JP3478139B2 - リードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレームの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は外部電極がパッケー
ジ底面に配列したタイプの樹脂封止型半導体装置用のリ
ードフレームに関するものであり、リードフレームおよ
びその製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が加速度的に進んでいる。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置とその
製造方法について順次説明する。現在、半導体装置をプ
リント基板表面に高密度に実装するために、半導体素子
を封止した正方形または長方形の封止樹脂の側面にガル
・ウイング形状のリード端子を多数配置したＱＦＰパッ
ケージ化技術が広く使用されている。
【０００４】しかしながら、半導体素子の高機能化（高
ＬＳＩ化）により、ＱＦＰパッケージ化技術には、さら
に外部リード端子数を増やすことが強く望まれている。
【０００５】そこでＱＦＰパッケージの外形寸法を大き
くすることなく外部リード端子数を増やすために、現
在、端子ピッチが０．３mmの狭ピッチＱＦＰパッケージ
が一部実用化されているが、これらの半導体装置は、そ
の取り扱いにおいて端子リードの曲がりが大きな問題に
なる。すなわち、狭ピッチＱＦＰパッケージの製造およ
び実装においては、リード曲がりにより、（１）半導体
装置の製造歩留まりの低下、（２）プリント基板への半
導体実装時の歩留まり低下、（３）半導体装置を実装し
たプリント基板の品質低下等に十分な対策が必要にな
る。
【０００６】ＱＦＰパッケージの上述の課題を解決する
他のパッケージ技術として、ＢＧＡ（ボール・グリッド
・アレイ）パッケージが開発されている。図１８に、Ｂ
ＧＡパッケージの断面図の例を示す。
【０００７】図１８において、半導体素子１は接着剤２
を介して両面プリント配線基板３の上に接着・搭載され
る。両面プリント配線基板３の上下面には配線パターン
４，５が形成され、上下の配線パターン４，５は、スル
ーホール６の表面に形成される導体７で電気的に接続さ
れている。半導体素子１の上面に形成された電極パッド
８と配線パターン４とは金属細線９で電気的に接続され
る。この金属細線９による電気的接続をする場所以外の
配線パターン４の表面は、ソルダーレジスト１０で被覆
されている。半導体素子１、金属細線９、両面プリント
配線基板３は樹脂１１によりモールドされ保護されてい
る。
【０００８】両面プリント配線基板３の下面の配線パタ
ーン５の表面も一部を除いて、ソルダーレジスト１０で
被覆されている。ソルダーレジスト１０で被覆されてい
ない配線パターン５の表面には半田ボール１２が形成さ
れる。半田ボール１２は、両面プリント配線基板３の下
面で、格子状に２次元的に配置される。そして、ＢＧＡ
パッケージ方式で実装された半導体装置をプリント基板
等の実装基板に実装する場合の電気的接続は半田ボール
１２を介して行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記した
従来の半導体装置においては、いずれも以下のような種
々の問題点をそれぞれ有している。
【００１０】図１８に示したＢＧＡパッケージ方式は、
半導体装置の下面に２次元的に外部電極端子（半田ボー
ル電極）を配列することにより、同一パッケージサイズ
でＱＦＰパッケージよりも端子数を多くすることができ
るという利点がある反面、ＱＦＰパッケージに比べて劣
る点もある。すなわち、図１８に示したＢＧＡパッケー
ジでは、（１）半導体素子を接着・支持する両面プリン
ト配線基板が必要、（２）従来のＱＦＰパッケージの製
造設備以外の新規製造設備の導入が不可欠である。さら
に、ＢＧＡパッケージ方式では、通常、両面プリント配
線基板としてガラス・エポキシ樹脂基板を使用する。こ
のため半導体素子の樹脂接着・加熱硬化工程で半導体素
子に加わる歪み対策、半導体素子の各パッドと両面プリ
ント配線基板の表面配線とをワイヤーボンディングによ
り電気的に接続する工程での両面プリント配線基板の反
り対策、半導体素子を接着した面側（片面）のみを樹脂
封止することによる両面プリント配線基板の反り対策、
両面プリント配線基板の反りが多少あっても複数の半田
ボールの水平面の高さの均一性を確保すること等の製造
技術上の解決すべき多くの課題がある。さらに、パッケ
ージの信頼性、特に耐湿性の保証も重要な検討課題であ
る。例えば、ガラス・エポキシ樹脂基板とモールドに用
いる樹脂との界面の密着力が弱いと、高温高湿試験、プ
レッシャークッカー試験等の環境試験において品質保証
が困難になる。
【００１１】これらの諸課題の解決策として、セラミッ
ク製の両面プリント配線基板の使用は非常に有効な方法
であるが、基板自体のコストが高いという欠点がある。
またＢＧＡパッケージ方式では、半田ボールの形成の工
程に新規製造設備の導入が不可欠であり、設備投資とし
てもコストアップとなる。
【００１２】また、ＢＧＡやＣＳＰ（チップ・サイズ・
パッケージ）分野で樹脂フィルムをべース基板として利
用したパッケージが検討されているが、ポリイミドなど
の樹脂フィルムは、セラミックなどと比較して吸湿しや
すく、べース基板側からの水の浸入を防止することは困
難である。したがって、外部接続端子として半田ボール
をＩＲリフローさせる工程や樹脂封止型半導体装置をプ
リント配線基板に半田実装する際に、べース基板やチッ
プ接着剤界面付近にトラップされた水に起因されるふく
れや剥がれ、あるいは、モールドしている樹脂のクラッ
クなどが発生しやすく、半導体素子と配線パターンとの
接続部が剥離して電気的接続不良を引き起こすという問
題があった。また、同様な接続不良現象は、半導体素子
接着工程で接着剤に含まれる溶剤分が除去されないこと
によっても引き起こされる。
【００１３】本発明は、前記従来のリードフレームを用
いたＱＦＰパッケージ化技術およびポリイミドなどの樹
脂フィルムまたはセラミックスなどのＢＧＡやＣＳＰ化
技術とそれを用いた場合の樹脂封止型半導体装置の製造
工程、実装時の種々の課題に鑑みて、それら課題を解決
するものであり、薄型化、小型化の樹脂封止型半導体装
置とその製造方法およびその樹脂封止型半導体装置を作
り込むのに適したリードフレームおよびその製造方法を
提供することを目的とする。
【００１４】また本発明は、特に半田リフロー工程のふ
くれや剥がれ、実装後の機械的、熱的、強度不足などに
起因する電気的接続不良を低減し、実装信頼性の高い安
価なリードフレームタイプの電極底面露出型の樹脂封止
半導体装置とその製造方法ならびにリードフレームおよ
びその製造方法を提供するものである。
【００１５】そして本発明の第１の目的は、信号接続用
リード部（インナーリード部）をマトリックス状に配す
る手段を講ずることにより、小型でピン数の多い電極底
面露出型の樹脂封止半導体装置およびリードフレームを
提供することを目的とする。
【００１６】また本発明の第２の目的は、信号接続用リ
ード部（インナーリード部）をマトリックス状に配する
手段と、ダイパッド固定手段とを講ずることにより、小
型でピン数が多く、放熱性の良好な電極底面露出型の樹
脂封止半導体装置およびリードフレームを提供すること
を目的とする。
【００１７】また本発明の第３の目的は、信号接続用リ
ード部（インナーリード部）上に半導体素子がオーバー
ハング可能な手段を講ずることにより、大きな半導体素
子を搭載可能にし、小型のマトリックス状に配した信号
接続用リード部を有する電極底面露出型の樹脂封止半導
体装置を提供することを目的とする。
【００１８】また本発明の第４の目的は、ポスト部ある
いはダイパッド部の下面を封止樹脂から露出させた場合
における封止樹脂の保持力を高める手段を講ずることに
より、ポスト部あるいはダイパッド部の封止樹脂からの
剥がれを抑制し、マトリックス状に配した信号接続用リ
ード部を有する電極底面露出型の樹脂封止半導体装置お
よびその製造に適したリードフレームを提供することを
目的とする。
【００１９】また本発明の第５の目的は、マトリックス
状に配した信号接続用リード部に補強手段を講ずること
により、接続信頼性の高い電極底面露出型の樹脂封止半
導体装置およびその製造に適したリードフレームを提供
することを目的とする。
【００２０】また本発明の第６の目的は、外部端子部お
よびダイパッド部の下面を封止樹脂から露出させた場合
における樹脂バリの発生を防止する手段を講ずることに
より、放熱特性の良好なマトリックス状に配した信号接
続用リード部を有する電極底面露出型の樹脂封止半導体
装置およびその製造方法ならびにその製造に適したリー
ドフレームを提供することを目的とする。
【００２１】また本発明の第７の目的は、リードフレー
ムにおいて吊りリードを廃止し、半導体素子の大きさの
変化に対応可能で、信頼性の向上が可能な小型のマトリ
ックス状に配した信号接続用リード部を有する電極底面
露出型の樹脂封止半導体装置およびリードフレームを提
供することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のリードフレームの製造方法は以下の
ような構成を有している。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】次に本発明のリードフレームの製造方法に
おいては、金属板に対して、開口部と、前記開口部の領
域内に前記開口部の開口縁の近傍で前記フレームに連接
した第１の信号接続用リード部と、前記第１の信号接続
用リード部よりも内側の領域で連結部により前記第１の
信号接続用リード部に連接した第２の信号接続用リード
部を形成し、リードフレーム構成体を形成する工程と、
前記リードフレーム構成体に対して、少なくとも前記開
口部の領域を覆い、前記第１の信号接続用リード部と第
２の信号接続用リード部との裏面に樹脂フィルムを密着
させる工程と、前記連結部を切断除去し、前記開口部の
領域内で第２の信号接続用リード部を分離独立して前記
樹脂フィルム上に配設する工程と、前記開口部の前記樹
脂フィルム上に半導体素子支持部材を固着させる工程と
よりなるリードフレームの製造方法である。
【００２７】また、金属板に対して、開口部と、前記開
口部の領域内に前記開口部の開口縁の近傍で第１の信号
接続用リード部と、前記第１の信号接続用リード部より
も内側の領域で連結部により前記第１の信号接続用リー
ド部に連接した第２の信号接続用リード部と、前記連結
部を支持する支持部を形成し、リードフレーム構成体を
形成する工程と、前記リードフレーム構成体に対して、
少なくとも前記開口部の領域を覆い、前記第１の信号接
続用リード部と第２の信号接続用リード部との裏面に樹
脂フィルムを密着させる工程と、前記連結部および支持
部を切断除去し、前記開口部の領域内で第１の信号接続
用リード部と第２の信号接続用リード部とを分離独立し
て前記樹脂フィルム上に配設する工程と、前記開口部の
前記樹脂フィルム上に半導体素子支持部材を固着させる
工程とよりなるリードフレームの製造方法である。
【００２８】具体的には、樹脂フィルムをリードフレー
ム構成体に密着させる工程において、第１の信号接続用
リード部と第２の信号接続用リード部とを接続した連結
部の裏面には樹脂フィルムを密着させないリードフレー
ムの製造方法である。
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】本発明の代表的な作用は以下の通りであ
る。すなわち、マトリックス状に信号接続用リード部を
配したリードフレームの開口部に露出した樹脂フィルム
上に支持部材底面を固着させることにより、多端子化を
実現し生産性、品質、実装信頼性の良い樹脂封止型半導
体装置に適した特徴あるリードフレームを実現できるも
のである。
【００３３】また、リードフレームの幅広部と溝とが設
けられた第１、第２の信号接続用リード部の底面側の少
なくとも外部端子部の周辺に樹脂フィルムを密着させた
後に、フレーム枠の開口部の中央部に外部端子部の厚み
より厚いダイパッド部の底面を樹脂フィルムに固着させ
ることにより、第２の信号接続用リード部の上方に半導
体素子をダイパッド部に接着して配することが可能にな
り、第２の信号接続用リード部の先端部位置より大きな
半導体素子を搭載し生産性、品質、実装信頼性の良い小
型の樹脂封止型半導体装置に適した特徴あるリードフレ
ームを実現できる。
【００３４】また、リードフレームの製造方法において
は、第１、第２の信号接続用リード部に連続して接続し
た第１、第２の外端子部の底面に接着性を有する樹脂フ
ィルムを固着したのち、連結部を除去することにより第
１、第２の信号接続用リード部を形成し、開口部に露出
した樹脂フィルムに支持部材を固着することにより、マ
トリックス状に外部端子部を配したリードフレームを実
現できる。
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【００４１】
【発明の実施の形態】本発明のリードフレームおよびそ
の製造方法ならびに樹脂封止型半導体装置およびその製
造方法について、それらの実施形態について図面を参照
しながら説明する。
【００４２】まず本発明のリードフレームの一実施形態
について説明する。図１は本実施形態のリードフレーム
を示す平面図である。
【００４３】図１に示すように、本実施形態のリードフ
レームにおいては、第１の信号接続用リード部１３（第
１の外部端子部１４）の一端がフレーム枠１５により支
持されている。そして少なくとも、第１の信号接続用リ
ード部１３（第１の外部端子部１４）、フレーム枠１５
の底面は、樹脂フィルム１６が密着され、また第１の信
号接続用リード部１３の各先端部が延在して配置された
開口部１７の露出した樹脂フィルム１６の上に、略矩形
状のダイパッド部１８、第２の信号接続用リード部１９
（第２の外部端子部２０）が固着されることにより、従
来のようにダイパッド部自体を支持するリードである吊
りリード部を排除し、単独でフレーム枠１５内で、第２
の信号接続用リード部１９（第２の外部端子部２０）が
ダイパット部１８とともに存在しているものである。す
なわち、本実施形態のリードフレームを用いて樹脂封止
型半導体装置を構成した場合、第１の信号接続用リード
部１３はその底面および側面が第１の外部端子部１４を
構成するとともに、第２の信号接続用リード部１９はそ
の底面が第２の外部端子部２０を構成するものである。
そして本実施形態では第１の信号接続用リード部１３の
内側領域に対して、第２の信号接続用リード部１９（第
２の外部端子部２０）が千鳥配置となっているが、千鳥
配置ではなく、同列配置としてマトリックス配置として
もよい。
【００４４】なお、本実施形態のリードフレームにおい
ては、第１の信号接続用リード部１３、第１の外部端子
部１４、第２の信号接続用リード部１９、フレーム枠１
５（第２の外部端子部２０、ダイパッド部１８）は、導
電性材料として、金属板などの導体材により一体で構成
されたものである。なお、図１において、破線で示した
部分が樹脂フィルム１６の密着された領域である。また
半導体素子を搭載した後、封止樹脂で封止した場合の封
止ラインは一点鎖線で示し、一点鎖線よりも内側の部分
が第１の外部端子部１４を構成する部分となる。
【００４５】また本実施形態のリードフレームにおける
信号接続用リード部１３，１９は、その断面構造におい
ては上部に幅広部が設けられ、そらにその表面には溝が
設けられており、本実施形態のリードフレームを用いて
樹脂封止型半導体装置を製造した際、封止樹脂と密着力
を高めると共に、実装後の機械的、熱的応力が金属細線
に印加されるのを少なくする働きがある。
【００４６】また、第１の外部端子部１４より第２の信
号接続用リード部１９（第２の外部端子部２０）の面積
を少なくすることにより、マトリックス状に配される外
部端子部の数を多くして多端子化を達成できるものであ
る。
【００４７】本実施形態のリードフレームにおけるダイ
パッド部１８は、その形状、厚さを半導体装置の特性、
搭載する半導体素子の大きさ、厚さ、実装条件、要求信
頼性等により決定し、加工した後、樹脂フィルム１６上
に固着する。また、本実施形態のリードフレームはダイ
パッド部を後付けすることができるため、ダイパッド部
１８の面積、厚み等のサイズ変更に関係なく、広く共用
することができるものである。
【００４８】本実施形態のリードフレームではダイパッ
ド部１８の厚みは、第１の信号接続用リード部１３，第
２の信号接続用リード部１９の厚みと同等、またはより
厚い断面、もしくは底面周囲にフランジ部が存在する段
付形状により構成されているものである。さらに、本実
施形態のリードフレームは、樹脂封止の際、封止樹脂の
流出を止めるタイバーを設けていないリードフレームで
ある。さらに本実施形態のリードフレームは図１で示し
た構成よりなるリードフレームパターンが１つではなく
複数個、左右、上下の連続した配列になっているもので
ある。
【００４９】本実施形態において、樹脂フィルム１６
は、従来のような吊りリード部を不要とし、ダイパッド
部１８の固着とともに、特にダイパッド部１８の下面側
および第１、第２の信号接続用リード部１３，１９の裏
面側の第１、第２の外部端子部を構成する部分に樹脂封
止時に封止樹脂が回り込まないようにするマスク的な役
割を果たさせるためのものであり、この樹脂フィルム１
６の存在によって、ダイパッド部１８の下面や、外部端
子部に相当する部分に樹脂バリが形成されるのを防止す
ることができる。また、この樹脂フィルム１６は、ポリ
エチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリカーボネー
トなどを主成分とする樹脂をベースとした樹脂フィルム
であり、樹脂封止後は剥がすことができ、また樹脂封止
時における高温環境に耐性があるものが必要である。な
お、樹脂バリとは樹脂封止の際に発生するリードフレー
ムに対する残余樹脂であり、樹脂成形上、不必要な部分
である。
【００５０】また、樹脂封止時に用いる封止金型におい
て、片方の金型は、この樹脂フィルム１６の働きによ
り、封止樹脂と接することがないため、樹脂バリの発生
の防止の他にも、樹脂封止後の離型のための押し出しピ
ンや、封止樹脂から金型変形を防止するための焼き入れ
等を必要としないため、金型構造を単純化することがで
きるものである。
【００５１】次に、本発明のリードフレームの他の実施
形態について説明する。図２は本実施形態のリードフレ
ームを示す平面図である。
【００５２】図２に示すように、本実施形態のリードフ
レームにおいては、全体構成は前記した第１の実施形態
のリードフレームと同様であるが、第１の信号接続用リ
ード部１３が第１の外部端子部１４を構成し、第２の信
号接続用リード部１９が第２の外部端子部２０を構成す
るものである。そして少なくとも第１の外部端子部１
４、第２の外部端子部２０、フレーム枠１５の底面の一
部は、樹脂フィルム１６に密着され、また第２の信号接
続用リード部１９の各先端部が延在して配置された開口
部１７に露出した樹脂フィルム１６上にダイパッド部１
８もしくはポスト部２１が固着されることにより、従来
のように吊りリード部なしで単独でフレーム枠１５内で
ポスト部２１あるいはダイパッド部１８および第１の信
号接続用リード部１３（第１の外部端子部１４）、第２
の信号接続用リード部１９（第２の外部端子部２０）が
存在しているものである。
【００５３】すなわち本実施形態のリードフレームは、
第１の信号接続用リード部１３，第２の信号接続用リー
ド部１９はフレーム枠１５の開口領域の樹脂フィルム１
６上に分離独立して配置されているものである。そして
本実施形態のリードフレームでは、半導体素子を搭載す
る部材として、ダイパッド部１８もしくはポスト部２１
を設けた構成としたが、ポスト部２１はダイパッド部１
８を複数個に分割した形態のものであり、半導体素子よ
りも小さい面積の半導体素子の搭載部材であり、樹脂封
止型半導体装置を構成した際、搭載した半導体素子の裏
面の露出面積がダイパッド部よりも多くなるものであ
り、熱応力の低減、放熱性の向上に効果があるものであ
る。樹脂フィルム１６上に配置するポスト部２１の個数
は、半導体素子の４角または４辺を支持するために４個
が好適であるが、その個数については、信頼性上、好ま
しい個数とすることもできる。
【００５４】また本実施形態のリードフレームでは、第
１の外部端子部１４より第２の外部端子部２０の面積を
少なくすることによりマトリックス状に配される外部端
子部の総数を多くして多端子化を達成している。
【００５５】なお、本実施形態のリードフレームにおい
ては、第１の信号接続用リード部１３、第２の信号接続
用リード部１９、フレーム枠１５は、導電性材料とし
て、金属板により一体で構成されているものである。
【００５６】図２において、破線で示した部分が樹脂フ
ィルム１６の密着された領域である。また半導体素子を
搭載した後、封止樹脂で封止した場合の封止ラインはフ
レーム枠１５の開口領域の樹脂フィルム１６の露出縁で
あるフレーム開口縁２２の位置になる。
【００５７】本実施形態のリードフレームにおけるポス
ト部２１あるいはダイパッド部１８は、その形状、厚さ
を樹脂封止型半導体装置の特性、搭載する半導体素子の
大きさ、厚さ、実装条件、要求信頼性等により決定し、
加工した後、樹脂フィルム１６上に固着する。また、リ
ードフレームはダイパッド部１８あるいはポスト部２１
の変更に関係なく、広く共用することができるものであ
る。また、本実施形態のリードフレームにおける第１，
第２の信号接続用リード部１３，１９は、上部に幅広部
が設けられ、その表面には溝が設けられており、半導体
素子を搭載し、樹脂封止型半導体装置を構成した際、封
止樹脂との密着力を高めるとともに、実装後の機械的、
熱的応力が金属細線にかかるのを少なくする働きがあ
る。
【００５８】さらに本実施形態のリードフレームでは、
ポスト部２１あるいはダイパッド部１８の厚みは、第
１，第２の信号接続用リード部１３，１９の厚みと同
等、またはより厚い断面、もしくはポスト部２１あるい
はダイパッド部１８の底面周囲にフランジ部が存在する
段付形状により構成されているものである。さらに、本
実施形態のリードフレームは、樹脂封止の際、封止樹脂
の流出を止めるタイバーを設けていないリードフレーム
である。
【００５９】なお、本実施形態のリードフレームは図２
で示した構成よりなるリードフレームパターンが１つで
はなく複数個、左右、上下の連続した配列になっている
ものである。
【００６０】本実施形態において、樹脂フィルム１６
は、吊りリードを不要とし、ポスト部２１あるいはダイ
パッド部１８の固着とともに、特にポスト部２１あるい
はダイパッド部１８の下面側および第１、第２の信号接
続用リード部１３，１９の裏面側の第１、第２の外部端
子部１４，２０を構成する部分に樹脂封止時に封止樹脂
が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせる
ためのものであり、この樹脂フィルム１６の存在によっ
て、ポスト部２１あるいはダイパッド部１８の下面や、
外部端子部に相当する部分に樹脂バリが形成されるのを
防止することができる。また、この樹脂フィルム１６
は、ポリエチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリカ
ーボネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたフィ
ルムであり、樹脂封止後は剥がすことができ、また樹脂
封止時における高温環境に耐性があるものが必要であ
る。
【００６１】次に本実施形態のリードフレームの製造方
法について図面を参照しながら説明する。図３，図４，
図５および図６は、本実施形態のリードフレームの製造
方法を示す平面図である。
【００６２】まず図３に示すように、第１工程として、
リードフレームを構成する銅材等よりなる金属板に対し
て、エッチング処理、またはプレス加工により、その金
属板中にフレーム枠１５を形成し、そしてフレーム枠１
５の領域内に開口領域２３を形成し、その開口領域２３
に突出するように、フレーム枠１５に接続して、第１の
外部端子部１４となる第１の信号接続用リード部１３
と、連結部２４で第１の信号接続用リード１３に接続さ
れた第２の信号接続用リード部１９と、その第２の信号
接続用リード部１９の裏面で外部電極を構成する第２の
外部端子部２０とを形成して、金属製のリードフレーム
構成体２５を構成する。
【００６３】次に図４に示すように、第２工程として、
リードフレーム構成体２５に対して樹脂フィルム１６を
密着させる。この場合、図中の破線で示したように、開
口領域２３を確実に覆う面積で樹脂フィルム１６を密着
させる。また樹脂フィルム１６の密着は、リードフレー
ム構成体２５の領域内に形成されている第１の信号接続
用リード部１３（第１の外部端子部１４）、第２の信号
接続用リード部１９（第２の外部端子部２０）、フレー
ム枠１５に密着するように行うもので、一例としては接
着剤付きの樹脂フィルムを用いて密着させる。ただし、
連結部２４底面には密着させない。この状態において
は、開口領域２３には樹脂フィルム１６の接着面が露出
した状態である。
【００６４】次に、第３工程として、前記した第１の信
号接続用リード１３（第１の外部端子部１４）に連結部
２４で接続された第２の信号接続用リード部１９（第２
の外部端子部２０）の連結部２４を引き剥がし、あるい
はレーザーカット、エッチング等により分離し、樹脂フ
ィルム１６に独立分離して固着された第２の信号接続用
リード部１９（第２の外部端子部２０）を構成する。
【００６５】次に、図５に示すように、第４工程とし
て、予め銅材等よりなる前記図３で用いた金属板とは別
の金属板２６に対して、エッチング処理、またはプレス
加工により、ポスト部２１あるいはダイパッド部１８を
形成する。この場合、ポスト部２１あるいはダイパッド
部１８を金属板２６に保持するために、接続部２７を形
成し、ポスト部２１あるいはダイパッド部１８を金属板
２６に連結させておく。ポスト部２１については、個々
のポスト部２１どうしが離脱しないように接続部２７で
連結保持しておく。接続部２７はエッチング等により切
断が容易になるよう構成されているため、金属板２６よ
りポスト部２１あるいはダイパッド部１８を分離させ
て、取り出すことは容易である。
【００６６】そして第５工程として、図６に示すよう
に、開口部２３に露出した樹脂フィルム１６上に対し
て、前記図５に示したように別の金属板で別作製したダ
イパッド部１８を固着させ、ダイパッド部１８を支持す
る吊りリード部が存在しないリードフレームを得ること
ができる。ここで第１の信号接続用リード部１３（第１
の外部端子部１４）とは分離した第２の信号接続用リー
ド部１９（第２の外部端子部２０）が形成されている。
【００６７】なお、図６においては、一点鎖線で示した
領域は、半導体素子を搭載して樹脂封止した際の封止ラ
インである。そして破線で示した部分が樹脂フィルム１
６の密着された領域であり、開口領域２３を確実に覆う
領域に密着されている。また図中、一点鎖線よりも内側
の部分の第１の信号接続用リード部１３の裏面が第１の
外部端子部１４を構成する部分となる。
【００６８】なお、本実施形態のリードフレームの厚み
は、２００［μｍ］であり、ポスト部あるいはダイパッ
ド部１８の厚みは３００［μｍ］であり、１００［μ
ｍ］厚く構成した。ポスト部あるいはダイパッド部を他
の構成よりも厚く形成することにより、ポスト部あるい
はダイパッド部よりもサイズの大きい半導体素子を搭載
した場合、第１の信号接続用リード部１３，第２の信号
接続用リード部１９に半導体素子が接触することはな
く、大きな半導体素子を搭載可能にし、ポスト部あるい
はダイパッド部を露出させた小型の樹脂封止型半導体装
置を実現できる。
【００６９】本実施形態のリードフレームによると適切
に信号接続用リード部の数を半導体素子の電極数などに
より適宜配列することができ、必要により格子状、千鳥
状にも配置することができる。しかも本実施形態のリー
ドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を構成した
際、第１の信号接続用リード部１３が実装時にその樹脂
封止型半導体装置の側面から接続状態を観察できる特徴
があり、配線基板を使用したＢＧＡ，ＬＧＡ（ランド・
グリッド・アレイ）にない特徴がある。
【００７０】また本実施形態では、２列構成の第１，第
２の信号接続用リードの例を示したが、３列構成以上に
することも可能であり、それら信号接続用リード部の裏
面で構成される外部端子部の形状は円形、角形、多角形
でもよい。また、連結部２４を分離しやすくするため、
樹脂フィルム１６側がエッチング等により薄く加工され
ている。本実施形態では、リードフレーム構成体２５が
２００［μｍ］で連結部２４はエッチング加工により、
おおよそ５０［μｍ］から３０［μｍ］とした。連結部
２４は、本実施形態の他にも適宜、リードフレーム構成
体２５、第１、第２の信号接続用リード部１３，１９の
変形を防止しつつ接続し、樹脂フィルム１６に接着後、
分離しやすい形状であればよい。
【００７１】また、ポスト部あるいはダイパッド部の厚
みがリードフレーム構成体と同一の場合は、連結部で接
続して一体加工でき、別に金属板を準備する必要がな
く、効率のよい製造方法が可能である。また、ダイパッ
ド部の材質とリードフレーム構成体の材質を違う材質に
することもでき、放熱特性の要求されるダイパッド部の
場合は銅（Ｃｕ）系の熱特性がよい材質、リードフレー
ム構成体は各製造工程の熱による影響を勘案し、４２ア
ロイとすることも可能である。本実施形態のリードフレ
ームを用いることにより、マトリックス状に外部端子部
が底面に配列された小型、薄型で信頼性の高い樹脂封止
型半導体装置が効率よく生産される。
【００７２】次に本実施形態のリードフレームの他の製
造方法について図面を参照しながら説明する。
【００７３】図７，図８，図９および図１０は、本実施
形態のリードフレームの製造方法を示した平面図であ
る。
【００７４】まず図７に示すように、第１工程として、
リードフレームを構成する銅材等よりなる金属板に対し
て、エッチング処理、またはプレス加工により、その金
属板中にフレーム枠１５を形成し、そしてフレーム枠１
５の領域内に開口領域２３を形成し、その開口領域２３
に突出するように、第１の外部端子部１４となる第１の
信号接続用リード部１３と、連結部２４で第１の信号接
続用リード１３に接続された第２の信号接続用リード部
１９と、その第２の信号接続用リード部１９の裏面で外
部電極を構成する第２の外部端子部２０とを形成して、
金属製のリードフレーム構成体２５を構成する。ここで
第１の信号接続用リード１３（第１の外部端子部１
４）、第２の信号接続用リード部１９（第２の外部端子
部２０）およびそれを連結接続している連結部２４は、
支持部２８によりフレーム枠１５に接続され、支持され
ている。したがって、第１の信号接続用リード部１３
（第１の外部端子部１４）の連結部２４と接続していな
い側の先端部はフレーム枠１５とは接続していない。
【００７５】次に図８に示すように、第２工程として、
リードフレーム構成体２５に対して樹脂フィルム１６を
密着させる。この場合、図中の破線で示したように、開
口領域２３を確実に覆う面積で樹脂フィルム１６を密着
させる。また樹脂フィルム１６の密着は、リードフレー
ム構成体２５の領域内に形成されている第１の信号接続
用リード部１３（第１の外部端子部１４）、第２の信号
接続用リード部１９（第２の外部端子部２０）、フレー
ム枠１５に密着するように行うもので、一例としては接
着剤付きの樹脂フィルムを用いて密着させる。ただし、
連結部２４の底面には密着させない。この状態において
は、開口領域２３には樹脂フィルム１６の接着面が露出
した状態である。
【００７６】次に、第３工程として、前記した第１の信
号接続用リード１３（第１の外部端子部１４）に連結部
２４で接続された第２の信号接続用リード部１９（第２
の外部端子部２０）の連結部２４および支持部２８を引
き剥がし、あるいはレーザーカット、エッチング等によ
り分離し、樹脂フィルム１６に独立分離して固着された
第１の信号接続用リード部１３（第１の外部端子部１
４）および第２の信号接続用リード部１９（第２の外部
端子部２０）を構成する。ここで、連結部２４は剥がし
やすいような形状でよく、本実施形態では開口領域２３
の各コーナー部に４カ所でフレーム枠１５に接続した
が、コーナー部でなくても、また４カ所でなくてもよ
く、樹脂封止型半導体装置を製造する際に各信号接続用
リード部が安定に保持された状態を維持できればよい。
【００７７】次に、図９に示すように、第４工程とし
て、予め銅材等よりなる前記図７で用いた金属板とは別
の金属板２６に対して、エッチング処理、またはプレス
加工により、ポスト部２１あるいはダイパッド部１８を
形成する。この場合、ポスト部２１あるいはダイパッド
部１８を金属板２６に保持するために、接続部２７を形
成し、ポスト部２１あるいはダイパッド部１８を金属板
２６に連結させておく。ポスト部２１については、個々
のポスト部２１どうしが離脱しないように接続部２７で
連結保持しておく。接続部２７はエッチング等により切
断が容易になるよう構成されているため、金属板２６よ
りポスト部２１あるいはダイパッド部１８を分離させ
て、取り出すことは容易である。
【００７８】そして第５工程として、図１０に示すよう
に、開口部２３に露出した樹脂フィルム１６上に対し
て、前記図５に示したように別の金属板で別作製したダ
イパッド部１８またはポスト部２１を固着させ、ダイパ
ッド部１８および各信号接続用リード部を支持する吊り
リード部が存在しないリードフレームを得ることができ
る。ここで第１の信号接続用リード部１３（第１の外部
端子部１４）はフレーム枠１５とは分離し、また第２の
信号接続用リード部１９（第２の外部端子部２０）もフ
レーム枠１５、第１の信号接続用リード部１３（第１の
外部端子部１４）と分離独立して形成されている。
【００７９】なお、図１０においては、破線で示した部
分が樹脂フィルム１６の密着された領域であり、開口領
域２３を確実に覆う領域に密着されている。またフレー
ム枠１５の内側の開口領域２３とフレーム枠１５との縁
であるフレーム開口縁２２のラインが半導体素子を搭載
して樹脂封止した際の封止ラインとなる。また図１０で
は便宜上、ポスト部２１、ダイパッド部１８を同一図面
内に示したが、搭載する半導体素子のサイズ、製造する
樹脂封止型半導体装置の放熱性、熱応力等の影響を考慮
して、ポスト部２１、ダイパッド部１８のどちらかの支
持部材を用いることができる。
【００８０】また、通常、樹脂フィルム１６を密着させ
る前に、リードフレーム構成体２５、ポスト部２１ある
いはダイパッド部１８等に対して、ニッケル（Ｎｉ），
パラジウム（Ｐｄ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ）、あるい
は２色メッキなどの金属メッキを付すメッキ工程が設け
られているものである。
【００８１】以上のような工程により、樹脂フィルム１
６に接着され吊りリード部を不要としたポスト部２１あ
るいはダイパッド部１８と、第１の信号接続用リード部
１３（第１の外部端子部１４）と、第２の信号接続用リ
ード部１９（第２の外部端子部２０）とよりなるリード
フレームを得ることができる。すなわち、本実施形態の
リードフレームを用いることにより、リードフレーム部
材の一部よりなる第１の信号接続用リード部１３（第１
の外部端子部１４）と、第２の信号接続用リード部１９
（第２の外部端子部２０）とにより、外部端子となるラ
ンドを構成することができ、リードフレームから作製さ
れたマトリックス電極をパッケージ底面に配列した樹脂
封止型半導体装置を得ることができる。
【００８２】なお、本実施形態のリードフレームの厚み
については、２００［μｍ］であり、ポスト部２１ある
いはダイパッド部１８の厚みは３００［μｍ］であり、
１００［μｍ］厚く構成した。ポスト部２１あるいはダ
イパッド部１８を他の構成よりも厚く形成することによ
り、ポスト部２１あるいはダイパッド部１８よりもサイ
ズの大きい半導体素子を搭載した場合、各信号接続用リ
ード部に搭載した半導体素子が接触することはなく、大
きな半導体素子を搭載可能にし、ポスト部２１あるいは
ダイパッド部１８が露出した小型の樹脂封止型半導体装
置を実現できる。
【００８３】本実施形態のリードフレームは、吊りリー
ド部を廃することにより、大きな半導体素子を搭載可能
にし、ポスト部あるいはダイパッド部露出の第１、第２
の信号接続用リード部が底面にマトリックス状に配置さ
れた小型薄型の樹脂封止型半導体装置を実現できるリー
ドフレームである。また本実施例のリードフレームによ
ると適切に各信号接続用リード部の数を半導体素子の電
極数などにより適宜配列でき、必要により格子状、千鳥
状にも配することができる。
【００８４】本実施形態では、２列構成の信号接続用リ
ード部の例を示したが、３列構成以上にすることも可能
であり、外部端子部の形状は円形、角形、多角形でもよ
い。また、連結部２４，支持部２８は剥がしやすくする
ため、樹脂フィルム１６側がエッチング等により加工さ
れている。本実施形態では、リードフレーム構成体２５
が２００［μｍ］で連結部２はエッチング加工によりお
およそ５０［μｍ］から３０［μｍ］とした。また、ポ
スト部２１あるいはダイパッド部１８の厚みがリードフ
レーム構成体２５と同一の場合は、連結部２４または支
持部２８で接続して別に準備する必要がなく効率のよい
製造方法が可能である。また、ダイパッド部１８の材質
とリードフレーム構成体２５の材質を違う材質にするこ
ともでき、放熱特性の要求されるダイパッド部は銅（Ｃ
ｕ）系の特性がよい材質、リードフレーム構成体２５は
熱による各工程の影響を勘案し、４２アロイとすること
も可能である。
【００８５】次に本発明の樹脂封止型半導体装置につい
て、その一実施形態を図面を参照しながら説明する。
【００８６】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、リ
ードフレーム部材の一部よりなる第１の外部端子部を構
成する第１の信号接続用リード部と第２の外部端子部を
構成する第２の信号接続用リード部とが、パッケージ底
面においてマトリックス状に配置され、ダイパッド部も
しくはポスト部がパッケージ底面から露出した構成であ
る。
【００８７】図１１は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置を示す図であり、図１１（ａ）は、斜視上面図であ
り、図１１（ｂ）は斜視下面図であり、図１１（ｃ）は
図１１（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【００８８】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図
１１に示すように、ダイパッド部１８上に接着剤により
搭載された半導体素子２９と、第１の信号接続用リード
部１３と、その裏面および底面で外部端子となる第１の
外部端子部１４と、第２の信号接続用リード部１９と、
その裏面および底面で外部端子となる第２の外部端子部
２０と、各信号接続用リード部１３，１９と半導体素子
２９とを電気的に接続した金属細線３０と、半導体素子
２９、ダイパッド部１８の上面および側面領域、第１、
第２の信号接続リード部１３，１９の上面と側面領域、
金属細線３０を封止した封止樹脂３１とより構成されて
おり、封止樹脂３１より露出した第１、第２の信号接続
用リード部１３，１９の露出した下面領域は第１，第２
の外部端子部１４，２０を構成しているものである。
【００８９】本実施形態の樹脂封止型半導体装置におい
ては、第１、第２の信号接続用リード部１３，１９の下
面側には封止樹脂３１は存在せず、第１の信号接続用リ
ード部１３の下面と一部側面が露出されており、この第
１、第２の信号接続用リード部１３，１９の下面および
ダイパッド部１８の下面が実装基板との接続面となる。
すなわち、第１、第２の信号接続用リード部１３，１９
の下部が第１、第２の外部端子部１４，２０となって樹
脂封止型半導体装置の底面にマトリックス状に配列され
ているものである。
【００９０】そしてダイパッド部１８の露出部および第
１、第２の外部端子部１４，２０の下面には、樹脂封止
工程における樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが、用
いているリードフレームに設けた樹脂フイルムの働きで
存在せず、実装基板の電極との接合の信頼性が向上する
ものである。なお、ダイパッド部１８および第１、第２
の外部端子部１４，２０の露出構造は、後述する製造方
法によって実現できるものである。
【００９１】なお、本実施形態では、図１２の樹脂封止
型半導体装置の平面透視図に示すように、第１の信号接
続用リード部１３の側方には外部接続部となる外部端子
部が存在せず、第１、第２の信号接続用リード部１３，
１９の下部が第１、第２の外部端子部１４，２０とする
ことで、樹脂封止型半導体装置の小型化を図ることがで
きる。すなわち、各信号接続用リード部１３，１９の露
出面と封止樹脂３１の面とを実質的に同一面に形成する
ことで、樹脂封止型半導体装置からリード部が突出しな
い小型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであ
る。なお、図１２においては、半導体素子２９が支持部
材（ダイパッド部もしくはポスト部）より大きい構成を
示し、また、破線で示した構成は半導体素子を支持する
支持部材としてダイパッド部１８とポスト部２１との両
方を示し、実際にはダイパッド部１８もしくはポスト部
２１のいずれかを選択して半導体素子の支持部材として
用いるものである。
【００９２】ここで、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置の特徴は、第１、第２の信号接続用リード部１３，１
９がマトリックス状に配置され、小型で多端子の樹脂封
止型半導体装置をリードフレームを用いて安価に実現し
たことであり、従来のようにポスト部２１あるいはダイ
パッド部１８を支持する吊りリード部が存在しないた
め、従来制限の多かったポスト部２１あるいはダイパッ
ド部１８より大きな半導体素子の搭載範囲の拡大を可能
にするものである。
【００９３】また、ポスト部２１を有した樹脂封止型半
導体装置は、封止樹脂３１の底面より露出する半導体素
子２９の支持部分が少なく、また半導体素子２９の底面
が封止樹脂３１で覆われることになるため、実装後の応
力による半導体装置の耐水性が高く、信頼性に優れ、実
装基板の配線パターン設計に与える制限を少なくするこ
とができる。
【００９４】また、ダイパッド部１８を有した樹脂封止
型半導体装置は、封止樹脂３１の底面より露出する部分
を実装基板に半田等により接続することにより放熱特性
がよくなり、また、実装基板に半田接合されることによ
り、外部端子にかかる機械的、熱的応力を分散すること
ができ接続信頼性が向上する。また、実装基板に半田接
合される第１の信号接続用リード部１３の側面に半田部
が形成される特徴があり実装時に他のＢＧＡと違い、大
半の外部端子部の接続検査が従来のＱＦＰと同様に可能
になる。さらに、製造工程における吊りリード部の変形
による生産性、製造上の従来の課題を解決することを可
能にするものである。
【００９５】さらに、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置では、各外部端子部１４，２０およびポスト部２１あ
るいはダイパッド部１８が封止樹脂３１の面、すなわち
封止樹脂３１の下面から突出させて形成することもで
き、実装基板に本実施形態の樹脂封止型半導体装置を実
装する際の外部端子部１４，２０およびポスト部２１あ
るいはダイパッド部１８と実装基板の電極との接合にお
いて、外部端子部１４，２０およびポスト部２１あるい
はダイパッド部１８のスタンドオフ高さが予め確保され
ていることになる。したがって、外部端子部１４，２０
をそのまま外部電極として用いることができ、実装基板
への実装のために外部端子部１４，２０に半田ボール等
を付設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利
となる。
【００９６】次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図
１３（ａ）〜（ｆ）は、本実施形態の樹脂封止型半導体
装置の製造工程を示す断面図である。ポスト部２１ある
いはダイパッド部１８を有した半導体装置の製造方法と
も同様であり、ここではダイパッド部１８を有した場合
の樹脂封止型半導体装置を例に説明する。
【００９７】まず、図１３（ａ）に示すように、第１工
程として、フレーム枠１５内において第１の信号接続用
リード部１３（第１の外部端子部１４）と第２の信号接
続用リード部１９（第２の外部端子部２０）とが連結部
で支持され、少なくとも、フレーム枠１５、第１の信号
接続用リード部１３と第２の信号接続用リード部１９の
底面は、樹脂フィルム１６が密着され、また第２の信号
接続用リード部１９の各先端部が延在して配置された開
口部に露出した樹脂フィルム１６上にダイパッド部１８
が固着されているリードフレームを用意する。すなわち
図１に示したリードフレームを用意する。
【００９８】次に図１３（ｂ）に示すように、第２工程
として、用意したリードフレームのダイパッド部１８上
に半導体素子２９を接着剤により搭載する。この工程
は、いわゆるダイボンド工程である。
【００９９】そして図１３（ｃ）に示すように、第３工
程として、ダイパッド部１８上に搭載した半導体素子２
９と第１、第２の信号接続用リード部１３，１９とを金
属細線３０により電気的に接合する。この工程は、いわ
ゆるワイヤーボンド工程である。
【０１００】次に図１３（ｄ）に示すように、第４工程
として、ダイパッド部１８上に半導体素子２９が搭載さ
れ、樹脂フィルム１６が貼り付けられたままのリードフ
レームを封止金型内に収納し、金型でリードフレームの
第１の信号接続用リード部１３の先端側（外枠）を樹脂
フィルム１６とともに押圧して、金型内に封止樹脂３１
を流し込んで樹脂封止を行い、半導体素子２９側を封止
樹脂３１で封止する。
【０１０１】この樹脂フィルム１６は、特にダイパッド
部１８の下面側および第１、第２の信号接続用リード部
１３，１９の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂３１が回り
込まないようにするマスク的な役割を果たし、この樹脂
フィルム１６の存在によって、ダイパッド部１８の下面
や、第１、第２の信号接続用リード部１３，１９の裏面
に樹脂バリが形成されるのを防止することができる。
【０１０２】また樹脂フィルム１６は、本実施形態のリ
ードフレームの説明で示した通り、ポリエチレンテレフ
タレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主成分
とする樹脂をベースとしたフィルムまたはテープ状の部
材であり、樹脂封止後はケミカル処理あるいは、ＵＶ照
射により接着力を弱め、リードフレーム本体から剥がす
ことができ、また樹脂封止時における高温環境に耐性が
あるものであればよい。
【０１０３】本実施形態では、ポリイミドを主成分とし
た接着性を有した樹脂フィルム１６を用い、厚みは５０
［μｍ］のフィルムを用いた。
【０１０４】次に図１３（ｅ）に示すように、第５工程
として、ダイパッド部１８の下面および第１、第２の信
号接続用リード部１３，１９の裏面に貼付した樹脂フィ
ルム１６をケミカル処理あるいは、ＵＶ照射により接着
力を弱めピールオフにより除去する。これにより、封止
樹脂３１の裏面よりも下方に突出した第１，第２の外部
端子部１４，２０、ダイパッド部１８の構造が形成され
る。ここで、突出量の設定については、樹脂フィルム１
６の厚みにより、第１，第２の外部端子部１４，２０、
ダイパッド部１８の突出量を調節できる。図１３（ｅ）
においては、都合上、リード部（外部端子部），ダイパ
ッド部の突出量を抑えた表現で示している。
【０１０５】最後に図１３（ｆ）に示すように、第６工
程として、第１の信号接続用リード部１３の先端側を、
封止樹脂３１の側面と実質的にほぼ同一面になるように
切り離すことにより、図１１に示したようなマトリック
ス配置の第１，第２の外部端子部１４，２０を有し、ダ
イパッド部１８が封止樹脂３１の下面から露出した樹脂
封止型半導体装置が完成される。
【０１０６】本実施形態の製造方法によると、従来のよ
うな吊りリード部が存在することによる樹脂の成形性の
悪影響がなくなり、樹脂中へのボイドの発生、歩留まり
低下、それに大きな半導体素子搭載の影響による未充填
発生を少なくすることができる。また、ダイボンド工程
において接着ダイを厚くすることにより半導体素子を第
２の信号接続リード部１９の上に配することができ搭載
範囲が拡大する。また、吊りリード部のスペースを各信
号接続用リード部の配列に利用することができ、リード
フレーム設計自由度の向上が図れる。また、吊りリード
部を削除することにより、金属細線の接続上の制限や半
導体素子の搭載制限が緩和されるため、生産性の良いダ
イパッド部の裏面が封止樹脂の裏面から突出した樹脂封
止型半導体装置を容易に製造することができる。
【０１０７】しかも、本実施形態の製造方法によると、
樹脂封止工程の前に予めダイパッド部の下面および各信
号接続用リード部の裏面に樹脂フィルムを貼付している
ので、封止工程時に封止樹脂が回り込むことがなく、ダ
イパッド部や、外部端子部となる信号接続用リード部の
裏面には樹脂バリの発生はなくなる。したがって、信号
接続用リード部の下面を露出させる従来の樹脂封止型半
導体装置の製造方法のごとく、ダイパッド部の下面や外
部端子部上に形成された樹脂バリをウォータージェット
などによって除去する必要はない。すなわち、この樹脂
バリを除去するための面倒な工程の削除によって、樹脂
封止型半導体装置の量産工程における工程の簡略化が可
能となる。また、従来、ウォータージェットなどによる
樹脂バリ除去工程において生じる恐れのあったリードフ
レームのニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金
（Ａｕ）などの金属メッキ層の剥がれや不純物の付着は
解消できる。そのため、樹脂封止工程前における各金属
層のプリメッキ品質が向上する。
【０１０８】なによりも、従来必要であったウォーター
ジェット工程では、リードフレームの金属メッキが剥が
れる、不純物が付着するという品質上のトラブルが発生
するが、本実施形態の方法では、樹脂フィルムの貼付に
より、ウォータージェットが不要となって、メッキ剥が
れをなくすことができる点は大きな工程上の利点とな
る。また、樹脂フィルムの貼付状態などによって樹脂バ
リが発生することがあるとしても、極めて薄い樹脂バリ
であるので、低い水圧でウォータージェット処理して樹
脂バリを除去でき、メッキ剥がれを防止できることから
金属層のプリメッキ工程は可能である。
【０１０９】また、樹脂封止工程においては、封止金型
の熱によって樹脂フィルムが軟化するとともに熱収縮す
るので、ダイパッド部および信号接続用リード部が樹脂
フィルムに食い込み、ダイパッド部と封止樹脂の裏面と
の間、各信号接続用リード部の裏面と封止樹脂の裏面と
の間には、それぞれ段差が形成される。したがって、ダ
イパッド部および信号接続用リード部は封止樹脂の裏面
から突出した構造となり、ダイパッド部のスタンドオフ
高さや、各信号接続用リード部の下部である外部端子部
の突出量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、
本実施形態では、樹脂フィルム１２の厚みを５０［μ
ｍ］としているので、それら突出量を例えば２０［μ
ｍ］程度にできる。
【０１１０】このように、樹脂フィルムの厚みの調整に
よって外部端子部の封止樹脂からの突出量を適正量に維
持できる。このことは、外部端子部のスタンドオフ高さ
を樹脂フィルムの厚みの設定のみでコントロールでき、
別途スタンドオフ高さ量をコントロールのための手段ま
たは工程を設けなくてもよいことを意味し、量産工程に
おける工程管理のコスト上、極めて有利な点である。な
お、この樹脂フィルムの厚みは、１０〜１５０［μｍ］
程度であることが好ましい。また、用いる樹脂フィルム
については、所望する突出量により、所定の硬度，厚み
および熱による軟化特性を有する材質を選択することが
できる。ただし、本実施形態において、樹脂フィルムに
加える圧力の調整によって、ダイパッド部や外部端子部
のスタンドオフ高さを調整してもよく、もちろん、スタ
ンドオフ高さを実質的に０［μｍ］にすることも可能で
ある。
【０１１１】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の別の
実施形態について説明する。図１４（ａ）は本実施形態
の樹脂封止型半導体装置を示す斜視下面図であり、図１
４（ｂ）は本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す断
面図である。本実施形態の半導体装置は、図２に示した
リードフレームを用いた場合の樹脂封止型半導体装置で
ある。
【０１１２】図示するように、全体構成としては、図１
１で示した樹脂封止型半導体装置と同様な構成であり、
共通の構成の説明は省力する。本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は、第１の信号接続用リード部１３（第１の
外部端子部１４）が、樹脂封止型半導体装置の封止樹脂
３１側面から露出せず、底面側に配列されているもので
ある。そして第１の信号接続用リード部１３（第１の外
部端子部１４）、第２の信号接続用リード部１９（第２
の外部端子部２０）が封止樹脂３１の底面にマトリック
ス状に配置されている。そして第１、第２の信号接続用
リード部１３，１９の側方には外部端子が存在せず、第
１、第２の信号接続用リード部１３，１９の下部が第
１，第２の外部端子部１４，２０となっているので、樹
脂封止型半導体装置の小型化を図ることができる。また
本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、構造上、半導
体装置のコーナー部に実装信頼性を向上させる補強ラン
ドを設けることもできる。またより信頼性を高くするた
めに、第１，第２の外部端子部１４，２０上に半田ボー
ルを付設しても差し支えない。
【０１１３】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法については、図１３に示した工程と同様な工程
であり、共通の部分の説明は省略するが、本実施形態の
樹脂封止型半導体装置の場合の製造方法によると、封止
後に第１の外部端子部１４を金型で切断する必要がない
ため、切断による封止樹脂と第１の信号接続用リード部
１３の界面に応力が印加され、剥がれるという不良をな
くすことができる。また、側面の切断部に生じる樹脂バ
リ落下によるカット工程での歩留まり低下、検査工程の
コンタクト不良、実装時の樹脂落下による接続不良、切
断金型の摩耗による不良の発生を防止できる。
【０１１４】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の他の
種々の実施形態について説明する。本実施形態における
樹脂封止型半導体装置の基本的な構造は、前記した各実
施形態における構造と同じであるが、ポスト部あるいは
ダイパッド部の形状、または信号接続用リード部の構成
が異なる。そこで、本実施形態においては、ポスト部あ
るいはダイパッド部、信号接続用リード部の形状につい
て説明し、他の部分についての説明は省略する。
【０１１５】図１５は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。図１５に示すように、ダイパッ
ド部１８は、第１、第２の信号接続用リード部１３，１
９より厚みが厚く形成されている。この場合、ダイパッ
ド部１８に代えて、ポスト部を採用した場合でも同様で
ある。
【０１１６】本実施形態の樹脂封止型半導体装置による
と、ダイパッド部１８の厚みが厚く形成されているの
で、ダイパッド部１８の外形より大きな半導体素子２９
を搭載することが容易にでき、第２の信号接続用リード
部１９の先端部上に半導体素子２９の一部を配して、よ
り外に出すことも可能である。本実施形態の構造によ
り、半導体素子２９の裏面には、封止樹脂３１が密着す
ることになり、接着力が向上し、耐湿性の良い樹脂封止
型半導体装置が実現する。また大きな半導体素子を搭載
することは小型化を図る上で有効な手段となる。また、
ダイパッド部１８は、半導体素子２９より小さな搭載領
域でも良く、半導体素子の大きさが変わっても共用性に
優れ、リードフレームの共用化範囲が他の半導体装置に
比べ広く生産上の効率化に貢献できる。
【０１１７】次に図１６に示す樹脂封止型半導体装置
は、ダイパッド部１８は第１，第２の信号接続用リード
部１３，１９より厚みが厚く、また、ダイパッド部１８
の裏面側にはハーフエッチ等により凸部３２が形成され
ている。
【０１１８】図１６に示す樹脂封止型半導体装置による
と、ダイパッド部１８の裏面側が中央部で凸部３２とな
る段付形状となっており、この凸部３２の下部のみが封
止樹脂３１から露出しているので、ダイパッド部１８に
対する封止樹脂３１の保持力が増大し、樹脂封止型半導
体装置としての信頼性が向上する上に、ダイパッド部１
８の厚みが厚く形成されているので、ダイパッド部１８
の外形より大きな半導体素子２９を搭載することが容易
にでき、第２の信号接続用リード部１９の先端部上にそ
の一部を配して、より外に出すことも可能であり搭載す
る半導体素子２９の大きさの制限を緩和することができ
る。言い換えると、同じ大きさの半導体素子に対する樹
脂封止型半導体装置としてのサイズを小さくすることが
できる。
【０１１９】次に図１７に示す樹脂封止型半導体装置に
おいては、信号接続用リード部の構造を示しており、特
に信号接続用リード部の部分的な拡大断面を示してい
る。
【０１２０】図１７に示すように本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、第１、第２の信号接続用リード部１
３，１９の形状は、その表面に溝部３３が設けられ、そ
の上側部には幅広部を有している。特徴点としては、第
１、第２の信号接続用リード部１３，１９の上面の溝部
３３と溝部３３との間に金属細線３０を接続しているこ
とである。このように、第１、第２の信号接続用リード
部１３，１９には溝部３３または幅広部、さらにはその
両方を有することにより、リード部と封止樹脂３１との
密着性（アンカー効果）を向上させることができ、第
１，第２の外部端子部１４，２０に加わるストレスや金
属細線３０へのストレスを緩和させることができ、製品
の信頼性を保つことができる。すなわち、封止樹脂３１
からの外部端子部のヌケはがれを防止できる。さらに第
１、第２の外部端子部１４，２０に対しては、実装によ
る応力が印加されることになるが、第１、第２の外部端
子部１４，２０の上側部には溝部３３を形成しており、
その溝部３３によって外部端子部に加わる応力を吸収
し、緩和することができる。また、本発明の要旨を越え
ない限り種々の変形実施が可能であることはいうまでも
ない。たとえば、金線接続部分を外部端子部の上部の溝
部より離して配置しても良く、この場合、金属細線の接
続長さを短くでき、生産性が向上する。また、金線接続
部分を第２の外部端子部２０の上部の溝部３３より離し
て外側に配置しても良く大きな半導体素子が搭載でき
る。
【０１２１】さらに、樹脂封止型半導体装置の外部端子
の構成として、第１の信号接続用リード部１３（第１の
外部端子部１４）より第２の信号接続用リード部１９
（第２の外部端子部２０）の面積が少なく、ダイパッド
部１８の近傍に延在させることにより、第２の信号接続
用リード部１９（第２の外部端子部２０）の長辺の長さ
を短くするので、マトリックス状に配した外部端子数を
多くすることもできる。また、第１の外部端子部１４の
面積を大きくすることにより、実装基板との接続面積を
広くして応力の多くかかる第１の外部端子部１４の熱
的、機械的耐性を向上することにより、接続信頼性が高
く外部端子数を増やした半導体装置の供給が可能とな
る。
【０１２２】本発明の要旨を越えない限り種々の変形実
施が可能であることはいうまでもないが、本実施形態を
種々に組み合わせることにより信頼性が高く半導体素子
の大きさ、電極パッド数に適した半導体装置のマトリッ
クス状に配した外部端子の数、配置を選択できる。
【０１２３】
【発明の効果】以上、本発明によると、第１、第２の信
号接続用リード部を有したリードフレームの底面側に樹
脂フィルムを密着させて、開口部にダイパッド底面を固
着させることにより外部端子部、ダイパッド部の下面を
封止樹脂から露出させ、半導体素子の搭載を可能にする
小型、多端子の半導体装置が可能になった。
【０１２４】また、樹脂封止型半導体装置の製造過程に
おいては、ダイパッド部が樹脂フィルムに固着されてい
るため、半導体素子とリード部との金属細線の接続も安
定にでき、生産性が良い樹脂封止型半導体装置を実現で
きる。
【０１２５】また、外部端子部の厚みより厚いダイパッ
ド部の存在により、第２の信号接続用リード部の上方に
半導体素子をダイパッド部に接着して配することがで
き、第２の信号接続用リード部の先端部より大きな半導
体素子を搭載した小型の生産性、実装信頼性の良い樹脂
封止型半導体装置を実現できる。
【０１２６】また、信号接続用リード部の表面には幅広
部と複数の溝とを配設することにより、封止樹脂が溝部
に入り、そのアンカー効果と、また幅広部の効果によ
り、外部端子部が封止樹脂の底面に突出していても、樹
脂との密着性が向上するため、実装信頼性をはじめとし
た種々の信頼性を向上した樹脂封止型半導体装置を実現
することができる。さらに、外部端子の露出面およびダ
イパッド部の下面を封止樹脂面より突出させて配列する
ことにより、実装基板と半導体装置の底面の空間を開け
やすく実装後の信頼性に好適な樹脂封止型半導体装置を
実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
【図２】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図
【図３】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
【図４】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
【図５】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
【図６】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
【図７】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
【図８】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
【図９】本発明の一実施形態のリードフレームの製造方
法を示す平面図
【図１０】本発明の一実施形態のリードフレームの製造
方法を示す平面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図
【図１５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
【図１８】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
【符号の説明】 １ 半導体素子 ２ 接着剤 ３ 両面プリント配線基板 ４，５ 配線パターン ６ スルーホール ７ 導体 ８ 電極パッド ９ 金属細線 １０ ソルダーレジスト １１ 樹脂 １２ 半田ボール １３ 第１の信号接続用リード部 １４ 第１の外部端子部 １５ フレーム枠 １６ 樹脂フィルム １７ 開口部 １８ ダイパッド部 １９ 第２の信号接続用リード部 ２０ 第２の外部端子部 ２１ ポスト部 ２２ フレーム開口縁 ２３ 開口領域 ２４ 連結部 ２５ リードフレーム構成体 ２６ 金属板 ２７ 接続部 ２８ 支持部 ２９ 半導体素子 ３０ 金属細線 ３１ 封止樹脂 ３２ 凸部 ３３ 溝部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/12 501

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属板に対して、開口部と、前記開口部
    の領域内に前記開口部の開口縁の近傍で前記フレームに
    連接した第１の信号接続用リード部と、前記第１の信号
    接続用リード部よりも内側の領域で連結部により前記第
    １の信号接続用リード部に連接した第２の信号接続用リ
    ード部を形成し、リードフレーム構成体を形成する工程
    と、前記リードフレーム構成体に対して、少なくとも前
    記開口部の領域を覆い、前記第１の信号接続用リード部
    と第２の信号接続用リード部との裏面に樹脂フィルムを
    密着させる工程と、前記連結部を切断除去し、前記開口
    部の領域内で第２の信号接続用リード部を分離独立して
    前記樹脂フィルム上に配設する工程と、前記開口部の前
    記樹脂フィルム上に半導体素子支持部材を固着させる工
    程とよりなることを特徴とするリードフレームの製造方
    法。
  2. 【請求項２】 金属板に対して、開口部と、前記開口部
    の領域内に前記開口部の開口縁の近傍で第１の信号接続
    用リード部と、前記第１の信号接続用リード部よりも内
    側の領域で連結部により前記第１の信号接続用リード部
    に連接した第２の信号接続用リード部と、前記連結部を
    支持する支持部を形成し、リードフレーム構成体を形成
    する工程と、前記リードフレーム構成体に対して、少な
    くとも前記開口部の領域を覆い、前記第１の信号接続用
    リード部と第２の信号接続用リード部との裏面に樹脂フ
    ィルムを密着させる工程と、前記連結部および支持部を
    切断除去し、前記開口部の領域内で第１の信号接続用リ
    ード部と第２の信号接続用リード部とを分離独立して前
    記樹脂フィルム上に配設する工程と、前記開口部の前記
    樹脂フィルム上に半導体素子支持部材を固着させる工程
    とよりなることを特徴とするリードフレームの製造方
    法。
  3. 【請求項３】 樹脂フィルムをリードフレーム構成体に
    密着させる工程において、第１の信号接続用リード部と
    第２の信号接続用リード部とを接続した連結部の裏面に
    は樹脂フィルムを密着させないことを特徴とする請求項
    １または請求項２に記載のリードフレームの製造方法。
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JP5275159B2 (ja) * 2000-10-02 2013-08-28 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP4507380B2 (ja) * 2000-10-05 2010-07-21 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法及びそれに用いるリードフレーム積層物
US6720207B2 (en) * 2001-02-14 2004-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Leadframe, resin-molded semiconductor device including the leadframe, method of making the leadframe and method for manufacturing the device
JP3436253B2 (ja) 2001-03-01 2003-08-11 松下電器産業株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP3436254B2 (ja) * 2001-03-01 2003-08-11 松下電器産業株式会社 リードフレームおよびその製造方法
JP4590788B2 (ja) * 2001-06-28 2010-12-01 パナソニック株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
US6838751B2 (en) * 2002-03-06 2005-01-04 Freescale Semiconductor Inc. Multi-row leadframe
JP2003303919A (ja) 2002-04-10 2003-10-24 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2006049694A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Freescale Semiconductor Inc 二重ゲージ・リードフレーム
JP4466341B2 (ja) * 2004-11-22 2010-05-26 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びにリードフレーム
JP2009094118A (ja) * 2007-10-04 2009-04-30 Panasonic Corp リードフレーム、それを備える電子部品及びその製造方法
JP6274553B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-07 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法

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