JP2001024133A

JP2001024133A - リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2001024133A
Application number: JP19563499A
Authority: JP
Inventors: Masanao Araki; 雅尚荒木; Masanori Nano; 匡紀南尾; Hideji Takasaki; 秀次高崎; Eiichi Nakazawa; 栄一中澤
Original assignee: Matsushita Electronics Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-07-09
Filing date: 1999-07-09
Publication date: 2001-01-26
Anticipated expiration: 2019-07-09
Also published as: JP3430976B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の構造では封止樹脂の側面に外部リード
が突出して設けられており、基板実装の信頼性は低く、
また製造工程で半導体素子とリードフレームとの位置ズ
レが生じるといった課題があった。【解決手段】本発明のリードフレームは、樹脂封止型
半導体装置を構成した際、その底面には、ランドリード
部４、リード部５の各底面がランド部として配置され、
ＬＧＡ型パッケージを構成するため、基板実装の信頼性
を向上させるものである。またダイパッド部１は半導体
素子の底面と接着する複数の支持部２２を有しており、
支持力を強固にし、リードフレームのダイパッド部１上
に半導体素子を搭載した後、ワイヤーボンド（金属細線
接続）工程やそのための移動工程での半導体素子の位置
ズレ、脱落を防止し、製造過程の信頼性を高め、樹脂封
止型半導体装置製品としての信頼性を高めることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに加えて、外部端子とな
るランド電極を備えたリードを有したリードフレームに
関するもので、それを用いて半導体素子を搭載し、外囲
を樹脂で封止したランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）
型の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。

【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。

【０００４】図２７は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図２８は従来のリードフレームの構
成を示す断面図であり、図２７のＡ−Ａ１箇所の断面を
示している。

【０００５】図２７，図２８に示すように、従来のリー
ドフレームは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１
０１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド
部１０２と、ダイパッド部１０２を支持する吊りリード
部１０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した
半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続す
るビーム状のインナーリード部１０４と、そのインナー
リード部１０４と連続して設けられ、外部端子との接続
のためのアウターリード部１０５と、アウターリード部
１０５どうしを連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めと
なるタイバー部１０６とより構成されていた。またダイ
パッド部１０２はディプレス加工により、インナーリー
ド部１０４の上面よりも下方に配置されているものであ
る。

【０００６】なお、リードフレームは、図２７に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。

【０００７】次に図２７，図２８に示したような従来の
リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置について
説明する。図２９は従来の樹脂封止型半導体装置を示す
断面図である。

【０００８】図２９に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０７が搭載され、そ
の半導体素子１０７とインナーリード部１０４とが金属
細線１０８により電気的に接続されている。そしてダイ
パッド部１０２上の半導体素子１０７、インナーリード
部１０４の外囲は封止樹脂１０９により封止されてい
る。封止樹脂１０９の側面からはアウターリード部１０
５が突出して設けられ、先端部はベンディングされてい
る。

【０００９】次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法について説明する。図３０〜図３４は、リードフレー
ムを用いた従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す工程ごとの断面図である。

【００１０】まず図３０に示すように、フレーム枠と、
そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状の
ダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２を支持する
吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置
した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接
続するビーム状のインナーリード部１０４と、そのイン
ナーリード部１０４と連続して設けられ、外部端子との
接続のためのアウターリード部と、アウターリード部ど
うしを連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めとなるタイ
バー部とを有したリードフレームを用意する。

【００１１】次に図３１に示すように、リードフレーム
のダイパッド部１０２上に半導体素子１０７を銀ペース
ト等の接着剤により接合する（ダイボンド工程）。

【００１２】次に図３２に示すように、ダイパッド部１
０２上に搭載した半導体素子１０７の表面の電極パッド
（図示せず）と、リードフレームのインナーリード部１
０４の先端部とを金属細線１０８により接続する（ワイ
ヤーボンド工程）。

【００１３】その後、図３３に示すように、半導体素子
１０７の外囲を封止樹脂により封止するが、封止領域は
リードフレームのタイバー部で包囲された領域内を封止
樹脂１０９により封止し、アウターリード部１０５を外
部に突出させて封止する（樹脂封止工程）。

【００１４】そして図３４に示すように、タイバー部の
部分で封止樹脂１０９の境界部をリードカットし、各ア
ウターリード部１０５を分離し、フレーム枠を除去する
とともに、アウターリード部１０５の先端部をベンディ
ングすることにより（タイバーカット・ベンド工程）、
樹脂封止型半導体装置を得るものである。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。

【００１６】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極（ボール電極、ランド電極）を設け
たキャリア（配線基板）上に半導体素子を搭載し、電気
的接続を行った後、そのキャリアの上面を樹脂封止した
半導体装置であるボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）
タイプやランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）タイプの
半導体装置がある。このタイプの半導体装置はその底面
側でマザー基板と実装する半導体装置であり、今後、こ
のような面実装タイプの半導体装置が主流になりつつあ
る。したがって、このような動向に対応するには、従来
のリードフレーム、そのリードフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置では、対応できないという大きな課題が
顕在化してきている。

【００１７】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが突出
して設けられており、その外部リードと基板電極とを接
合して実装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡ
タイプの半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低い
ものとなってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイ
プの半導体装置は、配線基板を用いているため、コスト
的に高価となるという課題がある。

【００１８】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるリードフレームタイプの
樹脂封止型半導体装置を提供するものであり、底面側で
基板実装できる半導体装置をフレーム体を用いて構成す
ることを目的とするものである。さらに製造工程で半導
体素子とリードフレームとの位置ズレを防止し、信頼性
を向上させたリードフレームとそれを用いた樹脂封止型
半導体装置およびその製造方法を提供するものである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のリードフレームは、金属板よりなる
フレーム枠内に半導体素子を搭載するダイパッド部と、
末端で前記フレーム枠と接続し、先端部で前記ダイパッ
ド部を支持する吊りリード部と、その先端部が前記ダイ
パッド部に対向し、末端部が前記フレーム枠と接続して
配置されたランドリード部とリード部とよりなるリード
フレームであって、前記ランドリード部と前記リード部
とはそれぞれその底面で外部端子を構成し、前記ダイパ
ッド部は、その略中央部分に開口部を有し、前記開口部
領域内に上方に突出した半導体素子底面を支持する複数
の支持部と、前記複数の支持部を互いに連結する連結部
とを有しているリードフレームである。

【００２０】また本発明のリードフレームは、金属板よ
りなるフレーム枠内に半導体素子を搭載するダイパッド
部と、末端で前記フレーム枠と接続し、先端部で前記ダ
イパッド部の四隅を支持する吊りリード部と、その先端
部が前記ダイパッド部に対向し、末端部が前記フレーム
枠と接続して配置されたランドリード部とリード部とよ
りなるリードフレームであって、前記ランドリード部と
前記リード部とはそれぞれその底面で外部端子を構成
し、前記ダイパッド部は、複数の開口部を有し、前記開
口部領域内に各々上方に突出した支持部と、前記支持部
を前記開口部内においてダイパッド部自体に連結する連
結部とを有しているリードフレームである。

【００２１】具体的には、ダイパッド部の表面に溝部
と、前記ダイパッド部の底面の周囲に溝部とを有したリ
ードフレームである。

【００２２】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダ
イパッド部と、前記ダイパッド部上に接着剤を介して搭
載された半導体素子と、リード部と、前記リード部の先
端部領域よりも前記ダイパッド部側に延在して配置さ
れ、その先端部の底面が露出してランド電極を構成する
ランドリード部と、前記半導体素子の電極と前記ランド
リード部、前記リード部の各ボンディングパッド部とを
接続した金属細線と、前記ダイパッド部の底面を除く領
域、搭載された半導体素子、前記ランドリード部の底面
を除く領域、前記リード部の底面を除く領域、および金
属細線の接続領域を封止した封止樹脂とよりなる樹脂封
止型半導体装置であって、前記ダイパッド部は開口部を
有し、前記開口部内に連結部により互いに連結され、上
方に突出した複数の支持部とを有したダイパッド部であ
り、前記複数の支持部上に接着剤を介して半導体素子が
接着されている樹脂封止型半導体装置である。

【００２３】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、金属板よりなるフレーム枠内に半導体素子を搭
載するダイパッド部と、末端で前記フレーム枠と接続
し、先端部で前記ダイパッド部を支持する吊りリード部
と、その先端部が前記ダイパッド部に対向し、末端部が
前記フレーム枠と接続して配置されたランドリード部と
リード部とよりなるリードフレームであって、前記ラン
ドリード部と前記リード部とはそれぞれその底面で外部
端子を構成し、前記ダイパッド部は、その略中央部分に
開口部を有し、前記開口部領域内に上方に突出した半導
体素子底面を支持する複数の支持部と、前記複数の支持
部を互いに連結する連結部とを有しているリードフレー
ムを用意する工程と、用意したリードフレームのダイパ
ッド部の支持部上に接着剤を介して半導体素子をその主
面を上にして接着する工程と、前記ダイパッド部上に搭
載した前記半導体素子の電極と、前記リードフレームの
ランドリード部、リード部の各上面のボンディングパッ
ド部とを金属細線により接続する工程と、前記ダイパッ
ド部の底面、ランドリード部のランド電極、リード部の
各底面に密着するように前記リードフレームの裏面側に
封止シートを密着させる工程と、前記封止シートを密着
させた状態でリードフレームの上面側を封止樹脂により
樹脂封止し、半導体素子、ダイパッド部、金属細線の領
域を樹脂封止する工程と、樹脂封止後に封止シートを除
去し、吊りリード部やランドリード部、リード部の各リ
ード部の前記リードフレームのフレーム枠と接続した部
分を切断し、ダイパッド部と、前記ダイパッド部上に接
着剤を介して搭載された半導体素子と、リード部と、前
記リード部の先端部領域よりも前記ダイパッド部側に延
在して配置され、その先端部の底面が露出してランド電
極を構成するランドリード部と、前記半導体素子の電極
と前記ランドリード部、前記リード部の各ボンディング
パッド部とを接続した金属細線と、前記ダイパッド部の
底面を除く領域、搭載された半導体素子、前記ランドリ
ード部の底面を除く領域、前記リード部の底面を除く領
域、および金属細線の接続領域を封止した封止樹脂とよ
りなり、前記ダイパッド部は開口部を有し、前記開口部
内に連結部により互いに連結され、上方に突出した複数
の支持部とを有したダイパッド部であり、前記複数の支
持部上に接着剤を介して半導体素子が接着されている樹
脂封止型半導体装置を得る工程とよりなる樹脂封止型半
導体装置の製造方法である。

【００２４】前記構成の通り、本発明のリードフレーム
は、樹脂封止型半導体装置を構成した際、その外部電極
となるランド電極をリード体として設けたものであり、
半導体素子を搭載し、金属細線で半導体素子と各リード
とを接続し、樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を構成
した際、樹脂封止型半導体装置の底面、すなわちパッケ
ージ底面領域内には、ランドリード部のランド部の底面
が配置され、そのランド部の外側にはリード部の底面が
配置されて２列配置の外部端子を構成するものであり、
ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケージを構
成することができる。

【００２５】さらにダイパッド部はその表面上に半導体
素子の底面と接着する複数の支持部を有しており、その
複数の支持部で半導体素子を支持するために、支持力を
強固にし、リードフレームのダイパッド部上に半導体素
子を搭載した後、ワイヤーボンド（金属細線接続）工程
やそのための移動工程での半導体素子の位置ズレ、脱落
を防止し、製造過程の信頼性を高め、樹脂封止型半導体
装置製品としての信頼性を高めることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームと
それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
の主とした実施形態について図面を参照しながら説明す
る。

【００２７】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。

【００２８】図１は本実施形態のリードフレームを示す
平面図である。図２は本実施形態のリードフレームのリ
ード部分を示す拡大図であり、図１における円内部分の
拡大図として、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）
は図２（ａ）のＡ−Ａ１、Ｂ−Ｂ１箇所の各断面図であ
る。なお、図１において、二点鎖線で示した領域は、本
実施形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載
し、樹脂封止する際の封止領域を示している。

【００２９】図１，図２に示すように本実施形態のリー
ドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常のリ
ードフレームに用いられている金属板よりなり、半導体
素子を搭載するダイパッド部１と、その末端でフレーム
枠２と接続し、先端部でダイパッド部１の四隅を支持す
る吊りリード部３と、その先端部がダイパッド部１に対
向し、末端部がフレーム枠２と接続して配置された直線
状のランドリード部４と直線状のリード部５とよりなる
リードフレームであり、ランドリード部４とリード部５
はそれぞれその底面で外部端子（ランド部）を構成する
ものであり、リード部５はその底面に加えて外方側面で
も外部端子として実装基板と接続できるものである。

【００３０】そして詳細には、ダイパッド部１にはその
表面の略中央部分に円形の突出部６が設けられ、その突
出部６は、ダイパッド部１を構成している平板に対して
プレス加工により半切断状態のプレスを施し、上方に突
出させたものである。この突出部６が実質的に半導体素
子を支持する部分となり、半導体素子を搭載した際、ダ
イパッド部１の突出部６を除く表面と半導体素子裏面と
の間には間隙が形成されるよう構成されている。またダ
イパッド部１の表面の突出部６を包囲する領域には溝部
７が設けられ、半導体素子を搭載し、樹脂封止した際に
封止樹脂がその溝部７に入り込むように設けられてい
る。本実施形態では溝部７は円形の環状の溝部７を設け
たものである。この溝部７により、ダイパッド部１の突
出部６上に接着剤により半導体素子を搭載し、樹脂封止
した際に封止樹脂がその溝部７に入り込むため、熱膨張
による応力でダイパッド部１の表面と封止樹脂との間に
樹脂剥離が発生しても、その剥離自体を溝部でトラップ
することができ、信頼性低下を防止することができるも
のである。もちろん、溝部７の構成としては、環状の構
成以外、部分的に溝部を連結した構成でもよく、その数
も２本以上の３本，４本、または１本でもよいが、ダイ
パッド部１の大きさと搭載する半導体素子の大きさによ
り設定することができる。

【００３１】また、本実施形態のリードフレームのラン
ドリード部４とリード部５は、フレーム枠２と接続した
状態では交互配列の並列配置となっており、ダイパッド
部１に対向する配置においては、ランドリード部４の先
端部がリード部５の先端部よりもダイパッド部１側に延
在し、それら先端部どうしは平面配置上、千鳥状に配置
されているものである。この配置は、半導体素子を搭載
し、樹脂封止した際には、パッケージ底面に２列の外部
端子が千鳥状に配置されるようにしたものであり、ラン
ドリード部４の先端部底面とリード部５の底面とがパッ
ケージ底面に配置されるものである。そして特に図２に
示すように、ランドリード部４は直線形状のリードであ
り、その先端部の底面部分に外部端子となる先端部が曲
率を有したランド部８が形成されており、ランド部８を
形成する部分以外はハーフエッチ加工により厚みが薄く
加工され、ランド部８はリード本来の厚みを有するもの
である。

【００３２】すなわちランドリード部４においてランド
部８は下方に突出した形状を有し、ランドリード部４自
体は上面が下面よりも広い面積を有している。なお図１
では、ランドリード部４の先端底面の破線で示した部分
がランド部８を示し、図２では格子状ハッチング領域が
ハーフエッチされている部分を示している。またリード
部５は同様に図２に示すように、その先端部の外周部分
がハーフエッチ加工により薄厚に加工され、先端部が幅
広部９を有し、その幅広部９の根本付近には溝部１０が
設けられている。また先端部の底面には先端部が曲率を
有した形状でランド部が形成されている。図１，図２に
おいてハッチングを付した部分が溝部１０である。本実
施形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載し、
樹脂封止した際、リード部５自体は底面と側面が露出さ
れる片面封止構成となるため、従来のようなフルモール
ドパッケージのリード部とは異なり、封止樹脂による応
力、基板実装後の応力がリード部に印加される場合があ
る。しかし、この溝部１０により、封止樹脂による応
力、基板実装後の応力によりリード部５自体に応力が印
加されても、溝部１０で応力を吸収できるものであり、
金属細線の接続部分の破壊を防止し、実装後の製品の信
頼性を維持できるものである。なお、ここでランドリー
ド部４のランド部８の表面領域、リード部５の幅広部９
は金属細線が接続されるボンディングパッドを構成する
ものである。

【００３３】本実施形態のリードフレームは、ランドリ
ード部４、リード部５は互いに直線状のリードであっ
て、それら底面のランド部８を構成する部分は、先端部
が曲率を有した形状であり、また互いに直線状であるた
め、パッケージ配置において、ランド部８どうしは千鳥
状を構成するものである。

【００３４】また、本実施形態のリードフレームのダイ
パッド部１の突出部６を包囲する領域に相当する底面に
は、矩形状の環状の溝部１１を設けている。この溝部１
１により、ダイパッド部１の底面にハンダ等の接合材料
を用いて基板実装した際、ハンダの余分な広がりを防止
し、実装精度を向上させるとともに、半導体素子からの
放熱作用によるダイパッド部１自体の応力を吸収できる
ものである。また本実施形態では溝部１１を１つとして
いるが、ダイパッド部１の底面の外周部近傍にも環状の
溝部を形成してもさらなる実装精度向上を達成できる。
さらに吊りリード部３にダミーランド部を設けたり、吊
りリード部３に屈曲部を設けてもよい。

【００３５】なお、ランドリード部４、リード部５の数
は、搭載する半導体素子のピン数などにより、その数を
適宜設定できるものである。また本実施形態のリードフ
レームはその表面がメッキ処理されたものであり、必要
に応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐ
ｄ）および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッ
キされているものである。また本実施形態のリードフレ
ームは図１に示したようなパターンが１つよりなるもの
ではなく、左右・上下に連続して形成できるものであ
る。

【００３６】本実施形態のリードフレームにより、半導
体素子を搭載し、金属細線で半導体素子と各リードとを
接続し、樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を構成した
際、樹脂封止型半導体装置の底面、すなわちパッケージ
底面には、ランドリード部４の先端部が曲率を有したラ
ンド部８の底面が配置され、そのランド部８の外側には
リード部５の先端部が曲率を有した底面部分が配置され
て千鳥状の２列配置の外部端子を構成するものであり、
ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケージを構
成することができる。そして本実施形態のリードフレー
ムを用いて樹脂封止型半導体装置を構成することによ
り、ダイパッド部１の表面には溝部７が設けられてお
り、樹脂封止後の樹脂剥離が起こっても、その剥離を溝
部７でトラップできるため、樹脂封止型半導体装置とし
て信頼性を維持できるものである。その他、放熱特性の
向上、基板実装時のハンダ接合の精度向上、大きい面積
の半導体素子を搭載できるなどの利点もある。

【００３７】次に本発明の樹脂封止型半導体装置につい
て図面を参照しながら説明する。図３は本実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、図４は本
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示す底面図であ
り、図５，図６は本実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す断面図である。図５の断面図は、図３における
Ｃ−Ｃ１箇所、図４におけるＥ−Ｅ１箇所の断面を示
し、図６の断面図は、図３におけるＤ−Ｄ１箇所、図４
におけるＦ−Ｆ１箇所の断面を示す。また本実施形態で
は図１，図２に示したリードフレームを例として用いた
樹脂封止型半導体装置である。

【００３８】図３，図４，図５および図６に示すよう
に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、表面に突出
部６と、その突出部６を包囲する円形または矩形または
それらの組み合わせの環状の溝部７と、底面に環状の溝
部１１を有したダイパッド部１と、そのダイパッド部１
の突出部６上に銀ペースト等の導電性接着剤（図示せ
ず）を介して搭載された半導体素子１２と、表面に溝部
１０を有し、底面が露出したリード部５と、リード部５
の先端部領域よりもダイパッド部１側に延在して配置さ
れ、その先端部の底面が露出してランド電極を構成する
ランドリード部４と、半導体素子１２の主面の電極パッ
ド（図示せず）とランドリード部４、リード部５のボン
ディングパッド部１３とを電気的に接続した金属細線１
４と、ダイパッド部１の底面を除く領域、搭載された半
導体素子１２、ランドリード部４の底面を除く領域、リ
ード部５の外部側面と底面とを除く領域、および金属細
線１４を封止した封止樹脂１５とよりなるものである。
そして封止樹脂１５よりなるパッケージ部より露出した
ランドリード部４の先端部底面と、リード部５の外部側
面と底面とは、プリント基板等の実装基板への実装の
際、外部電極を構成するランド電極１６を構成してお
り、リード部５の底面とその先端部領域のランドリード
部４の先端部底面とが露出して千鳥状の２列ランド構成
を有しているものである。そしてランド電極１６は封止
樹脂１５より露出しているが、２０［μｍ］程度の段差
を有して突出して露出しているものであり、基板実装時
のスタンドオフを有しているものである。同様にダイパ
ッド部１の底面も突出して露出しているものであり、基
板実装時はハンダ接合により放熱効率を向上させること
ができる。さらに、ダイパッド部１の底面には、凹部１
７が形成されており、これは突出部６をダイパッド部１
の上面にプレス加工による半切断状態で形成しているた
め、その突出量分の凹部が対応して底面に形成されてい
るものである。本実施形態では、２００［μｍ］の金属
板よりなるダイパッド部１（リードフレーム厚）の厚み
に対して、５０［μｍ］〜１００［μｍ］（金属板自体
の厚みの２５［％］〜５０［％］）突出した突出部６を
形成している。

【００３９】また、ランドリード部４、リード部５にお
けるボンディングパッド部１３の面積は、１００［μ
ｍ］以上のワイヤーボンドができる大きさであればよ
く、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の８０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。

【００４０】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂１５に封止されたランドリード部４の先端
部、リード部５の先端部の上面の面積が、封止樹脂１５
から露出、突出した側のランド電極１６側の面積よりも
大きく構成されており、封止樹脂１５との食いつきを良
好にし、密着性を向上させることができ、基板実装の際
の接続の信頼性を得ることができるものである。

【００４１】以上のように、本実施形態の樹脂封止型半
導体装置は、パッケージ底面には、ランドリード部４の
ランド電極１６の底面が配置され、そのランド電極１６
の外側にはリード部５の底面であるランド電極１６が配
置されて千鳥状の２列配置の外部端子を構成するもので
あり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケー
ジを構成することができる。またダイパッド部１の表面
には溝部７が設けられており、半導体素子１２の裏面と
ダイパッド部１表面との間で封止樹脂１５の樹脂剥離が
起こっても、その剥離を溝部７でトラップできるため、
樹脂封止型半導体装置として信頼性を維持できるもので
ある。その他、放熱特性の向上、基板実装時のハンダ接
合の精度向上、大きい面積の半導体素子を搭載できるな
どの利点もある。

【００４２】さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、従来のように配線基板、回路基板を用いず、リード
フレームを用いたＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置にお
いて、基板実装の実装強度を向上させた樹脂封止型半導
体装置である。図７は図６に示した本実施形態の樹脂封
止型半導体装置の実装状態の一例を示す断面図である。

【００４３】図７に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、パッケージ底面のランド電極１６とプ
リント基板等の実装基板１８とをハンダ等の接合剤１９
により接続し、実装している。ここでランドリード部の
底面のランド電極はその底面部分のみが接合剤と接触し
て実装されているが、リード部５のランド電極１６はそ
の底面部分が接合剤１９と接触して実装されることに加
えて、リード部５の外部側面が露出していることによ
り、接合剤１９がそのリード部５の側面とも接触して実
装されている。

【００４４】すなわち、通常はランド電極として、その
底面部分のみが接合剤を介して実装基板に接合されるも
のであるが、本実施形態では、列構成のランド電極にお
いて外側のランド電極は、リード部５よりなるものであ
り、その外側部分はパッケージ部分（封止樹脂１５）よ
り露出しているので、その外部側面に対して、接合剤を
設けることにより、底面＋側面の２点接合構造となり、
実装基板との接続の実装強度を向上させ、接続の信頼性
を向上させることができる。これは通常のリードフレー
ムＬＧＡ型半導体装置では達成できなかった実装構造で
あり、本実施形態では、ランド電極の構成をランド電
極、リード型ランド電極の２種類で２列構成としている
ため、パッケージの外側にも接続部分を設けることがで
き、底面＋側面の２点接合構造により、接続の信頼性を
向上させることができる革新的な構造を有している。

【００４５】以上、本実施形態で示したようなリードフ
レームを用いることにより、半導体素子を搭載し、樹脂
封止することにより、樹脂封止型半導体装置の底面部分
に半導体素子と電気的に接続したランド電極を直線状ま
たは千鳥状の２列で配列することができる。その結果、
面実装タイプの半導体装置が得られ、従来のようなリー
ド接合による実装に比べて、基板実装の信頼性を向上さ
せることができる。

【００４６】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド
電極を設けた回路基板等の基板を用いるものでなく、リ
ードフレームという金属板からなるフレーム本体からＬ
ＧＡ型の半導体装置を構成するものであり、量産性、コ
スト性などの面においては、従来のＢＧＡタイプの半導
体装置よりも有利となる。

【００４７】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置で
は、列構成のランド電極において外側のランド電極は、
リード部よりなるものであり、その外側部分の側端はパ
ッケージ部分より露出しているので、その外部側面に対
して、接合剤を設けることによりフィレットが形成さ
れ、底面＋側面の２点接合構造となり、実装基板との接
続の実装強度を向上させ、接続の信頼性を向上させるこ
とができる。これは通常のリードフレームＬＧＡ型半導
体装置では達成できなかった実装構造であり、本実施形
態では、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、実装強度を向上させることができ
る構造である。

【００４８】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図８〜図１３は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す工程ごとの断面図である。なお、本実施形
態では、図１に示したようなリードフレームを用いてＬ
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置を製造する形態を説明す
る。また本実施形態では便宜的にランドリード部４の断
面方向の図を用いて説明するので、図中、リード部５は
示されていない。

【００４９】まず図８に示すように、金属板よりなるフ
レーム本体と、そのフレーム本体の開口した領域内に配
設されて、表面に突出部６と、その突出部６を包囲する
円形または矩形の環状の溝部７と、底面に環状の溝部１
１と凹部１７を有した半導体素子搭載用のダイパッド部
１と、先端部でそのダイパッド部１を支持し、他端部で
フレーム枠（図示せず）と接続した吊りリード部（図示
せず）と、図示されないが、底面がランド電極となり、
その先端部表面に金属細線が接続される幅広のボンディ
ングパッド部を有し、そのボンディングパッド部の近傍
に溝部が設けられ、規則性を有して配列され、他端部が
フレーム枠と接続したリード部と、底面がランド電極１
６となり、その先端部表面に金属細線が接続される幅広
のボンディングパッド部１３を有し、上面が下面よりも
面積的に大きく、前記したリード部の先端部に千鳥状に
その先端部が配置されてそのリード部とともに２列構成
を形成し、他端部がフレーム枠と接続したランドリード
部４とを有するリードフレームを用意する。

【００５０】次に図９に示すように、用意したリードフ
レームのダイパッド部１の突出部６上に銀ペースト等の
導電性接着剤を介して半導体素子１２をその主面を上に
して接合する。

【００５１】次に図１０に示すように、ダイパッド部１
上に接合により搭載した半導体素子１２の主面上の電極
パッドと、リードフレームのランドリード部４、リード
部（図示せず）の各上面のボンディングパッド部１３と
を金属細線１４により電気的に接続する。ここで金属細
線１４が接続される各ボンディングパッド部の面積は、
一例として１００［μｍ］以上である。

【００５２】次に図１１に示すように、リードフレーム
の裏面側、すなわちダイパッド部１の底面、ランドリー
ド部４のランド電極１６、リード部（図示せず）の各底
面に密着するようにリードフレームの裏面側に封止テー
プまたは封止シート２０を密着させる。ここで使用する
封止シート２０は、リードフレームに対して接着力がな
く、樹脂後は容易にピールオフ等により除去できる樹脂
シートであり、樹脂封止工程でのリードフレームの裏面
側への封止樹脂の回り込みを確実に防止でき、その結
果、ダイパッド部１、ランドリード部４、リード部（図
示せず）の裏面への樹脂バリの付着を防止できる。その
ため、樹脂封止後の樹脂バリ除去のためのウォータージ
ェット工程を省略することができる。

【００５３】次に図１２に示すように、封止シート２０
を密着させた状態でリードフレームの上面側を封止樹脂
１５により樹脂封止し、半導体素子１２、ダイパッド部
１、金属細線１４の領域を樹脂封止する。通常は上下封
止金型を用いたトランスファーモールドにより片面封止
を行う。すなわち、ダイパッド部１、ランドリード部
４、リード部（図示せず）の底面部分を除いた片面封止
構造となる。また特にランドリード部４、リード部（図
示せず）のフレーム枠２と接続した部分、つまり樹脂封
止されないリード部分を封止シート２０を介して上下金
型の第１の金型により第２の金型に対して押圧すること
により、ランドリード部４、リード部（図示せず）の各
底面を封止シート２０に押圧、密着させた状態で樹脂封
止することにより、樹脂バリの発生を防止するととも
に、ランドリード部４、リード部（図示せず）の各底面
をパッケージ底面（封止樹脂１５底面）からスタンドオ
フを有して配置させることができる。

【００５４】なお、封止シート２０のリードフレーム裏
面への密着、貼付は、樹脂封止する封止用の上下金型に
予め供給しておいた封止シートを樹脂封止前に密着させ
てもよいし、樹脂封止前に別工程で封止シートをリード
フレームに密着、貼付したものを封止金型に供給し、樹
脂封止してもよい。

【００５５】次に図１３に示すように、樹脂封止後は封
止シートをピールオフ等により除去した後、吊りリード
部やランドリード部４、リード部の各リード部のフレー
ム枠と接続した部分を切断する。この段階で実質的に各
リード部の端部が樹脂封止したパッケージの側面と同一
面に配列するように切断する。そしてランドリード部
４、リード部の底面はランド電極１６を構成し、またリ
ード部の外側の側面部分も外部電極を構成し、ダイパッ
ド部１の底面も露出し、放熱構造を有するものである。

【００５６】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法により、パッケージ底面の内側列には、ラン
ドリード部４のランド電極１６の底面が配置され、その
ランド電極１６の外側列にはリード部の底面であるラン
ド電極が配置されて直線状もしくは千鳥状の２列配置の
外部端子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリ
ッド・アレイ）型パッケージを構成することができる。
さらに、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、接続の信頼性を向上させることが
できる樹脂封止型半導体装置を実現することができる。

【００５７】次に、本実施形態で示したリードフレーム
の構造では、別途、新たな問題が顕在化してきている。
すなわち、前記した実施形態のリードフレームでは、半
導体素子を支持する部分は、ダイパッド部の略中央部分
に設けた円形の突出部であるが、半導体素子を支持する
部分は１ケ所しかなく、接合強度が弱くなり、支持安定
性に欠けるという問題がある。通常、半導体素子とダイ
パッド部の突出部とは接着剤により接合されて搭載され
るが、突出部に半導体素子を接合した直後は接着剤が硬
化しておらず、また次工程のワイヤーボンド工程での加
熱により、接着剤が軟化し、衝撃によって半導体素子が
突出部から脱落してしまう。これは比較的サイズ（面
積）の大きい半導体素子を搭載した場合に顕著に表れや
すく、半導体素子の底面を１点で支持しているため不安
定となり、半導体素子をダイパッドの突出部上に搭載し
た直後、搬送上の振動等により半導体素子が脱落し、素
子損傷という問題が発生し得る。このような問題に対し
て、工程での半導体素子の位置ズレを防止し、信頼性を
高めることは技術的に重要な課題となっている。

【００５８】以下、本発明のリードフレームとそれを用
いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法につい
て、課題解決の実施形態について図面を参照しながら説
明する。

【００５９】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。図１４は本実施形態のリードフレームを示す
平面図である。図１５は本実施形態のリードフレームの
ダイパッド部を示す平面図である。図１６，図１７は本
実施形態のリードフレームのダイパッド部を示す断面図
であり、図１６は図１５のＧ−Ｇ１箇所の断面を示し、
図１７は図１５のＨ−Ｈ１箇所の断面を示す。

【００６０】本実施形態のリードフレームは、基本構成
は図１に示したリードフレームと同様であるが、ダイパ
ッド部の構成が異なり、半導体素子を安定に支持し、搬
送上の振動、衝撃等によっても脱落、剥離等が起こるの
を防止できる構成を有している。

【００６１】図１４に示すように本実施形態のリードフ
レームは、銅材または、４２−アロイ等の通常のリード
フレームに用いられている金属板よりなり、半導体素子
を搭載するダイパッド部１と、その末端でフレーム枠２
と接続し、先端部でダイパッド部１の四隅を支持する吊
りリード部３と、その先端部がダイパッド部１に対向
し、末端部がフレーム枠２と接続して配置された直線状
のランドリード部４と直線状のリード部５とよりなるリ
ードフレームであり、ランドリード部４とリード部５は
それぞれその底面で外部端子（ランド部）を構成するも
のであり、リード部５はその底面に加えて外方側面でも
外部端子として実装基板と接続できるものである。

【００６２】そして詳細には、ダイパッド部１にはその
略中央部分に円形の開口部２１が設けられ、その開口部
２１領域内に上方に突出した複数の円形の支持部２２
と、その複数の支持部２２を互いに環状に連結する連結
部２３が設けられているものである。またダイパッド部
１の表面の開口部２１を包囲する領域には溝部７が設け
られ、半導体素子を搭載し、樹脂封止した際に封止樹脂
がその溝部７に入り込むように設けられている。本実施
形態では溝部７は円形の環状の溝部７を設けたものであ
る。この溝部７により、ダイパッド部１の支持部２２上
に接着剤により半導体素子を搭載し、樹脂封止した際に
封止樹脂がその溝部７に入り込むため、熱膨張による応
力でダイパッド部１の表面と封止樹脂との間に樹脂剥離
が発生しても、その剥離自体を溝部でトラップすること
ができ、信頼性低下を防止することができるものであ
る。もちろん、溝部７の構成としては、環状の構成以
外、部分的に溝部を連結した構成でもよく、その数も２
本以上の３本，４本、または１本でもよいが、ダイパッ
ド部１の大きさと搭載する半導体素子の大きさにより設
定することができる。

【００６３】また詳細には図１５，図１６，図１７に示
すように、ダイパッド部１の支持部２２、連結部２３
は、開口部２１内においてダイパッド部１を構成してい
る平板に対してプレス加工により半切断状態のプレスを
施し、上方に突出させたものである。すなわち、連結部
２３の内、支持部２２の外方の連結部はダイパッド部１
と連結され、その部分がプレス加工により上方に押し上
げられて、支持部２２、連結部２３全体を突出させてい
るものである。本実施形態では、２００［μｍ］の金属
板よりなるダイパッド部１（リードフレーム厚）の厚み
に対して、連結部２３を５０［μｍ］〜１００［μｍ］
（金属板自体の厚みの２５［％］〜５０［％］）突出さ
せた支持部２２を形成している。この複数の支持部２２
が実質的に半導体素子を支持する部分となり、半導体素
子を搭載した際、ダイパッド部１の支持部２２、連結部
２３を除く表面と半導体素子裏面との間には間隙が形成
されるよう構成されている。なお、開口部２１の形状は
本実施形態では、円形としているが、楕円形や菱形でも
よい。また支持部２２の形状も円形以外の矩形状でもよ
く、その個数も４個ではなく、搭載する半導体素子の底
面の面積に応じて設定する。さらに支持部２２を互いに
連結する連結部２３も矩形状の環状で連結する以外、円
形の環状をなして連結してもよい。

【００６４】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置に
ついて説明する。図１８は本実施形態の樹脂封止型半導
体装置を示す主要箇所の断面図であり、図１４，図１
５，図１６，図１７に示したリードフレームを用いた樹
脂封止型半導体装置である。また、本実施形態の樹脂封
止型半導体装置は、基本構成は図５等に示した樹脂封止
型半導体装置と同様であるが、ダイパッド部の構成が異
なり、半導体素子を安定に支持し、搬送上の振動、衝撃
等による脱落を防止し、信頼性を向上させた構成を有し
ている。

【００６５】図１８に示すように、表面に開口部２１
と、その開口部２１を包囲する円形または矩形またはそ
れらの組み合わせの環状の溝部７と、底面に環状の溝部
１１と、開口部２１内に連結部２３で互いに環状に連結
された複数の支持部２２とを有したダイパッド部１と、
そのダイパッド部１の支持部２２上に銀ペースト等の導
電性接着剤２４を介して搭載された半導体素子１２と、
表面に溝部を有し、底面が露出したリード部（図示せ
ず）と、リード部の先端部領域よりもダイパッド部１側
に延在して配置され、その先端部の底面が露出してラン
ド電極を構成するランドリード部４と、半導体素子１２
の主面の電極パッド（図示せず）とランドリード部４、
リード部のボンディングパッド部１３とを電気的に接続
した金属細線１４と、ダイパッド部１の底面を除く領
域、搭載された半導体素子１２、ランドリード部４の底
面を除く領域、リード部の外部側面と底面とを除く領
域、および金属細線１４を封止した封止樹脂１５とより
なるものである。そして封止樹脂１５よりなるパッケー
ジ部より露出したランドリード部４の先端部底面と、リ
ード部の外部側面と底面とは、プリント基板等の実装基
板への実装の際、外部電極を構成するランド電極１６を
構成しており、リード部の底面とその先端部領域のラン
ドリード部４の先端部底面とが露出して千鳥状の２列ラ
ンド構成を有しているものである。そしてランド電極１
６は封止樹脂１５より露出しているが、２０［μｍ］程
度の段差を有して突出して露出しているものであり、基
板実装時のスタンドオフを有しているものである。同様
にダイパッド部１の底面も突出して露出しているもので
あり、基板実装時はハンダ接合により放熱効率を向上さ
せることができる。さらに、ダイパッド部１の底面、す
なわち開口部２１の支持部２２の下部にも封止樹脂１５
が形成されており、支持部２２に上方から印加される圧
力を吸収し、信頼性を向上している。

【００６６】次に本実施形態のリードフレームを用いた
樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。図
１９〜図２４は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す断面図である。

【００６７】まず図１９に示すように、金属板よりなる
フレーム枠内に半導体素子を搭載するダイパッド部１
と、末端でフレーム枠と接続し、先端部でダイパッド部
１の四隅を支持する吊りリード部と、その先端部がダイ
パッド部１に対向し、末端部がフレーム枠と接続して配
置された直線状のランドリード部４と直線状のリード部
とよりなるリードフレームであって、ランドリード部４
とリード部はそれぞれその底面で外部端子（ランド部）
を構成し、ダイパッド部１にはその表面の略中央部分に
円形の開口部２１が設けられ、その開口部２１領域内に
上方に突出した複数の円形の支持部２２と、その複数の
支持部２２を互いに環状に連結する連結部２３とが設け
られ、さらにダイパッド部１の表面の開口部２１を包囲
する領域に溝部７と、ダイパッド部１の底面の周囲に溝
部１１とが設けられたリードフレームを用意する。

【００６８】次に図２０に示すように、用意したリード
フレームのダイパッド部１の支持部２２上に銀ペースト
等の導電性接着剤２４を介して半導体素子１２をその主
面を上にして接合する。

【００６９】次に図２１に示すように、ダイパッド部１
上に接合により搭載した半導体素子１２の主面上の電極
パッドと、リードフレームのランドリード部４、リード
部（図示せず）の各上面のボンディングパッド部１３と
を金属細線１４により電気的に接続する。ここで金属細
線１４が接続される各ボンディングパッド部の面積は、
一例として１００［μｍ］以上である。ここで本実施形
態のリードフレームは複数の支持部２２を有し、各々の
支持部２２で半導体素子１２を接着しているため、金属
細線１４の接続時の衝撃や、この工程にともなう半導体
素子を搭載したリードフレームの移動、搬送の振動、衝
撃によって搭載した半導体素子１２が位置ズレを起こし
たり、ダイパッド部１から脱落するという不良を防止で
きる。

【００７０】次に図２２に示すように、リードフレーム
の裏面側、すなわちダイパッド部１の底面、ランドリー
ド部４のランド電極１６、リード部（図示せず）の各底
面に密着するようにリードフレームの裏面側に封止テー
プまたは封止シート２０を密着させる。ここで使用する
封止シート２０は、リードフレームに対して接着力がな
く、樹脂後は容易にピールオフ等により除去できる樹脂
シートであり、樹脂封止工程でのリードフレームの裏面
側への封止樹脂の回り込みを確実に防止でき、その結
果、ダイパッド部１、ランドリード部４、リード部（図
示せず）の裏面への樹脂バリの付着を防止できる。その
ため、樹脂封止後の樹脂バリ除去のためのウォータージ
ェット工程を省略することができる。

【００７１】次に図２３に示すように、封止シート２０
を密着させた状態でリードフレームの上面側を封止樹脂
１５により樹脂封止し、半導体素子１２、ダイパッド部
１、金属細線１４の領域を樹脂封止する。通常は上下封
止金型を用いたトランスファーモールドにより片面封止
を行う。すなわち、ダイパッド部１、ランドリード部
４、リード部（図示せず）の底面部分を除いた片面封止
構造となる。また特にランドリード部４、リード部（図
示せず）のフレーム枠と接続した部分、つまり樹脂封止
されないリード部分を封止シート２０を介して上下金型
の第１の金型により第２の金型に対して押圧することに
より、ランドリード部４、リード部（図示せず）の各底
面を封止シート２０に押圧、密着させた状態で樹脂封止
することにより、樹脂バリの発生を防止するとともに、
ランドリード部４、リード部（図示せず）の各底面をパ
ッケージ底面（封止樹脂１５底面）からスタンドオフを
有して配置させることができる。ここでダイパッド部１
は開口部２１を有しているため、注入された封止樹脂１
５はダイパッド部１の支持部２２の下方にも充填される
ため、樹脂注入時の圧力が半導体素子１２の片面（上
面）にのみ印加されることによる半導体素子１２の損傷
を防止できる。

【００７２】なお、封止シート２０のリードフレーム裏
面への密着、貼付は、樹脂封止する封止用の上下金型に
予め供給しておいた封止シートを樹脂封止前に密着させ
てもよいし、樹脂封止前に別工程で封止シートをリード
フレームに密着、貼付したものを封止金型に供給し、樹
脂封止してもよい。

【００７３】次に図２４に示すように、樹脂封止後は封
止シートをピールオフ等により除去した後、吊りリード
部やランドリード部４、リード部の各リード部のフレー
ム枠と接続した部分を切断する。この段階で実質的に各
リード部の端部が樹脂封止したパッケージ（封止樹脂１
５）の側面と同一面に配列するように切断する。そして
ランドリード部４、リード部の底面はランド電極１６を
構成し、またリード部の外側の側面部分も外部電極を構
成し、ダイパッド部１の底面も露出し、放熱構造を有す
るものである。

【００７４】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法により、パッケージ底面の内側列には、ラン
ドリード部４のランド電極１６の底面が配置され、その
ランド電極１６の外側列にはリード部の底面であるラン
ド電極が配置されて直線状もしくは千鳥状の２列配置の
外部端子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリ
ッド・アレイ）型パッケージを構成することができる。
さらに、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、接続の信頼性を向上させることが
できる樹脂封止型半導体装置を実現することができる。

【００７５】次に本発明のリードフレームの別の実施形
態について説明する。図２５，図２６は本実施形態のリ
ードフレームのダイパッド部を示す図であり、図２５は
平面図、図２６は図２５の平面のＩ−Ｉ１箇所の断面を
示す断面図である。本実施形態のリードフレームは、基
本構成は図１，図１４に示したリードフレームと同様で
あるが、ダイパッド部１の構成が異なるものである。

【００７６】図２５，図２６に示すように、本実施形態
のリードフレームのダイパッド部１には略均等な４ケ
所、すなわちダイパッド部１を矩形状に四等分した場合
の各矩形の中央部に円形の開口部２１が複数個、例えば
４ケ設けられ、その開口部２１領域内に上方に突出した
矩形状の支持部２２と、その支持部２２を開口部２１内
においてダイパッド部１自体に連結する連結部２３が設
けられているものである。またダイパッド部１の支持部
２２、連結部２３は、開口部２１内においてダイパッド
部１を構成している平板に対してプレス加工により半切
断状態のプレスを施し、上方に突出させたものである。
すなわち、連結部２３のダイパッド部１と接続した部分
がプレス加工により上方に押し上げられて、支持部２
２、連結部２３全体を突出させているものである。

【００７７】勿論、本実施形態においても、ダイパッド
部１の表面および底面には溝部を設けてもよい。

【００７８】本実施形態で示したダイパッド部を有する
リードフレームを用いることによっても、さらに半導体
素子を強固に支持でき、リードフレームのダイパッド部
上に半導体素子を搭載した後、ワイヤーボンド（金属細
線接続）工程やそのための移動工程での半導体素子の位
置ズレを防止し、信頼性を高めることができる。特に大
型の半導体素子を搭載する場合は有効である。

【００７９】

【発明の効果】以上、本発明のリードフレームにより、
従来のようなビーム状のリード電極に代えて、ランド電
極を有した樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。そして本発明により、樹脂封止型半導体装置の底面
のランド電極を回路基板等を用いることなく、フレーム
状態から形成でき、製造コストを低下させ、従来のよう
なリード接合による実装に比べて、基板実装の信頼性を
向上させることができる。

【００８０】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、従来のように突出したリード形成が必要ない
分、リードベンド工程が不要であって、樹脂封止後はパ
ッケージ底面の内側列には、ランドリード部のランド電
極の底面が配置され、そのランド電極の外側列にはリー
ド部の底面であるランド電極が配置されて直線状もしく
は千鳥状の２列配置の外部端子を構成し、ＬＧＡ型パッ
ケージを構成することができる。そして本発明の樹脂封
止型半導体装置の底面の列構成のランド電極において、
外側のランド電極はリード部よりなるものであり、その
外側部分の側端はパッケージ部分より露出しているの
で、その外部側面に対して、ハンダ等の接合剤を設ける
ことによりフィレット部が形成され、底面＋側面の２点
接合構造となり、実装基板との接続の実装強度を向上さ
せ、接続の信頼性を向上させることができる。

【００８１】さらに本発明のリードフレーム、その構造
の作用により、リードフレームのダイパッド部上に半導
体素子を搭載した後、ワイヤーボンド（金属細線接続）
工程やそのための移動工程での半導体素子の位置ズレ、
脱落、傾きを防止し、製造過程の信頼性を高め、製品と
しての信頼性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図

【図２】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図

【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す平面図

【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図

【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図

【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図

【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
実装構造を示す断面図

【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図

【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図

【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１４】本発明の一実施形態のリードフレームを示す
平面図

【図１５】本発明の一実施形態のリードフレームのダイ
パッド部を示す平面図

【図１６】本発明の一実施形態のリードフレームのダイ
パッド部を示す断面図

【図１７】本発明の一実施形態のリードフレームのダイ
パッド部を示す断面図

【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図

【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２５】本発明の一実施形態のリードフレームのダイ
パッド部を示す平面図

【図２６】本発明の一実施形態のリードフレームのダイ
パッド部を示す断面図

【図２７】従来のリードフレームを示す平面図

【図２８】従来のリードフレームを示す断面図

【図２９】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図

【図３０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図

【図３１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図

【図３２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図

【図３３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図

【図３４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す断面図

【符号の説明】

１ダイパッド部２フレーム枠３吊りリード部４ランドリード部５リード部６突出部７溝部８ランド部９幅広部１０溝部１１溝部１２半導体素子１３ボンディングパッド部１４金属細線１５封止樹脂１６ランド電極１７凹部１８実装基板１９接合剤２０封止シート２１開口部２２支持部２３連結部２４導電性接着剤

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高崎秀次大阪府高槻市幸町１番１号松下電子工業株式会社内 (72)発明者中澤栄一大阪府高槻市幸町１番１号松下電子工業株式会社内Ｆターム(参考） 5F067 AA01 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA10 AB04 AB07 BB01 BB02 BB04 BC06 BC07 BD05 BD10 BE00 BE01 BE02 DA17 DA18 DE01 DE08 DE09 DE10 DF16

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属板よりなるフレーム枠内に半導体素
子を搭載するダイパッド部と、末端で前記フレーム枠と
接続し、先端部で前記ダイパッド部を支持する吊りリー
ド部と、その先端部が前記ダイパッド部に対向し、末端
部が前記フレーム枠と接続して配置されたランドリード
部とリード部とよりなるリードフレームであって、前記
ランドリード部と前記リード部とはそれぞれその底面で
外部端子を構成し、前記ダイパッド部は、その略中央部
分に開口部を有し、前記開口部領域内に上方に突出した
半導体素子底面を支持する複数の支持部と、前記複数の
支持部を互いに連結する連結部とを有していることを特
徴とするリードフレーム。
【請求項２】金属板よりなるフレーム枠内に半導体素
子を搭載するダイパッド部と、末端で前記フレーム枠と
接続し、先端部で前記ダイパッド部の四隅を支持する吊
りリード部と、その先端部が前記ダイパッド部に対向
し、末端部が前記フレーム枠と接続して配置されたラン
ドリード部とリード部とよりなるリードフレームであっ
て、前記ランドリード部と前記リード部とはそれぞれそ
の底面で外部端子を構成し、前記ダイパッド部は、複数
の開口部を有し、前記開口部領域内に各々上方に突出し
た支持部と、前記支持部を前記開口部内においてダイパ
ッド部自体に連結する連結部とを有していることを特徴
とするリードフレーム。
【請求項３】ダイパッド部の表面に溝部と、前記ダイ
パッド部の底面の周囲に溝部とを有したことを特徴とす
る請求項１または請求項２のいずれかに記載のリードフ
レーム。
【請求項４】ダイパッド部と、前記ダイパッド部上に
接着剤を介して搭載された半導体素子と、リード部と、
前記リード部の先端部領域よりも前記ダイパッド部側に
延在して配置され、その先端部の底面が露出してランド
電極を構成するランドリード部と、前記半導体素子の電
極と前記ランドリード部、前記リード部の各ボンディン
グパッド部とを接続した金属細線と、前記ダイパッド部
の底面を除く領域、搭載された半導体素子、前記ランド
リード部の底面を除く領域、前記リード部の底面を除く
領域、および金属細線の接続領域を封止した封止樹脂と
よりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記ダイパッ
ド部は開口部を有し、前記開口部内に連結部により互い
に連結され、上方に突出した複数の支持部とを有したダ
イパッド部であり、前記複数の支持部上に接着剤を介し
て半導体素子が接着されていることを特徴とする樹脂封
止型半導体装置。
【請求項５】金属板よりなるフレーム枠内に半導体素
子を搭載するダイパッド部と、末端で前記フレーム枠と
接続し、先端部で前記ダイパッド部を支持する吊りリー
ド部と、その先端部が前記ダイパッド部に対向し、末端
部が前記フレーム枠と接続して配置されたランドリード
部とリード部とよりなるリードフレームであって、前記
ランドリード部と前記リード部とはそれぞれその底面で
外部端子を構成し、前記ダイパッド部は、その略中央部
分に開口部を有し、前記開口部領域内に上方に突出した
半導体素子底面を支持する複数の支持部と、前記複数の
支持部を互いに連結する連結部とを有しているリードフ
レームを用意する工程と、用意したリードフレームの前
記ダイパッド部の複数の支持部上に接着剤を介して半導
体素子をその主面を上にして接着する工程と、前記ダイ
パッド部上に搭載した前記半導体素子の電極と、前記リ
ードフレームのランドリード部、リード部の各上面のボ
ンディングパッド部とを金属細線により接続する工程
と、前記ダイパッド部の底面、ランドリード部のランド
電極、リード部の各底面に密着するように前記リードフ
レームの裏面側に封止シートを密着させる工程と、前記
封止シートを密着させた状態でリードフレームの上面側
を封止樹脂により樹脂封止し、半導体素子、ダイパッド
部、金属細線の領域を樹脂封止する工程と、樹脂封止後
に封止シートを除去し、吊りリード部やランドリード
部、リード部の各リード部の前記リードフレームのフレ
ーム枠と接続した部分を切断し、ダイパッド部と、前記
ダイパッド部上に接着剤を介して搭載された半導体素子
と、リード部と、前記リード部の先端部領域よりも前記
ダイパッド部側に延在して配置され、その先端部の底面
が露出してランド電極を構成するランドリード部と、前
記半導体素子の電極と前記ランドリード部、前記リード
部の各ボンディングパッド部とを接続した金属細線と、
前記ダイパッド部の底面を除く領域、搭載された半導体
素子、前記ランドリード部の底面を除く領域、前記リー
ド部の底面を除く領域、および金属細線の接続領域を封
止した封止樹脂とよりなり、前記ダイパッド部は開口部
を有し、前記開口部内に連結部により互いに連結され、
上方に突出した複数の支持部とを有したダイパッド部で
あり、前記複数の支持部上に接着剤を介して半導体素子
が接着されている樹脂封止型半導体装置を得る工程とよ
りなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。