｄを露出して配置された複数のリード１ａと、半導体チップ２の表面電極であるパッド２ａとこれに対応するリード１ａとを接続するボンディング用のワイヤ４とからなる。
【００２５】
なお、本実施の形態のＱＦＮ５は、図６に示すように、デバイス領域１ｈの切断部１ｋの角部において、従来のダムバー端部１４よりダムバー１ｉをモールドライン１ｌに接近させたことにより、ＱＦＮ５の組み立てのリード切断工程（図３に示すステップＳ５）において、封止用樹脂からなる封止部３とダムバー１ｉとを剥離させて分離したことによって形成された図１（ａ）に示す周縁封止部３ｃを有するものである。
【００２６】
したがって、ＱＦＮ５は、リード切断工程において、各リード１ａやタブ吊りリード１ｅの切断とともに、封止部３の周縁封止部３ｃとダムバー１ｉとを剥離させて分離したことにより、本体封止部３ｂや周縁封止部３ｃの裏面３ａすなわち封止部３の裏面３ａにクラック１１（図１４参照）が形成されることを防止するものである。
【００２７】
なお、ＱＦＮ５は、その封止部３が、半導体チップ２を樹脂封止する本体封止部３ｂと、これと一体でその周縁部に形成された周縁封止部３ｃとからなる。
【００２８】
また、図２に示すように、半導体チップ２は、タブ１ｂのチップ支持面１ｃ上にダイボンド材（例えば、銀ペーストなど）１２によって固定されている。
【００２９】
さらに、ＱＦＮ５の封止部３の裏面３ａの周縁部に並んで配置された外部端子であるリード１ａの被接続面１ｄには、厚さ１０μｍ程度の半田メッキ層１０が形成されている。
【００３０】
また、タブ１ｂ、タブ吊りリード１ｅおよび各リード１ａは、例えば、銅などの薄板材によって形成され、その厚さは、0.１５〜0.２ｍｍ程度である。
【００３１】
さらに、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリード１ａとを接続するワイヤ４は、例えば、金線などである。
【００３２】
また、封止部３は、モールド方法による樹脂封止によって形成され、その際用いられる封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などである。
【００３３】
次に、本実施の形態によるＱＦＮ５（半導体装置）の製造方法を図３に示すプロセスフロー図にしたがって説明する。
【００３４】
まず、図２に示す半導体チップ２を支持可能なチップ搭載部であるタブ１ｂと、タブ１ｂをその角部で支持するタブ吊りリード１ｅと、タブ１ｂの周囲に配置され、かつ樹脂封止された際に封止部３の裏面３ａの周縁部に露出する被接続面１ｄを備えた複数のリード１ａと、タブ１ｂおよび複数のリード１ａをそれぞれに備えた複数のデバイス領域１ｈを区画する切断部１ｋとからなり、この切断部１ｋに、モールド時の封止用樹脂の流出を阻止するダム部であるダムバー１ｉが設けられた図４に示すリードフレーム１を準備する（ステップＳ１）。
【００３５】
その際、本実施の形態のＱＦＮ５の組み立てに用いられるリードフレーム１では、図６に示すように、そのデバイス領域１ｈの切断部１ｋの４つの角部において、従来のダムバー端部１４よりダムバー１ｉをモールドライン１ｌに接近させているため、リード切断時に、図８に示すように、ピンチカットパンチ７が周縁封止部３ｃに荷重を掛けることなく、ダムバー１ｉのみに荷重を掛けることができ、その結果、周縁封止部３ｃからダムバー１ｉを剥離させることができる。
【００３６】
なお、図５および図６に示す点線部は、モールド後のモールドライン１ｌである。
【００３７】
また、図４に示すリードフレーム１は、１枚のリードフレーム１から複数個のＱＦＮ５を製造することが可能な短冊状の細長い多連のものであり、さらに、１枚のリードフレーム１上でマトリクス配列で複数のＱＦＮ５を製造可能とするものである。
【００３８】
したがって、１枚のリードフレーム１には、１個のＱＦＮ５に対応したパッケージ領域であるデバイス領域１ｈがマトリクス配列で複数個形成され、さらに、各デバイス領域１ｈを区画する切断部１ｋには、複数のスリット１ｇが設けられており、熱応力や機械的応力などの応力を緩和させている。
【００３９】
なお、リードフレーム１は、例えば、銅（Ｃｕ）などによって形成された薄板材であり、その厚さは、例えば、0.１５〜0.２ｍｍ程度であるが、前記材料や前記厚さなどは、これらに限定されるものではない。
【００４０】
その後、主面２ｂに半導体集積回路が形成された半導体チップ２を準備し、この半導体チップ２の裏面２ｃとリードフレーム１のタブ１ｂのチップ支持面１ｃとを接合するステップＳ２に示すダイボンディング（ペレットボンディングまたはチップマウントともいう）を行う。
【００４１】
すなわち、リードフレーム１のタブ１ｂのチップ支持面１ｃに半導体チップ２を搭載する。
【００４２】
その際、リードフレーム１のタブ１ｂにダイボンド材（例えば、銀ペーストなど）１２を介して主面２ｂを上方に向けて半導体チップ２を固定する。
【００４３】
続いて、図２に示すように、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリード１ａのボンディング面１ｆとをボンディング用のワイヤ４によってワイヤボンディングして接続する（ステップＳ３）。
【００４４】
その後、ステップＳ４に示すモールド（ここでは、トランスファーモールド）によって半導体チップ２を樹脂封止してリードフレーム１のチップ支持面１ｃ側に封止部３を形成する。
【００４５】
その際、半導体チップ２を樹脂封止することによって本体封止部３ｂを形成するとともに、本体封止部３ｂに一体で、かつその周縁部に周縁封止部３ｃを形成する。
【００４６】
すなわち、モールド金型のキャビティから流出した封止用樹脂の流れをダムバー１ｉによって阻止する（塞き止める）ことにより、図７に示すように、モールドライン１ｌとなる本体封止部３ｂの外側に、ダムバー１ｉに密着した周縁封止部３ｃを形成する。
【００４７】
また、本体封止部３ｂの裏面３ａの周縁部には複数のリード１ａの被接続面１ｄを露出させて配置する。
【００４８】
なお、前記キャビティとＱＦＮ５とが１対１に対応した前記モールド金型を用いてモールドを行う。
【００４９】
これによって、リードフレーム１上に複数の封止部３がマトリクス配置で形成される。
【００５０】
その後、封止部３から突出する各リード１ａおよびタブ吊りリード１ｅをリードフレーム１から切断分離するステップＳ５に示すリード切断（個片化）を行う。
【００５１】
その際、図８（ａ) 〜（ｃ）に示すように、リードフレーム１のデバイス領域１ｈの角部の切断部１ｋにおいて、切断用の上型６のピンチカットパンチ７によって周縁封止部３ｃの外側のダムバー１ｉに荷重を付与してダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥がすように剥離するとともに、複数のリード１ａをリードフレーム１から切断分離する（なお、図８は、図７のＣ−Ｃ断面における切断状態を示したものである）。
【００５２】
すなわち、図６に示すように、従来のダムバー端部１４よりダムバー１ｉがモールドライン１ｌに接近しているため、ピンチカットパンチ７によってタブ吊りリード１ｅをリードフレーム１から切断分離するのと同時に、図８（ｂ）に示すように、周縁封止部３ｃには荷重を掛けずに角部の切断部１ｋのダムバー１ｉのみに荷重を付与することができ、これによって周縁封止部３ｃからダムバー１ｉを剥離分離する。
【００５３】
なお、本実施の形態の切断では、図１３の比較例に示すような切断時に周縁封止部３ｃを下側から支持する下型８（図１２参照）の受けダイ９は用いずに切断を行う。
【００５４】
これは、ピンチカットパンチ７と受けダイ９との摩耗によるピンチカットパンチ７の切断刃の摩耗の度合いを低減するためである。
【００５５】
ただし、図８に示すように、切断時には、封止部３の天井面（裏面３ａと反対側の面）を下型８のパッケージ受け８ａによって支持している。
【００５６】
なお、周縁封止部３ｃを図１３に示すような受けダイ９によって支持して切断（剥離）を行ってもよい。
【００５７】
個片化によって、図１および図２に示すＱＦＮ５の完成となる（ステップＳ６）。
【００５８】
なお、本実施の形態のＱＦＮ５の組み立てに用いられるリードフレーム１は、エッチング加工によって形成されたものであるが、ただし、エッチング加工以外のプレス加工などによって形成されたものであってもよい。
【００５９】
次に、図９に示す変形例について説明する。
【００６０】
図９（ａ）に示す変形例は、その切断部１ｋ（図５参照）にダムバー１ｉが設けられ、このダムバー１ｉが、封止用樹脂と密着する端部において表裏面の何れか一方が他方より迫り出して形成された迫り出し面１ｊを有している。
【００６１】
これにより、図９（ｂ）に示すリード切断時には、図５に示すリードフレーム１のデバイス領域１ｈの角部の切断部１ｋにおいて、ピンチカットパンチ７によって周縁封止部３ｃの外側のダムバー１ｉに荷重を付与することにより、タブ吊りリード１ｅの切断と同時に、ダムバー１ｉの端部の迫り出し面１ｊ（迫り出した面）が周縁封止部３ｃから離れる方向にダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥離することができる。
【００６２】
特に、エッチング加工によって形成されたリードフレーム１では、その加工方法によって、図９（ａ）に示すように、ダムバー１ｉ（リード１ａなども含む）の端面に凹凸１ｍが形成されており、したがって、この凹凸１ｍに密着して形成された周縁封止部３ｃの接合面にも凹凸３ｅが形成されている。
【００６３】
そこで、ダムバー１ｉの端部の迫り出し面１ｊ（迫り出した面）が周縁封止部３ｃから離れる方向にダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥離することにより、周縁封止部３ｃの接合面の凹凸３ｅを崩さずに残留させて周縁封止部３ｃからダムバー１ｉを剥離できる。
【００６４】
なお、迫り出し面１ｊの迫り出し量（Ｘ）は、例えば、リードフレーム１の板厚が0.２ｍｍの場合、前記（Ｘ）は約0.０２５ｍｍ程度であるが、ただし、迫り出し量（Ｘ）は、これに限定されるものではない。
【００６５】
また、プレス加工によって形成されたリードフレーム１であっても、前記迫り出し面１ｊを設けることにより、周縁封止部３ｃの接合面の凹凸３ｅを崩さずに残留させて周縁封止部３ｃからダムバー１ｉを剥離できる。
【００６６】
本実施の形態のＱＦＮ５（半導体装置）の製造方法では、そのリード切断工程において、リードフレーム１のデバイス領域１ｈの角部の切断部１ｋで、ピンチカットパンチ７によってダムバー１ｉのみに荷重を付与してダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥離するとともに、複数のリード１ａをリードフレーム１から切断分離することにより、本体封止部３ｂと周縁封止部３ｃとの境界を中心として切断方向に発生する曲げモーメント（Ｍ）を低減することができる。
【００６７】
その結果、周縁封止部３ｃや本体封止部３ｂの裏面３ａに掛かる引っ張り応力を低減できる。
【００６８】
すなわち、タブ吊りリード１ｅと封止部３との境界の曲線部に集中する引っ張り応力を低減することができ、その結果、封止部３の裏面３ａにクラック１１（図１４参照）が形成されることを防止できる。
【００６９】
これにより、ＱＦＮ５の外観検査で発生する不良品の数を減らしてＱＦＮ５の歩留りを向上させることができる。
【００７０】
なお、不良率を２５％から０％に減らすことができる。
【００７１】
ここで、曲げモーメント（Ｍ）と切断用パンチであるピンチカットパンチ７の切断距離との関係について説明すると、図１４に示す曲げモーメント（Ｍ）は、周縁封止部３ｃの本体封止部３ｂからの突出量である切断距離（図８（ａ）の距離Ａ）と切断箇所の切断面積とによって求められ、図１０は、曲げモーメント（Ｍ）とピンチカットパンチ７の切断距離との関係を示したものである。
【００７２】
これにクラック１１の発生の有無を加えると、図１０のＲ領域がクラック１１なしで、Ｓ領域がクラック１１有りである。
【００７３】
さらに、図１０のデータにより、図１１に示すように、クラック１１なしの場合の最大曲げモーメント（Ｍ）は、Ｒ領域では0.９２Ｎ−ｍｍであり、一方、クラック１１有りの場合の最小曲げモーメント（Ｍ）は、Ｓ領域では1.３Ｎ−ｍｍである。
【００７４】
これにより、本体封止部３ｂの根元部３ｄ（図８（ａ）参照）付近に約1.２Ｎ−ｍｍ以上の曲げモーメント（Ｍ）が掛かるとクラック１１が発生する。
【００７５】
そこで、安全係数を２とすると、前記曲げモーメント（Ｍ）が0.５Ｎ−ｍｍ以下であれば、本体封止部３ｂや周縁封止部３ｃの裏面３ａにクラックが形成されることを確実に防止できる。
【００７６】
なお、本実施の形態のダムバー１ｉの周縁封止部３ｃからの剥離方法の場合を計算して算出したデータが、図１０の実線Ｑに示すものであり、切断距離（パンチ距離）に関わらず、曲げモーメント（Ｍ）が0.５Ｎ−ｍｍ以下になるという結果が得られた。
【００７７】
したがって、リード１ａの切断時に、ピンチカットパンチ７によってダムバー１ｉのみに荷重を付与してダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥離することにより、周縁封止部３ｃや本体封止部３ｂの裏面３ａにクラック１１が形成されることを確実に防げる。
【００７８】
また、リード切断の際に、ピンチカットパンチ７によって周縁封止部３ｃには荷重をかけずに、ダムバー１ｉのみに荷重を付与し、かつ受け側のダイである図１３に示す受けダイ９を使用せずにダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥離することにより、ピンチカットパンチ７の切断刃の摩耗の度合いを低減できる。
【００７９】
これにより、切断金型の寿命を延ばすことができ、切断金型のコスト（ランニングコスト）を低減できる。
【００８０】
また、周縁封止部３ｃや本体封止部３ｂにクラック１１が形成されることを防止できるため、ＱＦＮ５の外観品質を向上できるとともに、顕微鏡を用いたクラック１１のための専用の全数外観検査を廃止することができる。
【００８１】
その結果、ＱＦＮ５の製造コストを低減でき、製造性の向上を図ることができる。
【００８２】
なお、周縁封止部３ｃを切断するのではなく、周縁封止部３ｃとダムバー１ｉとを剥離することにより、リード切断時の封止用樹脂の屑であるレジン屑の発生量を減らすことができる。
【００８３】
また、リードフレーム１のデバイス領域１ｈの角部の切断部１ｋにおいて、ピンチカットパンチ７によってダムバー１ｉに荷重を付与して、ダムバー１ｉの端部の表裏面のうち迫り出し面１ｊ（迫り出した面）が周縁封止部３ｃから離れる方向にダムバー１ｉを剥離することにより、切断時のダムバー１ｉと周縁封止部３ｃとの摩擦を低減して両者を容易に剥離できる。
【００８４】
これにより、封止部３に入るクラック１１を低減できる。
【００８５】
さらに、めっき屑またはレジン屑あるいはリードフレーム素材屑などの異物の製品（ＱＦＮ５）への付着を低減でき、異物付着による不良数を低減してＱＦＮ５の歩留りを向上できる。
【００８６】
ここでは、不良率を２０％から０％に減らすことができる。
【００８７】
その結果、ＱＦＮ５の組み立てにおける全数異物検査を廃止できるとともに、異物の除去工程を削減できる。
【００８８】
さらに、切断金型破損のポテンシャルを低減できる。
【００８９】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９０】
例えば、前記実施の形態では、ダムバー１ｉのモールドライン１ｌへの接近や迫り出し面１ｊの設置をデバイス領域１ｈの角部で行う場合について説明したが、両者ともデバイス領域１ｈの少なくとも角部で行っていればよく、角部だけでなく全周に亘って行ってもよい。
【００９１】
また、前記実施の形態では、リードフレーム１を用いて製造される半導体装置がＱＦＮ５の場合について説明したが、前記半導体装置は、樹脂モールド後にリード切断が行われて組み立てられるものであれば、ＱＦＮ５以外の他の半導体装置であってもよい。
【００９２】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００９３】
リード切断工程において切断用パンチによってリードを切断する際に、リードの切断とともに、リードフレームのデバイス領域の角部の切断部において、切断用パンチによりダム部のみに荷重を付与してダム部をこれに密着した周縁封止部から剥離することにより、封止部の裏面にクラックが形成されることを防止でき、半導体装置の歩留りを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法によって組み立てられる半導体装置の一例であるＱＦＮの構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。
【図２】図１（ａ）に示すＱＦＮのＡ−Ａ線に沿った断面の構造を示す拡大断面図である。
【図３】図１に示すＱＦＮの製造における組み立て手順の一例を示すプロセスフロー図である。
【図４】図１に示すＱＦＮの組み立てに用いられるリードフレームの構造を示す平面図である。
【図５】図４に示すリードフレームのデバイス領域の構造を示す拡大部分平面図である。
【図６】図５に示すＢ部の構造を示す拡大部分平面図である。
【図７】図５に示すＢ部のモールド後の構造を示す拡大部分平面図である。
【図８】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法のリード切断工程におけるダム部の剥離方法の一例を示す図であり、（ａ）は剥離前の部分断面図、（ｂ）は剥離中の部分断面図、（ｃ）は剥離後の部分断面図である。
【図９】（ａ),（ｂ）は図４に示すリードフレームに対する変形例のリードフレームを用いた際のリード切断工程におけるダム部の剥離方法を示す図であり、（ａ）は剥離前の拡大部分断面図、（ｂ）は剥離後の拡大部分断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法のリード切断工程のダム部の剥離方法における曲げモーメントとパンチ距離の関係の一例を示すクラック発生状況図である。
【図１１】図１０に示すクラック発生状況図におけるクラック発生なし／あり時の最大曲げモーメントデータ図である。
【図１２】本発明の半導体装置の製造方法に対する比較例のダム部切断方法を示す部分断面図である。
【図１３】図１２に示す比較例のダム部切断方法における切断距離の一例を示す部分断面図である。
【図１４】（ａ),（ｂ) は図１２に示す比較例のダム部切断方法によって形成されるクラックを示す図であり、（ａ）は切断時の引っ張り応力発生状態を示す部分断面図、（ｂ）はクラックを示す部分平面図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム
１ａ リード
１ｂ タブ（チップ搭載部）
１ｃ チップ支持面
１ｄ 被接続面
１ｅ タブ吊りリード
１ｆ ボンディング面
１ｇ スリット
１ｈ デバイス領域
１ｉ ダムバー（ダム部）
１ｊ 迫り出し面
１ｋ 切断部
１ｌ モールドライン
１ｍ 凹凸
２ 半導体チップ
２ａ パッド
２ｂ 主面
２ｃ 裏面
３ 封止部
３ａ 裏面（被実装側の面）
３ｂ 本体封止部
３ｃ 周縁封止部
３ｄ 根元部
３ｅ 凹凸
４ ワイヤ
５ ＱＦＮ（半導体装置）
６ 上型
７ ピンチカットパンチ（切断用パンチ）
８ 下型
８ａ パッケージ受け
９ 受けダイ
１０ 半田メッキ層
１１ クラック
１２ ダイボンド材
１３ ＱＦＮ
１４ 従来のダムバー端部
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、リードフレームを用いて組み立てる半導体装置の歩留り向上に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
小形化を図った半導体装置として、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) と呼ばれる半導体チップより若干大きい程度の小形半導体パッケージが開発されており、樹脂モールドによって形成された封止部の裏面の周縁部に外部端子となる複数のリードが露出して配置され、このような構造の半導体パッケージは、ペリフェラル形と呼ばれている。
【０００４】
ＱＦＮの組み立てでは、多数個取りのリードフレームを用いて、ダイボンディング、ワイヤボンディング、樹脂封止の各処理が行われ、その後、リード切断が行われて個片化される。
【０００５】
なお、リードフレームを用いて組み立てるＱＦＮの構造については、例えば、特開平１０−１８９８３０号公報や、株式会社プレスジャーナル１９９８年７月２７日発行、「月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄ増刊号'9９半導体組立・検査技術」、５３〜５７頁に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した技術のＱＦＮの組み立てでは、図１２〜図１４の比較例に示すように、樹脂封止（モールド）後のリード切断時に、封止部３の周縁封止部３ｃ（本体封止部３ｂも含む）の裏面（被実装側の面）３ａにクラック１１が形成される。
【０００７】
これは、切断用パンチであるピンチカットパンチ７から荷重が付与された際に、本体封止部３ｂの根元部３ｄを中心として切断方向に図１４に示すような曲げモーメント（Ｍ）が発生し、この曲げモーメント（Ｍ）によって封止部３の周縁封止部３ｃの裏面３ａに引っ張り応力（σ）が作用して、強度が弱い周縁封止部３ｃの裏面３ａにクラック１１が形成されるものである。
【０００８】
すなわち、図１３の比較例に示すように、リード切断時に、前記ピンチカットパンチ７によってダムバー（ダム部）１ｉと周縁封止部３ｃの端部との両者に荷重が付与されると、本体封止部３ｂと周縁封止部３ｃとの境界である根元部３ｄを中心として切断方向に図１４に示す曲げモーメント（Ｍ）が発生し、この曲げモーメント（Ｍ）によって周縁封止部３ｃの裏面３ａに引っ張り応力（σ）が作用してクラック１１に至る。
【０００９】
特に、図１４（ｂ）の比較例に示すように、ＱＦＮ１３の角部には、タブ吊りリード１ｅが配置されるとともに、このタブ吊りリード１ｅの被接続面１ｄと反対側の面である上面には樹脂モールドの際にベントホール樹脂が形成されるため、図１２に示す受けダイ９には前記ベントホール樹脂を逃げる溝が形成されており、受けダイ９は角部では十分に受けてはいない。したがって、角部でのリード切断は比較的困難である。
【００１０】
さらに、リード切断時には、タブ吊りリード１ｅと樹脂との境界の曲線部に図１４（ａ）に示すような引っ張り応力（σ）が集中し易く、その結果、クラック１１が入り易い。
【００１１】
これにより、ＱＦＮ１３の外観検査で不良となり、ＱＦＮ１３の歩留りが低下することが問題となる。
【００１２】
さらに、クラック１１のための専用の外観検査を行わなければならず、製造性が悪いことが問題となる。
【００１３】
また、ＱＦＮ１３の組み立てでは、そのリード切断によって発生したはんだめっきによるめっき屑またはレジン屑あるいはリードフレーム素材屑などの異物が製品（ＱＦＮ１３）に付着し、これによって電気的ショートや断線を引き起こすことがある。
【００１４】
したがって、ＱＦＮ１３の組み立て工程において、全数異物検査を行うことや検出された異物の除去工程が必要となることが問題である。
【００１５】
本発明の目的は、半導体装置の歩留り向上を図ることができる技術を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１８】
本発明は、（ａ）チップ搭載部と、一端部が前記チップ搭載部と対向するように前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、一端部が前記チップ搭載部と対向するように前記チップ搭載部と一体に形成された複数のタブ吊りリードと、表面、及び前記表面と反対側の裏面を有し、前記表面の端部又は前記裏面の端部の何れか一方が他方よりも前記チップ搭載部側に迫り出し、前記複数のリードのそれぞれの前記一端部と反対側の他端部及び前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記一端部と反対側の他端部とそれぞれ一体に形成されたダム部と、を備えるリードフレームを準備する工程、（ｂ）複数のパッドが形成された主面を有する半導体チップを前記チップ搭載部の表面上に搭載する工程、（ｃ）前記半導体チップの前記複数のパッドと前記リードフレームの前記複数のリードとを複数のワイヤでそれぞれ電気的に接続する工程、（ｄ）モールド金型のキャビティ内に前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを配置し、前記キャビティ内に樹脂を供給することで、前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する本体封止部、及び前記本体封止部と一体に形成され、前記リードフレームの前記ダム部と密着する周縁封止部を形成する工程、（ｅ）前記ダム部の前記表面の前記端部及び前記ダム部の前記裏面の前記端部のうち、前記チップ搭載部側に迫り出している端部を有する面と反対側の面側から、前記ダム部のみに切断用パンチを接触させ、前記ダム部に荷重を付与することにより、前記ダム部を前記周縁封止部から剥離し、前記複数のリード及び前記複数のタブ吊りリードのそれぞれを前記リードフレームから切断分離する工程、を含むものである。
【００１９】
さらに本願のその他の発明の概要を項に分けて簡単に示す。
１．チップ搭載部と、その周囲に配置された複数のリードと、前記チップ搭載部および前記複数のリードをそれぞれに備えた複数のデバイス領域を区画する切断部とを有したリードフレームを用いて組み立てる半導体装置の製造方法であり、前記切断部にモールド時の封止用樹脂の流出を阻止するとともに前記封止用樹脂と密着する端部において表裏面の何れか一方が他方より迫り出したダム部が設けられた前記リードフレームを準備する工程と、前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップを樹脂封止して本体封止部を形成するとともに、前記本体封止部と一体でこれの周縁部に前記ダム部に密着させて周縁封止部を形成する工程と、前記複数のリードを切断用パンチによって前記リードフレームから切断分離するとともに、前記リードフレームの前記デバイス領域の角部の前記切断部において、前記ダム部の端部の表裏面のうち迫り出した面が前記周縁封止部から離れる方向に前記ダム部を前記周縁封止部から剥離する工程とを有するものである。
２．チップ搭載部と、その周囲に配置された複数のリードと、前記チップ搭載部および前記複数のリードをそれぞれに備えた複数のデバイス領域を区画する切断部とを有したリードフレームを用いて組み立てる半導体装置の製造方法であり、前記切断部にモールド時の封止用樹脂の流出を阻止するとともに前記封止用樹脂と密着する端部において表裏面の何れか一方が他方より迫り出したダム部が設けられた前記リードフレームを準備する工程と、前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップを樹脂封止して本体封止部を形成するとともに、前記本体封止部と一体でこれの周縁部に前記ダム部に密着させて周縁封止部を形成する工程と、前記リードフレームの前記デバイス領域の角部の前記切断部において、切断用パンチによって前記周縁封止部の外側の前記ダム部に荷重を付与して、前記ダム部の端部の表裏面のうち迫り出した面が前記周縁封止部から離れる方向に前記ダム部を前記周縁封止部から剥離するとともに、前記複数のリードを前記リードフレームから切断分離する工程とを有するものである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２１】
図１、図２は本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法によって組み立てられるＱＦＮの構造を示す図、図３は図１に示すＱＦＮの組み立て手順を示す図、図４、図５、図６は図１に示すＱＦＮの組み立てに用いられるリードフレームの構造を示す図、図７はモールド後の構造を示す図、図８はリード切断工程におけるダム部の剥離方法の一例を示す図、図９は変形例のリードフレームを用いた際のリード切断工程におけるダム部の剥離方法を示す図、図１０、図１１は本発明の実施の形態のダム部の剥離方法における曲げモーメントとパンチ距離の関係、および最大曲げモーメント図、図１２、図１３および図１４は比較例のダム部切断方法を示す部分断面図および部分平面図である。
【００２２】
図１に示す本実施の形態の半導体装置の製造方法によって組み立てられる半導体装置は、図４に示すリードフレーム１を用い、かつこのリードフレーム１の片方の面である表面（チップ搭載側の面）側にモールドによって図１に示す封止部３が形成される片面モールドの樹脂封止形の小形半導体パッケージであり、さらに、封止部３の裏面３ａの周縁部に複数のリード１ａの被接続面１ｄを露出させて配置したペリフェラル形のものでもあり、前記半導体装置の一例として、ＱＦＮ５を取り上げて説明する。
【００２３】
したがって、ＱＦＮ５の各リード１ａは、封止部３に埋め込まれたインナリードと、封止部３の裏面３ａの周縁部に露出するアウタリードとの両者の機能を兼ねている。
【００２４】
図１、図２を用いて、ＱＦＮ５の詳細構成について説明すると、半導体チップ２が樹脂封止されて形成された封止部３と、半導体チップ２を支持するチップ支持面１ｃを備えたタブ（チップ搭載部）と、タブ１ｂを支持するとともに封止部３の裏面３ａの周縁部の４つの角部に露出して配置されたタブ吊りリード１ｅと、タブ１ｂの周囲に配置され、かつ封止部３の裏面３ａの周縁部に並んで被接続面１ｄを露出して配置された複数のリード１ａと、半導体チップ２の表面電極であるパッド２ａとこれに対応するリード１ａとを接続するボンディング用のワイヤ４とからなる。
【００２５】
なお、本実施の形態のＱＦＮ５は、図６に示すように、デバイス領域１ｈの切断部１ｋの角部において、従来のダムバー端部１４よりダムバー１ｉをモールドライン１ｌに接近させたことにより、ＱＦＮ５の組み立てのリード切断工程（図３に示すステップＳ５）において、封止用樹脂からなる封止部３とダムバー１ｉとを剥離させて分離したことによって形成された図１（ａ）に示す周縁封止部３ｃを有するものである。
【００２６】
したがって、ＱＦＮ５は、リード切断工程において、各リード１ａやタブ吊りリード１ｅの切断とともに、封止部３の周縁封止部３ｃとダムバー１ｉとを剥離させて分離したことにより、本体封止部３ｂや周縁封止部３ｃの裏面３ａすなわち封止部３の裏面３ａにクラック１１（図１４参照）が形成されることを防止するものである。
【００２７】
なお、ＱＦＮ５は、その封止部３が、半導体チップ２を樹脂封止する本体封止部３ｂと、これと一体でその周縁部に形成された周縁封止部３ｃとからなる。
【００２８】
また、図２に示すように、半導体チップ２は、タブ１ｂのチップ支持面１ｃ上にダイボンド材（例えば、銀ペーストなど）１２によって固定されている。
【００２９】
さらに、ＱＦＮ５の封止部３の裏面３ａの周縁部に並んで配置された外部端子であるリード１ａの被接続面１ｄには、厚さ１０μｍ程度の半田メッキ層１０が形成されている。
【００３０】
また、タブ１ｂ、タブ吊りリード１ｅおよび各リード１ａは、例えば、銅などの薄板材によって形成され、その厚さは、0.１５〜0.２ｍｍ程度である。
【００３１】
さらに、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリード１ａとを接続するワイヤ４は、例えば、金線などである。
【００３２】
また、封止部３は、モールド方法による樹脂封止によって形成され、その際用いられる封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などである。
【００３３】
次に、本実施の形態によるＱＦＮ５（半導体装置）の製造方法を図３に示すプロセスフロー図にしたがって説明する。
【００３４】
まず、図２に示す半導体チップ２を支持可能なチップ搭載部であるタブ１ｂと、タブ１ｂをその角部で支持するタブ吊りリード１ｅと、タブ１ｂの周囲に配置され、かつ樹脂封止された際に封止部３の裏面３ａの周縁部に露出する被接続面１ｄを備えた複数のリード１ａと、タブ１ｂおよび複数のリード１ａをそれぞれに備えた複数のデバイス領域１ｈを区画する切断部１ｋとからなり、この切断部１ｋに、モールド時の封止用樹脂の流出を阻止するダム部であるダムバー１ｉが設けられた図４に示すリードフレーム１を準備する（ステップＳ１）。
【００３５】
その際、本実施の形態のＱＦＮ５の組み立てに用いられるリードフレーム１では、図６に示すように、そのデバイス領域１ｈの切断部１ｋの４つの角部において、従来のダムバー端部１４よりダムバー１ｉをモールドライン１ｌに接近させているため、リード切断時に、図８に示すように、ピンチカットパンチ７が周縁封止部３ｃに荷重を掛けることなく、ダムバー１ｉのみに荷重を掛けることができ、その結果、周縁封止部３ｃからダムバー１ｉを剥離させることができる。
【００３６】
なお、図５および図６に示す点線部は、モールド後のモールドライン１ｌである。
【００３７】
また、図４に示すリードフレーム１は、１枚のリードフレーム１から複数個のＱＦＮ５を製造することが可能な短冊状の細長い多連のものであり、さらに、１枚のリードフレーム１上でマトリクス配列で複数のＱＦＮ５を製造可能とするものである。
【００３８】
したがって、１枚のリードフレーム１には、１個のＱＦＮ５に対応したパッケージ領域であるデバイス領域１ｈがマトリクス配列で複数個形成され、さらに、各デバイス領域１ｈを区画する切断部１ｋには、複数のスリット１ｇが設けられており、熱応力や機械的応力などの応力を緩和させている。
【００３９】
なお、リードフレーム１は、例えば、銅（Ｃｕ）などによって形成された薄板材であり、その厚さは、例えば、0.１５〜0.２ｍｍ程度であるが、前記材料や前記厚さなどは、これらに限定されるものではない。
【００４０】
その後、主面２ｂに半導体集積回路が形成された半導体チップ２を準備し、この半導体チップ２の裏面２ｃとリードフレーム１のタブ１ｂのチップ支持面１ｃとを接合するステップＳ２に示すダイボンディング（ペレットボンディングまたはチップマウントともいう）を行う。
【００４１】
すなわち、リードフレーム１のタブ１ｂのチップ支持面１ｃに半導体チップ２を搭載する。
【００４２】
その際、リードフレーム１のタブ１ｂにダイボンド材（例えば、銀ペーストなど）１２を介して主面２ｂを上方に向けて半導体チップ２を固定する。
【００４３】
続いて、図２に示すように、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリード１ａのボンディング面１ｆとをボンディング用のワイヤ４によってワイヤボンディングして接続する（ステップＳ３）。
【００４４】
その後、ステップＳ４に示すモールド（ここでは、トランスファーモールド）によって半導体チップ２を樹脂封止してリードフレーム１のチップ支持面１ｃ側に封止部３を形成する。
【００４５】
その際、半導体チップ２を樹脂封止することによって本体封止部３ｂを形成するとともに、本体封止部３ｂに一体で、かつその周縁部に周縁封止部３ｃを形成する。
【００４６】
すなわち、モールド金型のキャビティから流出した封止用樹脂の流れをダムバー１ｉによって阻止する（塞き止める）ことにより、図７に示すように、モールドライン１ｌとなる本体封止部３ｂの外側に、ダムバー１ｉに密着した周縁封止部３ｃを形成する。
【００４７】
また、本体封止部３ｂの裏面３ａの周縁部には複数のリード１ａの被接続面１ｄを露出させて配置する。
【００４８】
なお、前記キャビティとＱＦＮ５とが１対１に対応した前記モールド金型を用いてモールドを行う。
【００４９】
これによって、リードフレーム１上に複数の封止部３がマトリクス配置で形成される。
【００５０】
その後、封止部３から突出する各リード１ａおよびタブ吊りリード１ｅをリードフレーム１から切断分離するステップＳ５に示すリード切断（個片化）を行う。
【００５１】
その際、図８（ａ) 〜（ｃ）に示すように、リードフレーム１のデバイス領域１ｈの角部の切断部１ｋにおいて、切断用の上型６のピンチカットパンチ７によって周縁封止部３ｃの外側のダムバー１ｉに荷重を付与してダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥がすように剥離するとともに、複数のリード１ａをリードフレーム１から切断分離する（なお、図８は、図７のＣ−Ｃ断面における切断状態を示したものである）。
【００５２】
すなわち、図６に示すように、従来のダムバー端部１４よりダムバー１ｉがモールドライン１ｌに接近しているため、ピンチカットパンチ７によってタブ吊りリード１ｅをリードフレーム１から切断分離するのと同時に、図８（ｂ）に示すように、周縁封止部３ｃには荷重を掛けずに角部の切断部１ｋのダムバー１ｉのみに荷重を付与することができ、これによって周縁封止部３ｃからダムバー１ｉを剥離分離する。
【００５３】
なお、本実施の形態の切断では、図１３の比較例に示すような切断時に周縁封止部３ｃを下側から支持する下型８（図１２参照）の受けダイ９は用いずに切断を行う。
【００５４】
これは、ピンチカットパンチ７と受けダイ９との摩耗によるピンチカットパンチ７の切断刃の摩耗の度合いを低減するためである。
【００５５】
ただし、図８に示すように、切断時には、封止部３の天井面（裏面３ａと反対側の面）を下型８のパッケージ受け８ａによって支持している。
【００５６】
なお、周縁封止部３ｃを図１３に示すような受けダイ９によって支持して切断（剥離）を行ってもよい。
【００５７】
個片化によって、図１および図２に示すＱＦＮ５の完成となる（ステップＳ６）。
【００５８】
なお、本実施の形態のＱＦＮ５の組み立てに用いられるリードフレーム１は、エッチング加工によって形成されたものであるが、ただし、エッチング加工以外のプレス加工などによって形成されたものであってもよい。
【００５９】
次に、図９に示す変形例について説明する。
【００６０】
図９（ａ）に示す変形例は、その切断部１ｋ（図５参照）にダムバー１ｉが設けられ、このダムバー１ｉが、封止用樹脂と密着する端部において表裏面の何れか一方が他方より迫り出して形成された迫り出し面１ｊを有している。
【００６１】
これにより、図９（ｂ）に示すリード切断時には、図５に示すリードフレーム１のデバイス領域１ｈの角部の切断部１ｋにおいて、ピンチカットパンチ７によって周縁封止部３ｃの外側のダムバー１ｉに荷重を付与することにより、タブ吊りリード１ｅの切断と同時に、ダムバー１ｉの端部の迫り出し面１ｊ（迫り出した面）が周縁封止部３ｃから離れる方向にダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥離することができる。
【００６２】
特に、エッチング加工によって形成されたリードフレーム１では、その加工方法によって、図９（ａ）に示すように、ダムバー１ｉ（リード１ａなども含む）の端面に凹凸１ｍが形成されており、したがって、この凹凸１ｍに密着して形成された周縁封止部３ｃの接合面にも凹凸３ｅが形成されている。
【００６３】
そこで、ダムバー１ｉの端部の迫り出し面１ｊ（迫り出した面）が周縁封止部３ｃから離れる方向にダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥離することにより、周縁封止部３ｃの接合面の凹凸３ｅを崩さずに残留させて周縁封止部３ｃからダムバー１ｉを剥離できる。
【００６４】
なお、迫り出し面１ｊの迫り出し量（Ｘ）は、例えば、リードフレーム１の板厚が0.２ｍｍの場合、前記（Ｘ）は約0.０２５ｍｍ程度であるが、ただし、迫り出し量（Ｘ）は、これに限定されるものではない。
【００６５】
また、プレス加工によって形成されたリードフレーム１であっても、前記迫り出し面１ｊを設けることにより、周縁封止部３ｃの接合面の凹凸３ｅを崩さずに残留させて周縁封止部３ｃからダムバー１ｉを剥離できる。
【００６６】
本実施の形態のＱＦＮ５（半導体装置）の製造方法では、そのリード切断工程において、リードフレーム１のデバイス領域１ｈの角部の切断部１ｋで、ピンチカットパンチ７によってダムバー１ｉのみに荷重を付与してダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥離するとともに、複数のリード１ａをリードフレーム１から切断分離することにより、本体封止部３ｂと周縁封止部３ｃとの境界を中心として切断方向に発生する曲げモーメント（Ｍ）を低減することができる。
【００６７】
その結果、周縁封止部３ｃや本体封止部３ｂの裏面３ａに掛かる引っ張り応力を低減できる。
【００６８】
すなわち、タブ吊りリード１ｅと封止部３との境界の曲線部に集中する引っ張り応力を低減することができ、その結果、封止部３の裏面３ａにクラック１１（図１４参照）が形成されることを防止できる。
【００６９】
これにより、ＱＦＮ５の外観検査で発生する不良品の数を減らしてＱＦＮ５の歩留りを向上させることができる。
【００７０】
なお、不良率を２５％から０％に減らすことができる。
【００７１】
ここで、曲げモーメント（Ｍ）と切断用パンチであるピンチカットパンチ７の切断距離との関係について説明すると、図１４に示す曲げモーメント（Ｍ）は、周縁封止部３ｃの本体封止部３ｂからの突出量である切断距離（図８（ａ）の距離Ａ）と切断箇所の切断面積とによって求められ、図１０は、曲げモーメント（Ｍ）とピンチカットパンチ７の切断距離との関係を示したものである。
【００７２】
これにクラック１１の発生の有無を加えると、図１０のＲ領域がクラック１１なしで、Ｓ領域がクラック１１有りである。
【００７３】
さらに、図１０のデータにより、図１１に示すように、クラック１１なしの場合の最大曲げモーメント（Ｍ）は、Ｒ領域では0.９２Ｎ−ｍｍであり、一方、クラック１１有りの場合の最小曲げモーメント（Ｍ）は、Ｓ領域では1.３Ｎ−ｍｍである。
【００７４】
これにより、本体封止部３ｂの根元部３ｄ（図８（ａ）参照）付近に約1.２Ｎ−ｍｍ以上の曲げモーメント（Ｍ）が掛かるとクラック１１が発生する。
【００７５】
そこで、安全係数を２とすると、前記曲げモーメント（Ｍ）が0.５Ｎ−ｍｍ以下であれば、本体封止部３ｂや周縁封止部３ｃの裏面３ａにクラックが形成されることを確実に防止できる。
【００７６】
なお、本実施の形態のダムバー１ｉの周縁封止部３ｃからの剥離方法の場合を計算して算出したデータが、図１０の実線Ｑに示すものであり、切断距離（パンチ距離）に関わらず、曲げモーメント（Ｍ）が0.５Ｎ−ｍｍ以下になるという結果が得られた。
【００７７】
したがって、リード１ａの切断時に、ピンチカットパンチ７によってダムバー１ｉのみに荷重を付与してダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥離することにより、周縁封止部３ｃや本体封止部３ｂの裏面３ａにクラック１１が形成されることを確実に防げる。
【００７８】
また、リード切断の際に、ピンチカットパンチ７によって周縁封止部３ｃには荷重をかけずに、ダムバー１ｉのみに荷重を付与し、かつ受け側のダイである図１３に示す受けダイ９を使用せずにダムバー１ｉを周縁封止部３ｃから剥離することにより、ピンチカットパンチ７の切断刃の摩耗の度合いを低減できる。
【００７９】
これにより、切断金型の寿命を延ばすことができ、切断金型のコスト（ランニングコスト）を低減できる。
【００８０】
また、周縁封止部３ｃや本体封止部３ｂにクラック１１が形成されることを防止できるため、ＱＦＮ５の外観品質を向上できるとともに、顕微鏡を用いたクラック１１のための専用の全数外観検査を廃止することができる。
【００８１】
その結果、ＱＦＮ５の製造コストを低減でき、製造性の向上を図ることができる。
【００８２】
なお、周縁封止部３ｃを切断するのではなく、周縁封止部３ｃとダムバー１ｉとを剥離することにより、リード切断時の封止用樹脂の屑であるレジン屑の発生量を減らすことができる。
【００８３】
また、リードフレーム１のデバイス領域１ｈの角部の切断部１ｋにおいて、ピンチカットパンチ７によってダムバー１ｉに荷重を付与して、ダムバー１ｉの端部の表裏面のうち迫り出し面１ｊ（迫り出した面）が周縁封止部３ｃから離れる方向にダムバー１ｉを剥離することにより、切断時のダムバー１ｉと周縁封止部３ｃとの摩擦を低減して両者を容易に剥離できる。
【００８４】
これにより、封止部３に入るクラック１１を低減できる。
【００８５】
さらに、めっき屑またはレジン屑あるいはリードフレーム素材屑などの異物の製品（ＱＦＮ５）への付着を低減でき、異物付着による不良数を低減してＱＦＮ５の歩留りを向上できる。
【００８６】
ここでは、不良率を２０％から０％に減らすことができる。
【００８７】
その結果、ＱＦＮ５の組み立てにおける全数異物検査を廃止できるとともに、異物の除去工程を削減できる。
【００８８】
さらに、切断金型破損のポテンシャルを低減できる。
【００８９】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９０】
例えば、前記実施の形態では、ダムバー１ｉのモールドライン１ｌへの接近や迫り出し面１ｊの設置をデバイス領域１ｈの角部で行う場合について説明したが、両者ともデバイス領域１ｈの少なくとも角部で行っていればよく、角部だけでなく全周に亘って行ってもよい。
【００９１】
また、前記実施の形態では、リードフレーム１を用いて製造される半導体装置がＱＦＮ５の場合について説明したが、前記半導体装置は、樹脂モールド後にリード切断が行われて組み立てられるものであれば、ＱＦＮ５以外の他の半導体装置であってもよい。
【００９２】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００９３】
リード切断工程において切断用パンチによってリードを切断する際に、リードの切断とともに、リードフレームのデバイス領域の角部の切断部において、切断用パンチによりダム部のみに荷重を付与してダム部をこれに密着した周縁封止部から剥離することにより、封止部の裏面にクラックが形成されることを防止でき、半導体装置の歩留りを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法によって組み立てられる半導体装置の一例であるＱＦＮの構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は底面図である。
【図２】図１（ａ）に示すＱＦＮのＡ−Ａ線に沿った断面の構造を示す拡大断面図である。
【図３】図１に示すＱＦＮの製造における組み立て手順の一例を示すプロセスフロー図である。
【図４】図１に示すＱＦＮの組み立てに用いられるリードフレームの構造を示す平面図である。
【図５】図４に示すリードフレームのデバイス領域の構造を示す拡大部分平面図である。
【図６】図５に示すＢ部の構造を示す拡大部分平面図である。
【図７】図５に示すＢ部のモールド後の構造を示す拡大部分平面図である。
【図８】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法のリード切断工程におけるダム部の剥離方法の一例を示す図であり、（ａ）は剥離前の部分断面図、（ｂ）は剥離中の部分断面図、（ｃ）は剥離後の部分断面図である。
【図９】（ａ),（ｂ）は図４に示すリードフレームに対する変形例のリードフレームを用いた際のリード切断工程におけるダム部の剥離方法を示す図であり、（ａ）は剥離前の拡大部分断面図、（ｂ）は剥離後の拡大部分断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法のリード切断工程のダム部の剥離方法における曲げモーメントとパンチ距離の関係の一例を示すクラック発生状況図である。
【図１１】図１０に示すクラック発生状況図におけるクラック発生なし／あり時の最大曲げモーメントデータ図である。
【図１２】本発明の半導体装置の製造方法に対する比較例のダム部切断方法を示す部分断面図である。
【図１３】図１２に示す比較例のダム部切断方法における切断距離の一例を示す部分断面図である。
【図１４】（ａ),（ｂ) は図１２に示す比較例のダム部切断方法によって形成されるクラックを示す図であり、（ａ）は切断時の引っ張り応力発生状態を示す部分断面図、（ｂ）はクラックを示す部分平面図である。
【符号の説明】
１ リードフレーム
１ａ リード
１ｂ タブ（チップ搭載部）
１ｃ チップ支持面
１ｄ 被接続面
１ｅ タブ吊りリード
１ｆ ボンディング面
１ｇ スリット
１ｈ デバイス領域
１ｉ ダムバー（ダム部）
１ｊ 迫り出し面
１ｋ 切断部
１ｌ モールドライン
１ｍ 凹凸
２ 半導体チップ
２ａ パッド
２ｂ 主面
２ｃ 裏面
３ 封止部
３ａ 裏面（被実装側の面）
３ｂ 本体封止部
３ｃ 周縁封止部
３ｄ 根元部
３ｅ 凹凸
４ ワイヤ
５ ＱＦＮ（半導体装置）
６ 上型
７ ピンチカットパンチ（切断用パンチ）
８ 下型
８ａ パッケージ受け
９ 受けダイ
１０ 半田メッキ層
１１ クラック
１２ ダイボンド材
１３ ＱＦＮ
１４ 従来のダムバー端部
Claims (4)
- （ａ）チップ搭載部と、一端部が前記チップ搭載部と対向するように前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、一端部が前記チップ搭載部と対向するように前記チップ搭載部と一体に形成された複数のタブ吊りリードと、表面、及び前記表面と反対側の裏面を有し、前記表面の端部又は前記裏面の端部の何れか一方が他方よりも前記チップ搭載部側に迫り出し、前記複数のリードのそれぞれの前記一端部と反対側の他端部及び前記複数のタブ吊りリードのそれぞれの前記一端部と反対側の他端部とそれぞれ一体に形成されたダム部と、を備えるリードフレームを準備する工程、
（ｂ）複数のパッドが形成された主面を有する半導体チップを前記チップ搭載部の表面上に搭載する工程、
（ｃ）前記半導体チップの前記複数のパッドと前記リードフレームの前記複数のリードとを複数のワイヤでそれぞれ電気的に接続する工程、
（ｄ）モールド金型のキャビティ内に前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを配置し、前記キャビティ内に樹脂を供給することで、前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する本体封止部、及び前記本体封止部と一体に形成され、前記リードフレームの前記ダム部と密着する周縁封止部を形成する工程、
（ｅ）前記ダム部の前記表面の前記端部及び前記ダム部の前記裏面の前記端部のうち、前記チップ搭載部側に迫り出している端部を有する面と反対側の面側から、前記ダム部のみに切断用パンチを接触させ、前記ダム部に荷重を付与することにより、前記ダム部を前記周縁封止部から剥離し、前記複数のリード及び前記複数のタブ吊りリードのそれぞれを前記リードフレームから切断分離する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記（ｄ）工程では、前記ダム部の前記表面の前記端部と前記ダム部の前記裏面の前記端部との間の端面に前記樹脂を密着させて前記周縁封止部を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ダム部の前記端面には、凹凸が形成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
- 前記凹凸は、エッチング加工によって形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
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