JP2003037219A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイパッド露出型の樹脂封止型半導体装置に
おいて、ダイパッド部の支持部をアップセット構造とし
た場合、パッケージ厚の薄厚化に限界があった。 【解決手段】 ダイパッド部１上に接着剤により搭載さ
れた半導体素子３と、先端部がダイパッド部１に対向し
て配列された複数のインナーリード部４と、半導体素子
３とインナーリード部４とを接続した金属細線５と、外
囲を封止した封止樹脂６とよりなり、インナーリード部
４の先端部は上面厚を削除した薄厚部７を有しているの
で、ダイパッド部１にアップセット構造を形成しなくて
も、搭載した半導体素子３の周縁部をインナーリード部
４の先端部上面に近接させることができ、インナーリー
ド部４と半導体素子３との接触を避けつつ、大型の半導
体素子を搭載して、薄厚でＣＳＰ化を実現できるもので
ある。
おいて、ダイパッド部の支持部をアップセット構造とし
た場合、パッケージ厚の薄厚化に限界があった。 【解決手段】 ダイパッド部１上に接着剤により搭載さ
れた半導体素子３と、先端部がダイパッド部１に対向し
て配列された複数のインナーリード部４と、半導体素子
３とインナーリード部４とを接続した金属細線５と、外
囲を封止した封止樹脂６とよりなり、インナーリード部
４の先端部は上面厚を削除した薄厚部７を有しているの
で、ダイパッド部１にアップセット構造を形成しなくて
も、搭載した半導体素子３の周縁部をインナーリード部
４の先端部上面に近接させることができ、インナーリー
ド部４と半導体素子３との接触を避けつつ、大型の半導
体素子を搭載して、薄厚でＣＳＰ化を実現できるもので
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置において、半導体素子を搭
載したダイパッド部が封止樹脂の外部に露出したタイプ
の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関し、特
にパッケージ占有率が大きい半導体素子を搭載すること
ができ、しかも薄厚化を実現し、信頼性の高い樹脂封止
型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
用いた樹脂封止型半導体装置において、半導体素子を搭
載したダイパッド部が封止樹脂の外部に露出したタイプ
の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関し、特
にパッケージ占有率が大きい半導体素子を搭載すること
ができ、しかも薄厚化を実現し、信頼性の高い樹脂封止
型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。
【０００３】以下、従来のダイパッド部露出型の樹脂封
止型半導体装置について説明する。図８は従来の樹脂封
止型半導体装置を示す図であり、図８（ａ）は平面図、
図８（ｂ）は底面図、図８（ｃ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ
１箇所の断面図である。
止型半導体装置について説明する。図８は従来の樹脂封
止型半導体装置を示す図であり、図８（ａ）は平面図、
図８（ｂ）は底面図、図８（ｃ）は図８（ｂ）のＡ−Ａ
１箇所の断面図である。
【０００４】図８に示すように従来の樹脂封止型半導体
装置は、リードフレームのダイパッド部１０１面上の支
持部１０１ａ上に半導体素子１０２が搭載され、その半
導体素子１０２とインナーリード部１０３とが金属細線
１０４により電気的に接続されている構造である。そし
てダイパッド部１０１上の半導体素子１０２、インナー
リード部１０３の外囲は封止樹脂１０５により封止され
ており、封止樹脂１０５の側面とインナーリード部１０
３の外方側面部（末端部）とは同一面に配置されている
ものであり、ダイパッド部１０１の底面が封止樹脂１０
５から露出しているダイパッド部露出型の樹脂封止型半
導体装置である。またダイパッド部１０１はその面内に
上方に突出した支持部１０１ａを有しているが、支持部
１０１ａはダイパッド部１０１を板材部分を半切断状態
で上方にプレス加工を施して突出されたものであり、搭
載する半導体素子の底面をインナーリード部１０３の上
面面よりも上方に配置するためのアップセット構造であ
る。また半導体素子１０２と接続した金属細線１０４は
インナーリード部１０３の溝部１０３ａの近傍に接続さ
れているものである。なお図８（ｂ）の底面図におい
て、パッケージを構成している封止樹脂１０５の各角部
に露出した部位は、ダイパッド部１０１を支持している
吊りリード部１０６の末端部が露出しているものであ
る。
装置は、リードフレームのダイパッド部１０１面上の支
持部１０１ａ上に半導体素子１０２が搭載され、その半
導体素子１０２とインナーリード部１０３とが金属細線
１０４により電気的に接続されている構造である。そし
てダイパッド部１０１上の半導体素子１０２、インナー
リード部１０３の外囲は封止樹脂１０５により封止され
ており、封止樹脂１０５の側面とインナーリード部１０
３の外方側面部（末端部）とは同一面に配置されている
ものであり、ダイパッド部１０１の底面が封止樹脂１０
５から露出しているダイパッド部露出型の樹脂封止型半
導体装置である。またダイパッド部１０１はその面内に
上方に突出した支持部１０１ａを有しているが、支持部
１０１ａはダイパッド部１０１を板材部分を半切断状態
で上方にプレス加工を施して突出されたものであり、搭
載する半導体素子の底面をインナーリード部１０３の上
面面よりも上方に配置するためのアップセット構造であ
る。また半導体素子１０２と接続した金属細線１０４は
インナーリード部１０３の溝部１０３ａの近傍に接続さ
れているものである。なお図８（ｂ）の底面図におい
て、パッケージを構成している封止樹脂１０５の各角部
に露出した部位は、ダイパッド部１０１を支持している
吊りリード部１０６の末端部が露出しているものであ
る。
【０００５】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について説明する。
法について説明する。
【０００６】図９は従来の樹脂封止型半導体装置の製造
方法で用いるリードフレームを示す図であり、図９
（ａ）は平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ１箇
所の断面図である。また図１０は図９に示したリードフ
レームを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
を示す工程ごとの断面図である。
方法で用いるリードフレームを示す図であり、図９
（ａ）は平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ１箇
所の断面図である。また図１０は図９に示したリードフ
レームを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
を示す工程ごとの断面図である。
【０００７】まず従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法で用いるリードフレームについて説明する。
法で用いるリードフレームについて説明する。
【０００８】図９に示すように、従来のリードフレーム
は、金属板よりなる板材のフレーム枠内に設けられた半
導体素子搭載用の支持部１０１ａをその面内に有したダ
イパッド部１０１と、ダイパッド部１０１をその先端部
で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊りリード部
１０６と、先端部がダイパッド部１０１の各辺に対向し
て配列され、末端部がフレーム枠に接続した複数のイン
ナーリード部１０３とよりなるリードフレームである。
そして各インナーリードの上面には複数の溝部１０３ａ
が形成されているものであり、先端部はテーパー構造を
有している。また従来のリードレフームの板厚は概ね２
００〜３００［μｍ］である。なお、リードフレームと
しては、図９に示すような構成が複数個、左右、上下に
連続して１フレーム枠内に形成されたものである。
は、金属板よりなる板材のフレーム枠内に設けられた半
導体素子搭載用の支持部１０１ａをその面内に有したダ
イパッド部１０１と、ダイパッド部１０１をその先端部
で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊りリード部
１０６と、先端部がダイパッド部１０１の各辺に対向し
て配列され、末端部がフレーム枠に接続した複数のイン
ナーリード部１０３とよりなるリードフレームである。
そして各インナーリードの上面には複数の溝部１０３ａ
が形成されているものであり、先端部はテーパー構造を
有している。また従来のリードレフームの板厚は概ね２
００〜３００［μｍ］である。なお、リードフレームと
しては、図９に示すような構成が複数個、左右、上下に
連続して１フレーム枠内に形成されたものである。
【０００９】次にリードフレームを用いた従来の樹脂封
止型半導体装置の製造方法について説明する。
止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００１０】まず図１０（ａ）に示すように、前述の図
９に示したような金属板のフレーム枠内に半導体素子が
載置される支持部１０１ａをその上面に有した矩形状の
ダイパッド部１０１と、ダイパッド部１０１を支持する
吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置
した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接
続するビーム状のインナーリード部１０３とを有したリ
ードフレームを用意する。
９に示したような金属板のフレーム枠内に半導体素子が
載置される支持部１０１ａをその上面に有した矩形状の
ダイパッド部１０１と、ダイパッド部１０１を支持する
吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置
した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接
続するビーム状のインナーリード部１０３とを有したリ
ードフレームを用意する。
【００１１】次に図１０（ｂ）に示すように、リードフ
レームのダイパッド部１０１の支持部１０１ａ上に半導
体素子１０２を銀ペースト等の接着剤により接合する
（ダイボンド工程）。
レームのダイパッド部１０１の支持部１０１ａ上に半導
体素子１０２を銀ペースト等の接着剤により接合する
（ダイボンド工程）。
【００１２】次に図１０（ｃ）に示すように、ダイパッ
ド部１０１上に搭載した半導体素子１０２の表面の電極
パッド（図示せず）と、リードフレームのインナーリー
ド部１０３の先端部上面とを金属細線１０４により接続
する（ワイヤーボンド工程）。ここではインナーリード
部１０３の上面に設けた溝部１０３ａと溝部１０３ａと
の間に金属細線１０４を接続する。
ド部１０１上に搭載した半導体素子１０２の表面の電極
パッド（図示せず）と、リードフレームのインナーリー
ド部１０３の先端部上面とを金属細線１０４により接続
する（ワイヤーボンド工程）。ここではインナーリード
部１０３の上面に設けた溝部１０３ａと溝部１０３ａと
の間に金属細線１０４を接続する。
【００１３】その後、図１０（ｄ）に示すように、封止
シートをリードフレームの底面側に密着させた状態でダ
イパッド部１０１、半導体素子１０２、インナーリード
部１０３の外囲を封止樹脂１０５により封止する。この
工程ではリードフレームの各半導体素子単位で個別封止
するものであり、リードフレーム上面を全面封止するも
のではない。またこの工程ではリードフレームの底面に
封止シートを密着させて封止しているので、ダイパッド
部１０１の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子
１０２、インナーリード部１０３の底面を除く領域、お
よび金属細線１０４の接続領域を封止するものであり、
封止後は封止樹脂１０５の底面からダイパッド部１０１
の底面が露出した構成となる。そして樹脂封止後はフレ
ーム枠と接続した吊りリード部、インナーリード部１０
３の末端部分を切断し、吊りリード部、インナーリード
部１０３の各末端部（外方側面）が封止樹脂１０５の側
面と略同一面に配列した樹脂封止型半導体装置を得るも
のである。
シートをリードフレームの底面側に密着させた状態でダ
イパッド部１０１、半導体素子１０２、インナーリード
部１０３の外囲を封止樹脂１０５により封止する。この
工程ではリードフレームの各半導体素子単位で個別封止
するものであり、リードフレーム上面を全面封止するも
のではない。またこの工程ではリードフレームの底面に
封止シートを密着させて封止しているので、ダイパッド
部１０１の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子
１０２、インナーリード部１０３の底面を除く領域、お
よび金属細線１０４の接続領域を封止するものであり、
封止後は封止樹脂１０５の底面からダイパッド部１０１
の底面が露出した構成となる。そして樹脂封止後はフレ
ーム枠と接続した吊りリード部、インナーリード部１０
３の末端部分を切断し、吊りリード部、インナーリード
部１０３の各末端部（外方側面）が封止樹脂１０５の側
面と略同一面に配列した樹脂封止型半導体装置を得るも
のである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹
脂封止型半導体装置では、ダイパッド部は半切断プレス
で上方に配置した支持部を備えた構造であるため、半導
体素子をダイパッド部の支持部に搭載した際、支持部の
アップセット量の厚み分だけ樹脂封止型半導体装置とし
て全体厚が大きくなってしまい、要望される薄厚化に限
界があるという問題があった。特に大きな半導体素子を
搭載した際には、厚みによる影響が顕著にあらわれ、大
型の半導体素子を搭載して薄厚化を実現するには構造
上、無理があった。
脂封止型半導体装置では、ダイパッド部は半切断プレス
で上方に配置した支持部を備えた構造であるため、半導
体素子をダイパッド部の支持部に搭載した際、支持部の
アップセット量の厚み分だけ樹脂封止型半導体装置とし
て全体厚が大きくなってしまい、要望される薄厚化に限
界があるという問題があった。特に大きな半導体素子を
搭載した際には、厚みによる影響が顕著にあらわれ、大
型の半導体素子を搭載して薄厚化を実現するには構造
上、無理があった。
【００１５】さらにインナーリード部は実質的に片面封
止構造であり、外方からの衝撃や、封止樹脂内部での応
力により、インナーリード部上に接続した金属細線部分
にストレスが印加され、近接の破断、接続強度などの信
頼性が懸念されていた。従来の樹脂封止型半導体装置の
リード構造では、インナーリード部の上面に複数の溝部
を設け、溝部間に金属細線を接続することで印加ストレ
スを吸収、緩和していたが、複数の溝部をインナーリー
ド部に設け、さらに金属細線を接続するボンディングエ
リアを確保することは、小型パッケージを構成するリー
ド部の面積的には限界であり、片面封止構造の樹脂封止
型半導体装置において、リード部の小型化とともに、金
属細線の接続信頼性を向上させる必要が高まっている。
止構造であり、外方からの衝撃や、封止樹脂内部での応
力により、インナーリード部上に接続した金属細線部分
にストレスが印加され、近接の破断、接続強度などの信
頼性が懸念されていた。従来の樹脂封止型半導体装置の
リード構造では、インナーリード部の上面に複数の溝部
を設け、溝部間に金属細線を接続することで印加ストレ
スを吸収、緩和していたが、複数の溝部をインナーリー
ド部に設け、さらに金属細線を接続するボンディングエ
リアを確保することは、小型パッケージを構成するリー
ド部の面積的には限界であり、片面封止構造の樹脂封止
型半導体装置において、リード部の小型化とともに、金
属細線の接続信頼性を向上させる必要が高まっている。
【００１６】また従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、特に樹脂封止の工程では、リードフレーム
領域内で各半導体素子単位で個別封止するものであり、
リードフレーム上面を全面封止するものではないため、
封止後のリードフレームから樹脂封止型半導体装置を分
離するには、各リードフレームごとに金型による切断を
行う必要があり、製造効率の向上には限界があった。
法において、特に樹脂封止の工程では、リードフレーム
領域内で各半導体素子単位で個別封止するものであり、
リードフレーム上面を全面封止するものではないため、
封止後のリードフレームから樹脂封止型半導体装置を分
離するには、各リードフレームごとに金型による切断を
行う必要があり、製造効率の向上には限界があった。
【００１７】本発明は前記した従来の課題を解決するも
のであり、樹脂封止型半導体装置自体の厚さの増加を抑
えつつ、より大きな半導体素子を搭載してパッケージ占
有率を向上させ、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃ
ｋａｇｅ）化を実現できる樹脂封止型半導体装置および
その製造方法を提供することを目的とする。
のであり、樹脂封止型半導体装置自体の厚さの増加を抑
えつつ、より大きな半導体素子を搭載してパッケージ占
有率を向上させ、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃ
ｋａｇｅ）化を実現できる樹脂封止型半導体装置および
その製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素
子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持し
た複数の吊りリード部と、前記ダイパッド部上に搭載さ
れた半導体素子と、先端部が前記ダイパッド部に対向し
て配列された複数のリード部と、前記半導体素子の電極
と前記リード部の上面とを接続した金属細線と、前記ダ
イパッド部の底面を除く領域、吊りリード部、前記半導
体素子、前記リード部の底面と外方側面部を除く領域、
および金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とよりな
り、前記リード部の外方側面部は前記封止樹脂の側面と
略同一面に配列された樹脂封止型半導体装置であって、
前記リード部の前記ダイパッド部に対向した先端部は、
その上面の厚みが削除された薄厚部を有している樹脂封
止型半導体装置である。
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素
子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部を支持し
た複数の吊りリード部と、前記ダイパッド部上に搭載さ
れた半導体素子と、先端部が前記ダイパッド部に対向し
て配列された複数のリード部と、前記半導体素子の電極
と前記リード部の上面とを接続した金属細線と、前記ダ
イパッド部の底面を除く領域、吊りリード部、前記半導
体素子、前記リード部の底面と外方側面部を除く領域、
および金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とよりな
り、前記リード部の外方側面部は前記封止樹脂の側面と
略同一面に配列された樹脂封止型半導体装置であって、
前記リード部の前記ダイパッド部に対向した先端部は、
その上面の厚みが削除された薄厚部を有している樹脂封
止型半導体装置である。
【００１９】そして具体的には、リード部のダイパッド
部に対向した先端部は、その上面の厚みが前記リード部
厚の概ね半分の厚みで削除された薄厚部を有している樹
脂封止型半導体装置である。
部に対向した先端部は、その上面の厚みが前記リード部
厚の概ね半分の厚みで削除された薄厚部を有している樹
脂封止型半導体装置である。
【００２０】また、リード部のダイパッド部に対向した
先端部は、その上面の厚みが前記リード部厚の概ね半分
の厚みで削除され、緩やかな傾斜をなした薄厚部を有し
ている樹脂封止型半導体装置である。
先端部は、その上面の厚みが前記リード部厚の概ね半分
の厚みで削除され、緩やかな傾斜をなした薄厚部を有し
ている樹脂封止型半導体装置である。
【００２１】また、ダイパッド部上に搭載された半導体
素子の周縁部は、リード部の先端部上面の薄厚部に近接
している樹脂封止型半導体装置である。
素子の周縁部は、リード部の先端部上面の薄厚部に近接
している樹脂封止型半導体装置である。
【００２２】また、リード部の上面には溝部が設けられ
ている樹脂封止型半導体装置である。
ている樹脂封止型半導体装置である。
【００２３】また、半導体素子の電極とリード部の上面
とを接続した金属細線のうち、前記リード部に接続され
た部分は、前記リード部の上面の溝部の近傍に接続され
ている樹脂封止型半導体装置である。
とを接続した金属細線のうち、前記リード部に接続され
た部分は、前記リード部の上面の溝部の近傍に接続され
ている樹脂封止型半導体装置である。
【００２４】また、ダイパッド部の底面には溝部が設け
られている樹脂封止型半導体装置である。
られている樹脂封止型半導体装置である。
【００２５】また、半導体素子の電極とリード部の上面
とを接続した金属細線のうち、前記リード部に接続され
た部分は、前記リード部の薄厚部から離れて接続されて
いる樹脂封止型半導体装置である。
とを接続した金属細線のうち、前記リード部に接続され
た部分は、前記リード部の薄厚部から離れて接続されて
いる樹脂封止型半導体装置である。
【００２６】また、ダイパッド部の上面とリード部の薄
厚部以外の上面とは同一面に配置されている樹脂封止型
半導体装置である。
厚部以外の上面とは同一面に配置されている樹脂封止型
半導体装置である。
【００２７】また、外形は直方体である樹脂封止型半導
体装置である。
体装置である。
【００２８】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、板材よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子
搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部をその先端
部で支持し、末端部が前記フレーム枠に接続した吊りリ
ード部と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列さ
れ、末端部が前記フレーム枠に接続した複数のリード部
とよりなるリードフレームであって、前記リード部の前
記ダイパッド部に対向した先端部上面の厚みが薄くなっ
た薄厚部を有したリードフレームを用意する工程と、用
意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素
子をその主面を上にして搭載する工程と、前記ダイパッ
ド部上に搭載した前記半導体素子の電極と、前記リード
フレームの前記リード部の上面の薄厚部以外の面とを金
属細線により接続する工程と、前記リードフレームの上
面側を封止樹脂により樹脂封止し、前記ダイパッド部の
底面を除く領域、吊りリード部、前記半導体素子、前記
リード部の底面を除く領域、および金属細線の接続領域
を封止する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造
方法である。
は、板材よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子
搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部をその先端
部で支持し、末端部が前記フレーム枠に接続した吊りリ
ード部と、先端部が前記ダイパッド部に対向して配列さ
れ、末端部が前記フレーム枠に接続した複数のリード部
とよりなるリードフレームであって、前記リード部の前
記ダイパッド部に対向した先端部上面の厚みが薄くなっ
た薄厚部を有したリードフレームを用意する工程と、用
意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体素
子をその主面を上にして搭載する工程と、前記ダイパッ
ド部上に搭載した前記半導体素子の電極と、前記リード
フレームの前記リード部の上面の薄厚部以外の面とを金
属細線により接続する工程と、前記リードフレームの上
面側を封止樹脂により樹脂封止し、前記ダイパッド部の
底面を除く領域、吊りリード部、前記半導体素子、前記
リード部の底面を除く領域、および金属細線の接続領域
を封止する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造
方法である。
【００２９】具体的には、樹脂封止の工程の後、吊りリ
ード部、リード部の末端部分を切断し、前記吊りリード
部、前記リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一
面に配列する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
ード部、リード部の末端部分を切断し、前記吊りリード
部、前記リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一
面に配列する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３０】また、用意したリードフレームのダイパッ
ド部上に半導体素子をその主面を上にして搭載する工程
では、前記リードフレームのリード部の先端部上面の薄
厚部にその周縁部が近接するような大きさの半導体素子
を搭載する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
ド部上に半導体素子をその主面を上にして搭載する工程
では、前記リードフレームのリード部の先端部上面の薄
厚部にその周縁部が近接するような大きさの半導体素子
を搭載する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３１】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、板材よりなるフレーム枠内に設けられた複数の
リードユニットで構成されたリードフレームであって、
半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部
をその先端部で支持し、末端部が前記フレーム枠に接続
した吊りリード部と、先端部が前記ダイパッド部に対向
して配列され、末端部が前記フレーム枠に接続した複数
のリード部であって、前記リード部の前記ダイパッド部
に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部を有し
たリード部とよりなるリードユニットを１ユニットとし
て、前記ユニットを複数ユニット有し、各リードユニッ
ト間のフレーム枠の板材厚は薄厚となっているリードフ
レームを用意する工程と、用意したリードフレームの各
リードユニットの各ダイパッド部上に半導体素子をその
主面を上にして搭載する工程と、前記ダイパッド部上に
搭載した前記半導体素子の電極と、前記リードフレーム
の各リードユニットのリード部の上面の薄厚部以外の面
とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレー
ムの各ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止
し、前記ダイパッド部の底面を除く領域、吊りリード
部、前記半導体素子、前記リード部の底面を除く領域、
および金属細線の接続領域を封止する工程と、前記リー
ドフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間を切
断することにより、吊りリード部、リード部の末端部分
が切断され、前記吊りリード部、前記リード部の各末端
部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形が直方体
の樹脂封止型半導体装置の個片を得る工程とよりなる樹
脂封止型半導体装置の製造方法である。
方法は、板材よりなるフレーム枠内に設けられた複数の
リードユニットで構成されたリードフレームであって、
半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド部
をその先端部で支持し、末端部が前記フレーム枠に接続
した吊りリード部と、先端部が前記ダイパッド部に対向
して配列され、末端部が前記フレーム枠に接続した複数
のリード部であって、前記リード部の前記ダイパッド部
に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部を有し
たリード部とよりなるリードユニットを１ユニットとし
て、前記ユニットを複数ユニット有し、各リードユニッ
ト間のフレーム枠の板材厚は薄厚となっているリードフ
レームを用意する工程と、用意したリードフレームの各
リードユニットの各ダイパッド部上に半導体素子をその
主面を上にして搭載する工程と、前記ダイパッド部上に
搭載した前記半導体素子の電極と、前記リードフレーム
の各リードユニットのリード部の上面の薄厚部以外の面
とを金属細線により接続する工程と、前記リードフレー
ムの各ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止
し、前記ダイパッド部の底面を除く領域、吊りリード
部、前記半導体素子、前記リード部の底面を除く領域、
および金属細線の接続領域を封止する工程と、前記リー
ドフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間を切
断することにより、吊りリード部、リード部の末端部分
が切断され、前記吊りリード部、前記リード部の各末端
部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形が直方体
の樹脂封止型半導体装置の個片を得る工程とよりなる樹
脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３２】具体的には、用意したリードフレームの各
リードユニットの各ダイパッド部上に半導体素子をその
主面を上にして搭載する工程では、前記リードフレーム
のリード部の先端部上面の薄厚部にその周縁部が近接す
るような大きさの半導体素子を搭載する樹脂封止型半導
体装置の製造方法である。
リードユニットの各ダイパッド部上に半導体素子をその
主面を上にして搭載する工程では、前記リードフレーム
のリード部の先端部上面の薄厚部にその周縁部が近接す
るような大きさの半導体素子を搭載する樹脂封止型半導
体装置の製造方法である。
【００３３】前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導
体装置は、リード部のダイパッド部に対向した先端部
は、その上面の厚みが薄くなった薄厚部を有しているの
で、ダイパッド部上面とリード部の上面とを同一面とし
ても、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部を
そのリード部の先端部上面の薄厚部に近接させることが
でき、リード部と半導体素子との接触を避けつつ、大型
の半導体素子を搭載して、ＣＳＰ化を実現できるもので
ある。そしてリード部の先端部が薄厚部を有しているの
で、ダイパッド部に上方にあげた支持部を設けてアップ
セットする必要はなく、樹脂封止型半導体装置としてチ
ップ占有率を高めて薄厚化を実現できるものである。本
発明の樹脂封止型半導体装置ではパッケージ（封止樹
脂）に対するチップ占有率を７０［％］以上に高めてＣ
ＳＰ化を実現できるものである。
体装置は、リード部のダイパッド部に対向した先端部
は、その上面の厚みが薄くなった薄厚部を有しているの
で、ダイパッド部上面とリード部の上面とを同一面とし
ても、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部を
そのリード部の先端部上面の薄厚部に近接させることが
でき、リード部と半導体素子との接触を避けつつ、大型
の半導体素子を搭載して、ＣＳＰ化を実現できるもので
ある。そしてリード部の先端部が薄厚部を有しているの
で、ダイパッド部に上方にあげた支持部を設けてアップ
セットする必要はなく、樹脂封止型半導体装置としてチ
ップ占有率を高めて薄厚化を実現できるものである。本
発明の樹脂封止型半導体装置ではパッケージ（封止樹
脂）に対するチップ占有率を７０［％］以上に高めてＣ
ＳＰ化を実現できるものである。
【００３４】また、リード部のダイパッド部に対向した
先端部は、緩やかな傾斜をなしてリード厚の概ね半分の
厚みで薄くなった薄厚部を有しているので、リード部に
印加される外部または封止樹脂内からの応力による金属
細線の接続部分に対する影響を低減し、接続の信頼性を
高めることができる。
先端部は、緩やかな傾斜をなしてリード厚の概ね半分の
厚みで薄くなった薄厚部を有しているので、リード部に
印加される外部または封止樹脂内からの応力による金属
細線の接続部分に対する影響を低減し、接続の信頼性を
高めることができる。
【００３５】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法では、リード部のダイパッド部に対向した先端部上
面の厚みが薄くなった薄厚部を有したリードフレームを
用いるため、リード部の先端部上面の薄厚部にその周縁
部が近接するような大きさの半導体素子を搭載すること
ができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高
めてＣＳＰ化を図り、薄厚化を実現できる製造方法であ
る。
方法では、リード部のダイパッド部に対向した先端部上
面の厚みが薄くなった薄厚部を有したリードフレームを
用いるため、リード部の先端部上面の薄厚部にその周縁
部が近接するような大きさの半導体素子を搭載すること
ができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高
めてＣＳＰ化を図り、薄厚化を実現できる製造方法であ
る。
【００３６】また、リードフレームとして、１枚の板材
のフレーム枠内に複数のリードユニットを有し、各リー
ドユニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚となっている
リードフレームを用いているので、リードフレームの各
ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止でき、
リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間
を切断することにより、吊りリード部、リード部の末端
部分が切断され、吊りリード部、リード部の各末端部を
封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形が直方体の樹
脂封止型半導体装置を得ることができ、製造効率を高め
ることができる。
のフレーム枠内に複数のリードユニットを有し、各リー
ドユニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚となっている
リードフレームを用いているので、リードフレームの各
ユニット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止でき、
リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間
を切断することにより、吊りリード部、リード部の末端
部分が切断され、吊りリード部、リード部の各末端部を
封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形が直方体の樹
脂封止型半導体装置を得ることができ、製造効率を高め
ることができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。
装置およびその製造方法の一実施形態について図面を参
照しながら説明する。
【００３８】図１は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は底
面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図
である。
を示す図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は底
面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図
である。
【００３９】図１に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、リードフレームを用いた樹脂封止型半
導体装置において、パッケージ面積に対するチップ面積
占有率を大きくしてＣＳＰ化を実現することに主眼をお
いたものであり、半導体素子搭載用のダイパッド部１
と、そのダイパッド部１を各角部で支持した複数の吊り
リード部２と、ダイパッド部１上に接着剤により搭載さ
れた半導体素子３と、先端部がダイパッド部１の各辺に
それぞれ対向して配列され、上面に溝部４ａが設けられ
た複数のインナーリード部４と、半導体素子３の電極と
インナーリード部４の上面に設けたボンディングエリア
とを接続した金属細線５と、ダイパッド部１の底面を除
く領域、吊りリード部２、半導体素子３、インナーリー
ド部４の底面と外方側面部を除く領域、および金属細線
５の接続領域を封止した封止樹脂６とよりなり、インナ
ーリード部４の外方側面部は封止樹脂６の側面と略同一
面に配列された樹脂封止型半導体装置である。そしてイ
ンナーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上
面は、その厚みが薄くなった薄厚部７を有しているもの
であり、ダイパッド部１の上面とインナーリード部４の
薄厚部７以外の上面とは同一面に配置されているもので
ある。
型半導体装置は、リードフレームを用いた樹脂封止型半
導体装置において、パッケージ面積に対するチップ面積
占有率を大きくしてＣＳＰ化を実現することに主眼をお
いたものであり、半導体素子搭載用のダイパッド部１
と、そのダイパッド部１を各角部で支持した複数の吊り
リード部２と、ダイパッド部１上に接着剤により搭載さ
れた半導体素子３と、先端部がダイパッド部１の各辺に
それぞれ対向して配列され、上面に溝部４ａが設けられ
た複数のインナーリード部４と、半導体素子３の電極と
インナーリード部４の上面に設けたボンディングエリア
とを接続した金属細線５と、ダイパッド部１の底面を除
く領域、吊りリード部２、半導体素子３、インナーリー
ド部４の底面と外方側面部を除く領域、および金属細線
５の接続領域を封止した封止樹脂６とよりなり、インナ
ーリード部４の外方側面部は封止樹脂６の側面と略同一
面に配列された樹脂封止型半導体装置である。そしてイ
ンナーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上
面は、その厚みが薄くなった薄厚部７を有しているもの
であり、ダイパッド部１の上面とインナーリード部４の
薄厚部７以外の上面とは同一面に配置されているもので
ある。
【００４０】詳細には、インナーリード部４のダイパッ
ド部１に対向した先端部は、緩やかな曲面の傾斜部分７
ａを構成して、インナーリード部４の厚みの概ね半分の
厚みで上面部が薄くなった薄厚部７を有しているもので
あり、実際にはリード部分に対してハーフエッチングに
より薄厚部７が形成されたものである。またインナーリ
ード部４の上面には２つの溝部４ａが設けられ、半導体
素子３の電極とインナーリード部４の上面とを接続した
金属細線５のうち、インナーリード部４上面に接続され
た部分は、インナーリード部４の上面の溝部４ａの近傍
側でインナーリード部４の薄厚部７から離れて接続され
ており、たとえインナーリード部４に応力が印加された
としても、溝部４ａでリード変形し、さらに薄厚部７が
傾斜部分７ａをなしているので、効果的に応力を吸収
し、接続部分の信頼性を高めることができる構造を有し
ているものである。すなわち、インナーリード部４に伝
搬する応力を薄厚部７の傾斜部分７ａで徐々に受け、溝
部４ａでリード変形により吸収できるので、インナーリ
ード部４に対しては複数の溝部４ａを設ける必要はな
く、ボンディングエリアを確保して小型のリード構造と
信頼性とを実現できるものである。なお、本実施形態で
は、薄厚部７の構成は緩やかな曲面による傾斜部分７ａ
を有して上面部分のリード部材厚が削除されたものであ
るが、薄厚部７の構成として曲面による傾斜部分７ａの
他、直線状の傾斜部分としてもよい。また金属細線５を
接続する箇所を薄厚部７から離す場合には、薄厚部７に
傾斜部分を設けず、段差状に薄厚部を形成してもよい。
また溝部４ａを設ける箇所はインナーリード部４の薄厚
部７以外の箇所でよいが、インナーリード部４の長さ、
薄厚部７の長さによっては、薄厚部７上に設けてもリー
ドに印加される応力を吸収できるものである。
ド部１に対向した先端部は、緩やかな曲面の傾斜部分７
ａを構成して、インナーリード部４の厚みの概ね半分の
厚みで上面部が薄くなった薄厚部７を有しているもので
あり、実際にはリード部分に対してハーフエッチングに
より薄厚部７が形成されたものである。またインナーリ
ード部４の上面には２つの溝部４ａが設けられ、半導体
素子３の電極とインナーリード部４の上面とを接続した
金属細線５のうち、インナーリード部４上面に接続され
た部分は、インナーリード部４の上面の溝部４ａの近傍
側でインナーリード部４の薄厚部７から離れて接続され
ており、たとえインナーリード部４に応力が印加された
としても、溝部４ａでリード変形し、さらに薄厚部７が
傾斜部分７ａをなしているので、効果的に応力を吸収
し、接続部分の信頼性を高めることができる構造を有し
ているものである。すなわち、インナーリード部４に伝
搬する応力を薄厚部７の傾斜部分７ａで徐々に受け、溝
部４ａでリード変形により吸収できるので、インナーリ
ード部４に対しては複数の溝部４ａを設ける必要はな
く、ボンディングエリアを確保して小型のリード構造と
信頼性とを実現できるものである。なお、本実施形態で
は、薄厚部７の構成は緩やかな曲面による傾斜部分７ａ
を有して上面部分のリード部材厚が削除されたものであ
るが、薄厚部７の構成として曲面による傾斜部分７ａの
他、直線状の傾斜部分としてもよい。また金属細線５を
接続する箇所を薄厚部７から離す場合には、薄厚部７に
傾斜部分を設けず、段差状に薄厚部を形成してもよい。
また溝部４ａを設ける箇所はインナーリード部４の薄厚
部７以外の箇所でよいが、インナーリード部４の長さ、
薄厚部７の長さによっては、薄厚部７上に設けてもリー
ドに印加される応力を吸収できるものである。
【００４１】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置で
は、ダイパッド部１の底面には溝部１ａが設けられてお
り、樹脂封止の際の樹脂バリ発生を防止できるものであ
る。したがって封止樹脂６から露出したダイパッド部１
の底面には封止樹脂６の回り込みがなく、確実に露出し
ているものである。
は、ダイパッド部１の底面には溝部１ａが設けられてお
り、樹脂封止の際の樹脂バリ発生を防止できるものであ
る。したがって封止樹脂６から露出したダイパッド部１
の底面には封止樹脂６の回り込みがなく、確実に露出し
ているものである。
【００４２】そして本実施形態の樹脂封止型半導体装置
では、ダイパッド部１上に搭載された半導体素子３の周
縁部は、インナーリード部４の先端部上面の薄厚部７に
近接している構造であり、従来に比較して大きな面積の
半導体素子が搭載されており、パッケージ（封止樹脂
６）内の半導体素子３の占有率を７０［％］以上、具体
的には８０［％］にまで高めて、ＣＳＰ化を実現できる
ものである。すなわち、インナーリード部４のダイパッ
ド部１に対向した先端部上面は、その厚みが薄く構成さ
れ、先端部は薄厚部７を有しているので、ダイパッド部
１上に搭載した半導体素子３の周縁部をそのインナーリ
ード部４の先端部上面の薄厚部７に近接させることがで
き、インナーリード部４と半導体素子３との接触を避け
つつ、大型の半導体素子を搭載して、ＣＳＰ化を実現で
きるものである。しかもインナーリード部４の先端部上
面が薄厚部７を有しているので、ダイパッド部１に上方
にあげた支持部を設けてアップセットする必要はなく、
樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めて薄厚
化を実現できるものである。本実施形態では、２００
［μｍ］厚の半導体素子を用い、全体厚として０．５
［ｍｍ］厚の樹脂封止型半導体装置を実現している。な
お、本実施形態ではインナーリード部４の先端部を半導
体素子３の周縁部に近接させているが、インナーリード
部４の先端部の薄厚部７を搭載した半導体素子３の下面
に延在するように設計してもよいし、インナーリード部
４の先端部の薄厚部７に覆い被さるような大型の半導体
素子を搭載してもよい。
では、ダイパッド部１上に搭載された半導体素子３の周
縁部は、インナーリード部４の先端部上面の薄厚部７に
近接している構造であり、従来に比較して大きな面積の
半導体素子が搭載されており、パッケージ（封止樹脂
６）内の半導体素子３の占有率を７０［％］以上、具体
的には８０［％］にまで高めて、ＣＳＰ化を実現できる
ものである。すなわち、インナーリード部４のダイパッ
ド部１に対向した先端部上面は、その厚みが薄く構成さ
れ、先端部は薄厚部７を有しているので、ダイパッド部
１上に搭載した半導体素子３の周縁部をそのインナーリ
ード部４の先端部上面の薄厚部７に近接させることがで
き、インナーリード部４と半導体素子３との接触を避け
つつ、大型の半導体素子を搭載して、ＣＳＰ化を実現で
きるものである。しかもインナーリード部４の先端部上
面が薄厚部７を有しているので、ダイパッド部１に上方
にあげた支持部を設けてアップセットする必要はなく、
樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高めて薄厚
化を実現できるものである。本実施形態では、２００
［μｍ］厚の半導体素子を用い、全体厚として０．５
［ｍｍ］厚の樹脂封止型半導体装置を実現している。な
お、本実施形態ではインナーリード部４の先端部を半導
体素子３の周縁部に近接させているが、インナーリード
部４の先端部の薄厚部７を搭載した半導体素子３の下面
に延在するように設計してもよいし、インナーリード部
４の先端部の薄厚部７に覆い被さるような大型の半導体
素子を搭載してもよい。
【００４３】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００４４】図２，図３は本実施形態の樹脂封止型半導
体装置の製造方法を示す図であり、図２は樹脂封止型半
導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す図で
あり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の
Ｄ−Ｄ１箇所の断面図である。図３は製造方法の主要な
工程を示す断面図である。
体装置の製造方法を示す図であり、図２は樹脂封止型半
導体装置の製造方法で用いるリードフレームを示す図で
あり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の
Ｄ−Ｄ１箇所の断面図である。図３は製造方法の主要な
工程を示す断面図である。
【００４５】まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【００４６】図２に示すように、本実施形態のリードフ
レームは、銅材または４２−アロイ等の通常のリードフ
レームに用いられている金属板よりなるフレーム枠８内
に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部１と、ダ
イパッド部１の各角部をその先端部で支持し、末端部が
フレーム枠８に接続した吊りリード部２と、先端部がダ
イパッド部１に対向して配列され、末端部がフレーム枠
８に接続した複数のインナーリード部４とよりなるリー
ドフレームであって、インナーリード部４のダイパッド
部１に対向した先端部上面の厚みが、ハーフエッチング
加工により概ね半分の厚みに薄くなった薄厚部７を有し
たリードフレームである。そして先端部の上面部は、緩
やかな傾斜部分７ａを構成して、インナーリード部４の
厚みの概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部７である。ま
たインナーリード部４の上面には２つの溝部４ａが設け
られ、また図中の破線で示した構成のように、ダイパッ
ド部１の底面には溝部１ａが円形環状に設けられている
ものである。また本実施形態のリードフレームの板厚は
２００〜３００［μｍ］の範囲で、２５０［μｍ］のも
のを用いている。
レームは、銅材または４２−アロイ等の通常のリードフ
レームに用いられている金属板よりなるフレーム枠８内
に設けられた半導体素子搭載用のダイパッド部１と、ダ
イパッド部１の各角部をその先端部で支持し、末端部が
フレーム枠８に接続した吊りリード部２と、先端部がダ
イパッド部１に対向して配列され、末端部がフレーム枠
８に接続した複数のインナーリード部４とよりなるリー
ドフレームであって、インナーリード部４のダイパッド
部１に対向した先端部上面の厚みが、ハーフエッチング
加工により概ね半分の厚みに薄くなった薄厚部７を有し
たリードフレームである。そして先端部の上面部は、緩
やかな傾斜部分７ａを構成して、インナーリード部４の
厚みの概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部７である。ま
たインナーリード部４の上面には２つの溝部４ａが設け
られ、また図中の破線で示した構成のように、ダイパッ
ド部１の底面には溝部１ａが円形環状に設けられている
ものである。また本実施形態のリードフレームの板厚は
２００〜３００［μｍ］の範囲で、２５０［μｍ］のも
のを用いている。
【００４７】以下、前述のリードフレームを用いて樹脂
封止型半導体装置を製造する工程について説明する。
封止型半導体装置を製造する工程について説明する。
【００４８】まず図３（ａ）に示すように、銅材または
４２−アロイ等の通常のリードフレームに用いられてい
る金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子
搭載用のダイパッド部１と、ダイパッド部１の各角部を
その先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊
りリード部と、先端部がダイパッド部１に対向して配列
され、末端部がフレーム枠に接続した複数のインナーリ
ード部４とよりなるリードフレームであって、インナー
リード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面の厚
みが薄くなった薄厚部７を有したリードフレームを用意
する。
４２−アロイ等の通常のリードフレームに用いられてい
る金属板よりなるフレーム枠内に設けられた半導体素子
搭載用のダイパッド部１と、ダイパッド部１の各角部を
その先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊
りリード部と、先端部がダイパッド部１に対向して配列
され、末端部がフレーム枠に接続した複数のインナーリ
ード部４とよりなるリードフレームであって、インナー
リード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面の厚
みが薄くなった薄厚部７を有したリードフレームを用意
する。
【００４９】次に図３（ｂ）に示すように、用意したリ
ードフレームのダイパッド部１上に接着剤（図示せず）
を介して半導体素子３をその主面を上にして搭載する。
この時、本実施形態では、用いるリードフレームの各イ
ンナーリード部４の先端部の上面は、その厚みが薄くな
った薄厚部７を有しているので、インナーリード部４の
先端部近傍、または薄厚部７上までオーバーラップする
ような大きな面積の半導体素子３を搭載しても、インナ
ーリード部４と半導体素子３との接触を避けて搭載でき
るものである。
ードフレームのダイパッド部１上に接着剤（図示せず）
を介して半導体素子３をその主面を上にして搭載する。
この時、本実施形態では、用いるリードフレームの各イ
ンナーリード部４の先端部の上面は、その厚みが薄くな
った薄厚部７を有しているので、インナーリード部４の
先端部近傍、または薄厚部７上までオーバーラップする
ような大きな面積の半導体素子３を搭載しても、インナ
ーリード部４と半導体素子３との接触を避けて搭載でき
るものである。
【００５０】次に図３（ｃ）に示すように、ダイパッド
部１上に搭載した半導体素子３の電極と、インナーリー
ド部４の上面の薄厚部以外の面の例えば溝部４ａと溝４
ａとの間とを金属細線５により電気的に接続する。ここ
では半導体素子３の電極とインナーリード部４の上面と
を接続した金属細線５のうち、インナーリード部４上面
に接続された部分は、インナーリード部４の上面の溝部
４ａの近傍側でインナーリード部４の薄厚部７から離し
て接続するものであり、応力対策として薄厚部７上には
接続しないものである。
部１上に搭載した半導体素子３の電極と、インナーリー
ド部４の上面の薄厚部以外の面の例えば溝部４ａと溝４
ａとの間とを金属細線５により電気的に接続する。ここ
では半導体素子３の電極とインナーリード部４の上面と
を接続した金属細線５のうち、インナーリード部４上面
に接続された部分は、インナーリード部４の上面の溝部
４ａの近傍側でインナーリード部４の薄厚部７から離し
て接続するものであり、応力対策として薄厚部７上には
接続しないものである。
【００５１】そして図３（ｄ）に示すように、リードフ
レームの上面側を封止樹脂６により樹脂封止し、ダイパ
ッド部１の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子
３、インナーリード部４の底面を除く領域、および金属
細線５の接続領域を封止する。そして樹脂封止の工程の
後、吊りリード部、インナーリード部４の末端部分を切
断し、吊りリード部、インナーリード部４の各末端部を
封止樹脂６の側面と略同一面に配列することにより、樹
脂封止型半導体装置を実現できる。この樹脂封止の工程
では、リードフレームの底面側に封止シートを密着させ
て樹脂封止するものであり、これにより片面封止が可能
となり、ダイパッド部１等、封止樹脂６から露出させた
い部位を確実に露出させることができるものである。
レームの上面側を封止樹脂６により樹脂封止し、ダイパ
ッド部１の底面を除く領域、吊りリード部、半導体素子
３、インナーリード部４の底面を除く領域、および金属
細線５の接続領域を封止する。そして樹脂封止の工程の
後、吊りリード部、インナーリード部４の末端部分を切
断し、吊りリード部、インナーリード部４の各末端部を
封止樹脂６の側面と略同一面に配列することにより、樹
脂封止型半導体装置を実現できる。この樹脂封止の工程
では、リードフレームの底面側に封止シートを密着させ
て樹脂封止するものであり、これにより片面封止が可能
となり、ダイパッド部１等、封止樹脂６から露出させた
い部位を確実に露出させることができるものである。
【００５２】本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法により、インナーリード部４のダイパッド部１に対
向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部７を有した
リードフレームを用いるため、インナーリード部４の先
端部上面の薄厚部７にその周縁部が近接するような大き
な面積の半導体素子３を搭載することができ、樹脂封止
型半導体装置としてチップ占有率を高めてＣＳＰ化を図
り、またダイパッド部１はアップセット処理する必要が
ないため、樹脂封止型半導体装置として極めて薄厚化を
図ることができる製造方法である。
方法により、インナーリード部４のダイパッド部１に対
向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部７を有した
リードフレームを用いるため、インナーリード部４の先
端部上面の薄厚部７にその周縁部が近接するような大き
な面積の半導体素子３を搭載することができ、樹脂封止
型半導体装置としてチップ占有率を高めてＣＳＰ化を図
り、またダイパッド部１はアップセット処理する必要が
ないため、樹脂封止型半導体装置として極めて薄厚化を
図ることができる製造方法である。
【００５３】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の別の
実施形態について図面を参照しながら説明する。図４は
本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図
４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は底面図、図４（ｃ）は
図４（ｂ）のＥ−Ｅ１箇所の断面図である。
実施形態について図面を参照しながら説明する。図４は
本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図
４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は底面図、図４（ｃ）は
図４（ｂ）のＥ−Ｅ１箇所の断面図である。
【００５４】図４に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は基本構造としては前述の図に示した構造
と同様であり、半導体素子搭載用のダイパッド部１と、
そのダイパッド部１を各角部で支持した複数の吊りリー
ド部２と、ダイパッド部１上に接着剤により搭載された
半導体素子３と、先端部がダイパッド部１の各辺にそれ
ぞれ対向して配列され、上面に溝部４ａが設けられた複
数のインナーリード部４と、半導体素子３の電極とイン
ナーリード部４の上面に設けたボンディングエリアとを
接続した金属細線５と、ダイパッド部１の底面を除く領
域、吊りリード部２、半導体素子３、インナーリード部
４の底面と外方側面部を除く領域、および金属細線５の
接続領域を封止した封止樹脂６とよりなり、インナーリ
ード部４の外方側面部は封止樹脂６の側面と略同一面に
配列された樹脂封止型半導体装置である。そしてインナ
ーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面
は、その厚みが薄くなった薄厚部７を有し、かつ先端部
の上面部は、緩やかな傾斜部分７ａを構成して、インナ
ーリード部４の厚みの概ね半分の厚みで薄くなった薄厚
部７を有しているものである。
型半導体装置は基本構造としては前述の図に示した構造
と同様であり、半導体素子搭載用のダイパッド部１と、
そのダイパッド部１を各角部で支持した複数の吊りリー
ド部２と、ダイパッド部１上に接着剤により搭載された
半導体素子３と、先端部がダイパッド部１の各辺にそれ
ぞれ対向して配列され、上面に溝部４ａが設けられた複
数のインナーリード部４と、半導体素子３の電極とイン
ナーリード部４の上面に設けたボンディングエリアとを
接続した金属細線５と、ダイパッド部１の底面を除く領
域、吊りリード部２、半導体素子３、インナーリード部
４の底面と外方側面部を除く領域、および金属細線５の
接続領域を封止した封止樹脂６とよりなり、インナーリ
ード部４の外方側面部は封止樹脂６の側面と略同一面に
配列された樹脂封止型半導体装置である。そしてインナ
ーリード部４のダイパッド部１に対向した先端部上面
は、その厚みが薄くなった薄厚部７を有し、かつ先端部
の上面部は、緩やかな傾斜部分７ａを構成して、インナ
ーリード部４の厚みの概ね半分の厚みで薄くなった薄厚
部７を有しているものである。
【００５５】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図
１に示した形態とは異なり、外形が直方体状をなし、ま
たインナーリード部４の外方側面は封止樹脂６の側面と
同一面に配置されているが、その外方側面のインナーリ
ード部４の下面はその厚みが薄くなった薄厚部９を有し
ているものである。したがって本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は図４（ｂ）に示すように、インナーリード
部４の外方側面の下面は封止樹脂６内に封止されている
ので、封止樹脂６（パッケージ）の周縁部にはインナー
リード部４の底面が露出しない構造となっている。
１に示した形態とは異なり、外形が直方体状をなし、ま
たインナーリード部４の外方側面は封止樹脂６の側面と
同一面に配置されているが、その外方側面のインナーリ
ード部４の下面はその厚みが薄くなった薄厚部９を有し
ているものである。したがって本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は図４（ｂ）に示すように、インナーリード
部４の外方側面の下面は封止樹脂６内に封止されている
ので、封止樹脂６（パッケージ）の周縁部にはインナー
リード部４の底面が露出しない構造となっている。
【００５６】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
製造方法について説明する。
【００５７】図５，図６および図７は本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、図５は樹
脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレーム
を示す図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図
５（ａ）のＦ−Ｆ１箇所の断面図である。図６，図７は
製造方法の主要な工程を示す断面図である。
封止型半導体装置の製造方法を示す図であり、図５は樹
脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレーム
を示す図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図
５（ａ）のＦ−Ｆ１箇所の断面図である。図６，図７は
製造方法の主要な工程を示す断面図である。
【００５８】まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【００５９】図５に示すように、本実施形態で用いるリ
ードフレームは、前述と同様な金属板材よりなるフレー
ム枠１０内に設けられた複数のリードユニット１１で構
成されたリードフレームであって、半導体素子搭載用の
ダイパッド部１と、そのダイパッド部１をその先端部で
支持し、末端部がフレーム枠１０に接続した吊りリード
部２と、先端部がダイパッド部１に対向して配列され、
末端部がフレーム枠１０に接続した複数のインナーリー
ド部４であって、そのインナーリード部４のダイパッド
部１に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部７
を有したインナーリード部４とよりなるリードユニット
１１を１ユニットとして、そのユニットを複数ユニット
有し、各リードユニット１１間のフレーム枠１０の板材
厚は薄厚部９となっているリードフレームである。図５
（ａ）中、便宜上、ハッチングを付した部分が各リード
ユニット１１間の薄厚部９である。すなわち本実施形態
で用いるリードフレームはその上面を一括で全域封止す
るための大型のリードフレーム基板である。また同様に
各インナーリード部４の上面には溝部４ａが設けられ、
ダイパッド部１の底面には破線で示した溝部１ａが設け
られているものである。
ードフレームは、前述と同様な金属板材よりなるフレー
ム枠１０内に設けられた複数のリードユニット１１で構
成されたリードフレームであって、半導体素子搭載用の
ダイパッド部１と、そのダイパッド部１をその先端部で
支持し、末端部がフレーム枠１０に接続した吊りリード
部２と、先端部がダイパッド部１に対向して配列され、
末端部がフレーム枠１０に接続した複数のインナーリー
ド部４であって、そのインナーリード部４のダイパッド
部１に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部７
を有したインナーリード部４とよりなるリードユニット
１１を１ユニットとして、そのユニットを複数ユニット
有し、各リードユニット１１間のフレーム枠１０の板材
厚は薄厚部９となっているリードフレームである。図５
（ａ）中、便宜上、ハッチングを付した部分が各リード
ユニット１１間の薄厚部９である。すなわち本実施形態
で用いるリードフレームはその上面を一括で全域封止す
るための大型のリードフレーム基板である。また同様に
各インナーリード部４の上面には溝部４ａが設けられ、
ダイパッド部１の底面には破線で示した溝部１ａが設け
られているものである。
【００６０】以下、前述のリードフレームを用いて樹脂
封止型半導体装置を製造する工程について説明する。
封止型半導体装置を製造する工程について説明する。
【００６１】まず図６（ａ）に示すように、前述の図５
で示したように、リードユニットとして、半導体素子搭
載用のダイパッド部１と、ダイパッド部１の各角部をそ
の先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊り
リード部と、先端部がダイパッド部１に対向して配列さ
れ、末端部がフレーム枠に接続した複数のインナーリー
ド部４とを有し、複数ユニットよりなるリードフレーム
であって、インナーリード部４のダイパッド部１に対向
した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部７を有したリ
ードフレームを用意する。
で示したように、リードユニットとして、半導体素子搭
載用のダイパッド部１と、ダイパッド部１の各角部をそ
の先端部で支持し、末端部がフレーム枠に接続した吊り
リード部と、先端部がダイパッド部１に対向して配列さ
れ、末端部がフレーム枠に接続した複数のインナーリー
ド部４とを有し、複数ユニットよりなるリードフレーム
であって、インナーリード部４のダイパッド部１に対向
した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚部７を有したリ
ードフレームを用意する。
【００６２】次に図６（ｂ）に示すように、用意したリ
ードフレームのリードユニットの各ダイパッド部１上に
接着剤（図示せず）を介して半導体素子３をその主面を
上にして搭載する。この時、本実施形態では、用いるリ
ードフレームの各インナーリード部４の先端部の上面
は、その厚みが薄くなった薄厚部７を有しているので、
インナーリード部４の先端部近傍、または薄厚部７上ま
でオーバーラップするような大きな面積の半導体素子３
を搭載しても、インナーリード部４と半導体素子３との
接触を避けて搭載できるものである。
ードフレームのリードユニットの各ダイパッド部１上に
接着剤（図示せず）を介して半導体素子３をその主面を
上にして搭載する。この時、本実施形態では、用いるリ
ードフレームの各インナーリード部４の先端部の上面
は、その厚みが薄くなった薄厚部７を有しているので、
インナーリード部４の先端部近傍、または薄厚部７上ま
でオーバーラップするような大きな面積の半導体素子３
を搭載しても、インナーリード部４と半導体素子３との
接触を避けて搭載できるものである。
【００６３】次に図６（ｃ）に示すように、リードユニ
ットごとの各ダイパッド部１上に搭載した半導体素子３
の電極と、インナーリード部４の上面の薄厚部以外の面
の例えば溝部４ａと溝４ａとの間とを金属細線５により
電気的に接続する。ここでは半導体素子３の電極とイン
ナーリード部４の上面とを接続した金属細線５のうち、
インナーリード部４上面に接続された部分は、インナー
リード部４の上面の溝部４ａの近傍側でインナーリード
部４の薄厚部７から離して接続するものであり、応力対
策として薄厚部７上には接続しないものである。
ットごとの各ダイパッド部１上に搭載した半導体素子３
の電極と、インナーリード部４の上面の薄厚部以外の面
の例えば溝部４ａと溝４ａとの間とを金属細線５により
電気的に接続する。ここでは半導体素子３の電極とイン
ナーリード部４の上面とを接続した金属細線５のうち、
インナーリード部４上面に接続された部分は、インナー
リード部４の上面の溝部４ａの近傍側でインナーリード
部４の薄厚部７から離して接続するものであり、応力対
策として薄厚部７上には接続しないものである。
【００６４】次に図６（ｄ）に示すように、リードフレ
ームの各リードユニットの上面側全域を封止樹脂６によ
り一括で樹脂封止し、ダイパッド部１の底面を除く領
域、吊りリード部、半導体素子３、インナーリード部４
の底面を除く領域、および金属細線５の接続領域を封止
する。この樹脂封止の工程では、リードフレームの底面
側に封止シートを密着させて樹脂封止するものであり、
これにより片面封止が可能となり、ダイパッド部１等、
封止樹脂６から露出させたい部位を確実に露出させるこ
とができるものである。
ームの各リードユニットの上面側全域を封止樹脂６によ
り一括で樹脂封止し、ダイパッド部１の底面を除く領
域、吊りリード部、半導体素子３、インナーリード部４
の底面を除く領域、および金属細線５の接続領域を封止
する。この樹脂封止の工程では、リードフレームの底面
側に封止シートを密着させて樹脂封止するものであり、
これにより片面封止が可能となり、ダイパッド部１等、
封止樹脂６から露出させたい部位を確実に露出させるこ
とができるものである。
【００６５】そして図６（ｅ）に示すように、各半導体
素子３ごとであって、リードフレームの板材が薄厚とな
っている各ユニット間の薄厚部９をダイシングブレード
１２により切断することで、吊りリード部、インナーリ
ード部４の末端部分を切断し、吊りリード部、インナー
リード部４の各末端部を封止樹脂６の側面と略同一面に
配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置の個片を
得る。
素子３ごとであって、リードフレームの板材が薄厚とな
っている各ユニット間の薄厚部９をダイシングブレード
１２により切断することで、吊りリード部、インナーリ
ード部４の末端部分を切断し、吊りリード部、インナー
リード部４の各末端部を封止樹脂６の側面と略同一面に
配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置の個片を
得る。
【００６６】図７にはリードフレームから切断分離して
個片化した直方体状の樹脂封止型半導体装置を示す。図
７に示す樹脂封止型半導体装置は前述の図４で示した構
造と同様である。
個片化した直方体状の樹脂封止型半導体装置を示す。図
７に示す樹脂封止型半導体装置は前述の図４で示した構
造と同様である。
【００６７】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
では、インナーリード部のダイパッド部に対向した先端
部は、その上面厚みが薄くなった薄厚部を有しているの
で、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部をそ
のインナーリード部の先端部上面にまで近接させること
ができ、インナーリード部と半導体素子との接触を避け
つつ、大型の半導体素子を搭載して、チップ占有率を高
め、ＣＳＰ化を実現できるものである。そしてリード部
の先端部が薄厚部を有しているので、ダイパッド部に上
方にあげた支持部を設けてアップセットする必要はな
く、樹脂封止型半導体装置としてさらなる薄厚化を実現
できるものである。
では、インナーリード部のダイパッド部に対向した先端
部は、その上面厚みが薄くなった薄厚部を有しているの
で、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部をそ
のインナーリード部の先端部上面にまで近接させること
ができ、インナーリード部と半導体素子との接触を避け
つつ、大型の半導体素子を搭載して、チップ占有率を高
め、ＣＳＰ化を実現できるものである。そしてリード部
の先端部が薄厚部を有しているので、ダイパッド部に上
方にあげた支持部を設けてアップセットする必要はな
く、樹脂封止型半導体装置としてさらなる薄厚化を実現
できるものである。
【００６８】また樹脂封止型半導体装置の製造方法で
は、インナーリード部のダイパッド部に対向した先端部
上面の厚みが薄くなった薄厚部を有したリードフレーム
を用いるため、リード部の先端部上面の薄厚部にその周
縁部が近接するような大型の半導体素子を搭載すること
ができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高
めてＣＳＰ化を図り、薄厚化を実現できる製造方法であ
る。また、リードフレームとして、１枚の金属板材のフ
レーム枠内に複数のリードユニットを有し、各リードユ
ニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚部となっているリ
ードフレームを用ているので、リードフレームの各ユニ
ット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止でき、リー
ドフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間を切
断することにより、吊りリード部、インナーリード部の
末端部分が切断され、吊りリード部、インナーリード部
の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形
が直方体の樹脂封止型半導体装置を得ることができ、樹
脂封止工程、切断分離工程の効率を高めて量産性に優れ
た製造方法を実現できる。
は、インナーリード部のダイパッド部に対向した先端部
上面の厚みが薄くなった薄厚部を有したリードフレーム
を用いるため、リード部の先端部上面の薄厚部にその周
縁部が近接するような大型の半導体素子を搭載すること
ができ、樹脂封止型半導体装置としてチップ占有率を高
めてＣＳＰ化を図り、薄厚化を実現できる製造方法であ
る。また、リードフレームとして、１枚の金属板材のフ
レーム枠内に複数のリードユニットを有し、各リードユ
ニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚部となっているリ
ードフレームを用ているので、リードフレームの各ユニ
ット全域の上面側を封止樹脂により樹脂封止でき、リー
ドフレームの板材が薄厚となっている各ユニット間を切
断することにより、吊りリード部、インナーリード部の
末端部分が切断され、吊りリード部、インナーリード部
の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形
が直方体の樹脂封止型半導体装置を得ることができ、樹
脂封止工程、切断分離工程の効率を高めて量産性に優れ
た製造方法を実現できる。
【００６９】
【発明の効果】以上、本発明の樹脂封止型半導体装置
は、リード部のダイパッド部に対向した先端部上面は、
その厚みが削除されて薄くなった薄厚部を有しているの
で、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部をそ
のリード部の先端部上面の薄厚部に近接させることがで
き、リード部と半導体素子との接触を避けつつ、大型の
半導体素子を搭載して、チップ占有率を高め、ＣＳＰ化
を実現できるものである。そしてリード部の先端部が薄
厚部を有しているので、ダイパッド部に上方にあげた支
持部を設けてアップセットする必要はなく、樹脂封止型
半導体装置としてさらなる薄厚化を実現できるものであ
る。また本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド
部に対向したリード部の先端部は、緩やかな傾斜をなし
てリード厚の概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部を有し
ているので、リード部に印加される外部または封止樹脂
内からの応力による金属細線の接続部分に対する影響を
低減し、接続の信頼性を高めることができる。
は、リード部のダイパッド部に対向した先端部上面は、
その厚みが削除されて薄くなった薄厚部を有しているの
で、ダイパッド部上に搭載した半導体素子の周縁部をそ
のリード部の先端部上面の薄厚部に近接させることがで
き、リード部と半導体素子との接触を避けつつ、大型の
半導体素子を搭載して、チップ占有率を高め、ＣＳＰ化
を実現できるものである。そしてリード部の先端部が薄
厚部を有しているので、ダイパッド部に上方にあげた支
持部を設けてアップセットする必要はなく、樹脂封止型
半導体装置としてさらなる薄厚化を実現できるものであ
る。また本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド
部に対向したリード部の先端部は、緩やかな傾斜をなし
てリード厚の概ね半分の厚みで薄くなった薄厚部を有し
ているので、リード部に印加される外部または封止樹脂
内からの応力による金属細線の接続部分に対する影響を
低減し、接続の信頼性を高めることができる。
【００７０】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
では、リード部のダイパッド部に対向した先端部の厚み
が薄くなった薄厚部を有したリードフレームを用いるた
め、リード部の先端部上面にその周縁部が近接するよう
な大きさの半導体素子を搭載することができ、樹脂封止
型半導体装置としてチップ占有率を高めてＣＳＰ化を図
り、薄厚化を実現できる製造方法である。また、リード
フレームとして、１枚の板材のフレーム枠内に複数のリ
ードユニットを有し、各リードユニット間のフレーム枠
の板材厚は薄厚となっているリードフレームを用ている
ので、リードフレームの各ユニット全域の上面側を封止
樹脂により樹脂封止でき、リードフレームの板材が薄厚
となっている各ユニット間を切断することにより、吊り
リード部、リード部の末端部分が切断され、吊りリード
部、リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に
配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置を得るこ
とができ、製造効率を高めることができる。
では、リード部のダイパッド部に対向した先端部の厚み
が薄くなった薄厚部を有したリードフレームを用いるた
め、リード部の先端部上面にその周縁部が近接するよう
な大きさの半導体素子を搭載することができ、樹脂封止
型半導体装置としてチップ占有率を高めてＣＳＰ化を図
り、薄厚化を実現できる製造方法である。また、リード
フレームとして、１枚の板材のフレーム枠内に複数のリ
ードユニットを有し、各リードユニット間のフレーム枠
の板材厚は薄厚となっているリードフレームを用ている
ので、リードフレームの各ユニット全域の上面側を封止
樹脂により樹脂封止でき、リードフレームの板材が薄厚
となっている各ユニット間を切断することにより、吊り
リード部、リード部の末端部分が切断され、吊りリード
部、リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に
配列した外形が直方体の樹脂封止型半導体装置を得るこ
とができ、製造効率を高めることができる。
【図１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法でのリードフレームを示す図
製造方法でのリードフレームを示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
示す図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法でのリードフレームを示す図
製造方法でのリードフレームを示す図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法でのリ
ードフレームを示す図
ードフレームを示す図
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図
す断面図
１ ダイパッド部
１ａ 溝部
２ 吊りリード部
３ 半導体素子
４ インナーリード部
４ａ 溝部
５ 金属細線
６ 封止樹脂
７ 薄厚部
７ａ 傾斜部分
８ フレーム枠
９ 薄厚部
１０ フレーム枠
１１ リードユニット
１２ ダイシングブレード
１０１ ダイパッド部
１０１ａ 支持部
１０２ 半導体素子
１０３ インナーリード部
１０３ａ 溝部
１０４ 金属細線
１０５ 封止樹脂
１０６ 吊りリード部
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体素子搭載用のダイパッド部と、 前記ダイパッド部を支持した複数の吊りリード部と、 前記ダイパッド部上に搭載された半導体素子と、 先端部が前記ダイパッド部に対向して配列された複数の
リード部と、 前記半導体素子の電極と前記リード部の上面とを接続し
た金属細線と、 前記ダイパッド部の底面を除く領域、吊りリード部、前
記半導体素子、前記リード部の底面と外方側面部を除く
領域、および金属細線の接続領域を封止した封止樹脂と
よりなり、 前記リード部の外方側面部は前記封止樹脂の側面と略同
一面に配列された樹脂封止型半導体装置であって、 前記リード部の前記ダイパッド部に対向した先端部は、
その上面の厚みが削除された薄厚部を有していることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 リード部のダイパッド部に対向した先端
部は、その上面の厚みが前記リード部厚の概ね半分の厚
みで削除された薄厚部を有していることを特徴とする請
求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 リード部のダイパッド部に対向した先端
部は、その上面の厚みが前記リード部厚の概ね半分の厚
みで削除され、緩やかな傾斜をなした薄厚部を有してい
ることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体
装置。 - 【請求項４】 ダイパッド部上に搭載された半導体素子
の周縁部は、リード部の先端部上面の薄厚部に近接して
いることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導
体装置。 - 【請求項５】 リード部の上面には溝部が設けられてい
ることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体
装置。 - 【請求項６】 半導体素子の電極とリード部の上面とを
接続した金属細線のうち、前記リード部に接続された部
分は、前記リード部の上面の溝部の近傍に接続されてい
ることを特徴とする請求項５に記載の樹脂封止型半導体
装置。 - 【請求項７】 ダイパッド部の底面には溝部が設けられ
ていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項８】 半導体素子の電極とリード部の上面とを
接続した金属細線のうち、前記リード部に接続された部
分は、前記リード部の薄厚部から離れて接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項９】 ダイパッド部の上面とリード部の薄厚部
以外の上面とは同一面に配置されていることを特徴とす
る請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項１０】 外形は直方体であることを特徴とする
請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項１１】 板材よりなるフレーム枠内に設けられ
た半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイパッド
部をその先端部で支持し、末端部が前記フレーム枠に接
続した吊りリード部と、先端部が前記ダイパッド部に対
向して配列され、末端部が前記フレーム枠に接続した複
数のリード部とよりなるリードフレームであって、前記
リード部の前記ダイパッド部に対向した先端部上面の厚
みが薄くなった薄厚部を有したリードフレームを用意す
る工程と、 用意したリードフレームの前記ダイパッド部上に半導体
素子をその主面を上にして搭載する工程と、 前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の電極
と、前記リードフレームの前記リード部の上面の薄厚部
以外の面とを金属細線により接続する工程と、 前記リードフレームの上面側を封止樹脂により樹脂封止
し、前記ダイパッド部の底面を除く領域、吊りリード
部、前記半導体素子、前記リード部の底面を除く領域、
および金属細線の接続領域を封止する工程とよりなるこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 樹脂封止の工程の後、吊りリード部、
リード部の末端部分を切断し、前記吊りリード部、前記
リード部の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列
することを特徴とする請求項１１に記載の樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 用意したリードフレームのダイパッド
部上に半導体素子をその主面を上にして搭載する工程で
は、 前記リードフレームのリード部の先端部上面の薄厚部に
その周縁部が近接するような大きさの半導体素子を搭載
することを特徴とする請求項１１に記載の樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 板材よりなるフレーム枠内に設けられ
た複数のリードユニットで構成されたリードフレームで
あって、半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記ダイ
パッド部をその先端部で支持し、末端部が前記フレーム
枠に接続した吊りリード部と、先端部が前記ダイパッド
部に対向して配列され、末端部が前記フレーム枠に接続
した複数のリード部であって、前記リード部の前記ダイ
パッド部に対向した先端部上面の厚みが薄くなった薄厚
部を有したリード部とよりなるリードユニットを１ユニ
ットとして、前記ユニットを複数ユニット有し、各リー
ドユニット間のフレーム枠の板材厚は薄厚となっている
リードフレームを用意する工程と、 用意したリードフレームの各リードユニットの各ダイパ
ッド部上に半導体素子をその主面を上にして搭載する工
程と、 前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の電極
と、前記リードフレームの各リードユニットのリード部
の上面の薄厚部以外の面とを金属細線により接続する工
程と、 前記リードフレームの各ユニット全域の上面側を封止樹
脂により樹脂封止し、前記ダイパッド部の底面を除く領
域、吊りリード部、前記半導体素子、前記リード部の底
面を除く領域、および金属細線の接続領域を封止する工
程と、 前記リードフレームの板材が薄厚となっている各ユニッ
ト間を切断することにより、吊りリード部、リード部の
末端部分が切断され、前記吊りリード部、前記リード部
の各末端部を封止樹脂の側面と略同一面に配列した外形
が直方体の樹脂封止型半導体装置の個片を得る工程とよ
りなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１５】 用意したリードフレームの各リードユ
ニットの各ダイパッド部上に半導体素子をその主面を上
にして搭載する工程では、 前記リードフレームのリード部の先端部上面の薄厚部に
その周縁部が近接するような大きさの半導体素子を搭載
することを特徴とする請求項１４に記載の樹脂封止型半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001221118A JP3879452B2 (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| US10/199,109 US6909168B2 (en) | 2001-07-23 | 2002-07-22 | Resin encapsulation semiconductor device utilizing grooved leads and die pad |
| US11/090,011 US7338838B2 (en) | 2001-07-23 | 2005-03-28 | Resin-encapsulation semiconductor device and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001221118A JP3879452B2 (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006148089A Division JP4212607B2 (ja) | 2006-05-29 | 2006-05-29 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003037219A true JP2003037219A (ja) | 2003-02-07 |
| JP3879452B2 JP3879452B2 (ja) | 2007-02-14 |
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ID=19054836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001221118A Expired - Fee Related JP3879452B2 (ja) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
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|---|---|
| US (2) | US6909168B2 (ja) |
| JP (1) | JP3879452B2 (ja) |
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