JP2001127195A - ターミナルランドフレーム及びその製造方法、並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
ターミナルランドフレーム及びその製造方法、並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現しつ
つ、該半導体装置を小型化できるようにすると共に多端
子化できるようにする。 【解決手段】 樹脂フイルム３上にダイパッド４及びそ
れを取り囲む複数個の信号接続用リード５が保持されて
いる。ダイパッド４上に半導体チップ１１が接着剤１２
を介して保持されていると共に半導体チップ１１と信号
接続用リード５とが金属細線１３により接続されてい
る。樹脂フイルム３の上面側において該樹脂フイルム
３、ダイパッド４、信号接続用リード５、半導体チップ
１１及び金属細線１３等が樹脂パッケージ１４により封
止されている。ダイパッド４に、第１の凹部４ｂが形成
されるように樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４
ａが設けられていると共に、各信号接続用リード５に、
第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下
方に突出するターミナルランド部６が設けられている。
つ、該半導体装置を小型化できるようにすると共に多端
子化できるようにする。 【解決手段】 樹脂フイルム３上にダイパッド４及びそ
れを取り囲む複数個の信号接続用リード５が保持されて
いる。ダイパッド４上に半導体チップ１１が接着剤１２
を介して保持されていると共に半導体チップ１１と信号
接続用リード５とが金属細線１３により接続されてい
る。樹脂フイルム３の上面側において該樹脂フイルム
３、ダイパッド４、信号接続用リード５、半導体チップ
１１及び金属細線１３等が樹脂パッケージ１４により封
止されている。ダイパッド４に、第１の凹部４ｂが形成
されるように樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４
ａが設けられていると共に、各信号接続用リード５に、
第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下
方に突出するターミナルランド部６が設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び
該半導体チップと接続される信号接続用リードを樹脂パ
ッケージにより封止し、信号接続用リードと接続される
ターミナルランド部を外部電極端子として裏面側に有す
る樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、並びに該樹
脂封止型半導体装置に用いられるターミナルランドフレ
ーム及びその製造方法に関し、特に、パワー素子からの
発熱を放散するためにダイパッドの下面を露出させたパ
ワー型の樹脂封止型半導体装置に関する。
該半導体チップと接続される信号接続用リードを樹脂パ
ッケージにより封止し、信号接続用リードと接続される
ターミナルランド部を外部電極端子として裏面側に有す
る樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、並びに該樹
脂封止型半導体装置に用いられるターミナルランドフレ
ーム及びその製造方法に関し、特に、パワー素子からの
発熱を放散するためにダイパッドの下面を露出させたパ
ワー型の樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求されているので、半導体部品の小型化及び
薄型化が加速度的に進んでいる。
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求されているので、半導体部品の小型化及び
薄型化が加速度的に進んでいる。
【０００３】半導体部品の１つである樹脂封止型半導体
装置においては、該半導体装置をプリント基板表面に高
密度に実装するために、現在、半導体チップを封止した
正方形又は長方形の樹脂パッケージの側面にガル・ウイ
ング形状の外部リード端子が多数配置されたＱＦＰ（ク
ワッド・フラットパック・パッケージ）が広く使用され
ている。特に、半導体チップ内にパワー素子を内蔵する
場合には、放熱性を考慮して、半導体チップを搭載した
ダイパッドの下面が露出したＱＦＰつまりパワーＱＦＰ
が使用されている。
装置においては、該半導体装置をプリント基板表面に高
密度に実装するために、現在、半導体チップを封止した
正方形又は長方形の樹脂パッケージの側面にガル・ウイ
ング形状の外部リード端子が多数配置されたＱＦＰ（ク
ワッド・フラットパック・パッケージ）が広く使用され
ている。特に、半導体チップ内にパワー素子を内蔵する
場合には、放熱性を考慮して、半導体チップを搭載した
ダイパッドの下面が露出したＱＦＰつまりパワーＱＦＰ
が使用されている。
【０００４】ところで、最近、半導体チップの高機能化
（高ＬＳＩ化）に伴って、ＱＦＰについては、さらに外
部リード端子数を増やすことが強く望まれている。現
在、ＱＦＰの外形寸法を大きくすることなく外部リード
端子数を増やすために、端子ピッチが０．３ｍｍ程度に
狭ピッチ化されたＱＦＰつまり狭ピッチＱＦＰが一部実
用化されている。
（高ＬＳＩ化）に伴って、ＱＦＰについては、さらに外
部リード端子数を増やすことが強く望まれている。現
在、ＱＦＰの外形寸法を大きくすることなく外部リード
端子数を増やすために、端子ピッチが０．３ｍｍ程度に
狭ピッチ化されたＱＦＰつまり狭ピッチＱＦＰが一部実
用化されている。
【０００５】しかし、狭ピッチＱＦＰ又は狭ピッチパワ
ーＱＦＰの製造及び実装にあたっては、その取り扱い時
における外部リード端子の曲がりに起因して、以下のよ
うな問題が生じる。 （１）樹脂封止型半導体装置の製造歩留まりが低下す
る。 （２）樹脂封止型半導体装置をプリント基板上に実装す
るときの歩留まりが低下する。 （３）樹脂封止型半導体装置が実装されたプリント基板
の品質低下等を回避するために特別の対策が必要にな
る。
ーＱＦＰの製造及び実装にあたっては、その取り扱い時
における外部リード端子の曲がりに起因して、以下のよ
うな問題が生じる。 （１）樹脂封止型半導体装置の製造歩留まりが低下す
る。 （２）樹脂封止型半導体装置をプリント基板上に実装す
るときの歩留まりが低下する。 （３）樹脂封止型半導体装置が実装されたプリント基板
の品質低下等を回避するために特別の対策が必要にな
る。
【０００６】そこで、ＱＦＰの外部リード端子に関する
前記の課題を解決するパッケージ技術として、ＢＧＡ
（ボール・グリッド・アレイ）パッケージが開発されて
いる。
前記の課題を解決するパッケージ技術として、ＢＧＡ
（ボール・グリッド・アレイ）パッケージが開発されて
いる。
【０００７】図１５は、従来の樹脂封止型半導体装置、
具体的にはパワー素子を内蔵する半導体チップを用いた
ＢＧＡパッケージ方式（パワーＢＧＡ型）の樹脂封止型
半導体装置の断面構造を示している。
具体的にはパワー素子を内蔵する半導体チップを用いた
ＢＧＡパッケージ方式（パワーＢＧＡ型）の樹脂封止型
半導体装置の断面構造を示している。
【０００８】図１５に示すように、パワー素子を内蔵す
る半導体チップつまりパワー半導体チップ１０１が接着
剤１０２を介して両面配線基板１０３の上面に搭載され
ている。両面配線基板１０３の上面におけるパワー半導
体チップ１０１が搭載されていない領域には、上面側配
線パターン１０４Ａが形成されていると共に、両面配線
基板１０３の下面には、下面側配線パターン１０４Ｂが
形成されている。両面配線基板１０３にはスルーホール
１０３ａが形成されており、該スルーホール１０３ａの
壁面に形成されたスルーホール内配線１０４Ｃにより、
上面側配線パターン１０４Ａと下面側配線パターン１０
４Ｂとが電気的に接続されている。
る半導体チップつまりパワー半導体チップ１０１が接着
剤１０２を介して両面配線基板１０３の上面に搭載され
ている。両面配線基板１０３の上面におけるパワー半導
体チップ１０１が搭載されていない領域には、上面側配
線パターン１０４Ａが形成されていると共に、両面配線
基板１０３の下面には、下面側配線パターン１０４Ｂが
形成されている。両面配線基板１０３にはスルーホール
１０３ａが形成されており、該スルーホール１０３ａの
壁面に形成されたスルーホール内配線１０４Ｃにより、
上面側配線パターン１０４Ａと下面側配線パターン１０
４Ｂとが電気的に接続されている。
【０００９】また、パワー半導体チップ１０１の上面に
形成された電極パッド１０１ａと上面側配線パターン１
０４Ａとは、金属細線１０５により電気的に接続されて
いる。上面側配線パターン１０４Ａ上における金属細線
１０５が接続されている領域以外の他の領域はソルダー
レジスト１０６により被覆されている。両面配線基板１
０３の上面側においてパワー半導体チップ１０１、両面
配線基板１０３及び金属細線１０５等が樹脂パッケージ
１０７によりモールドされて保護されている。
形成された電極パッド１０１ａと上面側配線パターン１
０４Ａとは、金属細線１０５により電気的に接続されて
いる。上面側配線パターン１０４Ａ上における金属細線
１０５が接続されている領域以外の他の領域はソルダー
レジスト１０６により被覆されている。両面配線基板１
０３の上面側においてパワー半導体チップ１０１、両面
配線基板１０３及び金属細線１０５等が樹脂パッケージ
１０７によりモールドされて保護されている。
【００１０】ところで、下面側配線パターン１０４Ｂの
表面も一部を除いてソルダーレジスト１０６により被覆
されている一方、下面側配線パターン１０４Ｂ上におけ
るソルダーレジスト１０６により被覆されていない領域
には、半田ボール１０８が、ソルダーレジスト１０６の
下方に突出するように形成されている。このとき、半田
ボール１０８は、ソルダーレジスト１０６の下面つまり
樹脂封止半導体装置の裏面にアレイ（格子）状に２次元
的に配置されている。すなわち、ＢＧＡ型の樹脂封止半
導体装置をプリント基板に実装する場合の電気的接続
は、半田ボール１０８を介して行なわれる。また、半田
ボール１０８は、パワー半導体チップ１０１が発生した
熱を樹脂封止半導体装置からプリント基板に放散させる
ために用いられる。この場合、半田ボール１０８は、一
般的にサーマルボールと呼ばれている。
表面も一部を除いてソルダーレジスト１０６により被覆
されている一方、下面側配線パターン１０４Ｂ上におけ
るソルダーレジスト１０６により被覆されていない領域
には、半田ボール１０８が、ソルダーレジスト１０６の
下方に突出するように形成されている。このとき、半田
ボール１０８は、ソルダーレジスト１０６の下面つまり
樹脂封止半導体装置の裏面にアレイ（格子）状に２次元
的に配置されている。すなわち、ＢＧＡ型の樹脂封止半
導体装置をプリント基板に実装する場合の電気的接続
は、半田ボール１０８を介して行なわれる。また、半田
ボール１０８は、パワー半導体チップ１０１が発生した
熱を樹脂封止半導体装置からプリント基板に放散させる
ために用いられる。この場合、半田ボール１０８は、一
般的にサーマルボールと呼ばれている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図１５に示すパワーＢ
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置によると、樹脂封止型半
導体装置の裏面に外部電極端子となる半田ボール１０８
を２次元的に配置できるので、パワーＱＦＰ等における
端子ピッチに対する制限が緩和されて、同一パッケージ
サイズで比較すると端子数をパワーＱＦＰよりも大幅に
増大できる。
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置によると、樹脂封止型半
導体装置の裏面に外部電極端子となる半田ボール１０８
を２次元的に配置できるので、パワーＱＦＰ等における
端子ピッチに対する制限が緩和されて、同一パッケージ
サイズで比較すると端子数をパワーＱＦＰよりも大幅に
増大できる。
【００１２】しかしながら、パワーＢＧＡ型の樹脂封止
型半導体装置においては、パワーＱＦＰ等には見られな
かった以下のような問題が生じる。 （１）半導体チップを接着して保持する両面配線基板が
必要である。 （２）従来のＱＦＰの製造設備以外の新規製造設備の導
入が不可欠となって新たな設備コスト等が発生する。 （３）両面配線基板として、通常、ガラス・エポキシ樹
脂基板が使用されるため、半導体チップの樹脂接着工程
及び加熱硬化工程における半導体チップに加わる歪み対
策、半導体チップの各電極パッドと両面配線基板上の配
線パターンとをワイヤーボンディングにより電気的に接
続する工程における両面配線基板の反り対策、半導体チ
ップを接着した面側のみを樹脂封止することによる両面
配線基板の反り対策、或いは、両面配線基板の反りが多
少存在する場合における複数の半田ボールの水平面上で
の高さを均一にするための対策等、製造技術上解決すべ
き多くの課題が生じる。 （４）半導体装置の信頼性、特に耐湿性が劣化する可能
性がある。例えば、ガラス・エポキシ樹脂と樹脂パッケ
ージとの界面の密着力が弱い場合、高温高湿試験又はプ
レッシャ・クッカー試験等の環境試験において半導体装
置の品質保証が困難になる。
型半導体装置においては、パワーＱＦＰ等には見られな
かった以下のような問題が生じる。 （１）半導体チップを接着して保持する両面配線基板が
必要である。 （２）従来のＱＦＰの製造設備以外の新規製造設備の導
入が不可欠となって新たな設備コスト等が発生する。 （３）両面配線基板として、通常、ガラス・エポキシ樹
脂基板が使用されるため、半導体チップの樹脂接着工程
及び加熱硬化工程における半導体チップに加わる歪み対
策、半導体チップの各電極パッドと両面配線基板上の配
線パターンとをワイヤーボンディングにより電気的に接
続する工程における両面配線基板の反り対策、半導体チ
ップを接着した面側のみを樹脂封止することによる両面
配線基板の反り対策、或いは、両面配線基板の反りが多
少存在する場合における複数の半田ボールの水平面上で
の高さを均一にするための対策等、製造技術上解決すべ
き多くの課題が生じる。 （４）半導体装置の信頼性、特に耐湿性が劣化する可能
性がある。例えば、ガラス・エポキシ樹脂と樹脂パッケ
ージとの界面の密着力が弱い場合、高温高湿試験又はプ
レッシャ・クッカー試験等の環境試験において半導体装
置の品質保証が困難になる。
【００１３】尚、パワーＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装
置に関する前記の諸課題の解決策として、セラミック製
の両面配線基板の使用は非常に有効である一方、該基板
のコストが高いという欠点がある。
置に関する前記の諸課題の解決策として、セラミック製
の両面配線基板の使用は非常に有効である一方、該基板
のコストが高いという欠点がある。
【００１４】また、リードフレームを使用したパワーＢ
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置も数多く提案されている
が、この場合、リードフレームの加工限界に起因して樹
脂封止型半導体装置の裏面にアレー状（格子状）に多数
の端子を配列することができなきため、多端子化が困難
になる。その結果、リードフレームを使用したパワーＢ
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置は、小型化の要求にしか
応えられない。
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置も数多く提案されている
が、この場合、リードフレームの加工限界に起因して樹
脂封止型半導体装置の裏面にアレー状（格子状）に多数
の端子を配列することができなきため、多端子化が困難
になる。その結果、リードフレームを使用したパワーＢ
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置は、小型化の要求にしか
応えられない。
【００１５】前記に鑑み、本発明は、パワー型の樹脂封
止型半導体装置を実現しつつ、該半導体装置を小型化で
きるようにすると共に多端子化できるようにすることを
目的とする。
止型半導体装置を実現しつつ、該半導体装置を小型化で
きるようにすると共に多端子化できるようにすることを
目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係るターミナルランドフレームは、フレー
ム枠と、フレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆う
ように保持された樹脂フイルムと、樹脂フイルム上に保
持されたダイパッドと、樹脂フイルム上にダイパッドを
取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードと
を備え、ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように
樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられ、信号
接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるよ
うに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部
が設けられている。
め、本発明に係るターミナルランドフレームは、フレー
ム枠と、フレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆う
ように保持された樹脂フイルムと、樹脂フイルム上に保
持されたダイパッドと、樹脂フイルム上にダイパッドを
取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードと
を備え、ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように
樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられ、信号
接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成されるよ
うに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部
が設けられている。
【００１７】本発明のターミナルランドフレームによる
と、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フ
イルムの下方に突出する放熱部が設けられているため、
ダイパッドに半導体チップを搭載して樹脂フイルムの上
面において半導体チップ等を樹脂封止することにより、
半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止
型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封
止型半導体装置を実現することができる。
と、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フ
イルムの下方に突出する放熱部が設けられているため、
ダイパッドに半導体チップを搭載して樹脂フイルムの上
面において半導体チップ等を樹脂封止することにより、
半導体チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止
型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封
止型半導体装置を実現することができる。
【００１８】また、本発明のターミナルランドフレーム
によると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り
囲む複数個の信号接続用リードが保持されていると共に
各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するタ
ーミナルランド部が設けられているため、複数個のター
ミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置することが
できる。このため、ターミナルランドフレームに多数の
ターミナルランド部を配置できるので、多端子化された
樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
によると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り
囲む複数個の信号接続用リードが保持されていると共に
各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するタ
ーミナルランド部が設けられているため、複数個のター
ミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置することが
できる。このため、ターミナルランドフレームに多数の
ターミナルランド部を配置できるので、多端子化された
樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００１９】また、本発明のターミナルランドフレーム
によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムに
よりダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダ
イパッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持
できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開
口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体
チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの
搭載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナ
ルランド部を実質的に配置できるので、小型化された樹
脂封止型半導体装置を実現することができる。
によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムに
よりダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダ
イパッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持
できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開
口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体
チップよりも小さくできる。このため、半導体チップの
搭載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナ
ルランド部を実質的に配置できるので、小型化された樹
脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００２０】また、本発明のターミナルランドフレーム
によると、ターミナルランドフレームのフレーム枠に該
フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイルムが保
持されていると共に樹脂フイルム上にダイパッドが保持
されているため、ダイパッドに半導体チップを搭載して
該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠等の金
属部分を切断することなく樹脂フィルムを切断すること
により、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することが
できる。また、樹脂フイルム上に保持されたダイパッド
に、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられて
いると共に、樹脂フイルム上に保持された信号接続用リ
ードに、樹脂フイルムの下方に突出するターミナルラン
ド部が設けられているので、ダイパッドに半導体チップ
を搭載して樹脂フイルムの上面において半導体チップ等
を樹脂封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフを
有する放熱部、及びターミナルランド部つまり下部電極
端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を実現する
ことができる。従って、本発明のターミナルランドフレ
ームを用いることにより、パワー型の樹脂封止型半導体
装置の生産性が向上する。但し、スタンドオフとは、樹
脂封止型半導体装置の裏面つまり樹脂フイルムの下方に
突出する部分の突出量を意味する。
によると、ターミナルランドフレームのフレーム枠に該
フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイルムが保
持されていると共に樹脂フイルム上にダイパッドが保持
されているため、ダイパッドに半導体チップを搭載して
該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠等の金
属部分を切断することなく樹脂フィルムを切断すること
により、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することが
できる。また、樹脂フイルム上に保持されたダイパッド
に、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられて
いると共に、樹脂フイルム上に保持された信号接続用リ
ードに、樹脂フイルムの下方に突出するターミナルラン
ド部が設けられているので、ダイパッドに半導体チップ
を搭載して樹脂フイルムの上面において半導体チップ等
を樹脂封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフを
有する放熱部、及びターミナルランド部つまり下部電極
端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を実現する
ことができる。従って、本発明のターミナルランドフレ
ームを用いることにより、パワー型の樹脂封止型半導体
装置の生産性が向上する。但し、スタンドオフとは、樹
脂封止型半導体装置の裏面つまり樹脂フイルムの下方に
突出する部分の突出量を意味する。
【００２１】本発明のターミナルランドフレームにおい
て、ダイパッドは、第１の凹部の開口部を含む面積が該
ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さいこと
が好ましい。
て、ダイパッドは、第１の凹部の開口部を含む面積が該
ダイパッドに搭載される半導体チップよりも小さいこと
が好ましい。
【００２２】このようにすると、例えば、半導体チップ
をダイパッド上に保持するための接着剤の厚さを調節す
ることにより、ダイパッド（第１の凹部の開口部を含
む）よりも面積が大きい半導体チップを信号接続用リー
ドの上方に位置させることが可能となるため、ターミナ
ルランド部が半導体チップの下方に配置されて、小型化
された樹脂封止型半導体装置を確実に実現することがで
きる。
をダイパッド上に保持するための接着剤の厚さを調節す
ることにより、ダイパッド（第１の凹部の開口部を含
む）よりも面積が大きい半導体チップを信号接続用リー
ドの上方に位置させることが可能となるため、ターミナ
ルランド部が半導体チップの下方に配置されて、小型化
された樹脂封止型半導体装置を確実に実現することがで
きる。
【００２３】本発明のターミナルランドフレームにおい
て、フレーム枠には、補強材が、その下面が樹脂フイル
ムの下面よりも下側に位置するように接着され、放熱部
及びターミナルランド部は、それぞれその下面が補強材
の下面と略同一の平面に位置していることが好ましい。
て、フレーム枠には、補強材が、その下面が樹脂フイル
ムの下面よりも下側に位置するように接着され、放熱部
及びターミナルランド部は、それぞれその下面が補強材
の下面と略同一の平面に位置していることが好ましい。
【００２４】このようにすると、ターミナルランドフレ
ームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する各工程に
おいて、ターミナルランドフレームに加わる圧力が分散
して各工程を安定的に行なえるので、樹脂封止型半導体
装置の生産性が向上する。
ームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する各工程に
おいて、ターミナルランドフレームに加わる圧力が分散
して各工程を安定的に行なえるので、樹脂封止型半導体
装置の生産性が向上する。
【００２５】本発明のターミナルランドフレームにおい
て、信号接続用リード部は、ダイパッドに搭載される半
導体チップと金属細線により接続される部分の表面に、
放熱部及びターミナルランド部のそれぞれの表面と異な
るメッキ加工が施されていることが好ましい。
て、信号接続用リード部は、ダイパッドに搭載される半
導体チップと金属細線により接続される部分の表面に、
放熱部及びターミナルランド部のそれぞれの表面と異な
るメッキ加工が施されていることが好ましい。
【００２６】このようにすると、例えば、信号接続用リ
ードにおける金属細線が接続される部分の表面に銀メッ
キを行なうと共に、放熱部及びターミナルランド部のそ
れぞれの表面（下面）に、実装基板とのはんだ接続に適
したメッキを行なうことにより、実装基板との接続信頼
性の高い高品質のパワー型の樹脂封止型半導体装置を実
現することができる。
ードにおける金属細線が接続される部分の表面に銀メッ
キを行なうと共に、放熱部及びターミナルランド部のそ
れぞれの表面（下面）に、実装基板とのはんだ接続に適
したメッキを行なうことにより、実装基板との接続信頼
性の高い高品質のパワー型の樹脂封止型半導体装置を実
現することができる。
【００２７】本発明に係るターミナルランドフレームの
製造方法は、フレーム枠を構成する金属板の下面に樹脂
フイルムを貼付する樹脂フイルム貼付工程と、樹脂フイ
ルム上において金属板を選択的に除去する加工を行なっ
て、樹脂フイルムを保持するフレーム枠、樹脂フイルム
上に保持されたダイパッド、及び樹脂フイルム上にダイ
パッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用
リードを形成する第１の金属板加工工程と、ダイパッド
に、第１の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方
に突出する放熱部を設けると共に、信号接続用リードの
それぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フイル
ムの下方に突出するターミナルランド部を設ける第２の
金属板加工工程とを備えている。
製造方法は、フレーム枠を構成する金属板の下面に樹脂
フイルムを貼付する樹脂フイルム貼付工程と、樹脂フイ
ルム上において金属板を選択的に除去する加工を行なっ
て、樹脂フイルムを保持するフレーム枠、樹脂フイルム
上に保持されたダイパッド、及び樹脂フイルム上にダイ
パッドを取り囲むように保持された複数個の信号接続用
リードを形成する第１の金属板加工工程と、ダイパッド
に、第１の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方
に突出する放熱部を設けると共に、信号接続用リードの
それぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フイル
ムの下方に突出するターミナルランド部を設ける第２の
金属板加工工程とを備えている。
【００２８】本発明のターミナルランドフレームの製造
方法によると、ダイパッドを樹脂フイルム上に保持され
るように形成していると共に該ダイパッドに、樹脂フイ
ルムの下方に突出する放熱部を設けているため、ダイパ
ッドに半導体チップを搭載して樹脂フイルムの上面にお
いて半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導体
チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導
体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半
導体装置を実現することができる。
方法によると、ダイパッドを樹脂フイルム上に保持され
るように形成していると共に該ダイパッドに、樹脂フイ
ルムの下方に突出する放熱部を設けているため、ダイパ
ッドに半導体チップを搭載して樹脂フイルムの上面にお
いて半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導体
チップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導
体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半
導体装置を実現することができる。
【００２９】また、本発明のターミナルランドフレーム
の製造方法によると、ダイパッド及びそれを取り囲む複
数個の信号接続用リードを、それぞれ樹脂フイルム上に
保持されるように形成していると共に各信号接続用リー
ドに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部
を設けているため、複数個のターミナルランド部を狭ピ
ッチでアレー状に配置することができる。このため、タ
ーミナルランドフレームに多数のターミナルランド部を
配置できるので、多端子化された樹脂封止型半導体装置
を実現することができる。
の製造方法によると、ダイパッド及びそれを取り囲む複
数個の信号接続用リードを、それぞれ樹脂フイルム上に
保持されるように形成していると共に各信号接続用リー
ドに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部
を設けているため、複数個のターミナルランド部を狭ピ
ッチでアレー状に配置することができる。このため、タ
ーミナルランドフレームに多数のターミナルランド部を
配置できるので、多端子化された樹脂封止型半導体装置
を実現することができる。
【００３０】また、本発明のターミナルランドフレーム
の製造方法によると、ダイパッドを、従来の吊りリード
に代えて樹脂フィルムにより保持されるように形成して
いるため、ダイパッドに該ダイパッドよりも大きな面積
を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパ
ッドの面積（第１の凹部の開口部の面積を含む）を該ダ
イパッドに搭載される半導体チップよりも小さくでき
る。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、
半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配
置できるので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実
現することができる。
の製造方法によると、ダイパッドを、従来の吊りリード
に代えて樹脂フィルムにより保持されるように形成して
いるため、ダイパッドに該ダイパッドよりも大きな面積
を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパ
ッドの面積（第１の凹部の開口部の面積を含む）を該ダ
イパッドに搭載される半導体チップよりも小さくでき
る。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、
半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に配
置できるので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実
現することができる。
【００３１】また、本発明のターミナルランドフレーム
の製造方法によると、フレーム枠を構成する金属板の下
面に樹脂フィルムを貼付した後、樹脂フィルム上におい
て金属板を選択的に除去して信号接続用リードを形成し
ているため、信号接続用リードを容易に微細加工するこ
とができると共に、隣接する信号接続用リード同士の間
隔つまり隣接するターミナルランド部同士の間隔を容易
に狭くすることができるので、ターミナルランドフレー
ムを小型化できると共に、ターミナルランド部つまり外
部電極端子の数を増大させることができる。
の製造方法によると、フレーム枠を構成する金属板の下
面に樹脂フィルムを貼付した後、樹脂フィルム上におい
て金属板を選択的に除去して信号接続用リードを形成し
ているため、信号接続用リードを容易に微細加工するこ
とができると共に、隣接する信号接続用リード同士の間
隔つまり隣接するターミナルランド部同士の間隔を容易
に狭くすることができるので、ターミナルランドフレー
ムを小型化できると共に、ターミナルランド部つまり外
部電極端子の数を増大させることができる。
【００３２】本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、樹
脂フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム
上にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信
号接続用リードと、ダイパッド上に保持された半導体チ
ップと、半導体チップと信号接続用リードとを接続する
金属細線と、樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイ
ルム、ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及
び金属細線を封止している樹脂パッケージとを備え、ダ
イパッドに、第１の凹部が形成されるように樹脂フイル
ムの下方に突出する放熱部が設けられ、信号接続用リー
ドのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フ
イルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられ
ている。
脂フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム
上にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信
号接続用リードと、ダイパッド上に保持された半導体チ
ップと、半導体チップと信号接続用リードとを接続する
金属細線と、樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイ
ルム、ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及
び金属細線を封止している樹脂パッケージとを備え、ダ
イパッドに、第１の凹部が形成されるように樹脂フイル
ムの下方に突出する放熱部が設けられ、信号接続用リー
ドのそれぞれに、第２の凹部が形成されるように樹脂フ
イルムの下方に突出するターミナルランド部が設けられ
ている。
【００３３】本発明の樹脂封止型半導体装置によると、
樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイル
ムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に樹脂
フイルムの上面においてダイパッドに搭載された半導体
チップ等が樹脂封止されているため、半導体チップが発
生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏
面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を
実現することができる。
樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、樹脂フイル
ムの下方に突出する放熱部が設けられていると共に樹脂
フイルムの上面においてダイパッドに搭載された半導体
チップ等が樹脂封止されているため、半導体チップが発
生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏
面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を
実現することができる。
【００３４】また、本発明の樹脂封止型半導体装置によ
ると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り囲む
複数個の信号接続用リードが保持されていると共に各信
号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミ
ナルランド部が設けられているため、樹脂フイルムつま
り樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルラ
ンド部を狭ピッチでアレー状に配置することができるの
で、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができ
る。
ると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り囲む
複数個の信号接続用リードが保持されていると共に各信
号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミ
ナルランド部が設けられているため、樹脂フイルムつま
り樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルラ
ンド部を狭ピッチでアレー状に配置することができるの
で、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができ
る。
【００３５】また、本発明の樹脂封止型半導体装置によ
ると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムにより
ダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダイパ
ッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持でき
る。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開口部
の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体チッ
プよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載
範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の裏面におけ
る半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に
配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化するこ
とができる。
ると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムにより
ダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダイパ
ッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持でき
る。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹部の開口部
の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される半導体チッ
プよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭載
範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の裏面におけ
る半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的に
配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化するこ
とができる。
【００３６】また、本発明の樹脂封止型半導体装置によ
ると、放熱部及びターミナルランド部が樹脂フィルムつ
まり樹脂封止型半導体装置の裏面から突出しているた
め、放熱部及びターミナルランド部と実装基板とを接合
して樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するとき
に、放熱部、及びターミナルランド部つまり外部電極端
子のそれぞれのスタンドオフを予め確保しておくことが
できる。このため、ターミナルランド部をそのまま外部
電極端子として用いることができると共に、例えば放熱
部及びターミナルランド部を形成するための金型加工の
深さ、又は樹脂フィルムの厚さ等を制御することによ
り、放熱部及びターミナルランド部のそれぞれのスタン
ドオフを容易に変更することができる。従って、樹脂封
止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放熱部と
実装基板との接続信頼性を向上させることができると共
に、半田ボールを付設することなく、ターミナルランド
部と実装基板の電極との接続信頼性を向上させることが
できるので、パワー型の樹脂封止型半導体装置の製造工
数及び製造コストを低減させることができる。
ると、放熱部及びターミナルランド部が樹脂フィルムつ
まり樹脂封止型半導体装置の裏面から突出しているた
め、放熱部及びターミナルランド部と実装基板とを接合
して樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するとき
に、放熱部、及びターミナルランド部つまり外部電極端
子のそれぞれのスタンドオフを予め確保しておくことが
できる。このため、ターミナルランド部をそのまま外部
電極端子として用いることができると共に、例えば放熱
部及びターミナルランド部を形成するための金型加工の
深さ、又は樹脂フィルムの厚さ等を制御することによ
り、放熱部及びターミナルランド部のそれぞれのスタン
ドオフを容易に変更することができる。従って、樹脂封
止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放熱部と
実装基板との接続信頼性を向上させることができると共
に、半田ボールを付設することなく、ターミナルランド
部と実装基板の電極との接続信頼性を向上させることが
できるので、パワー型の樹脂封止型半導体装置の製造工
数及び製造コストを低減させることができる。
【００３７】また、本発明の樹脂封止型半導体装置によ
ると、樹脂パッケージと樹脂フィルムとの密着性が良い
ため、樹脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事
態が防止されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が
向上する。
ると、樹脂パッケージと樹脂フィルムとの密着性が良い
ため、樹脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事
態が防止されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が
向上する。
【００３８】本発明の樹脂封止型半導体装置において、
放熱部及びターミナルランド部は、それぞれ樹脂フイル
ムの下方に突出する部分の突出量つまりスタンドオフ
が、３０〜１００μｍ程度であることが好ましい。
放熱部及びターミナルランド部は、それぞれ樹脂フイル
ムの下方に突出する部分の突出量つまりスタンドオフ
が、３０〜１００μｍ程度であることが好ましい。
【００３９】このようにすると、パワー型の樹脂封止型
半導体装置を実装基板に実装するときの接続強度が確実
に向上する。
半導体装置を実装基板に実装するときの接続強度が確実
に向上する。
【００４０】本発明の樹脂封止型半導体装置において、
信号接続用リードは、金属細線が接続される一の部分が
該一の部分以外の他の部分よりも細く形成されていると
共に各信号接続用リードの一の部分がダイパッドを取り
囲んで略一列に並ぶように配置されていることが好まし
い。
信号接続用リードは、金属細線が接続される一の部分が
該一の部分以外の他の部分よりも細く形成されていると
共に各信号接続用リードの一の部分がダイパッドを取り
囲んで略一列に並ぶように配置されていることが好まし
い。
【００４１】このようにすると、半導体チップの電極パ
ッドが多い場合にも、ワイヤーボンディング工程を簡単
に行なうことができる。
ッドが多い場合にも、ワイヤーボンディング工程を簡単
に行なうことができる。
【００４２】本発明の樹脂封止型半導体装置において、
第１の凹部及び第２の凹部には、樹脂パッケージを構成
する封止樹脂が充填されていることが好ましい。
第１の凹部及び第２の凹部には、樹脂パッケージを構成
する封止樹脂が充填されていることが好ましい。
【００４３】このようにすると、放熱部及びターミナル
ランド部のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パ
ッケージとダイパッド及び信号接続用リードとの密着性
が向上する。
ランド部のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パ
ッケージとダイパッド及び信号接続用リードとの密着性
が向上する。
【００４４】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、フレーム枠と、フレーム枠に該フレーム枠の内
側の領域を覆うように保持された樹脂フイルムと、樹脂
フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム上
にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号
接続用リードとを備え、ダイパッドに、第１の凹部が形
成されるように樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が
設けられていると共に信号接続用リードのそれぞれに、
第２の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突
出するターミナルランド部が設けられているターミナル
ランドフレームを準備する第１の工程と、ダイパッド上
に半導体チップを保持する第２の工程と、半導体チップ
と信号接続用リードとを金属細線により接続する第３の
工程と、樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイル
ム、ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び
金属細線を樹脂パッケージにより封止する第４の工程
と、ターミナルランドフレームを切断する第５の工程と
を備えている。
方法は、フレーム枠と、フレーム枠に該フレーム枠の内
側の領域を覆うように保持された樹脂フイルムと、樹脂
フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム上
にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号
接続用リードとを備え、ダイパッドに、第１の凹部が形
成されるように樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が
設けられていると共に信号接続用リードのそれぞれに、
第２の凹部が形成されるように樹脂フイルムの下方に突
出するターミナルランド部が設けられているターミナル
ランドフレームを準備する第１の工程と、ダイパッド上
に半導体チップを保持する第２の工程と、半導体チップ
と信号接続用リードとを金属細線により接続する第３の
工程と、樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイル
ム、ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び
金属細線を樹脂パッケージにより封止する第４の工程
と、ターミナルランドフレームを切断する第５の工程と
を備えている。
【００４５】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
によると、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、
樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられている
と共に樹脂フイルムの上面においてダイパッドに搭載さ
れた半導体チップ等を樹脂封止しているため、半導体チ
ップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体
装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導
体装置を実現することができる。
によると、樹脂フイルム上に保持されたダイパッドに、
樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられている
と共に樹脂フイルムの上面においてダイパッドに搭載さ
れた半導体チップ等を樹脂封止しているため、半導体チ
ップが発生する熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体
装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半導
体装置を実現することができる。
【００４６】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれ
を取り囲む複数個の信号接続用リードが保持されている
と共に各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出
するターミナルランド部が設けられているため、樹脂フ
イルムつまり樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のタ
ーミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置すること
ができるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化するこ
とができる。
造方法によると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれ
を取り囲む複数個の信号接続用リードが保持されている
と共に各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出
するターミナルランド部が設けられているため、樹脂フ
イルムつまり樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のタ
ーミナルランド部を狭ピッチでアレー状に配置すること
ができるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化するこ
とができる。
【００４７】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィ
ルムによりダイパッドを保持しているため、ダイパッド
に該ダイパッドよりも大きな面積を有する半導体チップ
を保持できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹
部の開口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される
半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チ
ップの搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の
裏面における半導体チップの下方にターミナルランド部
を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小
型化することができる。また、従来の吊りリードを用い
る必要がないため、樹脂封止工程における樹脂の成形性
が向上して、ボイドの発生、或いは、半導体チップのサ
イズが大きい場合における封止樹脂の未充填部分の発生
を抑制できるので、樹脂封止型半導体装置の歩留まりが
向上する。また、樹脂封止型半導体装置における従来の
吊りリードに用いられていたスペースを信号接続用リー
ドの配置に利用できるので、樹脂封止型半導体装置に用
いられるターミナルランドフレームの設計品質を向上さ
せることができる。さらに、従来の吊りリードを用いる
必要がなくなることによって、ダイパッドに搭載される
半導体チップのサイズに対する制限、或いは、半導体チ
ップと信号接続用リードとを接続する金属細線に対する
制限が緩和されるため、樹脂封止型半導体装置の製造が
容易になって生産性が向上する。
造方法によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィ
ルムによりダイパッドを保持しているため、ダイパッド
に該ダイパッドよりも大きな面積を有する半導体チップ
を保持できる。すなわち、ダイパッドの面積（第１の凹
部の開口部の面積を含む）を該ダイパッドに搭載される
半導体チップよりも小さくできる。このため、半導体チ
ップの搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体装置の
裏面における半導体チップの下方にターミナルランド部
を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小
型化することができる。また、従来の吊りリードを用い
る必要がないため、樹脂封止工程における樹脂の成形性
が向上して、ボイドの発生、或いは、半導体チップのサ
イズが大きい場合における封止樹脂の未充填部分の発生
を抑制できるので、樹脂封止型半導体装置の歩留まりが
向上する。また、樹脂封止型半導体装置における従来の
吊りリードに用いられていたスペースを信号接続用リー
ドの配置に利用できるので、樹脂封止型半導体装置に用
いられるターミナルランドフレームの設計品質を向上さ
せることができる。さらに、従来の吊りリードを用いる
必要がなくなることによって、ダイパッドに搭載される
半導体チップのサイズに対する制限、或いは、半導体チ
ップと信号接続用リードとを接続する金属細線に対する
制限が緩和されるため、樹脂封止型半導体装置の製造が
容易になって生産性が向上する。
【００４８】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によると、ターミナルランドフレームのフレーム
枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイル
ムが保持されていると共に樹脂フイルム上にダイパッド
が保持されているため、ダイパッドに半導体チップを搭
載して該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠
等の金属部分を切断することなく樹脂フィルムを切断す
ることにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成する
ことができる。また、樹脂フイルム上に保持されたダイ
パッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設け
られていると共に、樹脂フイルム上に保持された信号接
続用リードに、樹脂フイルムの下方に突出するターミナ
ルランド部が設けられているので、樹脂フイルムの上面
においてダイパッドに搭載された半導体チップ等を樹脂
パッケージにより封止するだけで、それぞれ所定のスタ
ンドオフを有する放熱部、及びターミナルランド部つま
り下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置
を形成することができる。従って、パワー型の樹脂封止
型半導体装置の生産性が向上する。
造方法によると、ターミナルランドフレームのフレーム
枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイル
ムが保持されていると共に樹脂フイルム上にダイパッド
が保持されているため、ダイパッドに半導体チップを搭
載して該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠
等の金属部分を切断することなく樹脂フィルムを切断す
ることにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成する
ことができる。また、樹脂フイルム上に保持されたダイ
パッドに、樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設け
られていると共に、樹脂フイルム上に保持された信号接
続用リードに、樹脂フイルムの下方に突出するターミナ
ルランド部が設けられているので、樹脂フイルムの上面
においてダイパッドに搭載された半導体チップ等を樹脂
パッケージにより封止するだけで、それぞれ所定のスタ
ンドオフを有する放熱部、及びターミナルランド部つま
り下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置
を形成することができる。従って、パワー型の樹脂封止
型半導体装置の生産性が向上する。
【００４９】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によると、ターミナルランドフレームのフレーム
枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイル
ムが保持されていると共に、樹脂フイルムの上面側にお
いて半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止してい
る。このため、樹脂フイルムの下面側に封止樹脂が回り
込む事態が阻止される結果、放熱部の表面、及びターミ
ナルランド部つまり外部電極端子の表面に樹脂バリが形
成されることがないので、ばりとり工程が不要になって
パワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
造方法によると、ターミナルランドフレームのフレーム
枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイル
ムが保持されていると共に、樹脂フイルムの上面側にお
いて半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止してい
る。このため、樹脂フイルムの下面側に封止樹脂が回り
込む事態が阻止される結果、放熱部の表面、及びターミ
ナルランド部つまり外部電極端子の表面に樹脂バリが形
成されることがないので、ばりとり工程が不要になって
パワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００５０】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
において、第４の工程は、封止金型内においてターミナ
ルランドフレームの下面と封止金型との間に封止フィル
ムを介在させながら、封止金型内に樹脂パッケージとな
る封止樹脂を流し込む工程を含むことが好ましい。
において、第４の工程は、封止金型内においてターミナ
ルランドフレームの下面と封止金型との間に封止フィル
ムを介在させながら、封止金型内に樹脂パッケージとな
る封止樹脂を流し込む工程を含むことが好ましい。
【００５１】このようにすると、樹脂フイルムの下面側
に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止できる。また、
封止金型の熱によって封止フィルムが軟化すると共に熱
収縮するので、封止樹脂の圧力及び封止金型の締め付け
圧力により放熱部及びターミナルランド部が封止フィル
ムに食い込んで、信号接続用リードの下側の空隙が封止
フィルムにより埋められる。従って、信号接続用リード
（ターミナルランド部を除く）の下面に直接樹脂圧力が
加わる事態が回避されるので、ターミナルランドフレー
ムの変形が防止される。さらに、放熱部及びターミナル
ランド部における樹脂フィルムの下方に突出する構造が
保持されるので、放熱部、及びターミナルランド部つま
り外部電極端子のそれぞれのスタンドオフを確保するこ
とができる。
に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止できる。また、
封止金型の熱によって封止フィルムが軟化すると共に熱
収縮するので、封止樹脂の圧力及び封止金型の締め付け
圧力により放熱部及びターミナルランド部が封止フィル
ムに食い込んで、信号接続用リードの下側の空隙が封止
フィルムにより埋められる。従って、信号接続用リード
（ターミナルランド部を除く）の下面に直接樹脂圧力が
加わる事態が回避されるので、ターミナルランドフレー
ムの変形が防止される。さらに、放熱部及びターミナル
ランド部における樹脂フィルムの下方に突出する構造が
保持されるので、放熱部、及びターミナルランド部つま
り外部電極端子のそれぞれのスタンドオフを確保するこ
とができる。
【００５２】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
において、ターミナルランドフレームは複数個のダイパ
ッドを備え、第２の工程は、複数個の半導体チップを複
数個のダイパッドのそれぞれの上に保持する工程を含
み、第４の工程は、複数個のダイパッド及び複数個の半
導体チップを樹脂パッケージにより一括して封止する工
程を含むことが好ましい。
において、ターミナルランドフレームは複数個のダイパ
ッドを備え、第２の工程は、複数個の半導体チップを複
数個のダイパッドのそれぞれの上に保持する工程を含
み、第４の工程は、複数個のダイパッド及び複数個の半
導体チップを樹脂パッケージにより一括して封止する工
程を含むことが好ましい。
【００５３】このようにすると、樹脂封止型半導体装置
の生産性が向上する。また、ダイパッドに設けられた放
熱部の下面を、フレーム枠の下面と略同一の平面に位置
させている場合には、封止金型の表面におけるダイパッ
ドの下側に凸部を設ける必要がなくなって封止金型の共
用化が可能となる。従って、大型キャビテーを使用する
ことにより複数個のダイパッド及び複数個の半導体チッ
プを樹脂パッケージにより一括して容易に封止すること
ができる。
の生産性が向上する。また、ダイパッドに設けられた放
熱部の下面を、フレーム枠の下面と略同一の平面に位置
させている場合には、封止金型の表面におけるダイパッ
ドの下側に凸部を設ける必要がなくなって封止金型の共
用化が可能となる。従って、大型キャビテーを使用する
ことにより複数個のダイパッド及び複数個の半導体チッ
プを樹脂パッケージにより一括して容易に封止すること
ができる。
【００５４】また、この場合、第５の工程は、回転刃を
用いてフレーム枠を切断することなく樹脂フイルム及び
樹脂パッケージを切断する工程を含むことが好ましい。
用いてフレーム枠を切断することなく樹脂フイルム及び
樹脂パッケージを切断する工程を含むことが好ましい。
【００５５】このようにすると、ターミナルランドフレ
ームの切断が容易になるので、樹脂封止型半導体装置の
生産性が向上する。
ームの切断が容易になるので、樹脂封止型半導体装置の
生産性が向上する。
【００５６】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係るターミナルランドフレームにつ
いて、図面を参照しながら説明する。尚、第１の実施形
態に係るターミナルランドフレームにおいては、複数個
のパターン（ダイパッドとそれを取り囲む複数個の信号
接続用リードとの組み合わせ）が２次元的に配置されて
いるものとする。
の第１の実施形態に係るターミナルランドフレームにつ
いて、図面を参照しながら説明する。尚、第１の実施形
態に係るターミナルランドフレームにおいては、複数個
のパターン（ダイパッドとそれを取り囲む複数個の信号
接続用リードとの組み合わせ）が２次元的に配置されて
いるものとする。
【００５７】図１は第１の実施形態に係るターミナルラ
ンドフレームを裏面から見た平面図であり、図２は第１
の実施形態に係るターミナルランドフレームの一部を正
面から見た平面図（拡大図）であり、図３（ａ）は図１
におけるＩ−Ｉ線の断面図であり、図３（ｂ）は第１の
実施形態に係るターミナルランドフレームにおけるダイ
パッドの断面図である。尚、図２において、第１の実施
形態に係るターミナルランドフレームを用いて樹脂封止
型半導体装置（複数個）が製造されたときの一の樹脂封
止型半導体装置の外形位置を一点鎖線で示している。
ンドフレームを裏面から見た平面図であり、図２は第１
の実施形態に係るターミナルランドフレームの一部を正
面から見た平面図（拡大図）であり、図３（ａ）は図１
におけるＩ−Ｉ線の断面図であり、図３（ｂ）は第１の
実施形態に係るターミナルランドフレームにおけるダイ
パッドの断面図である。尚、図２において、第１の実施
形態に係るターミナルランドフレームを用いて樹脂封止
型半導体装置（複数個）が製造されたときの一の樹脂封
止型半導体装置の外形位置を一点鎖線で示している。
【００５８】図１〜図３に示すように、ターミナルラン
ドフレーム１のフレーム枠２には、該フレーム枠２の内
側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
る。具体的には、フレーム枠２の下面に、樹脂フイルム
３の周縁部及びフレーム枠２の補強材２ａが順次接着さ
れている。すなわち、補強材２ａの下面は樹脂フイルム
３の下面よりも下側に位置している。尚、補強材２ａの
厚さは、ターミナルランドフレーム１が従来のリードフ
レームと同等の厚さを有するように調節される。
ドフレーム１のフレーム枠２には、該フレーム枠２の内
側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
る。具体的には、フレーム枠２の下面に、樹脂フイルム
３の周縁部及びフレーム枠２の補強材２ａが順次接着さ
れている。すなわち、補強材２ａの下面は樹脂フイルム
３の下面よりも下側に位置している。尚、補強材２ａの
厚さは、ターミナルランドフレーム１が従来のリードフ
レームと同等の厚さを有するように調節される。
【００５９】また、樹脂フィルム３上には、半導体チッ
プ搭載用の複数個のダイパッド４と、各ダイパッド４を
取り囲むように配置された複数個の信号接続用リード５
とが保持されている。尚、信号接続用リード５は、金属
細線（信号接続用リード５と、ダイパッド４に搭載され
る半導体チップとを電気的に接続する）が接続される金
属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部
分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リード
５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一
列に並ぶように配置されている。
プ搭載用の複数個のダイパッド４と、各ダイパッド４を
取り囲むように配置された複数個の信号接続用リード５
とが保持されている。尚、信号接続用リード５は、金属
細線（信号接続用リード５と、ダイパッド４に搭載され
る半導体チップとを電気的に接続する）が接続される金
属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外の他の部
分よりも細く形成されていると共に各信号接続用リード
５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲んで一
列に並ぶように配置されている。
【００６０】さらに、ダイパッド４には、第１の凹部４
ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出する
放熱部４ａが設けられていると共に、各信号接続用リー
ド５には、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フィ
ルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けら
れている。すなわち、ダイパッド４における放熱部４ａ
を除く部分の下面、及び各信号接続用リード５における
ターミナルランド部６を除く部分（金属細線接続部５ａ
等）の下面には、樹脂フィルム３が接着されている。放
熱部４ａは実装基板に接続され、ダイパッド４に搭載さ
れる半導体チップが発生する熱を外部に伝達し、また、
各ターミナルランド部６は実装基板に接続され、電気信
号を外部に伝達する外部電極端子として働く。尚、放熱
部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４
ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード
５に形成された第２の凹部５ｂには、樹脂封止工程にお
いて樹脂パッケージとなる封止樹脂が充填される。ま
た、放熱部４ａの下面及びターミナルランド部６の下面
と、フレーム枠２の補強材２ａの下面とは同じ平面に位
置している。
ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出する
放熱部４ａが設けられていると共に、各信号接続用リー
ド５には、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フィ
ルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けら
れている。すなわち、ダイパッド４における放熱部４ａ
を除く部分の下面、及び各信号接続用リード５における
ターミナルランド部６を除く部分（金属細線接続部５ａ
等）の下面には、樹脂フィルム３が接着されている。放
熱部４ａは実装基板に接続され、ダイパッド４に搭載さ
れる半導体チップが発生する熱を外部に伝達し、また、
各ターミナルランド部６は実装基板に接続され、電気信
号を外部に伝達する外部電極端子として働く。尚、放熱
部４ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４
ｂ、及びターミナルランド部６を含む信号接続用リード
５に形成された第２の凹部５ｂには、樹脂封止工程にお
いて樹脂パッケージとなる封止樹脂が充填される。ま
た、放熱部４ａの下面及びターミナルランド部６の下面
と、フレーム枠２の補強材２ａの下面とは同じ平面に位
置している。
【００６１】具体的には、放熱部４ａ及び各ターミナル
ランド部６の断面形状とそれぞれ略同一の形状を有する
複数個の開口部が設けられた樹脂フィルム３が、該開口
部と放熱部４ａ及びターミナルランド部６とを位置合わ
せしてフレーム枠２、ダイパッド４（放熱部４ａを除
く）及び信号接続用リード５（ターミナルランド部６を
除く）のそれぞれの下面に接着されている。尚、各ター
ミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけるダイパッ
ド４が保持されている領域以外の他の領域の下にアレー
状に配置されている。言い換えると、各信号接続用リー
ド５におけるターミナルランド部６が接続されている部
分は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持され
ている領域以外の他の領域の上にアレー状に配置されて
いる。
ランド部６の断面形状とそれぞれ略同一の形状を有する
複数個の開口部が設けられた樹脂フィルム３が、該開口
部と放熱部４ａ及びターミナルランド部６とを位置合わ
せしてフレーム枠２、ダイパッド４（放熱部４ａを除
く）及び信号接続用リード５（ターミナルランド部６を
除く）のそれぞれの下面に接着されている。尚、各ター
ミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけるダイパッ
ド４が保持されている領域以外の他の領域の下にアレー
状に配置されている。言い換えると、各信号接続用リー
ド５におけるターミナルランド部６が接続されている部
分は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保持され
ている領域以外の他の領域の上にアレー状に配置されて
いる。
【００６２】ところで、図示は省略しているが、少なく
とも放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルラ
ンド部６のそれぞれの表面における所定の領域には、金
又はパラジュウム等の金属メッキが施されている。これ
により、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部４
ａ、及びターミナルランド部６つまり外部電極端子を、
半田ボールを用いることなく実装基板に接続することが
できるので、実装基板との接続信頼性が高い小型で安価
な樹脂封止型半導体装置を実現することができる。この
とき、信号接続用リード５の表面（金属細線接続部５
ａ）には、例えば銀メッキを行なうと共に、放熱部４ａ
及びターミナルランド部６のそれぞれの表面（下面）に
は、実装基板とのはんだ接続に適したメッキを行なうこ
とにより、言い換えると、信号接続用リード５の表面
と、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの
表面とに互いに異なるメッキ加工を行なうことにより、
高品質の樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。
とも放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルラ
ンド部６のそれぞれの表面における所定の領域には、金
又はパラジュウム等の金属メッキが施されている。これ
により、それぞれ所定のスタンドオフを有する放熱部４
ａ、及びターミナルランド部６つまり外部電極端子を、
半田ボールを用いることなく実装基板に接続することが
できるので、実装基板との接続信頼性が高い小型で安価
な樹脂封止型半導体装置を実現することができる。この
とき、信号接続用リード５の表面（金属細線接続部５
ａ）には、例えば銀メッキを行なうと共に、放熱部４ａ
及びターミナルランド部６のそれぞれの表面（下面）に
は、実装基板とのはんだ接続に適したメッキを行なうこ
とにより、言い換えると、信号接続用リード５の表面
と、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの
表面とに互いに異なるメッキ加工を行なうことにより、
高品質の樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。
【００６３】第１の実施形態によると、樹脂フイルム３
上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方
に突出する放熱部４ａが設けられているため、ダイパッ
ド４に半導体チップを搭載して樹脂フイルム３の上面に
おいて半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導
体チップが発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止
型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封
止型半導体装置を実現することができる。
上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方
に突出する放熱部４ａが設けられているため、ダイパッ
ド４に半導体チップを搭載して樹脂フイルム３の上面に
おいて半導体チップ等を樹脂封止することにより、半導
体チップが発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止
型半導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封
止型半導体装置を実現することができる。
【００６４】また、第１の実施形態によると、樹脂フイ
ルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信
号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用
リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナル
ランド部６が設けられているため、複数個のターミナル
ランド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができ
る。このため、ターミナルランドフレーム１に多数のタ
ーミナルランド部６を配置できるので、多端子化された
樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
ルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信
号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用
リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナル
ランド部６が設けられているため、複数個のターミナル
ランド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができ
る。このため、ターミナルランドフレーム１に多数のタ
ーミナルランド部６を配置できるので、多端子化された
樹脂封止型半導体装置を実現することができる。
【００６５】また、第１の実施形態によると、従来の吊
りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４
を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よ
りも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。す
なわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの開口部
の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半導体チ
ップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭
載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナル
ランド部６を実質的に配置できるので、小型化された樹
脂封止型半導体装置を実現することができる。具体的に
は、例えば、半導体チップをダイパッド４上に保持する
ための接着剤の厚さを調節することにより、ダイパッド
４よりも面積が大きい半導体チップを信号接続用リード
５の上方に位置させることが可能となるため、ターミナ
ルランド部６が半導体チップの下方に配置されて、小型
化された樹脂封止型半導体装置を確実に実現することが
できる。
りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４
を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よ
りも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。す
なわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの開口部
の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半導体チ
ップよりも小さくできる。このため、半導体チップの搭
載範囲を拡大させて、半導体チップの下方にターミナル
ランド部６を実質的に配置できるので、小型化された樹
脂封止型半導体装置を実現することができる。具体的に
は、例えば、半導体チップをダイパッド４上に保持する
ための接着剤の厚さを調節することにより、ダイパッド
４よりも面積が大きい半導体チップを信号接続用リード
５の上方に位置させることが可能となるため、ターミナ
ルランド部６が半導体チップの下方に配置されて、小型
化された樹脂封止型半導体装置を確実に実現することが
できる。
【００６６】また、第１の実施形態によると、ターミナ
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
ると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４が保持されて
いるため、ダイパッド４に半導体チップを搭載して該半
導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠２等の金属
部分を切断することなく樹脂フィルム３を切断すること
により、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することが
できる。また、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッ
ド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが
設けられていると共に、樹脂フイルム３上に保持された
信号接続用リード５に、樹脂フイルム３の下方に突出す
るターミナルランド部６が設けられているので、樹脂フ
イルム３の上面において半導体チップ等を樹脂パッケー
ジにより封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフ
を有する放熱部４ａ、及びターミナルランド部６つまり
下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を
実現することができる。従って、第１の実施形態に係る
ターミナルランドフレームを用いることにより、パワー
型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
ると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４が保持されて
いるため、ダイパッド４に半導体チップを搭載して該半
導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠２等の金属
部分を切断することなく樹脂フィルム３を切断すること
により、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することが
できる。また、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッ
ド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが
設けられていると共に、樹脂フイルム３上に保持された
信号接続用リード５に、樹脂フイルム３の下方に突出す
るターミナルランド部６が設けられているので、樹脂フ
イルム３の上面において半導体チップ等を樹脂パッケー
ジにより封止するだけで、それぞれ所定のスタンドオフ
を有する放熱部４ａ、及びターミナルランド部６つまり
下部電極端子が裏面に露出した樹脂封止型半導体装置を
実現することができる。従って、第１の実施形態に係る
ターミナルランドフレームを用いることにより、パワー
型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００６７】また、第１の実施形態によると、ターミナ
ルランドフレーム１の厚さが従来のリードフレームと同
等になるように、フレーム枠２に補強材２ａを接着して
いるため、半導体装置の製造工程においてジグ等を用い
ることなくターミナルランドフレーム１を搬送できるの
で、半導体装置の製造工程がＱＦＰ等の場合と同様に簡
単になる。
ルランドフレーム１の厚さが従来のリードフレームと同
等になるように、フレーム枠２に補強材２ａを接着して
いるため、半導体装置の製造工程においてジグ等を用い
ることなくターミナルランドフレーム１を搬送できるの
で、半導体装置の製造工程がＱＦＰ等の場合と同様に簡
単になる。
【００６８】また、第１の実施形態によると、信号接続
用リード５が樹脂フィルム３上に保持されているため、
例えば、フレーム枠２を構成する金属板の下面に樹脂フ
イルム３を貼付した後、該金属板を樹脂フイルム３上で
選択的に除去して、信号接続用リード５を形成すること
ができる。このため、信号接続用リード５を容易に微細
加工することができると共に、隣接する信号接続用リー
ド５同士の間隔つまり隣接するターミナルランド部６同
士の間隔を容易に狭くすることができるので、ターミナ
ルランドフレーム１を小型化できると共に、ターミナル
ランド部６つまり外部電極端子の数を増大させることが
できる。
用リード５が樹脂フィルム３上に保持されているため、
例えば、フレーム枠２を構成する金属板の下面に樹脂フ
イルム３を貼付した後、該金属板を樹脂フイルム３上で
選択的に除去して、信号接続用リード５を形成すること
ができる。このため、信号接続用リード５を容易に微細
加工することができると共に、隣接する信号接続用リー
ド５同士の間隔つまり隣接するターミナルランド部６同
士の間隔を容易に狭くすることができるので、ターミナ
ルランドフレーム１を小型化できると共に、ターミナル
ランド部６つまり外部電極端子の数を増大させることが
できる。
【００６９】また、第１の実施形態によると、ターミナ
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うよう樹脂フイルム３が保持されている
と共に樹脂フイルム３上にダイパッド４及び信号接続用
リード５が保持されているため、ダイパッド４に半導体
チップを搭載した後、樹脂フイルム３の上面側において
半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止することに
より、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む事
態を阻止することができる。このため、放熱部４ａの表
面及びターミナルランド部６の表面に、樹脂バリ（樹脂
封止の際に発生する残余樹脂であり、樹脂パッケージの
成形上不必要な部分）が形成されることを防止できるの
で、ばりとり工程が不要になる。すなわち、第１の実施
形態に係るターミナルランドフレームつまりターミナル
ランドフレーム１は、樹脂封止の際に封止樹脂の流出を
止めるタイバーが設けられていないターミナルランドフ
レームである。尚、放熱部４ａを含むダイパッド４に形
成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を
含む信号接続用リード５に形成された第２の凹部５ｂに
は、樹脂封止工程において樹脂パッケージとなる封止樹
脂が充填されるため、放熱部４ａ及びターミナルランド
部６のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パッケ
ージとターミナルランドフレーム１との密着性が向上す
る。また、樹脂封止工程において用いられる封止金型の
片方が封止樹脂と接することがないため、離型のための
押し出しピン、又は樹脂の金型変形を防止する焼き入れ
に用いられる金型等の構造を単純化することができる。
さらに、樹脂封止後は、樹脂パッケージ（の下面）と樹
脂フィルム３（の上面）との密着性が良いため、樹脂封
止型半導体装置の内部に水分が進入する事態が防止され
るので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上する。
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うよう樹脂フイルム３が保持されている
と共に樹脂フイルム３上にダイパッド４及び信号接続用
リード５が保持されているため、ダイパッド４に半導体
チップを搭載した後、樹脂フイルム３の上面側において
半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止することに
より、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む事
態を阻止することができる。このため、放熱部４ａの表
面及びターミナルランド部６の表面に、樹脂バリ（樹脂
封止の際に発生する残余樹脂であり、樹脂パッケージの
成形上不必要な部分）が形成されることを防止できるの
で、ばりとり工程が不要になる。すなわち、第１の実施
形態に係るターミナルランドフレームつまりターミナル
ランドフレーム１は、樹脂封止の際に封止樹脂の流出を
止めるタイバーが設けられていないターミナルランドフ
レームである。尚、放熱部４ａを含むダイパッド４に形
成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を
含む信号接続用リード５に形成された第２の凹部５ｂに
は、樹脂封止工程において樹脂パッケージとなる封止樹
脂が充填されるため、放熱部４ａ及びターミナルランド
部６のそれぞれの強度が確保されると共に、樹脂パッケ
ージとターミナルランドフレーム１との密着性が向上す
る。また、樹脂封止工程において用いられる封止金型の
片方が封止樹脂と接することがないため、離型のための
押し出しピン、又は樹脂の金型変形を防止する焼き入れ
に用いられる金型等の構造を単純化することができる。
さらに、樹脂封止後は、樹脂パッケージ（の下面）と樹
脂フィルム３（の上面）との密着性が良いため、樹脂封
止型半導体装置の内部に水分が進入する事態が防止され
るので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上する。
【００７０】また、第１の実施形態によると、放熱部４
ａ及びターミナルランド部６が樹脂フィルム３の下方に
突出しているため、例えば樹脂フィルム３の厚さを調節
することにより放熱部４ａ及びターミナルランド部６の
それぞれのスタンドオフを高くすることができるので、
言い換えると、放熱部４ａ及びターミナルランド部６の
それぞれのスタンドオフを容易に確保することができる
ので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を基板実装する
時の接続強度が向上する。
ａ及びターミナルランド部６が樹脂フィルム３の下方に
突出しているため、例えば樹脂フィルム３の厚さを調節
することにより放熱部４ａ及びターミナルランド部６の
それぞれのスタンドオフを高くすることができるので、
言い換えると、放熱部４ａ及びターミナルランド部６の
それぞれのスタンドオフを容易に確保することができる
ので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を基板実装する
時の接続強度が向上する。
【００７１】また、第１の実施形態によると、フレーム
枠２には補強材２ａが、その下面が樹脂フイルム３の下
面よりも下側に位置するように接着されていると共に、
放熱部４ａの下面及びターミナルランド部６の下面が補
強材２ａの下面と同じ平面に位置しているため、ターミ
ナルランドフレーム１を用いて樹脂封止型半導体装置を
製造する各工程において、ターミナルランドフレーム１
に加わる圧力が分散して各工程を安定的に行なえるの
で、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。具体的
には、例えば、樹脂封止工程を行なう場合、ターミナル
ランドフレーム１に加わる封止樹脂の圧力が分散するの
で、樹脂封止工程を安定的に行なうことができる。
枠２には補強材２ａが、その下面が樹脂フイルム３の下
面よりも下側に位置するように接着されていると共に、
放熱部４ａの下面及びターミナルランド部６の下面が補
強材２ａの下面と同じ平面に位置しているため、ターミ
ナルランドフレーム１を用いて樹脂封止型半導体装置を
製造する各工程において、ターミナルランドフレーム１
に加わる圧力が分散して各工程を安定的に行なえるの
で、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。具体的
には、例えば、樹脂封止工程を行なう場合、ターミナル
ランドフレーム１に加わる封止樹脂の圧力が分散するの
で、樹脂封止工程を安定的に行なうことができる。
【００７２】尚、第１の実施形態において、ターミナル
ランド部６の断面形状としては、丸形に限られず、矩形
等の多角形を用いてもよい。また、ターミナルランド部
６の下面の形状としては、平面形状に限られず、半球等
の形状を用いてもよい。ターミナルランド部６の下面の
形状を半球状にすると、基板実装する時の半田接続の信
頼性が向上するので、大型の半導体装置を基板実装する
場合、つまり基板実装時にターミナルランド部６に加わ
る応力が高くなる場合、特に有効である。
ランド部６の断面形状としては、丸形に限られず、矩形
等の多角形を用いてもよい。また、ターミナルランド部
６の下面の形状としては、平面形状に限られず、半球等
の形状を用いてもよい。ターミナルランド部６の下面の
形状を半球状にすると、基板実装する時の半田接続の信
頼性が向上するので、大型の半導体装置を基板実装する
場合、つまり基板実装時にターミナルランド部６に加わ
る応力が高くなる場合、特に有効である。
【００７３】また、第１の実施形態において、樹脂フィ
ルム３としては、樹脂封止時における高温環境に耐性が
ある材料、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
イミド又はポリカーボネート等を主成分とする樹脂をベ
ースとし、片面に接着剤を有するテープ等を用いること
が好ましい。
ルム３としては、樹脂封止時における高温環境に耐性が
ある材料、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
イミド又はポリカーボネート等を主成分とする樹脂をベ
ースとし、片面に接着剤を有するテープ等を用いること
が好ましい。
【００７４】また、第１の実施形態において、ターミナ
ルランドフレーム１には複数個のパターンが２次元的
に、具体的には、上下左右に連続して配置されていた
が、これに限られず、ターミナルランドフレーム１に配
置されるパターンの数や配置方法を適宜選択することが
できる。
ルランドフレーム１には複数個のパターンが２次元的
に、具体的には、上下左右に連続して配置されていた
が、これに限られず、ターミナルランドフレーム１に配
置されるパターンの数や配置方法を適宜選択することが
できる。
【００７５】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法に
ついて、図面を参照しながら説明する。尚、第２の実施
形態においては、図１〜図３に示す第１の実施形態に係
るターミナルランドフレームと同一の部材には同一の符
号を付す。
実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法に
ついて、図面を参照しながら説明する。尚、第２の実施
形態においては、図１〜図３に示す第１の実施形態に係
るターミナルランドフレームと同一の部材には同一の符
号を付す。
【００７６】図４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ａ）〜
（ｃ）は、第２の実施形態に係るターミナルランドフレ
ームの製造方法の各工程を示す断面図である。但し、図
４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ａ）〜（ｃ）において、縦
方向を拡大して表している。
（ｃ）は、第２の実施形態に係るターミナルランドフレ
ームの製造方法の各工程を示す断面図である。但し、図
４（ａ）〜（ｄ）及び図５（ａ）〜（ｃ）において、縦
方向を拡大して表している。
【００７７】まず、図４（ａ）に示す第１の工程におい
て、ターミナルランドフレームのフレーム枠を構成す
る、例えば銅材等の金属板７の下面に樹脂フィルム３
を、該樹脂フィルム３に貼付された接着剤を用いて高温
下で接続する。このとき、樹脂フィルム３における放熱
部形成領域及びターミナルランド部形成領域には、それ
ぞれ第１の開口部３ａ及び第２の開口部３ｂが設けられ
ている。
て、ターミナルランドフレームのフレーム枠を構成す
る、例えば銅材等の金属板７の下面に樹脂フィルム３
を、該樹脂フィルム３に貼付された接着剤を用いて高温
下で接続する。このとき、樹脂フィルム３における放熱
部形成領域及びターミナルランド部形成領域には、それ
ぞれ第１の開口部３ａ及び第２の開口部３ｂが設けられ
ている。
【００７８】尚、樹脂フィルム３としては、例えば、基
材がポリイミドであり、且つ貼付される接着剤がエポキ
シ系の接着剤である樹脂フイルム等を用いることができ
る。
材がポリイミドであり、且つ貼付される接着剤がエポキ
シ系の接着剤である樹脂フイルム等を用いることができ
る。
【００７９】次に、図４（ｂ）に示す第２の工程におい
て、金属板７の表面、具体的には、金属板７の上面、並
びに金属板７の下面における樹脂フィルム３の第１の開
口部３ａ及び第２の開口部３ｂに露出している部分にレ
ジスト膜８を形成する。
て、金属板７の表面、具体的には、金属板７の上面、並
びに金属板７の下面における樹脂フィルム３の第１の開
口部３ａ及び第２の開口部３ｂに露出している部分にレ
ジスト膜８を形成する。
【００８０】次に、図４（ｃ）に示す第３の工程におい
て、レジスト膜８の所定の領域を除去して、金属板７の
上面におけるフレーム枠形成領域、ダイパッド形成領域
及び信号接続用リード形成領域、並びに金属板７の下面
における樹脂フィルム３の第１の開口部３ａ及び第２の
開口部３ｂに露出している部分を覆うレジストパターン
８Ａを形成する。
て、レジスト膜８の所定の領域を除去して、金属板７の
上面におけるフレーム枠形成領域、ダイパッド形成領域
及び信号接続用リード形成領域、並びに金属板７の下面
における樹脂フィルム３の第１の開口部３ａ及び第２の
開口部３ｂに露出している部分を覆うレジストパターン
８Ａを形成する。
【００８１】次に、図４（ｄ）に示す第４の工程におい
て、レジストパターン８Ａをマスクとして金属板７に対
してエッチングを行なって、樹脂フイルム３を保持する
フレーム枠２（図示省略）、樹脂フイルム３上に保持さ
れたダイパッド４、及び樹脂フイルム３上にダイパッド
４を取り囲むように保持された複数個の信号接続用リー
ド５を形成する。尚、ダイパッド４の下面上に樹脂フィ
ルム３の第１の開口部３ａが位置していると共に、各信
号接続用リード５の下面上に樹脂フィルム３の第２の開
口部３ｂが位置している。また、図示は省略している
が、フレーム枠２の下面には、樹脂フイルム３を介して
補強材２ａが接着される。
て、レジストパターン８Ａをマスクとして金属板７に対
してエッチングを行なって、樹脂フイルム３を保持する
フレーム枠２（図示省略）、樹脂フイルム３上に保持さ
れたダイパッド４、及び樹脂フイルム３上にダイパッド
４を取り囲むように保持された複数個の信号接続用リー
ド５を形成する。尚、ダイパッド４の下面上に樹脂フィ
ルム３の第１の開口部３ａが位置していると共に、各信
号接続用リード５の下面上に樹脂フィルム３の第２の開
口部３ｂが位置している。また、図示は省略している
が、フレーム枠２の下面には、樹脂フイルム３を介して
補強材２ａが接着される。
【００８２】次に、図５（ａ）に示す第５の工程におい
て、レジストパターン８Ａを除去した後、図５（ｂ）に
示す第６の工程において、ダイパッド４における樹脂フ
ィルム３の第１の開口部３ａの上側の部分つまり放熱部
形成領域に対して金型加工を行なって、ダイパッド４
に、樹脂フィルム３の第１の開口部３ａから下方に突出
する放熱部４ａを設けると共に、各信号接続用リード５
における樹脂フィルム３の第２の開口部３ｂの上側の部
分つまりターミナルランド部形成領域に対して金型加工
を行なって、各信号接続用リード５に、樹脂フィルム３
の第２の開口部３ｂから下方に突出するターミナルラン
ド部６を設ける。このとき、放熱部４ａを含むダイパッ
ド４には第１の凹部４ｂが形成されると共に、ターミナ
ルランド部６を含む信号接続用リード５には第２の凹部
５ｂが形成される。尚、放熱部４ａ及びターミナルラン
ド部６のそれぞれの形状は、基板実装時の接続信頼性、
又は半導体チップの電気性能検査におけるコンタクト性
等を考慮して決定される。基本的には、ターミナルラン
ド部６の断面形状としては、丸形又は矩形等が用いら
れ、ターミナルランド部６の下面の形状としては、平坦
な形状又は半球等の形状が用いられる。
て、レジストパターン８Ａを除去した後、図５（ｂ）に
示す第６の工程において、ダイパッド４における樹脂フ
ィルム３の第１の開口部３ａの上側の部分つまり放熱部
形成領域に対して金型加工を行なって、ダイパッド４
に、樹脂フィルム３の第１の開口部３ａから下方に突出
する放熱部４ａを設けると共に、各信号接続用リード５
における樹脂フィルム３の第２の開口部３ｂの上側の部
分つまりターミナルランド部形成領域に対して金型加工
を行なって、各信号接続用リード５に、樹脂フィルム３
の第２の開口部３ｂから下方に突出するターミナルラン
ド部６を設ける。このとき、放熱部４ａを含むダイパッ
ド４には第１の凹部４ｂが形成されると共に、ターミナ
ルランド部６を含む信号接続用リード５には第２の凹部
５ｂが形成される。尚、放熱部４ａ及びターミナルラン
ド部６のそれぞれの形状は、基板実装時の接続信頼性、
又は半導体チップの電気性能検査におけるコンタクト性
等を考慮して決定される。基本的には、ターミナルラン
ド部６の断面形状としては、丸形又は矩形等が用いら
れ、ターミナルランド部６の下面の形状としては、平坦
な形状又は半球等の形状が用いられる。
【００８３】図６は、金型９を用いて、信号接続用リー
ド５に、樹脂フィルム３の下方に突出するターミナルラ
ンド部６を設けている様子を示す断面図である。ダイパ
ッド４に、樹脂フィルム３の下方に突出する放熱部４ａ
を設ける場合にも、図６に示す方法と同様の方法が用い
られる。
ド５に、樹脂フィルム３の下方に突出するターミナルラ
ンド部６を設けている様子を示す断面図である。ダイパ
ッド４に、樹脂フィルム３の下方に突出する放熱部４ａ
を設ける場合にも、図６に示す方法と同様の方法が用い
られる。
【００８４】次に、図５（ｃ）に示す第７の工程におい
て、放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルラ
ンド部６のそれぞれの表面における所定の領域に、パラ
ジウム、銀又は金等を用いた金属積層メッキ１０を形成
する。
て、放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルラ
ンド部６のそれぞれの表面における所定の領域に、パラ
ジウム、銀又は金等を用いた金属積層メッキ１０を形成
する。
【００８５】以上に説明したように、第２の実施形態に
よると、第１の実施形態に係るターミナルランドフレー
ム、具体的には、フレーム枠２と、フレーム枠２に該フ
レーム枠２の内側の領域を覆うように保持された樹脂フ
イルム３と、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド
４と、樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むよう
に保持された複数個の信号接続用リード５とを備え、ダ
イパッド４に、第１の凹部４ｂが形成されるように樹脂
フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられてい
ると共に、信号接続用リード５のそれぞれに、第２の凹
部５ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突出
するターミナルランド部６が設けられているターミナル
ランドフレームを形成することができる。
よると、第１の実施形態に係るターミナルランドフレー
ム、具体的には、フレーム枠２と、フレーム枠２に該フ
レーム枠２の内側の領域を覆うように保持された樹脂フ
イルム３と、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド
４と、樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むよう
に保持された複数個の信号接続用リード５とを備え、ダ
イパッド４に、第１の凹部４ｂが形成されるように樹脂
フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられてい
ると共に、信号接続用リード５のそれぞれに、第２の凹
部５ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突出
するターミナルランド部６が設けられているターミナル
ランドフレームを形成することができる。
【００８６】すなわち、ダイパッド４を樹脂フイルム３
上に保持されるように形成していると共に該ダイパッド
４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａを設
けているため、ダイパッド４に半導体チップを搭載して
樹脂フイルム３の上面において半導体チップ等を樹脂封
止することにより、半導体チップが発生する熱を放散す
る放熱部４ａが樹脂封止型半導体装置の裏面に露出する
ので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができる。また、ダイパッド４及びそれを取り囲む複数
個の信号接続用リード５を、それぞれ樹脂フイルム３上
に保持されるように形成していると共に各信号接続用リ
ード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルラ
ンド部６を設けているため、複数個のターミナルランド
部６を狭ピッチでアレー状に配置することができる。こ
のため、ターミナルランドフレーム１に多数のターミナ
ルランド部６を配置できるので、多端子化された樹脂封
止型半導体装置を実現することができる。さらに、ダイ
パッド４を、従来の吊りリードに代えて樹脂フィルム３
により保持されるように形成しているため、ダイパッド
４に該ダイパッド４よりも大きな面積を有する半導体チ
ップを保持できる。すなわち、ダイパッド４の面積（第
１の凹部４ｂの開口部の面積を含む）を該ダイパッド４
に搭載される半導体チップよりも小さくできる。このた
め、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チッ
プの下方にターミナルランド部６を実質的に配置できる
ので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実現するこ
とができる。
上に保持されるように形成していると共に該ダイパッド
４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａを設
けているため、ダイパッド４に半導体チップを搭載して
樹脂フイルム３の上面において半導体チップ等を樹脂封
止することにより、半導体チップが発生する熱を放散す
る放熱部４ａが樹脂封止型半導体装置の裏面に露出する
ので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができる。また、ダイパッド４及びそれを取り囲む複数
個の信号接続用リード５を、それぞれ樹脂フイルム３上
に保持されるように形成していると共に各信号接続用リ
ード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルラ
ンド部６を設けているため、複数個のターミナルランド
部６を狭ピッチでアレー状に配置することができる。こ
のため、ターミナルランドフレーム１に多数のターミナ
ルランド部６を配置できるので、多端子化された樹脂封
止型半導体装置を実現することができる。さらに、ダイ
パッド４を、従来の吊りリードに代えて樹脂フィルム３
により保持されるように形成しているため、ダイパッド
４に該ダイパッド４よりも大きな面積を有する半導体チ
ップを保持できる。すなわち、ダイパッド４の面積（第
１の凹部４ｂの開口部の面積を含む）を該ダイパッド４
に搭載される半導体チップよりも小さくできる。このた
め、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チッ
プの下方にターミナルランド部６を実質的に配置できる
ので、小型化された樹脂封止型半導体装置を実現するこ
とができる。
【００８７】また、第２の実施形態によると、金属板７
の下面に樹脂フィルム３を貼付した後、樹脂フィルム３
上において金属板７を選択的に除去して、信号接続用リ
ード５を形成することができるため、信号接続用リード
５を容易に微細加工することができると共に、隣接する
信号接続用リード５同士の間隔つまり隣接するターミナ
ルランド部６同士の間隔を容易に狭くすることができる
ので、ターミナルランドフレームを小型化できると共
に、ターミナルランド部６つまり外部電極端子の数を増
大させることができる。具体的には、信号接続用リード
５を、隣接する信号接続用リード５同士の間隔が２０〜
７０μｍになるように形成することができる。また、信
号接続用リード５の金属細線接続部５ａ（図２参照）を
該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成で
きると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａ
がダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置でき
るので、樹脂封止型半導体装置の製造におけるワイヤー
ボンディング工程を簡単に行なうことができる。
の下面に樹脂フィルム３を貼付した後、樹脂フィルム３
上において金属板７を選択的に除去して、信号接続用リ
ード５を形成することができるため、信号接続用リード
５を容易に微細加工することができると共に、隣接する
信号接続用リード５同士の間隔つまり隣接するターミナ
ルランド部６同士の間隔を容易に狭くすることができる
ので、ターミナルランドフレームを小型化できると共
に、ターミナルランド部６つまり外部電極端子の数を増
大させることができる。具体的には、信号接続用リード
５を、隣接する信号接続用リード５同士の間隔が２０〜
７０μｍになるように形成することができる。また、信
号接続用リード５の金属細線接続部５ａ（図２参照）を
該金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成で
きると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａ
がダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置でき
るので、樹脂封止型半導体装置の製造におけるワイヤー
ボンディング工程を簡単に行なうことができる。
【００８８】また、第２の実施形態によると、フレーム
枠２の下面に補強材２ａを接着することによりターミナ
ルランドフレームの厚さを従来のリードフレームと同等
の厚さにすることができるため、ターミナルランドフレ
ームの製造工程及び搬送工程が安定するので、ターミナ
ルランドフレームの生産性が向上する。
枠２の下面に補強材２ａを接着することによりターミナ
ルランドフレームの厚さを従来のリードフレームと同等
の厚さにすることができるため、ターミナルランドフレ
ームの製造工程及び搬送工程が安定するので、ターミナ
ルランドフレームの生産性が向上する。
【００８９】また、第２の実施形態によると、金属板７
に対して金型加工行なって放熱部４ａ及びターミナルラ
ンド部６を形成しているため、金型加工の深さの制御に
より放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの
スタンドオフを決定することができる。このため、狭ピ
ッチでターミナルランド部６を形成する場合にも、ター
ミナルランド部６のスタンドオフを、放熱部４ａのスタ
ンドオフと共に高くすることができるので、基板実装時
の接続強度が高いパワー型の樹脂封止型半導体装置を実
現できる。
に対して金型加工行なって放熱部４ａ及びターミナルラ
ンド部６を形成しているため、金型加工の深さの制御に
より放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの
スタンドオフを決定することができる。このため、狭ピ
ッチでターミナルランド部６を形成する場合にも、ター
ミナルランド部６のスタンドオフを、放熱部４ａのスタ
ンドオフと共に高くすることができるので、基板実装時
の接続強度が高いパワー型の樹脂封止型半導体装置を実
現できる。
【００９０】尚、第２の実施形態において、樹脂フィル
ム３の厚さが約５０μｍ、放熱部４ａ及びターミナルラ
ンド部６のスタンドオフがそれぞれ約５０μｍ、ダイパ
ッド４（放熱部４ａを除く）の厚さ及び信号接続用リー
ド５（ターミナルランド部６を除く）の厚さが約２５μ
ｍのターミナルランドフレームを製造したが、ダイパッ
ド４、信号接続用リード５及び樹脂フィルム３のそれぞ
れの厚さ、並びに放熱部４ａ及びターミナルランド部６
のそれぞれのスタンドオフはこれらに限られるものでは
ない。但し、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそ
れぞれのスタンドオフは３０〜１００μｍ程度が好まし
い。
ム３の厚さが約５０μｍ、放熱部４ａ及びターミナルラ
ンド部６のスタンドオフがそれぞれ約５０μｍ、ダイパ
ッド４（放熱部４ａを除く）の厚さ及び信号接続用リー
ド５（ターミナルランド部６を除く）の厚さが約２５μ
ｍのターミナルランドフレームを製造したが、ダイパッ
ド４、信号接続用リード５及び樹脂フィルム３のそれぞ
れの厚さ、並びに放熱部４ａ及びターミナルランド部６
のそれぞれのスタンドオフはこれらに限られるものでは
ない。但し、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそ
れぞれのスタンドオフは３０〜１００μｍ程度が好まし
い。
【００９１】また、第２の実施形態において、第７の工
程つまり最後の工程で金属層のメッキ処理を行なった
が、これに限られず、例えば、第１の工程で樹脂フィル
ム３の貼付を行なう前にメッキ処理を行なってもよい。
このようにすると、樹脂フィルム３がメッキ液により劣
化する事態を回避できるので、ターミナルランドフレー
ムの品質が向上すると共にメッキ処理に用いるメッキ液
の種類に対する制約が減少する。
程つまり最後の工程で金属層のメッキ処理を行なった
が、これに限られず、例えば、第１の工程で樹脂フィル
ム３の貼付を行なう前にメッキ処理を行なってもよい。
このようにすると、樹脂フィルム３がメッキ液により劣
化する事態を回避できるので、ターミナルランドフレー
ムの品質が向上すると共にメッキ処理に用いるメッキ液
の種類に対する制約が減少する。
【００９２】また、第２の実施形態において、第７の工
程で放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルラ
ンド部６のそれぞれの表面における所定の領域に、パラ
ジウム、銀又は金等を用いた金属積層メッキ１０を形成
したが、これに代えて、信号接続用リード５の表面（金
属細線接続部５ａ）には、例えば銀メッキを行なうと共
に、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの
表面（下面）には、実装基板とのはんだ接続に適したメ
ッキを行なってもよい。言い換えると、信号接続用リー
ド５の表面と、放熱部４ａの表面及びターミナルランド
部６の表面とに互いに異なるメッキ加工を行なってもよ
い。このようにすると、高品質の樹脂封止型半導体装置
を実現をすることができる。
程で放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナルラ
ンド部６のそれぞれの表面における所定の領域に、パラ
ジウム、銀又は金等を用いた金属積層メッキ１０を形成
したが、これに代えて、信号接続用リード５の表面（金
属細線接続部５ａ）には、例えば銀メッキを行なうと共
に、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの
表面（下面）には、実装基板とのはんだ接続に適したメ
ッキを行なってもよい。言い換えると、信号接続用リー
ド５の表面と、放熱部４ａの表面及びターミナルランド
部６の表面とに互いに異なるメッキ加工を行なってもよ
い。このようにすると、高品質の樹脂封止型半導体装置
を実現をすることができる。
【００９３】また、第２の実施形態において、第１の工
程で樹脂フィルム３の貼付を行なったが、これに限られ
ず、例えば、第４の工程で金属板７に対してエッチング
を行なった後に樹脂フィルム３の貼付を行なってもよ
い。すなわち、樹脂フィルム３の貼付を行なうタイミン
グは、ターミナルランド部６の数、製造される樹脂封止
型半導体装置の大きさ、又は樹脂フィルム３とフレーム
枠２との接続方法等に基づき最適化される。
程で樹脂フィルム３の貼付を行なったが、これに限られ
ず、例えば、第４の工程で金属板７に対してエッチング
を行なった後に樹脂フィルム３の貼付を行なってもよ
い。すなわち、樹脂フィルム３の貼付を行なうタイミン
グは、ターミナルランド部６の数、製造される樹脂封止
型半導体装置の大きさ、又は樹脂フィルム３とフレーム
枠２との接続方法等に基づき最適化される。
【００９４】また、第２の実施形態において、第１〜７
の工程を順次実施したが、これに限られず、各工程を適
宜組み合わせて実施することができる。
の工程を順次実施したが、これに限られず、各工程を適
宜組み合わせて実施することができる。
【００９５】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について、図面を
参照しながら説明する。尚、第３の実施形態に係る樹脂
封止型半導体装置は、第１の実施形態に係るターミナル
ランドフレームを用いて製造されている。また、第３の
実施形態において、図１〜図３に示す第１の実施形態に
係るターミナルランドフレームと同一の部材には同一の
符号を付す。
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について、図面を
参照しながら説明する。尚、第３の実施形態に係る樹脂
封止型半導体装置は、第１の実施形態に係るターミナル
ランドフレームを用いて製造されている。また、第３の
実施形態において、図１〜図３に示す第１の実施形態に
係るターミナルランドフレームと同一の部材には同一の
符号を付す。
【００９６】図７（ａ）は第３の実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置の断面図であり、図７（ｂ）は図７
（ａ）における一点鎖線に囲まれた領域の拡大図であ
り、図８は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の平面図（樹脂パッケージは透明体として外形のみを示
している）である。
止型半導体装置の断面図であり、図７（ｂ）は図７
（ａ）における一点鎖線に囲まれた領域の拡大図であ
り、図８は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の平面図（樹脂パッケージは透明体として外形のみを示
している）である。
【００９７】図７（ａ）、（ｂ）及び図８に示すよう
に、樹脂フィルム３上にはダイパッド４、及びその周囲
を取り囲むように配置された複数個の信号接続用リード
５が保持されている。ダイパッド４には、第１の凹部４
ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出する
放熱部４ａが設けられていると共に、各信号接続用リー
ド５には、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フィ
ルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けら
れている。すなわち、ダイパッド４における放熱部４ａ
を除く部分の下面、及び各信号接続用リード５における
ターミナルランド部６を除く部分（金属細線接続部５ａ
等）の下面には、樹脂フィルム３が接着されている。
尚、各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけ
るダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の
下にアレー状に配置されている。言い換えると、各信号
接続用リード５におけるターミナルランド部６が接続さ
れている部分は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４
が保持されている領域以外の他の領域の上にアレー状に
配置されている。
に、樹脂フィルム３上にはダイパッド４、及びその周囲
を取り囲むように配置された複数個の信号接続用リード
５が保持されている。ダイパッド４には、第１の凹部４
ｂが形成されるように樹脂フィルム３の下方に突出する
放熱部４ａが設けられていると共に、各信号接続用リー
ド５には、第２の凹部５ｂが形成されるように樹脂フィ
ルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設けら
れている。すなわち、ダイパッド４における放熱部４ａ
を除く部分の下面、及び各信号接続用リード５における
ターミナルランド部６を除く部分（金属細線接続部５ａ
等）の下面には、樹脂フィルム３が接着されている。
尚、各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけ
るダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の
下にアレー状に配置されている。言い換えると、各信号
接続用リード５におけるターミナルランド部６が接続さ
れている部分は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４
が保持されている領域以外の他の領域の上にアレー状に
配置されている。
【００９８】ダイパッド４上には、複数個の電極パッド
（図示せず）を有する半導体チップ１１が保持されてい
る。具体的には、ダイパッド４における第１の凹部４ｂ
の外側の領域の上（以下、ダイパッド４の上面と称す
る）には接着剤１２が部分的に塗布されており、該接着
剤１２を介して半導体チップ１１がダイパッド４上に保
持されている。尚、第１の凹部４ｂに、ダイパッド４の
上面と同等の高さを有する凸部を設けると共に該凸部の
上に接着剤１２を塗布することにより、半導体チップ１
１をダイパッド４上に一層確実に保持することができ
る。
（図示せず）を有する半導体チップ１１が保持されてい
る。具体的には、ダイパッド４における第１の凹部４ｂ
の外側の領域の上（以下、ダイパッド４の上面と称す
る）には接着剤１２が部分的に塗布されており、該接着
剤１２を介して半導体チップ１１がダイパッド４上に保
持されている。尚、第１の凹部４ｂに、ダイパッド４の
上面と同等の高さを有する凸部を設けると共に該凸部の
上に接着剤１２を塗布することにより、半導体チップ１
１をダイパッド４上に一層確実に保持することができ
る。
【００９９】半導体チップ１１の各電極パッドと、対応
する信号接続用リード５とは金属細線１３により電気的
に接続されている。尚、信号接続用リード５は、金属細
線１３が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線接
続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共
に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパ
ッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されている。
する信号接続用リード５とは金属細線１３により電気的
に接続されている。尚、信号接続用リード５は、金属細
線１３が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線接
続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共
に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパ
ッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されている。
【０１００】また、樹脂フィルム３の上面側において該
樹脂フィルム３、ダイパッド４、信号接続用リード５、
半導体チップ１１及び金属細線１３等が樹脂パッケージ
１４により封止されている。従って、放熱部４ａは実装
基板に接続され、ダイパッド４に搭載される半導体チッ
プが発生する熱を外部に伝達し、また、各ターミナルラ
ンド部６は実装基板に接続され、電気信号を外部に伝達
する外部電極端子として働く。尚、放熱部４ａを含むダ
イパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナ
ルランド部６を含む信号接続用リード５のそれぞれに形
成された第２の凹部５ｂには、樹脂パッケージ１４を構
成する封止樹脂が充填されている。第１の凹部４ｂに封
止樹脂が充填される理由は、ダイパッド４の上面に接着
剤１２が部分的に塗布されていることに起因して、ダイ
パッド４の上面と半導体チップ１１の下面との間にすき
間が生じるからである。
樹脂フィルム３、ダイパッド４、信号接続用リード５、
半導体チップ１１及び金属細線１３等が樹脂パッケージ
１４により封止されている。従って、放熱部４ａは実装
基板に接続され、ダイパッド４に搭載される半導体チッ
プが発生する熱を外部に伝達し、また、各ターミナルラ
ンド部６は実装基板に接続され、電気信号を外部に伝達
する外部電極端子として働く。尚、放熱部４ａを含むダ
イパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及びターミナ
ルランド部６を含む信号接続用リード５のそれぞれに形
成された第２の凹部５ｂには、樹脂パッケージ１４を構
成する封止樹脂が充填されている。第１の凹部４ｂに封
止樹脂が充填される理由は、ダイパッド４の上面に接着
剤１２が部分的に塗布されていることに起因して、ダイ
パッド４の上面と半導体チップ１１の下面との間にすき
間が生じるからである。
【０１０１】図９（ａ）は第３の実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置を上面から見た斜視図であり、図９
（ｂ）は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を
下面から見た斜視図である。
止型半導体装置を上面から見た斜視図であり、図９
（ｂ）は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を
下面から見た斜視図である。
【０１０２】図９（ｂ）に示すように、樹脂封止型半導
体装置の裏面は樹脂フィルム３により覆われている一
方、放熱部４ａ及びターミナルランド部６が樹脂封止型
半導体装置の裏面から突出している。
体装置の裏面は樹脂フィルム３により覆われている一
方、放熱部４ａ及びターミナルランド部６が樹脂封止型
半導体装置の裏面から突出している。
【０１０３】第３の実施形態によると、樹脂フイルム３
上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方
に突出する放熱部４ａが設けられていると共に樹脂フイ
ルム３の上面においてダイパッド４に搭載された半導体
チップ１１等が樹脂封止されているため、半導体チップ
１１が発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半
導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型
半導体装置を実現することができる。
上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方
に突出する放熱部４ａが設けられていると共に樹脂フイ
ルム３の上面においてダイパッド４に搭載された半導体
チップ１１等が樹脂封止されているため、半導体チップ
１１が発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半
導体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型
半導体装置を実現することができる。
【０１０４】また、第３の実施形態によると、樹脂フイ
ルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信
号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用
リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナル
ランド部６が設けられているため、樹脂フイルム３つま
り樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルラ
ンド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができる
ので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができ
る。
ルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信
号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用
リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナル
ランド部６が設けられているため、樹脂フイルム３つま
り樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルラ
ンド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができる
ので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができ
る。
【０１０５】また、第３の実施形態によると、従来の吊
りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４
を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よ
りも大きな面積を有する半導体チップ１１を保持でき
る。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの
開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半
導体チップ１１よりも小さくできる。このため、半導体
チップ１１の搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体
装置の裏面における半導体チップ１１の下方にターミナ
ルランド部６を実質的に配置できるので、樹脂封止型半
導体装置を小型化することができる。また、樹脂封止型
半導体装置の製造工程における吊りリードの変形に起因
する製造上の従来の問題が回避されるので、樹脂封止型
半導体装置の生産性が向上する。
りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４
を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よ
りも大きな面積を有する半導体チップ１１を保持でき
る。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの
開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半
導体チップ１１よりも小さくできる。このため、半導体
チップ１１の搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体
装置の裏面における半導体チップ１１の下方にターミナ
ルランド部６を実質的に配置できるので、樹脂封止型半
導体装置を小型化することができる。また、樹脂封止型
半導体装置の製造工程における吊りリードの変形に起因
する製造上の従来の問題が回避されるので、樹脂封止型
半導体装置の生産性が向上する。
【０１０６】また、第３の実施形態によると、放熱部４
ａ及びターミナルランド部６が樹脂フィルム３の下方に
突出しているため、言い換えると、放熱部４ａ及びター
ミナルランド部６が樹脂封止型半導体装置の裏面から突
出しているため、放熱部４ａ及びターミナルランド部６
と実装基板とを接合して樹脂封止型半導体装置を実装基
板に実装するときに、放熱部４ａ及びターミナルランド
部６のそれぞれのスタンドオフを予め確保しておくこと
ができる。このため、ターミナルランド部６をそのまま
外部電極端子として用いることができると共に、例えば
放熱部４ａ及びターミナルランド部６を形成するための
金型加工の深さ（第２の実施形態の第６の工程を参
照）、又は樹脂フィルム３の厚さ等を制御することによ
り、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの
スタンドオフを容易に変更することができる。従って、
樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放
熱部４ａと実装基板との接続信頼性を向上させることが
できると共に、半田ボールを付設することなく、ターミ
ナルランド部６と実装基板の電極との接続信頼性を向上
させることができるので、パワー型の樹脂封止型半導体
装置の製造工数及び製造コストを低減させることができ
る。
ａ及びターミナルランド部６が樹脂フィルム３の下方に
突出しているため、言い換えると、放熱部４ａ及びター
ミナルランド部６が樹脂封止型半導体装置の裏面から突
出しているため、放熱部４ａ及びターミナルランド部６
と実装基板とを接合して樹脂封止型半導体装置を実装基
板に実装するときに、放熱部４ａ及びターミナルランド
部６のそれぞれのスタンドオフを予め確保しておくこと
ができる。このため、ターミナルランド部６をそのまま
外部電極端子として用いることができると共に、例えば
放熱部４ａ及びターミナルランド部６を形成するための
金型加工の深さ（第２の実施形態の第６の工程を参
照）、又は樹脂フィルム３の厚さ等を制御することによ
り、放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの
スタンドオフを容易に変更することができる。従って、
樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときに、放
熱部４ａと実装基板との接続信頼性を向上させることが
できると共に、半田ボールを付設することなく、ターミ
ナルランド部６と実装基板の電極との接続信頼性を向上
させることができるので、パワー型の樹脂封止型半導体
装置の製造工数及び製造コストを低減させることができ
る。
【０１０７】また、第３の実施形態によると、信号接続
用リード（インナーリード）の側部と接続され、樹脂パ
ッケージの側面から突出する従来のアウターリードに代
えて、信号接続用リード５の下部と接続され、樹脂封止
型半導体装置の裏面つまり樹脂フィルム３から突出する
ターミナルランド部６を外部電極端子として用いている
ため、端子数の多い樹脂封止型半導体装置を小型化する
ことができる。
用リード（インナーリード）の側部と接続され、樹脂パ
ッケージの側面から突出する従来のアウターリードに代
えて、信号接続用リード５の下部と接続され、樹脂封止
型半導体装置の裏面つまり樹脂フィルム３から突出する
ターミナルランド部６を外部電極端子として用いている
ため、端子数の多い樹脂封止型半導体装置を小型化する
ことができる。
【０１０８】また、第３の実施形態によると、樹脂パッ
ケージ１４と樹脂フィルム３との密着性が良いため、樹
脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事態が防止
されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上す
る。
ケージ１４と樹脂フィルム３との密着性が良いため、樹
脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事態が防止
されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上す
る。
【０１０９】また、第３の実施形態によると、樹脂フィ
ルム３の上面側において、半導体チップ１１等が樹脂パ
ッケージ１４により封止されているため、樹脂フィルム
３の下方に突出する放熱部４ａ及びターミナルランド部
６のそれぞれの表面には樹脂バリ（樹脂封止工程におけ
る樹脂のはみ出し部分）が存在しないので、放熱部４ａ
及びターミナルランド部６と実装基板との接続信頼性が
一層向上する。
ルム３の上面側において、半導体チップ１１等が樹脂パ
ッケージ１４により封止されているため、樹脂フィルム
３の下方に突出する放熱部４ａ及びターミナルランド部
６のそれぞれの表面には樹脂バリ（樹脂封止工程におけ
る樹脂のはみ出し部分）が存在しないので、放熱部４ａ
及びターミナルランド部６と実装基板との接続信頼性が
一層向上する。
【０１１０】また、第３の実施形態によると、放熱部４
ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及
びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそ
れぞれに形成された第２の凹部５ｂに、樹脂パッケージ
１４を構成する封止樹脂が充填されているため、放熱部
４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの強度が確保
されると共に、樹脂パッケージ１４とダイパッド４及び
信号接続用リード５との密着性が向上する。
ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及
びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそ
れぞれに形成された第２の凹部５ｂに、樹脂パッケージ
１４を構成する封止樹脂が充填されているため、放熱部
４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの強度が確保
されると共に、樹脂パッケージ１４とダイパッド４及び
信号接続用リード５との密着性が向上する。
【０１１１】また、第３の実施形態によると、信号接続
用リード５の金属細線接続部５ａ（半導体チップ１１の
電極パッドと金属細線１３により接続される部分）が該
金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成され
ていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５
ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置さ
れているため、多数の電極パッドを有する半導体チップ
１１がダイボンドされている場合にも、ワイヤーボンデ
ィング工程を簡単に行なえるので、樹脂封止型半導体装
置の製造コストを低減することができる。
用リード５の金属細線接続部５ａ（半導体チップ１１の
電極パッドと金属細線１３により接続される部分）が該
金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成され
ていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５
ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置さ
れているため、多数の電極パッドを有する半導体チップ
１１がダイボンドされている場合にも、ワイヤーボンデ
ィング工程を簡単に行なえるので、樹脂封止型半導体装
置の製造コストを低減することができる。
【０１１２】尚、第３の実施形態において、樹脂フィル
ム３の厚さは約５０μｍであり、放熱部４ａ及びターミ
ナルランド部６のそれぞれのスタンドオフは約５０μｍ
であり、ダイパッド４（放熱部４ａを除く）及び信号接
続用リード５（ターミナルランド部６を除く）のそれぞ
れの厚さは約２５μｍであったが、ダイパッド４、信号
接続用リード５及び樹脂フィルム３のそれぞれの厚さ、
並びに放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれ
のスタンドオフはこれに限られるものではない。但し、
放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタ
ンドオフは３０〜１００μｍ程度が好ましい。このよう
にすると、パワー型の樹脂封止型半導体装置を基板実装
する時の接続強度が確実に向上する。
ム３の厚さは約５０μｍであり、放熱部４ａ及びターミ
ナルランド部６のそれぞれのスタンドオフは約５０μｍ
であり、ダイパッド４（放熱部４ａを除く）及び信号接
続用リード５（ターミナルランド部６を除く）のそれぞ
れの厚さは約２５μｍであったが、ダイパッド４、信号
接続用リード５及び樹脂フィルム３のそれぞれの厚さ、
並びに放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれ
のスタンドオフはこれに限られるものではない。但し、
放熱部４ａ及びターミナルランド部６のそれぞれのスタ
ンドオフは３０〜１００μｍ程度が好ましい。このよう
にすると、パワー型の樹脂封止型半導体装置を基板実装
する時の接続強度が確実に向上する。
【０１１３】また、第３の実施形態において、信号接続
用リード５の金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５
ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信
号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４
を取り囲んで一列に並ぶように配置されていたが、これ
に限られず、金属細線接続部５ａを含む信号接続用リー
ド５の形状及び配置方法は、ターミナルランド部６の数
及び半導体チップ１１の大きさ等に基づき適宜選択され
る。尚、信号接続用リード５の形状及び配置方法は、信
号接続用リード５を形成するためのエッチング（第２の
実施形態における第４の工程を参照）を制御することに
より容易に変更することができる。
用リード５の金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５
ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信
号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４
を取り囲んで一列に並ぶように配置されていたが、これ
に限られず、金属細線接続部５ａを含む信号接続用リー
ド５の形状及び配置方法は、ターミナルランド部６の数
及び半導体チップ１１の大きさ等に基づき適宜選択され
る。尚、信号接続用リード５の形状及び配置方法は、信
号接続用リード５を形成するためのエッチング（第２の
実施形態における第４の工程を参照）を制御することに
より容易に変更することができる。
【０１１４】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法につい
て、図１０（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
尚、第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、第１の実施形態に係るターミナルランドフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法である。ま
た、第４の実施形態において、図１〜図３に示す第１の
実施形態に係るターミナルランドフレーム、又は図７及
び図８に示す第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置と同一の部材には同一の符号を付す。
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法につい
て、図１０（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
尚、第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、第１の実施形態に係るターミナルランドフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法である。ま
た、第４の実施形態において、図１〜図３に示す第１の
実施形態に係るターミナルランドフレーム、又は図７及
び図８に示す第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置と同一の部材には同一の符号を付す。
【０１１５】まず、第１の工程において、第１の実施形
態に係るターミナルランドフレーム（図１〜図３参
照）、具体的には、フレーム枠２と、フレーム枠２に該
フレーム枠２の内側の領域を覆うように保持された樹脂
フイルム３と、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッ
ド４と、樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むよ
うに保持された複数個の信号接続用リード５とを備え、
ダイパッド４に、第１の凹部４ｂが形成されるように樹
脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられて
いると共に、信号接続用リード５のそれぞれに、第２の
凹部５ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突
出するターミナルランド部６が設けられているターミナ
ルランドフレーム１を準備する。
態に係るターミナルランドフレーム（図１〜図３参
照）、具体的には、フレーム枠２と、フレーム枠２に該
フレーム枠２の内側の領域を覆うように保持された樹脂
フイルム３と、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッ
ド４と、樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むよ
うに保持された複数個の信号接続用リード５とを備え、
ダイパッド４に、第１の凹部４ｂが形成されるように樹
脂フイルム３の下方に突出する放熱部４ａが設けられて
いると共に、信号接続用リード５のそれぞれに、第２の
凹部５ｂが形成されるように樹脂フイルム３の下方に突
出するターミナルランド部６が設けられているターミナ
ルランドフレーム１を準備する。
【０１１６】尚、ターミナルランドフレーム１におい
て、各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけ
るダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の
下にアレー状に配置されている。
て、各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけ
るダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の
下にアレー状に配置されている。
【０１１７】また、ターミナルランドフレーム１におい
て、樹脂封止工程において封止樹脂の流出を止めるタイ
バーは設けられていない。
て、樹脂封止工程において封止樹脂の流出を止めるタイ
バーは設けられていない。
【０１１８】また、ターミナルランドフレーム１におけ
る金属部分（樹脂フィルム３を除く部分）の表面、具体
的には、放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナ
ルランド部６のそれぞれの表面においては、ターミナル
ランドフレーム１の金属部分を構成する銅（Ｃｕ）素材
に対して３層の金属メッキ、具体的には、下地メッキと
してのニッケル（Ｎｉ）層、その上層のメッキとしての
パラジウム（Ｐｄ）層、及び最上層のメッキとしての薄
膜の金（Ａｕ）層からなる３層の金属メッキが施されて
いる。但し、ターミナルランドフレーム１の金属部分と
して銅素材に代えて４２アロイ材等を使用でき、また、
メッキ材料としてニッケル、パラジウム又は金以外の貴
金属等を使用でき、さらに、メッキ構造として３層メッ
キ以外の構造を使用できる。
る金属部分（樹脂フィルム３を除く部分）の表面、具体
的には、放熱部４ａ、信号接続用リード５及びターミナ
ルランド部６のそれぞれの表面においては、ターミナル
ランドフレーム１の金属部分を構成する銅（Ｃｕ）素材
に対して３層の金属メッキ、具体的には、下地メッキと
してのニッケル（Ｎｉ）層、その上層のメッキとしての
パラジウム（Ｐｄ）層、及び最上層のメッキとしての薄
膜の金（Ａｕ）層からなる３層の金属メッキが施されて
いる。但し、ターミナルランドフレーム１の金属部分と
して銅素材に代えて４２アロイ材等を使用でき、また、
メッキ材料としてニッケル、パラジウム又は金以外の貴
金属等を使用でき、さらに、メッキ構造として３層メッ
キ以外の構造を使用できる。
【０１１９】次に、図１０（ａ）の状態図に示す第２の
工程において、ターミナルランドフレーム１のダイパッ
ド４（図示省略）上に、複数個の電極パッド（図示省
略）を有する半導体チップ１１を接着剤１２を介して保
持する。すなわち、第２の工程はいわゆるダイボンド工
程である。具体的には、ダイパッド４における第１の凹
部４ｂの外側の領域の上、つまりダイパッド４の上面に
接着剤１２を部分的に塗布すると共に、該接着剤１２を
介して半導体チップ１１をダイパッド４上に保持する。
このようにすると、接着剤１２が所定の厚さを有してい
るため、ダイパッド４の上面と半導体チップ１１の下面
との間にすき間が生じるため、後の樹脂封止工程におい
て第１の凹部４ｂに樹脂パッケージを構成する封止樹脂
を充填することができる。尚、第１の凹部４ｂに、ダイ
パッド４の上面と同等の高さを有する凸部を設けると共
に該凸部の上に接着剤１２を塗布することにより、半導
体チップ１１をダイパッド４上に一層確実に保持するこ
とができる。
工程において、ターミナルランドフレーム１のダイパッ
ド４（図示省略）上に、複数個の電極パッド（図示省
略）を有する半導体チップ１１を接着剤１２を介して保
持する。すなわち、第２の工程はいわゆるダイボンド工
程である。具体的には、ダイパッド４における第１の凹
部４ｂの外側の領域の上、つまりダイパッド４の上面に
接着剤１２を部分的に塗布すると共に、該接着剤１２を
介して半導体チップ１１をダイパッド４上に保持する。
このようにすると、接着剤１２が所定の厚さを有してい
るため、ダイパッド４の上面と半導体チップ１１の下面
との間にすき間が生じるため、後の樹脂封止工程におい
て第１の凹部４ｂに樹脂パッケージを構成する封止樹脂
を充填することができる。尚、第１の凹部４ｂに、ダイ
パッド４の上面と同等の高さを有する凸部を設けると共
に該凸部の上に接着剤１２を塗布することにより、半導
体チップ１１をダイパッド４上に一層確実に保持するこ
とができる。
【０１２０】次に、図１０（ｂ）の状態図に示す第３の
工程において、ダイパッド４上に保持された半導体チッ
プ１１の各電極パッドと、対応する信号接続用リード５
（図示省略）とを金属細線１３により電気的に接続す
る。すなわち、第３の工程はいわゆるワイヤーボンディ
ング工程である。
工程において、ダイパッド４上に保持された半導体チッ
プ１１の各電極パッドと、対応する信号接続用リード５
（図示省略）とを金属細線１３により電気的に接続す
る。すなわち、第３の工程はいわゆるワイヤーボンディ
ング工程である。
【０１２１】尚、ターミナルランドフレーム１におい
て、図２に示すように、信号接続用リード５は、金属細
線１３が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線接
続部５ａ以外の他の部分よりも細く加工されている一
方、信号接続用リード５が樹脂フィルム３により保持さ
れているため、金属細線１３の接続つまりワイヤーボン
ディング工程を安定して行なうことができる。また、図
２に示すように、各信号接続用リード５の金属細線接続
部５ａはダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配
置されているため、ワイヤーボンディング工程を簡単に
行なうことができる。また、信号接続用リード５の金属
細線接続部５ａの下面は、ターミナルランド部６の下面
よりも上方に位置しているが、ワイヤーボンディング装
置の構造を工夫することにより、従来同様にワイヤーボ
ンディング工程を安定して行なうことができる。
て、図２に示すように、信号接続用リード５は、金属細
線１３が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線接
続部５ａ以外の他の部分よりも細く加工されている一
方、信号接続用リード５が樹脂フィルム３により保持さ
れているため、金属細線１３の接続つまりワイヤーボン
ディング工程を安定して行なうことができる。また、図
２に示すように、各信号接続用リード５の金属細線接続
部５ａはダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配
置されているため、ワイヤーボンディング工程を簡単に
行なうことができる。また、信号接続用リード５の金属
細線接続部５ａの下面は、ターミナルランド部６の下面
よりも上方に位置しているが、ワイヤーボンディング装
置の構造を工夫することにより、従来同様にワイヤーボ
ンディング工程を安定して行なうことができる。
【０１２２】次に、図１０（ｃ）の状態図に示す第４の
工程において、上面側に半導体チップ１１が接合され、
下面側を樹脂フィルム３（図示省略）により覆われたタ
ーミナルランドフレーム１を封止金型内（図示省略）に
収納した後、該封止金型によりターミナルランドフレー
ム１のフレーム枠２（図示省略）を押圧しながら封止金
型内に封止樹脂を流し込むことによって、ターミナルラ
ンドフレーム１の上面側つまり樹脂フイルム３の上面側
において該樹脂フイルム３、ダイパッド４、信号接続用
リード５、半導体チップ１１及び金属細線１３等を樹脂
パッケージ１４により封止する。尚、図１０（ｃ）の状
態図（図１０（ｄ）の状態図においても同じ）におい
て、樹脂パッケージ１４は透明体として表している。
工程において、上面側に半導体チップ１１が接合され、
下面側を樹脂フィルム３（図示省略）により覆われたタ
ーミナルランドフレーム１を封止金型内（図示省略）に
収納した後、該封止金型によりターミナルランドフレー
ム１のフレーム枠２（図示省略）を押圧しながら封止金
型内に封止樹脂を流し込むことによって、ターミナルラ
ンドフレーム１の上面側つまり樹脂フイルム３の上面側
において該樹脂フイルム３、ダイパッド４、信号接続用
リード５、半導体チップ１１及び金属細線１３等を樹脂
パッケージ１４により封止する。尚、図１０（ｃ）の状
態図（図１０（ｄ）の状態図においても同じ）におい
て、樹脂パッケージ１４は透明体として表している。
【０１２３】このとき、ターミナルランドフレーム１に
おいては、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、信号接続
用リード５（ターミナルランド部６を除く）は、その下
面がフレーム枠２の補強材２ａの下面よりも上側に位置
するように形成されている一方、各信号接続用リード５
に設けられたターミナルランド部６は、その下面がフレ
ーム枠２の補強材２ａの下面と同じ平面に位置するよう
に形成されている。従って、ターミナルランドフレーム
１の下面側つまり樹脂フイルム３の下面側に空隙が存在
する状況においても、ターミナルランドフレーム１に加
わる封止樹脂の圧力が分散するため、樹脂封止工程を安
定して行なうことができる。
おいては、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、信号接続
用リード５（ターミナルランド部６を除く）は、その下
面がフレーム枠２の補強材２ａの下面よりも上側に位置
するように形成されている一方、各信号接続用リード５
に設けられたターミナルランド部６は、その下面がフレ
ーム枠２の補強材２ａの下面と同じ平面に位置するよう
に形成されている。従って、ターミナルランドフレーム
１の下面側つまり樹脂フイルム３の下面側に空隙が存在
する状況においても、ターミナルランドフレーム１に加
わる封止樹脂の圧力が分散するため、樹脂封止工程を安
定して行なうことができる。
【０１２４】また、放熱部４ａを含むダイパッド４に形
成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を
含む信号接続用リード５のそれぞれに形成された第２の
凹部５ｂに、樹脂パッケージ１４を構成する封止樹脂が
充填されるので、ターミナルランドフレーム１の厚さを
薄くした場合にも、つまり放熱部４ａ及びターミナルラ
ンド部６のそれぞれの厚さを薄くした場合にも、樹脂封
止型半導体装置を実装基板に実装するため該実装基板と
放熱部４ａ及びターミナルランド部６とを半田接続した
ときに放熱部４ａ及びターミナルランド部６が変形する
事態を防止することができる。
成された第１の凹部４ｂ、及びターミナルランド部６を
含む信号接続用リード５のそれぞれに形成された第２の
凹部５ｂに、樹脂パッケージ１４を構成する封止樹脂が
充填されるので、ターミナルランドフレーム１の厚さを
薄くした場合にも、つまり放熱部４ａ及びターミナルラ
ンド部６のそれぞれの厚さを薄くした場合にも、樹脂封
止型半導体装置を実装基板に実装するため該実装基板と
放熱部４ａ及びターミナルランド部６とを半田接続した
ときに放熱部４ａ及びターミナルランド部６が変形する
事態を防止することができる。
【０１２５】ところで、第４の工程つまり樹脂封止工程
を、より強い樹脂圧力においても安定して行なうため
に、封止金型内においてターミナルランドフレーム１の
下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させな
がら、封止金型内に封止樹脂を流し込む方法を用いるこ
とができる。
を、より強い樹脂圧力においても安定して行なうため
に、封止金型内においてターミナルランドフレーム１の
下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させな
がら、封止金型内に封止樹脂を流し込む方法を用いるこ
とができる。
【０１２６】図１１は、樹脂封止工程において、封止金
型の締め付け圧力及び封止金型の温度により軟化した封
止フィルム１５が、ターミナルランド部６同士の間の空
隙、フレーム枠２の補強材２ａとターミナルランド部６
との間の空隙、及び放熱部４ａとターミナルランド部６
との間の空隙を埋めている様子を示している。
型の締め付け圧力及び封止金型の温度により軟化した封
止フィルム１５が、ターミナルランド部６同士の間の空
隙、フレーム枠２の補強材２ａとターミナルランド部６
との間の空隙、及び放熱部４ａとターミナルランド部６
との間の空隙を埋めている様子を示している。
【０１２７】すなわち、ターミナルランドフレーム１の
下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させて
樹脂封止工程を行なうことにより、信号接続用リード５
（ターミナルランド部６を除く）の下面に直接封止樹脂
の圧力が加わる事態が回避されるので、ターミナルラン
ドフレーム１の変形が防止される。このため、ターミナ
ルランドフレーム１の下面から放熱部４ａ及びターミナ
ルランド部６が突出しているにも関わらず、ターミナル
ランドフレーム１の上面側のみを樹脂パッケージ１４に
より容易に封止することができる。
下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させて
樹脂封止工程を行なうことにより、信号接続用リード５
（ターミナルランド部６を除く）の下面に直接封止樹脂
の圧力が加わる事態が回避されるので、ターミナルラン
ドフレーム１の変形が防止される。このため、ターミナ
ルランドフレーム１の下面から放熱部４ａ及びターミナ
ルランド部６が突出しているにも関わらず、ターミナル
ランドフレーム１の上面側のみを樹脂パッケージ１４に
より容易に封止することができる。
【０１２８】また、ターミナルランドフレーム１の下面
つまり樹脂フイルム３の下面と封止金型との間に封止フ
ィルム１５を介在させることによって、樹脂フイルム３
の下面側に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止できる
ので、放熱部４ａの表面及びターミナルランド部６の表
面に樹脂バリが形成されることを防止できる。
つまり樹脂フイルム３の下面と封止金型との間に封止フ
ィルム１５を介在させることによって、樹脂フイルム３
の下面側に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止できる
ので、放熱部４ａの表面及びターミナルランド部６の表
面に樹脂バリが形成されることを防止できる。
【０１２９】尚、封止フィルム１５の材料としては、樹
脂封止時における高温環境に対して耐性を有する材料、
例えばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド又はポ
リカーボネート等を主成分とする樹脂をベースとしたテ
ープ等を用いることができる。本実施形態においては、
ポリイミドを主成分とし、放熱部４ａ及びターミナルラ
ンド部６のそれぞれのスタンドオフと同程度の厚さ、例
えば５０μｍ程度の厚さを有する封止フィルム１５を用
いて樹脂封止工程を行なった結果、放熱部４ａ及びター
ミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを、樹脂封
止工程の前と同じ５０μｍに保つことができた。
脂封止時における高温環境に対して耐性を有する材料、
例えばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド又はポ
リカーボネート等を主成分とする樹脂をベースとしたテ
ープ等を用いることができる。本実施形態においては、
ポリイミドを主成分とし、放熱部４ａ及びターミナルラ
ンド部６のそれぞれのスタンドオフと同程度の厚さ、例
えば５０μｍ程度の厚さを有する封止フィルム１５を用
いて樹脂封止工程を行なった結果、放熱部４ａ及びター
ミナルランド部６のそれぞれのスタンドオフを、樹脂封
止工程の前と同じ５０μｍに保つことができた。
【０１３０】また、封止フィルム１５を用いて樹脂封止
工程を行なう場合、樹脂封止型半導体装置の構造上、品
質上又は生産上、ターミナルランドフレーム１のわずか
な変形は問題にならない。
工程を行なう場合、樹脂封止型半導体装置の構造上、品
質上又は生産上、ターミナルランドフレーム１のわずか
な変形は問題にならない。
【０１３１】また、放熱部４ａの下面がフレーム枠２の
補強材２ａの下面と略同一の平面に位置しているため、
封止金型の表面におけるダイパッド４の下側の領域に凸
部を設ける必要がなくなる。このため、封止金型の共用
化が可能となるので、大型キャビテーを使用することに
より複数個のダイパッド及び複数個の半導体チップを樹
脂パッケージ１４により一括して容易に封止することが
できる。
補強材２ａの下面と略同一の平面に位置しているため、
封止金型の表面におけるダイパッド４の下側の領域に凸
部を設ける必要がなくなる。このため、封止金型の共用
化が可能となるので、大型キャビテーを使用することに
より複数個のダイパッド及び複数個の半導体チップを樹
脂パッケージ１４により一括して容易に封止することが
できる。
【０１３２】次に、図１０（ｄ）の状態図に示す第５の
工程において、樹脂パッケージ１４の所定部分及びター
ミナルランドフレーム１の所定部分を切断して図１２に
示す樹脂封止型半導体装置を複数個生成する。尚、図１
２に示す樹脂封止型半導体装置は、樹脂パッケージ１４
の形状を除いて、図７（ａ）に示す第３の実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置と同一の構造を有している。
工程において、樹脂パッケージ１４の所定部分及びター
ミナルランドフレーム１の所定部分を切断して図１２に
示す樹脂封止型半導体装置を複数個生成する。尚、図１
２に示す樹脂封止型半導体装置は、樹脂パッケージ１４
の形状を除いて、図７（ａ）に示す第３の実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置と同一の構造を有している。
【０１３３】図１３は、回転刃を用いて樹脂パッケージ
１４及びターミナルランドフレーム１を切断して複数個
の樹脂封止型半導体装置を生成している様子を示す斜視
図である。
１４及びターミナルランドフレーム１を切断して複数個
の樹脂封止型半導体装置を生成している様子を示す斜視
図である。
【０１３４】図１３に示すように、樹脂パッケージ１４
及びターミナルランドフレーム１における切断部（図中
の２重破線部）を回転刃１６を用いて切断することによ
り、図１２に示す樹脂封止型半導体装置が複数個形成さ
れる。
及びターミナルランドフレーム１における切断部（図中
の２重破線部）を回転刃１６を用いて切断することによ
り、図１２に示す樹脂封止型半導体装置が複数個形成さ
れる。
【０１３５】尚、第５の工程において、回転刃に代え
て、金型を用いてターミナルランドフレーム１又は樹脂
パッケージ１４を切断することができる。また、第５の
工程において、複数個のダイパッド及び複数個の半導体
チップが樹脂パッケージ１４により一括して封止されて
いる場合を対象としたが、これに代えて、個別封止用の
封止金型を用いて一個のダイパッド及び一個の半導体チ
ップが樹脂パッケージにより封止されている場合、ター
ミナルランドフレーム１を切断することにより、図７
（ａ）に示す樹脂封止型半導体装置、つまり第３の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置が生成される。
て、金型を用いてターミナルランドフレーム１又は樹脂
パッケージ１４を切断することができる。また、第５の
工程において、複数個のダイパッド及び複数個の半導体
チップが樹脂パッケージ１４により一括して封止されて
いる場合を対象としたが、これに代えて、個別封止用の
封止金型を用いて一個のダイパッド及び一個の半導体チ
ップが樹脂パッケージにより封止されている場合、ター
ミナルランドフレーム１を切断することにより、図７
（ａ）に示す樹脂封止型半導体装置、つまり第３の実施
形態に係る樹脂封止型半導体装置が生成される。
【０１３６】また、回転刃等により切断される部分に金
属部分が存在しないようにターミナルランドフレームを
設計することにより、第５の工程つまりターミナルラン
ドフレーム切断工程の生産性を向上することができる。
詳細は図示していないが、例えば、図１３に示すよう
に、回転刃１６を用いてフレーム枠２を切断することな
く、樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断する
ことにより、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成する
ことができる。
属部分が存在しないようにターミナルランドフレームを
設計することにより、第５の工程つまりターミナルラン
ドフレーム切断工程の生産性を向上することができる。
詳細は図示していないが、例えば、図１３に示すよう
に、回転刃１６を用いてフレーム枠２を切断することな
く、樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断する
ことにより、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成する
ことができる。
【０１３７】尚、図１０（ｄ）は、フレーム枠２を切断
することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を
切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様
子を示す状態図である。
することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を
切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様
子を示す状態図である。
【０１３８】また、図１４は、フレーム枠２を切断する
ことなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断
して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を
示す断面図である。尚、図１４においては、ダイパッド
４及び信号接続用リード５を一体化して図示していると
共に、ターミナルランド部６の図示を省略している。
ことなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断
して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を
示す断面図である。尚、図１４においては、ダイパッド
４及び信号接続用リード５を一体化して図示していると
共に、ターミナルランド部６の図示を省略している。
【０１３９】以上に説明したように、フレーム枠２を切
断することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４
を切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した
場合、ターミナルランドフレーム切断工程が容易になっ
て樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。特に、従
来ターミナルランドフレーム切断工程の生産性が悪い銅
（Ｃｕ）からなるターミナルランドフレームを用いる場
合、ターミナルランドフレーム切断工程の生産性が著し
く向上すると共に、ターミナルランドフレーム切断工程
に用いられる回転刃の寿命が長くなる。また、個別封止
用の封止金型を用いて一個のダイパッド及び一個の半導
体チップが樹脂パッケージにより封止されている場合に
は、フレーム枠２を切断することなく樹脂フィルム３を
切断するだけで、樹脂封止型半導体装置を生成すること
ができる。
断することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４
を切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した
場合、ターミナルランドフレーム切断工程が容易になっ
て樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。特に、従
来ターミナルランドフレーム切断工程の生産性が悪い銅
（Ｃｕ）からなるターミナルランドフレームを用いる場
合、ターミナルランドフレーム切断工程の生産性が著し
く向上すると共に、ターミナルランドフレーム切断工程
に用いられる回転刃の寿命が長くなる。また、個別封止
用の封止金型を用いて一個のダイパッド及び一個の半導
体チップが樹脂パッケージにより封止されている場合に
は、フレーム枠２を切断することなく樹脂フィルム３を
切断するだけで、樹脂封止型半導体装置を生成すること
ができる。
【０１４０】尚、以上の説明においては、樹脂パッケー
ジ１４、及び該樹脂パッケージ１４により上面を封止さ
れたターミナルランドフレーム１を、上面側（樹脂パッ
ケージ１４）から下面側（樹脂フィルム３）に向けて切
断する場合を前提としていたが、これに代えて、下面側
から上面側に向けて切断することも可能である。
ジ１４、及び該樹脂パッケージ１４により上面を封止さ
れたターミナルランドフレーム１を、上面側（樹脂パッ
ケージ１４）から下面側（樹脂フィルム３）に向けて切
断する場合を前提としていたが、これに代えて、下面側
から上面側に向けて切断することも可能である。
【０１４１】第４の実施形態によると、樹脂フイルム３
上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方
に突出する放熱部４ａが設けられていると共に樹脂フイ
ルム３の上面においてダイパッド４に搭載された半導体
チップ１１等を樹脂封止しているため、半導体チップ１
１が発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半導
体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半
導体装置を実現することができる。
上に保持されたダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方
に突出する放熱部４ａが設けられていると共に樹脂フイ
ルム３の上面においてダイパッド４に搭載された半導体
チップ１１等を樹脂封止しているため、半導体チップ１
１が発生する熱を放散する放熱部４ａが樹脂封止型半導
体装置の裏面に露出するので、パワー型の樹脂封止型半
導体装置を実現することができる。
【０１４２】また、第４の実施形態によると、樹脂フイ
ルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信
号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用
リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナル
ランド部６が設けられているため、樹脂フイルム３つま
り樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルラ
ンド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができる
ので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができ
る。
ルム３上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信
号接続用リード５が保持されていると共に各信号接続用
リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナル
ランド部６が設けられているため、樹脂フイルム３つま
り樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルラ
ンド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができる
ので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することができ
る。
【０１４３】また、第４の実施形態によると、従来の吊
りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４
を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よ
りも大きな面積を有する半導体チップ１１を保持でき
る。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの
開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半
導体チップ１１よりも小さくできる。このため、半導体
チップ１１の搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体
装置の裏面における半導体チップ１１の下方にターミナ
ルランド部６を実質的に配置できるので、樹脂封止型半
導体装置を小型化することができる。また、従来の吊り
リードを用いる必要がないため、樹脂封止工程における
樹脂の成形性が向上して、ボイドの発生、或いは、半導
体チップ１１のサイズが大きい場合における封止樹脂の
未充填部分の発生を抑制できるので、樹脂封止型半導体
装置の歩留まりが向上する。また、樹脂封止型半導体装
置における従来の吊りリードに用いられていたスペース
を信号接続用リード５の配置に利用できるので、樹脂封
止型半導体装置に用いられるターミナルランドフレーム
の設計品質を向上させることができる。さらに、従来の
吊りリードを用いる必要がなくなることによって、ダイ
パッド４に搭載される半導体チップ１１のサイズに対す
る制限、或いは、半導体チップ１１と信号接続用リード
５とを接続する金属細線１３に対する制限が緩和される
ため、樹脂封止型半導体装置の製造が容易になって生産
性が向上する。
りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４
を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よ
りも大きな面積を有する半導体チップ１１を保持でき
る。すなわち、ダイパッド４の面積（第１の凹部４ｂの
開口部の面積を含む）を該ダイパッド４に搭載される半
導体チップ１１よりも小さくできる。このため、半導体
チップ１１の搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体
装置の裏面における半導体チップ１１の下方にターミナ
ルランド部６を実質的に配置できるので、樹脂封止型半
導体装置を小型化することができる。また、従来の吊り
リードを用いる必要がないため、樹脂封止工程における
樹脂の成形性が向上して、ボイドの発生、或いは、半導
体チップ１１のサイズが大きい場合における封止樹脂の
未充填部分の発生を抑制できるので、樹脂封止型半導体
装置の歩留まりが向上する。また、樹脂封止型半導体装
置における従来の吊りリードに用いられていたスペース
を信号接続用リード５の配置に利用できるので、樹脂封
止型半導体装置に用いられるターミナルランドフレーム
の設計品質を向上させることができる。さらに、従来の
吊りリードを用いる必要がなくなることによって、ダイ
パッド４に搭載される半導体チップ１１のサイズに対す
る制限、或いは、半導体チップ１１と信号接続用リード
５とを接続する金属細線１３に対する制限が緩和される
ため、樹脂封止型半導体装置の製造が容易になって生産
性が向上する。
【０１４４】また、第４の実施形態によると、ターミナ
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
ると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４が保持されて
いるため、ダイパッド４に半導体チップ１１を搭載して
該半導体チップ１１等を樹脂封止した後、フレーム枠２
等の金属部分を切断することなく樹脂フィルム３を切断
することにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成す
ることができる。また、樹脂フイルム３上に保持された
ダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱
部４ａが設けられていると共に、樹脂フイルム３上に保
持された信号接続用リード５に、樹脂フイルム３の下方
に突出するターミナルランド部６が設けられているの
で、樹脂フイルム３の上面において半導体チップ１１等
を樹脂パッケージ１４により封止するだけで、それぞれ
所定のスタンドオフを有する放熱部４ａ、及びターミナ
ルランド部６つまり下部電極端子が裏面に露出した樹脂
封止型半導体装置を実現することができる。従って、パ
ワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
ると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４が保持されて
いるため、ダイパッド４に半導体チップ１１を搭載して
該半導体チップ１１等を樹脂封止した後、フレーム枠２
等の金属部分を切断することなく樹脂フィルム３を切断
することにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成す
ることができる。また、樹脂フイルム３上に保持された
ダイパッド４に、樹脂フイルム３の下方に突出する放熱
部４ａが設けられていると共に、樹脂フイルム３上に保
持された信号接続用リード５に、樹脂フイルム３の下方
に突出するターミナルランド部６が設けられているの
で、樹脂フイルム３の上面において半導体チップ１１等
を樹脂パッケージ１４により封止するだけで、それぞれ
所定のスタンドオフを有する放熱部４ａ、及びターミナ
ルランド部６つまり下部電極端子が裏面に露出した樹脂
封止型半導体装置を実現することができる。従って、パ
ワー型の樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【０１４５】また、第４の実施形態によると、樹脂フイ
ルム３の下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面よりも
上側に位置していると共に、放熱部４ａの下面及びター
ミナルランド部６の下面がフレーム枠２の補強材２ａの
下面と略同一の平面に位置しているため、ターミナルラ
ンドフレーム１を用いて樹脂封止型半導体装置を製造す
る各工程において、ターミナルランドフレーム１に加わ
る圧力が分散するので、各工程を安定して行なうことが
できる。
ルム３の下面がフレーム枠２の補強材２ａの下面よりも
上側に位置していると共に、放熱部４ａの下面及びター
ミナルランド部６の下面がフレーム枠２の補強材２ａの
下面と略同一の平面に位置しているため、ターミナルラ
ンドフレーム１を用いて樹脂封止型半導体装置を製造す
る各工程において、ターミナルランドフレーム１に加わ
る圧力が分散するので、各工程を安定して行なうことが
できる。
【０１４６】また、第４の実施形態によると、信号接続
用リード５の金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５
ａ以外の他の部分よりも細く加工されていると共に各信
号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４
を取り囲んで一列に並ぶように配置されているため、半
導体チップ１１の電極パッドが多い場合にも、ワイヤー
ボンディング工程を簡単に行なうことができるので、樹
脂封止型半導体装置の製造コストを低減することができ
る。
用リード５の金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５
ａ以外の他の部分よりも細く加工されていると共に各信
号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４
を取り囲んで一列に並ぶように配置されているため、半
導体チップ１１の電極パッドが多い場合にも、ワイヤー
ボンディング工程を簡単に行なうことができるので、樹
脂封止型半導体装置の製造コストを低減することができ
る。
【０１４７】また、第４の実施形態によると、ターミナ
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
ると共に、樹脂フイルム３の上面側において半導体チッ
プ１１等を樹脂パッケージ１４により封止している。こ
のため、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む
事態が阻止される結果、放熱部４ａの表面、及びターミ
ナルランド部６（つまり外部電極端子）の表面に樹脂バ
リが形成されることがないので、ばりとり工程が不要に
なって樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。ま
た、封止金型内においてターミナルランドフレーム１の
下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させな
がら樹脂封止工程を行なっているので、樹脂フイルム３
の下面側に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止でき
る。
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
ると共に、樹脂フイルム３の上面側において半導体チッ
プ１１等を樹脂パッケージ１４により封止している。こ
のため、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む
事態が阻止される結果、放熱部４ａの表面、及びターミ
ナルランド部６（つまり外部電極端子）の表面に樹脂バ
リが形成されることがないので、ばりとり工程が不要に
なって樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。ま
た、封止金型内においてターミナルランドフレーム１の
下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させな
がら樹脂封止工程を行なっているので、樹脂フイルム３
の下面側に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止でき
る。
【０１４８】すなわち、信号接続用リードの下面及びダ
イパッドの下面を露出させる従来のパワー型の樹脂封止
型半導体装置、つまり従来の底面電極露出型の樹脂封止
型半導体装置を製造する場合に行なわれる、ダイパッド
の下面（放熱部の表面）、及び信号接続用リードの下面
（外部電極端子の表面）に形成された樹脂バリをウォー
タージェット等によって除去する複雑な工程が不要にな
るので、樹脂封止型半導体装置の製造工程（特に樹脂封
止型半導体装置を量産する場合）を簡略化することがで
きる。また、従来、ウォータージェット等による樹脂バ
リ除去工程において生じる可能性があった、ターミナル
ランドフレーム上におけるニッケル（Ｎｉ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）又は金（Ａｕ）等の金属メッキ層の剥がれ、
又はターミナルランドフレーム上における不純物の付着
等が防止されるので、樹脂封止工程前に形成される各金
属メッキ層のプリメッキ品質が向上する。
イパッドの下面を露出させる従来のパワー型の樹脂封止
型半導体装置、つまり従来の底面電極露出型の樹脂封止
型半導体装置を製造する場合に行なわれる、ダイパッド
の下面（放熱部の表面）、及び信号接続用リードの下面
（外部電極端子の表面）に形成された樹脂バリをウォー
タージェット等によって除去する複雑な工程が不要にな
るので、樹脂封止型半導体装置の製造工程（特に樹脂封
止型半導体装置を量産する場合）を簡略化することがで
きる。また、従来、ウォータージェット等による樹脂バ
リ除去工程において生じる可能性があった、ターミナル
ランドフレーム上におけるニッケル（Ｎｉ）、パラジウ
ム（Ｐｄ）又は金（Ａｕ）等の金属メッキ層の剥がれ、
又はターミナルランドフレーム上における不純物の付着
等が防止されるので、樹脂封止工程前に形成される各金
属メッキ層のプリメッキ品質が向上する。
【０１４９】ところで、第４の実施形態においては、ウ
ォータージェット等による樹脂バリ除去工程が削減され
る代わりに、ターミナルランドフレーム１の下面と封止
金型との間に封止フィルム１５を介在させて樹脂封止を
行なう工程が新たに必要となる。しかしながら、封止フ
ィルム１５を用いた樹脂封止工程の方が、ウォータージ
ェット等による樹脂バリ除去工程よりもコスト的に安価
であると共に工程管理的にも容易であるため、第４の実
施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の方が従
来の樹脂封止型半導体装置の製造方法よりも確実に工程
を簡略化することができる。特に、従来のウォータージ
ェット等による樹脂バリ除去工程においては、ターミナ
ルランドフレーム上における金属メッキ層の剥がれ、又
はターミナルランドフレーム上における不純物の付着等
の品質上重大なトラブルが発生する一方、第４の実施形
態においては、封止フィルム１５の使用により前記のト
ラブルを確実に阻止できるので、製造工程上の大きな利
点が生じる。
ォータージェット等による樹脂バリ除去工程が削減され
る代わりに、ターミナルランドフレーム１の下面と封止
金型との間に封止フィルム１５を介在させて樹脂封止を
行なう工程が新たに必要となる。しかしながら、封止フ
ィルム１５を用いた樹脂封止工程の方が、ウォータージ
ェット等による樹脂バリ除去工程よりもコスト的に安価
であると共に工程管理的にも容易であるため、第４の実
施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の方が従
来の樹脂封止型半導体装置の製造方法よりも確実に工程
を簡略化することができる。特に、従来のウォータージ
ェット等による樹脂バリ除去工程においては、ターミナ
ルランドフレーム上における金属メッキ層の剥がれ、又
はターミナルランドフレーム上における不純物の付着等
の品質上重大なトラブルが発生する一方、第４の実施形
態においては、封止フィルム１５の使用により前記のト
ラブルを確実に阻止できるので、製造工程上の大きな利
点が生じる。
【０１５０】また、第４の実施形態によると、封止金型
内においてターミナルランドフレーム１の下面と封止金
型との間に封止フィルム１５を介在させながら樹脂封止
工程を行なうため、封止金型の熱によって封止フィルム
１５が軟化すると共に熱収縮するので、封止樹脂の圧力
及び封止金型の締め付け圧力により放熱部４ａ及びター
ミナルランド部６が封止フィルム１５に食い込んで、信
号接続用リード５の下側の空隙が封止フィルム１５によ
り埋められる。従って、信号接続用リード５（ターミナ
ルランド部６を除く）の下面に直接樹脂圧力が加わる事
態が回避されるので、ターミナルランドフレーム１の変
形が防止される。また、放熱部４ａ及びターミナルラン
ド部６における樹脂フィルム３の下方に突出する構造が
保持されるので、放熱部４ａ及びターミナルランド部６
つまり外部電極端子のそれぞれのスタンドオフを確保す
ることができる。
内においてターミナルランドフレーム１の下面と封止金
型との間に封止フィルム１５を介在させながら樹脂封止
工程を行なうため、封止金型の熱によって封止フィルム
１５が軟化すると共に熱収縮するので、封止樹脂の圧力
及び封止金型の締め付け圧力により放熱部４ａ及びター
ミナルランド部６が封止フィルム１５に食い込んで、信
号接続用リード５の下側の空隙が封止フィルム１５によ
り埋められる。従って、信号接続用リード５（ターミナ
ルランド部６を除く）の下面に直接樹脂圧力が加わる事
態が回避されるので、ターミナルランドフレーム１の変
形が防止される。また、放熱部４ａ及びターミナルラン
ド部６における樹脂フィルム３の下方に突出する構造が
保持されるので、放熱部４ａ及びターミナルランド部６
つまり外部電極端子のそれぞれのスタンドオフを確保す
ることができる。
【０１５１】また、第４の実施形態によると、放熱部４
ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及
びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそ
れぞれに形成された第２の凹部５ｂに、樹脂パッケージ
１４を構成する封止樹脂を充填しているため、放熱部４
ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの強度が確保さ
れると共に、樹脂パッケージ１４とダイパッド４及び信
号接続用リード５との密着性が向上する。
ａを含むダイパッド４に形成された第１の凹部４ｂ、及
びターミナルランド部６を含む信号接続用リード５のそ
れぞれに形成された第２の凹部５ｂに、樹脂パッケージ
１４を構成する封止樹脂を充填しているため、放熱部４
ａ及びターミナルランド部６のそれぞれの強度が確保さ
れると共に、樹脂パッケージ１４とダイパッド４及び信
号接続用リード５との密着性が向上する。
【０１５２】尚、第４の実施形態において、ポリイミド
を主成分とし、５０μｍの厚さを有する封止フィルム１
５を用いたが、これに限られず、所望する放熱部４ａの
スタンドオフ又はターミナルランド部６のスタンドオフ
に応じて、所定の硬度又は熱による軟化特性を有する材
質を主成分とし、所定の厚さを有する封止フィルムを選
択して用いることができる。
を主成分とし、５０μｍの厚さを有する封止フィルム１
５を用いたが、これに限られず、所望する放熱部４ａの
スタンドオフ又はターミナルランド部６のスタンドオフ
に応じて、所定の硬度又は熱による軟化特性を有する材
質を主成分とし、所定の厚さを有する封止フィルムを選
択して用いることができる。
【０１５３】また、第１〜第４の実施形態において、本
発明の要旨を越えない範囲において、種々の変形実施が
可能であることはいうまでもない。
発明の要旨を越えない範囲において、種々の変形実施が
可能であることはいうまでもない。
【０１５４】
【発明の効果】本発明によると、半導体チップが発生す
る熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に
露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現
することができる。また、樹脂封止型半導体装置の裏面
に複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に
配置できるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化する
ことができると共に、樹脂封止型半導体装置の裏面にお
ける半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的
に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化する
ことができる。
る熱を放散する放熱部が樹脂封止型半導体装置の裏面に
露出するので、パワー型の樹脂封止型半導体装置を実現
することができる。また、樹脂封止型半導体装置の裏面
に複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレー状に
配置できるので、樹脂封止型半導体装置を多端子化する
ことができると共に、樹脂封止型半導体装置の裏面にお
ける半導体チップの下方にターミナルランド部を実質的
に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型化する
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るターミナルラン
ドフレームを裏面から見た平面図である。
ドフレームを裏面から見た平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るターミナルラン
ドフレームの一部を正面から見た平面図である。
ドフレームの一部を正面から見た平面図である。
【図３】（ａ）は図１におけるＩ−Ｉ線の断面図であ
り、（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係るターミナル
ランドフレームにおけるダイパッドの断面図である。
り、（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係るターミナル
ランドフレームにおけるダイパッドの断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係
るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す
断面図である。
るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す
断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係
るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す
断面図である。
るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す
断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るターミナルラン
ドフレームの製造方法の一工程において、金型を用い
て、信号接続用リードに、樹脂フィルムの下方に突出す
るターミナルランド部を設けている様子を示す断面図で
ある。
ドフレームの製造方法の一工程において、金型を用い
て、信号接続用リードに、樹脂フィルムの下方に突出す
るターミナルランド部を設けている様子を示す断面図で
ある。
【図７】（ａ）は本発明の第３の実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
る一点鎖線に囲まれた領域の拡大図でる。
止型半導体装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）におけ
る一点鎖線に囲まれた領域の拡大図でる。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の平面図である。
体装置の平面図である。
【図９】（ａ）は本発明の第３の実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置を上面から見た斜視図であり、（ｂ）は
第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を下面から
見た斜視図である。
止型半導体装置を上面から見た斜視図であり、（ｂ）は
第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を下面から
見た斜視図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施形態に
係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す状
態図である。
係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す状
態図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法の一工程において、軟化した封止フ
ィルムが、ターミナルランド部同士の間の空隙、フレー
ム枠の補強材とターミナルランド部との間の空隙、及び
放熱部とターミナルランド部との間の空隙を埋めている
様子を示す断面図である。
導体装置の製造方法の一工程において、軟化した封止フ
ィルムが、ターミナルランド部同士の間の空隙、フレー
ム枠の補強材とターミナルランド部との間の空隙、及び
放熱部とターミナルランド部との間の空隙を埋めている
様子を示す断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法により製造された樹脂封止型半導体
装置の断面図である。
導体装置の製造方法により製造された樹脂封止型半導体
装置の断面図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法の一工程において、回転刃を用いて
樹脂パッケージ及びターミナルランドフレームを切断し
て複数個の樹脂封止型半導体装置を生成している様子を
示す斜視図である。
導体装置の製造方法の一工程において、回転刃を用いて
樹脂パッケージ及びターミナルランドフレームを切断し
て複数個の樹脂封止型半導体装置を生成している様子を
示す斜視図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法の一工程において、フレーム枠を切
断することなく樹脂フィルム及び樹脂パッケージを切断
して複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を示
す断面図である。
導体装置の製造方法の一工程において、フレーム枠を切
断することなく樹脂フィルム及び樹脂パッケージを切断
して複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を示
す断面図である。
【図１５】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。
る。
１ ターミナルランドフレーム ２ フレーム枠 ２ａ フレーム枠の補強材 ３ 樹脂フイルム ３ａ 第１の開口部 ３ｂ 第２の開口部 ４ ダイパッド ４ａ 放熱部 ４ｂ 第１の凹部 ５ 信号接続用リード ５ａ 金属細線接続部 ５ｂ 第２の凹部 ６ ターミナルランド部 ７ 金属板 ８ レジスト膜 ８Ａ レジストパターン ９ 金型 １０ 金属積層メッキ １１ 半導体チップ １２ 接着剤 １３ 金属細線 １４ 樹脂パッケージ １５ 封止フィルム １６ 回転刃
Claims (13)
- 【請求項１】 フレーム枠と、 前記フレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うよう
に保持された樹脂フイルムと、 前記樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、 前記樹脂フイルム上に前記ダイパッドを取り囲むように
保持された複数個の信号接続用リードとを備え、 前記ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように前記
樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられ、 前記信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成
されるように前記樹脂フイルムの下方に突出するターミ
ナルランド部が設けられていることを特徴とするターミ
ナルランドフレーム。 - 【請求項２】 前記ダイパッドは、前記第１の凹部の開
口部を含む面積が該ダイパッドに搭載される半導体チッ
プよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のター
ミナルランドフレーム。 - 【請求項３】 前記フレーム枠には、補強材が、その下
面が前記樹脂フイルムの下面よりも下側に位置するよう
に接着され、 前記放熱部及びターミナルランド部は、それぞれその下
面が前記補強材の下面と略同一の平面に位置しているこ
とを特徴とする請求項１に記載のターミナルランドフレ
ーム。 - 【請求項４】 前記信号接続用リードは、前記ダイパッ
ドに搭載される半導体チップと金属細線により接続され
る部分の表面に、前記放熱部及びターミナルランド部の
それぞれの表面と異なるメッキ加工が施されていること
を特徴とする請求項１に記載のターミナルランドフレー
ム。 - 【請求項５】 フレーム枠を構成する金属板の下面に樹
脂フイルムを貼付する樹脂フイルム貼付工程と、 前記樹脂フイルム上において前記金属板を選択的に除去
する加工を行なって、前記樹脂フイルムを保持する前記
フレーム枠、前記樹脂フイルム上に保持されたダイパッ
ド、及び前記樹脂フイルム上に前記ダイパッドを取り囲
むように保持された複数個の信号接続用リードを形成す
る第１の金属板加工工程と、 前記ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように前記
樹脂フイルムの下方に突出する放熱部を設けると共に、
前記信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成
されるように前記樹脂フイルムの下方に突出するターミ
ナルランド部を設ける第２の金属板加工工程とを備えて
いることを特徴とするターミナルランドフレームの製造
方法。 - 【請求項６】 樹脂フイルム上に保持されたダイパッド
と、 前記樹脂フイルム上に前記ダイパッドを取り囲むように
保持された複数個の信号接続用リードと、 前記ダイパッド上に保持された半導体チップと、 前記半導体チップと前記信号接続用リードとを接続する
金属細線と、 前記樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイルム、前
記ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び金
属細線を封止している樹脂パッケージとを備え、 前記ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように前記
樹脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられ、 前記信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が形成
されるように前記樹脂フイルムの下方に突出するターミ
ナルランド部が設けられていることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。 - 【請求項７】 前記放熱部及びターミナルランド部は、
それぞれ前記樹脂フイルムの下方に突出する部分の突出
量が、３０〜１００μｍ程度であることを特徴とする請
求項６に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項８】 前記信号接続用リードは、前記金属細線
が接続される一の部分が該一の部分以外の他の部分より
も細く形成されていると共に各信号接続用リードの前記
一の部分が前記ダイパッドを取り囲んで略一列に並ぶよ
うに配置されていることを特徴とする請求項６に記載の
樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項９】 前記第１の凹部及び第２の凹部には、前
記樹脂パッケージを構成する封止樹脂が充填されている
ことを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項１０】 フレーム枠と、前記フレーム枠に該フ
レーム枠の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイ
ルムと、前記樹脂フイルム上に保持されたダイパッド
と、前記樹脂フイルム上に前記ダイパッドを取り囲むよ
うに保持された複数個の信号接続用リードとを備え、前
記ダイパッドに、第１の凹部が形成されるように前記樹
脂フイルムの下方に突出する放熱部が設けられていると
共に前記信号接続用リードのそれぞれに、第２の凹部が
形成されるように前記樹脂フイルムの下方に突出するタ
ーミナルランド部が設けられているターミナルランドフ
レームを準備する第１の工程と、 前記ダイパッド上に半導体チップを保持する第２の工程
と、 前記半導体チップと前記信号接続用リードとを金属細線
により接続する第３の工程と、 前記樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイルム、前
記ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び金
属細線を樹脂パッケージにより封止する第４の工程と、 前記ターミナルランドフレームを切断する第５の工程と
を備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 - 【請求項１１】 前記第４の工程は、封止金型内におい
て前記ターミナルランドフレームの下面と前記封止金型
との間に封止フィルムを介在させながら、前記封止金型
内に前記樹脂パッケージとなる封止樹脂を流し込む工程
を含むことを特徴とする請求項１０に記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記ターミナルランドフレームは複数
個の前記ダイパッドを備え、 前記第２の工程は、複数個の前記半導体チップを複数個
の前記ダイパッドのそれぞれの上に保持する工程を含
み、 前記第４の工程は、複数個の前記ダイパッド及び複数個
の前記半導体チップを前記樹脂パッケージにより一括し
て封止する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記
載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記第５の工程は、回転刃を用いて前
記フレーム枠を切断することなく前記樹脂フイルム及び
樹脂パッケージを切断する工程を含むことを特徴とする
請求項１２に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30700599A JP3916352B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | ターミナルランドフレーム及びその製造方法、並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30700599A JP3916352B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | ターミナルランドフレーム及びその製造方法、並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127195A true JP2001127195A (ja) | 2001-05-11 |
| JP3916352B2 JP3916352B2 (ja) | 2007-05-16 |
Family
ID=17963881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30700599A Expired - Fee Related JP3916352B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | ターミナルランドフレーム及びその製造方法、並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3916352B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791173B2 (en) | 2002-05-21 | 2004-09-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| KR20120010044A (ko) * | 2010-07-23 | 2012-02-02 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 제조방법과 그에 따른 리드프레임 및 반도체 패키지 제조방법과 그에 따른 반도체 패키지 |
| CN114077175A (zh) * | 2020-08-10 | 2022-02-22 | 江西亿铂电子科技有限公司 | 一种显影盒、鼓盒和图像形成装置 |
-
1999
- 1999-10-28 JP JP30700599A patent/JP3916352B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6791173B2 (en) | 2002-05-21 | 2004-09-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| US7170153B2 (en) | 2002-05-21 | 2007-01-30 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| KR20120010044A (ko) * | 2010-07-23 | 2012-02-02 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드프레임 제조방법과 그에 따른 리드프레임 및 반도체 패키지 제조방법과 그에 따른 반도체 패키지 |
| KR101674537B1 (ko) | 2010-07-23 | 2016-11-09 | 해성디에스 주식회사 | 리드프레임 제조방법과 그에 따른 리드프레임 및 반도체 패키지 제조방법과 그에 따른 반도체 패키지 |
| CN114077175A (zh) * | 2020-08-10 | 2022-02-22 | 江西亿铂电子科技有限公司 | 一种显影盒、鼓盒和图像形成装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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