JP3405202B2 - リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子及び半
導体素子に接続される信号接続用リード部を封止樹脂に
より封止した樹脂封止型半導体装置とその製造方法、お
よび樹脂封止型半導体装置の製造に適したリードフレー
ムに係り、特に信号接続用リード部の一部が底面から露
出した樹脂封止型半導体装置の構造に関するものであ
る。
導体素子に接続される信号接続用リード部を封止樹脂に
より封止した樹脂封止型半導体装置とその製造方法、お
よび樹脂封止型半導体装置の製造に適したリードフレー
ムに係り、特に信号接続用リード部の一部が底面から露
出した樹脂封止型半導体装置の構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。図１１は、従来の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図である。図１１に示すように、従来の樹脂封
止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの
樹脂封止型半導体装置である。
て説明する。図１１は、従来の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図である。図１１に示すように、従来の樹脂封
止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの
樹脂封止型半導体装置である。
【０００４】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナー
リード部１と、ダイパッド部２と、そのダイパッド部２
を支持する吊りリード部（図示）を有し、ダイパッド部
２上に半導体素子３が接着剤により接合されており、半
導体素子３の電極パッド（図示せず）とインナーリード
部１とは、金属細線４により電気的に接続されている。
リード部１と、ダイパッド部２と、そのダイパッド部２
を支持する吊りリード部（図示）を有し、ダイパッド部
２上に半導体素子３が接着剤により接合されており、半
導体素子３の電極パッド（図示せず）とインナーリード
部１とは、金属細線４により電気的に接続されている。
【０００５】そして、ダイパッド部２、半導体素子３、
インナーリード部１の一部、吊りリード部および金属細
線４は封止樹脂５により封止されている。この構造で
は、インナーリード部１の裏面側には封止樹脂５は存在
せず、インナーリード部１の裏面側は露出されており、
この露出面を含むインナーリード部１の下部が外部電極
部６となっている。またインナーリード部１と接続した
アウターリード部７が封止樹脂５の面より突出して設け
られている。なお、封止樹脂５との密着性を確保するた
めに、インナーリード部１やダイパッド部２の側面を表
裏の面に対して直交するのではなく、上方に向かって拡
大するようにテーパ状にしている。
インナーリード部１の一部、吊りリード部および金属細
線４は封止樹脂５により封止されている。この構造で
は、インナーリード部１の裏面側には封止樹脂５は存在
せず、インナーリード部１の裏面側は露出されており、
この露出面を含むインナーリード部１の下部が外部電極
部６となっている。またインナーリード部１と接続した
アウターリード部７が封止樹脂５の面より突出して設け
られている。なお、封止樹脂５との密着性を確保するた
めに、インナーリード部１やダイパッド部２の側面を表
裏の面に対して直交するのではなく、上方に向かって拡
大するようにテーパ状にしている。
【０００６】このような従来の樹脂封止型半導体装置に
おいては、封止樹脂５の裏面とダイパッド部２の裏面と
は共通の面上にある。すなわち、リードフレームの裏面
側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型
半導体装置が実現する。
おいては、封止樹脂５の裏面とダイパッド部２の裏面と
は共通の面上にある。すなわち、リードフレームの裏面
側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型
半導体装置が実現する。
【０００７】図１１に示す構造を有する樹脂封止型半導
体装置の製造工程においては、まず、インナーリード部
１、ダイパッド部２を有するリードフレームを用意し、
機械的または化学的加工を行なって、リードフレームの
側面をテーパ状にする。用意したリードフレームのダイ
パッド部２の上に半導体素子３を接着剤により接合した
後、半導体素子３とインナーリード部１とを金属細線４
により電気的に接続する。金属細線４には、アルミニウ
ム（Ａｌ）線、金（Ａｕ）線などが適宜用いられる。次
に、ダイパッド部２、半導体素子３、インナーリード部
１、吊りリード部の一部及び金属細線４を封止樹脂５に
より封止する。この場合、半導体素子３が接合されたリ
ードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファ
ーモールドされるが、特にリードフレームの裏面が封止
金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が
行なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂５から外方
に突出しているアウターリード７を所定の長さに切断し
て、樹脂封止型半導体装置が完成する。
体装置の製造工程においては、まず、インナーリード部
１、ダイパッド部２を有するリードフレームを用意し、
機械的または化学的加工を行なって、リードフレームの
側面をテーパ状にする。用意したリードフレームのダイ
パッド部２の上に半導体素子３を接着剤により接合した
後、半導体素子３とインナーリード部１とを金属細線４
により電気的に接続する。金属細線４には、アルミニウ
ム（Ａｌ）線、金（Ａｕ）線などが適宜用いられる。次
に、ダイパッド部２、半導体素子３、インナーリード部
１、吊りリード部の一部及び金属細線４を封止樹脂５に
より封止する。この場合、半導体素子３が接合されたリ
ードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファ
ーモールドされるが、特にリードフレームの裏面が封止
金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が
行なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂５から外方
に突出しているアウターリード７を所定の長さに切断し
て、樹脂封止型半導体装置が完成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹
脂封止型半導体装置では、薄型化を実現するために、実
質的にはリードフレームの半導体素子が搭載された面、
すなわちリードフレームの上面のみを封止樹脂で封止し
た構造である。
脂封止型半導体装置では、薄型化を実現するために、実
質的にはリードフレームの半導体素子が搭載された面、
すなわちリードフレームの上面のみを封止樹脂で封止し
た構造である。
【０００９】このため、インナーリード部の底面が樹脂
封止型半導体装置の底面に一部露出しており、樹脂との
密着性が弱く樹脂と離れやすい、実装基板と接合する実
装においてもその機械的、熱的応力により信頼性が悪い
という課題があった。また、リード数（電極数）の増大
により樹脂封止型半導体装置の外形寸法が大きくなり、
それにより外部端子間も長くなり実装信頼性がより悪く
なる。また、半導体素子が小さい場合、特に金属細線の
接続が長くなり生産性、品質の課題があった。さらにプ
リント基板への実装後の応力により、金属細線で接続さ
れたインナーリード部に負荷がかかり、接続不良が発生
するという課題もあった。また、実装基板と樹脂封止型
半導体装置との実装において、ダイパッド部の裏面上に
封止樹脂の一部がはみ出していわゆる樹脂バリが介在す
ると、放熱パッド等との接触が不十分となり、放熱特性
などの所望の特性を十分発揮できない恐れがある。一
方、この樹脂バリはウォータージェットなどの利用によ
って除去できるが、かかる処理は煩雑な手間を要し、し
かも、ウォータージェット工程によって、実際にはリー
ド上に形成しているニッケル、パラジウム、金のメッキ
層が剥がれ、また不純物が付着することから、樹脂封止
工程後に封止樹脂から露出している部分に再度、メッキ
を施すことが必要となり、作業能率の低下、信頼性の悪
化を招く恐れもあった。
封止型半導体装置の底面に一部露出しており、樹脂との
密着性が弱く樹脂と離れやすい、実装基板と接合する実
装においてもその機械的、熱的応力により信頼性が悪い
という課題があった。また、リード数（電極数）の増大
により樹脂封止型半導体装置の外形寸法が大きくなり、
それにより外部端子間も長くなり実装信頼性がより悪く
なる。また、半導体素子が小さい場合、特に金属細線の
接続が長くなり生産性、品質の課題があった。さらにプ
リント基板への実装後の応力により、金属細線で接続さ
れたインナーリード部に負荷がかかり、接続不良が発生
するという課題もあった。また、実装基板と樹脂封止型
半導体装置との実装において、ダイパッド部の裏面上に
封止樹脂の一部がはみ出していわゆる樹脂バリが介在す
ると、放熱パッド等との接触が不十分となり、放熱特性
などの所望の特性を十分発揮できない恐れがある。一
方、この樹脂バリはウォータージェットなどの利用によ
って除去できるが、かかる処理は煩雑な手間を要し、し
かも、ウォータージェット工程によって、実際にはリー
ド上に形成しているニッケル、パラジウム、金のメッキ
層が剥がれ、また不純物が付着することから、樹脂封止
工程後に封止樹脂から露出している部分に再度、メッキ
を施すことが必要となり、作業能率の低下、信頼性の悪
化を招く恐れもあった。
【００１０】一方、ダイパッド部を封止樹脂内に内蔵し
たタイプの半導体装置においては、上記の共通課題のほ
か、インナーリード部の先端部に段差があり先端部が変
形するという課題があり、また、金属細線の接続工程に
おいて生産安定性に課題があった。また、封止工程でも
金属細線が互いに接触するという課題があり、インナー
リード部の先端部の位置がばらつくため、段差部の下に
樹脂が充填されないという品質上の課題もあった。
たタイプの半導体装置においては、上記の共通課題のほ
か、インナーリード部の先端部に段差があり先端部が変
形するという課題があり、また、金属細線の接続工程に
おいて生産安定性に課題があった。また、封止工程でも
金属細線が互いに接触するという課題があり、インナー
リード部の先端部の位置がばらつくため、段差部の下に
樹脂が充填されないという品質上の課題もあった。
【００１１】本発明は、前記従来の樹脂封止型半導体装
置における課題に鑑みてなされたものであり、前記従来
の課題を解決し、リードフレームおよびそれを用いた樹
脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供すること
を目的とする。具体的には本発明の第１の目的は、半導
体素子の大きさの変化に対応可能で、信頼性の向上が可
能なリードフレームとそれを用いた小型の樹脂封止型半
導体装置を提供する。また、本発明の第２の目的は、信
号接続用リード部の外部端子部と半導体素子との距離が
ある樹脂封止型半導体装置の信号接続用リード部に補強
手段を講ずることにより、小型の半導体装置を提供す
る。そして本発明の第３の目的は、信号接続用リード部
の先端部に段差を有し、段差部の一部に突出部を設ける
ことにより実装品質の良い小型の樹脂封止型半導体装置
を提供する。
置における課題に鑑みてなされたものであり、前記従来
の課題を解決し、リードフレームおよびそれを用いた樹
脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供すること
を目的とする。具体的には本発明の第１の目的は、半導
体素子の大きさの変化に対応可能で、信頼性の向上が可
能なリードフレームとそれを用いた小型の樹脂封止型半
導体装置を提供する。また、本発明の第２の目的は、信
号接続用リード部の外部端子部と半導体素子との距離が
ある樹脂封止型半導体装置の信号接続用リード部に補強
手段を講ずることにより、小型の半導体装置を提供す
る。そして本発明の第３の目的は、信号接続用リード部
の先端部に段差を有し、段差部の一部に突出部を設ける
ことにより実装品質の良い小型の樹脂封止型半導体装置
を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ために本発明のリードフレームおよびそれを用いた樹脂
封止型半導体装置およびその製造方法は、以下のような
構成を有している。すなわち、リードフレームにおいて
は、ダイパッド部と、前記ダイパッド部の近傍にその各
先端部が延在して配置された信号接続用リード部と、前
記信号接続用リード部と連続して接続するアウターリー
ド部とよりなるリードフレームにおいて、前記信号接続
用リード部の先端部は前記アウターリード部に対して厚
さが薄い薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内に下方に突
出した突出部を有し、前記突出部の表面と前記アウター
リード部の底面とは同一面であり、前記信号接続用リー
ド部の上面には２本の溝部が設けられているリードフレ
ームである。また、ダイパッド部と、前記ダイパッド部
の近傍にその各先端部が延在して配置された信号接続用
リード部と、前記信号接続用リード部に連続して接続す
るアウターリード部と、アウターリード部の他端を支持
したフレーム枠とよりなるリードフレームにおいて、少
なくともフレーム枠、信号接続用リード部の一部、およ
びダイパッド部底面に樹脂フィルムが貼付されたリード
フレームである。また、信号接続用リード部の先端部は
薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内の前記信号接続用リ
ード部表面には複数個の溝部が設けられているリードフ
レームであり、信号接続用リード部には幅広部が形成さ
れているリードフレームである。
ために本発明のリードフレームおよびそれを用いた樹脂
封止型半導体装置およびその製造方法は、以下のような
構成を有している。すなわち、リードフレームにおいて
は、ダイパッド部と、前記ダイパッド部の近傍にその各
先端部が延在して配置された信号接続用リード部と、前
記信号接続用リード部と連続して接続するアウターリー
ド部とよりなるリードフレームにおいて、前記信号接続
用リード部の先端部は前記アウターリード部に対して厚
さが薄い薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内に下方に突
出した突出部を有し、前記突出部の表面と前記アウター
リード部の底面とは同一面であり、前記信号接続用リー
ド部の上面には２本の溝部が設けられているリードフレ
ームである。また、ダイパッド部と、前記ダイパッド部
の近傍にその各先端部が延在して配置された信号接続用
リード部と、前記信号接続用リード部に連続して接続す
るアウターリード部と、アウターリード部の他端を支持
したフレーム枠とよりなるリードフレームにおいて、少
なくともフレーム枠、信号接続用リード部の一部、およ
びダイパッド部底面に樹脂フィルムが貼付されたリード
フレームである。また、信号接続用リード部の先端部は
薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内の前記信号接続用リ
ード部表面には複数個の溝部が設けられているリードフ
レームであり、信号接続用リード部には幅広部が形成さ
れているリードフレームである。
【００１３】また樹脂封止型半導体装置においては、ダ
イパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素
子と金属細線により電気的に接続された信号接続用リー
ド部と、前記ダイパッド部、半導体素子、金属細線の領
域を封止し、少なくとも前記信号接続用リード部の裏面
の一部を突出させて封止した封止樹脂とよりなる樹脂封
止型半導体装置であって、前記信号接続用リード部はそ
の先端部付近に突出部を有し、前記突出部が前記封止樹
脂面から突出して露出し、前記信号接続用リード部の上
面には２本の溝部が設けられている樹脂封止型半導体装
置である。そして信号接続用リード部はその表面に溝部
を有しているものである。また、信号接続用リード部は
その表面に幅広部を有しているものである。また、信号
接続用リード部はその先端部付近に突出部を有し、前記
突出部の先端部が幅広部を有し、その幅広部の表面が封
止樹脂面から露出しているものである。
イパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素
子と金属細線により電気的に接続された信号接続用リー
ド部と、前記ダイパッド部、半導体素子、金属細線の領
域を封止し、少なくとも前記信号接続用リード部の裏面
の一部を突出させて封止した封止樹脂とよりなる樹脂封
止型半導体装置であって、前記信号接続用リード部はそ
の先端部付近に突出部を有し、前記突出部が前記封止樹
脂面から突出して露出し、前記信号接続用リード部の上
面には２本の溝部が設けられている樹脂封止型半導体装
置である。そして信号接続用リード部はその表面に溝部
を有しているものである。また、信号接続用リード部は
その表面に幅広部を有しているものである。また、信号
接続用リード部はその先端部付近に突出部を有し、前記
突出部の先端部が幅広部を有し、その幅広部の表面が封
止樹脂面から露出しているものである。
【００１４】また、樹脂封止型半導体装置の製造方法に
おいては、ダイパッド部と、前記ダイパッド部の近傍に
その各先端部が延在して配置された信号接続用リード部
と、前記信号接続用リード部と連続して接続するアウタ
ーリード部と、前記アウターリード部の他端を支持した
フレーム枠とよりなるリードフレームであって、少なく
ともフレーム枠、信号接続用リード部の一部、およびダ
イパッド部底面に樹脂フィルムが貼付され、前記信号接
続用リード部の先端部は前記アウターリード部に対して
厚さが薄い薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内に下方に
突出した突出部を有し、前記突出部の表面と前記アウタ
ーリード部の底面とは同一面であり、前記信号接続用リ
ード部の上面には２本の溝部が設けられているリードフ
レームに対して、半導体素子を前記ダイパッド部上に接
着する工程と、前記ダイパッド部上に接着した半導体素
子と前記信号接続用リード部とを金属細線により電気的
に接続する工程と、前記信号接続リード部、アウターリ
ード部およびダイパット部底面を前記樹脂フィルムとと
もに樹脂封止用の金型面に押圧して封止樹脂により、前
記半導体素子、金属細線、信号接続用リード部の領域を
樹脂封止する工程と、前記樹脂フィルムを除去し、底面
の封止樹脂面より突出したアウターリード部よりなる外
部電極部、突出部およびダイパット部を形成する工程
と、前記外部電極部の前記フレーム枠と接続した部分を
切断し、外部電極部の先端面と封止樹脂の側面とをほぼ
同一面に形成する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置
の製造方法である。
おいては、ダイパッド部と、前記ダイパッド部の近傍に
その各先端部が延在して配置された信号接続用リード部
と、前記信号接続用リード部と連続して接続するアウタ
ーリード部と、前記アウターリード部の他端を支持した
フレーム枠とよりなるリードフレームであって、少なく
ともフレーム枠、信号接続用リード部の一部、およびダ
イパッド部底面に樹脂フィルムが貼付され、前記信号接
続用リード部の先端部は前記アウターリード部に対して
厚さが薄い薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内に下方に
突出した突出部を有し、前記突出部の表面と前記アウタ
ーリード部の底面とは同一面であり、前記信号接続用リ
ード部の上面には２本の溝部が設けられているリードフ
レームに対して、半導体素子を前記ダイパッド部上に接
着する工程と、前記ダイパッド部上に接着した半導体素
子と前記信号接続用リード部とを金属細線により電気的
に接続する工程と、前記信号接続リード部、アウターリ
ード部およびダイパット部底面を前記樹脂フィルムとと
もに樹脂封止用の金型面に押圧して封止樹脂により、前
記半導体素子、金属細線、信号接続用リード部の領域を
樹脂封止する工程と、前記樹脂フィルムを除去し、底面
の封止樹脂面より突出したアウターリード部よりなる外
部電極部、突出部およびダイパット部を形成する工程
と、前記外部電極部の前記フレーム枠と接続した部分を
切断し、外部電極部の先端面と封止樹脂の側面とをほぼ
同一面に形成する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置
の製造方法である。
【００１５】前記構成により、本発明のリードフレーム
は、信号接続用リードの先端部近傍に下方に突出する突
出部を有したことにより、金属細線を安定に接続するこ
とができ、生産性、品質、実装信頼性の良い樹脂封止型
半導体装置に適したリードフレームを提供できる。
は、信号接続用リードの先端部近傍に下方に突出する突
出部を有したことにより、金属細線を安定に接続するこ
とができ、生産性、品質、実装信頼性の良い樹脂封止型
半導体装置に適したリードフレームを提供できる。
【００１６】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、突
出部が封止樹脂の底面領域に配列されるため、信号接続
用リード部と封止樹脂の結合性が良く、実装信頼性の高
い樹脂封止型半導体装置を提供できる。
出部が封止樹脂の底面領域に配列されるため、信号接続
用リード部と封止樹脂の結合性が良く、実装信頼性の高
い樹脂封止型半導体装置を提供できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームお
よびそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造
方法について、その実施形態を図面を参照しながら説明
する。
よびそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造
方法について、その実施形態を図面を参照しながら説明
する。
【００１８】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、外
部端子部と段差部の突出部底面あるいは幅広部底面を封
止樹脂の裏面から露出させた共通の構成を有しており、
その中の各種の実施形態と製造方法、また使用されるリ
ードフレームの各種形態とその製造方法について説明す
る。
部端子部と段差部の突出部底面あるいは幅広部底面を封
止樹脂の裏面から露出させた共通の構成を有しており、
その中の各種の実施形態と製造方法、また使用されるリ
ードフレームの各種形態とその製造方法について説明す
る。
【００１９】まず図１〜図４を参照しながら本実施形態
のリードフレームについて説明する。図１は本実施形態
のリードフレームを示す平面図であり、図２は信号接続
用リード部の部分を示す平面図（ａ）および断面図
（ｂ）であり、図３は信号接続用リード部の部分を示す
平面図（ａ）および断面図（ｂ）であり、図４は信号接
続用リード部の部分を示す平面図（ａ）および断面図
（ｂ）である。
のリードフレームについて説明する。図１は本実施形態
のリードフレームを示す平面図であり、図２は信号接続
用リード部の部分を示す平面図（ａ）および断面図
（ｂ）であり、図３は信号接続用リード部の部分を示す
平面図（ａ）および断面図（ｂ）であり、図４は信号接
続用リード部の部分を示す平面図（ａ）および断面図
（ｂ）である。
【００２０】まず図１に示すように本実施形態のリード
フレームにおいては、信号接続用リード部８がアウター
リード部９と接続して、フレーム枠１０により支持され
ている。そして少なくとも信号接続用リード部８、アウ
ターリード部９、フレーム枠１０の底面の一部は、樹脂
フィルム１１の面に密着している。樹脂フィルム１１は
フレーム枠１０の裏面側に貼付され、フレーム枠１０の
開口部面にその接着部分が露出しているものである。ま
た半導体素子を搭載するダイパッド部１２は、フレーム
枠１０の開口部に露出した樹脂フィルム１１上に密着し
て設けられ、信号接続用リード部８の各先端部が延在し
て配置された中央部に固着されている。また、ダイパッ
ド部１２は吊りリード部１３により支持されてフレーム
枠１０に接続されているが、吊りリード部１３を廃して
樹脂フィルム１１に直接固着してもよい。なお、ダイパ
ッド部１２が封止樹脂内に内蔵の樹脂封止型半導体装置
では、吊りリード部１３が存在する場合、その吊りリー
ド部１３に段差を設け、ダイパッド部１２がアップセッ
トされているものである。また、吊りリード部１３を有
した樹脂封止型半導体装置に使用する本実施形態のリー
ドフレームは樹脂フィルム１１を使用しないことも可能
であり、樹脂封止型半導体装置の大きさにより、樹脂フ
ィルム１１を使用しても良いが、突出部８ａの下面に樹
脂バリが発生しなければ不要である。ダイパッド部内蔵
型の樹脂封止型半導体装置のダイパッド部１２の下面に
は樹脂フィルム１１は接着されず、ダイパッド部１２は
浮き上がった状態である。そしてダイパッド部１２は、
その形状を目的とする樹脂封止型半導体装置の特性、搭
載する半導体素子の大きさ、厚さ、実装条件、要求信頼
性等により決定し、樹脂フィルム１１上に固着すること
により構成される。なお、本実施形態のリードフレーム
は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを
設けていないリードフレームである。また、本実施形態
において、信号接続用リード部８は、直線的に構成され
ており、曲げ加工等が施されていないリード構成であ
る。
フレームにおいては、信号接続用リード部８がアウター
リード部９と接続して、フレーム枠１０により支持され
ている。そして少なくとも信号接続用リード部８、アウ
ターリード部９、フレーム枠１０の底面の一部は、樹脂
フィルム１１の面に密着している。樹脂フィルム１１は
フレーム枠１０の裏面側に貼付され、フレーム枠１０の
開口部面にその接着部分が露出しているものである。ま
た半導体素子を搭載するダイパッド部１２は、フレーム
枠１０の開口部に露出した樹脂フィルム１１上に密着し
て設けられ、信号接続用リード部８の各先端部が延在し
て配置された中央部に固着されている。また、ダイパッ
ド部１２は吊りリード部１３により支持されてフレーム
枠１０に接続されているが、吊りリード部１３を廃して
樹脂フィルム１１に直接固着してもよい。なお、ダイパ
ッド部１２が封止樹脂内に内蔵の樹脂封止型半導体装置
では、吊りリード部１３が存在する場合、その吊りリー
ド部１３に段差を設け、ダイパッド部１２がアップセッ
トされているものである。また、吊りリード部１３を有
した樹脂封止型半導体装置に使用する本実施形態のリー
ドフレームは樹脂フィルム１１を使用しないことも可能
であり、樹脂封止型半導体装置の大きさにより、樹脂フ
ィルム１１を使用しても良いが、突出部８ａの下面に樹
脂バリが発生しなければ不要である。ダイパッド部内蔵
型の樹脂封止型半導体装置のダイパッド部１２の下面に
は樹脂フィルム１１は接着されず、ダイパッド部１２は
浮き上がった状態である。そしてダイパッド部１２は、
その形状を目的とする樹脂封止型半導体装置の特性、搭
載する半導体素子の大きさ、厚さ、実装条件、要求信頼
性等により決定し、樹脂フィルム１１上に固着すること
により構成される。なお、本実施形態のリードフレーム
は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを
設けていないリードフレームである。また、本実施形態
において、信号接続用リード部８は、直線的に構成され
ており、曲げ加工等が施されていないリード構成であ
る。
【００２１】さらに、本実施形態のリードフレームは、
実際には図１に示した構成よりなるパターンが１つでは
なく、複数個、左右、上下の連続した配列になっている
ものである。図１において、破線で示した領域は、半導
体素子をダイパッド部１２上に搭載し、樹脂封止型半導
体装置を構成する際に樹脂封止する領域であり、また一
点鎖線で示した領域は、樹脂フィルム１１がリードフレ
ーム裏面に貼付された領域を示している。すなわち、破
線で示した内側の領域はインナーリード部である信号接
続用リード部８を構成し、外側の領域はアウターリード
部９を構成するものである。
実際には図１に示した構成よりなるパターンが１つでは
なく、複数個、左右、上下の連続した配列になっている
ものである。図１において、破線で示した領域は、半導
体素子をダイパッド部１２上に搭載し、樹脂封止型半導
体装置を構成する際に樹脂封止する領域であり、また一
点鎖線で示した領域は、樹脂フィルム１１がリードフレ
ーム裏面に貼付された領域を示している。すなわち、破
線で示した内側の領域はインナーリード部である信号接
続用リード部８を構成し、外側の領域はアウターリード
部９を構成するものである。
【００２２】次に図２〜図４に示すように信号接続用リ
ード部８は、突出部８ａ、薄厚部８ｂ、幅広部８ｄ、溝
部８ｃを有しており、封止樹脂との密着性向上、実装基
板との接合性向上および生産性向上を図っている。図２
に示したリード構造では、信号接続用リード部８は、そ
の先端部に突出部８ａを有し、突出部８ａを含むリード
先端部が薄厚部８ｂを構成している。また、図３に示し
たリード構造では、信号接続用リード部８は、その先端
部に突出部８ａを有し、リードの表面には溝部８ｃが設
けられ、それらを含むリード先端部が薄厚部８ｂを構成
している。また、図４に示したリード構造では、信号接
続用リード部８は、その先端部に突出部８ａを有し、そ
の突出部８ａの先端部は平面的に突出して幅広部８ｄを
有し、その突出部８ａを含むリード先端部が薄厚部８ｂ
を構成している。なお、図２〜図４に示した信号接続用
リード部８の構成については、突出部８ａ、薄厚部８
ｂ、幅広部８ｄ、溝部８ｃの各構成を適宜、組み合わせ
てもよい。なお、突出部８ａの表面と信号接続用リード
部８の薄厚部８ｂ以外（アウターリード部）の底面と
は、同一面で構成されている。
ード部８は、突出部８ａ、薄厚部８ｂ、幅広部８ｄ、溝
部８ｃを有しており、封止樹脂との密着性向上、実装基
板との接合性向上および生産性向上を図っている。図２
に示したリード構造では、信号接続用リード部８は、そ
の先端部に突出部８ａを有し、突出部８ａを含むリード
先端部が薄厚部８ｂを構成している。また、図３に示し
たリード構造では、信号接続用リード部８は、その先端
部に突出部８ａを有し、リードの表面には溝部８ｃが設
けられ、それらを含むリード先端部が薄厚部８ｂを構成
している。また、図４に示したリード構造では、信号接
続用リード部８は、その先端部に突出部８ａを有し、そ
の突出部８ａの先端部は平面的に突出して幅広部８ｄを
有し、その突出部８ａを含むリード先端部が薄厚部８ｂ
を構成している。なお、図２〜図４に示した信号接続用
リード部８の構成については、突出部８ａ、薄厚部８
ｂ、幅広部８ｄ、溝部８ｃの各構成を適宜、組み合わせ
てもよい。なお、突出部８ａの表面と信号接続用リード
部８の薄厚部８ｂ以外（アウターリード部）の底面と
は、同一面で構成されている。
【００２３】なお、樹脂フィルム１１の第１の働きは、
特に信号接続用リード部８の各先端部の段差部の突出部
８ａに接着し、突出部８ａの固定を図り、半導体素子を
搭載した後のワイヤーボンド時の金属細線の接続安定性
の役割を果たすものである。また、第２の働きは、信号
接続用リード部８の各先端部の段差部の下面に封止樹脂
を安定して充填する働きである。また、第３の働きは、
ダイパッド部１２の下面側および信号接続用リード部８
の裏面側の外部端子部を構成する部分、突出部８ａ表面
に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマス
ク的な役割を果たすためのものであり、この樹脂フィル
ム１１の存在によって、ダイパッド部１２の下面や、信
号接続用リード部８の裏面側である外部端子部を構成す
る面、突出部８ａの裏面に樹脂バリが形成されるのを防
止するものである。
特に信号接続用リード部８の各先端部の段差部の突出部
８ａに接着し、突出部８ａの固定を図り、半導体素子を
搭載した後のワイヤーボンド時の金属細線の接続安定性
の役割を果たすものである。また、第２の働きは、信号
接続用リード部８の各先端部の段差部の下面に封止樹脂
を安定して充填する働きである。また、第３の働きは、
ダイパッド部１２の下面側および信号接続用リード部８
の裏面側の外部端子部を構成する部分、突出部８ａ表面
に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマス
ク的な役割を果たすためのものであり、この樹脂フィル
ム１１の存在によって、ダイパッド部１２の下面や、信
号接続用リード部８の裏面側である外部端子部を構成す
る面、突出部８ａの裏面に樹脂バリが形成されるのを防
止するものである。
【００２４】この樹脂フィルム１１は、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリイミド、ポリカーボネートなどを主
成分とする樹脂をベースとしたフィルム状またはテープ
状のものであり、樹脂封止後は容易に剥がすことがで
き、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるもの
であればよい。なお樹脂バリとは、樹脂封止の際に発生
するリードフレームに対する残余樹脂であり、樹脂成形
上、不必要な部分である。
レフタレート、ポリイミド、ポリカーボネートなどを主
成分とする樹脂をベースとしたフィルム状またはテープ
状のものであり、樹脂封止後は容易に剥がすことがで
き、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるもの
であればよい。なお樹脂バリとは、樹脂封止の際に発生
するリードフレームに対する残余樹脂であり、樹脂成形
上、不必要な部分である。
【００２５】また、樹脂封止の際、片方の金型はこの樹
脂フィルム１１の働きにより、封止樹脂と接することが
ないため、樹脂バリの発生のほかにも、離型のための押
し出しピンや封止樹脂から金型変形を防止する焼き入れ
等の金型構造を単純化することが出来る。
脂フィルム１１の働きにより、封止樹脂と接することが
ないため、樹脂バリの発生のほかにも、離型のための押
し出しピンや封止樹脂から金型変形を防止する焼き入れ
等の金型構造を単純化することが出来る。
【００２６】以上、本実施形態のリードフレームは、フ
レーム枠１０の裏面に接着面を有した樹脂フィルム１１
が貼付され、開口部から露出した部分には吊りリード部
１３で支持されたダイパッド部１２が設けられ、また開
口部には、ダイパッド部１２の周囲近傍に延在する折り
曲げ加工のない直線的な信号接続用リード部８と、その
信号接続用リード部８と連続して接続したアウターリー
ド部９が設けられ、樹脂フィルム１１上に固着されてい
るものである。そして信号接続用リード部８の先端部
は、薄厚部８ｂを有するとともに、薄厚部８ｂの領域内
では、下方に突出する突出部８ａが設けられ、突出部８
ｂの下面が樹脂フィルム１１に固着しているものであ
る。さらに薄厚部８ｂの領域内では、リード表面に溝部
８ｃや、突出部８ａの先端部には幅広部８ｄが設けられ
ているものである。なお、ダイパッド部１２がアップセ
ットされている場合においては、ダイパッド部１２の下
面は樹脂フィルム１１に固着されず、樹脂フィルム１１
とダイパッド部１２との間には隙間が形成されているも
のである。
レーム枠１０の裏面に接着面を有した樹脂フィルム１１
が貼付され、開口部から露出した部分には吊りリード部
１３で支持されたダイパッド部１２が設けられ、また開
口部には、ダイパッド部１２の周囲近傍に延在する折り
曲げ加工のない直線的な信号接続用リード部８と、その
信号接続用リード部８と連続して接続したアウターリー
ド部９が設けられ、樹脂フィルム１１上に固着されてい
るものである。そして信号接続用リード部８の先端部
は、薄厚部８ｂを有するとともに、薄厚部８ｂの領域内
では、下方に突出する突出部８ａが設けられ、突出部８
ｂの下面が樹脂フィルム１１に固着しているものであ
る。さらに薄厚部８ｂの領域内では、リード表面に溝部
８ｃや、突出部８ａの先端部には幅広部８ｄが設けられ
ているものである。なお、ダイパッド部１２がアップセ
ットされている場合においては、ダイパッド部１２の下
面は樹脂フィルム１１に固着されず、樹脂フィルム１１
とダイパッド部１２との間には隙間が形成されているも
のである。
【００２７】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置に
ついて図面を参照しながら説明する。図５は本実施形態
の樹脂封止型半導体装置を示す斜視平面図であり、図６
はその斜視底面図、図７は主としてダイパッド部／半導
体素子部／信号接続用リード部の部分断面図である。
ついて図面を参照しながら説明する。図５は本実施形態
の樹脂封止型半導体装置を示す斜視平面図であり、図６
はその斜視底面図、図７は主としてダイパッド部／半導
体素子部／信号接続用リード部の部分断面図である。
【００２８】図５〜図７に示すように、本実施形態の樹
脂封止型半導体装置の外観構造としては、外部電極部１
４が封止樹脂１５の周囲に配置され、裏面の封止樹脂１
５にはダイパッド部１２の裏面が露出した構造である。
また、裏面の封止樹脂１５の外部電極部１４の内側領域
には、信号接続用リード部８の突出部８ａの裏面が露出
している構造である。そして本実施形態の樹脂封止型半
導体装置の内部構造としては、ダイパッド部１２上に半
導体素子１６が接着剤により搭載され、半導体素子１６
の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード部８の先
端部とが金属細線１７により電気的に接続され、ダイパ
ッド部１２の裏面以外の領域、半導体素子１６、信号接
続用リード部８の裏面以外の領域は封止樹脂１５により
封止されているものである。すなわち、ダイパッド部１
２と信号接続用リード部８の裏面を除く領域が封止樹脂
１５により封止された構造である。また信号接続用リー
ド部８の上面部分には、溝部１８ａ，１８ｂが設けられ
ているものである。図８には、本実施形態の信号接続用
リード部８の部分平面図（ａ）とその部分断面図（ｂ）
を示す。図示するように、信号接続用リード８部は、先
端部に突出部８ａとその突出部８ａを含む先端部領域に
薄厚部８ｂが設けられ、またリードの上面部分には、溝
部１８ａ，１８ｂおよび幅広部１９が設けられているも
のである。
脂封止型半導体装置の外観構造としては、外部電極部１
４が封止樹脂１５の周囲に配置され、裏面の封止樹脂１
５にはダイパッド部１２の裏面が露出した構造である。
また、裏面の封止樹脂１５の外部電極部１４の内側領域
には、信号接続用リード部８の突出部８ａの裏面が露出
している構造である。そして本実施形態の樹脂封止型半
導体装置の内部構造としては、ダイパッド部１２上に半
導体素子１６が接着剤により搭載され、半導体素子１６
の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード部８の先
端部とが金属細線１７により電気的に接続され、ダイパ
ッド部１２の裏面以外の領域、半導体素子１６、信号接
続用リード部８の裏面以外の領域は封止樹脂１５により
封止されているものである。すなわち、ダイパッド部１
２と信号接続用リード部８の裏面を除く領域が封止樹脂
１５により封止された構造である。また信号接続用リー
ド部８の上面部分には、溝部１８ａ，１８ｂが設けられ
ているものである。図８には、本実施形態の信号接続用
リード部８の部分平面図（ａ）とその部分断面図（ｂ）
を示す。図示するように、信号接続用リード８部は、先
端部に突出部８ａとその突出部８ａを含む先端部領域に
薄厚部８ｂが設けられ、またリードの上面部分には、溝
部１８ａ，１８ｂおよび幅広部１９が設けられているも
のである。
【００２９】また、信号接続用リード部８の外側領域の
下面側には封止樹脂１５は存在せず、信号接続用リード
部８の下面が露出されており、外部電極部１４を構成し
ている。この信号接続用リード部８の露出した下面、お
よび先端部の突出部８ａ、ダイパット部１２の下面が実
装基板との接続面となる。そして、ダイパッド部１２の
露出部および外部電極部１４、リードの突出部８ａの下
面には、樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分であ
る樹脂バリが存在せず、実装基板の電極との接合の信頼
性が向上する。なお、ダイパッド部１２および外部電極
部１４、突出部８ａの構造は後述する製造方法によって
実現できるものである。
下面側には封止樹脂１５は存在せず、信号接続用リード
部８の下面が露出されており、外部電極部１４を構成し
ている。この信号接続用リード部８の露出した下面、お
よび先端部の突出部８ａ、ダイパット部１２の下面が実
装基板との接続面となる。そして、ダイパッド部１２の
露出部および外部電極部１４、リードの突出部８ａの下
面には、樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分であ
る樹脂バリが存在せず、実装基板の電極との接合の信頼
性が向上する。なお、ダイパッド部１２および外部電極
部１４、突出部８ａの構造は後述する製造方法によって
実現できるものである。
【００３０】なお、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
では、信号接続用リード部８の側方には実質的に外部電
極端子となるアウターリード部が存在せず、信号接続用
リード部８の下部が外部電極部１４となっているので、
樹脂封止型半導体装置の小型化を図ることができる。
では、信号接続用リード部８の側方には実質的に外部電
極端子となるアウターリード部が存在せず、信号接続用
リード部８の下部が外部電極部１４となっているので、
樹脂封止型半導体装置の小型化を図ることができる。
【００３１】また封止樹脂の裏面において、外部電極部
１４（信号接続用リード部８の裏面部分）、突出部８ａ
およびダイパッド部１２が封止樹脂１５の面より突出し
て形成されているため、実装基板に樹脂封止型半導体装
置を実装する際の外部電極部１４、突出部８ａおよびダ
イパッド部１２と実装基板の電極との接合において、外
部電極部１４、突出部８ａおよびダイパッド部１２のス
タンドオフ高さが予め確保されていることになる。した
がって、外部電極部１４をそのまま外部端子として用い
ることができ、実装基板への実装のために外部電極部１
４にはんだボールを付設する必要はなく、製造工数、製
造コスト的に有利となる。また突出部８ａは実装信頼性
が保てる場合は実装基板への接合を必ずしもしなくても
良い。また、突出部８ａのみを実装基板に接続しても良
くまた、半田ボールを付けて接続することもできる。
１４（信号接続用リード部８の裏面部分）、突出部８ａ
およびダイパッド部１２が封止樹脂１５の面より突出し
て形成されているため、実装基板に樹脂封止型半導体装
置を実装する際の外部電極部１４、突出部８ａおよびダ
イパッド部１２と実装基板の電極との接合において、外
部電極部１４、突出部８ａおよびダイパッド部１２のス
タンドオフ高さが予め確保されていることになる。した
がって、外部電極部１４をそのまま外部端子として用い
ることができ、実装基板への実装のために外部電極部１
４にはんだボールを付設する必要はなく、製造工数、製
造コスト的に有利となる。また突出部８ａは実装信頼性
が保てる場合は実装基板への接合を必ずしもしなくても
良い。また、突出部８ａのみを実装基板に接続しても良
くまた、半田ボールを付けて接続することもできる。
【００３２】ここで、本実施形態の第１の特徴は、図１
のようにダイパッド部１２と、突出部８ａとを有した信
号接続用リード部８と、信号接続用リード部８に接続す
る外部電極部１４とよりなるリードフレームの底面側に
接着性を有した樹脂フィルム１１を密着させたリードフ
レームを使用することにある。このことにより、突出部
８ａの底面に樹脂バリの付着をなくし生産性、製造上の
従来の課題を解決することが可能になった。第２の特徴
は、先端部は外部端子部に対して段差（薄厚部８ｂ）を
有し、薄厚部の一部に突出部８ａを有しているため、封
止樹脂が突出部８ａの周辺に埋め込まれ、強固な接合が
可能になる。第３の特徴は、実装時に信号接続用リード
部８にかかる応力は、信号接続用リード部８の上面の溝
部１８ａ，１８ｂおよび幅広部１９と先端部の突出部８
ａにより緩和され、実装信頼性を向上させることができ
る。
のようにダイパッド部１２と、突出部８ａとを有した信
号接続用リード部８と、信号接続用リード部８に接続す
る外部電極部１４とよりなるリードフレームの底面側に
接着性を有した樹脂フィルム１１を密着させたリードフ
レームを使用することにある。このことにより、突出部
８ａの底面に樹脂バリの付着をなくし生産性、製造上の
従来の課題を解決することが可能になった。第２の特徴
は、先端部は外部端子部に対して段差（薄厚部８ｂ）を
有し、薄厚部の一部に突出部８ａを有しているため、封
止樹脂が突出部８ａの周辺に埋め込まれ、強固な接合が
可能になる。第３の特徴は、実装時に信号接続用リード
部８にかかる応力は、信号接続用リード部８の上面の溝
部１８ａ，１８ｂおよび幅広部１９と先端部の突出部８
ａにより緩和され、実装信頼性を向上させることができ
る。
【００３３】次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００３４】図９は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造工程を示す断面図であり、工程別に示した図であ
る。
の製造工程を示す断面図であり、工程別に示した図であ
る。
【００３５】まず、図９（ａ）に示すように、信号接続
用リード部８に連結するアウターリード部９よりなるリ
ードフレームの下面および、信号接続用リード部８の先
端部に設けた突出部、ダイパッド部１２に樹脂フィルム
１１を密着させたリードフレーム２０構成体を用意す
る。図中、信号接続用リード部８、アウターリード部
９、および信号接続用リード部８の先端に設けた突出
部、ダイパッド部１２の底面は、少なくとも樹脂フィル
ム１１によって固着されている。なお、信号接続用リー
ド部８は、図で示したような形状を構成しているもので
あるが、図９においては詳細な図示は省略している。ま
た信号接続用リード部８（および連結するアウターリー
ド部９）の外方はフレーム枠に接続されている。フレー
ム枠は信号接続用リード部８と連続しているために、こ
の図面では境界が現れていない。さらに、用意するリー
ドフレーム２０は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止
めるタイバーを設けていないリードフレームである。ま
た、本実施形態におけるリードフレーム２０は、銅（Ｃ
ｕ）素材のフレームに対して、下地メッキとしてニッケ
ル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム（Ｐｄ）層が、最
上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれメッキされた３層
の金属メッキ済みのリードフレームである。ただし、銅
（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の素材を使用で
き、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金
（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されていてもよく、さ
らに、かならずしも３層メッキでなくてもよい。
用リード部８に連結するアウターリード部９よりなるリ
ードフレームの下面および、信号接続用リード部８の先
端部に設けた突出部、ダイパッド部１２に樹脂フィルム
１１を密着させたリードフレーム２０構成体を用意す
る。図中、信号接続用リード部８、アウターリード部
９、および信号接続用リード部８の先端に設けた突出
部、ダイパッド部１２の底面は、少なくとも樹脂フィル
ム１１によって固着されている。なお、信号接続用リー
ド部８は、図で示したような形状を構成しているもので
あるが、図９においては詳細な図示は省略している。ま
た信号接続用リード部８（および連結するアウターリー
ド部９）の外方はフレーム枠に接続されている。フレー
ム枠は信号接続用リード部８と連続しているために、こ
の図面では境界が現れていない。さらに、用意するリー
ドフレーム２０は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止
めるタイバーを設けていないリードフレームである。ま
た、本実施形態におけるリードフレーム２０は、銅（Ｃ
ｕ）素材のフレームに対して、下地メッキとしてニッケ
ル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム（Ｐｄ）層が、最
上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれメッキされた３層
の金属メッキ済みのリードフレームである。ただし、銅
（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の素材を使用で
き、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金
（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されていてもよく、さ
らに、かならずしも３層メッキでなくてもよい。
【００３６】次に、図９（ｂ）に示すように、用意した
リードフレーム２０のダイパッド部１２上に半導体素子
１６を搭載して、接着剤により両者を互いに接合する。
この工程は、いわゆるダイボンド工程である。
リードフレーム２０のダイパッド部１２上に半導体素子
１６を搭載して、接着剤により両者を互いに接合する。
この工程は、いわゆるダイボンド工程である。
【００３７】そして、図９（ｃ）に示すように、ダイパ
ッド部１２上に接合した半導体素子１６と信号接続用リ
ード部８とを金属細線１７により電気的に接合する。こ
の工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。なお、
実際には、信号接続用リード部８の上面に設けた溝部と
溝部との間の領域に金属細線をボンディングすることに
より、樹脂封止した際、溝部に樹脂が充填され、金属細
線１７の接続の信頼性向上が図れるものである。また、
信号接続用リード部８の先端部に設けた突出部の近傍に
金属細線１７をボンデイングするため、突出部の働きに
より、接続安定性が得られる。
ッド部１２上に接合した半導体素子１６と信号接続用リ
ード部８とを金属細線１７により電気的に接合する。こ
の工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。なお、
実際には、信号接続用リード部８の上面に設けた溝部と
溝部との間の領域に金属細線をボンディングすることに
より、樹脂封止した際、溝部に樹脂が充填され、金属細
線１７の接続の信頼性向上が図れるものである。また、
信号接続用リード部８の先端部に設けた突出部の近傍に
金属細線１７をボンデイングするため、突出部の働きに
より、接続安定性が得られる。
【００３８】次に、図９（ｄ）に示すように、半導体素
子１６が接合され、金属細線１７により電気的接続がな
され、樹脂フィルム１１が貼り付けられたリードフレー
ム２０を樹脂封止用の金型内に収納し、金型でリードフ
レーム２０の信号接続用リード８の先端側を樹脂フィル
ム１１とともに押圧して、金型内に封止樹脂１５を流し
込んで樹脂封止を行う。この樹脂フィルム１１は、特に
ダイパッド部１２の下面側、および信号接続用リード部
８の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂１５が回り込まない
ようにするマスク的な役割を果たし、この樹脂フィルム
１１の存在によって、ダイパッド部１２の下面や、信号
接続用リード部８の裏面に樹脂バリが形成されるのを防
止することができる。なお、この樹脂フィルム１１は、
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリカーボ
ネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたテープで
あり、樹脂封止後は容易に剥がすことができ、また樹脂
封止時における高温環境に耐性があるものであればよ
い。本実施形態では、ポリイミドを主成分とした接着性
を有した樹脂フィルム１１を用い、厚みは５０［μｍ］
とした。
子１６が接合され、金属細線１７により電気的接続がな
され、樹脂フィルム１１が貼り付けられたリードフレー
ム２０を樹脂封止用の金型内に収納し、金型でリードフ
レーム２０の信号接続用リード８の先端側を樹脂フィル
ム１１とともに押圧して、金型内に封止樹脂１５を流し
込んで樹脂封止を行う。この樹脂フィルム１１は、特に
ダイパッド部１２の下面側、および信号接続用リード部
８の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂１５が回り込まない
ようにするマスク的な役割を果たし、この樹脂フィルム
１１の存在によって、ダイパッド部１２の下面や、信号
接続用リード部８の裏面に樹脂バリが形成されるのを防
止することができる。なお、この樹脂フィルム１１は、
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリカーボ
ネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたテープで
あり、樹脂封止後は容易に剥がすことができ、また樹脂
封止時における高温環境に耐性があるものであればよ
い。本実施形態では、ポリイミドを主成分とした接着性
を有した樹脂フィルム１１を用い、厚みは５０［μｍ］
とした。
【００３９】次に、図９（ｅ）に示すように、樹脂封止
後、ダイパッド部１２の下面、信号接続用リード部８の
裏面、信号接続用リード部の先端の突出部の裏面に貼付
した樹脂フィルム１１をピールオフにより除去する。こ
れにより、ダイパッド部１２の下面、信号接続用リード
部８の裏面の一部、信号接続用リード部の先端の突出部
の裏面側に封止樹脂１５の裏面よりも下方に突出した構
造が得られ、封止樹脂１５の裏面より突出した外部電極
部が形成される。
後、ダイパッド部１２の下面、信号接続用リード部８の
裏面、信号接続用リード部の先端の突出部の裏面に貼付
した樹脂フィルム１１をピールオフにより除去する。こ
れにより、ダイパッド部１２の下面、信号接続用リード
部８の裏面の一部、信号接続用リード部の先端の突出部
の裏面側に封止樹脂１５の裏面よりも下方に突出した構
造が得られ、封止樹脂１５の裏面より突出した外部電極
部が形成される。
【００４０】最後に、図９（ｆ）に示すように、信号接
続用リード部８の他端、すなわちアウターリード部９側
を、封止樹脂１５の側面とがほぼ同一面になるように切
り離すことにより、樹脂封止型半導体装置が完成され
る。ここで、ダイパッド部１２の下面、信号接続用リー
ド部８の裏面に貼付した樹脂フィルム１１を除去する前
に、信号接続用リード部８の他端側をレーザーあるい
は、金型でカットしても良い。なお、信号接続用リード
部８の裏面の露出した部分が外部電極部１４を構成す
る。
続用リード部８の他端、すなわちアウターリード部９側
を、封止樹脂１５の側面とがほぼ同一面になるように切
り離すことにより、樹脂封止型半導体装置が完成され
る。ここで、ダイパッド部１２の下面、信号接続用リー
ド部８の裏面に貼付した樹脂フィルム１１を除去する前
に、信号接続用リード部８の他端側をレーザーあるい
は、金型でカットしても良い。なお、信号接続用リード
部８の裏面の露出した部分が外部電極部１４を構成す
る。
【００４１】本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法によると、樹脂封止工程の前に予めダイパッド部１
２の下面、および信号接続用リード部８の裏面領域に樹
脂フィルム１１を貼付しているので、樹脂封止際、封止
樹脂１５が回り込むことがなく、ダイパッド部１２や、
信号接続用リード部８の先端に設けた突出部、外部電極
となる信号接続用リード部８の裏面には樹脂バリの発生
はない。したがって、信号接続用リード部８の下面を露
出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごと
く、ダイパッド部１２の下面や外部電極部１４上に形成
された樹脂バリをウォータージェットなどによって除去
する必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するた
めの面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置
の量産工程における工程の簡略化が可能となる。また、
従来、ウォータージェットなどによる樹脂バリ除去工程
において生じるおそれのあったリードフレームのニッケ
ル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）などの金
属メッキ層の剥がれや不純物の付着は解消できる。その
ため、樹脂封止工程前における各金属層のプリメッキ品
質が向上する。なお、ウォータージェットによる樹脂バ
リ除去工程を削除できるかわりに、樹脂フィルム１１を
貼付する工程が新たに必要となるが、樹脂フィルム１１
を貼付する工程の方が、ウォータージェット工程よりも
コスト的に安価であり、また工程管理も容易であるた
め、確実に工程の簡略化が図れる。なによりも、従来必
要であったウォータージェット工程では、リードフレー
ムの金属メッキが剥がれる、不純物が付着するという品
質上のトラブルが発生するが、本実施形態の方法では、
樹脂フィルム１１の貼付により、ウォータージェットが
不要となって、メッキ剥がれをなくすことができる点は
大きな工程上の利点となる。
方法によると、樹脂封止工程の前に予めダイパッド部１
２の下面、および信号接続用リード部８の裏面領域に樹
脂フィルム１１を貼付しているので、樹脂封止際、封止
樹脂１５が回り込むことがなく、ダイパッド部１２や、
信号接続用リード部８の先端に設けた突出部、外部電極
となる信号接続用リード部８の裏面には樹脂バリの発生
はない。したがって、信号接続用リード部８の下面を露
出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごと
く、ダイパッド部１２の下面や外部電極部１４上に形成
された樹脂バリをウォータージェットなどによって除去
する必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するた
めの面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置
の量産工程における工程の簡略化が可能となる。また、
従来、ウォータージェットなどによる樹脂バリ除去工程
において生じるおそれのあったリードフレームのニッケ
ル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）などの金
属メッキ層の剥がれや不純物の付着は解消できる。その
ため、樹脂封止工程前における各金属層のプリメッキ品
質が向上する。なお、ウォータージェットによる樹脂バ
リ除去工程を削除できるかわりに、樹脂フィルム１１を
貼付する工程が新たに必要となるが、樹脂フィルム１１
を貼付する工程の方が、ウォータージェット工程よりも
コスト的に安価であり、また工程管理も容易であるた
め、確実に工程の簡略化が図れる。なによりも、従来必
要であったウォータージェット工程では、リードフレー
ムの金属メッキが剥がれる、不純物が付着するという品
質上のトラブルが発生するが、本実施形態の方法では、
樹脂フィルム１１の貼付により、ウォータージェットが
不要となって、メッキ剥がれをなくすことができる点は
大きな工程上の利点となる。
【００４２】なお、樹脂封止工程においては、封止金型
の熱によって樹脂フィルム１１が軟化するとともに熱収
縮するので、ダイパッド部１２、信号接続用リード部８
の突出部および信号接続用リード部８が樹脂フィルム１
１に食い込み、ダイパッド部１２と封止樹脂１５の裏面
との間、信号接続用リード部８の裏面と封止樹脂１５の
裏面との間、突出部の裏面と封止樹脂１５の裏面との間
には、それぞれ段差が形成される。したがって、ダイパ
ッド部１２の裏面および信号接続用リード部８に設けた
突出部の突出面は、封止樹脂１５の裏面から突出した構
造となり、ダイパッド部１２のスタンドオフ高さや、信
号接続用リード部８の下部である外部電極部１４の突出
量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、本実施
形態では、樹脂フィルム１１の厚みを５０［μｍ］とし
ているので、外部電極部１４の突出量を例えば２０［μ
ｍ］程度にできる。
の熱によって樹脂フィルム１１が軟化するとともに熱収
縮するので、ダイパッド部１２、信号接続用リード部８
の突出部および信号接続用リード部８が樹脂フィルム１
１に食い込み、ダイパッド部１２と封止樹脂１５の裏面
との間、信号接続用リード部８の裏面と封止樹脂１５の
裏面との間、突出部の裏面と封止樹脂１５の裏面との間
には、それぞれ段差が形成される。したがって、ダイパ
ッド部１２の裏面および信号接続用リード部８に設けた
突出部の突出面は、封止樹脂１５の裏面から突出した構
造となり、ダイパッド部１２のスタンドオフ高さや、信
号接続用リード部８の下部である外部電極部１４の突出
量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、本実施
形態では、樹脂フィルム１１の厚みを５０［μｍ］とし
ているので、外部電極部１４の突出量を例えば２０［μ
ｍ］程度にできる。
【００４３】半導体素子の電極と信号接続用リード部と
を接続する金属細線の長さは外部電極部の数、半導体素
子の大きさにより決まり、その長さは生産性、品質に影
響を与える。特に樹脂封止工程での樹脂の流れによる金
属細線のショートによる影響は大きな課題であったが、
外部電極部より薄く加工した信号接続用リード部の突出
部を好適に配することにより、金属細線の接続長さを短
くすることができ、突出部は、金属細線の接続信頼性を
向上し、また、信号接続用リード部と接続した外部電極
部の露出面および突出の下面を、封止樹脂面より突出し
配列することにより、実装基板と半導体装置の実装後の
信頼性に好適な樹脂封止型半導体装置を提供できる。ま
た、突出部に樹脂フィルムを密着するため、金属細線の
接続も容易でまた、樹脂封止性に優れ生産性が良い樹脂
封止型半導体装置を提供できる。
を接続する金属細線の長さは外部電極部の数、半導体素
子の大きさにより決まり、その長さは生産性、品質に影
響を与える。特に樹脂封止工程での樹脂の流れによる金
属細線のショートによる影響は大きな課題であったが、
外部電極部より薄く加工した信号接続用リード部の突出
部を好適に配することにより、金属細線の接続長さを短
くすることができ、突出部は、金属細線の接続信頼性を
向上し、また、信号接続用リード部と接続した外部電極
部の露出面および突出の下面を、封止樹脂面より突出し
配列することにより、実装基板と半導体装置の実装後の
信頼性に好適な樹脂封止型半導体装置を提供できる。ま
た、突出部に樹脂フィルムを密着するため、金属細線の
接続も容易でまた、樹脂封止性に優れ生産性が良い樹脂
封止型半導体装置を提供できる。
【００４４】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の構成
について、別の実施形態について図面を参照しながら説
明する。図１０は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す部分的な断面図である。
について、別の実施形態について図面を参照しながら説
明する。図１０は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す部分的な断面図である。
【００４５】図示するように、本実施形態における樹脂
封止型半導体装置の基本的な構造は、上記第１の実施形
態における図７に示した構造と同様であるが、信号接続
用リード部８の形状が異なる。そこで、本実施形態にお
いては、信号接続用リード部８の形状について説明し、
他の部分についての説明は省略する。
封止型半導体装置の基本的な構造は、上記第１の実施形
態における図７に示した構造と同様であるが、信号接続
用リード部８の形状が異なる。そこで、本実施形態にお
いては、信号接続用リード部８の形状について説明し、
他の部分についての説明は省略する。
【００４６】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、信
号接続用リード部８と、半導体素子１６を支持するため
のダイパッド部１２とよりなり、ダイパッド部１２上に
半導体素子１６が接着剤により接合されており、半導体
素子１６の電極パッドと信号接続用リード部８とは、金
属細線１７により互いに電気的に接続されている。そし
て、信号接続用リード部８、半導体素子１６および金属
細線１７は、封止樹脂１５内に封止されている構造であ
る。また、封止樹脂１５の底面において、信号接続用リ
ード部８の底面側が外部電極部１４を構成している。
号接続用リード部８と、半導体素子１６を支持するため
のダイパッド部１２とよりなり、ダイパッド部１２上に
半導体素子１６が接着剤により接合されており、半導体
素子１６の電極パッドと信号接続用リード部８とは、金
属細線１７により互いに電気的に接続されている。そし
て、信号接続用リード部８、半導体素子１６および金属
細線１７は、封止樹脂１５内に封止されている構造であ
る。また、封止樹脂１５の底面において、信号接続用リ
ード部８の底面側が外部電極部１４を構成している。
【００４７】ここで本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、図７で示した構造に対して、信号接続用リード部８
の先端部に突出部８ａが設けられ、かつその突出部８ａ
の近傍のリード上面に溝部８ｃが設けられているもので
ある。また信号接続用リード部８の上面には、溝部１８
ａ，１８ｂも設けられており、金属細線１７は溝部１８
ａと溝部１８ｂとの間に接続されているものである。ま
た信号接続用リード部８はその先端部に薄厚部８ｂを有
している。なお、信号接続用リード部８は、平面方向に
幅広部を有したり、突出部８ａの先端部に幅広部を有し
たり、それらを組み合わせた構造を有していてもよい。
突出部８ａの先端部の幅広部の働きについて、その一つ
は、封止樹脂１５が突出部８ａの周辺に埋め込まれ、幅
広部の働きにより底面方向にも強固な接合が可能になる
ことである。
は、図７で示した構造に対して、信号接続用リード部８
の先端部に突出部８ａが設けられ、かつその突出部８ａ
の近傍のリード上面に溝部８ｃが設けられているもので
ある。また信号接続用リード部８の上面には、溝部１８
ａ，１８ｂも設けられており、金属細線１７は溝部１８
ａと溝部１８ｂとの間に接続されているものである。ま
た信号接続用リード部８はその先端部に薄厚部８ｂを有
している。なお、信号接続用リード部８は、平面方向に
幅広部を有したり、突出部８ａの先端部に幅広部を有し
たり、それらを組み合わせた構造を有していてもよい。
突出部８ａの先端部の幅広部の働きについて、その一つ
は、封止樹脂１５が突出部８ａの周辺に埋め込まれ、幅
広部の働きにより底面方向にも強固な接合が可能になる
ことである。
【００４８】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、信
号接続用リード部８には溝部１８または幅広部、さらに
はその両方を有することにより、リード部と封止樹脂１
５との密着性（アンカー効果）を向上させることがで
き、製品の外部電極部１４に加わるストレスや金属細線
１７の接続部分へのストレスを緩和させることができ、
製品の信頼性を保つことができる。すなわち、封止樹脂
１５から外部電極部１４のヌケはがれを防止できるもの
である。
号接続用リード部８には溝部１８または幅広部、さらに
はその両方を有することにより、リード部と封止樹脂１
５との密着性（アンカー効果）を向上させることがで
き、製品の外部電極部１４に加わるストレスや金属細線
１７の接続部分へのストレスを緩和させることができ、
製品の信頼性を保つことができる。すなわち、封止樹脂
１５から外部電極部１４のヌケはがれを防止できるもの
である。
【００４９】そして信号接続用リード部８の先端部付近
に突出部８ａを有しているため、封止樹脂１５が突出部
８ａの周辺に埋め込まれ、強固な接合が可能になる。ま
た、信号接続用リード部８の上面の溝部８ｃの働きによ
り、封止樹脂１５と信号接続用リード部８の密着性（ア
ンカー効果）を向上させることができ、金属細線１７を
この近傍に接続する際には、封止樹脂１５によるストレ
スを緩和できる。さらに実装時にも信頼性上の働きがあ
る。外部電極部１４に対しては、実装基板との接合によ
る応力が印加されることになるが、外部電極部１４の上
側部には溝部１８ａ，１８ｂが設けられ、その溝部１８
ａ，１８ｂによって、外部電極部１４に加わる応力を吸
収し、緩和することができるとともに、突出部８ａを有
しているため、封止樹脂１５との結合が強固で機械的、
熱的応力等の実装信頼性が飛躍的に向上する。また突出
部８ａの露出面を実装基板と接合することも可能でより
実装信頼性が向上する。
に突出部８ａを有しているため、封止樹脂１５が突出部
８ａの周辺に埋め込まれ、強固な接合が可能になる。ま
た、信号接続用リード部８の上面の溝部８ｃの働きによ
り、封止樹脂１５と信号接続用リード部８の密着性（ア
ンカー効果）を向上させることができ、金属細線１７を
この近傍に接続する際には、封止樹脂１５によるストレ
スを緩和できる。さらに実装時にも信頼性上の働きがあ
る。外部電極部１４に対しては、実装基板との接合によ
る応力が印加されることになるが、外部電極部１４の上
側部には溝部１８ａ，１８ｂが設けられ、その溝部１８
ａ，１８ｂによって、外部電極部１４に加わる応力を吸
収し、緩和することができるとともに、突出部８ａを有
しているため、封止樹脂１５との結合が強固で機械的、
熱的応力等の実装信頼性が飛躍的に向上する。また突出
部８ａの露出面を実装基板と接合することも可能でより
実装信頼性が向上する。
【００５０】また、本発明の要旨を越えない限り種々の
変形実施が可能であることはいうまでもない。例えば、
突出部８ａの働きで安定した金属細線１７と信号接続用
リード部８の接着強度が得られるため、金線細線の接続
部分を信号接続用リード部８の上部の溝部１８ａ，１８
ｂより離して配置しても良く、金属細線１７の接続長さ
を短くでき、生産性を向上させることができる。
変形実施が可能であることはいうまでもない。例えば、
突出部８ａの働きで安定した金属細線１７と信号接続用
リード部８の接着強度が得られるため、金線細線の接続
部分を信号接続用リード部８の上部の溝部１８ａ，１８
ｂより離して配置しても良く、金属細線１７の接続長さ
を短くでき、生産性を向上させることができる。
【００５１】
【発明の効果】以上、本発明のリードフレームとそれを
用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法におい
て、信号接続用リード部の先端部付近に下方に突出した
突出部を有し、その突出部により樹脂封止した際、リー
ド部が封止樹脂に密着し、信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置の構造を得ることができる。また信号接続用リー
ド部の先端部に突出部を設けているため、金属細線によ
る接続の際、安定して接続することができる。また突出
部の露出面を実装基板と接合することも可能であり、よ
り実装信頼性を向上させることができる。
用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法におい
て、信号接続用リード部の先端部付近に下方に突出した
突出部を有し、その突出部により樹脂封止した際、リー
ド部が封止樹脂に密着し、信頼性の高い樹脂封止型半導
体装置の構造を得ることができる。また信号接続用リー
ド部の先端部に突出部を設けているため、金属細線によ
る接続の際、安定して接続することができる。また突出
部の露出面を実装基板と接合することも可能であり、よ
り実装信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施形態におけるリードフレームを
示す平面図
示す平面図
【図２】本発明の一実施形態におけるリードフレームを
示す図
示す図
【図３】本発明の一実施形態におけるリードフレームを
示す図
示す図
【図４】本発明の一実施形態におけるリードフレームを
示す図
示す図
【図５】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導体
装置を示す斜視図
装置を示す斜視図
【図６】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導体
装置を示す斜視図
装置を示す斜視図
【図７】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導体
装置を示す断面図
装置を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導体
装置のリードを示す図
装置のリードを示す図
【図９】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
装置の製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態における樹脂封止型半導
体装置を示す断面図
体装置を示す断面図
【図１１】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
【符号の説明】
１ インナーリード部
２ ダイパッド部
３ 半導体素子
４ 金属細線
５ 封止樹脂
６ 外部電極部
７ アウターリード部
８ 信号接続用リード部
９ アウターリード部
１０ フレーム枠
１１ 樹脂フィルム
１２ ダイパッド部
１３ 吊りリード部
１４ 外部電極部
１５ 封止樹脂
１６ 半導体素子
１７ 金属細線
１８ａ、１８ｂ 溝部
１９ 幅広部
２０ リードフレーム
Claims (12)
- 【請求項１】 ダイパッド部と、前記ダイパッド部の近
傍にその各先端部が延在して配置された信号接続用リー
ド部と、前記信号接続用リード部と連続して接続するア
ウターリード部とよりなるリードフレームにおいて、前
記信号接続用リード部の先端部は前記アウターリード部
に対して厚さが薄い薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内
に下方に突出した突出部を有し、前記突出部の表面と前
記アウターリード部の底面とは同一面であり、前記信号
接続用リード部の上面には２本の溝部が設けられている
ことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 ２本の溝部は、信号接続用リード部の長
手方向と略垂直方向に設けられていることを特徴とする
請求項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 ダイパッド部と、前記ダイパッド部の近
傍にその各先端部が延在して配置された信号接続用リー
ド部と、前記信号接続用リード部に連続して接続するア
ウターリード部と、アウターリード部の他端を支持した
フレーム枠とよりなるリードフレームにおいて、少なく
ともフレーム枠、信号接続用リード部の一部、およびダ
イパッド部底面に樹脂フィルムが貼付されたことを特徴
とする請求項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 信号接続用リード部は幅広部が形成され
ていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレー
ム。 - 【請求項５】 ダイパッド部上に搭載された半導体素子
と、前記半導体素子と金属細線により電気的に接続され
た信号接続用リード部と、前記ダイパッド部、半導体素
子、金属細線の領域を封止し、少なくとも前記信号接続
用リード部の裏面の一部を突出させて封止した封止樹脂
とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記信号接
続用リード部はその先端部付近に突出部を有し、前記突
出部が前記封止樹脂面から突出して露出し、前記信号接
続用リード部の上面には２本の溝部が設けられているこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項６】 ２本の溝部は、信号接続用リード部の長
手方向と略垂直方向に設けられていることを特徴とする
請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項７】 信号接続用リード部に設けられた２本の
溝部の間に金属細線が接続されていることを特徴とする
請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項８】 信号接続用リード部はその表面に幅広部
を有していることを特徴とする請求項５に記載の樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項９】 突出部の先端部が幅広部を有し、その幅
広部の表面が封止樹脂面から露出していることを特徴と
する請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項１０】 ダイパッド部と、前記ダイパッド部の
近傍にその各先端部が延在して配置された信号接続用リ
ード部と、前記信号接続用リード部と連続して接続する
アウターリード部と、前記アウターリード部の他端を支
持したフレーム枠とよりなるリードフレームであって、
少なくともフレーム枠、信号接続用リード部の一部、お
よびダイパッド部底面に樹脂フィルムが貼付され、前記
信号接続用リード部の先端部は前記アウターリード部に
対して厚さが薄い薄厚部を有し、前記薄厚部の領域内に
下方に突出した突出部を有し、前記突出部の表面と前記
アウターリード部の底面とは同一面であり、前記信号接
続用リード部の上面には２本の溝部が設けられているリ
ードフレームに対して、半導体素子を前記ダイパッド部
上に接着する工程と、前記ダイパッド部上に接着した半
導体素子と前記信号接続用リード部とを金属細線により
電気的に接続する工程と、前記信号接続用リード部、ア
ウターリード部およびダイパット部底面を前記樹脂フィ
ルムとともに樹脂封止用の金型面に押圧して封止樹脂に
より、前記半導体素子、金属細線、信号接続用リード部
の領域を樹脂封止する工程と、前記樹脂フィルムを除去
し、底面の封止樹脂面より突出したアウターリード部よ
りなる外部電極部、突出部およびダイパット部を形成す
る工程と、前記外部電極部の前記フレーム枠と接続した
部分を切断し、外部電極部の先端面と封止樹脂の側面と
をほぼ同一面に形成する工程とよりなることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 ２本の溝部は、信号接続用リード部の
長手方向と略垂直方向に設けられていることを特徴とす
る請求項１０に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１２】 信号接続用リード部に設けられた２本
の溝部の間に金属細線を接続することを特徴とする請求
項１１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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