JP3916352B2 - ターミナルランドフレーム及びその製造方法、並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ及び該半導体チップと接続される信号接続用リードを樹脂パッケージにより封止し、信号接続用リードと接続されるターミナルランド部を外部電極端子として裏面側に有する樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、並びに該樹脂封止型半導体装置に用いられるターミナルランドフレーム及びその製造方法に関し、特に、パワー素子からの発熱を放散するためにダイパッドの下面を露出させたパワー型の樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求されているので、半導体部品の小型化及び薄型化が加速度的に進んでいる。
【０００３】
半導体部品の１つである樹脂封止型半導体装置においては、該半導体装置をプリント基板表面に高密度に実装するために、現在、半導体チップを封止した正方形又は長方形の樹脂パッケージの側面にガル・ウイング形状の外部リード端子が多数配置されたＱＦＰ（クワッド・フラットパック・パッケージ）が広く使用されている。特に、半導体チップ内にパワー素子を内蔵する場合には、放熱性を考慮して、半導体チップを搭載したダイパッドの下面が露出したＱＦＰつまりパワーＱＦＰが使用されている。
【０００４】
ところで、最近、半導体チップの高機能化（高ＬＳＩ化）に伴って、ＱＦＰについては、さらに外部リード端子数を増やすことが強く望まれている。現在、ＱＦＰの外形寸法を大きくすることなく外部リード端子数を増やすために、端子ピッチが０．３ｍｍ程度に狭ピッチ化されたＱＦＰつまり狭ピッチＱＦＰが一部実用化されている。
【０００５】
しかし、狭ピッチＱＦＰ又は狭ピッチパワーＱＦＰの製造及び実装にあたっては、その取り扱い時における外部リード端子の曲がりに起因して、以下のような問題が生じる。
（１）樹脂封止型半導体装置の製造歩留まりが低下する。
（２）樹脂封止型半導体装置をプリント基板上に実装するときの歩留まりが低下する。
（３）樹脂封止型半導体装置が実装されたプリント基板の品質低下等を回避するために特別の対策が必要になる。
【０００６】
そこで、ＱＦＰの外部リード端子に関する前記の課題を解決するパッケージ技術として、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）パッケージが開発されている。
【０００７】
図１５は、従来の樹脂封止型半導体装置、具体的にはパワー素子を内蔵する半導体チップを用いたＢＧＡパッケージ方式（パワーＢＧＡ型）の樹脂封止型半導体装置の断面構造を示している。
【０００８】
図１５に示すように、パワー素子を内蔵する半導体チップつまりパワー半導体チップ１０１が接着剤１０２を介して両面配線基板１０３の上面に搭載されている。両面配線基板１０３の上面におけるパワー半導体チップ１０１が搭載されていない領域には、上面側配線パターン１０４Ａが形成されていると共に、両面配線基板１０３の下面には、下面側配線パターン１０４Ｂが形成されている。両面配線基板１０３にはスルーホール１０３ａが形成されており、該スルーホール１０３ａの壁面に形成されたスルーホール内配線１０４Ｃにより、上面側配線パターン１０４Ａと下面側配線パターン１０４Ｂとが電気的に接続されている。
【０００９】
また、パワー半導体チップ１０１の上面に形成された電極パッド１０１ａと上面側配線パターン１０４Ａとは、金属細線１０５により電気的に接続されている。上面側配線パターン１０４Ａ上における金属細線１０５が接続されている領域以外の他の領域はソルダーレジスト１０６により被覆されている。両面配線基板１０３の上面側においてパワー半導体チップ１０１、両面配線基板１０３及び金属細線１０５等が樹脂パッケージ１０７によりモールドされて保護されている。
【００１０】
ところで、下面側配線パターン１０４Ｂの表面も一部を除いてソルダーレジスト１０６により被覆されている一方、下面側配線パターン１０４Ｂ上におけるソルダーレジスト１０６により被覆されていない領域には、半田ボール１０８が、ソルダーレジスト１０６の下方に突出するように形成されている。このとき、半田ボール１０８は、ソルダーレジスト１０６の下面つまり樹脂封止半導体装置の裏面にアレイ（格子）状に２次元的に配置されている。すなわち、ＢＧＡ型の樹脂封止半導体装置をプリント基板に実装する場合の電気的接続は、半田ボール１０８を介して行なわれる。また、半田ボール１０８は、パワー半導体チップ１０１が発生した熱を樹脂封止半導体装置からプリント基板に放散させるために用いられる。この場合、半田ボール１０８は、一般的にサーマルボールと呼ばれている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
図１５に示すパワーＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置によると、樹脂封止型半導体装置の裏面に外部電極端子となる半田ボール１０８を２次元的に配置できるので、パワーＱＦＰ等における端子ピッチに対する制限が緩和されて、同一パッケージサイズで比較すると端子数をパワーＱＦＰよりも大幅に増大できる。
【００１２】
しかしながら、パワーＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置においては、パワーＱＦＰ等には見られなかった以下のような問題が生じる。
（１）半導体チップを接着して保持する両面配線基板が必要である。
（２）従来のＱＦＰの製造設備以外の新規製造設備の導入が不可欠となって新たな設備コスト等が発生する。
（３）両面配線基板として、通常、ガラス・エポキシ樹脂基板が使用されるため、半導体チップの樹脂接着工程及び加熱硬化工程における半導体チップに加わる歪み対策、半導体チップの各電極パッドと両面配線基板上の配線パターンとをワイヤーボンディングにより電気的に接続する工程における両面配線基板の反り対策、半導体チップを接着した面側のみを樹脂封止することによる両面配線基板の反り対策、或いは、両面配線基板の反りが多少存在する場合における複数の半田ボールの水平面上での高さを均一にするための対策等、製造技術上解決すべき多くの課題が生じる。
（４）半導体装置の信頼性、特に耐湿性が劣化する可能性がある。例えば、ガラス・エポキシ樹脂と樹脂パッケージとの界面の密着力が弱い場合、高温高湿試験又はプレッシャ・クッカー試験等の環境試験において半導体装置の品質保証が困難になる。
【００１３】
尚、パワーＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置に関する前記の諸課題の解決策として、セラミック製の両面配線基板の使用は非常に有効である一方、該基板のコストが高いという欠点がある。
【００１４】
また、リードフレームを使用したパワーＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置も数多く提案されているが、この場合、リードフレームの加工限界に起因して樹脂封止型半導体装置の裏面にアレー状（格子状）に多数の端子を配列することができなきため、多端子化が困難になる。その結果、リードフレームを使用したパワーＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置は、小型化の要求にしか応えられない。
【００１５】
前記に鑑み、本発明は、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現しつつ、該半導体装置を小型化できるようにすると共に多端子化できるようにすることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係るターミナルランドフレームは、フレーム枠と、フレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイルムと、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム上にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードとを備え、ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられ、信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられている。
【００１７】
本発明のターミナルランドフレームによると、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられているため、ダイパッドに半導体チップを搭載して樹脂フイルムの上面において半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００１８】
また、本発明のターミナルランドフレームによると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リードが保持されていると共に各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているため、複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置することができる。このため、ターミナルランドフレームに多数のターミナルランド部を配置できるので、多端子化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００１９】
また、本発明のターミナルランドフレームによると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムによりダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダイパッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配置できるので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００２０】
また、本発明のターミナルランドフレームによると、ターミナルランドフレームのフレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイルムが保持されていると共に樹脂フイルム上にダイパッドが保持されているため、ダイパッドに半導体チップを搭載して該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠等の金属部分を切断することなく樹脂フィルムを切断することにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することができる。また、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に、樹脂フイルム上に保持された信号接続用リードに、樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているので、ダイパッドに半導体チップを搭載して樹脂フイルムの上面において半導体チップ等を樹脂封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部、及びターミナルランド部つまり下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。従って、本発明のターミナルランドフレームを用いることにより、パワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。但し、スタンドオフとは、樹脂封止型半導体装置の裏面つまり樹脂フイルムの下方に突出する部分の突出量を意味する。
【００２１】
本発明のターミナルランドフレームにおいて、ダイパッドは、第１の凹部の開口部を含む面積が該ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さいことが好ましい。
【００２２】
このようにすると、例えば、半導体チップをダイパッド上に保持するための接着剤の厚さを調節することにより、ダイパッド（第１の凹部の開口部を含む）よりも面積が大きい半導体チップを信号接続用リードの上方に位置させることが可能となるため、ターミナルランド部が半導体チップの下方に配置されて、小型化された樹脂封止型半導体装置を確実に実現することができる。
【００２３】
本発明のターミナルランドフレームにおいて、フレーム枠には、補強材が、その下面が樹脂フイルムの下面よりも下側に位置するように接着され、放熱部及びターミナルランド部は、それぞれその下面が補強材の下面と略同一の平面に位置していることが好ましい。
【００２４】
このようにすると、ターミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する各工程において、ターミナルランドフレームに加わる圧力が分散して各工程を安定的に行なえるので、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００２５】
本発明のターミナルランドフレームにおいて、信号接続用リード部は、ダイパッドに搭載される半導体チップと金属細線により接続される部分の表面に、放熱部及びターミナルランド部のそれぞれの表面と異なるメッキ加工が施されていることが好ましい。
【００２６】
このようにすると、例えば、信号接続用リードにおける金属細線が接続される部分の表面に銀メッキを行なうと共に、放熱部及びターミナルランド部のそれぞれの表面（下面）に、実装基板とのはんだ接続に適したメッキを行なうことにより、実装基板との接続信頼性の高い高品質のパワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００２７】
本発明に係るターミナルランドフレームの製造方法は、フレーム枠を構成する金属板の下面に樹脂フイルムを貼付する樹脂フイルム貼付工程と、樹脂フイルム上において金属板を選択的に除去する加工を行なって、樹脂フイルムを保持するフレーム枠、樹脂フイルム上に保持されたダイパッド、及び樹脂フイルム上にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードを形成する第１の金属板加工工程と、ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出する放熱部を設けると共に、信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部を設ける第２の金属板加工工程とを備えている。
【００２８】
本発明のターミナルランドフレームの製造方法によると、ダイパッドを樹脂フイルム上に保持されるように形成していると共に該ダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部を設けているため、ダイパッドに半導体チップを搭載して樹脂フイルムの上面において半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００２９】
また、本発明のターミナルランドフレームの製造方法によると、ダイパッド及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リードを、それぞれ樹脂フイルム上に保持されるように形成していると共に各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部を設けているため、複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置することができる。このため、ターミナルランドフレームに多数のターミナルランド部を配置できるので、多端子化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００３０】
また、本発明のターミナルランドフレームの製造方法によると、ダイパッドを、従来の吊りリードに代えて樹脂フィルムにより保持されるように形成しているため、ダイパッドに該ダイパッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配置できるので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００３１】
また、本発明のターミナルランドフレームの製造方法によると、フレーム枠を構成する金属板の下面に樹脂フィルムを貼付した後、樹脂フィルム上において金属板を選択的に除去して信号接続用リードを形成しているため、信号接続用リードを容易に微細加工することができると共に、隣接する信号接続用リード同士の間隔つまり隣接するターミナルランド部同士の間隔を容易に狭くすることができるので、ターミナルランドフレームを小型化できると共に、ターミナルランド部つまり外部電極端子の数を増大させることができる。
【００３２】
本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム上にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードと、ダイパッド上に保持された半導体チップと、半導体チップと信号接続用リードとを接続する金属細線と、樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイルム、ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び金属細線を封止している樹脂パッケージとを備え、ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられ、信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられている。
【００３３】
本発明の樹脂封止型半導体装置によると、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に樹脂フイルムの上面においてダイパッドに搭載された半導体チップ等が樹脂封止されているため、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００３４】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置によると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リードが保持されていると共に各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているため、樹脂フイルムつまり樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置することができるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができる。
【００３５】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムによりダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダイパッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の裏面における半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。
【００３６】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置によると、放熱部及びターミナルランド部が樹脂フィルムつまり樹脂封止型半導体装置の裏面から突出しているため、放熱部及びターミナルランド部と実装基板とを接合して樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放熱部、及びターミナルランド部つまり外部電極端子のそれぞれのスタンドオフを予め確保しておくことができる。このため、ターミナルランド部をそのまま外部電極端子として用いることができると共に、例えば放熱部及びターミナルランド部を形成するための金型加工の深さ、又は樹脂フィルムの厚さ等を制御することにより、放熱部及びターミナルランド部のそれぞれのスタンドオフを容易に変更することができる。従って、樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放熱部と実装基板との接続信頼性を向上させることができると共に、半田ボールを付設することなく、ターミナルランド部と実装基板の電極との接続信頼性を向上させることができるので、パワー型の樹脂封止型半導体装置の製造工数及び製造コストを低減させることができる。
【００３７】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置によると、樹脂パッケージと樹脂フィルムとの密着性が良いため、樹脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事態が防止されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上する。
【００３８】
本発明の樹脂封止型半導体装置において、放熱部及びターミナルランド部は、それぞれ樹脂フイルムの下方に突出する部分の突出量つまりスタンドオフが、３０〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００３９】
このようにすると、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときの接続強度が確実に向上する。
【００４０】
本発明の樹脂封止型半導体装置において、信号接続用リードは、金属細線が接続される一の部分が該一の部分以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リードの一の部分がダイパッドを取り囲んで略一列に並ぶように配置されていることが好ましい。
【００４１】
このようにすると、半導体チップの電極パッドが多い場合にも、ワイヤーボンディング工程を簡単に行なうことができる。
【００４２】
本発明の樹脂封止型半導体装置において、第１の凹部及び第２の凹部には、樹脂パッケージを構成する封止樹脂が充填されていることが好ましい。
【００４３】
このようにすると、放熱部及びターミナルランド部のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パッケージとダイパッド及び信号接続用リードとの密着性が向上する。
【００４４】
本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、フレーム枠と、フレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイルムと、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム上にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードとを備え、ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているターミナルランドフレームを準備する第１の工程と、ダイパッド上に半導体チップを保持する第２の工程と、半導体チップと信号接続用リードとを金属細線により接続する第３の工程と、樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイルム、ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び金属細線を樹脂パッケージにより封止する第４の工程と、ターミナルランドフレームを切断する第５の工程とを備えている。
【００４５】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に樹脂フイルムの上面においてダイパッドに搭載された半導体チップ等を樹脂封止しているため、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００４６】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リードが保持されていると共に各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているため、樹脂フイルムつまり樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置することができるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができる。
【００４７】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムによりダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダイパッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の裏面における半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。また、従来の吊りリードを用いる必要がないため、樹脂封止工程における樹脂の成形性が向上して、ボイドの発生、或いは、半導体チップのサイズが大きい場合における封止樹脂の未充填部分の発生を抑制できるので、樹脂封止型半導体装置の歩留まりが向上する。また、樹脂封止型半導体装置における従来の吊りリードに用いられていたスペースを信号接続用リードの配置に利用できるので、樹脂封止型半導体装置に用いられるターミナルランドフレームの設計品質を向上させることができる。さらに、従来の吊りリードを用いる必要がなくなることによって、ダイパッドに搭載される半導体チップのサイズに対する制限、或いは、半導体チップと信号接続用リードとを接続する金属細線に対する制限が緩和されるため、樹脂封止型半導体装置の製造が容易になって生産性が向上する。
【００４８】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、ターミナルランドフレームのフレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイルムが保持されていると共に樹脂フイルム上にダイパッドが保持されているため、ダイパッドに半導体チップを搭載して該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠等の金属部分を切断することなく樹脂フィルムを切断することにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することができる。また、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に、樹脂フイルム上に保持された信号接続用リードに、樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているので、樹脂フイルムの上面においてダイパッドに搭載された半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部、及びターミナルランド部つまり下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を形成することができる。従って、パワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００４９】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、ターミナルランドフレームのフレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイルムが保持されていると共に、樹脂フイルムの上面側において半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止している。このため、樹脂フイルムの下面側に封止樹脂が回り込む事態が阻止される結果、放熱部の表面、及びターミナルランド部つまり外部電極端子の表面に樹脂バリが形成されることがないので、ばりとり工程が不要になってパワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００５０】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第４の工程は、封止金型内においてターミナルランドフレームの下面と封止金型との間に封止フィルムを介在させながら、封止金型内に樹脂パッケージとなる封止樹脂を流し込む工程を含むことが好ましい。
【００５１】
このようにすると、樹脂フイルムの下面側に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止できる。また、封止金型の熱によって封止フィルムが軟化すると共に熱収縮するので、封止樹脂の圧力及び封止金型の締め付け圧力により放熱部及びターミナルランド部が封止フィルムに食い込んで、信号接続用リードの下側の空隙が封止フィルムにより埋められる。従って、信号接続用リード（ターミナルランド部を除く）の下面に直接樹脂圧力が加わる事態が回避されるので、ターミナルランドフレームの変形が防止される。さらに、放熱部及びターミナルランド部における樹脂フィルムの下方に突出する構造が保持されるので、放熱部、及びターミナルランド部つまり外部電極端子のそれぞれのスタンドオフを確保することができる。
【００５２】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、ターミナルランドフレームは複数個のダイパッドを備え、第２の工程は、複数個の半導体チップを複数個のダイパッドのそれぞれの上に保持する工程を含み、第４の工程は、複数個のダイパッド及び複数個の半導体チップを樹脂パッケージにより一括して封止する工程を含むことが好ましい。
【００５３】
このようにすると、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。また、ダイパッドに設けられた放熱部の下面を、フレーム枠の下面と略同一の平面に位置させている場合には、封止金型の表面におけるダイパッドの下側に凸部を設ける必要がなくなって封止金型の共用化が可能となる。従って、大型キャビテーを使用することにより複数個のダイパッド及び複数個の半導体チップを樹脂パッケージにより一括して容易に封止することができる。
【００５４】
また、この場合、第５の工程は、回転刃を用いてフレーム枠を切断することなく樹脂フイルム及び樹脂パッケージを切断する工程を含むことが好ましい。
【００５５】
このようにすると、ターミナルランドフレームの切断が容易になるので、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００５６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係るターミナルランドフレームについて、図面を参照しながら説明する。尚、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームにおいては、複数個のパターン（ダイパッドとそれを取り囲む複数個の信号接続用リードとの組み合わせ）が２次元的に配置されているものとする。
【００５７】
図１は第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを裏面から見た平面図であり、図２は第１の実施形態に係るターミナルランドフレームの一部を正面から見た平面図（拡大図）であり、図３（ａ）は図１におけるＩ−Ｉ線の断面図であり、図３（ｂ）は第１の実施形態に係るターミナルランドフレームにおけるダイパッドの断面図である。尚、図２において、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置（複数個）が製造されたときの一の樹脂封止型半導体装置の外形位置を一点鎖線で示している。
【００５８】
図１〜図３に示すように、ターミナルランドフレーム１のフレーム枠２には、該フレーム枠２の内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されている。具体的には、フレーム枠２の下面に、樹脂フイルム３の周縁部及びフレーム枠２の補強材２ａが順次接着されている。すなわち、補強材２ａの下面は樹脂フイルム３の下面よりも下側に位置している。尚、補強材２ａの厚さは、ターミナルランドフレーム１が従来のリードフレームと同等の厚さを有するように調節される。
【００５９】
また、樹脂フィルム３上には、半導体チップ搭載用の複数個のダイパッド４と、各ダイパッド４を取り囲むように配置された複数個の信号接続用リード５とが保持されている。尚、信号接続用リード５は、金属細線（信号接続用リード５と、ダイパッド４に搭載される半導体チップとを電気的に接続する）が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されている。
【００６０】
さらに、ダイパッド４には、第１の凹部４ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、各信号接続用リード５には、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられている。すなわち、ダイパッド４における放熱部４ａを除く部分の下面、及び各信号接続用リード５におけるターミナルランド部６を除く部分（金属細線接続部５ａ等）の下面には、樹脂フィルム３が接着されている。放熱部４ａは実装基板に接続され、ダイパッド４に搭載される半導体チップが発生する熱を外部に伝達し、また、各ターミナルランド部６は実装基板に接続され、電気信号を外部に伝達する外部電極端子として働く。尚、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５に形成された第２の凹部５ｂには、樹脂封止工程において樹脂パッケージとなる封止樹脂が充填される。また、放熱部４ａの下面及びターミナルランド部６の下面と、フレーム枠２の補強材２ａの下面とは同じ平面に位置している。
【００６１】
具体的には、放熱部４ａ及び各ターミナルランド部６の断面形状とそれぞれ略同一の形状を有する複数個の開口部が設けられた樹脂フィルム３が、該開口部と放熱部４ａ及びターミナルランド部６とを位置合わせしてフレーム枠２、ダイパッド４（放熱部４ａを除く）及び信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）のそれぞれの下面に接着されている。尚、各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の下にアレー状に配置されている。言い換えると、各信号接続用リード５におけるターミナルランド部６が接続されている部分は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の上にアレー状に配置されている。
【００６２】
ところで、図示は省略しているが、少なくとも放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルランド部６のそれぞれの表面における所定の領域には、金又はパラジュウム等の金属メッキが施されている。これにより、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部４ａ、及びターミナルランド部６つまり外部電極端子を、半田ボールを用いることなく実装基板に接続することができるので、実装基板との接続信頼性が高い小型で安価な樹脂封止型半導体装置を実現することができる。このとき、信号接続用リード５の表面（金属細線接続部５ａ）には、例えば銀メッキを行なうと共に、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの表面（下面）には、実装基板とのはんだ接続に適したメッキを行なうことにより、言い換えると、信号接続用リード５の表面と、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの表面とに互いに異なるメッキ加工を行なうことにより、高品質の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００６３】
第１の実施形態によると、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられているため、ダイパッド４に半導体チップを搭載して樹脂フイルム３の上面において半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００６４】
また、第１の実施形態によると、樹脂フイルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているため、複数個のターミナルランド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができる。このため、ターミナルランドフレーム１に多数のターミナルランド部６を配置できるので、多端子化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００６５】
また、第１の実施形態によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナルランド部６を実質的に配置できるので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。具体的には、例えば、半導体チップをダイパッド４上に保持するための接着剤の厚さを調節することにより、ダイパッド４よりも面積が大きい半導体チップを信号接続用リード５の上方に位置させることが可能となるため、ターミナルランド部６が半導体チップの下方に配置されて、小型化された樹脂封止型半導体装置を確実に実現することができる。
【００６６】
また、第１の実施形態によると、ターミナルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されていると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４が保持されているため、ダイパッド４に半導体チップを搭載して該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠２等の金属部分を切断することなく樹脂フィルム３を切断することにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することができる。また、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、樹脂フイルム３上に保持された信号接続用リード５に、樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているので、樹脂フイルム３の上面において半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部４ａ、及びターミナルランド部６つまり下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。従って、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを用いることにより、パワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００６７】
また、第１の実施形態によると、ターミナルランドフレーム１の厚さが従来のリードフレームと同等になるように、フレーム枠２に補強材２ａを接着しているため、半導体装置の製造工程においてジグ等を用いることなくターミナルランドフレーム１を搬送できるので、半導体装置の製造工程がＱＦＰ等の場合と同様に簡単になる。
【００６８】
また、第１の実施形態によると、信号接続用リード５が樹脂フィルム３上に保持されているため、例えば、フレーム枠２を構成する金属板の下面に樹脂フイルム３を貼付した後、該金属板を樹脂フイルム３上で選択的に除去して、信号接続用リード５を形成することができる。このため、信号接続用リード５を容易に微細加工することができると共に、隣接する信号接続用リード５同士の間隔つまり隣接するターミナルランド部６同士の間隔を容易に狭くすることができるので、ターミナルランドフレーム１を小型化できると共に、ターミナルランド部６つまり外部電極端子の数を増大させることができる。
【００６９】
また、第１の実施形態によると、ターミナルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うよう樹脂フイルム３が保持されていると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４及び信号接続用リード５が保持されているため、ダイパッド４に半導体チップを搭載した後、樹脂フイルム３の上面側において半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止することにより、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む事態を阻止することができる。このため、放熱部４ａの表面及びターミナルランド部６の表面に、樹脂バリ（樹脂封止の際に発生する残余樹脂であり、樹脂パッケージの成形上不必要な部分）が形成されることを防止できるので、ばりとり工程が不要になる。すなわち、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームつまりターミナルランドフレーム１は、樹脂封止の際に封止樹脂の流出を止めるタイバーが設けられていないターミナルランドフレームである。尚、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５に形成された第２の凹部５ｂには、樹脂封止工程において樹脂パッケージとなる封止樹脂が充填されるため、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パッケージとターミナルランドフレーム１との密着性が向上する。また、樹脂封止工程において用いられる封止金型の片方が封止樹脂と接することがないため、離型のための押し出しピン、又は樹脂の金型変形を防止する焼き入れに用いられる金型等の構造を単純化することができる。さらに、樹脂封止後は、樹脂パッケージ（の下面）と樹脂フィルム３（の上面）との密着性が良いため、樹脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事態が防止されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上する。
【００７０】
また、第１の実施形態によると、放熱部４ａ及びターミナルランド部６が樹脂フィルム３の下方に突出しているため、例えば樹脂フィルム３の厚さを調節することにより放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを高くすることができるので、言い換えると、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを容易に確保することができるので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を基板実装する時の接続強度が向上する。
【００７１】
また、第１の実施形態によると、フレーム枠２には補強材２ａが、その下面が樹脂フイルム３の下面よりも下側に位置するように接着されていると共に、放熱部４ａの下面及びターミナルランド部６の下面が補強材２ａの下面と同じ平面に位置しているため、ターミナルランドフレーム１を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する各工程において、ターミナルランドフレーム１に加わる圧力が分散して各工程を安定的に行なえるので、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。具体的には、例えば、樹脂封止工程を行なう場合、ターミナルランドフレーム１に加わる封止樹脂の圧力が分散するので、樹脂封止工程を安定的に行なうことができる。
【００７２】
尚、第１の実施形態において、ターミナルランド部６の断面形状としては、丸形に限られず、矩形等の多角形を用いてもよい。また、ターミナルランド部６の下面の形状としては、平面形状に限られず、半球等の形状を用いてもよい。ターミナルランド部６の下面の形状を半球状にすると、基板実装する時の半田接続の信頼性が向上するので、大型の半導体装置を基板実装する場合、つまり基板実装時にターミナルランド部６に加わる応力が高くなる場合、特に有効である。
【００７３】
また、第１の実施形態において、樹脂フィルム３としては、樹脂封止時における高温環境に耐性がある材料、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド又はポリカーボネート等を主成分とする樹脂をベースとし、片面に接着剤を有するテープ等を用いることが好ましい。
【００７４】
また、第１の実施形態において、ターミナルランドフレーム１には複数個のパターンが２次元的に、具体的には、上下左右に連続して配置されていたが、これに限られず、ターミナルランドフレーム１に配置されるパターンの数や配置方法を適宜選択することができる。
【００７５】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法について、図面を参照しながら説明する。尚、第２の実施形態においては、図１〜図３に示す第１の実施形態に係るターミナルランドフレームと同一の部材には同一の符号を付す。
【００７６】
図４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す断面図である。但し、図４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ａ）〜（ｃ）において、縦方向を拡大して表している。
【００７７】
まず、図４（ａ）に示す第１の工程において、ターミナルランドフレームのフレーム枠を構成する、例えば銅材等の金属板７の下面に樹脂フィルム３を、該樹脂フィルム３に貼付された接着剤を用いて高温下で接続する。このとき、樹脂フィルム３における放熱部形成領域及びターミナルランド部形成領域には、それぞれ第１の開口部３ａ及び第２の開口部３ｂが設けられている。
【００７８】
尚、樹脂フィルム３としては、例えば、基材がポリイミドであり、且つ貼付される接着剤がエポキシ系の接着剤である樹脂フイルム等を用いることができる。
【００７９】
次に、図４（ｂ）に示す第２の工程において、金属板７の表面、具体的には、金属板７の上面、並びに金属板７の下面における樹脂フィルム３の第１の開口部３ａ及び第２の開口部３ｂに露出している部分にレジスト膜８を形成する。
【００８０】
次に、図４（ｃ）に示す第３の工程において、レジスト膜８の所定の領域を除去して、金属板７の上面におけるフレーム枠形成領域、ダイパッド形成領域及び信号接続用リード形成領域、並びに金属板７の下面における樹脂フィルム３の第１の開口部３ａ及び第２の開口部３ｂに露出している部分を覆うレジストパターン８Ａを形成する。
【００８１】
次に、図４（ｄ）に示す第４の工程において、レジストパターン８Ａをマスクとして金属板７に対してエッチングを行なって、樹脂フイルム３を保持するフレーム枠２（図示省略）、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４、及び樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むように保持された複数個の信号接続用リード５を形成する。尚、ダイパッド４の下面上に樹脂フィルム３の第１の開口部３ａが位置していると共に、各信号接続用リード５の下面上に樹脂フィルム３の第２の開口部３ｂが位置している。また、図示は省略しているが、フレーム枠２の下面には、樹脂フイルム３を介して補強材２ａが接着される。
【００８２】
次に、図５（ａ）に示す第５の工程において、レジストパターン８Ａを除去した後、図５（ｂ）に示す第６の工程において、ダイパッド４における樹脂フィルム３の第１の開口部３ａの上側の部分つまり放熱部形成領域に対して金型加工を行なって、ダイパッド４に、樹脂フィルム３の第１の開口部３ａから下方に突出する放熱部４ａを設けると共に、各信号接続用リード５における樹脂フィルム３の第２の開口部３ｂの上側の部分つまりターミナルランド部形成領域に対して金型加工を行なって、各信号接続用リード５に、樹脂フィルム３の第２の開口部３ｂから下方に突出するターミナルランド部６を設ける。このとき、放熱部４ａを含むダイパッド４には第１の凹部４ｂが形成されると共に、ターミナルランド部６を含む信号接続用リード５には第２の凹部５ｂが形成される。尚、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの形状は、基板実装時の接続信頼性、又は半導体チップの電気性能検査におけるコンタクト性等を考慮して決定される。基本的には、ターミナルランド部６の断面形状としては、丸形又は矩形等が用いられ、ターミナルランド部６の下面の形状としては、平坦な形状又は半球等の形状が用いられる。
【００８３】
図６は、金型９を用いて、信号接続用リード５に、樹脂フィルム３の下方に突出するターミナルランド部６を設けている様子を示す断面図である。ダイパッド４に、樹脂フィルム３の下方に突出する放熱部４ａを設ける場合にも、図６に示す方法と同様の方法が用いられる。
【００８４】
次に、図５（ｃ）に示す第７の工程において、放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルランド部６のそれぞれの表面における所定の領域に、パラジウム、銀又は金等を用いた金属積層メッキ１０を形成する。
【００８５】
以上に説明したように、第２の実施形態によると、第１の実施形態に係るターミナルランドフレーム、具体的には、フレーム枠２と、フレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイルム３と、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４と、樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むように保持された複数個の信号接続用リード５とを備え、ダイパッド４に、第１の凹部４ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、信号接続用リード５のそれぞれに、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているターミナルランドフレームを形成することができる。
【００８６】
すなわち、ダイパッド４を樹脂フイルム３上に保持されるように形成していると共に該ダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａを設けているため、ダイパッド４に半導体チップを搭載して樹脂フイルム３の上面において半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また、ダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リード５を、それぞれ樹脂フイルム３上に保持されるように形成していると共に各信号接続用リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６を設けているため、複数個のターミナルランド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができる。このため、ターミナルランドフレーム１に多数のターミナルランド部６を配置できるので、多端子化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。さらに、ダイパッド４を、従来の吊りリードに代えて樹脂フィルム３により保持されるように形成しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナルランド部６を実質的に配置できるので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００８７】
また、第２の実施形態によると、金属板７の下面に樹脂フィルム３を貼付した後、樹脂フィルム３上において金属板７を選択的に除去して、信号接続用リード５を形成することができるため、信号接続用リード５を容易に微細加工することができると共に、隣接する信号接続用リード５同士の間隔つまり隣接するターミナルランド部６同士の間隔を容易に狭くすることができるので、ターミナルランドフレームを小型化できると共に、ターミナルランド部６つまり外部電極端子の数を増大させることができる。具体的には、信号接続用リード５を、隣接する信号接続用リード５同士の間隔が２０〜７０μｍになるように形成することができる。また、信号接続用リード５の金属細線接続部５ａ（図２参照）を該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成できると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置できるので、樹脂封止型半導体装置の製造におけるワイヤーボンディング工程を簡単に行なうことができる。
【００８８】
また、第２の実施形態によると、フレーム枠２の下面に補強材２ａを接着することによりターミナルランドフレームの厚さを従来のリードフレームと同等の厚さにすることができるため、ターミナルランドフレームの製造工程及び搬送工程が安定するので、ターミナルランドフレームの生産性が向上する。
【００８９】
また、第２の実施形態によると、金属板７に対して金型加工行なって放熱部４ａ及びターミナルランド部６を形成しているため、金型加工の深さの制御により放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを決定することができる。このため、狭ピッチでターミナルランド部６を形成する場合にも、ターミナルランド部６のスタンドオフを、放熱部４ａのスタンドオフと共に高くすることができるので、基板実装時の接続強度が高いパワー型の樹脂封止型半導体装置を実現できる。
【００９０】
尚、第２の実施形態において、樹脂フィルム３の厚さが約５０μｍ、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のスタンドオフがそれぞれ約５０μｍ、ダイパッド４（放熱部４ａを除く）の厚さ及び信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）の厚さが約２５μｍのターミナルランドフレームを製造したが、ダイパッド４、信号接続用リード５及び樹脂フィルム３のそれぞれの厚さ、並びに放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフはこれらに限られるものではない。但し、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフは３０〜１００μｍ程度が好ましい。
【００９１】
また、第２の実施形態において、第７の工程つまり最後の工程で金属層のメッキ処理を行なったが、これに限られず、例えば、第１の工程で樹脂フィルム３の貼付を行なう前にメッキ処理を行なってもよい。このようにすると、樹脂フィルム３がメッキ液により劣化する事態を回避できるので、ターミナルランドフレームの品質が向上すると共にメッキ処理に用いるメッキ液の種類に対する制約が減少する。
【００９２】
また、第２の実施形態において、第７の工程で放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルランド部６のそれぞれの表面における所定の領域に、パラジウム、銀又は金等を用いた金属積層メッキ１０を形成したが、これに代えて、信号接続用リード５の表面（金属細線接続部５ａ）には、例えば銀メッキを行なうと共に、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの表面（下面）には、実装基板とのはんだ接続に適したメッキを行なってもよい。言い換えると、信号接続用リード５の表面と、放熱部４ａの表面及びターミナルランド部６の表面とに互いに異なるメッキ加工を行なってもよい。このようにすると、高品質の樹脂封止型半導体装置を実現をすることができる。
【００９３】
また、第２の実施形態において、第１の工程で樹脂フィルム３の貼付を行なったが、これに限られず、例えば、第４の工程で金属板７に対してエッチングを行なった後に樹脂フィルム３の貼付を行なってもよい。すなわち、樹脂フィルム３の貼付を行なうタイミングは、ターミナルランド部６の数、製造される樹脂封止型半導体装置の大きさ、又は樹脂フィルム３とフレーム枠２との接続方法等に基づき最適化される。
【００９４】
また、第２の実施形態において、第１〜７の工程を順次実施したが、これに限られず、各工程を適宜組み合わせて実施することができる。
【００９５】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について、図面を参照しながら説明する。尚、第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置は、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを用いて製造されている。また、第３の実施形態において、図１〜図３に示す第１の実施形態に係るターミナルランドフレームと同一の部材には同一の符号を付す。
【００９６】
図７（ａ）は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）における一点鎖線に囲まれた領域の拡大図であり、図８は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の平面図（樹脂パッケージは透明体として外形のみを示している）である。
【００９７】
図７（ａ）、（ｂ）及び図８に示すように、樹脂フィルム３上にはダイパッド４、及びその周囲を取り囲むように配置された複数個の信号接続用リード５が保持されている。ダイパッド４には、第１の凹部４ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、各信号接続用リード５には、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられている。すなわち、ダイパッド４における放熱部４ａを除く部分の下面、及び各信号接続用リード５におけるターミナルランド部６を除く部分（金属細線接続部５ａ等）の下面には、樹脂フィルム３が接着されている。尚、各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の下にアレー状に配置されている。言い換えると、各信号接続用リード５におけるターミナルランド部６が接続されている部分は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の上にアレー状に配置されている。
【００９８】
ダイパッド４上には、複数個の電極パッド（図示せず）を有する半導体チップ１１が保持されている。具体的には、ダイパッド４における第１の凹部４ｂの外側の領域の上（以下、ダイパッド４の上面と称する）には接着剤１２が部分的に塗布されており、該接着剤１２を介して半導体チップ１１がダイパッド４上に保持されている。尚、第１の凹部４ｂに、ダイパッド４の上面と同等の高さを有する凸部を設けると共に該凸部の上に接着剤１２を塗布することにより、半導体チップ１１をダイパッド４上に一層確実に保持することができる。
【００９９】
半導体チップ１１の各電極パッドと、対応する信号接続用リード５とは金属細線１３により電気的に接続されている。尚、信号接続用リード５は、金属細線１３が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されている。
【０１００】
また、樹脂フィルム３の上面側において該樹脂フィルム３、ダイパッド４、信号接続用リード５、半導体チップ１１及び金属細線１３等が樹脂パッケージ１４により封止されている。従って、放熱部４ａは実装基板に接続され、ダイパッド４に搭載される半導体チップが発生する熱を外部に伝達し、また、各ターミナルランド部６は実装基板に接続され、電気信号を外部に伝達する外部電極端子として働く。尚、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそれぞれに形成された第２の凹部５ｂには、樹脂パッケージ１４を構成する封止樹脂が充填されている。第１の凹部４ｂに封止樹脂が充填される理由は、ダイパッド４の上面に接着剤１２が部分的に塗布されていることに起因して、ダイパッド４の上面と半導体チップ１１の下面との間にすき間が生じるからである。
【０１０１】
図９（ａ）は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を上面から見た斜視図であり、図９（ｂ）は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を下面から見た斜視図である。
【０１０２】
図９（ｂ）に示すように、樹脂封止型半導体装置の裏面は樹脂フィルム３により覆われている一方、放熱部４ａ及びターミナルランド部６が樹脂封止型半導体装置の裏面から突出している。
【０１０３】
第３の実施形態によると、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に樹脂フイルム３の上面においてダイパッド４に搭載された半導体チップ１１等が樹脂封止されているため、半導体チップ１１が発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【０１０４】
また、第３の実施形態によると、樹脂フイルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているため、樹脂フイルム３つまり樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができる。
【０１０５】
また、第３の実施形態によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よりも大きな面積を有する半導体チップ１１を保持できる。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半導体チップ１１よりも小さくできる。このため、半導体チップ１１の搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の裏面における半導体チップ１１の下方にターミナルランド部６を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。また、樹脂封止型半導体装置の製造工程における吊りリードの変形に起因する製造上の従来の問題が回避されるので、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【０１０６】
また、第３の実施形態によると、放熱部４ａ及びターミナルランド部６が樹脂フィルム３の下方に突出しているため、言い換えると、放熱部４ａ及びターミナルランド部６が樹脂封止型半導体装置の裏面から突出しているため、放熱部４ａ及びターミナルランド部６と実装基板とを接合して樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを予め確保しておくことができる。このため、ターミナルランド部６をそのまま外部電極端子として用いることができると共に、例えば放熱部４ａ及びターミナルランド部６を形成するための金型加工の深さ（第２の実施形態の第６の工程を参照）、又は樹脂フィルム３の厚さ等を制御することにより、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを容易に変更することができる。従って、樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放熱部４ａと実装基板との接続信頼性を向上させることができると共に、半田ボールを付設することなく、ターミナルランド部６と実装基板の電極との接続信頼性を向上させることができるので、パワー型の樹脂封止型半導体装置の製造工数及び製造コストを低減させることができる。
【０１０７】
また、第３の実施形態によると、信号接続用リード（インナーリード）の側部と接続され、樹脂パッケージの側面から突出する従来のアウターリードに代えて、信号接続用リード５の下部と接続され、樹脂封止型半導体装置の裏面つまり樹脂フィルム３から突出するターミナルランド部６を外部電極端子として用いているため、端子数の多い樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。
【０１０８】
また、第３の実施形態によると、樹脂パッケージ１４と樹脂フィルム３との密着性が良いため、樹脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事態が防止されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上する。
【０１０９】
また、第３の実施形態によると、樹脂フィルム３の上面側において、半導体チップ１１等が樹脂パッケージ１４により封止されているため、樹脂フィルム３の下方に突出する放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの表面には樹脂バリ（樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分）が存在しないので、放熱部４ａ及びターミナルランド部６と実装基板との接続信頼性が一層向上する。
【０１１０】
また、第３の実施形態によると、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそれぞれに形成された第２の凹部５ｂに、樹脂パッケージ１４を構成する封止樹脂が充填されているため、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パッケージ１４とダイパッド４及び信号接続用リード５との密着性が向上する。
【０１１１】
また、第３の実施形態によると、信号接続用リード５の金属細線接続部５ａ（半導体チップ１１の電極パッドと金属細線１３により接続される部分）が該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されているため、多数の電極パッドを有する半導体チップ１１がダイボンドされている場合にも、ワイヤーボンディング工程を簡単に行なえるので、樹脂封止型半導体装置の製造コストを低減することができる。
【０１１２】
尚、第３の実施形態において、樹脂フィルム３の厚さは約５０μｍであり、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフは約５０μｍであり、ダイパッド４（放熱部４ａを除く）及び信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）のそれぞれの厚さは約２５μｍであったが、ダイパッド４、信号接続用リード５及び樹脂フィルム３のそれぞれの厚さ、並びに放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフはこれに限られるものではない。但し、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフは３０〜１００μｍ程度が好ましい。このようにすると、パワー型の樹脂封止型半導体装置を基板実装する時の接続強度が確実に向上する。
【０１１３】
また、第３の実施形態において、信号接続用リード５の金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されていたが、これに限られず、金属細線接続部５ａを含む信号接続用リード５の形状及び配置方法は、ターミナルランド部６の数及び半導体チップ１１の大きさ等に基づき適宜選択される。尚、信号接続用リード５の形状及び配置方法は、信号接続用リード５を形成するためのエッチング（第２の実施形態における第４の工程を参照）を制御することにより容易に変更することができる。
【０１１４】
（第４の実施形態）
以下、本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図１０（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。尚、第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法である。また、第４の実施形態において、図１〜図３に示す第１の実施形態に係るターミナルランドフレーム、又は図７及び図８に示す第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置と同一の部材には同一の符号を付す。
【０１１５】
まず、第１の工程において、第１の実施形態に係るターミナルランドフレーム（図１〜図３参照）、具体的には、フレーム枠２と、フレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイルム３と、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４と、樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むように保持された複数個の信号接続用リード５とを備え、ダイパッド４に、第１の凹部４ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、信号接続用リード５のそれぞれに、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているターミナルランドフレーム１を準備する。
【０１１６】
尚、ターミナルランドフレーム１において、各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の下にアレー状に配置されている。
【０１１７】
また、ターミナルランドフレーム１において、樹脂封止工程において封止樹脂の流出を止めるタイバーは設けられていない。
【０１１８】
また、ターミナルランドフレーム１における金属部分（樹脂フィルム３を除く部分）の表面、具体的には、放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルランド部６のそれぞれの表面においては、ターミナルランドフレーム１の金属部分を構成する銅（Ｃｕ）素材に対して３層の金属メッキ、具体的には、下地メッキとしてのニッケル（Ｎｉ）層、その上層のメッキとしてのパラジウム（Ｐｄ）層、及び最上層のメッキとしての薄膜の金（Ａｕ）層からなる３層の金属メッキが施されている。但し、ターミナルランドフレーム１の金属部分として銅素材に代えて４２アロイ材等を使用でき、また、メッキ材料としてニッケル、パラジウム又は金以外の貴金属等を使用でき、さらに、メッキ構造として３層メッキ以外の構造を使用できる。
【０１１９】
次に、図１０（ａ）の状態図に示す第２の工程において、ターミナルランドフレーム１のダイパッド４（図示省略）上に、複数個の電極パッド（図示省略）を有する半導体チップ１１を接着剤１２を介して保持する。すなわち、第２の工程はいわゆるダイボンド工程である。具体的には、ダイパッド４における第１の凹部４ｂの外側の領域の上、つまりダイパッド４の上面に接着剤１２を部分的に塗布すると共に、該接着剤１２を介して半導体チップ１１をダイパッド４上に保持する。このようにすると、接着剤１２が所定の厚さを有しているため、ダイパッド４の上面と半導体チップ１１の下面との間にすき間が生じるため、後の樹脂封止工程において第１の凹部４ｂに樹脂パッケージを構成する封止樹脂を充填することができる。尚、第１の凹部４ｂに、ダイパッド４の上面と同等の高さを有する凸部を設けると共に該凸部の上に接着剤１２を塗布することにより、半導体チップ１１をダイパッド４上に一層確実に保持することができる。
【０１２０】
次に、図１０（ｂ）の状態図に示す第３の工程において、ダイパッド４上に保持された半導体チップ１１の各電極パッドと、対応する信号接続用リード５（図示省略）とを金属細線１３により電気的に接続する。すなわち、第３の工程はいわゆるワイヤーボンディング工程である。
【０１２１】
尚、ターミナルランドフレーム１において、図２に示すように、信号接続用リード５は、金属細線１３が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く加工されている一方、信号接続用リード５が樹脂フィルム３により保持されているため、金属細線１３の接続つまりワイヤーボンディング工程を安定して行なうことができる。また、図２に示すように、各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａはダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されているため、ワイヤーボンディング工程を簡単に行なうことができる。また、信号接続用リード５の金属細線接続部５ａの下面は、ターミナルランド部６の下面よりも上方に位置しているが、ワイヤーボンディング装置の構造を工夫することにより、従来同様にワイヤーボンディング工程を安定して行なうことができる。
【０１２２】
次に、図１０（ｃ）の状態図に示す第４の工程において、上面側に半導体チップ１１が接合され、下面側を樹脂フィルム３（図示省略）により覆われたターミナルランドフレーム１を封止金型内（図示省略）に収納した後、該封止金型によりターミナルランドフレーム１のフレーム枠２（図示省略）を押圧しながら封止金型内に封止樹脂を流し込むことによって、ターミナルランドフレーム１の上面側つまり樹脂フイルム３の上面側において該樹脂フイルム３、ダイパッド４、信号接続用リード５、半導体チップ１１及び金属細線１３等を樹脂パッケージ１４により封止する。尚、図１０（ｃ）の状態図（図１０（ｄ）の状態図においても同じ）において、樹脂パッケージ１４は透明体として表している。
【０１２３】
このとき、ターミナルランドフレーム１においては、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）は、その下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面よりも上側に位置するように形成されている一方、各信号接続用リード５に設けられたターミナルランド部６は、その下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面と同じ平面に位置するように形成されている。従って、ターミナルランドフレーム１の下面側つまり樹脂フイルム３の下面側に空隙が存在する状況においても、ターミナルランドフレーム１に加わる封止樹脂の圧力が分散するため、樹脂封止工程を安定して行なうことができる。
【０１２４】
また、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそれぞれに形成された第２の凹部５ｂに、樹脂パッケージ１４を構成する封止樹脂が充填されるので、ターミナルランドフレーム１の厚さを薄くした場合にも、つまり放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの厚さを薄くした場合にも、樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するため該実装基板と放熱部４ａ及びターミナルランド部６とを半田接続したときに放熱部４ａ及びターミナルランド部６が変形する事態を防止することができる。
【０１２５】
ところで、第４の工程つまり樹脂封止工程を、より強い樹脂圧力においても安定して行なうために、封止金型内においてターミナルランドフレーム１の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させながら、封止金型内に封止樹脂を流し込む方法を用いることができる。
【０１２６】
図１１は、樹脂封止工程において、封止金型の締め付け圧力及び封止金型の温度により軟化した封止フィルム１５が、ターミナルランド部６同士の間の空隙、フレーム枠２の補強材２ａとターミナルランド部６との間の空隙、及び放熱部４ａとターミナルランド部６との間の空隙を埋めている様子を示している。
【０１２７】
すなわち、ターミナルランドフレーム１の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させて樹脂封止工程を行なうことにより、信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）の下面に直接封止樹脂の圧力が加わる事態が回避されるので、ターミナルランドフレーム１の変形が防止される。このため、ターミナルランドフレーム１の下面から放熱部４ａ及びターミナルランド部６が突出しているにも関わらず、ターミナルランドフレーム１の上面側のみを樹脂パッケージ１４により容易に封止することができる。
【０１２８】
また、ターミナルランドフレーム１の下面つまり樹脂フイルム３の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させることによって、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止できるので、放熱部４ａの表面及びターミナルランド部６の表面に樹脂バリが形成されることを防止できる。
【０１２９】
尚、封止フィルム１５の材料としては、樹脂封止時における高温環境に対して耐性を有する材料、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド又はポリカーボネート等を主成分とする樹脂をベースとしたテープ等を用いることができる。本実施形態においては、ポリイミドを主成分とし、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフと同程度の厚さ、例えば５０μｍ程度の厚さを有する封止フィルム１５を用いて樹脂封止工程を行なった結果、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを、樹脂封止工程の前と同じ５０μｍに保つことができた。
【０１３０】
また、封止フィルム１５を用いて樹脂封止工程を行なう場合、樹脂封止型半導体装置の構造上、品質上又は生産上、ターミナルランドフレーム１のわずかな変形は問題にならない。
【０１３１】
また、放熱部４ａの下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面と略同一の平面に位置しているため、封止金型の表面におけるダイパッド４の下側の領域に凸部を設ける必要がなくなる。このため、封止金型の共用化が可能となるので、大型キャビテーを使用することにより複数個のダイパッド及び複数個の半導体チップを樹脂パッケージ１４により一括して容易に封止することができる。
【０１３２】
次に、図１０（ｄ）の状態図に示す第５の工程において、樹脂パッケージ１４の所定部分及びターミナルランドフレーム１の所定部分を切断して図１２に示す樹脂封止型半導体装置を複数個生成する。尚、図１２に示す樹脂封止型半導体装置は、樹脂パッケージ１４の形状を除いて、図７（ａ）に示す第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置と同一の構造を有している。
【０１３３】
図１３は、回転刃を用いて樹脂パッケージ１４及びターミナルランドフレーム１を切断して複数個の樹脂封止型半導体装置を生成している様子を示す斜視図である。
【０１３４】
図１３に示すように、樹脂パッケージ１４及びターミナルランドフレーム１における切断部（図中の２重破線部）を回転刃１６を用いて切断することにより、図１２に示す樹脂封止型半導体装置が複数個形成される。
【０１３５】
尚、第５の工程において、回転刃に代えて、金型を用いてターミナルランドフレーム１又は樹脂パッケージ１４を切断することができる。また、第５の工程において、複数個のダイパッド及び複数個の半導体チップが樹脂パッケージ１４により一括して封止されている場合を対象としたが、これに代えて、個別封止用の封止金型を用いて一個のダイパッド及び一個の半導体チップが樹脂パッケージにより封止されている場合、ターミナルランドフレーム１を切断することにより、図７（ａ）に示す樹脂封止型半導体装置、つまり第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置が生成される。
【０１３６】
また、回転刃等により切断される部分に金属部分が存在しないようにターミナルランドフレームを設計することにより、第５の工程つまりターミナルランドフレーム切断工程の生産性を向上することができる。詳細は図示していないが、例えば、図１３に示すように、回転刃１６を用いてフレーム枠２を切断することなく、樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断することにより、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成することができる。
【０１３７】
尚、図１０（ｄ）は、フレーム枠２を切断することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を示す状態図である。
【０１３８】
また、図１４は、フレーム枠２を切断することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を示す断面図である。尚、図１４においては、ダイパッド４及び信号接続用リード５を一体化して図示していると共に、ターミナルランド部６の図示を省略している。
【０１３９】
以上に説明したように、フレーム枠２を切断することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した場合、ターミナルランドフレーム切断工程が容易になって樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。特に、従来ターミナルランドフレーム切断工程の生産性が悪い銅（Ｃｕ）からなるターミナルランドフレームを用いる場合、ターミナルランドフレーム切断工程の生産性が著しく向上すると共に、ターミナルランドフレーム切断工程に用いられる回転刃の寿命が長くなる。また、個別封止用の封止金型を用いて一個のダイパッド及び一個の半導体チップが樹脂パッケージにより封止されている場合には、フレーム枠２を切断することなく樹脂フィルム３を切断するだけで、樹脂封止型半導体装置を生成することができる。
【０１４０】
尚、以上の説明においては、樹脂パッケージ１４、及び該樹脂パッケージ１４により上面を封止されたターミナルランドフレーム１を、上面側（樹脂パッケージ１４）から下面側（樹脂フィルム３）に向けて切断する場合を前提としていたが、これに代えて、下面側から上面側に向けて切断することも可能である。
【０１４１】
第４の実施形態によると、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に樹脂フイルム３の上面においてダイパッド４に搭載された半導体チップ１１等を樹脂封止しているため、半導体チップ１１が発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【０１４２】
また、第４の実施形態によると、樹脂フイルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているため、樹脂フイルム３つまり樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができる。
【０１４３】
また、第４の実施形態によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よりも大きな面積を有する半導体チップ１１を保持できる。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半導体チップ１１よりも小さくできる。このため、半導体チップ１１の搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の裏面における半導体チップ１１の下方にターミナルランド部６を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。また、従来の吊りリードを用いる必要がないため、樹脂封止工程における樹脂の成形性が向上して、ボイドの発生、或いは、半導体チップ１１のサイズが大きい場合における封止樹脂の未充填部分の発生を抑制できるので、樹脂封止型半導体装置の歩留まりが向上する。また、樹脂封止型半導体装置における従来の吊りリードに用いられていたスペースを信号接続用リード５の配置に利用できるので、樹脂封止型半導体装置に用いられるターミナルランドフレームの設計品質を向上させることができる。さらに、従来の吊りリードを用いる必要がなくなることによって、ダイパッド４に搭載される半導体チップ１１のサイズに対する制限、或いは、半導体チップ１１と信号接続用リード５とを接続する金属細線１３に対する制限が緩和されるため、樹脂封止型半導体装置の製造が容易になって生産性が向上する。
【０１４４】
また、第４の実施形態によると、ターミナルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されていると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４が保持されているため、ダイパッド４に半導体チップ１１を搭載して該半導体チップ１１等を樹脂封止した後、フレーム枠２等の金属部分を切断することなく樹脂フィルム３を切断することにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することができる。また、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、樹脂フイルム３上に保持された信号接続用リード５に、樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているので、樹脂フイルム３の上面において半導体チップ１１等を樹脂パッケージ１４により封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部４ａ、及びターミナルランド部６つまり下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。従って、パワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【０１４５】
また、第４の実施形態によると、樹脂フイルム３の下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面よりも上側に位置していると共に、放熱部４ａの下面及びターミナルランド部６の下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面と略同一の平面に位置しているため、ターミナルランドフレーム１を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する各工程において、ターミナルランドフレーム１に加わる圧力が分散するので、各工程を安定して行なうことができる。
【０１４６】
また、第４の実施形態によると、信号接続用リード５の金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く加工されていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されているため、半導体チップ１１の電極パッドが多い場合にも、ワイヤーボンディング工程を簡単に行なうことができるので、樹脂封止型半導体装置の製造コストを低減することができる。
【０１４７】
また、第４の実施形態によると、ターミナルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されていると共に、樹脂フイルム３の上面側において半導体チップ１１等を樹脂パッケージ１４により封止している。このため、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む事態が阻止される結果、放熱部４ａの表面、及びターミナルランド部６（つまり外部電極端子）の表面に樹脂バリが形成されることがないので、ばりとり工程が不要になって樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。また、封止金型内においてターミナルランドフレーム１の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させながら樹脂封止工程を行なっているので、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止できる。
【０１４８】
すなわち、信号接続用リードの下面及びダイパッドの下面を露出させる従来のパワー型の樹脂封止型半導体装置、つまり従来の底面電極露出型の樹脂封止型半導体装置を製造する場合に行なわれる、ダイパッドの下面（放熱部の表面）、及び信号接続用リードの下面（外部電極端子の表面）に形成された樹脂バリをウォータージェット等によって除去する複雑な工程が不要になるので、樹脂封止型半導体装置の製造工程（特に樹脂封止型半導体装置を量産する場合）を簡略化することができる。また、従来、ウォータージェット等による樹脂バリ除去工程において生じる可能性があった、ターミナルランドフレーム上におけるニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）又は金（Ａｕ）等の金属メッキ層の剥がれ、又はターミナルランドフレーム上における不純物の付着等が防止されるので、樹脂封止工程前に形成される各金属メッキ層のプリメッキ品質が向上する。
【０１４９】
ところで、第４の実施形態においては、ウォータージェット等による樹脂バリ除去工程が削減される代わりに、ターミナルランドフレーム１の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させて樹脂封止を行なう工程が新たに必要となる。しかしながら、封止フィルム１５を用いた樹脂封止工程の方が、ウォータージェット等による樹脂バリ除去工程よりもコスト的に安価であると共に工程管理的にも容易であるため、第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の方が従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法よりも確実に工程を簡略化することができる。特に、従来のウォータージェット等による樹脂バリ除去工程においては、ターミナルランドフレーム上における金属メッキ層の剥がれ、又はターミナルランドフレーム上における不純物の付着等の品質上重大なトラブルが発生する一方、第４の実施形態においては、封止フィルム１５の使用により前記のトラブルを確実に阻止できるので、製造工程上の大きな利点が生じる。
【０１５０】
また、第４の実施形態によると、封止金型内においてターミナルランドフレーム１の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させながら樹脂封止工程を行なうため、封止金型の熱によって封止フィルム１５が軟化すると共に熱収縮するので、封止樹脂の圧力及び封止金型の締め付け圧力により放熱部４ａ及びターミナルランド部６が封止フィルム１５に食い込んで、信号接続用リード５の下側の空隙が封止フィルム１５により埋められる。従って、信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）の下面に直接樹脂圧力が加わる事態が回避されるので、ターミナルランドフレーム１の変形が防止される。また、放熱部４ａ及びターミナルランド部６における樹脂フィルム３の下方に突出する構造が保持されるので、放熱部４ａ及びターミナルランド部６つまり外部電極端子のそれぞれのスタンドオフを確保することができる。
【０１５１】
また、第４の実施形態によると、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそれぞれに形成された第２の凹部５ｂに、樹脂パッケージ１４を構成する封止樹脂を充填しているため、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パッケージ１４とダイパッド４及び信号接続用リード５との密着性が向上する。
【０１５２】
尚、第４の実施形態において、ポリイミドを主成分とし、５０μｍの厚さを有する封止フィルム１５を用いたが、これに限られず、所望する放熱部４ａのスタンドオフ又はターミナルランド部６のスタンドオフに応じて、所定の硬度又は熱による軟化特性を有する材質を主成分とし、所定の厚さを有する封止フィルムを選択して用いることができる。
【０１５３】
また、第１〜第４の実施形態において、本発明の要旨を越えない範囲において、種々の変形実施が可能であることはいうまでもない。
【０１５４】
【発明の効果】
本発明によると、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また、樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができると共に、樹脂封止型半導体装置の裏面における半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを裏面から見た平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るターミナルランドフレームの一部を正面から見た平面図である。
【図３】（ａ）は図１におけるＩ−Ｉ線の断面図であり、（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係るターミナルランドフレームにおけるダイパッドの断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法の一工程において、金型を用いて、信号接続用リードに、樹脂フィルムの下方に突出するターミナルランド部を設けている様子を示す断面図である。
【図７】（ａ）は本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）における一点鎖線に囲まれた領域の拡大図でる。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の平面図である。
【図９】（ａ）は本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を上面から見た斜視図であり、（ｂ）は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を下面から見た斜視図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す状態図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程において、軟化した封止フィルムが、ターミナルランド部同士の間の空隙、フレーム枠の補強材とターミナルランド部との間の空隙、及び放熱部とターミナルランド部との間の空隙を埋めている様子を示す断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法により製造された樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程において、回転刃を用いて樹脂パッケージ及びターミナルランドフレームを切断して複数個の樹脂封止型半導体装置を生成している様子を示す斜視図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程において、フレーム枠を切断することなく樹脂フィルム及び樹脂パッケージを切断して複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を示す断面図である。
【図１５】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１ ターミナルランドフレーム
２ フレーム枠
２ａ フレーム枠の補強材
３ 樹脂フイルム
３ａ 第１の開口部
３ｂ 第２の開口部
４ ダイパッド
４ａ 放熱部
４ｂ 第１の凹部
５ 信号接続用リード
５ａ 金属細線接続部
５ｂ 第２の凹部
６ ターミナルランド部
７ 金属板
８ レジスト膜
８Ａ レジストパターン
９ 金型
１０ 金属積層メッキ
１１ 半導体チップ
１２ 接着剤
１３ 金属細線
１４ 樹脂パッケージ
１５ 封止フィルム
１６ 回転刃
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ及び該半導体チップと接続される信号接続用リードを樹脂パッケージにより封止し、信号接続用リードと接続されるターミナルランド部を外部電極端子として裏面側に有する樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、並びに該樹脂封止型半導体装置に用いられるターミナルランドフレーム及びその製造方法に関し、特に、パワー素子からの発熱を放散するためにダイパッドの下面を露出させたパワー型の樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求されているので、半導体部品の小型化及び薄型化が加速度的に進んでいる。
【０００３】
半導体部品の１つである樹脂封止型半導体装置においては、該半導体装置をプリント基板表面に高密度に実装するために、現在、半導体チップを封止した正方形又は長方形の樹脂パッケージの側面にガル・ウイング形状の外部リード端子が多数配置されたＱＦＰ（クワッド・フラットパック・パッケージ）が広く使用されている。特に、半導体チップ内にパワー素子を内蔵する場合には、放熱性を考慮して、半導体チップを搭載したダイパッドの下面が露出したＱＦＰつまりパワーＱＦＰが使用されている。
【０００４】
ところで、最近、半導体チップの高機能化（高ＬＳＩ化）に伴って、ＱＦＰについては、さらに外部リード端子数を増やすことが強く望まれている。現在、ＱＦＰの外形寸法を大きくすることなく外部リード端子数を増やすために、端子ピッチが０．３ｍｍ程度に狭ピッチ化されたＱＦＰつまり狭ピッチＱＦＰが一部実用化されている。
【０００５】
しかし、狭ピッチＱＦＰ又は狭ピッチパワーＱＦＰの製造及び実装にあたっては、その取り扱い時における外部リード端子の曲がりに起因して、以下のような問題が生じる。
（１）樹脂封止型半導体装置の製造歩留まりが低下する。
（２）樹脂封止型半導体装置をプリント基板上に実装するときの歩留まりが低下する。
（３）樹脂封止型半導体装置が実装されたプリント基板の品質低下等を回避するために特別の対策が必要になる。
【０００６】
そこで、ＱＦＰの外部リード端子に関する前記の課題を解決するパッケージ技術として、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）パッケージが開発されている。
【０００７】
図１５は、従来の樹脂封止型半導体装置、具体的にはパワー素子を内蔵する半導体チップを用いたＢＧＡパッケージ方式（パワーＢＧＡ型）の樹脂封止型半導体装置の断面構造を示している。
【０００８】
図１５に示すように、パワー素子を内蔵する半導体チップつまりパワー半導体チップ１０１が接着剤１０２を介して両面配線基板１０３の上面に搭載されている。両面配線基板１０３の上面におけるパワー半導体チップ１０１が搭載されていない領域には、上面側配線パターン１０４Ａが形成されていると共に、両面配線基板１０３の下面には、下面側配線パターン１０４Ｂが形成されている。両面配線基板１０３にはスルーホール１０３ａが形成されており、該スルーホール１０３ａの壁面に形成されたスルーホール内配線１０４Ｃにより、上面側配線パターン１０４Ａと下面側配線パターン１０４Ｂとが電気的に接続されている。
【０００９】
また、パワー半導体チップ１０１の上面に形成された電極パッド１０１ａと上面側配線パターン１０４Ａとは、金属細線１０５により電気的に接続されている。上面側配線パターン１０４Ａ上における金属細線１０５が接続されている領域以外の他の領域はソルダーレジスト１０６により被覆されている。両面配線基板１０３の上面側においてパワー半導体チップ１０１、両面配線基板１０３及び金属細線１０５等が樹脂パッケージ１０７によりモールドされて保護されている。
【００１０】
ところで、下面側配線パターン１０４Ｂの表面も一部を除いてソルダーレジスト１０６により被覆されている一方、下面側配線パターン１０４Ｂ上におけるソルダーレジスト１０６により被覆されていない領域には、半田ボール１０８が、ソルダーレジスト１０６の下方に突出するように形成されている。このとき、半田ボール１０８は、ソルダーレジスト１０６の下面つまり樹脂封止半導体装置の裏面にアレイ（格子）状に２次元的に配置されている。すなわち、ＢＧＡ型の樹脂封止半導体装置をプリント基板に実装する場合の電気的接続は、半田ボール１０８を介して行なわれる。また、半田ボール１０８は、パワー半導体チップ１０１が発生した熱を樹脂封止半導体装置からプリント基板に放散させるために用いられる。この場合、半田ボール１０８は、一般的にサーマルボールと呼ばれている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
図１５に示すパワーＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置によると、樹脂封止型半導体装置の裏面に外部電極端子となる半田ボール１０８を２次元的に配置できるので、パワーＱＦＰ等における端子ピッチに対する制限が緩和されて、同一パッケージサイズで比較すると端子数をパワーＱＦＰよりも大幅に増大できる。
【００１２】
しかしながら、パワーＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置においては、パワーＱＦＰ等には見られなかった以下のような問題が生じる。
（１）半導体チップを接着して保持する両面配線基板が必要である。
（２）従来のＱＦＰの製造設備以外の新規製造設備の導入が不可欠となって新たな設備コスト等が発生する。
（３）両面配線基板として、通常、ガラス・エポキシ樹脂基板が使用されるため、半導体チップの樹脂接着工程及び加熱硬化工程における半導体チップに加わる歪み対策、半導体チップの各電極パッドと両面配線基板上の配線パターンとをワイヤーボンディングにより電気的に接続する工程における両面配線基板の反り対策、半導体チップを接着した面側のみを樹脂封止することによる両面配線基板の反り対策、或いは、両面配線基板の反りが多少存在する場合における複数の半田ボールの水平面上での高さを均一にするための対策等、製造技術上解決すべき多くの課題が生じる。
（４）半導体装置の信頼性、特に耐湿性が劣化する可能性がある。例えば、ガラス・エポキシ樹脂と樹脂パッケージとの界面の密着力が弱い場合、高温高湿試験又はプレッシャ・クッカー試験等の環境試験において半導体装置の品質保証が困難になる。
【００１３】
尚、パワーＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置に関する前記の諸課題の解決策として、セラミック製の両面配線基板の使用は非常に有効である一方、該基板のコストが高いという欠点がある。
【００１４】
また、リードフレームを使用したパワーＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置も数多く提案されているが、この場合、リードフレームの加工限界に起因して樹脂封止型半導体装置の裏面にアレー状（格子状）に多数の端子を配列することができなきため、多端子化が困難になる。その結果、リードフレームを使用したパワーＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置は、小型化の要求にしか応えられない。
【００１５】
前記に鑑み、本発明は、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現しつつ、該半導体装置を小型化できるようにすると共に多端子化できるようにすることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明に係るターミナルランドフレームは、フレーム枠と、フレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイルムと、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム上にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードとを備え、ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられ、信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられている。
【００１７】
本発明のターミナルランドフレームによると、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられているため、ダイパッドに半導体チップを搭載して樹脂フイルムの上面において半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００１８】
また、本発明のターミナルランドフレームによると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リードが保持されていると共に各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているため、複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置することができる。このため、ターミナルランドフレームに多数のターミナルランド部を配置できるので、多端子化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００１９】
また、本発明のターミナルランドフレームによると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムによりダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダイパッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配置できるので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００２０】
また、本発明のターミナルランドフレームによると、ターミナルランドフレームのフレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイルムが保持されていると共に樹脂フイルム上にダイパッドが保持されているため、ダイパッドに半導体チップを搭載して該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠等の金属部分を切断することなく樹脂フィルムを切断することにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することができる。また、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に、樹脂フイルム上に保持された信号接続用リードに、樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているので、ダイパッドに半導体チップを搭載して樹脂フイルムの上面において半導体チップ等を樹脂封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部、及びターミナルランド部つまり下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。従って、本発明のターミナルランドフレームを用いることにより、パワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。但し、スタンドオフとは、樹脂封止型半導体装置の裏面つまり樹脂フイルムの下方に突出する部分の突出量を意味する。
【００２１】
本発明のターミナルランドフレームにおいて、ダイパッドは、第１の凹部の開口部を含む面積が該ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さいことが好ましい。
【００２２】
このようにすると、例えば、半導体チップをダイパッド上に保持するための接着剤の厚さを調節することにより、ダイパッド（第１の凹部の開口部を含む）よりも面積が大きい半導体チップを信号接続用リードの上方に位置させることが可能となるため、ターミナルランド部が半導体チップの下方に配置されて、小型化された樹脂封止型半導体装置を確実に実現することができる。
【００２３】
本発明のターミナルランドフレームにおいて、フレーム枠には、補強材が、その下面が樹脂フイルムの下面よりも下側に位置するように接着され、放熱部及びターミナルランド部は、それぞれその下面が補強材の下面と略同一の平面に位置していることが好ましい。
【００２４】
このようにすると、ターミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する各工程において、ターミナルランドフレームに加わる圧力が分散して各工程を安定的に行なえるので、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００２５】
本発明のターミナルランドフレームにおいて、信号接続用リード部は、ダイパッドに搭載される半導体チップと金属細線により接続される部分の表面に、放熱部及びターミナルランド部のそれぞれの表面と異なるメッキ加工が施されていることが好ましい。
【００２６】
このようにすると、例えば、信号接続用リードにおける金属細線が接続される部分の表面に銀メッキを行なうと共に、放熱部及びターミナルランド部のそれぞれの表面（下面）に、実装基板とのはんだ接続に適したメッキを行なうことにより、実装基板との接続信頼性の高い高品質のパワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００２７】
本発明に係るターミナルランドフレームの製造方法は、フレーム枠を構成する金属板の下面に樹脂フイルムを貼付する樹脂フイルム貼付工程と、樹脂フイルム上において金属板を選択的に除去する加工を行なって、樹脂フイルムを保持するフレーム枠、樹脂フイルム上に保持されたダイパッド、及び樹脂フイルム上にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードを形成する第１の金属板加工工程と、ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出する放熱部を設けると共に、信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部を設ける第２の金属板加工工程とを備えている。
【００２８】
本発明のターミナルランドフレームの製造方法によると、ダイパッドを樹脂フイルム上に保持されるように形成していると共に該ダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部を設けているため、ダイパッドに半導体チップを搭載して樹脂フイルムの上面において半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００２９】
また、本発明のターミナルランドフレームの製造方法によると、ダイパッド及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リードを、それぞれ樹脂フイルム上に保持されるように形成していると共に各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部を設けているため、複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置することができる。このため、ターミナルランドフレームに多数のターミナルランド部を配置できるので、多端子化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００３０】
また、本発明のターミナルランドフレームの製造方法によると、ダイパッドを、従来の吊りリードに代えて樹脂フィルムにより保持されるように形成しているため、ダイパッドに該ダイパッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配置できるので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００３１】
また、本発明のターミナルランドフレームの製造方法によると、フレーム枠を構成する金属板の下面に樹脂フィルムを貼付した後、樹脂フィルム上において金属板を選択的に除去して信号接続用リードを形成しているため、信号接続用リードを容易に微細加工することができると共に、隣接する信号接続用リード同士の間隔つまり隣接するターミナルランド部同士の間隔を容易に狭くすることができるので、ターミナルランドフレームを小型化できると共に、ターミナルランド部つまり外部電極端子の数を増大させることができる。
【００３２】
本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム上にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードと、ダイパッド上に保持された半導体チップと、半導体チップと信号接続用リードとを接続する金属細線と、樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイルム、ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び金属細線を封止している樹脂パッケージとを備え、ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられ、信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられている。
【００３３】
本発明の樹脂封止型半導体装置によると、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に樹脂フイルムの上面においてダイパッドに搭載された半導体チップ等が樹脂封止されているため、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００３４】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置によると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リードが保持されていると共に各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているため、樹脂フイルムつまり樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置することができるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができる。
【００３５】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムによりダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダイパッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の裏面における半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。
【００３６】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置によると、放熱部及びターミナルランド部が樹脂フィルムつまり樹脂封止型半導体装置の裏面から突出しているため、放熱部及びターミナルランド部と実装基板とを接合して樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放熱部、及びターミナルランド部つまり外部電極端子のそれぞれのスタンドオフを予め確保しておくことができる。このため、ターミナルランド部をそのまま外部電極端子として用いることができると共に、例えば放熱部及びターミナルランド部を形成するための金型加工の深さ、又は樹脂フィルムの厚さ等を制御することにより、放熱部及びターミナルランド部のそれぞれのスタンドオフを容易に変更することができる。従って、樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放熱部と実装基板との接続信頼性を向上させることができると共に、半田ボールを付設することなく、ターミナルランド部と実装基板の電極との接続信頼性を向上させることができるので、パワー型の樹脂封止型半導体装置の製造工数及び製造コストを低減させることができる。
【００３７】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置によると、樹脂パッケージと樹脂フィルムとの密着性が良いため、樹脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事態が防止されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上する。
【００３８】
本発明の樹脂封止型半導体装置において、放熱部及びターミナルランド部は、それぞれ樹脂フイルムの下方に突出する部分の突出量つまりスタンドオフが、３０〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００３９】
このようにすると、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときの接続強度が確実に向上する。
【００４０】
本発明の樹脂封止型半導体装置において、信号接続用リードは、金属細線が接続される一の部分が該一の部分以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リードの一の部分がダイパッドを取り囲んで略一列に並ぶように配置されていることが好ましい。
【００４１】
このようにすると、半導体チップの電極パッドが多い場合にも、ワイヤーボンディング工程を簡単に行なうことができる。
【００４２】
本発明の樹脂封止型半導体装置において、第１の凹部及び第２の凹部には、樹脂パッケージを構成する封止樹脂が充填されていることが好ましい。
【００４３】
このようにすると、放熱部及びターミナルランド部のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パッケージとダイパッド及び信号接続用リードとの密着性が向上する。
【００４４】
本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、フレーム枠と、フレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイルムと、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム上にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードとを備え、ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているターミナルランドフレームを準備する第１の工程と、ダイパッド上に半導体チップを保持する第２の工程と、半導体チップと信号接続用リードとを金属細線により接続する第３の工程と、樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイルム、ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び金属細線を樹脂パッケージにより封止する第４の工程と、ターミナルランドフレームを切断する第５の工程とを備えている。
【００４５】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に樹脂フイルムの上面においてダイパッドに搭載された半導体チップ等を樹脂封止しているため、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００４６】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リードが保持されていると共に各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているため、樹脂フイルムつまり樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置することができるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができる。
【００４７】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムによりダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダイパッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の裏面における半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。また、従来の吊りリードを用いる必要がないため、樹脂封止工程における樹脂の成形性が向上して、ボイドの発生、或いは、半導体チップのサイズが大きい場合における封止樹脂の未充填部分の発生を抑制できるので、樹脂封止型半導体装置の歩留まりが向上する。また、樹脂封止型半導体装置における従来の吊りリードに用いられていたスペースを信号接続用リードの配置に利用できるので、樹脂封止型半導体装置に用いられるターミナルランドフレームの設計品質を向上させることができる。さらに、従来の吊りリードを用いる必要がなくなることによって、ダイパッドに搭載される半導体チップのサイズに対する制限、或いは、半導体チップと信号接続用リードとを接続する金属細線に対する制限が緩和されるため、樹脂封止型半導体装置の製造が容易になって生産性が向上する。
【００４８】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、ターミナルランドフレームのフレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイルムが保持されていると共に樹脂フイルム上にダイパッドが保持されているため、ダイパッドに半導体チップを搭載して該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠等の金属部分を切断することなく樹脂フィルムを切断することにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することができる。また、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に、樹脂フイルム上に保持された信号接続用リードに、樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているので、樹脂フイルムの上面においてダイパッドに搭載された半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部、及びターミナルランド部つまり下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を形成することができる。従って、パワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００４９】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、ターミナルランドフレームのフレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイルムが保持されていると共に、樹脂フイルムの上面側において半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止している。このため、樹脂フイルムの下面側に封止樹脂が回り込む事態が阻止される結果、放熱部の表面、及びターミナルランド部つまり外部電極端子の表面に樹脂バリが形成されることがないので、ばりとり工程が不要になってパワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００５０】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第４の工程は、封止金型内においてターミナルランドフレームの下面と封止金型との間に封止フィルムを介在させながら、封止金型内に樹脂パッケージとなる封止樹脂を流し込む工程を含むことが好ましい。
【００５１】
このようにすると、樹脂フイルムの下面側に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止できる。また、封止金型の熱によって封止フィルムが軟化すると共に熱収縮するので、封止樹脂の圧力及び封止金型の締め付け圧力により放熱部及びターミナルランド部が封止フィルムに食い込んで、信号接続用リードの下側の空隙が封止フィルムにより埋められる。従って、信号接続用リード（ターミナルランド部を除く）の下面に直接樹脂圧力が加わる事態が回避されるので、ターミナルランドフレームの変形が防止される。さらに、放熱部及びターミナルランド部における樹脂フィルムの下方に突出する構造が保持されるので、放熱部、及びターミナルランド部つまり外部電極端子のそれぞれのスタンドオフを確保することができる。
【００５２】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、ターミナルランドフレームは複数個のダイパッドを備え、第２の工程は、複数個の半導体チップを複数個のダイパッドのそれぞれの上に保持する工程を含み、第４の工程は、複数個のダイパッド及び複数個の半導体チップを樹脂パッケージにより一括して封止する工程を含むことが好ましい。
【００５３】
このようにすると、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。また、ダイパッドに設けられた放熱部の下面を、フレーム枠の下面と略同一の平面に位置させている場合には、封止金型の表面におけるダイパッドの下側に凸部を設ける必要がなくなって封止金型の共用化が可能となる。従って、大型キャビテーを使用することにより複数個のダイパッド及び複数個の半導体チップを樹脂パッケージにより一括して容易に封止することができる。
【００５４】
また、この場合、第５の工程は、回転刃を用いてフレーム枠を切断することなく樹脂フイルム及び樹脂パッケージを切断する工程を含むことが好ましい。
【００５５】
このようにすると、ターミナルランドフレームの切断が容易になるので、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００５６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係るターミナルランドフレームについて、図面を参照しながら説明する。尚、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームにおいては、複数個のパターン（ダイパッドとそれを取り囲む複数個の信号接続用リードとの組み合わせ）が２次元的に配置されているものとする。
【００５７】
図１は第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを裏面から見た平面図であり、図２は第１の実施形態に係るターミナルランドフレームの一部を正面から見た平面図（拡大図）であり、図３（ａ）は図１におけるＩ−Ｉ線の断面図であり、図３（ｂ）は第１の実施形態に係るターミナルランドフレームにおけるダイパッドの断面図である。尚、図２において、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置（複数個）が製造されたときの一の樹脂封止型半導体装置の外形位置を一点鎖線で示している。
【００５８】
図１〜図３に示すように、ターミナルランドフレーム１のフレーム枠２には、該フレーム枠２の内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されている。具体的には、フレーム枠２の下面に、樹脂フイルム３の周縁部及びフレーム枠２の補強材２ａが順次接着されている。すなわち、補強材２ａの下面は樹脂フイルム３の下面よりも下側に位置している。尚、補強材２ａの厚さは、ターミナルランドフレーム１が従来のリードフレームと同等の厚さを有するように調節される。
【００５９】
また、樹脂フィルム３上には、半導体チップ搭載用の複数個のダイパッド４と、各ダイパッド４を取り囲むように配置された複数個の信号接続用リード５とが保持されている。尚、信号接続用リード５は、金属細線（信号接続用リード５と、ダイパッド４に搭載される半導体チップとを電気的に接続する）が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されている。
【００６０】
さらに、ダイパッド４には、第１の凹部４ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、各信号接続用リード５には、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられている。すなわち、ダイパッド４における放熱部４ａを除く部分の下面、及び各信号接続用リード５におけるターミナルランド部６を除く部分（金属細線接続部５ａ等）の下面には、樹脂フィルム３が接着されている。放熱部４ａは実装基板に接続され、ダイパッド４に搭載される半導体チップが発生する熱を外部に伝達し、また、各ターミナルランド部６は実装基板に接続され、電気信号を外部に伝達する外部電極端子として働く。尚、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５に形成された第２の凹部５ｂには、樹脂封止工程において樹脂パッケージとなる封止樹脂が充填される。また、放熱部４ａの下面及びターミナルランド部６の下面と、フレーム枠２の補強材２ａの下面とは同じ平面に位置している。
【００６１】
具体的には、放熱部４ａ及び各ターミナルランド部６の断面形状とそれぞれ略同一の形状を有する複数個の開口部が設けられた樹脂フィルム３が、該開口部と放熱部４ａ及びターミナルランド部６とを位置合わせしてフレーム枠２、ダイパッド４（放熱部４ａを除く）及び信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）のそれぞれの下面に接着されている。尚、各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の下にアレー状に配置されている。言い換えると、各信号接続用リード５におけるターミナルランド部６が接続されている部分は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の上にアレー状に配置されている。
【００６２】
ところで、図示は省略しているが、少なくとも放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルランド部６のそれぞれの表面における所定の領域には、金又はパラジュウム等の金属メッキが施されている。これにより、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部４ａ、及びターミナルランド部６つまり外部電極端子を、半田ボールを用いることなく実装基板に接続することができるので、実装基板との接続信頼性が高い小型で安価な樹脂封止型半導体装置を実現することができる。このとき、信号接続用リード５の表面（金属細線接続部５ａ）には、例えば銀メッキを行なうと共に、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの表面（下面）には、実装基板とのはんだ接続に適したメッキを行なうことにより、言い換えると、信号接続用リード５の表面と、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの表面とに互いに異なるメッキ加工を行なうことにより、高品質の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００６３】
第１の実施形態によると、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられているため、ダイパッド４に半導体チップを搭載して樹脂フイルム３の上面において半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００６４】
また、第１の実施形態によると、樹脂フイルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているため、複数個のターミナルランド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができる。このため、ターミナルランドフレーム１に多数のターミナルランド部６を配置できるので、多端子化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００６５】
また、第１の実施形態によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナルランド部６を実質的に配置できるので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。具体的には、例えば、半導体チップをダイパッド４上に保持するための接着剤の厚さを調節することにより、ダイパッド４よりも面積が大きい半導体チップを信号接続用リード５の上方に位置させることが可能となるため、ターミナルランド部６が半導体チップの下方に配置されて、小型化された樹脂封止型半導体装置を確実に実現することができる。
【００６６】
また、第１の実施形態によると、ターミナルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されていると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４が保持されているため、ダイパッド４に半導体チップを搭載して該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠２等の金属部分を切断することなく樹脂フィルム３を切断することにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することができる。また、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、樹脂フイルム３上に保持された信号接続用リード５に、樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているので、樹脂フイルム３の上面において半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部４ａ、及びターミナルランド部６つまり下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。従って、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを用いることにより、パワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００６７】
また、第１の実施形態によると、ターミナルランドフレーム１の厚さが従来のリードフレームと同等になるように、フレーム枠２に補強材２ａを接着しているため、半導体装置の製造工程においてジグ等を用いることなくターミナルランドフレーム１を搬送できるので、半導体装置の製造工程がＱＦＰ等の場合と同様に簡単になる。
【００６８】
また、第１の実施形態によると、信号接続用リード５が樹脂フィルム３上に保持されているため、例えば、フレーム枠２を構成する金属板の下面に樹脂フイルム３を貼付した後、該金属板を樹脂フイルム３上で選択的に除去して、信号接続用リード５を形成することができる。このため、信号接続用リード５を容易に微細加工することができると共に、隣接する信号接続用リード５同士の間隔つまり隣接するターミナルランド部６同士の間隔を容易に狭くすることができるので、ターミナルランドフレーム１を小型化できると共に、ターミナルランド部６つまり外部電極端子の数を増大させることができる。
【００６９】
また、第１の実施形態によると、ターミナルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うよう樹脂フイルム３が保持されていると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４及び信号接続用リード５が保持されているため、ダイパッド４に半導体チップを搭載した後、樹脂フイルム３の上面側において半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止することにより、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む事態を阻止することができる。このため、放熱部４ａの表面及びターミナルランド部６の表面に、樹脂バリ（樹脂封止の際に発生する残余樹脂であり、樹脂パッケージの成形上不必要な部分）が形成されることを防止できるので、ばりとり工程が不要になる。すなわち、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームつまりターミナルランドフレーム１は、樹脂封止の際に封止樹脂の流出を止めるタイバーが設けられていないターミナルランドフレームである。尚、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５に形成された第２の凹部５ｂには、樹脂封止工程において樹脂パッケージとなる封止樹脂が充填されるため、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パッケージとターミナルランドフレーム１との密着性が向上する。また、樹脂封止工程において用いられる封止金型の片方が封止樹脂と接することがないため、離型のための押し出しピン、又は樹脂の金型変形を防止する焼き入れに用いられる金型等の構造を単純化することができる。さらに、樹脂封止後は、樹脂パッケージ（の下面）と樹脂フィルム３（の上面）との密着性が良いため、樹脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事態が防止されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上する。
【００７０】
また、第１の実施形態によると、放熱部４ａ及びターミナルランド部６が樹脂フィルム３の下方に突出しているため、例えば樹脂フィルム３の厚さを調節することにより放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを高くすることができるので、言い換えると、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを容易に確保することができるので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を基板実装する時の接続強度が向上する。
【００７１】
また、第１の実施形態によると、フレーム枠２には補強材２ａが、その下面が樹脂フイルム３の下面よりも下側に位置するように接着されていると共に、放熱部４ａの下面及びターミナルランド部６の下面が補強材２ａの下面と同じ平面に位置しているため、ターミナルランドフレーム１を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する各工程において、ターミナルランドフレーム１に加わる圧力が分散して各工程を安定的に行なえるので、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。具体的には、例えば、樹脂封止工程を行なう場合、ターミナルランドフレーム１に加わる封止樹脂の圧力が分散するので、樹脂封止工程を安定的に行なうことができる。
【００７２】
尚、第１の実施形態において、ターミナルランド部６の断面形状としては、丸形に限られず、矩形等の多角形を用いてもよい。また、ターミナルランド部６の下面の形状としては、平面形状に限られず、半球等の形状を用いてもよい。ターミナルランド部６の下面の形状を半球状にすると、基板実装する時の半田接続の信頼性が向上するので、大型の半導体装置を基板実装する場合、つまり基板実装時にターミナルランド部６に加わる応力が高くなる場合、特に有効である。
【００７３】
また、第１の実施形態において、樹脂フィルム３としては、樹脂封止時における高温環境に耐性がある材料、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド又はポリカーボネート等を主成分とする樹脂をベースとし、片面に接着剤を有するテープ等を用いることが好ましい。
【００７４】
また、第１の実施形態において、ターミナルランドフレーム１には複数個のパターンが２次元的に、具体的には、上下左右に連続して配置されていたが、これに限られず、ターミナルランドフレーム１に配置されるパターンの数や配置方法を適宜選択することができる。
【００７５】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法について、図面を参照しながら説明する。尚、第２の実施形態においては、図１〜図３に示す第１の実施形態に係るターミナルランドフレームと同一の部材には同一の符号を付す。
【００７６】
図４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す断面図である。但し、図４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ａ）〜（ｃ）において、縦方向を拡大して表している。
【００７７】
まず、図４（ａ）に示す第１の工程において、ターミナルランドフレームのフレーム枠を構成する、例えば銅材等の金属板７の下面に樹脂フィルム３を、該樹脂フィルム３に貼付された接着剤を用いて高温下で接続する。このとき、樹脂フィルム３における放熱部形成領域及びターミナルランド部形成領域には、それぞれ第１の開口部３ａ及び第２の開口部３ｂが設けられている。
【００７８】
尚、樹脂フィルム３としては、例えば、基材がポリイミドであり、且つ貼付される接着剤がエポキシ系の接着剤である樹脂フイルム等を用いることができる。
【００７９】
次に、図４（ｂ）に示す第２の工程において、金属板７の表面、具体的には、金属板７の上面、並びに金属板７の下面における樹脂フィルム３の第１の開口部３ａ及び第２の開口部３ｂに露出している部分にレジスト膜８を形成する。
【００８０】
次に、図４（ｃ）に示す第３の工程において、レジスト膜８の所定の領域を除去して、金属板７の上面におけるフレーム枠形成領域、ダイパッド形成領域及び信号接続用リード形成領域、並びに金属板７の下面における樹脂フィルム３の第１の開口部３ａ及び第２の開口部３ｂに露出している部分を覆うレジストパターン８Ａを形成する。
【００８１】
次に、図４（ｄ）に示す第４の工程において、レジストパターン８Ａをマスクとして金属板７に対してエッチングを行なって、樹脂フイルム３を保持するフレーム枠２（図示省略）、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４、及び樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むように保持された複数個の信号接続用リード５を形成する。尚、ダイパッド４の下面上に樹脂フィルム３の第１の開口部３ａが位置していると共に、各信号接続用リード５の下面上に樹脂フィルム３の第２の開口部３ｂが位置している。また、図示は省略しているが、フレーム枠２の下面には、樹脂フイルム３を介して補強材２ａが接着される。
【００８２】
次に、図５（ａ）に示す第５の工程において、レジストパターン８Ａを除去した後、図５（ｂ）に示す第６の工程において、ダイパッド４における樹脂フィルム３の第１の開口部３ａの上側の部分つまり放熱部形成領域に対して金型加工を行なって、ダイパッド４に、樹脂フィルム３の第１の開口部３ａから下方に突出する放熱部４ａを設けると共に、各信号接続用リード５における樹脂フィルム３の第２の開口部３ｂの上側の部分つまりターミナルランド部形成領域に対して金型加工を行なって、各信号接続用リード５に、樹脂フィルム３の第２の開口部３ｂから下方に突出するターミナルランド部６を設ける。このとき、放熱部４ａを含むダイパッド４には第１の凹部４ｂが形成されると共に、ターミナルランド部６を含む信号接続用リード５には第２の凹部５ｂが形成される。尚、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの形状は、基板実装時の接続信頼性、又は半導体チップの電気性能検査におけるコンタクト性等を考慮して決定される。基本的には、ターミナルランド部６の断面形状としては、丸形又は矩形等が用いられ、ターミナルランド部６の下面の形状としては、平坦な形状又は半球等の形状が用いられる。
【００８３】
図６は、金型９を用いて、信号接続用リード５に、樹脂フィルム３の下方に突出するターミナルランド部６を設けている様子を示す断面図である。ダイパッド４に、樹脂フィルム３の下方に突出する放熱部４ａを設ける場合にも、図６に示す方法と同様の方法が用いられる。
【００８４】
次に、図５（ｃ）に示す第７の工程において、放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルランド部６のそれぞれの表面における所定の領域に、パラジウム、銀又は金等を用いた金属積層メッキ１０を形成する。
【００８５】
以上に説明したように、第２の実施形態によると、第１の実施形態に係るターミナルランドフレーム、具体的には、フレーム枠２と、フレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイルム３と、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４と、樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むように保持された複数個の信号接続用リード５とを備え、ダイパッド４に、第１の凹部４ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、信号接続用リード５のそれぞれに、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているターミナルランドフレームを形成することができる。
【００８６】
すなわち、ダイパッド４を樹脂フイルム３上に保持されるように形成していると共に該ダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａを設けているため、ダイパッド４に半導体チップを搭載して樹脂フイルム３の上面において半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また、ダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リード５を、それぞれ樹脂フイルム３上に保持されるように形成していると共に各信号接続用リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６を設けているため、複数個のターミナルランド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができる。このため、ターミナルランドフレーム１に多数のターミナルランド部６を配置できるので、多端子化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。さらに、ダイパッド４を、従来の吊りリードに代えて樹脂フィルム３により保持されるように形成しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よりも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナルランド部６を実質的に配置できるので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００８７】
また、第２の実施形態によると、金属板７の下面に樹脂フィルム３を貼付した後、樹脂フィルム３上において金属板７を選択的に除去して、信号接続用リード５を形成することができるため、信号接続用リード５を容易に微細加工することができると共に、隣接する信号接続用リード５同士の間隔つまり隣接するターミナルランド部６同士の間隔を容易に狭くすることができるので、ターミナルランドフレームを小型化できると共に、ターミナルランド部６つまり外部電極端子の数を増大させることができる。具体的には、信号接続用リード５を、隣接する信号接続用リード５同士の間隔が２０〜７０μｍになるように形成することができる。また、信号接続用リード５の金属細線接続部５ａ（図２参照）を該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成できると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置できるので、樹脂封止型半導体装置の製造におけるワイヤーボンディング工程を簡単に行なうことができる。
【００８８】
また、第２の実施形態によると、フレーム枠２の下面に補強材２ａを接着することによりターミナルランドフレームの厚さを従来のリードフレームと同等の厚さにすることができるため、ターミナルランドフレームの製造工程及び搬送工程が安定するので、ターミナルランドフレームの生産性が向上する。
【００８９】
また、第２の実施形態によると、金属板７に対して金型加工行なって放熱部４ａ及びターミナルランド部６を形成しているため、金型加工の深さの制御により放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを決定することができる。このため、狭ピッチでターミナルランド部６を形成する場合にも、ターミナルランド部６のスタンドオフを、放熱部４ａのスタンドオフと共に高くすることができるので、基板実装時の接続強度が高いパワー型の樹脂封止型半導体装置を実現できる。
【００９０】
尚、第２の実施形態において、樹脂フィルム３の厚さが約５０μｍ、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のスタンドオフがそれぞれ約５０μｍ、ダイパッド４（放熱部４ａを除く）の厚さ及び信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）の厚さが約２５μｍのターミナルランドフレームを製造したが、ダイパッド４、信号接続用リード５及び樹脂フィルム３のそれぞれの厚さ、並びに放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフはこれらに限られるものではない。但し、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフは３０〜１００μｍ程度が好ましい。
【００９１】
また、第２の実施形態において、第７の工程つまり最後の工程で金属層のメッキ処理を行なったが、これに限られず、例えば、第１の工程で樹脂フィルム３の貼付を行なう前にメッキ処理を行なってもよい。このようにすると、樹脂フィルム３がメッキ液により劣化する事態を回避できるので、ターミナルランドフレームの品質が向上すると共にメッキ処理に用いるメッキ液の種類に対する制約が減少する。
【００９２】
また、第２の実施形態において、第７の工程で放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルランド部６のそれぞれの表面における所定の領域に、パラジウム、銀又は金等を用いた金属積層メッキ１０を形成したが、これに代えて、信号接続用リード５の表面（金属細線接続部５ａ）には、例えば銀メッキを行なうと共に、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの表面（下面）には、実装基板とのはんだ接続に適したメッキを行なってもよい。言い換えると、信号接続用リード５の表面と、放熱部４ａの表面及びターミナルランド部６の表面とに互いに異なるメッキ加工を行なってもよい。このようにすると、高品質の樹脂封止型半導体装置を実現をすることができる。
【００９３】
また、第２の実施形態において、第１の工程で樹脂フィルム３の貼付を行なったが、これに限られず、例えば、第４の工程で金属板７に対してエッチングを行なった後に樹脂フィルム３の貼付を行なってもよい。すなわち、樹脂フィルム３の貼付を行なうタイミングは、ターミナルランド部６の数、製造される樹脂封止型半導体装置の大きさ、又は樹脂フィルム３とフレーム枠２との接続方法等に基づき最適化される。
【００９４】
また、第２の実施形態において、第１〜７の工程を順次実施したが、これに限られず、各工程を適宜組み合わせて実施することができる。
【００９５】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について、図面を参照しながら説明する。尚、第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置は、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを用いて製造されている。また、第３の実施形態において、図１〜図３に示す第１の実施形態に係るターミナルランドフレームと同一の部材には同一の符号を付す。
【００９６】
図７（ａ）は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）における一点鎖線に囲まれた領域の拡大図であり、図８は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の平面図（樹脂パッケージは透明体として外形のみを示している）である。
【００９７】
図７（ａ）、（ｂ）及び図８に示すように、樹脂フィルム３上にはダイパッド４、及びその周囲を取り囲むように配置された複数個の信号接続用リード５が保持されている。ダイパッド４には、第１の凹部４ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、各信号接続用リード５には、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられている。すなわち、ダイパッド４における放熱部４ａを除く部分の下面、及び各信号接続用リード５におけるターミナルランド部６を除く部分（金属細線接続部５ａ等）の下面には、樹脂フィルム３が接着されている。尚、各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の下にアレー状に配置されている。言い換えると、各信号接続用リード５におけるターミナルランド部６が接続されている部分は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の上にアレー状に配置されている。
【００９８】
ダイパッド４上には、複数個の電極パッド（図示せず）を有する半導体チップ１１が保持されている。具体的には、ダイパッド４における第１の凹部４ｂの外側の領域の上（以下、ダイパッド４の上面と称する）には接着剤１２が部分的に塗布されており、該接着剤１２を介して半導体チップ１１がダイパッド４上に保持されている。尚、第１の凹部４ｂに、ダイパッド４の上面と同等の高さを有する凸部を設けると共に該凸部の上に接着剤１２を塗布することにより、半導体チップ１１をダイパッド４上に一層確実に保持することができる。
【００９９】
半導体チップ１１の各電極パッドと、対応する信号接続用リード５とは金属細線１３により電気的に接続されている。尚、信号接続用リード５は、金属細線１３が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されている。
【０１００】
また、樹脂フィルム３の上面側において該樹脂フィルム３、ダイパッド４、信号接続用リード５、半導体チップ１１及び金属細線１３等が樹脂パッケージ１４により封止されている。従って、放熱部４ａは実装基板に接続され、ダイパッド４に搭載される半導体チップが発生する熱を外部に伝達し、また、各ターミナルランド部６は実装基板に接続され、電気信号を外部に伝達する外部電極端子として働く。尚、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそれぞれに形成された第２の凹部５ｂには、樹脂パッケージ１４を構成する封止樹脂が充填されている。第１の凹部４ｂに封止樹脂が充填される理由は、ダイパッド４の上面に接着剤１２が部分的に塗布されていることに起因して、ダイパッド４の上面と半導体チップ１１の下面との間にすき間が生じるからである。
【０１０１】
図９（ａ）は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を上面から見た斜視図であり、図９（ｂ）は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を下面から見た斜視図である。
【０１０２】
図９（ｂ）に示すように、樹脂封止型半導体装置の裏面は樹脂フィルム３により覆われている一方、放熱部４ａ及びターミナルランド部６が樹脂封止型半導体装置の裏面から突出している。
【０１０３】
第３の実施形態によると、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に樹脂フイルム３の上面においてダイパッド４に搭載された半導体チップ１１等が樹脂封止されているため、半導体チップ１１が発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【０１０４】
また、第３の実施形態によると、樹脂フイルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているため、樹脂フイルム３つまり樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができる。
【０１０５】
また、第３の実施形態によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よりも大きな面積を有する半導体チップ１１を保持できる。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半導体チップ１１よりも小さくできる。このため、半導体チップ１１の搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の裏面における半導体チップ１１の下方にターミナルランド部６を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。また、樹脂封止型半導体装置の製造工程における吊りリードの変形に起因する製造上の従来の問題が回避されるので、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【０１０６】
また、第３の実施形態によると、放熱部４ａ及びターミナルランド部６が樹脂フィルム３の下方に突出しているため、言い換えると、放熱部４ａ及びターミナルランド部６が樹脂封止型半導体装置の裏面から突出しているため、放熱部４ａ及びターミナルランド部６と実装基板とを接合して樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを予め確保しておくことができる。このため、ターミナルランド部６をそのまま外部電極端子として用いることができると共に、例えば放熱部４ａ及びターミナルランド部６を形成するための金型加工の深さ（第２の実施形態の第６の工程を参照）、又は樹脂フィルム３の厚さ等を制御することにより、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを容易に変更することができる。従って、樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放熱部４ａと実装基板との接続信頼性を向上させることができると共に、半田ボールを付設することなく、ターミナルランド部６と実装基板の電極との接続信頼性を向上させることができるので、パワー型の樹脂封止型半導体装置の製造工数及び製造コストを低減させることができる。
【０１０７】
また、第３の実施形態によると、信号接続用リード（インナーリード）の側部と接続され、樹脂パッケージの側面から突出する従来のアウターリードに代えて、信号接続用リード５の下部と接続され、樹脂封止型半導体装置の裏面つまり樹脂フィルム３から突出するターミナルランド部６を外部電極端子として用いているため、端子数の多い樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。
【０１０８】
また、第３の実施形態によると、樹脂パッケージ１４と樹脂フィルム３との密着性が良いため、樹脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事態が防止されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上する。
【０１０９】
また、第３の実施形態によると、樹脂フィルム３の上面側において、半導体チップ１１等が樹脂パッケージ１４により封止されているため、樹脂フィルム３の下方に突出する放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの表面には樹脂バリ（樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分）が存在しないので、放熱部４ａ及びターミナルランド部６と実装基板との接続信頼性が一層向上する。
【０１１０】
また、第３の実施形態によると、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそれぞれに形成された第２の凹部５ｂに、樹脂パッケージ１４を構成する封止樹脂が充填されているため、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パッケージ１４とダイパッド４及び信号接続用リード５との密着性が向上する。
【０１１１】
また、第３の実施形態によると、信号接続用リード５の金属細線接続部５ａ（半導体チップ１１の電極パッドと金属細線１３により接続される部分）が該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されているため、多数の電極パッドを有する半導体チップ１１がダイボンドされている場合にも、ワイヤーボンディング工程を簡単に行なえるので、樹脂封止型半導体装置の製造コストを低減することができる。
【０１１２】
尚、第３の実施形態において、樹脂フィルム３の厚さは約５０μｍであり、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフは約５０μｍであり、ダイパッド４（放熱部４ａを除く）及び信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）のそれぞれの厚さは約２５μｍであったが、ダイパッド４、信号接続用リード５及び樹脂フィルム３のそれぞれの厚さ、並びに放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフはこれに限られるものではない。但し、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフは３０〜１００μｍ程度が好ましい。このようにすると、パワー型の樹脂封止型半導体装置を基板実装する時の接続強度が確実に向上する。
【０１１３】
また、第３の実施形態において、信号接続用リード５の金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されていたが、これに限られず、金属細線接続部５ａを含む信号接続用リード５の形状及び配置方法は、ターミナルランド部６の数及び半導体チップ１１の大きさ等に基づき適宜選択される。尚、信号接続用リード５の形状及び配置方法は、信号接続用リード５を形成するためのエッチング（第２の実施形態における第４の工程を参照）を制御することにより容易に変更することができる。
【０１１４】
（第４の実施形態）
以下、本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図１０（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。尚、第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法である。また、第４の実施形態において、図１〜図３に示す第１の実施形態に係るターミナルランドフレーム、又は図７及び図８に示す第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置と同一の部材には同一の符号を付す。
【０１１５】
まず、第１の工程において、第１の実施形態に係るターミナルランドフレーム（図１〜図３参照）、具体的には、フレーム枠２と、フレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイルム３と、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４と、樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むように保持された複数個の信号接続用リード５とを備え、ダイパッド４に、第１の凹部４ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、信号接続用リード５のそれぞれに、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているターミナルランドフレーム１を準備する。
【０１１６】
尚、ターミナルランドフレーム１において、各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の下にアレー状に配置されている。
【０１１７】
また、ターミナルランドフレーム１において、樹脂封止工程において封止樹脂の流出を止めるタイバーは設けられていない。
【０１１８】
また、ターミナルランドフレーム１における金属部分（樹脂フィルム３を除く部分）の表面、具体的には、放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルランド部６のそれぞれの表面においては、ターミナルランドフレーム１の金属部分を構成する銅（Ｃｕ）素材に対して３層の金属メッキ、具体的には、下地メッキとしてのニッケル（Ｎｉ）層、その上層のメッキとしてのパラジウム（Ｐｄ）層、及び最上層のメッキとしての薄膜の金（Ａｕ）層からなる３層の金属メッキが施されている。但し、ターミナルランドフレーム１の金属部分として銅素材に代えて４２アロイ材等を使用でき、また、メッキ材料としてニッケル、パラジウム又は金以外の貴金属等を使用でき、さらに、メッキ構造として３層メッキ以外の構造を使用できる。
【０１１９】
次に、図１０（ａ）の状態図に示す第２の工程において、ターミナルランドフレーム１のダイパッド４（図示省略）上に、複数個の電極パッド（図示省略）を有する半導体チップ１１を接着剤１２を介して保持する。すなわち、第２の工程はいわゆるダイボンド工程である。具体的には、ダイパッド４における第１の凹部４ｂの外側の領域の上、つまりダイパッド４の上面に接着剤１２を部分的に塗布すると共に、該接着剤１２を介して半導体チップ１１をダイパッド４上に保持する。このようにすると、接着剤１２が所定の厚さを有しているため、ダイパッド４の上面と半導体チップ１１の下面との間にすき間が生じるため、後の樹脂封止工程において第１の凹部４ｂに樹脂パッケージを構成する封止樹脂を充填することができる。尚、第１の凹部４ｂに、ダイパッド４の上面と同等の高さを有する凸部を設けると共に該凸部の上に接着剤１２を塗布することにより、半導体チップ１１をダイパッド４上に一層確実に保持することができる。
【０１２０】
次に、図１０（ｂ）の状態図に示す第３の工程において、ダイパッド４上に保持された半導体チップ１１の各電極パッドと、対応する信号接続用リード５（図示省略）とを金属細線１３により電気的に接続する。すなわち、第３の工程はいわゆるワイヤーボンディング工程である。
【０１２１】
尚、ターミナルランドフレーム１において、図２に示すように、信号接続用リード５は、金属細線１３が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く加工されている一方、信号接続用リード５が樹脂フィルム３により保持されているため、金属細線１３の接続つまりワイヤーボンディング工程を安定して行なうことができる。また、図２に示すように、各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａはダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されているため、ワイヤーボンディング工程を簡単に行なうことができる。また、信号接続用リード５の金属細線接続部５ａの下面は、ターミナルランド部６の下面よりも上方に位置しているが、ワイヤーボンディング装置の構造を工夫することにより、従来同様にワイヤーボンディング工程を安定して行なうことができる。
【０１２２】
次に、図１０（ｃ）の状態図に示す第４の工程において、上面側に半導体チップ１１が接合され、下面側を樹脂フィルム３（図示省略）により覆われたターミナルランドフレーム１を封止金型内（図示省略）に収納した後、該封止金型によりターミナルランドフレーム１のフレーム枠２（図示省略）を押圧しながら封止金型内に封止樹脂を流し込むことによって、ターミナルランドフレーム１の上面側つまり樹脂フイルム３の上面側において該樹脂フイルム３、ダイパッド４、信号接続用リード５、半導体チップ１１及び金属細線１３等を樹脂パッケージ１４により封止する。尚、図１０（ｃ）の状態図（図１０（ｄ）の状態図においても同じ）において、樹脂パッケージ１４は透明体として表している。
【０１２３】
このとき、ターミナルランドフレーム１においては、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）は、その下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面よりも上側に位置するように形成されている一方、各信号接続用リード５に設けられたターミナルランド部６は、その下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面と同じ平面に位置するように形成されている。従って、ターミナルランドフレーム１の下面側つまり樹脂フイルム３の下面側に空隙が存在する状況においても、ターミナルランドフレーム１に加わる封止樹脂の圧力が分散するため、樹脂封止工程を安定して行なうことができる。
【０１２４】
また、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそれぞれに形成された第２の凹部５ｂに、樹脂パッケージ１４を構成する封止樹脂が充填されるので、ターミナルランドフレーム１の厚さを薄くした場合にも、つまり放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの厚さを薄くした場合にも、樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するため該実装基板と放熱部４ａ及びターミナルランド部６とを半田接続したときに放熱部４ａ及びターミナルランド部６が変形する事態を防止することができる。
【０１２５】
ところで、第４の工程つまり樹脂封止工程を、より強い樹脂圧力においても安定して行なうために、封止金型内においてターミナルランドフレーム１の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させながら、封止金型内に封止樹脂を流し込む方法を用いることができる。
【０１２６】
図１１は、樹脂封止工程において、封止金型の締め付け圧力及び封止金型の温度により軟化した封止フィルム１５が、ターミナルランド部６同士の間の空隙、フレーム枠２の補強材２ａとターミナルランド部６との間の空隙、及び放熱部４ａとターミナルランド部６との間の空隙を埋めている様子を示している。
【０１２７】
すなわち、ターミナルランドフレーム１の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させて樹脂封止工程を行なうことにより、信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）の下面に直接封止樹脂の圧力が加わる事態が回避されるので、ターミナルランドフレーム１の変形が防止される。このため、ターミナルランドフレーム１の下面から放熱部４ａ及びターミナルランド部６が突出しているにも関わらず、ターミナルランドフレーム１の上面側のみを樹脂パッケージ１４により容易に封止することができる。
【０１２８】
また、ターミナルランドフレーム１の下面つまり樹脂フイルム３の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させることによって、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止できるので、放熱部４ａの表面及びターミナルランド部６の表面に樹脂バリが形成されることを防止できる。
【０１２９】
尚、封止フィルム１５の材料としては、樹脂封止時における高温環境に対して耐性を有する材料、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド又はポリカーボネート等を主成分とする樹脂をベースとしたテープ等を用いることができる。本実施形態においては、ポリイミドを主成分とし、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフと同程度の厚さ、例えば５０μｍ程度の厚さを有する封止フィルム１５を用いて樹脂封止工程を行なった結果、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを、樹脂封止工程の前と同じ５０μｍに保つことができた。
【０１３０】
また、封止フィルム１５を用いて樹脂封止工程を行なう場合、樹脂封止型半導体装置の構造上、品質上又は生産上、ターミナルランドフレーム１のわずかな変形は問題にならない。
【０１３１】
また、放熱部４ａの下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面と略同一の平面に位置しているため、封止金型の表面におけるダイパッド４の下側の領域に凸部を設ける必要がなくなる。このため、封止金型の共用化が可能となるので、大型キャビテーを使用することにより複数個のダイパッド及び複数個の半導体チップを樹脂パッケージ１４により一括して容易に封止することができる。
【０１３２】
次に、図１０（ｄ）の状態図に示す第５の工程において、樹脂パッケージ１４の所定部分及びターミナルランドフレーム１の所定部分を切断して図１２に示す樹脂封止型半導体装置を複数個生成する。尚、図１２に示す樹脂封止型半導体装置は、樹脂パッケージ１４の形状を除いて、図７（ａ）に示す第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置と同一の構造を有している。
【０１３３】
図１３は、回転刃を用いて樹脂パッケージ１４及びターミナルランドフレーム１を切断して複数個の樹脂封止型半導体装置を生成している様子を示す斜視図である。
【０１３４】
図１３に示すように、樹脂パッケージ１４及びターミナルランドフレーム１における切断部（図中の２重破線部）を回転刃１６を用いて切断することにより、図１２に示す樹脂封止型半導体装置が複数個形成される。
【０１３５】
尚、第５の工程において、回転刃に代えて、金型を用いてターミナルランドフレーム１又は樹脂パッケージ１４を切断することができる。また、第５の工程において、複数個のダイパッド及び複数個の半導体チップが樹脂パッケージ１４により一括して封止されている場合を対象としたが、これに代えて、個別封止用の封止金型を用いて一個のダイパッド及び一個の半導体チップが樹脂パッケージにより封止されている場合、ターミナルランドフレーム１を切断することにより、図７（ａ）に示す樹脂封止型半導体装置、つまり第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置が生成される。
【０１３６】
また、回転刃等により切断される部分に金属部分が存在しないようにターミナルランドフレームを設計することにより、第５の工程つまりターミナルランドフレーム切断工程の生産性を向上することができる。詳細は図示していないが、例えば、図１３に示すように、回転刃１６を用いてフレーム枠２を切断することなく、樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断することにより、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成することができる。
【０１３７】
尚、図１０（ｄ）は、フレーム枠２を切断することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を示す状態図である。
【０１３８】
また、図１４は、フレーム枠２を切断することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を示す断面図である。尚、図１４においては、ダイパッド４及び信号接続用リード５を一体化して図示していると共に、ターミナルランド部６の図示を省略している。
【０１３９】
以上に説明したように、フレーム枠２を切断することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した場合、ターミナルランドフレーム切断工程が容易になって樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。特に、従来ターミナルランドフレーム切断工程の生産性が悪い銅（Ｃｕ）からなるターミナルランドフレームを用いる場合、ターミナルランドフレーム切断工程の生産性が著しく向上すると共に、ターミナルランドフレーム切断工程に用いられる回転刃の寿命が長くなる。また、個別封止用の封止金型を用いて一個のダイパッド及び一個の半導体チップが樹脂パッケージにより封止されている場合には、フレーム枠２を切断することなく樹脂フィルム３を切断するだけで、樹脂封止型半導体装置を生成することができる。
【０１４０】
尚、以上の説明においては、樹脂パッケージ１４、及び該樹脂パッケージ１４により上面を封止されたターミナルランドフレーム１を、上面側（樹脂パッケージ１４）から下面側（樹脂フィルム３）に向けて切断する場合を前提としていたが、これに代えて、下面側から上面側に向けて切断することも可能である。
【０１４１】
第４の実施形態によると、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に樹脂フイルム３の上面においてダイパッド４に搭載された半導体チップ１１等を樹脂封止しているため、半導体チップ１１が発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【０１４２】
また、第４の実施形態によると、樹脂フイルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているため、樹脂フイルム３つまり樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができる。
【０１４３】
また、第４の実施形態によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よりも大きな面積を有する半導体チップ１１を保持できる。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半導体チップ１１よりも小さくできる。このため、半導体チップ１１の搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の裏面における半導体チップ１１の下方にターミナルランド部６を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。また、従来の吊りリードを用いる必要がないため、樹脂封止工程における樹脂の成形性が向上して、ボイドの発生、或いは、半導体チップ１１のサイズが大きい場合における封止樹脂の未充填部分の発生を抑制できるので、樹脂封止型半導体装置の歩留まりが向上する。また、樹脂封止型半導体装置における従来の吊りリードに用いられていたスペースを信号接続用リード５の配置に利用できるので、樹脂封止型半導体装置に用いられるターミナルランドフレームの設計品質を向上させることができる。さらに、従来の吊りリードを用いる必要がなくなることによって、ダイパッド４に搭載される半導体チップ１１のサイズに対する制限、或いは、半導体チップ１１と信号接続用リード５とを接続する金属細線１３に対する制限が緩和されるため、樹脂封止型半導体装置の製造が容易になって生産性が向上する。
【０１４４】
また、第４の実施形態によると、ターミナルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されていると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４が保持されているため、ダイパッド４に半導体チップ１１を搭載して該半導体チップ１１等を樹脂封止した後、フレーム枠２等の金属部分を切断することなく樹脂フィルム３を切断することにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することができる。また、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられていると共に、樹脂フイルム３上に保持された信号接続用リード５に、樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられているので、樹脂フイルム３の上面において半導体チップ１１等を樹脂パッケージ１４により封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部４ａ、及びターミナルランド部６つまり下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を実現することができる。従って、パワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【０１４５】
また、第４の実施形態によると、樹脂フイルム３の下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面よりも上側に位置していると共に、放熱部４ａの下面及びターミナルランド部６の下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面と略同一の平面に位置しているため、ターミナルランドフレーム１を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する各工程において、ターミナルランドフレーム１に加わる圧力が分散するので、各工程を安定して行なうことができる。
【０１４６】
また、第４の実施形態によると、信号接続用リード５の金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く加工されていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されているため、半導体チップ１１の電極パッドが多い場合にも、ワイヤーボンディング工程を簡単に行なうことができるので、樹脂封止型半導体装置の製造コストを低減することができる。
【０１４７】
また、第４の実施形態によると、ターミナルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されていると共に、樹脂フイルム３の上面側において半導体チップ１１等を樹脂パッケージ１４により封止している。このため、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む事態が阻止される結果、放熱部４ａの表面、及びターミナルランド部６（つまり外部電極端子）の表面に樹脂バリが形成されることがないので、ばりとり工程が不要になって樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。また、封止金型内においてターミナルランドフレーム１の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させながら樹脂封止工程を行なっているので、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止できる。
【０１４８】
すなわち、信号接続用リードの下面及びダイパッドの下面を露出させる従来のパワー型の樹脂封止型半導体装置、つまり従来の底面電極露出型の樹脂封止型半導体装置を製造する場合に行なわれる、ダイパッドの下面（放熱部の表面）、及び信号接続用リードの下面（外部電極端子の表面）に形成された樹脂バリをウォータージェット等によって除去する複雑な工程が不要になるので、樹脂封止型半導体装置の製造工程（特に樹脂封止型半導体装置を量産する場合）を簡略化することができる。また、従来、ウォータージェット等による樹脂バリ除去工程において生じる可能性があった、ターミナルランドフレーム上におけるニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）又は金（Ａｕ）等の金属メッキ層の剥がれ、又はターミナルランドフレーム上における不純物の付着等が防止されるので、樹脂封止工程前に形成される各金属メッキ層のプリメッキ品質が向上する。
【０１４９】
ところで、第４の実施形態においては、ウォータージェット等による樹脂バリ除去工程が削減される代わりに、ターミナルランドフレーム１の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させて樹脂封止を行なう工程が新たに必要となる。しかしながら、封止フィルム１５を用いた樹脂封止工程の方が、ウォータージェット等による樹脂バリ除去工程よりもコスト的に安価であると共に工程管理的にも容易であるため、第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の方が従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法よりも確実に工程を簡略化することができる。特に、従来のウォータージェット等による樹脂バリ除去工程においては、ターミナルランドフレーム上における金属メッキ層の剥がれ、又はターミナルランドフレーム上における不純物の付着等の品質上重大なトラブルが発生する一方、第４の実施形態においては、封止フィルム１５の使用により前記のトラブルを確実に阻止できるので、製造工程上の大きな利点が生じる。
【０１５０】
また、第４の実施形態によると、封止金型内においてターミナルランドフレーム１の下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させながら樹脂封止工程を行なうため、封止金型の熱によって封止フィルム１５が軟化すると共に熱収縮するので、封止樹脂の圧力及び封止金型の締め付け圧力により放熱部４ａ及びターミナルランド部６が封止フィルム１５に食い込んで、信号接続用リード５の下側の空隙が封止フィルム１５により埋められる。従って、信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）の下面に直接樹脂圧力が加わる事態が回避されるので、ターミナルランドフレーム１の変形が防止される。また、放熱部４ａ及びターミナルランド部６における樹脂フィルム３の下方に突出する構造が保持されるので、放熱部４ａ及びターミナルランド部６つまり外部電極端子のそれぞれのスタンドオフを確保することができる。
【０１５１】
また、第４の実施形態によると、放熱部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそれぞれに形成された第２の凹部５ｂに、樹脂パッケージ１４を構成する封止樹脂を充填しているため、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パッケージ１４とダイパッド４及び信号接続用リード５との密着性が向上する。
【０１５２】
尚、第４の実施形態において、ポリイミドを主成分とし、５０μｍの厚さを有する封止フィルム１５を用いたが、これに限られず、所望する放熱部４ａのスタンドオフ又はターミナルランド部６のスタンドオフに応じて、所定の硬度又は熱による軟化特性を有する材質を主成分とし、所定の厚さを有する封止フィルムを選択して用いることができる。
【０１５３】
また、第１〜第４の実施形態において、本発明の要旨を越えない範囲において、種々の変形実施が可能であることはいうまでもない。
【０１５４】
【発明の効果】
本発明によると、半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また、樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができると共に、樹脂封止型半導体装置の裏面における半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るターミナルランドフレームを裏面から見た平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るターミナルランドフレームの一部を正面から見た平面図である。
【図３】（ａ）は図１におけるＩ−Ｉ線の断面図であり、（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係るターミナルランドフレームにおけるダイパッドの断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法の一工程において、金型を用いて、信号接続用リードに、樹脂フィルムの下方に突出するターミナルランド部を設けている様子を示す断面図である。
【図７】（ａ）は本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）における一点鎖線に囲まれた領域の拡大図でる。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の平面図である。
【図９】（ａ）は本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を上面から見た斜視図であり、（ｂ）は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を下面から見た斜視図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す状態図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程において、軟化した封止フィルムが、ターミナルランド部同士の間の空隙、フレーム枠の補強材とターミナルランド部との間の空隙、及び放熱部とターミナルランド部との間の空隙を埋めている様子を示す断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法により製造された樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程において、回転刃を用いて樹脂パッケージ及びターミナルランドフレームを切断して複数個の樹脂封止型半導体装置を生成している様子を示す斜視図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の一工程において、フレーム枠を切断することなく樹脂フィルム及び樹脂パッケージを切断して複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を示す断面図である。
【図１５】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１ ターミナルランドフレーム
２ フレーム枠
２ａ フレーム枠の補強材
３ 樹脂フイルム
３ａ 第１の開口部
３ｂ 第２の開口部
４ ダイパッド
４ａ 放熱部
４ｂ 第１の凹部
５ 信号接続用リード
５ａ 金属細線接続部
５ｂ 第２の凹部
６ ターミナルランド部
７ 金属板
８ レジスト膜
８Ａ レジストパターン
９ 金型
１０ 金属積層メッキ
１１ 半導体チップ
１２ 接着剤
１３ 金属細線
１４ 樹脂パッケージ
１５ 封止フィルム
１６ 回転刃
Claims (13)
- フレーム枠と、
前記フレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイルムと、
前記樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、
前記樹脂フイルム上に前記ダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードとを備え、
前記ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように前記樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられ、
前記信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように前記樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられていることを特徴とするターミナルランドフレーム。 - 前記ダイパッドは、前記第１の凹部の開口部を含む面積が該ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のターミナルランドフレーム。
- 前記フレーム枠には、補強材が、その下面が前記樹脂フイルムの下面よりも下側に位置するように接着され、
前記放熱部及びターミナルランド部は、それぞれその下面が前記補強材の下面と略同一の平面に位置していることを特徴とする請求項１に記載のターミナルランドフレーム。 - 前記信号接続用リードは、前記ダイパッドに搭載される半導体チップと金属細線により接続される部分の表面に、前記放熱部及びターミナルランド部のそれぞれの表面と異なるメッキ加工が施されていることを特徴とする請求項１に記載のターミナルランドフレーム。
- フレーム枠を構成する金属板の下面に樹脂フイルムを貼付する樹脂フイルム貼付工程と、
前記樹脂フイルム上において前記金属板を選択的に除去する加工を行なって、前記樹脂フイルムを保持する前記フレーム枠、前記樹脂フイルム上に保持されたダイパッド、及び前記樹脂フイルム上に前記ダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードを形成する第１の金属板加工工程と、
前記ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように前記樹脂フイルムの下方に突出する放熱部を設けると共に、前記信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように前記樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部を設ける第２の金属板加工工程とを備えていることを特徴とするターミナルランドフレームの製造方法。 - 樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、
前記樹脂フイルム上に前記ダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードと、
前記ダイパッド上に保持された半導体チップと、
前記半導体チップと前記信号接続用リードとを接続する金属細線と、
前記樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイルム、前記ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び金属細線を封止している樹脂パッケージとを備え、
前記ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように前記樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられ、
前記信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように前記樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 前記放熱部及びターミナルランド部は、それぞれ前記樹脂フイルムの下方に突出する部分の突出量が、３０〜１００μｍ程度であることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 前記信号接続用リードは、前記金属細線が接続される一の部分が該一の部分以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リードの前記一の部分が前記ダイパッドを取り囲んで略一列に並ぶように配置されていることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置。
- 前記第１の凹部及び第２の凹部には、前記樹脂パッケージを構成する封止樹脂が充填されていることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置。
- フレーム枠と、前記フレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイルムと、前記樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、前記樹脂フイルム上に前記ダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードとを備え、前記ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように前記樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に前記信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように前記樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられているターミナルランドフレームを準備する第１の工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを保持する第２の工程と、
前記半導体チップと前記信号接続用リードとを金属細線により接続する第３の工程と、
前記樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイルム、前記ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び金属細線を樹脂パッケージにより封止する第４の工程と、
前記ターミナルランドフレームを切断する第５の工程とを備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 前記第４の工程は、封止金型内において前記ターミナルランドフレームの下面と前記封止金型との間に封止フィルムを介在させながら、前記封止金型内に前記樹脂パッケージとなる封止樹脂を流し込む工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- 前記ターミナルランドフレームは複数個の前記ダイパッドを備え、
前記第２の工程は、複数個の前記半導体チップを複数個の前記ダイパッドのそれぞれの上に保持する工程を含み、
前記第４の工程は、複数個の前記ダイパッド及び複数個の前記半導体チップを前記樹脂パッケージにより一括して封止する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 前記第５の工程は、回転刃を用いて前記フレーム枠を切断することなく前記樹脂フイルム及び樹脂パッケージを切断する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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