JP2001127227A - ターミナルランドフレーム及びその製造方法、並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

ターミナルランドフレーム及びその製造方法、並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 樹脂封止型半導体装置を小型化できるように
すると共に多端子化できるようにする。 【解決手段】 樹脂フイルム３上にダイパッド４及びそ
れを取り囲む複数個の信号接続用リード５が保持されて
いる。ダイパッド４上に半導体チップ１１が接着剤１２
を介して保持されていると共に半導体チップ１１と信号
接続用リード５とが金属細線１３により接続されてい
る。樹脂フイルム３の上面側において該樹脂フイルム
３、ダイパッド４、信号接続用リード５、半導体チップ
１１及び金属細線１３等が樹脂パッケージ１４により封
止されている。各信号接続用リード５に、樹脂フイルム
３の下方に突出するターミナルランド部６が設けられて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び
該半導体チップと接続される信号接続用リードを樹脂パ
ッケージにより封止し、信号接続用リードと接続される
ターミナルランド部を外部電極端子として裏面側に有す
る樹脂封止型半導体装置及びその製造方法、並びに該樹
脂封止型半導体装置に用いられるターミナルランドフレ
ーム及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求されているので、半導体部品の小型化及び
薄型化が加速度的に進んでいる。
【０００３】半導体部品の１つである樹脂封止型半導体
装置においては、該半導体装置をプリント基板表面に高
密度に実装するために、現在、半導体チップを封止した
正方形又は長方形の樹脂パッケージの側面にガル・ウイ
ング形状の外部リード端子を多数配置するＱＦＰ（クワ
ッド・フラットパック・パッケージ）が広く使用されて
いる。
【０００４】ところで、最近、半導体チップの高機能化
（高ＬＳＩ化）に伴って、ＱＦＰについては、さらに外
部リード端子数を増やすことが強く望まれている。現
在、ＱＦＰの外形寸法を大きくすることなく外部リード
端子数を増やすために、端子ピッチが０．３ｍｍ程度に
狭ピッチ化されたＱＦＰつまり狭ピッチＱＦＰが一部実
用化されている。
【０００５】しかし、狭ピッチＱＦＰの製造及び実装に
あたっては、その取り扱い時における外部リード端子の
曲がりに起因して、以下のような問題が生じる。 （１）樹脂封止型半導体装置の製造歩留まりが低下す
る。 （２）樹脂封止型半導体装置をプリント基板上に実装す
るときの歩留まりが低下する。 （３）樹脂封止型半導体装置が実装されたプリント基板
の品質低下等を回避するために特別の対策が必要にな
る。
【０００６】そこで、ＱＦＰの外部リード端子に関する
前記の課題を解決するパッケージ技術として、ＢＧＡ
（ボール・グリッド・アレイ）パッケージが開発されて
いる。
【０００７】図１５は、従来の樹脂封止型半導体装置、
具体的にはＢＧＡパッケージ方式（ＢＧＡ型）の樹脂封
止型半導体装置の断面構造を示している。
【０００８】図１５に示すように、半導体チップ１０１
が接着剤１０２を介して両面配線基板１０３の上面に搭
載されている。両面配線基板１０３の上面における半導
体チップ１０１が搭載されていない領域には、上面側配
線パターン１０４Ａが形成されていると共に、両面配線
基板１０３の下面には、下面側配線パターン１０４Ｂが
形成されている。両面配線基板１０３にはスルーホール
１０３ａが形成されており、該スルーホール１０３ａの
壁面に形成されたスルーホール内配線１０４Ｃにより、
上面側配線パターン１０４Ａと下面側配線パターン１０
４Ｂとが電気的に接続されている。
【０００９】また、半導体チップ１０１の上面に形成さ
れた電極パッド１０１ａと上面側配線パターン１０４Ａ
とは、金属細線１０５により電気的に接続されている。
上面側配線パターン１０４Ａ上における金属細線１０５
が接続されている領域以外の他の領域はソルダーレジス
ト１０６により被覆されている。両面配線基板１０３の
上面側において半導体チップ１０１、両面配線基板１０
３及び金属細線１０５等が樹脂パッケージ１０７により
モールドされて保護されている。
【００１０】ところで、下面側配線パターン１０４Ｂの
表面も一部を除いてソルダーレジスト１０６により被覆
されている一方、下面側配線パターン１０４Ｂ上におけ
るソルダーレジスト１０６により被覆されていない領域
には、半田ボール１０８が、ソルダーレジスト１０６の
下方に突出するように形成されている。このとき、半田
ボール１０８は、ソルダーレジスト１０６の下面つまり
樹脂封止半導体装置の裏面にアレイ（格子）状に２次元
的に配置されている。すなわち、ＢＧＡ型の樹脂封止半
導体装置をプリント基板に実装する場合の電気的接続
は、半田ボール１０８を介して行なわれる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図１５に示すＢＧＡ型
の樹脂封止型半導体装置によると、樹脂封止型半導体装
置の裏面に外部電極端子となる半田ボール１０８を２次
元的に配置できるので、ＱＦＰ等における端子ピッチに
対する制限が緩和されて、同一パッケージサイズで比較
すると端子数をＱＦＰよりも大幅に増大できる。
【００１２】しかしながら、ＢＧＡ型の樹脂封止型半導
体装置においては、ＱＦＰ等には見られなかった以下の
ような問題が生じる。 （１）半導体チップを接着して保持する両面配線基板が
必要である。 （２）従来のＱＦＰの製造設備以外の新規製造設備の導
入が不可欠となって新たな設備コスト等が発生する。 （３）両面配線基板として、通常、ガラス・エポキシ樹
脂基板が使用されるため、半導体チップの樹脂接着工程
及び加熱硬化工程における半導体チップに加わる歪み対
策、半導体チップの各電極パッドと両面配線基板上の配
線パターンとをワイヤーボンディングにより電気的に接
続する工程における両面配線基板の反り対策、半導体チ
ップを接着した面側のみを樹脂封止することによる両面
配線基板の反り対策、或いは、両面配線基板の反りが多
少存在する場合における複数の半田ボールの水平面上で
の高さを均一にするための対策等、製造技術上解決すべ
き多くの課題が生じる。 （４）半導体装置の信頼性、特に耐湿性が劣化する可能
性がある。例えば、ガラス・エポキシ樹脂と樹脂パッケ
ージとの界面の密着力が弱い場合、高温高湿試験又はプ
レッシャ・クッカー試験等の環境試験において半導体装
置の品質保証が困難になる。
【００１３】尚、ＢＧＡ型の樹脂封止型半導体装置に関
する前記の諸課題の解決策として、セラミック製の両面
配線基板の使用は非常に有効である一方、該基板のコス
トが高いという欠点がある。
【００１４】また、リードフレームを使用したＢＧＡ型
の樹脂封止型半導体装置も数多く提案されているが、こ
の場合、リードフレームの加工限界に起因して樹脂封止
型半導体装置の裏面にアレー状（格子状）に多数の端子
を配列することができなきため、多端子化が困難にな
る。その結果、リードフレームを使用したＢＧＡ型の樹
脂封止型半導体装置は、小型化の要求にしか応えられな
い。
【００１５】前記に鑑み、本発明は、樹脂封止型半導体
装置を小型化できるようにすると共に多端子化できるよ
うにすることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明に係るターミナルランドフレームは、フレー
ム枠と、フレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆う
ように保持された樹脂フイルムと、樹脂フイルム上に保
持されたダイパッドと、樹脂フイルム上にダイパッドを
取り囲むように保持された複数個の信号接続用リードと
を備え、信号接続用リードのそれぞれに、樹脂フイルム
の下方に突出するターミナルランド部が設けられてい
る。
【００１７】本発明のターミナルランドフレームによる
と、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り囲む複
数個の信号接続用リードが保持されていると共に各信号
接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミナ
ルランド部が設けられているため、複数個のターミナル
ランド部を狭ピッチでアレー状に配置することができ
る。このため、ターミナルランドフレームに多数のター
ミナルランド部を配置できるので、多端子化された樹脂
封止型半導体装置を実現することができる。
【００１８】また、本発明のターミナルランドフレーム
によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムに
よりダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダ
イパッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持
できる。すなわち、ダイパッドの面積を該ダイパッドに
搭載される半導体チップよりも小さくできる。このた
め、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チッ
プの下方にターミナルランド部を実質的に配置できるの
で、小型化された樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができる。
【００１９】また、本発明のターミナルランドフレーム
によると、ターミナルランドフレームのフレーム枠に該
フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイルムが保
持されていると共に樹脂フイルム上にダイパッドが保持
されているため、ダイパッドに半導体チップを搭載して
該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠等の金
属部分を切断することなく樹脂フィルムを切断すること
により、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することが
できる。また、樹脂フイルム上に保持された信号接続用
リードに、樹脂フイルムの下方に突出するターミナルラ
ンド部が設けられているので、ダイパッドに半導体チッ
プを搭載して樹脂フイルムの上面において半導体チップ
等を樹脂封止するだけで、所定のスタンドオフを有する
ターミナルランド部つまり下部電極端子が裏面に露出し
た樹脂封止型半導体装置を実現することができる。従っ
て、本発明のターミナルランドフレームを用いることに
より、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。尚、
スタンドオフとは、樹脂封止型半導体装置の裏面つまり
樹脂フイルムの下方に突出する部分の突出量を意味す
る。
【００２０】本発明のターミナルランドフレームにおい
て、ダイパッドは、その面積が該ダイパッドに搭載され
る半導体チップよりも小さいことが好ましい。
【００２１】このようにすると、例えば、半導体チップ
をダイパッド上に保持するための接着剤の厚さを調節す
ることにより、ダイパッドよりも面積が大きい半導体チ
ップを信号接続用リードの上方に位置させることが可能
となるため、ターミナルランド部が半導体チップの下方
に配置されて、小型化された樹脂封止型半導体装置を確
実に実現することができる。
【００２２】本発明のターミナルランドフレームにおい
て、樹脂フイルムは、その下面がフレーム枠の下面より
も上側に位置し、ターミナルランド部は、その下面がフ
レーム枠の下面と略同一の平面に位置していることが好
ましい。
【００２３】このようにすると、ターミナルランドフレ
ームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する各工程に
おいて、ターミナルランドフレームに加わる圧力が分散
して各工程を安定的に行なえるので、樹脂封止型半導体
装置の生産性が向上する。
【００２４】本発明のターミナルランドフレームにおい
て、信号接続用リードは、ダイパッドに搭載される半導
体チップと金属細線により接続される部分の表面に、タ
ーミナルランド部の表面と異なるメッキ加工が施されて
いることが好ましい。
【００２５】このようにすると、例えば、信号接続用リ
ードにおける金属細線が接続される部分の表面に銀メッ
キを行なうと共に、ターミナルランド部の表面（下面）
に、実装基板とのはんだ接続に適したメッキを行なうこ
とにより、実装基板との接続信頼性が高い高品質の樹脂
封止型半導体装置を実現することができる。
【００２６】本発明に係るターミナルランドフレームの
製造方法は、フレーム枠を構成する金属板の下部を選択
的に除去する加工を行なって、フレーム枠となる部分の
内側の領域に複数個のターミナルランド部を形成する第
１の金属板加工工程と、金属板における第１の金属板加
工工程で薄く加工された領域の下面に、樹脂フイルムを
その下方にターミナルランド部が突出するように貼付す
る樹脂フイルム貼付工程と、金属板における樹脂フイル
ムよりも上側に位置する部分を選択的に除去する加工を
行なって、樹脂フイルムを保持するフレーム枠、樹脂フ
イルム上に保持されたダイパッド、及び樹脂フイルム上
にダイパッドを取り囲むように保持され、ターミナルラ
ンド部のそれぞれと接続された複数個の信号接続用リー
ドを形成する第２の金属板加工工程とを備えている。
【００２７】本発明のターミナルランドフレームの製造
方法によると、ダイパッド及びそれを取り囲む複数個の
信号接続用リードを、それぞれ樹脂フイルム上に保持さ
れるように形成していると共に各信号接続用リードに樹
脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部を設け
ているため、複数個のターミナルランド部を狭ピッチで
アレー状に配置することができる。このため、ターミナ
ルランドフレームに多数のターミナルランド部を配置で
きるので、多端子化された樹脂封止型半導体装置を実現
することができる。
【００２８】また、本発明のターミナルランドフレーム
の製造方法によると、ダイパッドを、従来の吊りリード
に代えて樹脂フィルムにより保持されるように形成して
いるため、ダイパッドに該ダイパッドよりも大きな面積
を有する半導体チップを保持できる。すなわち、ダイパ
ッドの面積を該ダイパッドに搭載される半導体チップよ
りも小さくできる。このため、半導体チップの搭載範囲
を拡大させて、半導体チップの下方にターミナルランド
部を実質的に配置できるので、小型化された樹脂封止型
半導体装置を実現することができる。
【００２９】また、本発明のターミナルランドフレーム
の製造方法によると、フレーム枠を構成する金属板の下
部を選択的に除去してターミナルランド部を形成した
後、該金属板における薄く加工された領域の下面に樹脂
フィルムを、その下方にターミナルランド部が突出する
ように貼付し、その後、該金属板における樹脂フイルム
よりも上側に位置する部分を選択的に除去して、樹脂フ
イルム上に保持され、ターミナルランド部と接続される
信号接続用リードを形成している。このため、信号接続
用リード及びターミナルランド部を容易に微細加工する
ことができると共に、隣接する信号接続用リード同士の
間隔つまり隣接するターミナルランド部同士の間隔を容
易に狭くすることができるので、ターミナルランドフレ
ームを小型化できると共に、ターミナルランド部つまり
外部電極端子の数を増大させることができる。
【００３０】本発明に係る樹脂封止型半導体装置は、樹
脂フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム
上にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信
号接続用リードと、ダイパッド上に保持された半導体チ
ップと、半導体チップと信号接続用リードとを接続する
金属細線と、樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイ
ルム、ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及
び金属細線を封止している樹脂パッケージとを備え、信
号接続用リードのそれぞれに、樹脂フイルムの下方に突
出するターミナルランド部が設けられている。
【００３１】本発明の樹脂封止型半導体装置によると、
樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り囲む複数個
の信号接続用リードが保持されていると共に各信号接続
用リードに樹脂フイルムの下方に突出するターミナルラ
ンド部が設けられているため、樹脂フイルムつまり樹脂
封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部
を狭ピッチでアレー状に配置することができるので、樹
脂封止型半導体装置を多端子化することができる。
【００３２】また、本発明の樹脂封止型半導体装置によ
ると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィルムにより
ダイパッドを保持しているため、ダイパッドに該ダイパ
ッドよりも大きな面積を有する半導体チップを保持でき
る。すなわち、ダイパッドの面積を該ダイパッドに搭載
される半導体チップよりも小さくできる。このため、半
導体チップの搭載範囲を拡大させて、樹脂封止型半導体
装置の裏面における半導体チップの下方にターミナルラ
ンド部を実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装
置を小型化することができる。
【００３３】また、本発明の樹脂封止型半導体装置によ
ると、ターミナルランド部が樹脂フィルムつまり樹脂封
止型半導体装置の裏面から突出しているため、ターミナ
ルランド部と実装基板の電極とを接合して樹脂封止型半
導体装置を実装基板に実装するときに、ターミナルラン
ド部のスタンドオフを予め確保しておくことができる。
このため、ターミナルランド部をそのまま外部電極端子
として用いることができると共に、例えばターミナルラ
ンド部を形成するためのエッチング量、又は樹脂フィル
ムの厚さ等を制御することにより、ターミナルランド部
のスタンドオフを容易に変更することができる。従っ
て、樹脂封止型半導体装置を実装基板に実装するときに
半田ボールを付設することなく、ターミナルランド部と
実装基板の電極との接続信頼性を向上させることができ
るので、樹脂封止型半導体装置の製造工数及び製造コス
トを低減させることができる。
【００３４】また、本発明の樹脂封止型半導体装置によ
ると、樹脂パッケージと樹脂フィルムとの密着性が良い
ため、樹脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事
態が防止されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が
向上する。
【００３５】本発明の樹脂封止型半導体装置において、
ターミナルランド部は、樹脂フイルムの下方に突出する
部分の突出量つまりスタンドオフが、３０〜８０μｍ程
度であることが好ましい。
【００３６】このようにすると、樹脂封止型半導体装置
を実装基板に実装するときの接続強度が確実に向上す
る。
【００３７】本発明の樹脂封止型半導体装置において、
信号接続用リードは、金属細線が接続される一の部分が
該一の部分以外の他の部分よりも細く形成されていると
共に各信号接続用リードの一の部分がダイパッドを取り
囲んで略一列に並ぶように配置されていることが好まし
い。
【００３８】このようにすると、半導体チップの電極パ
ッドが多い場合にも、ワイヤーボンディング工程を簡単
に行なうことができる。
【００３９】本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、フレーム枠と、フレーム枠に該フレーム枠の内
側の領域を覆うように保持された樹脂フイルムと、樹脂
フイルム上に保持されたダイパッドと、樹脂フイルム上
にダイパッドを取り囲むように保持された複数個の信号
接続用リードとを備え、信号接続用リードのそれぞれ
に、樹脂フイルムの下方に突出するターミナルランド部
が設けられているターミナルランドフレームを準備する
第１の工程と、ダイパッド上に半導体チップを保持する
第２の工程と、半導体チップと信号接続用リードとを金
属細線により接続する第３の工程と、樹脂フイルムの上
面側において該樹脂フイルム、ダイパッド、信号接続用
リード、半導体チップ及び金属細線を樹脂パッケージに
より封止する第４の工程と、ターミナルランドフレーム
を切断する第５の工程とを備えている。
【００４０】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
によると、樹脂フイルム上にダイパッド及びそれを取り
囲む複数個の信号接続用リードが保持されていると共に
各信号接続用リードに樹脂フイルムの下方に突出するタ
ーミナルランド部が設けられているため、樹脂フイルム
つまり樹脂封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナ
ルランド部を狭ピッチでアレー状に配置することができ
るので、樹脂封止型半導体装置を多端子化することがで
きる。
【００４１】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によると、従来の吊りリードに代えて、樹脂フィ
ルムによりダイパッドを保持しているため、ダイパッド
に該ダイパッドよりも大きな面積を有する半導体チップ
を保持できる。すなわち、ダイパッドの面積を該ダイパ
ッドに搭載される半導体チップよりも小さくできる。こ
のため、半導体チップの搭載範囲を拡大させて、樹脂封
止型半導体装置の裏面における半導体チップの下方にタ
ーミナルランド部を実質的に配置できるので、樹脂封止
型半導体装置を小型化することができる。また、従来の
吊りリードを用いる必要がないため、樹脂封止工程にお
ける樹脂の成形性が向上して、ボイドの発生、或いは、
半導体チップのサイズが大きい場合における封止樹脂の
未充填部分の発生を抑制できるので、樹脂封止型半導体
装置の歩留まりが向上する。また、樹脂封止型半導体装
置における従来の吊りリードに用いられていたスペース
を信号接続用リードの配置に利用できるので、樹脂封止
型半導体装置に用いられるターミナルランドフレームの
設計品質を向上させることができる。さらに、従来の吊
りリードを用いる必要がなくなることによって、ダイパ
ッドに搭載される半導体チップのサイズに対する制限、
或いは、半導体チップと信号接続用リードとを接続する
金属細線に対する制限が緩和されるため、樹脂封止型半
導体装置の製造が容易になって生産性が向上する。
【００４２】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によると、ターミナルランドフレームのフレーム
枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイル
ムが保持されていると共に樹脂フイルム上にダイパッド
が保持されているため、ダイパッドに半導体チップを搭
載して該半導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠
等の金属部分を切断することなく樹脂フィルムを切断す
ることにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成する
ことができる。また、樹脂フイルム上に保持された信号
接続用リードに、樹脂フイルムの下方に突出するターミ
ナルランド部が設けられているので、樹脂フイルムの上
面においてダイパッドに搭載された半導体チップ等を樹
脂パッケージにより封止するだけで、所定のスタンドオ
フを有するターミナルランド部つまり下部電極端子が裏
面に露出した樹脂封止型半導体装置を形成することがで
きる。従って、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上す
る。
【００４３】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法によると、ターミナルランドフレームのフレーム
枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うように樹脂フイル
ムが保持されていると共に、樹脂フイルムの上面側にお
いて半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止してい
る。このため、樹脂フイルムの下面側に封止樹脂が回り
込む事態が阻止される結果、ターミナルランド部つまり
外部電極端子の表面に樹脂バリが形成されることがない
ので、ばりとり工程が不要になって樹脂封止型半導体装
置の生産性が向上する。
【００４４】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
において、第４の工程は、封止金型内においてターミナ
ルランドフレームの下面と封止金型との間に封止フィル
ムを介在させながら、封止金型内に樹脂パッケージとな
る封止樹脂を流し込む工程を含むことが好ましい。
【００４５】このようにすると、樹脂フイルムの下面側
に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止できる。また、
封止金型の熱によって封止フィルムが軟化すると共に熱
収縮するので、封止樹脂の圧力及び封止金型の締め付け
圧力によりターミナルランド部が封止フィルムに食い込
んで、ダイパッドの下側の空隙及び信号接続用リードの
下側の空隙が封止フィルムにより埋められる。従って、
ダイパッドの下面及び信号接続用リード（ターミナルラ
ンド部を除く）の下面に直接樹脂圧力が加わる事態が回
避されるので、ターミナルランドフレームの変形が防止
される。さらに、ターミナルランド部における樹脂フィ
ルムの下方に突出する構造が保持されるので、ターミナ
ルランド部つまり外部電極端子のスタンドオフを確保す
ることができる。
【００４６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
において、ターミナルランドフレームは複数個のダイパ
ッドを備え、第２の工程は、複数個の半導体チップを複
数個のダイパッドのそれぞれの上に保持する工程を含
み、第４の工程は、複数個のダイパッド及び複数個の半
導体チップを樹脂パッケージにより一括して封止する工
程を含むことが好ましい。
【００４７】このようにすると、樹脂封止型半導体装置
の生産性が向上する。また、第４の工程で封止金型内に
おいてターミナルランドフレームの下面と封止金型との
間に封止フィルムを介在させながら樹脂封止を行なう場
合には、ダイパッドの下側の空隙及び信号接続用リード
の下側の空隙が封止フィルムにより埋められるため、封
止金型の表面におけるダイパッドの下側に凸部を設ける
必要がなくなって封止金型の共用化が可能となる。従っ
て、大型キャビテーを使用することにより複数個のダイ
パッド及び複数個の半導体チップを樹脂パッケージによ
り一括して容易に封止することができる。
【００４８】また、この場合、第５の工程は、回転刃を
用いてフレーム枠を切断することなく樹脂フイルム及び
樹脂パッケージを切断する工程を含むことが好ましい。
【００４９】このようにすると、ターミナルランドフレ
ームの切断が容易になるので、樹脂封止型半導体装置の
生産性が向上する。
【００５０】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係るターミナルランドフレームにつ
いて、図面を参照しながら説明する。尚、第１の実施形
態に係るターミナルランドフレームにおいては、複数個
のパターン（ダイパッドとそれを取り囲む複数個の信号
接続用リードとの組み合わせ）が２次元的に配置されて
いるものとする。
【００５１】図１は第１の実施形態に係るターミナルラ
ンドフレームを裏面から見た平面図であり、図２は第１
の実施形態に係るターミナルランドフレームの一部を正
面から見た平面図（拡大図）であり、図３（ａ）は図１
におけるＩ−Ｉ線の断面図であり、図３（ｂ）は第１の
実施形態に係るターミナルランドフレームにおけるダイ
パッドの断面図である。尚、図２において、第１の実施
形態に係るターミナルランドフレームを用いて樹脂封止
型半導体装置（複数個）が製造されたときの一の樹脂封
止型半導体装置の外形位置を一点鎖線で示している。
【００５２】図１〜図３に示すように、ターミナルラン
ドフレーム１のフレーム枠２には、該フレーム枠２の内
側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
る。このとき、樹脂フイルム３は、その下面がフレーム
枠２の下面よりも上側に位置している。言い換えると、
フレーム枠２の下部２ａは、樹脂フイルム３よりも下方
に突出している。具体的には、フレーム枠２は該フレー
ム枠２の内側方向に突出するオーバーハング部２ｂを有
していると共に、該オーバーハング部２ｂの下面に樹脂
フイルム３が接着されて保持されている。
【００５３】また、樹脂フィルム３上には、フレーム枠
２よりも厚さが薄い半導体チップ搭載用の複数個のダイ
パッド４と、各ダイパッド４を取り囲むように配置さ
れ、ダイパッド４と厚さが同等の複数個の信号接続用リ
ード５とが保持されている。尚、信号接続用リード５
は、金属細線（信号接続用リード５と、ダイパッド４に
搭載される半導体チップとを電気的に接続する）が接続
される金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５ａ以外
の他の部分よりも細く形成されていると共に各信号接続
用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り
囲んで一列に並ぶように配置されている。
【００５４】さらに、各信号接続用リード５には、樹脂
フィルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設
けられている。すなわち、各信号接続用リード５におけ
るターミナルランド部６を除く部分（金属細線接続部５
ａ等）の下面には、樹脂フィルム３が接着されている。
各ターミナルランド部６は実装基板に接続され、電気信
号を外部に伝達する外部電極端子として働く。ターミナ
ルランド部６の下面とフレーム枠２の下面とは略同一の
平面に位置している。
【００５５】具体的には、各ターミナルランド部６の断
面形状と略同一の形状を有する開口部が設けられた樹脂
フィルム３が、該開口部とターミナルランド部６とを位
置合わせしてフレーム枠２のオーバーハング部２ｂ、ダ
イパッド４及び信号接続用リード５（ターミナルランド
部６を除く）のそれぞれの下面に接着されている。尚、
各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけるダ
イパッド４が保持されている領域以外の他の領域の下に
アレー状に配置されている。言い換えると、各信号接続
用リード５におけるターミナルランド部６が接続されて
いる部分は、樹脂フイルム３におけるダイパッド４が保
持されている領域以外の他の領域の上にアレー状に配置
されている。
【００５６】ところで、図示は省略しているが、少なく
ともダイパッド４、信号接続用リード５及びターミナル
ランド部６のそれぞれの表面における所定の領域には、
金又はパラジュウム等の金属メッキが施されている。こ
れにより、所定のスタンドオフを有するターミナルラン
ド部６つまり外部電極端子を、半田ボールを用いること
なく実装基板に接続することができるので、実装基板と
の接続信頼性が高い小型で安価な樹脂封止型半導体装置
を実現することができる。このとき、信号接続用リード
５の表面（金属細線接続部５ａ）には、例えば銀メッキ
を行なうと共に、ターミナルランド部６の表面（下面）
には、実装基板とのはんだ接続に適したメッキを行なう
ことにより、言い換えると、信号接続用リード５の表面
とターミナルランド部６の表面とに互いに異なるメッキ
加工を行なうことにより、高品質の樹脂封止型半導体装
置を実現することができる。
【００５７】第１の実施形態によると、樹脂フイルム３
上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信号接続
用リード５が保持されていると共に各信号接続用リード
５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド
部６が設けられているため、複数個のターミナルランド
部６を狭ピッチでアレー状に配置することができる。こ
のため、ターミナルランドフレーム１に多数のターミナ
ルランド部６を配置できるので、多端子化された樹脂封
止型半導体装置を実現することができる。
【００５８】また、第１の実施形態によると、従来の吊
りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４
を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よ
りも大きな面積を有する半導体チップを保持できる。す
なわち、ダイパッド４の面積を該ダイパッド４に搭載さ
れる半導体チップよりも小さくできる。このため、半導
体チップの搭載範囲を拡大させて、半導体チップの下方
にターミナルランド部６を実質的に配置できるので、小
型化された樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。具体的には、例えば、半導体チップをダイパッド４
上に保持するための接着剤の厚さを調節することによ
り、ダイパッド４よりも面積が大きい半導体チップを信
号接続用リード５の上方に位置させることが可能となる
ため、ターミナルランド部６が半導体チップの下方に配
置されて、小型化された樹脂封止型半導体装置を確実に
実現することができる。
【００５９】また、第１の実施形態によると、ターミナ
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
ると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４が保持されて
いるため、ダイパッド４に半導体チップを搭載して該半
導体チップ等を樹脂封止した後、フレーム枠２等の金属
部分を切断することなく樹脂フィルム３を切断すること
により、樹脂封止型半導体装置を容易に生成することが
できる。また、樹脂フイルム３上に保持された信号接続
用リード５に、樹脂フイルム３の下方に突出するターミ
ナルランド部６が設けられているので、樹脂フイルム３
の上面において半導体チップ等を樹脂パッケージにより
封止するだけで、所定のスタンドオフを有するターミナ
ルランド部６つまり下部電極端子が裏面に露出した樹脂
封止型半導体装置を実現することができる。従って、第
１の実施形態に係るターミナルランドフレームを用いる
ことにより、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上す
る。
【００６０】また、第１の実施形態によると、ターミナ
ルランドフレーム１のフレーム枠２が従来のリードフレ
ームと同等の厚みを有しているため、半導体装置の製造
工程においてジグ等を用いることなくターミナルランド
フレーム１を搬送できるので、半導体装置の製造工程が
ＱＦＰ等の場合と同様に簡単になる。
【００６１】また、第１の実施形態によると、信号接続
用リード５が樹脂フィルム３上に保持されていると共に
信号接続用リード５に樹脂フィルム３の下方に突出する
ターミナルランド部６が設けられているため、例えば、
フレーム枠２を構成する金属板の下部を選択的に除去し
てターミナルランド部６を形成した後、該金属板におけ
る薄く加工された領域の下面に、樹脂フイルム３を、そ
の下方にターミナルランド部６が突出するように貼付
し、その後、該金属板における樹脂フイルム３よりも上
側に位置する部分を選択的に除去して、樹脂フイルム３
上に保持され、ターミナルランド部６と接続される信号
接続用リード５を形成することができる。このため、信
号接続用リード５及びターミナルランド部６を容易に微
細加工することができると共に、隣接する信号接続用リ
ード５同士の間隔つまり隣接するターミナルランド部６
同士の間隔を容易に狭くすることができるので、ターミ
ナルランドフレーム１を小型化できると共に、ターミナ
ルランド部６つまり外部電極端子の数を増大させること
ができる。
【００６２】また、第１の実施形態によると、ターミナ
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うよう樹脂フイルム３が保持されている
と共に樹脂フイルム３上にダイパッド４及び信号接続用
リード５が保持されているため、ダイパッド４に半導体
チップを搭載した後、樹脂フイルム３の上面側において
半導体チップ等を樹脂パッケージにより封止することに
より、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む事
態を阻止することができる。このため、ターミナルラン
ド部６の表面に、樹脂バリ（樹脂封止の際に発生する残
余樹脂であり、樹脂パッケージの成形上不必要な部分）
が形成されることを防止できるので、ばりとり工程が不
要になる。すなわち、第１の実施形態に係るターミナル
ランドフレームつまりターミナルランドフレーム１は、
樹脂封止の際に封止樹脂の流出を止めるタイバーが設け
られていないターミナルランドフレームである。また、
樹脂封止工程において用いられる封止金型の片方が封止
樹脂と接することがないため、離型のための押し出しピ
ン、又は樹脂の金型変形を防止する焼き入れに用いられ
る金型等の構造を単純化することができる。さらに、樹
脂封止後は、樹脂パッケージ（の下面）と樹脂フィルム
３（の上面）との密着性が良いため、樹脂封止型半導体
装置の内部に水分が進入する事態が防止されるので、樹
脂封止型半導体装置の耐湿性が向上する。
【００６３】また、第１の実施形態によると、ターミナ
ルランド部６が樹脂フィルム３の下方に突出しているた
め、例えば樹脂フィルム３の厚さを調節することにより
ターミナルランド部６のスタンドオフを高くすることが
できるので、言い換えると、ターミナルランド部６のス
タンドオフを容易に確保することができるので、樹脂封
止型半導体装置を基板実装する時の接続強度が向上す
る。
【００６４】また、第１の実施形態によると、樹脂フイ
ルム３の下面がフレーム枠２の下面よりも上側に位置し
ていると共にターミナルランド部６の下面がフレーム枠
２の下面と略同一の平面に位置しているため、ターミナ
ルランドフレーム１を用いて樹脂封止型半導体装置を製
造する各工程において、ターミナルランドフレーム１に
加わる圧力が分散して各工程を安定的に行なえるので、
樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。具体的に
は、例えば、樹脂封止工程を行なう場合、ターミナルラ
ンドフレーム１に加わる封止樹脂の圧力が分散するの
で、言い換えると、フレーム枠２よりも薄く形成されて
いるダイパッド４及び信号接続用リード５（ターミナル
ランド部６を除く）に封止樹脂の圧力が集中する事態が
回避されるので、樹脂封止工程を安定的に行なうことが
できる。
【００６５】尚、第１の実施形態において、ターミナル
ランド部６の断面形状としては、丸形に限られず、矩形
等の多角形を用いてもよい。
【００６６】また、第１の実施形態において、樹脂フィ
ルム３としては、樹脂封止時における高温環境に耐性が
ある材料、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
イミド又はポリカーボネート等を主成分とする樹脂をベ
ースとし、片面に接着剤を有するテープ等を用いること
が好ましい。
【００６７】また、第１の実施形態において、ターミナ
ルランドフレーム１には複数個のパターンが２次元的
に、具体的には、上下左右に連続して配置されていた
が、これに限られず、ターミナルランドフレーム１に配
置されるパターンの数や配置方法を適宜選択することが
できる。
【００６８】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係るターミナルランドフレームの製造方法に
ついて、図４（ａ）〜（ｄ）、図５（ａ）〜（ｄ）及び
図６（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明する。尚、第２
の実施形態においては、図１〜図３に示す第１の実施形
態に係るターミナルランドフレームと同一の部材には同
一の符号を付す。
【００６９】まず、図４（ａ）に示す第１の工程におい
て、ターミナルランドフレームのフレーム枠を構成す
る、例えば銅材等の金属板７の表面（上面、下面及び側
面）に第１のレジスト膜８を形成する。
【００７０】次に、図４（ｂ）に示す第２の工程におい
て、第１のレジスト膜８の所定の領域を除去して、金属
板７の上面及び側面、並びに金属板７の下面におけるフ
レーム枠形成領域及びターミナルランド部形成領域を覆
う第１のレジストパターン８Ａを形成する。
【００７１】次に、図４（ｃ）に示す第３の工程におい
て、第１のレジストパターン８Ａをマスクとして金属板
７の下部に対してエッチングを行なって、フレーム枠と
なる部分の内側の領域に複数個のターミナルランド部６
を形成する。このとき、フレーム枠となる部分に該フレ
ーム枠の下部２ａを同時に形成する。尚、ターミナルラ
ンド部６は、ダイパッド４（図５（ｄ）参照）が形成さ
れる領域以外の他の領域にアレー状に配置されている。
また、ターミナルランド部６の下面とフレーム枠となる
部分（下部２ａ）の下面とは略同一の平面に位置してい
る。
【００７２】次に、図４（ｄ）に示す第４の工程におい
て、第１のレジストパターン８Ａを除去した後、図５
（ａ）に示す第５の工程において、金属板７におけるエ
ッチングにより薄く加工された領域の下面に樹脂フィル
ム３を、該樹脂フィルム３に貼付された接着剤を用いて
高温下で接続する。具体的には、ターミナルランド部６
の断面形状と略同一の形状を有する開口部が設けられた
樹脂フィルム３が、その下方にターミナルランド部６が
突出するように樹脂フィルム３の開口部とターミナルラ
ンド部６とを位置合わせして金属板７に接着されてい
る。すなわち、樹脂フィルム３の下面は、ターミナルラ
ンド部６の下面又はフレーム枠となる部分（下部２ａ）
の下面よりも上側に位置している。
【００７３】尚、樹脂フィルム３としては、例えば、基
材がポリイミドであり、且つ貼付される接着剤がエポキ
シ系の接着剤である樹脂フイルム等を用いることができ
る。
【００７４】次に、図５（ｂ）に示す第６の工程におい
て、ターミナルランド部６が形成された金属板７の表面
（樹脂フィルム３が接着されている領域以外の領域）に
第２のレジスト膜９を形成する。
【００７５】次に、図５（ｃ）に示す第７の工程におい
て、第２のレジスト膜９の所定の領域を除去して、金属
板７の上面におけるフレーム枠形成領域、ダイパッド形
成領域及び信号接続用リード形成領域、並びに金属板７
の側面及び下面（樹脂フィルム３が接着されている領域
以外の領域）を覆う第２のレジストパターン９Ａを形成
する。
【００７６】次に、図５（ｄ）に示す第８の工程におい
て、第２のレジストパターン９Ａをマスクとして金属板
７における樹脂フイルム３よりも上側に位置する部分に
対してエッチングを行なって、樹脂フイルム３を保持す
るフレーム枠２、樹脂フイルム３上に保持されたダイパ
ッド４、及び樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲
むように保持され、ターミナルランド部６のそれぞれと
接続された複数個の信号接続用リード５を形成する。
尚、フレーム枠２には該フレーム枠２の内側方向に突出
するオーバーハング部２ｂが形成されており、該オーバ
ーハング部２ｂの下面に樹脂フイルム３が接着されてい
る。また、各信号接続用リード５におけるターミナルラ
ンド部６が接続されている部分は、樹脂フイルム３にお
けるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域
の上にアレー状に配置されていると共に、各信号接続用
リード５におけるターミナルランド部６を除く部分の下
面に樹脂フイルム３が接着されている。
【００７７】次に、図６（ａ）に示す第９の工程におい
て、第２のレジストパターン９Ａを除去した後、図６
（ｂ）に示す第１０の工程において、信号接続用リード
５及びターミナルランド部６のそれぞれの表面における
所定の領域に、パラジウム、銀又は金等を用いた金属積
層メッキ１０を形成する。
【００７８】以上に説明したように、第２の実施形態に
よると、第１の実施形態に係るターミナルランドフレー
ム、具体的には、フレーム枠２と、フレーム枠２に該フ
レーム枠２の内側の領域を覆うように保持された樹脂フ
イルム３と、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッド
４と、樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むよう
に保持された複数個の信号接続用リード５とを備え、信
号接続用リード５のそれぞれに、樹脂フイルム３の下方
に突出するターミナルランド部６が設けられているター
ミナルランドフレームを形成することができる。
【００７９】すなわち、ダイパッド４及びそれを取り囲
む複数個の信号接続用リード５を、それぞれ樹脂フイル
ム３上に保持されるように形成していると共に各信号接
続用リード５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミ
ナルランド部６を設けているため、複数個のターミナル
ランド部６を狭ピッチでアレー状に配置することができ
る。このため、ターミナルランドフレーム１に多数のタ
ーミナルランド部６を配置できるので、多端子化された
樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また、
ダイパッド４を、従来の吊りリードに代えて樹脂フィル
ム３により保持されるように形成しているため、ダイパ
ッド４に該ダイパッド４よりも大きな面積を有する半導
体チップを保持できる。すなわち、ダイパッド４の面積
を該ダイパッド４に搭載される半導体チップよりも小さ
くできる。このため、半導体チップの搭載範囲を拡大さ
せて、半導体チップの下方にターミナルランド部６を実
質的に配置できるので、小型化された樹脂封止型半導体
装置を実現することができる。
【００８０】また、第２の実施形態によると、金属板７
の下部を選択的に除去してターミナルランド部６を形成
した後、該金属板７における薄く加工された領域の下面
に樹脂フィルム３を、その下方にターミナルランド部６
が突出するように貼付し、その後、該金属板７における
樹脂フイルム３よりも上側に位置する部分を選択的に除
去して、樹脂フイルム３上に保持され、ターミナルラン
ド部６と接続される信号接続用リード５を形成してい
る。このため、信号接続用リード５及びターミナルラン
ド部６を容易に微細加工することができると共に、隣接
する信号接続用リード５同士の間隔つまり隣接するター
ミナルランド部６同士の間隔を容易に狭くすることがで
きるので、ターミナルランドフレームを小型化できると
共に、ターミナルランド部６つまり外部電極端子の数を
増大させることができる。具体的には、例えば、金属板
７における薄く加工される領域の厚さ（つまりダイパッ
ド４及び信号接続用リード５の厚さ）を２０〜８０μｍ
にした場合、該領域つまり金属板７における樹脂フイル
ム３よりも上側に位置する部分を選択的に除去すること
によって、信号接続用リード５を、隣接する信号接続用
リード５同士の間隔が２０〜７０μｍになるように形成
することができる。また、信号接続用リード５の金属細
線接続部５ａ（図２参照）を該金属細線接続部５ａ以外
の他の部分よりも細く形成できると共に各信号接続用リ
ード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４を取り囲ん
で一列に並ぶように配置できるので、樹脂封止型半導体
装置の製造におけるワイヤーボンディング工程を簡単に
行なうことができる。
【００８１】また、第２の実施形態によると、樹脂フイ
ルム３の下面がフレーム枠２の下面よりも上側に位置し
ていると共にターミナルランド部６の下面がフレーム枠
２の下面と略同一の平面に位置しているため、ターミナ
ルランドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造
する各工程において、ターミナルランドフレームに加わ
る圧力が分散するので、各工程を安定して行なうことが
できる。
【００８２】また、第２の実施形態によると、ターミナ
ルランドフレームのフレーム枠２が従来のリードフレー
ムと同等の厚みを有しているため、ターミナルランドフ
レームの製造工程及び搬送工程が安定するので、ターミ
ナルランドフレームの生産性が向上する。
【００８３】また、第２の実施形態によると、金属板７
の下部をエッチングにより選択的に除去してターミナル
ランド部６を形成しているため、エッチング量の制御に
よりターミナルランド部６のスタンドオフを決定するこ
とができる。このため、狭ピッチでターミナルランド部
６を形成する場合にも、ターミナルランド部６のスタン
ドオフを高くすることができるので、基板実装時の接続
強度が高い樹脂封止型半導体装置を実現できる。
【００８４】尚、第２の実施形態において、樹脂フィル
ム３の厚さが約５０μｍ、ターミナルランド部６のスタ
ンドオフが約５０μｍ、ダイパッド４の厚さ及び信号接
続用リード５（ターミナルランド部６を除く）の厚さが
約２５μｍのターミナルランドフレームを製造したが、
ダイパッド４、信号接続用リード５及び樹脂フィルム３
のそれぞれの厚さ、並びにターミナルランド部６のスタ
ンドオフはこれらに限られるものではない。但し、ター
ミナルランド部６のスタンドオフは３０〜８０μｍ程度
が好ましい。
【００８５】また、第２の実施形態において、第１０の
工程つまり最後の工程で金属層のメッキ処理を行なった
が、これに限られず、例えば、第５の工程で樹脂フィル
ム３の貼付を行なう前にメッキ処理を行なってもよい。
このようにすると、樹脂フィルム３がメッキ液により劣
化する事態を回避できるので、ターミナルランドフレー
ムの品質が向上すると共にメッキ処理に用いるメッキ液
の種類に対する制約が減少する。
【００８６】また、第２の実施形態において、第１０の
工程で信号接続用リード５及びターミナルランド部６の
それぞれの表面における所定の領域に、パラジウム、銀
又は金等を用いた金属積層メッキ１０を形成したが、こ
れに代えて、信号接続用リード５の表面（金属細線接続
部５ａ）には、例えば銀メッキを行なうと共に、ターミ
ナルランド部６の表面（下面）には、実装基板とのはん
だ接続に適したメッキを行なってもよい。言い換える
と、信号接続用リード５の表面とターミナルランド部６
の表面とに互いに異なるメッキ加工を行なってもよい。
このようにすると、高品質の樹脂封止型半導体装置を実
現することができる。
【００８７】また、第２の実施形態において、第５の工
程で樹脂フィルム３の貼付を行なったが、これに限られ
ず、例えば、第１０の工程で金属層のメッキ処理を行な
った後に樹脂フィルム３の貼付を行なってもよい。すな
わち、樹脂フィルム３の貼付を行なうタイミングは、タ
ーミナルランド部６の数、製造される樹脂封止型半導体
装置の大きさ、又は樹脂フィルム３とフレーム枠２との
接続方法等に基づき最適化される。
【００８８】また、第２の実施形態において、第１〜１
０の工程を順次実施したが、これに限られず、各工程を
適宜組み合わせて実施することができる。
【００８９】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置について、図面を
参照しながら説明する。尚、第３の実施形態に係る樹脂
封止型半導体装置は、第１の実施形態に係るターミナル
ランドフレームを用いて製造されている。また、第３の
実施形態において、図１〜図３に示す第１の実施形態に
係るターミナルランドフレームと同一の部材には同一の
符号を付す。
【００９０】図７は第３の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の断面図であり、図８は第３の実施形態に係る
樹脂封止型半導体装置の平面図（樹脂パッケージは透明
体として外形のみを示している）である。
【００９１】図７及び図８に示すように、樹脂フィルム
３上にはダイパッド４、及びその周囲を取り囲むように
配置された複数個の信号接続用リード５が保持されてい
る。ダイパッド４上には、複数個の電極パッド（図示せ
ず）を有する半導体チップ１１が接着剤１２を介して保
持されている。半導体チップ１１の各電極パッドと、対
応する信号接続用リード５とは金属細線１３により電気
的に接続されている。尚、信号接続用リード５は、金属
細線１３が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線
接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると
共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイ
パッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置されてい
る。
【００９２】また、樹脂フィルム３の上面側において該
樹脂フィルム３、ダイパッド４、信号接続用リード５、
半導体チップ１１及び金属細線１３等が樹脂パッケージ
１４により封止されている。
【００９３】さらに、各信号接続用リード５には、樹脂
フィルム３の下方に突出するターミナルランド部６が設
けられている。すなわち、ダイパッド４の下面、及び各
信号接続用リード５におけるターミナルランド部６を除
く部分（金属細線接続部５ａ等）の下面には、樹脂フィ
ルム３が接着されている。各ターミナルランド部６は実
装基板に接続され、電気信号を外部に伝達する外部電極
端子として働く。尚、各ターミナルランド部６は、樹脂
フイルム３におけるダイパッド４が保持されている領域
以外の他の領域の下にアレー状に配置されている。言い
換えると、各信号接続用リード５におけるターミナルラ
ンド部６が接続されている部分は、樹脂フイルム３にお
けるダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域
の上にアレー状に配置されている。
【００９４】図９（ａ）は第３の実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置を上面から見た斜視図であり、図９
（ｂ）は第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を
下面から見た斜視図である。
【００９５】図９（ｂ）に示すように、樹脂封止型半導
体装置の裏面は樹脂フィルム３により覆われている一
方、ターミナルランド部６が樹脂封止型半導体装置の裏
面から突出している。
【００９６】第３の実施形態によると、樹脂フイルム３
上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信号接続
用リード５が保持されていると共に各信号接続用リード
５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド
部６が設けられているため、樹脂フイルム３つまり樹脂
封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部
６を狭ピッチでアレー状に配置することができるので、
樹脂封止型半導体装置を多端子化することができる。
【００９７】また、第３の実施形態によると、従来の吊
りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４
を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よ
りも大きな面積を有する半導体チップ１１を保持でき
る。すなわち、ダイパッド４の面積を該ダイパッド４に
搭載される半導体チップ１１よりも小さくできる。この
ため、半導体チップ１１の搭載範囲を拡大させて、樹脂
封止型半導体装置の裏面における半導体チップ１１の下
方にターミナルランド部６を実質的に配置できるので、
樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。ま
た、樹脂封止型半導体装置の製造工程における吊りリー
ドの変形に起因する製造上の従来の問題が回避されるの
で、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。
【００９８】また、第３の実施形態によると、ターミナ
ルランド部６が樹脂フィルム３の下方に突出しているた
め、言い換えると、ターミナルランド部６が樹脂封止型
半導体装置の裏面から突出しているため、ターミナルラ
ンド部６と実装基板の電極とを接合して樹脂封止型半導
体装置を実装基板に実装するときに、ターミナルランド
部６のスタンドオフを予め確保しておくことができる。
このため、ターミナルランド部６をそのまま外部電極端
子として用いることができると共に、例えばターミナル
ランド部６を形成するためのエッチング量（第２の実施
形態の第３の工程を参照）、又は樹脂フィルム３の厚さ
等を制御することにより、ターミナルランド部６のスタ
ンドオフを容易に変更することができる。従って、樹脂
封止型半導体装置を実装基板に実装するときに半田ボー
ルを付設することなく、ターミナルランド部６と実装基
板の電極との接続信頼性を向上させることができるの
で、樹脂封止型半導体装置の製造工数及び製造コストを
低減させることができる。
【００９９】また、第３の実施形態によると、信号接続
用リード（インナーリード）の側部と接続され、樹脂パ
ッケージの側面から突出する従来のアウターリードに代
えて、信号接続用リード５の下部と接続され、樹脂封止
型半導体装置の裏面つまり樹脂フィルム３から突出する
ターミナルランド部６を外部電極端子として用いている
ため、端子数の多い樹脂封止型半導体装置を小型化する
ことができる。
【０１００】また、第３の実施形態によると、樹脂パッ
ケージ１４と樹脂フィルム３との密着性が良いため、樹
脂封止型半導体装置の内部に水分が進入する事態が防止
されるので、樹脂封止型半導体装置の耐湿性が向上す
る。
【０１０１】また、第３の実施形態によると、樹脂フィ
ルム３の上面側において、半導体チップ１１等が樹脂パ
ッケージ１４により封止されているため、樹脂フィルム
３の下方に突出するターミナルランド部６の表面には樹
脂バリ（樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分）が
存在しないので、ターミナルランド部６と実装基板の電
極との接続信頼性が一層向上する。
【０１０２】また、第３の実施形態によると、信号接続
用リード５の金属細線接続部５ａ（半導体チップ１１の
電極パッドと金属細線１３により接続される部分）が該
金属細線接続部５ａ以外の他の部分よりも細く形成され
ていると共に各信号接続用リード５の金属細線接続部５
ａがダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配置さ
れているため、多数の電極パッドを有する半導体チップ
１１がダイボンドされている場合にも、ワイヤーボンデ
ィング工程を簡単に行なえるので、樹脂封止型半導体装
置の製造コストを低減することができる。
【０１０３】尚、第３の実施形態において、樹脂フィル
ム３の厚さは約５０μｍであり、ターミナルランド部６
のスタンドオフは約５０μｍであり、ダイパッド４及び
信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除く）の
それぞれの厚さは約２５μｍであったが、ダイパッド
４、信号接続用リード５及び樹脂フィルム３のそれぞれ
の厚さ、並びにターミナルランド部６のスタンドオフは
これに限られるものではない。但し、ターミナルランド
部６のスタンドオフは３０〜８０μｍ程度が好ましい。
このようにすると、樹脂封止型半導体装置を実装基板に
実装するときの接続強度が確実に向上する。
【０１０４】また、第３の実施形態において、信号接続
用リード５の金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５
ａ以外の他の部分よりも細く形成されていると共に各信
号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４
を取り囲んで一列に並ぶように配置されていたが、これ
に限られず、金属細線接続部５ａを含む信号接続用リー
ド５の形状及び配置方法は、ターミナルランド部６の数
及び半導体チップ１１の大きさ等に基づき適宜選択され
る。尚、信号接続用リード５の形状及び配置方法は、信
号接続用リード５を形成するためのエッチング（第２の
実施形態における第８の工程を参照）を制御することに
より容易に変更することができる。
【０１０５】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法につい
て、図１０（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。
尚、第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、第１の実施形態に係るターミナルランドフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法である。ま
た、第４の実施形態において、図１〜図３に示す第１の
実施形態に係るターミナルランドフレーム、又は図７及
び図８に示す第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置と同一の部材には同一の符号を付す。
【０１０６】まず、第１の工程において、第１の実施形
態に係るターミナルランドフレーム（図１〜図３参
照）、具体的には、フレーム枠２と、フレーム枠２に該
フレーム枠２の内側の領域を覆うように保持された樹脂
フイルム３と、樹脂フイルム３上に保持されたダイパッ
ド４と、樹脂フイルム３上にダイパッド４を取り囲むよ
うに保持された複数個の信号接続用リード５とを備え、
信号接続用リード５のそれぞれに、樹脂フイルム３の下
方に突出するターミナルランド部６が設けられているタ
ーミナルランドフレーム１を準備する。
【０１０７】尚、ターミナルランドフレーム１におい
て、各ターミナルランド部６は、樹脂フイルム３におけ
るダイパッド４が保持されている領域以外の他の領域の
下にアレー状に配置されている。
【０１０８】また、ターミナルランドフレーム１におい
て、樹脂封止工程において封止樹脂の流出を止めるタイ
バーは設けられていない。
【０１０９】また、ターミナルランドフレーム１におけ
る金属部分（樹脂フィルム３を除く部分）の表面、具体
的には、信号接続用リード５及びターミナルランド部６
のそれぞれの表面においては、ターミナルランドフレー
ム１の金属部分を構成する銅（Ｃｕ）素材に対して３層
の金属メッキ、具体的には、下地メッキとしてのニッケ
ル（Ｎｉ）層、その上層のメッキとしてのパラジウム
（Ｐｄ）層、及び最上層のメッキとしての薄膜の金（Ａ
ｕ）層からなる３層の金属メッキが施されている。但
し、ターミナルランドフレーム１の金属部分として銅素
材に代えて４２アロイ材等を使用でき、また、メッキ材
料としてニッケル、パラジウム又は金以外の貴金属等を
使用でき、さらに、メッキ構造として３層メッキ以外の
構造を使用できる。
【０１１０】次に、図１０（ａ）の状態図に示す第２の
工程において、ターミナルランドフレーム１のダイパッ
ド４（図示省略）上に、複数個の電極パッド（図示省
略）を有する半導体チップ１１を接着剤１２を介して保
持する。すなわち、第２の工程はいわゆるダイボンド工
程である。
【０１１１】次に、図１０（ｂ）の状態図に示す第３の
工程において、ダイパッド４上に保持された半導体チッ
プ１１の各電極パッドと、対応する信号接続用リード５
（図示省略）とを金属細線１３により電気的に接続す
る。すなわち、第３の工程はいわゆるワイヤーボンディ
ング工程である。
【０１１２】尚、ターミナルランドフレーム１におい
て、図２に示すように、信号接続用リード５は、金属細
線１３が接続される金属細線接続部５ａが該金属細線接
続部５ａ以外の他の部分よりも細く加工されている一
方、信号接続用リード５が樹脂フィルム３により保持さ
れているため、金属細線１３の接続つまりワイヤーボン
ディング工程を安定して行なうことができる。また、図
２に示すように、各信号接続用リード５の金属細線接続
部５ａはダイパッド４を取り囲んで一列に並ぶように配
置されているため、ワイヤーボンディング工程を簡単に
行なうことができる。また、信号接続用リード５の金属
細線接続部５ａの下面は、ターミナルランド部６の下面
よりも上方に位置しているが、ワイヤーボンディング装
置の構造を工夫することにより、従来同様にワイヤーボ
ンディング工程を安定して行なうことができる。
【０１１３】次に、図１０（ｃ）の状態図に示す第４の
工程において、上面側に半導体チップ１１が接合され、
下面側を樹脂フィルム３（図示省略）により覆われたタ
ーミナルランドフレーム１を封止金型内（図示省略）に
収納した後、該封止金型によりターミナルランドフレー
ム１のフレーム枠２（図示省略）を押圧しながら封止金
型内に封止樹脂を流し込むことによって、ターミナルラ
ンドフレーム１の上面側つまり樹脂フイルム３の上面側
において該樹脂フイルム３、ダイパッド４、信号接続用
リード５、半導体チップ１１及び金属細線１３等を樹脂
パッケージ１４により封止する。尚、図１０（ｃ）の状
態図（図１０（ｄ）の状態図においても同じ）におい
て、樹脂パッケージ１４は透明体として表している。
【０１１４】このとき、ターミナルランドフレーム１に
おいては、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ダイパッ
ド４及び信号接続用リード５（ターミナルランド部６を
除く）は、それぞれその下面がフレーム枠２の下面より
も上側に位置するように薄く形成されている一方、各信
号接続用リード５に設けられたターミナルランド部６
は、その下面がフレーム枠２の下面と略同一の平面に位
置するように形成されている。従って、ターミナルラン
ドフレーム１の下面側つまり樹脂フイルム３の下面側に
空隙が存在する状況においても、ターミナルランドフレ
ーム１に加わる封止樹脂の圧力が分散するため、樹脂封
止工程を安定して行なうことができる。但し、封止金型
の表面におけるダイパッド４の下側の領域には、ターミ
ナルランド部６のスタンドオフと同程度の高さの、例え
ば５０μｍ程度の高さの凸部を設けておくことが好まし
い。
【０１１５】ところで、第４の工程つまり樹脂封止工程
を、より強い樹脂圧力においても安定して行なうため
に、封止金型内においてターミナルランドフレーム１の
下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させな
がら、封止金型内に封止樹脂を流し込む方法を用いるこ
とができる。
【０１１６】図１１は、樹脂封止工程において、封止金
型の締め付け圧力及び封止金型の温度により軟化した封
止フィルム１５が、ターミナルランド部６同士の間の空
隙及びフレーム枠２の下部２ａとターミナルランド部６
との間の空隙を埋めている様子を示している。
【０１１７】すなわち、ターミナルランドフレーム１の
下面と封止金型との間に封止フィルム１５を介在させて
樹脂封止工程を行なうことにより、ダイパッド４の下面
及び信号接続用リード５（ターミナルランド部６を除
く）の下面に直接封止樹脂の圧力が加わる事態が回避さ
れるので、ターミナルランドフレーム１の変形が防止さ
れる。このため、ターミナルランドフレーム１の下面か
らターミナルランド部６が突出しているにも関わらず、
ターミナルランドフレーム１の上面側のみを樹脂パッケ
ージ１４により容易に封止することができる。
【０１１８】また、ターミナルランドフレーム１の下面
つまり樹脂フイルム３の下面と封止金型との間に封止フ
ィルム１５を介在させることによって、樹脂フイルム３
の下面側に封止樹脂が回り込む事態を確実に阻止でき
る。このため、ターミナルランド部６の表面に樹脂バリ
が形成されることを防止できる。
【０１１９】尚、封止フィルム１５の材料としては、樹
脂封止時における高温環境に対して耐性を有する材料、
例えばポリエチレンテレフタレート、ポリイミド又はポ
リカーボネート等を主成分とする樹脂をベースとしたテ
ープ等を用いることができる。本実施形態においては、
ポリイミドを主成分とし、ターミナルランド部６のスタ
ンドオフと同程度の厚さ、例えば５０μｍ程度の厚さを
有する封止フィルム１５を用いて樹脂封止工程を行なっ
た結果、ターミナルランド部６のスタンドオフを、樹脂
封止工程の前と同じ５０μｍに保つことができた。
【０１２０】また、封止フィルム１５を用いて樹脂封止
工程を行なう場合、樹脂封止型半導体装置の構造上、品
質上又は生産上、ターミナルランドフレーム１のわずか
な変形は問題にならない。
【０１２１】また、封止フィルム１５を用いて樹脂封止
工程を行なう場合、封止金型の表面におけるダイパッド
４の下側の領域に凸部を設ける必要がなくなるため、封
止金型の共用化が可能となるので、大型キャビテーを使
用することにより複数個のダイパッド及び複数個の半導
体チップを樹脂パッケージ１４により一括して容易に封
止することができる。
【０１２２】次に、図１０（ｄ）の状態図に示す第５の
工程において、樹脂パッケージ１４の所定部分及びター
ミナルランドフレーム１の所定部分を切断して図１２に
示す樹脂封止型半導体装置を複数個生成する。尚、図１
２に示す樹脂封止型半導体装置は、樹脂パッケージ１４
の形状を除いて、図７に示す第３の実施形態に係る樹脂
封止型半導体装置と同一の構造を有している。
【０１２３】図１３は、回転刃を用いて樹脂パッケージ
１４及びターミナルランドフレーム１を切断して複数個
の樹脂封止型半導体装置を生成している様子を示す斜視
図である。
【０１２４】図１３に示すように、樹脂パッケージ１４
及びターミナルランドフレーム１における切断部（図中
の２重破線部）を回転刃１６を用いて切断することによ
り、図１２に示す樹脂封止型半導体装置が複数個形成さ
れる。
【０１２５】尚、第５の工程において、回転刃に代え
て、金型を用いてターミナルランドフレーム１又は樹脂
パッケージ１４を切断することができる。また、第５の
工程において、複数個のダイパッド及び複数個の半導体
チップが樹脂パッケージ１４により一括して封止されて
いる場合を対象としたが、これに代えて、個別封止用の
封止金型を用いて一個のダイパッド及び一個の半導体チ
ップが樹脂パッケージにより封止されている場合、ター
ミナルランドフレーム１を切断することにより、図７に
示す樹脂封止型半導体装置、つまり第３の実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置が生成される。
【０１２６】また、回転刃等により切断される部分に金
属部分が存在しないようにターミナルランドフレームを
設計することにより、第５の工程つまりターミナルラン
ドフレーム切断工程の生産性を向上することができる。
詳細は図示していないが、例えば、図１３に示すよう
に、回転刃１６を用いてフレーム枠２を切断することな
く、樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断する
ことにより、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成する
ことができる。
【０１２７】尚、図１０（ｄ）は、フレーム枠２を切断
することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を
切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様
子を示す状態図である。
【０１２８】また、図１４は、フレーム枠２を切断する
ことなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４を切断
して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を
示す断面図である。尚、図１４においては、ダイパッド
４及び信号接続用リード５を一体化して図示していると
共に、ターミナルランド部６の図示を省略している。
【０１２９】以上に説明したように、フレーム枠２を切
断することなく樹脂フィルム３及び樹脂パッケージ１４
を切断して、複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した
場合、ターミナルランドフレーム切断工程が容易になっ
て樹脂封止型半導体装置の生産性が向上する。特に、従
来ターミナルランドフレーム切断工程の生産性が悪い銅
（Ｃｕ）からなるターミナルランドフレームを用いる場
合、ターミナルランドフレーム切断工程の生産性が著し
く向上すると共に、ターミナルランドフレーム切断工程
に用いられる回転刃の寿命が長くなる。また、個別封止
用の封止金型を用いて一個のダイパッド及び一個の半導
体チップが樹脂パッケージにより封止されている場合に
は、フレーム枠２を切断することなく樹脂フィルム３を
切断するだけで、樹脂封止型半導体装置を生成すること
ができる。
【０１３０】第４の実施形態によると、樹脂フイルム３
上にダイパッド４及びそれを取り囲む複数個の信号接続
用リード５が保持されていると共に各信号接続用リード
５に樹脂フイルム３の下方に突出するターミナルランド
部６が設けられているため、樹脂フイルム３つまり樹脂
封止型半導体装置の裏面に複数個のターミナルランド部
６を狭ピッチでアレー状に配置することができるので、
樹脂封止型半導体装置を多端子化することができる。
【０１３１】また、第４の実施形態によると、従来の吊
りリードに代えて、樹脂フィルム３によりダイパッド４
を保持しているため、ダイパッド４に該ダイパッド４よ
りも大きな面積を有する半導体チップ１１を保持でき
る。すなわち、ダイパッド４の面積を該ダイパッド４に
搭載される半導体チップ１１よりも小さくできる。この
ため、半導体チップ１１の搭載範囲を拡大させて、樹脂
封止型半導体装置の裏面における半導体チップ１１の下
方にターミナルランド部６を実質的に配置できるので、
樹脂封止型半導体装置を小型化することができる。ま
た、従来の吊りリードを用いる必要がないため、樹脂封
止工程における樹脂の成形性が向上して、ボイドの発
生、或いは、半導体チップ１１のサイズが大きい場合に
おける封止樹脂の未充填部分の発生を抑制できるので、
樹脂封止型半導体装置の歩留まりが向上する。また、樹
脂封止型半導体装置における従来の吊りリードに用いら
れていたスペースを信号接続用リード５の配置に利用で
きるので、樹脂封止型半導体装置に用いられるターミナ
ルランドフレームの設計品質を向上させることができ
る。さらに、従来の吊りリードを用いる必要がなくなる
ことによって、ダイパッド４に搭載される半導体チップ
１１のサイズに対する制限、或いは、半導体チップ１１
と信号接続用リード５とを接続する金属細線１３に対す
る制限が緩和されるため、樹脂封止型半導体装置の製造
が容易になって生産性が向上する。
【０１３２】また、第４の実施形態によると、ターミナ
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
ると共に樹脂フイルム３上にダイパッド４が保持されて
いるため、ダイパッド４に半導体チップ１１を搭載して
該半導体チップ１１等を樹脂封止した後、フレーム枠２
等の金属部分を切断することなく樹脂フィルム３を切断
することにより、樹脂封止型半導体装置を容易に生成す
ることができる。また、樹脂フイルム３上に保持された
信号接続用リード５に、樹脂フイルム３の下方に突出す
るターミナルランド部６が設けられているので、樹脂フ
イルム３の上面において半導体チップ１１等を樹脂パッ
ケージ１４により封止するだけで、所定のスタンドオフ
を有するターミナルランド部６つまり下部電極端子が裏
面に露出した樹脂封止型半導体装置を実現することがで
きる。従って、樹脂封止型半導体装置の生産性が向上す
る。
【０１３３】また、第４の実施形態によると、樹脂フイ
ルム３の下面がフレーム枠２の下面よりも上側に位置し
ていると共にターミナルランド部６の下面がフレーム枠
２の下面と略同一の平面に位置しているため、ターミナ
ルランドフレーム１を用いて樹脂封止型半導体装置を製
造する各工程において、ターミナルランドフレーム１に
加わる圧力が分散するので、各工程を安定して行なうこ
とができる。
【０１３４】また、第４の実施形態によると、信号接続
用リード５の金属細線接続部５ａが該金属細線接続部５
ａ以外の他の部分よりも細く加工されていると共に各信
号接続用リード５の金属細線接続部５ａがダイパッド４
を取り囲んで一列に並ぶように配置されているため、半
導体チップ１１の電極パッドが多い場合にも、ワイヤー
ボンディング工程を簡単に行なうことができるので、樹
脂封止型半導体装置の製造コストを低減することができ
る。
【０１３５】また、第４の実施形態によると、ターミナ
ルランドフレーム１のフレーム枠２に該フレーム枠２の
内側の領域を覆うように樹脂フイルム３が保持されてい
ると共に、樹脂フイルム３の上面側において半導体チッ
プ１１等を樹脂パッケージ１４により封止している。こ
のため、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り込む
事態が阻止される結果、ターミナルランド部６（つまり
外部電極端子）の表面に樹脂バリが形成されることがな
いので、ばりとり工程が不要になって樹脂封止型半導体
装置の生産性が向上する。また、封止金型内においてタ
ーミナルランドフレーム１の下面と封止金型との間に封
止フィルム１５を介在させながら樹脂封止工程を行なっ
ているので、樹脂フイルム３の下面側に封止樹脂が回り
込む事態を確実に阻止できる。
【０１３６】すなわち、信号接続用リードの下面を露出
させる従来の樹脂封止型半導体装置、つまり従来の底面
電極露出型の樹脂封止型半導体装置を製造する場合に行
なわれる、信号接続用リードの下面（外部電極端子の表
面）に形成された樹脂バリをウォータージェット等によ
って除去する複雑な工程が不要になるので、樹脂封止型
半導体装置の製造工程（特に樹脂封止型半導体装置を量
産する場合）を簡略化することができる。また、従来、
ウォータージェット等による樹脂バリ除去工程において
生じる可能性があった、ターミナルランドフレーム上に
おけるニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）又は金
（Ａｕ）等の金属メッキ層の剥がれ、又はターミナルラ
ンドフレーム上における不純物の付着等が防止されるの
で、樹脂封止工程前に形成される各金属メッキ層のプリ
メッキ品質が向上する。
【０１３７】ところで、第４の実施形態においては、ウ
ォータージェット等による樹脂バリ除去工程が削減され
る代わりに、ターミナルランドフレーム１の下面と封止
金型との間に封止フィルム１５を介在させて樹脂封止を
行なう工程が新たに必要となる。しかしながら、封止フ
ィルム１５を用いた樹脂封止工程の方が、ウォータージ
ェット等による樹脂バリ除去工程よりもコスト的に安価
であると共に工程管理的にも容易であるため、第４の実
施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の方が従
来の樹脂封止型半導体装置の製造方法よりも確実に工程
を簡略化することができる。特に、従来のウォータージ
ェット等による樹脂バリ除去工程においては、ターミナ
ルランドフレーム上における金属メッキ層の剥がれ、又
はターミナルランドフレーム上における不純物の付着等
の品質上重大なトラブルが発生する一方、第４の実施形
態においては、封止フィルム１５の使用により前記のト
ラブルを確実に阻止できるので、製造工程上の大きな利
点が生じる。
【０１３８】また、第４の実施形態によると、封止金型
内においてターミナルランドフレーム１の下面と封止金
型との間に封止フィルム１５を介在させながら樹脂封止
工程を行なうため、封止金型の熱によって封止フィルム
１５が軟化すると共に熱収縮するので、封止樹脂の圧力
及び封止金型の締め付け圧力によりターミナルランド部
６が封止フィルム１５に食い込んで、ダイパッド４の下
側の空隙及び信号接続用リード５の下側の空隙が封止フ
ィルム１５により埋められる。従って、ダイパッド４の
下面及び信号接続用リード５（ターミナルランド部６を
除く）の下面に直接樹脂圧力が加わる事態が回避される
ので、ターミナルランドフレーム１の変形が防止され
る。また、ターミナルランド部６における樹脂フィルム
３の下方に突出する構造が保持されるので、ターミナル
ランド部６つまり外部電極端子のスタンドオフを確保す
ることができる。
【０１３９】尚、第４の実施形態において、ポリイミド
を主成分とし、５０μｍの厚さを有する封止フィルム１
５を用いたが、これに限られず、所望するターミナルラ
ンド部６のスタンドオフに応じて、所定の硬度又は熱に
よる軟化特性を有する材質を主成分とし、所定の厚さを
有する封止フィルムを選択して用いることができる。
【０１４０】また、第１〜第４の実施形態において、本
発明の要旨を越えない範囲において、種々の変形実施が
可能であることはいうまでもない。
【０１４１】
【発明の効果】本発明によると、樹脂封止型半導体装置
の裏面に複数個のターミナルランド部を狭ピッチでアレ
ー状に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を多端子
化することができると共に、樹脂封止型半導体装置の裏
面における半導体チップの下方にターミナルランド部を
実質的に配置できるので、樹脂封止型半導体装置を小型
化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るターミナルラン
ドフレームを裏面から見た平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るターミナルラン
ドフレームの一部を正面から見た平面図である。
【図３】（ａ）は図１におけるＩ−Ｉ線の断面図であ
り、（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係るターミナル
ランドフレームにおけるダイパッドの断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係
るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す
断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に係
るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す
断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施形態に係
るターミナルランドフレームの製造方法の各工程を示す
断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の平面図である。
【図９】（ａ）は本発明の第３の実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置を上面から見た斜視図であり、（ｂ）は
第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を下面から
見た斜視図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第４の実施形態に
係る樹脂封止型半導体装置の製造方法の各工程を示す状
態図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法の一工程において、軟化した封止フ
ィルムが、ターミナルランド部同士の間の空隙、及びフ
レーム枠の下部とターミナルランド部との間の空隙を埋
めている様子を示す断面図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法により製造された樹脂封止型半導体
装置の断面図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法の一工程において、回転刃を用いて
樹脂パッケージ及びターミナルランドフレームを切断し
て複数個の樹脂封止型半導体装置を生成している様子を
示す斜視図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の製造方法の一工程において、フレーム枠を切
断することなく樹脂フィルム及び樹脂パッケージを切断
して複数個の樹脂封止型半導体装置を生成した様子を示
す断面図である。
【図１５】従来の樹脂封止型半導体装置の断面図であ
る。
【符号の説明】
１ ターミナルランドフレーム ２ フレーム枠 ２ａ フレーム枠の下部 ２ｂ フレーム枠のオーバーハング部 ３ 樹脂フイルム ４ ダイパッド ５ 信号接続用リード ５ａ 信号接続用リードの金属細線接続部 ６ ターミナルランド部 ７ 金属板 ８ 第１のレジスト膜 ８Ａ 第１のレジストパターン ９ 第２のレジスト膜９ ９Ａ 第２のレジストパターン １０ 金属積層メッキ １１ 半導体チップ １２ 接着剤 １３ 金属細線 １４ 樹脂パッケージ １５ 封止フィルム １６ 回転刃

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フレーム枠と、 前記フレーム枠に該フレーム枠の内側の領域を覆うよう
    に保持された樹脂フイルムと、 前記樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、 前記樹脂フイルム上に前記ダイパッドを取り囲むように
    保持された複数個の信号接続用リードとを備え、 前記信号接続用リードのそれぞれに、前記樹脂フイルム
    の下方に突出するターミナルランド部が設けられている
    ことを特徴とするターミナルランドフレーム。
  2. 【請求項２】 前記ダイパッドは、その面積が該ダイパ
    ッドに搭載される半導体チップよりも小さいことを特徴
    とする請求項１に記載のターミナルランドフレーム。
  3. 【請求項３】 前記樹脂フイルムは、その下面が前記フ
    レーム枠の下面よりも上側に位置し、 前記ターミナルランド部は、その下面が前記フレーム枠
    の下面と略同一の平面に位置していることを特徴とする
    請求項１に記載のターミナルランドフレーム。
  4. 【請求項４】 前記信号接続用リードは、前記ダイパッ
    ドに搭載される半導体チップと金属細線により接続され
    る部分の表面に、前記ターミナルランド部の表面と異な
    るメッキ加工が施されていることを特徴とする請求項１
    に記載のターミナルランドフレーム。
  5. 【請求項５】 フレーム枠を構成する金属板の下部を選
    択的に除去する加工を行なって、前記フレーム枠となる
    部分の内側の領域に複数個のターミナルランド部を形成
    する第１の金属板加工工程と、 前記金属板における前記第１の金属板加工工程で薄く加
    工された領域の下面に、樹脂フイルムをその下方に前記
    ターミナルランド部が突出するように貼付する樹脂フイ
    ルム貼付工程と、 前記金属板における前記樹脂フイルムよりも上側に位置
    する部分を選択的に除去する加工を行なって、前記樹脂
    フイルムを保持する前記フレーム枠、前記樹脂フイルム
    上に保持されたダイパッド、及び前記樹脂フイルム上に
    前記ダイパッドを取り囲むように保持され、前記ターミ
    ナルランド部のそれぞれと接続された複数個の信号接続
    用リードを形成する第２の金属板加工工程とを備えてい
    ることを特徴とするターミナルランドフレームの製造方
    法。
  6. 【請求項６】 樹脂フイルム上に保持されたダイパッド
    と、 前記樹脂フイルム上に前記ダイパッドを取り囲むように
    保持された複数個の信号接続用リードと、 前記ダイパッド上に保持された半導体チップと、 前記半導体チップと前記信号接続用リードとを接続する
    金属細線と、 前記樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイルム、前
    記ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び金
    属細線を封止している樹脂パッケージとを備え、 前記信号接続用リードのそれぞれに、前記樹脂フイルム
    の下方に突出するターミナルランド部が設けられている
    ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  7. 【請求項７】 前記ターミナルランド部は、前記樹脂フ
    イルムの下方に突出する部分の突出量が、３０〜８０μ
    ｍ程度であることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封
    止型半導体装置。
  8. 【請求項８】 前記信号接続用リードは、前記金属細線
    が接続される一の部分が該一の部分以外の他の部分より
    も細く形成されていると共に各信号接続用リードの前記
    一の部分が前記ダイパッドを取り囲んで略一列に並ぶよ
    うに配置されていることを特徴とする請求項６に記載の
    樹脂封止型半導体装置。
  9. 【請求項９】 フレーム枠と、前記フレーム枠に該フレ
    ーム枠の内側の領域を覆うように保持された樹脂フイル
    ムと、前記樹脂フイルム上に保持されたダイパッドと、
    前記樹脂フイルム上に前記ダイパッドを取り囲むように
    保持された複数個の信号接続用リードとを備え、前記信
    号接続用リードのそれぞれに、前記樹脂フイルムの下方
    に突出するターミナルランド部が設けられているターミ
    ナルランドフレームを準備する第１の工程と、 前記ダイパッド上に半導体チップを保持する第２の工程
    と、 前記半導体チップと前記信号接続用リードとを金属細線
    により接続する第３の工程と、 前記樹脂フイルムの上面側において該樹脂フイルム、前
    記ダイパッド、信号接続用リード、半導体チップ及び金
    属細線を樹脂パッケージにより封止する第４の工程と、 前記ターミナルランドフレームを切断する第５の工程と
    を備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
    製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記第４の工程は、封止金型内におい
    て前記ターミナルランドフレームの下面と前記封止金型
    との間に封止フィルムを介在させながら、前記封止金型
    内に前記樹脂パッケージとなる封止樹脂を流し込む工程
    を含むことを特徴とする請求項９に記載の樹脂封止型半
    導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記ターミナルランドフレームは複数
    個の前記ダイパッドを備え、 前記第２の工程は、複数個の前記半導体チップを複数個
    の前記ダイパッドのそれぞれの上に保持する工程を含
    み、 前記第４の工程は、複数個の前記ダイパッド及び複数個
    の前記半導体チップを前記樹脂パッケージにより一括し
    て封止する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載
    の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記第５の工程は、回転刃を用いて前
    記フレーム枠を切断することなく前記樹脂フイルム及び
    樹脂パッケージを切断する工程を含むことを特徴とする
    請求項１１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20120010044A (ko) * 2010-07-23 2012-02-02 삼성테크윈 주식회사 리드프레임 제조방법과 그에 따른 리드프레임 및 반도체 패키지 제조방법과 그에 따른 반도체 패키지

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