JP3458057B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び
半導体チップに接続される信号接続用リードを封止樹脂
により封止した樹脂封止型半導体装置その製造方法、及
び樹脂封止型半導体装置の製造に適したリードフレーム
に係り、特に薄型化したものの改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。

【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。

【０００４】図２０は、従来の樹脂封止型半導体装置の
断面図である。図２０に示すように、従来の樹脂封止型
半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂
封止型半導体装置である。

【０００５】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナー
リード１０１と、ダイパッド１０２と、そのダイパッド
１０２を支持する吊りリード（図示せず）とからなるリ
ードフレームとを備えている。そして、ダイパッド１０
２上に半導体チップ１０４が接着剤により接合されてお
り、半導体チップ１０４の電極パッド（図示せず）とイ
ンナーリード１０１とは、金属細線１０５により電気的
に接続されている。そして、ダイパッド１０２，半導体
チップ１０４，インナーリード１０１の一部，吊りリー
ド及び金属細線１０５は封止樹脂１０６により封止され
ている。この構造では、インナーリード１０１の裏面側
には封止樹脂１０６は存在せず、インナーリード１０１
の裏面側は露出されており、この露出面を含むインナー
リード１０１の下部が外部電極１０７となっている。な
お、封止樹脂１０６との密着性を確保するために、イン
ナーリード１０１やダイパッド１０２の側面を表裏の面
に対して直交するのではなく、上方に向かって拡大する
ようにテーパ状にしている。

【０００６】このような樹脂封止型半導体装置において
は、封止樹脂１０６の裏面とダイパッド１０２の裏面と
は共通の面上にある。すなわち、リードフレームの裏面
側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型
半導体装置が実現する。

【０００７】図２０に示す構造を有する樹脂封止型半導
体装置の製造工程においては、まず、インナーリード１
０１、ダイパッド１０２を有するリードフレームを用意
し、機械的又は化学的加工を行なって、リードフレーム
の側面をテーパ状にする。次に、用意したリードフレー
ムのダイパッド１０２の上に半導体チップ１０４を接着
剤により接合した後、半導体チップ１０４とインナーリ
ード１０１とを金属細線１０５により電気的に接続す
る。金属細線１０５には、アルミニウム細線、金（Ａ
ｕ）線などが適宜用いられる。次に、ダイパッド１０
２，半導体チップ１０４，インナーリード１０１，吊り
リード及び金属細線１０５を封止樹脂１０６により封止
する。この場合、半導体チップ１０４が接合されたリー
ドフレームが封止金型内に収納されて、トランスファー
モールドされるが、特にリードフレームの裏面が封止金
型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が行
なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂１０６から外
方に突出しているアウターリードを切断して、樹脂封止
型半導体装置が完成する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の樹脂封止型半導体装置においては、薄型化は実現す
るものの、以下のような問題があった。

【０００９】第１に、ダイパッドの上面及び側面には封
止樹脂が存在するものの、ダイパッドの裏面側には、封
止樹脂が存在しない。そのために、ダイパッド及び半導
体チップに対する封止樹脂の保持力が低下して、信頼性
が悪化するという問題があった。

【００１０】第２に、封止樹脂の応力および実装後の応
力により半導体チップが悪影響を受けたり、封止樹脂に
クラックが発生するという問題もあった。特に、ダイパ
ッドと封止樹脂との間に湿気が侵入した場合には、両者
間の密着性の低下やクラックの発生が顕著になる。これ
によって、さらに信頼性が悪化するという問題があっ
た。

【００１１】第３に、実装基板とダイパッドとの接合に
おいて、ダイパッドの裏面上に封止樹脂の一部がはみ出
していわゆる樹脂バリが介在すると、放熱パッド等との
接触が不十分となり、放熱特性などの所望の特性を十分
発揮できないおそれがある。一方、この樹脂バリはウォ
ータージェットなどの利用によって除去できるが、かか
る処理は煩雑な手間を要し、しかも、ウォータージェッ
ト工程によってニッケル，パラジウム，金のメッキ層が
剥がれ、また不純物が付着することから、樹脂封止工程
後に樹脂封止から露出している部分にメッキを施すこと
が必要となり、作業能率の低下，信頼性の悪化を招くお
それもあった。

【００１２】特に、ダイパッドの上面を封止樹脂の上面
側で露出させた上面露出タイプの樹脂封止型半導体装置
においては、上記従来の樹脂封止型半導体装置の構造を
延長した概念を適用しても、上記各問題点を解消しなが
ら半導体装置の薄型化を図ることができない。

【００１３】本発明は、以上の諸点に鑑みなされたもの
であって、その目的は、上記各問題点を解消しながら、
薄型化に適した上面露出タイプの樹脂封止型半導体装
置，その製造方法、および樹脂封止型半導体装置内に組
み込むのに適したリードフレームを提供することにあ
る。

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【課題を解決するための手段】 本発明の第１の樹脂封止
型半導体装置は、主面上に電極パッドを有する半導体チ
ップと、上記半導体チップを上記主面に対向する面で支
持するダイパッドと、上記ダイパッドを支持するための
複数の支持部と、信号接続用リードと、上記半導体チッ
プの電極パッドと上記信号接続用リードとを電気的に接
続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導体チッ
プ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封止樹脂
とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂
の裏面側で露出し外部端子として機能しており、上記ダ
イパッドの上部のうち少なくとも一部は上記封止樹脂の
上面側で露出しており、上記信号接続用リードのうち上
記半導体チップに近接する内方部分は下面側から部分的
に除去されて他の部分よりも薄くなっており、上記接続
部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の下面に接
続されている。

【００１７】これにより、接続部材が封止樹脂の裏面か
らはみ出ないようにするためのスペースを確保すること
ができるとともに、樹脂封止型半導体装置の厚みを最小
に抑制することが可能になる。

【００１８】上記第１の樹脂封止型半導体装置におい
て、上記信号接続用リードの上記内方部分が上方に位置
するようにアップセットされていてもよい。

【００１９】これにより、接続部材が封止樹脂の裏面か
らはみ出ないようにするためのスペースの確保がより容
易となる。

【００２０】上記信号接続用リードの上記内方部分が上
記半導体チップの下方まで延びていることにより、金属
細線等の接続部材の長さをできるだけ短くすることがで
きるので、接続部材による接続部の信頼性を高く維持す
ることができる。

【００２１】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置は、
主面上に電極パッドを有する半導体チップと、上記半導
体チップを上記主面に対向する面で支持するダイパッド
と、上記ダイパッドを支持するための複数の支持部と、
信号接続用リードと、上記半導体チップの電極パッドと
上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材
と、上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リ
ード及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上記信
号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で露出し
外部端子として機能しており、上記ダイパッドの上部の
うち少なくとも一部は上記封止樹脂の上面側で露出して
おり、上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに
近接する内方部分は上方に位置するようにアップセット
されていて、上記接続部材は上記信号接続用リードの上
記内方部分の下面に接続されている。

【００２２】これにより、接続部材が封止樹脂の裏面か
らはみ出ないようにするためのスペースを確保すること
ができる。

【００２３】

【００２４】これにより、各吊りリードがバネ機能を有
することになるので、樹脂封止の際にダイパッドを金型
面に押圧しながら各吊りリードの変形量のばらつきに起
因するダイパッドの正規位置からの変形を抑制可能な構
造が得られる。

【００２５】本発明の第４の樹脂封止型半導体装置は、
電極パッドを有する半導体チップと、上記半導体チップ
を支持するダイパッドと、上記ダイパッドを支持するた
めの複数の吊りリードと、信号接続用リードと、上記半
導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電
気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導
体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封
止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封
止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、
上記ダイパッドの上部のうち少なくとも一部は上記封止
樹脂の上面側で露出しており、上記各吊りリードは、上
記ダイパッドのコーナー部から封止樹脂の側面まで延び
ており、かつ、バネとして機能できる曲げ部を有してい
る。

【００２６】これによって、各吊りリードが良好なバネ
機能を有することになるので、樹脂封止の際にダイパッ
ドを金型面に押圧しながら各吊りリードの変形量のばら
つきに起因するダイパッドの正規位置からの傾きなどの
変形をより効果的に抑制できる構造が得られる。

【００２７】上記各吊りリードの一部を切断しておくこ
とにより、ダイパッドと各吊りリードの外方側にある部
材との間における信号の流通を回避することができる。

【００２８】上記各吊りリードの切断されている部分の
近傍を薄くしておくことにより、樹脂封止後に吊りリー
ドの一部を切断するのが容易となる。

【００２９】本発明の第５の樹脂封止型半導体装置は、
電極パッドを有する半導体チップと、上記半導体チップ
を支持するダイパッドと、上記ダイパッドを支持するた
めの複数の吊りリードと、信号接続用リードと、上記半
導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電
気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導
体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封
止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封
止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、
上記ダイパッドの上部のうち少なくとも一部は上記封止
樹脂の上面側で露出しており、上記各吊りリードは、上
記ダイパッドと信号接続用リードとの間に介設されてい
る。

【００３０】これにより、各吊りリードがダイパッドの
コーナー部と外枠との間に設けられている構造に比べて
各吊りリードの長さを大幅に短縮できるので、ダイパッ
ドの金型面に対する押圧力を増大させることができる。
すなわち、ダイパッドの上面における樹脂バリの発生を
抑制できるとともに、ダイパッドを封止樹脂から突出さ
せたい場合にもその突出量を大きく確保することができ
る。

【００３１】本発明の第６の樹脂封止型半導体装置は、
電極パッドを有する半導体チップと、上記半導体チップ
を支持するダイパッドと、上記ダイパッドを支持するた
めの複数の吊りリードと、信号接続用リードと、上記半
導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを電
気的に接続する接続部材と、上記ダイパッド，上記半導
体チップ，信号接続用リード及び接続部材を封止する封
止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの一部は上記封
止樹脂の裏面側で露出し外部端子として機能しており、
上記ダイパッドの上部のうち少なくとも一部は上記封止
樹脂の上面側で露出しており、上記各吊りリードは、上
記封止樹脂の側面付近において上記封止樹脂の裏面側で
露出していて、この露出している部分が補強用外部端子
として機能している。

【００３２】これにより、この樹脂封止型半導体装置を
実装基板上に実装する際の接続強度が向上する。例え
ば、はんだにより実装基板上の電極と樹脂封止型半導体
装置の外部電極との間を接続する種類のものでは、樹脂
封止型半導体装置の補強用外部端子と実装基板上のダミ
ー端子などとの間にもはんだを介在させることで、両者
の接続強度が向上する。

【００３３】上記各吊りリード中の上記補強用外部端子
の下面と、上記信号接続用リード中の外部端子の下面と
は、高さ位置が互いに異なっていることにより、例えば
溶融したはんだを介して樹脂封止型半導体装置を実装基
板に搭載する場合におけるセルフアライメント性が向上
するので、実装時間の短縮と実装位置精度の向上とが実
現する。

【００３４】上記信号接続用リードの少なくとも一部
に、溝部が形成されていることにより、信号接続用リー
ドに対する封止樹脂の保持力を高めることができ、樹脂
封止型半導体装置の信頼性が向上する。

【００３５】

【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置
は、ダイパッドの上面を封止樹脂の上面から露出させた
共通の構成を有しており、以下、その中の各種の実施形
態について説明する。

【００３６】（第１の実施形態） 図１は、第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の
断面図である。ただし、図１においては封止樹脂１７を
透明体として扱い、各吊りリードの図示は省略してい
る。

【００３７】図１に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半導体チッ
プを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッド
１３を支持するための吊りリードとからなるリードフレ
ームを備えている。そして、ダイパッド１３の下面に
は、主面上に電極パッド（図示せず）を配列させた半導
体チップ１５が主面を下方に向けて接着剤により接合さ
れており、半導体チップ１５の電極パッドと信号接続用
リード１２の下面とは、金属細線１６により互いに電気
的に接続されている。そして、信号接続用リード１２，
ダイパッド１３，吊りリード，半導体チップ１５及び金
属細線１６は、封止樹脂１７内に封止されている。

【００３８】ここで、本実施形態の第１の特徴は、ダイ
パッド１３の上面側がハーフエッチ等により中央部で凸
部１３ａになりその周囲にフランジ部１３ｂが存在する
ように段付形状になっていて、しかも、ダイパッド１３
がアップセットされ、この凸部１３ａの上面が封止樹脂
の上面で露出している点である。そのため、封止樹脂１
７により封止された状態では、封止樹脂１７がダイパッ
ド１３の凸部１３ａの周囲のフランジ部１３ｂの上方に
薄く存在している。

【００３９】また、本実施形態の第２の特徴は、信号接
続用リード１２の半導体チップ１５に近接した内方部分
は、下面側がハーフエッチされて薄くなっており、この
内方部分の下面の高さ位置は外方部分の下面の高さ位置
よりも上方にあって、上記金属細線１６は、信号接続用
リード１２の内方部分の下面と半導体チップの電極パッ
ドとの間を接続するように構成されている点である。

【００４０】さらに、本実施形態の第３の特徴は、信号
接続用リード１２の外方部分の下面が封止樹脂１７の裏
面側で露出しており、この信号接続用リード１２の外方
部分の下面が実装基板との接続面となっている点、すな
わち、信号接続用リード１２の外方部分の下部が外部電
極１８となっている点である。そして、封止樹脂から露
出している外部電極１８には本来的に樹脂封止工程にお
ける樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、か
つ外部電極１８は封止樹脂１７の裏面よりも下方に少し
突出している。このような樹脂バリの存在しないかつ下
方に突出した外部電極１８の構造は、後述する製造方法
によって容易に実現できる。

【００４１】本実施形態の樹脂封止型半導体装置による
と、ダイパッド１３の上面側が中央部で凸部１３ａとな
る段付形状となっており、この凸部１３ａの上部のみが
封止樹脂から露出しているので、封止樹脂１７がダイパ
ッド１３のフランジ部１３ｂの上方にも薄く存在してい
る。したがって、ダイパッド１３に対する封止樹脂１７
の保持力が増大し、樹脂封止型半導体装置としての信頼
性が向上する。

【００４２】また、保持力が増大することで、封止樹脂
１７とダイパッド１３との密着性が向上するので、両者
の境界からの水分や湿気の侵入を阻むことができ、耐湿
性が向上する。したがって、樹脂封止型半導体装置の信
頼性がさらに向上する。

【００４３】しかも、ダイパッド１３の露出している凸
部１３ａの上面には樹脂バリが存在していないので、凸
部１３ａと実装基板との接合の信頼性や、放熱特性が向
上する。

【００４４】なお、本実施形態では、封止樹脂１７の側
方には外部電極端子となるアウターリードが存在せず、
インナーリードに相当する信号接続用リード１２の下部
が外部電極１８となっているので、半導体装置の小型化
を図ることができる。しかも、外部電極１８の下面には
樹脂バリが存在していないので、実装基板の電極との接
合の信頼性が向上する。また、外部電極１８が封止樹脂
１７の面より突出して形成されているため、実装基板に
樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極と実装基
板の電極との接合において、外部電極１８のスタンドオ
フ高さが予め確保されていることになる。したがって、
外部電極１８をそのまま外部端子として用いることがで
き、実装基板への実装のために外部電極１８にはんだボ
ールを付設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に
有利となる。

【００４５】次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図
２〜図６は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程を示す断面図である。

【００４６】まず、図２に示す工程で、信号接続用リー
ド１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１
３とが設けられているリードフレーム２０を用意する。
図中、ダイパッド１３は吊りリードによって支持されて
いるが、吊りリードはこの断面には現れないために図示
されていない。そして、吊りリードが上方に曲げられる
ことで、ダイパッド１３は外枠よりも上方に位置するよ
うにアップセットされている。また、信号接続用リード
１２の外方はリードフレーム２０の外枠に接続されてい
るが、外枠は信号接続用リードと連続しているために、
この段面では境界が現れていない。ここで、ダイパッド
１３の上面側は、中央部をマスクしたハーフエッチによ
り、中央部が凸部１３ａとなり、その周囲にフランジ部
１３ｂが存在する段付形状に形成されている。さらに、
用意するリードフレーム２０は、樹脂封止の際、封止樹
脂の流出を止めるタイバーを設けていないリードフレー
ムである。

【００４７】また、本実施形態におけるリードフレーム
２０は、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッ
キとしてニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム
（Ｐｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれ
メッキされた３層の金属メッキ済みのリードフレームで
ある。ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等
の素材を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウ
ム（Ｐｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されて
いてもよく、さらに、かならずしも３層メッキでなくて
もよい。

【００４８】次に、図３に示す工程で、用意したリード
フレームのダイパッド１３の下面に半導体チップ１５を
載置して、接着剤により両者を互いに接合する。この工
程は、いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体チ
ップを支持する部材としてはリードフレームに限定され
るものではなく、他の半導体チップを支持できる部材、
例えばＴＡＢテープ、基板を用いてもよい。

【００４９】そして、図４に示す工程で、ダイパッド１
３の下面に接合した半導体チップ１５の下方を向いてい
る主面上の電極パッドと信号接続用リード１２の内方部
分の下面とを金属細線１６により電気的に接合する。こ
の工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細
線としては、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線などを適
宜選択して用いることができる。また、半導体チップ１
５と信号接続用リード１２との電気的な接続は、金属細
線１６を介してでなくバンプなどを介して行なってもよ
い。

【００５０】次に、図５に示す工程で、リードフレーム
のダイパッド１３に半導体チップ１５が接合された状態
で、信号接続用リード１２の外部電極１８の下面に封止
テープ２１を貼り付ける。

【００５１】この封止テープ２１は、特に信号接続用リ
ード１２の外部電極１８の下面側に樹脂封止時に封止樹
脂が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせ
るためのものであり、この封止テープ２１の存在によっ
て、外部電極１８の下面に樹脂バリが形成されるのを防
止することができる。この封止テープ２１は、ポリエチ
レンテレフタレート，ポリイミド，ポリカーボネートな
どを主成分とする樹脂をベースとしたテープであり、樹
脂封止後は容易に剥がすことができ、また樹脂封止時に
おける高温環境に耐性があるものであればよい。本実施
形態では、ポリエチレンテレフタレートを主成分とした
テープを用い、厚みは５０［μｍ］とした。

【００５２】次に、図６に示す工程で、半導体チップ１
５が接合され、封止テープ２１が貼り付けられたリード
フレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂１７を流
し込んで樹脂封止を行う。あるいは、金型内に封止テー
プ２１を貼り付けることも可能である。この際、外部電
極１８の下面側に封止樹脂１７が回り込まないように、
金型でリードフレームの信号接続用リード１２の外方側
（外枠）を下方に押圧して、樹脂封止する。また、ダイ
パッド１３の凸部１３ａの上面は金型面に押圧されて、
封止樹脂１７が凸部１３ａの上方にはみ出ないように樹
脂封止工程を行なう。

【００５３】最後に、外部電極１８の下面に貼付した封
止テープ２１をピールオフにより除去する。これによ
り、封止樹脂１７の上面側では、ダイパッド１３の凸部
１３ａの上面が露出しており、しかもダイパッド１３の
フランジ部１３ｂの上方には封止樹脂１７が存在した構
造が得られる。また、封止樹脂１７の裏面側には封止樹
脂１７の下面から下方に突出した外部電極１８が形成さ
れる。そして、信号接続用リード１２の先端側を、信号
接続用リード１２の先端面と封止樹脂１７の側面とがほ
ぼ同一面になるように切り離すことにより、図１に示す
ような樹脂封止型半導体装置が完成される。

【００５４】本実施形態の製造方法によると、ダイパッ
ド１３の凸部１３ａの一部のみが封止樹脂１７の上面か
ら突出し、かつ、凸部１３ａの周辺のフランジ部１３ｂ
の上方に封止樹脂１７が存在している樹脂封止型半導体
装置を容易に製造することができる。

【００５５】しかも、本実施形態の製造方法によると、
樹脂封止工程の前に予め信号接続用リード１２の外部電
極１８の下面に封止テープ２１を貼付しているので、封
止樹脂１７が回り込むことがなく、外部電極１８の下面
には樹脂バリの発生はない。したがって、信号接続用リ
ードの下面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の
製造方法のごとく、外部電極１８上に形成された樹脂バ
リをウォータージェットなどによって除去する必要はな
い。すなわち、この樹脂バリを除去するための面倒な工
程の削除によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程に
おける工程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォー
タージェットなどによる樹脂バリ除去工程において生じ
るおそれのあったリードフレームのニッケル（Ｎｉ），
パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属メッキ層の
剥がれや不純物の付着は解消できる。そのため、樹脂封
止工程前における各金属層のプリメッキが可能となる。

【００５６】なお、ウォータージェットによる樹脂バリ
除去工程を削除できるかわりに、封止テープを貼付する
工程が新たに必要となるが、封止テープ２１を貼付する
工程の方が、ウォータージェット工程よりもコスト的に
安価であり、また工程管理も容易であるため、確実に工
程の簡略化が図れる。なによりも、従来必要であったウ
ォータージェット工程では、リードフレームの金属メッ
キが剥がれる、不純物が付着するという品質上のトラブ
ルが発生するが、本実施形態の方法では、封止テープの
貼付により、ウォータージェットが不要となって、メッ
キ剥がれをなくすことができる点は大きな工程上の利点
となる。また、封止テープの貼付状態などによって樹脂
バリが発生することがあるとしても、極めて薄い樹脂バ
リであるので、低い水圧でウォータージェット処理して
樹脂バリを除去でき、メッキ剥がれを防止できることか
ら金属層のプリメッキ工程は可能である。

【００５７】なお、樹脂封止工程の終了後に、封止テー
プ２１をつけたままで封止テープ２１の上からレーザー
を照射して信号接続用リード１２の封止樹脂１７の側方
にから突出している部分を切断してもよい。このよう
に、リードフレームの切断部分の周囲が封止テープによ
って覆われているので、レーザーによる溶融物が周囲に
飛散しても、封止テープを剥がすことによって飛散物を
樹脂封止型半導体装置から容易に除去できるという利点
がある。

【００５８】なお、図６に示すように、樹脂封止工程に
おいては、封止金型の熱によって封止テープ２１が軟化
するとともに熱収縮するので、外部電極１８が封止テー
プ２１に大きく食い込み、外部電極１８の下面と封止樹
脂１７の裏面との間には段差が形成される。したがっ
て、外部電極１８は封止樹脂１７の裏面から突出した構
造となり、外部電極１８の突出量（スタンドオフ高さ）
を確保できる。例えば、本実施形態では、封止テープ２
１の厚みを５０μｍとしているので、スタンドオフ高さ
を例えば２０μｍ程度にできる。このように、封止テー
プ２１の厚みの調整によって外部電極１８のスタンドオ
フ高さを適正量に維持できる。このことは、外部電極１
８のスタンドオフ高さを封止テープ２１の厚みの設定の
みでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ量をコン
トロールのための手段または工程を設けなくてもよいこ
と意味し、量産工程における工程管理のコスト上、極め
て有利な点である。この封止テープ２１の厚みは、１０
〜１５０μｍ程度であることが好ましい。

【００５９】なお、用いる封止テープ２１については、
所望するスタンドオフ高さに応じて、所定の硬度，厚み
および熱による軟化特性を有する材質を選択することが
できる。

【００６０】ただし、上記第１の実施形態において、封
止テープ２１に加える圧力の調整によって、外部電極１
８のスタンドオフ高さを調整してもよく、例えば、スタ
ンドオフ高さをほぼ「０」にすることも可能である。

【００６１】なお、本実施形態では、信号接続用リード
１２の外部電極１８の下面側にのみお封止テープ２１を
密着させて樹脂封止工程を行なうようにしたが、この変
形形態として、ダイパッド１３の凸部１３ａの上面側に
も封止テープを装着して樹脂封止工程を行なってもよ
い。その場合、ダイパッド１３の凸部１３ａの上にも樹
脂バリの発生がないので、ダイパッド１３からの放熱性
や、ダイパッド１３と他の電極とを接続する場合の接続
の信頼性が向上する利点がある。

【００６２】（第２の実施形態） 次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態に
おける樹脂封止型半導体装置は、各実施形態におけるい
ずれの構造を有していてもよいが、ダイパッドの形状の
みが異なる。そこで、本実施形態においては、ダイパッ
ドの形状のみについて説明し、他の部分についての説明
は省略する。

【００６３】−第１の具体例− 図７（ａ）は本実施形態の第１の具体例に係るダイパッ
ド１３の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すVIIb−
VIIb線における断面図である。図７（ａ），（ｂ）に示
すように、本具体例に係るダイパッド１３には、４つの
コーナー部にそれぞれ小円状の貫通孔３０ａが形成され
ている。ただし、この貫通孔３０ａは、半導体チップ１
５の搭載領域の外方に形成されている。なお、ダイパッ
ド１３の上面側には凸部が形成されてないが、凸部を形
成しておいてもよい。

【００６４】本実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止
型半導体装置によると、ダイパッド１３に貫通孔３０ａ
が形成されているので、貫通孔３０ａ内に封止樹脂が入
り込むことにより、ダイパッド１３に対する封止樹脂１
７の保持力が大幅に向上する。また、その結果、ダイパ
ッド１３と封止樹脂１７との密着性が増大するので、両
者の境界部からの水分や湿気等の侵入を阻むことがで
き、耐湿性の向上を図ることができるのである。

【００６５】ここで、樹脂封止型半導体装置の製造工程
において、上記第１の実施形態の変形形態として説明し
たように、封止テープをダイパッド１３の上面に密着さ
せて樹脂封止を行なうことで、貫通孔から樹脂が漏れる
ことがない。すなわち、従来のような樹脂封止方法で
は、封止樹脂から露出しているダイパッドに貫通孔を設
けると、貫通孔から封止樹脂がダイパッドの裏面側に漏
れる。しかも、ダイパッドには封止金型の押圧力が加わ
らないことから、信号接続用リードの裏面側に比べて封
止樹脂の漏れる量が多く、製品価値がなくなるおそれが
ある。そのため、ダイパッドを封止樹脂内に埋め込む場
合はともかくダイパッドの上面を封止樹脂から露出させ
るタイプの樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッ
ドに貫通孔を設ける構造は採用しがたいと思われる。そ
れに対し、本実施形態では、封止テープをダイパッドの
上面に密着させて樹脂封止を行なう方法を採用したこと
で、不具合を招くことなく、ダイパッド１３に貫通孔３
０ａを設けて封止樹脂の保持力を高めることができるの
である。

【００６６】なお、図８の変形例に示すように、小円状
ではなく長穴状の貫通孔３０ｂを設けてもよい。この場
合には、貫通孔３０ｂの横断面積がより大きくなるの
で、ダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力がさ
らに向上する。

【００６７】なお、半導体チップ１５は、ダイパッド１
３からはみ出す程度に大きなサイズを有していもよい。

【００６８】また、貫通孔でないブラインドホールを形
成しても封止樹脂１７の保持力増大効果を得ることがで
きる。

【００６９】−第２の具体例− 図９（ａ）は本実施形態の第２の具体例に係るダイパッ
ド１３の平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）に示すIXb-IX
b 線における断面図である。図９（ａ），（ｂ）に示す
ように、本具体例に係るダイパッド１３には、４つのコ
ーナー部にそれぞれ上方側が広い段付の貫通孔３０ｃが
形成されている。この貫通孔３０ｃは、半導体チップ１
５の搭載領域の外方に形成されている。また、ダイパッ
ド１３の上面側にはハーフエッチ等により凸部１３ａが
形成されている点は、上記第１の実施形態におけるダイ
パッド１３の構造と同じであるが、貫通孔３０ｃは凸部
に設けられている。

【００７０】本実施形態の第２の具体例に係る樹脂封止
型半導体装置によると、ダイパッド１３に上方側が広い
段付の貫通孔３０ｃが形成されているので、ダイパッド
１３に対する封止樹脂１７の保持力が大幅に向上する。

【００７１】なお、図１０の変形例に示すように、小円
状ではなく長穴状の貫通孔３０ｄを設けてもよい。この
場合には、貫通孔３０ｄの横断面積がより大きくなるの
で、ダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力がさ
らに向上する。特に、長穴状の貫通孔３０ｄの場合、細
く長い形状にすることで、貫通孔３０ｄよりも内側にお
けるダイパッド１３の面積を広く確保できるので、搭載
する半導体チップの大きさの制限を緩和することができ
る。言い換えると、同じ大きさの半導体チップに対する
樹脂封止型半導体装置のサイズを小さくすることができ
る。

【００７２】なお、貫通孔３０ｃ又は３０ｄは、必ずし
も半導体チップ１５の搭載領域の外方に設けられている
必要はないが、その場合には、ダイパッド１３の裏面側
から封止樹脂１７が回り込める部分、つまり、凸部の周
辺領域に貫通孔３０ｃ又は３０ｄを設けておくことが好
ましい。

【００７３】また、ダイパッド上に半導体チップをバン
プを介してフリップチップ接続する構造とする場合に
は、半導体チップとダイパッドとの間に間隙を作ること
で、貫通孔の位置がどこにあっても必ず封止樹脂が回り
込む。したがって、貫通孔の位置には原則として制限は
ない。

【００７４】また、図９，図１０に示す半導体チップ１
５は、貫通孔３０ｃ，３０ｄよりも外方にはみ出す大き
さを有していてもよい。

【００７５】（第３の実施形態） 次に、信号接続用リードの構造に関する第３の実施形態
の各具体例について説明する。

【００７６】−第１の具体例− 図１１は、第３の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封
止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、信
号接続用リード１２の内方部分は、下面側からハーフエ
ッチされて外方部分よりも薄くなっており、この内方部
分の下面と半導体チップ１５との間に金属細線１６が設
けられている。そして、信号接続用リード１２の外方部
分の上面、つまり外部電極１８の上方には、２つの溝部
３１が設けられている。さらに、図示しないが、信号接
続用リード１２の外方部分のうちこの溝部が形成されて
いる部分は下方よりも幅が広くなっている。

【００７７】本具体例のように、信号接続用リード１２
の内方部分を下面側からハーフエッチすることにより、
内方部分の下面の高さ位置がその外方部分の下面の高さ
位置よりも上方になるので、全体の厚みを厚くしなくて
も、封止樹脂１７の裏面との間にある程度の空間を確保
することができる。したがって、金属細線１６の一端を
信号接続用リード１２の内方部分の下面に接続しても、
金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設することが
できる。

【００７８】つまり、樹脂封止型半導体装置の薄型を図
りつつ、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのを
防止することができる。

【００７９】しかも、信号接続用リード１２の内方部分
の下側に封止樹脂１７が回り込むことで、信号接続用リ
ード１２に対する封止樹脂１７の保持力も増大する。

【００８０】また、信号接続用リード１２の外方部分の
上面に溝部３１を設けることにより、信号接続用リード
１２に対する封止樹脂１７の保持力が増大し、かつ、信
号接続用リード１２の外方部分の上部の幅を下部よりも
広くすることにより、封止樹脂１７の保持力がさらに増
大することになる。

【００８１】−第２の具体例− 図１２は、第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の
断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号
接続用リード１２の内方部分に下面側からハーフエッチ
が施されているとともに、この内方部分がアップセット
され、アップセットされた部分の下面に金属細線１６の
一端が接続されている。

【００８２】この具体例では、第１の具体例に比べて信
号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５に近
づけることができるので、金属細線１６の信頼性が向上
する。また、信号接続用リード１２の内方部分の下方に
十分なスペースが確保されるので、金属細線１６を封止
樹脂１７内に確実に埋設でき、金属細線１６が封止樹脂
１７から露出するのをより確実に防止することができ
る。

【００８３】−第３の具体例− 図１３は、第３の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の
断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号
接続用リード１２にはハーフエッチが施されていない
が、信号接続用リード１２の内方部分がその外方部分よ
りもアップセットされている。

【００８４】本具体例によっても、信号接続用リード１
２の内方部分を半導体チップ１５に近づけることができ
るので、金属細線１６のワイヤボンディングの信頼性が
向上する。また、信号接続用リード１２の内方部分の下
方に十分なスペースが確保されるので、金属細線１６を
封止樹脂１７内に確実に埋設でき、金属細線１６が封止
樹脂１７から露出するのを確実に防止することができ
る。

【００８５】−第４の具体例− 図１４は、第４の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の
断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号
接続用リード１２に下面側からハーフエッチが施され、
かつ、信号接続用リード１２の内方部分は半導体チップ
１５の下方領域まで延びている。また、半導体チップ１
５の主面上の電極パッド（図示せず）は、半導体チップ
の外周付近ではなく、中央部に近い領域に配列されてい
る。そして、半導体チップの電極パッドと信号接続用リ
ード１２の内方部分の下面との間に金属細線１６が設け
られている。

【００８６】本具体例では、信号接続用リード１２の内
方部分を半導体チップ１５の電極パッドが配列された位
置に近づけることができるので、金属細線１６の長さを
短くすることができる。したがって、樹脂封止型半導体
装置の薄型化を図りつつ、金属細線１６のワイヤボンデ
ィングの信頼性の向上を図ることができる。

【００８７】なお、この第４の具体例において信号接続
用リード１２の内方部分をアップセットするようにして
もよいことはいうまでもない。

【００８８】（第４の実施形態） 次に、第４の実施形態について説明する。本実施形態で
は、樹脂封止を行なう際のダイパッド１３の変形を抑制
するための具体例について説明する。本実施形態におけ
る樹脂封止型半導体装置は、各実施形態におけるいずれ
の構造を有していてもよいが、吊りリードの形状のみが
異なる。そこで、本実施形態においては、吊りリードや
それにつながるダイパッドを除く他の部分についての説
明は省略する。

【００８９】−第１の具体例− 図１５（ａ），（ｂ）は、第１の具体例に係る樹脂封止
型半導体装置のうちダイパッド１３と吊りリード１４と
の接続部付近を拡大して示す部分断面図である。

【００９０】図１５（ａ），（ｂ）に示すように、本具
体例の吊りリード１４は、少なくとも一部がハーフエッ
チにより薄くなっている。そして、図１５（ａ）は吊り
リード１４を上面側からハーフエッチしたときの構造を
示し、図１５（ｂ）は吊りリード１４を下面側からハー
フエッチしたときの構造を示している。なお、図１５
（ａ）に示す場合には、ダイパッド１３は凸部１３ａと
フランジ部１３ｂとを有する構造となっている。ただ
し、ダイパッド１３の上面から信号接続用リード１２
（外枠）の最下面までの高さは、封止金型のキャビティ
の高さよりも小さめになっている。

【００９１】本具体例に係る樹脂封止型半導体装置によ
ると、吊りリード１４の少なくとも一部を薄くしたこと
によって、吊りリード１４にバネ作用が生じるので、樹
脂封止工程におけるダイパッド１３の変形を抑制するこ
とができる。すなわち、封止金型の型締め力が加わる
と、ダイパッド１４および吊りリード１４に押圧力が加
わる。そして、この押圧力によってダイパッド１３が上
金型の面に押圧されるので、ダイパッド１３への樹脂バ
リの発生を抑制することができる。ところが、四方の吊
りリード１４の寸法のばらつきなどによって各吊りリー
ド１４の変形量に差があると、ダイパッド１３に水平方
向から傾くなどの変形を生じるおそれがある。それに対
し、本具体例の構造では、吊りリード１４がバネ機能を
有していることで、吊りリード１４の変形が曲げ部４５
において吸収されるので、ダイパッド１３がほぼ水平に
維持される。つまり、所望の形状からの変形が抑制され
る。

【００９２】特に、図１５（ａ）に示すような吊りリー
ド１４を上面側からハーフエッチする構造の場合には、
吊りリード１４が封止樹脂１７から露出するのを防止で
きる利点がある。また、ダイパッド１３に凸部１３ａを
設けたものでは、凸部１３ａを形成するためのハーフエ
ッチを行う際に吊りリード１４にもハーフエッチを施す
ことができる利点がある。

【００９３】また、図１５（ｂ）に示すような吊りリー
ド１４を下面側からハーフエッチする構造の場合には、
ダイパッド１３の下面にダイパッド１３よりも広い半導
体チップ１５を搭載しても、吊りリード１４と半導体チ
ップ１５との干渉を回避できるという利点がある。ま
た、この場合、信号接続用リードの下面にハーフエッチ
を施す場合には、その工程で吊りリード１４にもハーフ
エッチを施せばよい。

【００９４】なお、吊りリード１４に両面側からハーフ
エッチを施すようにしてもよい。その場合、図１５
（ａ），（ｂ）に示す構造の効果を併せて得ることがで
きる。

【００９５】−第２の具体例− 図１６（ａ）は、第２の具体例に係る吊りリードの平面
図であり、図１６（ｂ）は図１６（ａ）に示すXVIb-XVI
b 線に示す断面におけるリードフレームの断面図であ
る。図１６（ａ），（ｂ）に示すように、ダイパッド１
３の４つのコーナーから延びて、外枠４６に接続される
吊りリード１４が設けられており、この吊りリード１４
にバネとして機能するコ字状の曲げ部４５が設けられて
いる。また、外枠４６よりもダイパッド１３の方が高く
なるようにダイパッド１３がアップセットされている。
本具体例では、このアップセット量は４０〜８０μｍ程
度である。

【００９６】本具体例の場合にも、外枠４６よりもダイ
パッド１３方が高くなっているので、外枠に封止金型の
型締め力が加わると、吊りリード１４を介してダイパッ
ド１３に押圧力が加わる。そして、この押圧力によって
ダイパッド１３が上金型の面に押圧されるので、ダイパ
ッド１３への樹脂バリの発生を抑制することができる。
ところが、四方の吊りリード１４の間で変形量に差があ
ると、ダイパッド１３が水平方向から傾くおそれがあ
る。しかし、このように吊りリード１４がバネ機能を有
していることで、吊りリード１４の変形が曲げ部４５に
おいて吸収されるので、ダイパッド１３の所望の形状か
らの変形が抑制される。

【００９７】特に、本具体例の場合には、吊りリード１
４にコ字状の曲げ部４５が設けられていることで、第１
の具体例の構造よりもバネ機能が優れており、ダイパッ
ド１３の変形抑制作用が大きいという利点がある。

【００９８】なお、図１６（ｂ）に示す形状では、全体
に傾斜があることでダイパッド１３がコ字状の曲げ部４
５よりも高くなっているが、コ字状の曲げ部４５の両側
で段差を設けることにより、ダイパッド１３をアップセ
ットすることも可能である。

【００９９】−第３の具体例− 図１７（ａ）は本実施形態の第３の具体例に係るリード
フレームの平面図であり、図１７（ｂ）は図１７（ａ）
のXVIIb−XVIIb線における断面図である。

【０１００】図１７（ａ），（ｂ）に示すように、本具
体例のリードフレームにおいては、外枠４６につながる
信号接続用リード１２とダイパッド１３との間に吊りリ
ード１４が介設されている。すなわち、吊りリード１４
及び信号接続用リード１２を介して、外枠４６によりダ
イパッド１３を支持するように構成されている。そし
て、この吊りリード１４には、バネ作用を持たせるため
のコ字状の曲げ部４５が設けられている。また、本実施
形態では、信号接続用リード１２の裏面の一部はハーフ
エッチが施されており、吊りリード１４は全体的にハー
フエッチされて薄くなっている。また、信号接続用リー
ド１２の表側には信号接続用リード１２が延びる方向に
直交する２つの溝が形成されている。

【０１０１】このように、信号接続用リード１２とダイ
パッド１３の辺部との間に吊りリード１４を介設するこ
とにより、吊りリード１４をコーナー部に設けるよりも
短くできる。すなわち、ダイパッド１３に作用する上金
型面への押圧力をより大きくできる。しかも、吊りリー
ド１４に設けられた曲げ部４５のバネ機能によって吊り
リード１４の変形量などのアンバランスを調整して、ダ
イパッド１３の水平面からの傾きなどの変形を抑制する
ことができる。

【０１０２】−各具体例の変形例− 次に、吊りリード１４にバネ機能を持たせるための構造
のみについて、上記具体例の変形例について、図１８
（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。

【０１０３】図１８（ａ）は、吊りリード１４の一部に
下面側から切り込み部４６を設けることで、バネ機能を
持たせた例を示す部分断面図である。図１８（ｂ）は、
吊りリード１４の一部に上面側から切り込み部４７を設
けることで、バネ機能を持たせた例を示す部分断面図で
ある。図１８（ａ），（ｂ）のいずれの構造によって
も、曲げ部に比べて簡素な構成で吊りリード１４にバネ
機能を持たせることができ、製造の容易化を図ることが
できる。

【０１０４】図１８（ｃ）は、吊りリード１４に下方に
凸となる曲げ部４５を形成し、この曲げ部４５の一部を
封止樹脂のいずれかの面に露出する高さとした構造を示
す部分断面図である。ただし、吊りリード１４が信号接
続用リード１２とダイパッド１３との間に設けられてい
る場合には、封止樹脂１７の裏面側ではなく封止樹脂１
７の上面側あるいは斜面側に凸となる曲げ部４５を形成
する。その場合には、信号接続用リード１２の内方部分
と半導体チップ１５の電極パッドとの間に設けられる金
属細線１６との干渉を招くことはない。

【０１０５】このような構造の場合には、樹脂封止工程
の後に、レーザーなどによって露出している吊りリード
１４の一部を切断することができるので、ダイパッド１
３と吊りリード１４の外方側の部材とを電気的に分離で
きるなどの利点がある。すなわち、吊りリード１４の一
部を樹脂封止工程の後に切断することにより、例えば信
号接続用リード１２とダイパッド１３との電気的な接続
を断つことができ、バイポーラトランジスタを搭載した
半導体チップについても、このような構造を適用できる
という利点がある。

【０１０６】なお、図１８（ｃ）に示す構造の場合に
は、曲げ部４５のうち切断する部分を薄くして切断が容
易かつ迅速に行えるようにしているが、このように切断
部分を特に薄くしておく必要は必ずしもない。

【０１０７】また、樹脂封止工程の終了後に、封止テー
プ２１をつけたままで封止テープ２１の上から吊りリー
ド１４の一部（曲げ部に限定されない）を切断してもよ
い。このように、バネ機能を有する吊りリード１４の一
部を切断しておくことで、形成される樹脂封止型半導体
装置においては上述の効果が得られる。しかも、切断部
の周囲が封止テープ２１によって覆われているので、レ
ーザーによる溶融物が周囲に飛散しても、封止テープ２
１を剥がすことによって飛散物を樹脂封止型半導体装置
から容易に除去できるという利点がある。

【０１０８】なお、本実施形態においても、ダイパッド
１３に図１に示すような凸部を形成し、この凸部のみを
封止樹脂から露出させる構造を採用することができる。
その方がダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力
を高くすることができる点で、より好ましいといえる。

【０１０９】（第５の実施形態） 次に、第５の実施形態について説明する。本実施形態で
は、吊りリードを補強用外部端子として用いるための構
造について説明する。

【０１１０】図１９は、第５の実施形態に係る樹脂封止
型半導体装置の裏面の構造を示す平面図である。

【０１１１】同図に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、裏面に信号接続用リードにつながる外
部電極１８を露出させているとともに、４カ所のコーナ
ー部においてダイパッド１３を支持するための吊りリー
ド１４の外方側端部を露出させており、この部分が補強
用外部端子４９として機能する。すなわち、樹脂封止型
半導体装置を実装基板上に搭載する場合に、はんだ等で
実装基板側の電極と樹脂封止型半導体装置の外部電極１
８とが接続される。その際、補強用外部端子４９と実装
基板側のダミー端子などとの間にもはんだ等を介在させ
ることにより、実装強度を極めて高めることができる。
また、補強用外部端子４９が存在することで、はんだの
張力によるセルフアライメント作用が顕著となり、実装
に要する時間の短縮や実装される位置精度の向上をも図
ることができる。

【０１１２】本実施形態における外部端子として機能す
る吊りリード１４に対しても、上記第４の実施形態にお
ける各具体例および変形例の構造が適用できることはい
うまでもない。

【０１１３】なお、補強用外部端子４９と外部電極１８
との高さ位置を変えておくことで、アライメント性をさ
らに向上させることができ、実装に要する時間の短縮や
実装される位置精度の向上効果を顕著に発揮することが
できる。その場合、上記補強用外部端子４９の露出して
いる部分の下面と、上記外部電極１８の露出している部
分の下面との高さの差は、１０〜１５０μｍであること
が好ましい。

【０１１４】なお、本発明における外部電極１８は必ず
しも樹脂封止型半導体装置の裏面の４つの辺部に設けら
れている必要はなく、いずれか２つの平行な辺部に沿っ
てのみ設けられていてもよい。

【０１１５】（第６の実施形態） 本実施形態では、外部電極の封止樹脂からの突出量を調
整するための樹脂封止方法について説明する。

【０１１６】図２０は、本実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図
である。同図に示すように、上金型５０ａと下金型５０
ｂとからなる封止金型を用い、ダイパッド１３上に半導
体チップ１５を搭載し、半導体チップの電極パッドと信
号接続用リード１２とを金属細線１６で接続したものを
封止金型の下金型５０ｂに装着し、リードフレームの下
面に封止テープ２１を密着させた状態で樹脂封止を行な
う。

【０１１７】ここで、本実施形態の製造方法の特徴は、
下金型５０ｂにおいて、リードフレームの信号接続用リ
ード１２の外方部分である外部電極１８（及び外枠４
６）に対向する領域には凹状の逃げ部５２が設けられて
いる点である。

【０１１８】このように封止金型に逃げ部５２を設けて
おくことにより、封止テープ２１を逃げ部５２の方に逃
すことで、信号接続用リード１２の封止テープ２１への
食い込み量が小さくなる。その結果、封止金型の型締め
力だけでなく逃げ部５２の深さによって、突出させよう
とする部分の突出量を所望の値に調整することでき、樹
脂バリの発生量も最小化することができる。

【０１１９】同様に、上記各実施形態において露出させ
る部分（例えばダイパッド１３の上面）に対向する金型
面に逃げ部を設けることにより、当該露出部分の封止樹
脂からの突出量の調節や、樹脂バリの発生量の最小化を
図ることができる。

【０１２０】ただし、封止金型の上金型と下金型との間
の型締め力の調整や、上金型−下金型間の寸法よりもリ
ードフレームの寸法を大きめにする場合の寸法の設定量
によって、上記各実施形態において露出させる部分の突
出量を調節してもよい。

【０１２１】（その他の実施形態） なお、金型に真空引き用の穴を設け、封止テープ２１を
真空引きしながら樹脂封止を行なうことにより、封止テ
ープのシワの発生を抑制し、封止樹脂の裏面の平坦化を
図ることもできる。

【０１２２】

【発明の効果】本発明の脂封止型半導体装置によると、
つりリードにバネ機能を持たせたので、各支持部の変形
量のばらつきに起因するダイパッドの正規位置からの変
形を抑制する機能のある樹脂封止型半導体装置の提供を
図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。

【図２】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程におけるリードフレームを用意する工程を示す断面
図である。

【図３】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程におけるダイパッドに半導体チップを接合する工程
を示す断面図である。

【図４】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程における金属細線を形成する工程を示す断面図であ
る。

【図５】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程における封止テープをリードフレームの下に敷く工
程を示す断面図である。

【図６】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
工程における樹脂封止工程を示す断面図である。

【図７】本発明の第２の実施形態の第１の具体例に係る
リードフレームの平面図及び断面図である。

【図８】本発明の第２の実施形態の第１の具体例の変形
例に係るリードフレームの平面図である。

【図９】本発明の第２の実施形態の第２の具体例に係る
リードフレームの平面図及び断面図である。

【図１０】本発明の第２の実施形態の第２の具体例の変
形例に係るリードフレームの平面図である。

【図１１】本発明の第３の実施形態の第１の具体例に係
る樹脂封止型半導体装置の断面図である。

【図１２】本発明の第３の実施形態の第２の具体例に係
る樹脂封止型半導体装置の断面図である。

【図１３】本発明の第３の実施形態の第３の具体例に係
る樹脂封止型半導体装置の断面図である。

【図１４】本発明の第３の実施形態の第４の具体例に係
る樹脂封止型半導体装置の断面図である。

【図１５】本発明の第４の実施形態の第１の具体例に係
る樹脂封止型半導体装置のうちダイパッドと吊りリード
との接続部付近を拡大して示す部分断面図である。

【図１６】本発明の第４の実施形態の第２の具体例に係
るリードフレームの平面図及び断面図である。

【図１７】本発明の第４の実施形態の第３の具体例に係
るリードフレームの平面図及び断面図である。

【図１８】本発明の第４の実施形態の各具体例の変形例
に係るリードフレームの一部を示す部分断面図である。

【図１９】本発明の第５の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の裏面の構造を示す平面図である。

【図２０】本発明の第６の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図
である。

【図２１】従来の裏面側に外部電極を有するタイプの樹
脂封止型半導体装置の断面図である。

【符号の説明】

１２ 信号接続用リード １３ ダイパッド １４ 吊りリード １５ 半導体チップ １６ 金属細線 １７ 封止樹脂 １８ 外部電極 ２１ 封止テープ ３０ 貫通孔 ３１ 溝部 ４５ 曲げ部 ４６ 外枠 ４７ 切り込み部 ４８ 曲げ部 ４９ 補強用外部端子 ５０ａ 上金型 ５０ｂ 下金型 ５２ 逃げ部

Claims (15)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 主面上に電極パッドを有する半導体チッ
   プと、 上記半導体チップを上記主面に対向する面で支持するダ
   イパッドと、 上記ダイパッドを支持するための複数の支持部と、 信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
   とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード
   及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
   露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドの上部のうち少なくとも一部は上記封止
   樹脂の上面側で露出しており、 上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接す
   る内方部分は下面側から部分的に除去されて他の部分よ
   りも薄くなっており、 上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の
   下面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導
   体装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置に
   おいて、 上記信号接続用リードの上記内方部分が上方に位置する
   ようにアップセットされていることを特徴とする樹脂封
   止型半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の樹脂封止型半導
   体装置において、 上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チ
   ップの下方まで延びていることを特徴とする樹脂封止型
   半導体装置。
4. 【請求項４】 主面上に電極パッドを有する半導体チッ
   プと、 上記半導体チップを上記主面に対向する面で支持するダ
   イパッドと、 上記ダイパッドを支持するための複数の支持部と、 信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
   とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード
   及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
   露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドの上部のうち少なくとも一部は上記封止
   樹脂の上面側で露出しており、 上記信号接続用リードのうち上記半導体チップに近接す
   る内方部分は上方に位置するようにアップセットされて
   いて、 上記接続部材は上記信号接続用リードの上記内方部分の
   下面に接続されていることを特徴とする樹脂封止型半導
   体装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載の樹脂封止型半導体装置に
   おいて、 上記信号接続用リードの上記内方部分は、上記半導体チ
   ップの下方まで延びていることを特徴とする樹脂封止型
   半導体装置。
6. 【請求項６】 電極パッドを有する半導体チップと、 上記半導体チップを支持するダイパッドと、 上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、 信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
   とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード
   及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
   露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドの上部のうち少なくとも一部は上記封止
   樹脂の上面側で露出しており、 上記各吊りリードは、上記ダイパッドのコーナー部から
   封止樹脂の側面まで延びており、かつ、バネとして機能
   できる曲げ部を有していることを特徴とする樹脂封止型
   半導体装置。
7. 【請求項７】 請求項６記載の樹脂封止型半導体装置に
   おいて、 上記各吊りリードの一部が切断されていることを特徴と
   する樹脂封止型半導体装置。
8. 【請求項８】 請求項７記載の樹脂封止型半導体装置に
   おいて、 上記各吊りリードの切断されている部分の近傍が薄くな
   っていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
9. 【請求項９】 電極パッドを有する半導体チップと、 上記半導体チップを支持するダイパッドと、 上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、 信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
   とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード
   及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
   露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドの上部のうち少なくとも一部は上記封止
   樹脂の上面側で露出しており、 上記各吊りリードは、上記ダイパッドと信号接続用リー
   ドとの間に介設されていることを特徴とする樹脂封止型
   半導体装置。
10. 【請求項１０】 請求項９記載の樹脂封止型半導体装置
    において、 上記各吊りリードには、バネとして機能する曲げ部が設
    けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の樹脂封止型半導体装
    置において、 上記各吊りリードの一部が切断されていることを特徴と
    する樹脂封止型半導体装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の樹脂封止型半導体装
    置において、 上記各吊りリードの切断されている部分の近傍が薄くな
    っていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
13. 【請求項１３】 電極パッドを有する半導体チップと、 上記半導体チップを支持するダイパッドと、 上記ダイパッドを支持するための複数の吊りリードと、 信号接続用リードと、 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リード
    とを電気的に接続する接続部材と、 上記ダイパッド，上記半導体チップ，信号接続用リード
    及び接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの一部は上記封止樹脂の裏面側で
    露出し外部端子として機能しており、 上記ダイパッドの上部のうち少なくとも一部は上記封止
    樹脂の上面側で露出しており、 上記各吊りリードは、上記封止樹脂の側面付近において
    上記封止樹脂の裏面側で露出していて、この露出してい
    る部分が補強用外部端子として機能することを特徴とす
    る樹脂封止型半導体装置。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載の樹脂封止型半導体装
    置において、 上記各吊りリード中の上記補強用外部端子の下面と、上
    記信号接続用リード中の外部端子の下面とは、高さ位置
    が互いに異なっていることを特徴とする樹脂封止型半導
    体装置。
15. 【請求項１５】 請求項１〜１４のうちいずれか１つに
    記載の樹脂封止型半導体装置において、 上記信号接続用リードの少なくとも一部には、溝部が形
    成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。