JP3072291B1

JP3072291B1 - リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP3072291B1
Application number: JP11590099A
Authority: JP
Inventors: 匡紀南尾; 徹野村
Original assignee: 松下電子工業株式会社
Priority date: 1999-04-23
Filing date: 1999-04-23
Publication date: 2000-07-31
Anticipated expiration: 2019-04-23
Also published as: JP2000307049A

Abstract

【要約】【課題】樹脂封止型半導体装置では側面に外部リード
が突出して設けられており、そのリードと基板電極とを
接合して実装するものであるため、ＢＧＡタイプの半導
体装置に比べて、基板実装の信頼性は低いものであっ
た。【解決手段】本発明のリードフレームを用い、樹脂封
止型半導体装置を構成した際、パッケージ底面には、ラ
ンドリード部４のランド部８の底面が配置され、そのラ
ンド部８の外側にはリード部５の底面が配置されて直線
状の２列配置の外部端子を構成するものであり、ＬＧＡ
型パッケージを構成することができる。またパッケージ
底面の四隅にはダミーランド部１４を配置できるため、
パッケージした際の基板実装時の熱応力による影響を防
止することができる。さらにダイパッド部１には溝部７
が設けられており、樹脂封止後の樹脂剥離が起こって
も、その剥離を溝部７でトラップできるため、信頼性を
維持できるものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに加えて、外部端子とな
るランド電極を備えたリードを有したリードフレームに
関するもので、それを用いて半導体素子を搭載し、外囲
を樹脂で封止したランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）
型の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。

【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。

【０００４】図２８は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図２８に示すように、従来のリード
フレームは、フレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０
１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部
１０２と、ダイパッド部１０２を支持する吊りリード部
１０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半
導体素子と金属細線等の接続手段により電気的接続する
ビーム状のインナーリード部１０４と、そのインナーリ
ード部１０４と連続して設けられ、外部端子との接続の
ためのアウターリード部１０５と、アウターリード部１
０５どうしを連結固定し、樹脂封止の際の樹脂止めとな
るタイバー部１０６とより構成されていた。

【０００５】なお、リードフレームは、図２８に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。

【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図２９は、図２８に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。

【０００７】図２９に示すように、リードフレームのダ
イパッド部１０２上に半導体素子１０７が搭載され、そ
の半導体素子１０７とインナーリード部１０４とが金属
細線１０８により電気的に接続されている。そしてダイ
パッド部１０２上の半導体素子１０７、インナーリード
部１０４の外囲は封止樹脂１０９により封止されてい
る。封止樹脂１０９の側面からはアウターリード部１０
５が突出して設けられ、先端部はベンディングされてい
る。

【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図３０に示すように、リードフレームのダイパッド
部１０２上に半導体素子１０７を接着剤により接合した
後（ダイボンド工程）、半導体素子１０７とインナーリ
ード部１０４の先端部とを金属細線１０８により接続す
る（ワイヤーボンド工程）。その後、半導体素子１０７
の外囲を封止するが、封止領域はリードフレームのタイ
バー部１０６で包囲された領域内を封止樹脂１０９によ
り封止し、アウターリード部１０５を外部に突出させて
封止する（樹脂封止工程）。そしてタイバー部１０６で
封止樹脂１０９の境界部をカッティングし、各アウター
リード部１０５を分離し、フレーム枠１０１を除去する
とともに、アウターリード部１０５の先端部をベンディ
ングすることにより（タイバーカット・ベンド工程）、
図２９に示した構造の樹脂封止型半導体装置を製造する
ことができる。ここで図３０において、破線で示した領
域が封止樹脂１０９で封止する領域である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部（アウターリード部）の
幅の形成には限界があり、多ピンに対応しようとする場
合は、インナーリード部（アウターリード部）の数が多
くなるため、リードフレーム自体が大きくなり、結果と
して樹脂封止型半導体装置も大きくなり、要望される小
型、薄型の樹脂封止型半導体装置は実現できないという
課題があった。また、半導体素子の多ピン対応としてリ
ードフレームのサイズを変更せず、インナーリード部を
増加させる場合は、１本当たりのインナーリード部の幅
を細くしなければならず、リードフレーム形成のエッチ
ング等の加工で課題が多くなってしまう。

【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極（ボール電極、ランド電極）を設け
たキャリア（配線基板）上に半導体素子を搭載し、電気
的接続を行った後、そのキャリアの上面を樹脂封止した
半導体装置であるボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）
タイプやランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）タイプの
半導体装置がある。このタイプの半導体装置はその底面
側でマザー基板と実装する半導体装置であり、今後、こ
のような面実装タイプの半導体装置が主流になりつつあ
る。したがって、このような動向に対応するには、従来
のリードフレーム、そのリードフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置では、対応できないという大きな課題が
顕在化してきている。

【００１１】従来の樹脂封止型半導体装置では、封止樹
脂の側面にアウターリード部よりなる外部リードが突出
して設けられており、その外部リードと基板電極とを接
合して実装するものであるため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡ
タイプの半導体装置に比べて、基板実装の信頼性は低い
ものとなってしまう。また、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイ
プの半導体装置は、配線基板を用いているため、コスト
的に高価となるという課題がある。

【００１２】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できるフレームタイプのパッケ
ージ材を用いた樹脂封止型半導体装置を提供するもので
あり、底面側で基板実装できる半導体装置をフレーム体
を用いて構成することを目的とするものである。そして
従来のリードフレームに着目した発想から転換し、ビー
ム状のリードに加えて、外部電極となるランドをフレー
ム状で形成する点に主眼をおいたリードフレームとそれ
を用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提
供するものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のリードフレームは、金属板よりなる
フレーム本体と、前記フレーム本体の領域内に配設され
て、表面に突出部を有した半導体素子搭載用のダイパッ
ド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端部で
フレーム枠と接続した吊りリード部と、先端部表面に金
属細線が接続されるボンディングパッド部と前記ボンデ
ィングパッド部近傍に溝部とを有し、他端部が前記フレ
ーム枠と接続し、底面がランド電極となるリード部と、
前記リード部の先端部領域にその先端部が配置され、他
端部が前記フレーム枠と接続し、底面がランド電極とな
るランドリード部とよりなり、少なくとも前記リード部
のランド電極と前記ランドリード部のランド電極とは直
線状の２列を構成しているリードフレームである。

【００１４】また本発明のリードフレームは、金属板よ
りなるフレーム本体と、前記フレーム本体の領域内に配
設されて、表面に突出部を有した半導体素子搭載用のダ
イパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他
端部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、先端部表
面に金属細線が接続されるボンディングパッド部と前記
ボンディングパッド部近傍に溝部とを有し、他端部が前
記フレーム枠と接続し、底面がランド電極となるリード
部と、前記リード部の先端部領域にその先端部が配置さ
れ、他端部が前記フレーム枠と接続し、底面がランド電
極となるランドリード部とよりなり、少なくとも前記リ
ード部の先端部と平行して前記ランドリード部の先端部
は前記リード部の前記先端部よりも前記ダイパッド部側
に延在し、前記リード部のランド電極と前記ランドリー
ド部のランド電極とは千鳥状の２列を構成しているリー
ドフレームである。

【００１５】具体的には、ダイパッド部の突出部は、前
記ダイパッド部を構成する材料がプレス加工による半切
断状態で突出した突出部であり、前記ダイパッド部の底
面は前記突出部に対応した凹部が形成されているリード
フレームである。

【００１６】また、ダイパッド部の突出部は、前記ダイ
パッド部を構成する材料がハーフエッチ加工により突出
部を設けた部分以外が薄厚にエッチングされ、エッチン
グされない部分が残存して突出した突出部であり、前記
ダイパッド部の底面は平坦であるリードフレームであ
る。

【００１７】また、ダイパッド部はその表面の突出部を
包囲する環状の溝を有しているリードフレームである。

【００１８】また、ダイパッド部はその底面に環状の溝
を有しているリードフレームである。

【００１９】また、吊りリードは、その他端部のフレー
ム枠と接続した部分の近傍にダミーランド部を有してい
るリードフレームである。

【００２０】

【００２１】また、ランドリード部はその先端部表面に
ボンディングパッド部を有し、前記ボンディングパッド
下部に下方に突出したランド部を有しているリードフレ
ームである。

【００２２】本発明の樹脂封止型半導体装置は、表面に
突出部を有したダイパッド部と、前記ダイパッド部の前
記突出部上に搭載された半導体素子と、表面に溝部を有
し、底面が露出したリード部と、前記リード部の先端部
領域にその先端部が引き回しで配置され、その先端部の
底面が露出してランド電極を構成するランドリード部
と、前記半導体素子の電極パッドと前記ランドリード
部、前記リード部とを電気的に接続した金属細線と、前
記ダイパッド部の底面を除く領域、搭載された半導体素
子、ランドリード部の底面を除く領域、リード部の外部
側面と底面とを除く領域、および金属細線領域を封止し
た封止樹脂とよりなり、前記ダイパッド部の表面と前記
半導体素子の底面との間隙には前記封止樹脂の一部が介
在し、前記封止樹脂よりなるパッケージ部底面より露出
したランドリード部の底面と、リード部の外部側面と底
面とは外部電極を構成するランド電極を構成しており、
少なくとも前記リード部の底面とその先端部領域に配置
されたランドリード部の先端部底面とは直線状の２列を
構成して露出するとともに、前記リード部の側端面が封
止樹脂側面から露出している樹脂封止型半導体装置であ
る。

【００２３】また、表面に突出部を有したダイパッド部
と、前記ダイパッド部の前記突出部上に搭載された半導
体素子と、表面に溝部を有し、底面が露出したリード部
と、前記リード部の先端部領域にその先端部が引き回し
で配置され、その先端部の底面が露出してランド電極を
構成するランドリード部と、前記半導体素子の電極パッ
ドと前記ランドリード部、前記リード部とを電気的に接
続した金属細線と、前記ダイパッド部の底面を除く領
域、搭載された半導体素子、ランドリード部の底面を除
く領域、リード部の外部側面と底面とを除く領域、およ
び金属細線領域を封止した封止樹脂とよりなり、前記ダ
イパッド部の表面と前記半導体素子の底面との間隙には
前記封止樹脂の一部が介在し、前記封止樹脂よりなるパ
ッケージ部底面より露出したランドリード部の底面と、
リード部の外部側面と底面とは外部電極を構成するラン
ド電極を構成しており、少なくとも前記リード部の底面
とその先端部領域に配置されたランドリード部の先端部
底面とは千鳥状の２列を構成して露出するとともに、前
記リード部の側端面が封止樹脂側面から露出している樹
脂封止型半導体装置である。

【００２４】具体的には、ダイパッド部はその表面の突
出部を包囲する環状の溝を有している樹脂封止型半導体
装置である。

【００２５】また、ダイパッド部はその底面に環状の溝
を有している樹脂封止型半導体装置である。

【００２６】また、封止樹脂よりなるパッケージ部底面
にはダミーランド部が露出して設けられている樹脂封止
型半導体装置である。

【００２７】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、表面に突出部と、前記突出部を包囲する環状の溝部
と、底面に環状の溝部を有した半導体素子搭載用のダイ
パッド部と、先端部で前記ダイパッド部を支持し、他端
部でフレーム枠と接続した吊りリード部と、先端部底面
がランド電極となり、表面に溝部が設けられ、他端部が
前記フレーム枠と接続したリード部と、先端部が前記リ
ード部の先端部付近に配置され、他端部が前記フレーム
枠と接続したランドリード部とよりなり、前記リード部
の先端部と前記ランドリード部の先端部とが直線状の２
列配置を構成しているリードフレームを用意する工程
と、前記用意したリードフレームの前記ダイパッド部の
突出部上に半導体素子を搭載する工程と、前記ダイパッ
ド部上に搭載した前記半導体素子の主面上の電極パッド
と、前記リードフレームのランドリード部、前記リード
部の各上面とを金属細線により接続する工程と、前記リ
ードフレームの裏面側の少なくともダイパッド部、ラン
ドリード部、リード部の各底面に密着するように接着力
を有する封止シートを貼付する工程と、前記封止シート
を貼付した状態で少なくとも前記ランドリード部、リー
ド部を前記封止シートに押圧した状態で、前記リードフ
レームの上面側として前記半導体素子、ダイパッド部、
金属細線の領域を樹脂封止するとともに、少なくとも前
記ダイパッド部、ランドリード部、リード部の底面部分
を除いて樹脂封止する工程と、樹脂封止後に前記封止シ
ートを前記リードフレームより除去し、前記リードフレ
ームの吊りリード部、ランドリード部、リード部のフレ
ーム枠と接続した部分を実質的にそれらの端部が樹脂封
止したパッケージの側面と同一面に配列するように切断
し、前記パッケージ底面に前記ランドリード部、リード
部の底面によるランド電極を露出させ、かつ前記リード
部の側端部を外部電極として前記パッケージ側面に露出
させた樹脂封止型半導体装置を形成する工程とよりなる
樹脂封止型半導体装置の製造方法である。

【００２８】また、表面に突出部と、前記突出部を包囲
する環状の溝部と、底面に環状の溝部を有した半導体素
子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部
を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、先端部底面がランド電極となり、表面に溝部が設け
られ、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、
先端部が前記リード部の先端部付近に配置され、他端部
が前記フレーム枠と接続したランドリード部とよりな
り、前記リード部の先端部と前記ランドリード部の先端
部とが千鳥状の２列配置を構成しているリードフレーム
を用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記
ダイパッド部の突出部上に半導体素子を搭載する工程
と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主
面上の電極パッドと、前記リードフレームのランドリー
ド部、前記リード部の各上面とを金属細線により接続す
る工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともダ
イパッド部、ランドリード部、リード部の各底面に密着
するように接着力を有する封止シートを貼付する工程
と、前記封止シートを貼付した状態で少なくとも前記ラ
ンドリード部、リード部を前記封止シートに押圧した状
態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
子、ダイパッド部、金属細線の領域を樹脂封止するとと
もに、少なくとも前記ダイパッド部、ランドリード部、
リード部の底面部分を除いて樹脂封止する工程と、樹脂
封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去
し、前記リードフレームの吊りリード部、ランドリード
部、リード部のフレーム枠と接続した部分を実質的にそ
れらの端部が樹脂封止したパッケージの側面と同一面に
配列するように切断し、前記パッケージ底面に前記ラン
ドリード部、リード部の底面によるランド電極を露出さ
せ、かつ前記リード部の側端部を外部電極として前記パ
ッケージ側面に露出させた樹脂封止型半導体装置を形成
する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法で
ある。

【００２９】前記構成の通り、本発明のリードフレーム
は、樹脂封止型半導体装置を構成した際、その外部電極
となるランド電極をリード体として設けたものであり、
半導体素子を搭載し、金属細線で半導体素子と各リード
とを接続し、樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を構成
した際、樹脂封止型半導体装置の底面、すなわちパッケ
ージ底面領域内には、ランドリード部のランド部の底面
が配置され、そのランド部の外側にはリード部の底面が
配置されて２列配置の外部端子を構成するものであり、
ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケージを構
成することができる。

【００３０】また本発明のリードフレームを用いた樹脂
封止型半導体装置では、その底面部分に半導体素子と電
気的に接続したランド電極を直線状または千鳥状の２列
で配列することができる。その結果、面実装タイプの半
導体装置が得られ、従来のようなリード接合による実装
に比べて、基板実装の信頼性を向上させることができ
る。

【００３１】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、従
来のＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド電極を
設けた回路基板等の基板を用いるものでなく、リードフ
レームという金属板からなるフレーム本体からＬＧＡ型
の半導体装置を構成するものであり、量産性、コスト性
などの面においては、従来のＢＧＡタイプの半導体装置
よりも有利となる。さらに本発明の樹脂封止型半導体装
置では、列構成のランド電極において外側のランド電極
は、リード部よりなるものであり、その外側部分の側端
はパッケージ部分より露出しているので、その外部側面
に対して、ハンダ等の接合剤を設けることによりフィレ
ットが形成され、底面＋側面の２点接合構造となり、実
装基板との接続の実装強度を向上させ、接続の信頼性を
向上させることができる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームと
それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
の一実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００３３】まず本実施形態のリードフレームについて
説明する。

【００３４】図１は本実施形態のリードフレームを示す
平面図である。図２は本実施形態のリードフレームのリ
ード部分を示す拡大図であり、図１における円内部分の
拡大図として、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）
は図２（ａ）のＡ−Ａ１、Ｂ−Ｂ１箇所の断面図であ
る。なお、図１において、二点鎖線で示した領域は、本
実施形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載
し、樹脂封止する際の封止領域を示している。

【００３５】図１，図２に示すように本実施形態のリー
ドフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常のリ
ードフレームに用いられている金属板よりなり、その金
属板の開口領域の略中央部に配置され、半導体素子を搭
載し、その半導体素子よりも面積的に小型のダイパッド
部１と、末端でフレーム枠２と接続し、先端部でダイパ
ッド部１の四隅を支持する吊りリード部３と、その先端
部がダイパッド部１に対向して延在し、末端部がフレー
ム枠２と接続して配置され、屈曲部を有するランドリー
ド部４と直線状のリード部５とよりなるリードフレーム
であり、ランドリード部４とリード部５はそれぞれその
底面で外部端子（ランド部）を構成するものであり、リ
ード部５はその底面に加えて外方側面でも外部端子とし
て実装基板と接続できるものである。

【００３６】そして詳細には、ダイパッド部１にはその
表面の略中央部分に円形で７０［μｍ］の突出量の突出
部６が設けられ、その突出部６は、ダイパッド部１を構
成している平板に対してプレス加工により半切断状態
（プレスによる打ち抜きを途中で停止させた状態）のプ
レスを施し、上方に突出させたものである。この突出部
６が実質的に半導体素子を支持する部分となり、半導体
素子を搭載した際、ダイパッド部１の突出部６を除く表
面と半導体素子裏面との間には間隙が形成されるよう構
成されている。またダイパッド部１の表面の突出部６を
包囲する領域には溝部７が設けられ、半導体素子を搭載
し、樹脂封止した際に封止樹脂がその溝部７に入り込む
ように設けられている。本実施形態では溝部７は円形の
環状の溝部７を設けたものである。

【００３７】この溝部７により、ダイパッド部１の突出
部６上に接着剤により半導体素子を搭載し、樹脂封止し
た際に封止樹脂がその溝部７に入り込むため、熱膨張に
よる応力でダイパッド部１の表面と封止樹脂との間に樹
脂剥離が発生しても、その剥離自体を溝部でトラップす
ることができ、樹脂剥離を止め、信頼性低下を防止する
ことができるものである。もちろん、溝部７の構成とし
ては、環状の構成以外、部分的に溝部を連結した構成や
仮想的に環状を構成する円形、矩形形状でもよく、その
数も２本以上の３本，４本、または１本でもよいが、ダ
イパッド部１の大きさと搭載する半導体素子の大きさに
より設定することができる。また本実施形態では図示し
ていないが、リードフレームのダイパッド部１の突出部
６にはさらに段差部を設け、その段差部に開口部、切り
込みを設けてもよく、その突出部の段差部上に半導体素
子を搭載し、リードと相互に電気的に接続し、外囲を樹
脂封止した際、設けた開口部を通じて封止樹脂がダイパ
ッド部内に充填され、またダイパッド部１上の半導体素
子の裏面の封止樹脂と接する面積も増大するので、封止
樹脂と半導体素子との密着性が向上し、製品の信頼性を
向上させることができる。

【００３８】また、本実施形態のリードフレームのラン
ドリード部４とリード部５は、フレーム枠２と接続した
状態では交互配列の並列配置となっているが、ダイパッ
ド部１に対向する配置においては、ランドリード部４の
先端部がリード部５の先端部に引き回されて、それら先
端部どうしは同一直線上に配置されて２列を構成してい
るものである。この配置は、半導体素子を搭載し、樹脂
封止した際には、パッケージ底面に２列の外部端子が格
子状に配置されるようにしたものであり、ランドリード
部４の先端部底面とリード部５の底面とがパッケージ底
面に配置されるものである。そして特に図２に示すよう
に、ランドリード部４は、その先端部の底面部分に外部
端子となるランド部８が下方に突出して形成されてお
り、ランド部８を形成する部分以外はハーフエッチ加工
により厚みが薄く加工されボンディング領域を構成し、
ランド部８はリード部材本来の厚みを有するものであ
る。すなわちランドリード部４においてランド部８は下
方に突出した形状を有し、ランドリード部４自体は上面
が下面よりも広い面積を有している。なお図１では、ラ
ンドリード部４の先端部底面の破線で示した部分がラン
ド部８を示し、図２では格子状ハッチング領域がハーフ
エッチされている部分を示している。またリード部５は
同様に図２に示すように、その先端部の外周部分がハー
フエッチ加工により薄厚に加工され、先端部が幅広部９
を有し、その幅広部９の根本付近には溝部１０が設けら
れている。図１，図２においてハッチングを付した部分
が溝部１０である。本実施形態のリードフレームを用い
て半導体素子を搭載し、樹脂封止した際、リード部５自
体は底面と側面が露出される片面封止構成となるため、
従来のようなフルモールドパッケージのリード部とは異
なり、封止樹脂による応力、基板実装後の応力がリード
部に印加される場合がある。しかし、この溝部１０によ
り、封止樹脂による応力、基板実装後の応力によりリー
ド部５自体に応力が印加されても、溝部１０で応力を吸
収できるものであり、金属細線の接続部分の破壊を防止
し、実装後の製品の信頼性を維持できるものである。な
お、ここでランドリード部４のランド部８の表面領域、
リード部５の幅広部９は金属細線が接続されるボンディ
ングパッドを構成するものである。

【００３９】また、本実施形態のリードフレームのダイ
パッド部１の突出部６を包囲する領域に相当する底面に
は、矩形状の環状の溝部１１を設けている。この溝部１
１により、ダイパッド部１の底面にハンダ等の接合材料
を用いて基板実装した際、ハンダの余分な広がりを防止
し、実装精度を向上させるとともに、半導体素子からの
放熱作用によるダイパッド部１自体の応力を吸収できる
ものであり、パッケージ内部からの応力の伝搬を遮断で
きるものである。さらに樹脂封止時のダイパッド部１底
面への封止樹脂の回り込みによる樹脂バリの発生を防止
できるものである。また本実施形態では溝部１１を１本
設けているが、その外周部にも環状の溝部を形成しても
さらなる実装精度向上を達成できる。さらに溝部１１の
形状も同様に連続した環状の溝形状以外、仮想的な円
形、矩形の環状の溝でもよい。

【００４０】さらに、本実施形態では吊りリード部３は
２箇所の屈曲部として、第１の屈曲部１２、第２の屈曲
部１３（ディプレス部）を有し、第１の屈曲部１２によ
り吊りリード部３の中間領域部分を上方に配置し、そし
て第２の屈曲部１３により吊りリード部３のダミーラン
ド部１４は元の高さ位置を維持されるため、ダミーラン
ド部１４はダイパッド部１の底面、ランドリード部４の
ランド部８の底面、リード部５の底面と同じ面に配置さ
れる。その結果、樹脂封止した際には、パッケージ底面
の四隅にダミーランド部１４を配置できるものである。
また、吊りリード部３の中間領域部分を他のダイパッド
部１の底面、ランドリード部４のランド部８の底面、リ
ード部５の底面よりも上方に配置するのは、信頼性を考
慮して樹脂封止した際にその封止樹脂中にその上方に配
置した吊りリード部３を封止するためである。

【００４１】本実施形態のリードフレームにおける各溝
部７，１０，１１の寸法は、５０［μｍ］〜１５０［μ
ｍ］の幅であり、好ましくは１００［μｍ］であり、ま
た５０［μｍ］〜１５０［μｍ］の深さ（段差）であ
り、好ましくは１００［μｍ］である。

【００４２】なお、ランドリード部４、リード部５の数
は、搭載する半導体素子のピン数などにより、その数を
適宜設定できるものである。また本実施形態のリードフ
レームはその表面がメッキ処理されたものであり、必要
に応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐ
ｄ）および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッ
キされているものである。また本実施形態のリードフレ
ームは図１に示したようなパターンが１つよりなるもの
ではなく、左右・上下に連続して形成できるものであ
る。

【００４３】次に本実施形態のリードフレームのダイパ
ッド部１については、図３，図４に示すような構成でも
よい。図３はダイパッド部を示す図であり、図３（ａ）
は平面図、図３（ｂ）は側面図、同様に図４（ａ）は平
面図、図４（ｂ）は側面図であり、突出部の構成を示す
便宜上、断面図ではなく側面図で示している。

【００４４】図３，図４に示すように、ダイパッド部１
の突出部６は、前記したように半切断状態で金属板自体
から突出させた構成とは異なり、ダイパッド部１の底面
自体は平坦である。これはダイパッド部１に対してハー
フエッチング処理を施し、突出部６を形成する部分以外
の厚みを薄くするためにエッチングしたものであり、エ
ッチングされない残存部分が突出部６を構成するもので
ある。そして図３では突出部６の形状を円柱状に構成
し、図４では突出部６の形状をＸ状に構成している。い
ずれの構成にしても、ダイパッド部１の突出部６に半導
体素子を搭載した際、半導体素子の底面とダイパッド部
１の突出部６以外の領域には間隙が形成され、樹脂封止
した場合、ダイパッド部表面と半導体素子裏面との間に
封止樹脂が介在することになり、樹脂封止型半導体装置
として信頼性が向上するものである。特に図４に示した
Ｘ状の突出部６では、封止樹脂が半導体素子の裏面によ
り多くの面積で接触させることができるため、樹脂封止
型半導体装置として信頼性が向上するものである。ま
た、図３，図４に示した構成では、図１に示した半切断
の突出部の構成とは異なり、ハーフエッチングによる突
出部６の構成であるため、ダイパッド部１の底面と突出
部６の上面との間の厚みが薄くなり、薄型の樹脂封止型
半導体装置を構成するのに適したダイパッド部を実現で
きる。なお、突出部６の形状は、円柱状、Ｘ状以外に
も、封止樹脂の熱応力の影響等を考慮し、製品としての
信頼性を維持できるものであれば他の形状でもよい。

【００４５】本実施形態のリードフレームにより、半導
体素子を搭載し、金属細線で半導体素子と各リードとを
接続し、樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を構成した
際、樹脂封止型半導体装置の底面、すなわちパッケージ
底面には、ランドリード部４のランド部８の底面が配置
され、そのランド部８の外側にはリード部５の底面が配
置されて直線状の２列配置の外部端子を構成するもので
あり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケー
ジを構成することができる。そして本実施形態のリード
フレームを用いて樹脂封止型半導体装置を構成すること
により、パッケージ底面の四隅にはダミーランド部１４
を配置できるため、パッケージしての基板実装時の熱応
力による影響を防止することができる。またダイパッド
部１の表面には溝部７が設けられており、樹脂封止後の
樹脂剥離が起こっても、その剥離を溝部７でトラップで
きるため、樹脂封止型半導体装置として信頼性を維持で
きるものである。その他、放熱特性の向上、基板実装時
のハンダ接合の精度向上、大きい面積の半導体素子を搭
載できるなどの利点もある。

【００４６】次に本発明の樹脂封止型半導体装置につい
て図面を参照しながら説明する。図５は本実施形態に係
る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、図６は本
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示す底面図であ
り、図７は本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示
す断面図である。図７の断面図は、図５におけるＣ−Ｃ
１箇所、図６におけるＤ−Ｄ１箇所の断面を示す。また
本実施形態では図１，図２に示したリードフレームを例
として用いた樹脂封止型半導体装置である。

【００４７】図５，図６および図７に示すように、本実
施形態の樹脂封止型半導体装置は、表面に突出部６と、
その突出部６を包囲する円形または矩形またはそれらの
組み合わせの環状の溝部７と、底面に環状の溝部１１を
有したダイパッド部１と、そのダイパッド部１の突出部
６上に銀ペースト等の導電性接着剤（図示せず）を介し
て搭載された半導体素子１５と、表面に溝部１０を有
し、底面が露出したリード部５と、リード部５の先端部
領域にその先端部が引き回しで配置され、その先端部の
底面が露出してランド電極を構成するランドリード部４
と、半導体素子１５の主面の電極パッド（図示せず）と
ランドリード部４、リード部５のボンディングパッド部
１６とを電気的に接続した金属細線１７と、ダイパッド
部１の底面を除く領域、搭載された半導体素子１５、ラ
ンドリード部４の底面を除く領域、リード部５の外部側
面と底面とを除く領域、および金属細線１７を封止した
封止樹脂１８とよりなるものである。そして封止樹脂１
８よりなるパッケージ部より露出したランドリード部４
の底面と、リード部５の外部側面と底面とは、プリント
基板等の実装基板への実装の際、外部電極を構成するラ
ンド電極１９を構成しており、リード部５の底面とその
先端部領域のランドリード部４の先端部底面とが露出し
て、平面配置上、直線状の２列ランド構成を有している
ものである。そしてランド電極１９は封止樹脂より露出
しているが、２０［μｍ］程度の段差を有して突出して
露出しているものであり、基板実装時のスタンドオフを
有しているものである。同様にダイパッド部１の底面も
突出して露出しているものであり、基板実装時はハンダ
接合により放熱効率を向上させることができる。また封
止樹脂１８よりなるパッケージ部の底面の各コーナー部
近傍であって、パッケージ底面の各辺のランド電極１９
群間には、ダミーランド部１４が同様に突出して露出し
ている。さらに、ダイパッド部１の底面には、凹部２０
が形成されており、これは突出部６をプレス加工による
半切断状態で形成しているため、その突出量分の凹部が
形成されているものである。本実施形態では、２００
［μｍ］の金属板よりなるダイパッド部１（リードフレ
ーム厚）の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０［％］）突
出した突出部６を形成している。

【００４８】また、ランドリード部４、リード部５にお
けるボンデイングパッド部１６の面積は、１００［μ
ｍ］以上のワイヤーボンドができる大きさであればよ
く、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の８０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。

【００４９】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂１８に封止されたランドリード部４の先端
部、リード部の先端部の上面の面積が、封止樹脂１８か
ら露出、突出した側のランド電極１８側の面積よりも大
きく構成されており、封止樹脂１８との食いつきを良好
にし、密着性を向上させることができ、基板実装の際の
接続の信頼性を得ることができるものである。

【００５０】以上のように、本実施形態の樹脂封止型半
導体装置は、パッケージ底面には、ランドリード部４の
ランド電極１９の底面が配置され、そのランド電極１９
の外側にはリード部５の底面であるランド電極１９が配
置されて直線状の２列配置の外部端子を構成するもので
あり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケー
ジを構成することができる。また、パッケージ底面の四
隅にはダミーランド部１４を配置できるため、実装基板
に対してランド電極１９の実装（接合）とこのダミーラ
ンド部の接合により、パッケージしての基板実装時の熱
応力による影響を防止することができる。またダイパッ
ド部１の表面には溝部７が設けられており、半導体素子
１５の裏面とダイパッド部１表面との間で封止樹脂１８
の樹脂剥離が起こっても、その剥離を溝部７でトラップ
できるため、樹脂封止型半導体装置として信頼性を維持
できるものである。その他、放熱特性の向上、基板実装
時のハンダ接合の精度向上、大きい面積の半導体素子を
搭載できるなどの利点もある。

【００５１】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
ダイパッド部１の突出部６を包囲する領域に相当する底
面には、矩形状の環状の溝部１１を設けているが、この
溝部１１により、ダイパッド部１の底面にハンダ等の接
合材料を用いて基板実装した際、ハンダの余分な広がり
を防止し、実装精度を向上させるとともに、半導体素子
からの放熱作用によるダイパッド部１自体の応力を吸収
できるものである。さらに製造時の樹脂封止工程におい
て、封止シートを用い、溝部１１にその封止シートを食
い込ませて樹脂封止するため、ダイパッド部１底面への
封止樹脂の回り込みによる樹脂バリの発生を防止でき、
ダイパッド部１底面には樹脂バリの発生がない。

【００５２】さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、従来のように配線基板、回路基板を用いず、リード
フレームを用いたＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置にお
いて、基板実装の実装強度を向上させた樹脂封止型半導
体装置である。図８は図７に示した本実施形態の樹脂封
止型半導体装置の実装状態の一例を示す断面図である。

【００５３】図８に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、パッケージ底面のランド電極１９とプ
リント基板等の実装基板２１とをハンダ等の接合剤２２
により接続し、実装している。ここでランドリード部４
の底面のランド電極１９はその底面部分のみが接合剤２
２と接触し、実装されているが、リード部５のランド電
極１９はその底面部分が接合剤２２と接触して実装され
ることに加えて、リード部５の外部側面が露出している
ことにより、接合剤２２がそのリード部５の側面とも接
触して実装されており、接合剤のフィレットが形成され
ている。

【００５４】すなわち、通常はランド電極として、その
底面部分のみが接合剤を介して実装基板に接合されるも
のであるが、本実施形態では、列構成のランド電極にお
いて外側のランド電極は、リード部５よりなるものであ
り、その外側部分はパッケージ部分（封止樹脂１８）よ
り露出しているので、その外部側面に対して、接合剤を
設けることにより、底面＋側面の２点接合構造となり、
実装基板との接続の実装強度を向上させ、接続の信頼性
を向上させることができる。これは通常のリードフレー
ムＬＧＡ型半導体装置では達成できなかった実装構造で
あり、本実施形態では、ランド電極の構成をランド電
極、リード型ランド電極の２種類で２列構成としている
ため、パッケージの外側にも接続部分を設けることがで
き、底面＋側面の２点接合構造により、接続の信頼性を
向上させることができる革新的な構造を有している。特
に最近は、携帯電話、小型通信機器などに搭載する基板
実装の際の信頼性向上が要求されているため、本実施形
態のランド電極の構造の効果は大きい。

【００５５】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図９〜図１４は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す工程ごとの断面図である。なお、本実施形
態では、図１に示したようなリードフレームを用いてＬ
ＧＡ型の樹脂封止型半導体装置を製造する形態を説明す
る。

【００５６】まず図９に示すように、表面に突出部６
と、その突出部６を包囲する円形の環状の溝部７と、底
面に環状の溝部１１と凹部２０を有した半導体素子搭載
用のダイパッド部１と、先端部でそのダイパッド部１を
支持し、他端部でフレーム枠（図示せず）と接続し、フ
レーム枠の近傍にダミーランド部を有した吊りリード部
（図示せず）と、底面がランド電極となり、その先端部
表面に金属細線が接続される幅広のボンディングパッド
部１６を有し、そのボンディングパッド部１６の近傍に
溝部１０が設けられ、規則性を有して配列され、他端部
がフレーム枠と接続したリード部５と、上面が下面より
も面積的に大きく、リード部５の先端部の同一直線上に
その先端部が配置されてリード部５とともに平面配列
上、２列の構成を形成し、他端部がフレーム枠と接続し
たランドリード部４とを有するリードフレームを用意す
る。

【００５７】次に図１０に示すように、用意したリード
フレームのダイパッド部１の突出部６上に銀ペースト等
の導電性接着剤を介して半導体素子１５をその主面を上
にして接合する。

【００５８】次に図１１に示すように、ダイパッド部１
上に接合により搭載した半導体素子１５の主面上の電極
パッドと、リードフレームのランドリード部４、リード
部５の各上面のボンディングパッド部１６とを金属細線
１７により電気的に接続する。ここで金属細線１７が接
続される各ボンディングパッド部の面積は１００［μ
ｍ］以上である。

【００５９】次に図１２に示すように、リードフレーム
の裏面側、すなわちダイパッド部１の底面、ランドリー
ド部４、リード部５の各底面に密着するようにリードフ
レームの裏面側に封止テープまたは封止シート２３を貼
付する。ここで使用する封止シートは、リードフレーム
に対して、接着力のある接着剤層が表面に薄く形成され
た封止シートを用いることにより、樹脂封止工程でのリ
ードフレームの裏面側への封止樹脂の回り込みを確実に
防止でき、その結果、ダイパッド部１、ランドリード部
４、リード部５の裏面への樹脂バリの付着を防止でき
る。そのため、樹脂封止後の樹脂バリ除去のためのウォ
ータージェット工程を省略することができる。

【００６０】次に図１３に示すように、封止シート２３
を貼付した状態でリードフレームの上面側をエポキシ樹
脂に代表される封止樹脂１８により樹脂封止し、半導体
素子１５、ダイパッド部１、金属細線１７の領域を樹脂
封止する。通常は上下封止金型を用いたトランスファー
モールドにより片面封止を行う。すなわち、ダイパッド
部１、ランドリード部４、リード部５の底面部分を除い
た片面封止構造となる。また特にランドリード部４、リ
ード部５を封止シート２３に押圧した状態で樹脂封止す
ることにより、樹脂バリの発生を防止するとともに、ラ
ンドリード部４、リード部５の各底面をパッケージ底面
（封止樹脂１８底面）からスタンドオフを有して配置さ
せることができる。また本実施形態ではリードフレーム
のダイパッド部１の突出部６を包囲する領域に相当する
底面には、矩形状の環状の溝部１１を設けているので、
その溝部１１に封止シート２３が食い込んだ状態で樹脂
封止するため、樹脂封止時のダイパッド部１底面への封
止樹脂の回り込みによる樹脂バリの発生を防止できるも
のである。

【００６１】なお、封止シート２３のリードフレーム裏
面への貼付は、樹脂封止する封止金型に予め供給してお
いた封止シートを樹脂封止前に貼付してもよいし、樹脂
封止前に別工程で封止シートをリードフレームに貼付し
たものを封止金型に供給し、樹脂封止してもよい。また
封止シート２３は耐熱性を有したＰＥＴ等の樹脂を用い
るものである。

【００６２】次に図１４に示すように、樹脂封止後は封
止シートを除去した後、吊りリード部やランドリード部
４、リード部５のフレーム枠と接続した部分を切断す
る。この段階で実質的にリード部５の端部が樹脂封止し
たパッケージの側面と同一面に配列するように切断す
る。そしてランドリード部４、リード部５の底面はラン
ド電極１９を構成し、またリード部５の外側の側面部分
も外部電極を構成し、ダイパッド部１の底面も露出し、
放熱構造を有するものである。

【００６３】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法により、パッケージ底面には、ランドリード
部４のランド電極１９の底面が配置され、そのランド電
極１９の外側にはリード部５の底面であるランド電極１
９が配置されて直線状の２列配置の外部端子を構成する
ものであり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パ
ッケージを構成することができる。さらに、ランド電極
の構成をランド電極、リード型ランド電極の２種類で２
列構成としているため、パッケージの外側にも接続部分
を設けることができ、底面＋側面の２点接合構造によ
り、接続の信頼性を向上させることができる樹脂封止型
半導体装置を実現することができる。

【００６４】次に本発明のリードフレームの別の実施形
態について図面を参照しながら説明する。

【００６５】図１５は本実施形態のリードフレームを示
す平面図である。図１６は本実施形態のリードフレーム
のリード部分を示す拡大図であり、図１５における円内
部分の拡大図として、図１６（ａ）は平面図であり、図
１６（ｂ）は図１６（ａ）のＥ−Ｅ１、Ｆ−Ｆ１箇所の
断面図である。また基本概念は前記した実施形態のリー
ドフレームと同様である。なお、図１５において、二点
鎖線で示した領域は、図１に示した場合と同様、本実施
形態のリードフレームを用いて半導体素子を搭載し、樹
脂封止する際の封止領域を示している。

【００６６】図１５，図１６に示すように本実施形態の
リードフレームは、銅材または、４２−アロイ等の通常
のリードフレームに用いられている金属板よりなり、半
導体素子を搭載するダイパッド部１と、その末端でフレ
ーム枠２と接続し、先端部でダイパッド部１の四隅を支
持する吊りリード部３と、その先端部がダイパッド部１
に対向し、末端部がフレーム枠２と接続して配置された
直線状のランドリード部４と直線状のリード部５とより
なるリードフレームであり、ランドリード部４とリード
部５はそれぞれその底面で外部端子（ランド部）を構成
するものであり、リード部５はその底面に加えて外方側
面でも外部端子として実装基板と接続できるものであ
る。

【００６７】そして詳細には、ダイパッド部１にはその
表面の略中央部分に円形の突出部６が設けられ、その突
出部６は、ダイパッド部１を構成している平板に対して
プレス加工により半切断状態のプレスを施し、上方に突
出させたものである。この突出部６が実質的に半導体素
子を支持する部分となり、半導体素子を搭載した際、ダ
イパッド部１の突出部６を除く表面と半導体素子裏面と
の間には間隙が形成されるよう構成されている。またダ
イパッド部１の表面の突出部６を包囲する領域には溝部
７が設けられ、半導体素子を搭載し、樹脂封止した際に
封止樹脂がその溝部７に入り込むように設けられてい
る。本実施形態では溝部７は円形の環状の溝部７を設け
たものである。この溝部７により、ダイパッド部１の突
出部６上に接着剤により半導体素子を搭載し、樹脂封止
した際に封止樹脂がその溝部７に入り込むため、熱膨張
による応力でダイパッド部１の表面と封止樹脂との間に
樹脂剥離が発生しても、その剥離自体を溝部でトラップ
することができ、信頼性低下を防止することができるも
のである。もちろん、溝部７の構成としては、環状の構
成以外、部分的に溝部を連結した構成でもよく、その数
も２本以上の３本，４本、または１本でもよいが、ダイ
パッド部１の大きさと搭載する半導体素子の大きさによ
り設定することができる。

【００６８】また、本実施形態のリードフレームのラン
ドリード部４とリード部５は、フレーム枠２と接続した
状態では交互配列の並列配置となっており、ダイパッド
部１に対向する配置においては、ランドリード部４の先
端部がリード部５の先端部よりもダイパッド部１側に延
在し、それら先端部どうしは平面配置上、千鳥状に配置
されているものである。この配置は、半導体素子を搭載
し、樹脂封止した際には、パッケージ底面に２列の外部
端子が千鳥状に配置されるようにしたものであり、ラン
ドリード部４の先端部底面とリード部５の底面とがパッ
ケージ底面に配置されるものである。そして特に図１６
に示すように、ランドリード部４は直線形状のリードで
あり、その先端部の底面部分に外部端子となる先端部が
曲率を有したランド部８が形成されており、ランド部８
を形成する部分以外はハーフエッチ加工により厚みが薄
く加工され、ランド部８はリード本来の厚みを有するも
のである。

【００６９】すなわちランドリード部４においてランド
部８は下方に突出した形状を有し、ランドリード部４自
体は上面が下面よりも広い面積を有している。なお図１
５では、ランドリード部４の先端底面の破線で示した部
分がランド部８を示し、図２では格子状ハッチング領域
がハーフエッチされている部分を示している。またリー
ド部５は同様に図１６に示すように、その先端部の外周
部分がハーフエッチ加工により薄厚に加工され、先端部
が幅広部９を有し、その幅広部９の根本付近には溝部１
０が設けられている。また先端部の底面には先端部が曲
率を有した形状でランド部が形成されている。図１５，
図１６においてハッチングを付した部分が溝部１０であ
る。本実施形態のリードフレームを用いて半導体素子を
搭載し、樹脂封止した際、リード部５自体は底面と側面
が露出される片面封止構成となるため、従来のようなフ
ルモールドパッケージのリード部とは異なり、封止樹脂
による応力、基板実装後の応力がリード部に印加される
場合がある。しかし、この溝部１０により、封止樹脂に
よる応力、基板実装後の応力によりリード部５自体に応
力が印加されても、溝部１０で応力を吸収できるもので
あり、金属細線の接続部分の破壊を防止し、実装後の製
品の信頼性を維持できるものである。なお、ここでラン
ドリード部４のランド部８の表面領域、リード部５の幅
広部９は金属細線が接続されるボンディングパッドを構
成するものである。

【００７０】本実施形態のリードフレームは、図１，図
２に示した実施形態のリードフレームと異なり、ランド
リード部４、リード部５は互いに直線状のリードであっ
て、それら底面のランド部８を構成する部分は、先端部
が曲率を有した形状であり、また互いに直線状であるた
め、パッケージ配置において、ランド部８どうしは千鳥
状を構成するものである。

【００７１】また、本実施形態のリードフレームのダイ
パッド部１の突出部６を包囲する領域に相当する底面に
は、矩形状の環状の溝部１１を設けている。この溝部１
１により、ダイパッド部１の底面にハンダ等の接合材料
を用いて基板実装した際、ハンダの余分な広がりを防止
し、実装精度を向上させるとともに、半導体素子からの
放熱作用によるダイパッド部１自体の応力を吸収できる
ものである。また本実施形態では溝部１１を１つとして
いるが、ダイパッド部１の底面の外周部近傍にも環状の
溝部を形成してもさらなる実装精度向上を達成できる。
さらに図１に示したリードフレームと同様に吊りリード
部３にダミーランド部を設けたり、吊りリード部３に屈
曲部を設けてもよい。

【００７２】なお、ランドリード部４、リード部５の数
は、搭載する半導体素子のピン数などにより、その数を
適宜設定できるものである。また本実施形態のリードフ
レームはその表面がメッキ処理されたものであり、必要
に応じて例えば、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐ
ｄ）および金（Ａｕ）などの金属が積層されて適宜メッ
キされているものである。また本実施形態のリードフレ
ームは図１に示したようなパターンが１つよりなるもの
ではなく、左右・上下に連続して形成できるものであ
る。

【００７３】本実施形態のリードフレームにより、半導
体素子を搭載し、金属細線で半導体素子と各リードとを
接続し、樹脂封止して樹脂封止型半導体装置を構成した
際、樹脂封止型半導体装置の底面、すなわちパッケージ
底面には、ランドリード部４の先端部が曲率を有したラ
ンド部８の底面が配置され、そのランド部８の外側には
リード部５の先端部が曲率を有した底面部分が配置され
て千鳥状の２列配置の外部端子を構成するものであり、
ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケージを構
成することができる。そして本実施形態のリードフレー
ムを用いて樹脂封止型半導体装置を構成することによ
り、ダイパッド部１の表面には溝部７が設けられてお
り、樹脂封止後の樹脂剥離が起こっても、その剥離を溝
部７でトラップできるため、樹脂封止型半導体装置とし
て信頼性を維持できるものである。その他、放熱特性の
向上、基板実装時のハンダ接合の精度向上、大きい面積
の半導体素子を搭載できるなどの利点もある。

【００７４】次に本発明の樹脂封止型半導体装置につい
て図面を参照しながら説明する。図１７は本実施形態に
係る樹脂封止型半導体装置を示す平面図であり、図１８
は本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を示す底面図
であり、図１９，図２０は本実施形態に係る樹脂封止型
半導体装置を示す断面図である。図１９の断面図は、図
１７におけるＨ−Ｈ１箇所、図１８におけるＪ−Ｊ１箇
所の断面を示し、図２０の断面図は、図１７におけるＧ
−Ｇ１箇所、図１８におけるＩ−Ｉ１箇所の断面を示
す。また本実施形態では図１５，図１６に示したリード
フレームを例として用いた樹脂封止型半導体装置であ
る。

【００７５】図１７，図１８，図１９および図２０に示
すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、表面
に突出部６と、その突出部６を包囲する円形または矩形
またはそれらの組み合わせの環状の溝部７と、底面に環
状の溝部１１を有したダイパッド部１と、そのダイパッ
ド部１の突出部６上に銀ペースト等の導電性接着剤（図
示せず）を介して搭載された半導体素子１５と、表面に
溝部１０を有し、底面が露出したリード部５と、リード
部５の先端部領域よりもダイパッド部１側に延在して配
置され、その先端部の底面が露出してランド電極を構成
するランドリード部４と、半導体素子１５の主面の電極
パッド（図示せず）とランドリード部４、リード部５の
ボンディングパッド部１６とを電気的に接続した金属細
線１７と、ダイパッド部１の底面を除く領域、搭載され
た半導体素子１５、ランドリード部４の底面を除く領
域、リード部５の外部側面と底面とを除く領域、および
金属細線１７を封止した封止樹脂１８とよりなるもので
ある。そして封止樹脂１８よりなるパッケージ部より露
出したランドリード部４の先端部底面と、リード部５の
外部側面と底面とは、プリント基板等の実装基板への実
装の際、外部電極を構成するランド電極１９を構成して
おり、リード部５の底面とその先端部領域のランドリー
ド部４の先端部底面とが露出して千鳥状の２列ランド構
成を有しているものである。そしてランド電極１９は封
止樹脂より露出しているが、２０［μｍ］程度の段差を
有して突出して露出しているものであり、基板実装時の
スタンドオフを有しているものである。同様にダイパッ
ド部１の底面も突出して露出しているものであり、基板
実装時はハンダ接合により放熱効率を向上させることが
できる。さらに、ダイパッド部１の底面には、凹部２０
が形成されており、これは突出部６をプレス加工による
半切断状態で形成しているため、その突出量分の凹部が
形成されているものである。本実施形態では、２００
［μｍ］の金属板よりなるダイパッド部１（リードフレ
ーム厚）の厚みに対して、１４０［μｍ］〜１８０［μ
ｍ］（金属板自体の厚みの７０［％］〜９０［％］）突
出した突出部６を形成している。

【００７６】また、ランドリード部４、リード部５にお
けるボンディングパッド部１６の面積は、１００［μ
ｍ］以上のワイヤーボンドができる大きさであればよ
く、高密度な電極配列が可能であり、小型・薄型の樹脂
封止型半導体装置を実現できるものである。さらに本実
施形態の構造により、多ピン化に対応でき、高密度面実
装型の樹脂封止型半導体装置を実現できるものであり、
半導体装置自体の厚みとしても、１［ｍｍ］以下の８０
０［μｍ］程度の極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を
実現できるものである。

【００７７】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、封止樹脂１８に封止されたランドリード部４の先端
部、リード部５の先端部の上面の面積が、封止樹脂１８
から露出、突出した側のランド電極１９側の面積よりも
大きく構成されており、封止樹脂１８との食いつきを良
好にし、密着性を向上させることができ、基板実装の際
の接続の信頼性を得ることができるものである。

【００７８】以上のように、本実施形態の樹脂封止型半
導体装置は、パッケージ底面には、ランドリード部４の
ランド電極１９の底面が配置され、そのランド電極１９
の外側にはリード部５の底面であるランド電極１９が配
置されて千鳥状の２列配置の外部端子を構成するもので
あり、ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）型パッケー
ジを構成することができる。またダイパッド部１の表面
には溝部７が設けられており、半導体素子１５の裏面と
ダイパッド部１表面との間で封止樹脂１８の樹脂剥離が
起こっても、その剥離を溝部７でトラップできるため、
樹脂封止型半導体装置として信頼性を維持できるもので
ある。その他、放熱特性の向上、基板実装時のハンダ接
合の精度向上、大きい面積の半導体素子を搭載できるな
どの利点もある。

【００７９】さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、従来のように配線基板、回路基板を用いず、リード
フレームを用いたＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置にお
いて、基板実装の実装強度を向上させた樹脂封止型半導
体装置である。図２１は図２０に示した本実施形態の樹
脂封止型半導体装置の実装状態の一例を示す断面図であ
る。

【００８０】図２１に示すように、本実施形態の樹脂封
止型半導体装置は、パッケージ底面のランド電極１９と
プリント基板等の実装基板２１とをハンダ等の接合剤２
２により接続し、実装している。ここでランドリード部
４の底面のランド電極１９はその底面部分のみが接合剤
２２と接触し、実装されているが、リード部５のランド
電極１９はその底面部分が接合剤２２と接触して実装さ
れることに加えて、リード部５の外部側面が露出してい
ることにより、接合剤２２がそのリード部５の側面とも
接触して実装されている。

【００８１】すなわち、通常はランド電極として、その
底面部分のみが接合剤を介して実装基板に接合されるも
のであるが、本実施形態では、列構成のランド電極にお
いて外側のランド電極は、リード部５よりなるものであ
り、その外側部分はパッケージ部分（封止樹脂１８）よ
り露出しているので、その外部側面に対して、接合剤を
設けることにより、底面＋側面の２点接合構造となり、
実装基板との接続の実装強度を向上させ、接続の信頼性
を向上させることができる。これは通常のリードフレー
ムＬＧＡ型半導体装置では達成できなかった実装構造で
あり、本実施形態では、ランド電極の構成をランド電
極、リード型ランド電極の２種類で２列構成としている
ため、パッケージの外側にも接続部分を設けることがで
き、底面＋側面の２点接合構造により、接続の信頼性を
向上させることができる革新的な構造を有している。

【００８２】次に本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図２２〜図２７は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す工程ごとの断面図である。なお、本実施
形態では、図１５に示したようなリードフレームを用い
てＬＧＡ型の樹脂封止型半導体装置を製造する形態を説
明する。また本実施形態では便宜的にランドリード部４
の断面方向の図を用いて説明するので、図中、リード部
５は示されていない。

【００８３】まず図２２に示すように、表面に突出部６
と、その突出部６を包囲する円形または矩形の環状の溝
部７と、底面に環状の溝部１１と凹部２０を有した半導
体素子搭載用のダイパッド部１と、先端部でそのダイパ
ッド部１を支持し、他端部でフレーム枠（図示せず）と
接続した吊りリード部（図示せず）と、底面がランド電
極となり、その先端部表面に金属細線が接続される幅広
のボンディングパッド部を有し、そのボンディングパッ
ド部の近傍に溝部が設けられ、規則性を有して配列さ
れ、他端部がフレーム枠と接続したリード部と、底面が
ランド電極となり、その先端部表面に金属細線が接続さ
れる幅広のボンディングパッド部１６を有し、上面が下
面よりも面積的に大きく、リード部の先端部に千鳥状に
その先端部が配置されてリード部とともに２列構成を形
成し、他端部がフレーム枠と接続したランドリード部４
とを有するリードフレームを用意する。

【００８４】次に図２３に示すように、用意したリード
フレームのダイパッド部１の突出部６上に銀ペースト等
の導電性接着剤を介して半導体素子１５をその主面を上
にして接合する。

【００８５】次に図２４に示すように、ダイパッド部１
上に接合により搭載した半導体素子１５の主面上の電極
パッドと、リードフレームのランドリード部４、リード
部の各上面のボンディングパッド部１６とを金属細線１
７により電気的に接続する。ここで金属細線１７が接続
される各ボンディングパッド部の面積は１００［μｍ］
以上である。

【００８６】次に図２５に示すように、リードフレーム
の裏面側、すなわちダイパッド部１の底面、ランドリー
ド部４のランド部、リード部の各底面に密着するように
リードフレームの裏面側に封止テープまたは封止シート
２３を貼付する。ここで使用する封止シート２３は、リ
ードフレームに対して接着力のある接着剤層が表面に薄
く形成された封止シートを用いることにより、樹脂封止
工程でのリードフレームの裏面側への封止樹脂の回り込
みを確実に防止でき、その結果、ダイパッド部１、ラン
ドリード部４、リード部の裏面への樹脂バリの付着を防
止できる。そのため、樹脂封止後の樹脂バリ除去のため
のウォータージェット工程を省略することができる。

【００８７】次に図２６に示すように、封止シート２３
を貼付した状態でリードフレームの上面側を封止樹脂１
８により樹脂封止し、半導体素子１５、ダイパッド部
１、金属細線１７の領域を樹脂封止する。通常は上下封
止金型を用いたトランスファーモールドにより片面封止
を行う。すなわち、ダイパッド部１、ランドリード部
４、リード部の底面部分を除いた片面封止構造となる。
また特にランドリード部４、リード部を封止シート２３
に押圧した状態で樹脂封止することにより、樹脂バリの
発生を防止するとともに、ランドリード部４、リード部
の各底面をパッケージ底面（封止樹脂１８底面）からス
タンドオフを有して配置させることができる。

【００８８】なお、封止シート２３のリードフレーム裏
面への貼付は、樹脂封止する封止金型に予め供給してお
いた封止シートを樹脂封止前に貼付してもよいし、樹脂
封止前に別工程で封止シートをリードフレームに貼付し
たものを封止金型に供給し、樹脂封止してもよい。

【００８９】次に図２７に示すように、樹脂封止後は封
止シートを除去した後、吊りリード部やランドリード部
４、リード部のフレーム枠と接続した部分を切断する。
この段階で実質的にリード部の端部が樹脂封止したパッ
ケージの側面と同一面に配列するように切断する。そし
てランドリード部４、リード部の底面はランド電極１９
を構成し、またリード部の外側の側面部分も外部電極を
構成し、ダイパッド部１の底面も露出し、放熱構造を有
するものである。

【００９０】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法により、パッケージ底面の内側列には、ラン
ドリード部４のランド電極１９の底面が配置され、その
ランド電極１９の外側列にはリード部の底面であるラン
ド電極が配置されて直線状もしくは千鳥状の２列配置の
外部端子を構成するものであり、ＬＧＡ（ランド・グリ
ッド・アレイ）型パッケージを構成することができる。
さらに、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、接続の信頼性を向上させることが
できる樹脂封止型半導体装置を実現することができる。

【００９１】以上、本実施形態で示したようなリードフ
レームを用いることにより、半導体素子を搭載し、樹脂
封止することにより、樹脂封止型半導体装置の底面部分
に半導体素子と電気的に接続したランド電極を直線状ま
たは千鳥状の２列で配列することができる。その結果、
面実装タイプの半導体装置が得られ、従来のようなリー
ド接合による実装に比べて、基板実装の信頼性を向上さ
せることができる。

【００９２】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、従来のＢＧＡタイプの半導体装置のように、ランド
電極を設けた回路基板等の基板を用いるものでなく、リ
ードフレームという金属板からなるフレーム本体からＬ
ＧＡ型の半導体装置を構成するものであり、量産性、コ
スト性などの面においては、従来のＢＧＡタイプの半導
体装置よりも有利となる。

【００９３】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置で
は、列構成のランド電極において外側のランド電極は、
リード部よりなるものであり、その外側部分の側端はパ
ッケージ部分より露出しているので、その外部側面に対
して、接合剤を設けることによりフィレットが形成さ
れ、底面＋側面の２点接合構造となり、実装基板との接
続の実装強度を向上させ、接続の信頼性を向上させるこ
とができる。これは通常のリードフレームＬＧＡ型半導
体装置では達成できなかった実装構造であり、本実施形
態では、ランド電極の構成をランド電極、リード型ラン
ド電極の２種類で２列構成としているため、パッケージ
の外側にも接続部分を設けることができ、底面＋側面の
２点接合構造により、実装強度を向上させることができ
る構造である。

【００９４】

【発明の効果】以上、本発明のリードフレームにより、
従来のようなビーム状のリード電極に代えて、ランド電
極を有した樹脂封止型半導体装置を実現することができ
る。そして本発明により、樹脂封止型半導体装置の底面
のランド電極を回路基板等を用いることなく、フレーム
状態から形成でき、製造コストを低下させ、従来のよう
なリード接合による実装に比べて、基板実装の信頼性を
向上させることができる。

【００９５】また樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
いては、従来のように突出したリード形成が必要ない
分、リードベンド工程が不要であって、樹脂封止後はパ
ッケージ底面の内側列には、ランドリード部のランド電
極の底面が配置され、そのランド電極の外側列にはリー
ド部の底面であるランド電極が配置されて直線状もしく
は千鳥状の２列配置の外部端子を構成し、ＬＧＡ型パッ
ケージを構成することができる。そして本発明の樹脂封
止型半導体装置の底面の列構成のランド電極において、
外側のランド電極はリード部よりなるものであり、その
外側部分の側端はパッケージ部分より露出しているの
で、その外部側面に対して、ハンダ等の接合剤を設ける
ことによりフィレット部が形成され、底面＋側面の２点
接合構造となり、実装基板との接続の実装強度を向上さ
せ、接続の信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す平
面図

【図２】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図

【図３】本発明の一実施形態のリードフレームのダイパ
ッド部を示す図

【図４】本発明の一実施形態のリードフレームのダイパ
ッド部を示す図

【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す平面図

【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図

【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図

【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図

【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図

【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図１５】本発明の一実施形態のリードフレームを示す
平面図

【図１６】本発明の一実施形態のリードフレームを示す
図

【図１７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す平面図

【図１８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す底面図

【図１９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図

【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図

【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図

【図２２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図

【図２８】従来のリードフレームを示す平面図

【図２９】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図

【図３０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図

【符号の説明】

１ダイパッド部２フレーム枠３吊りリード部４ランドリード部５リード部６突出部７溝部８ランド部９幅広部１０溝部１１溝部１２第１の屈曲部１３第２の屈曲部１４ダミーランド部１５半導体素子１６ボンディングパッド部１７金属細線１８封止樹脂１９ランド電極２０凹部２１実装基板２２接合剤２３封止シート

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内に配設されて、表面に突出部を有し
た半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダ
イパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊
りリード部と、先端部表面に金属細線が接続されるボン
ディングパッド部と前記ボンディングパッド部近傍に溝
部とを有し、他端部が前記フレーム枠と接続し、底面が
ランド電極となるリード部と、前記リード部の先端部領
域にその先端部が配置され、他端部が前記フレーム枠と
接続し、底面がランド電極となるランドリード部とより
なり、少なくとも前記リード部のランド電極と前記ラン
ドリード部のランド電極とは直線状の２列を構成してい
ることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】金属板よりなるフレーム本体と、前記フ
レーム本体の領域内に配設されて、表面に突出部を有し
た半導体素子搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダ
イパッド部を支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊
りリード部と、先端部表面に金属細線が接続されるボン
ディングパッド部と前記ボンディングパッド部近傍に溝
部とを有し、他端部が前記フレーム枠と接続し、底面が
ランド電極となるリード部と、前記リード部の先端部領
域にその先端部が配置され、他端部が前記フレーム枠と
接続し、底面がランド電極となるランドリード部とより
なり、少なくとも前記リード部の先端部と平行して前記
ランドリード部の先端部は前記リード部の前記先端部よ
りも前記ダイパッド部側に延在し、前記リード部のラン
ド電極と前記ランドリードのランド電極とは千鳥状の２
列を構成していることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】ダイパッド部の突出部は、前記ダイパッ
ド部を構成する材料がプレス加工による半切断状態で突
出した突出部であり、前記ダイパッド部の底面は前記突
出部に対応した凹部が形成されていることを特徴とする
請求項１または請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】ダイパッド部の突出部は、前記ダイパッ
ド部を構成する材料がハーフエッチ加工により突出部を
設けた部分以外が薄厚にエッチングされ、エッチングさ
れない部分が残存して突出した突出部であり、前記ダイ
パッド部の底面は平坦であることを特徴とする請求項１
または請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項５】ダイパッド部はその表面の突出部を包囲
する環状の溝を有していることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項６】ダイパッド部はその底面に環状の溝を有
していることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載のリードフレーム。
【請求項７】吊りリードは、その他端部のフレーム枠
と接続した部分の近傍にダミーランド部を有しているこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリード
フレーム。
【請求項８】ランドリード部はその先端部表面にボン
ディングパッド部を有し、前記ボンディングパッド下部
に下方に突出したランド部を有していることを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項９】表面に突出部を有したダイパッド部と、
前記ダイパッド部の前記突出部上に搭載された半導体素
子と、表面に溝部を有し、底面が露出したリード部と、
前記リード部の先端部領域にその先端部が引き回しで配
置され、その先端部の底面が露出してランド電極を構成
するランドリード部と、前記半導体素子の電極パッドと
前記ランドリード部、前記リード部とを電気的に接続し
た金属細線と、前記ダイパッド部の底面を除く領域、搭
載された半導体素子、ランドリード部の底面を除く領
域、リード部の外部側面と底面とを除く領域、および金
属細線領域を封止した封止樹脂とよりなり、前記ダイパ
ッド部の表面と前記半導体素子の底面との間隙には前記
封止樹脂の一部が介在し、前記封止樹脂よりなるパッケ
ージ部底面より露出したランドリード部の底面と、リー
ド部の外部側面と底面とは外部電極を構成するランド電
極を構成しており、少なくとも前記リード部の底面とそ
の先端部領域に配置されたランドリード部の先端部底面
とは直線状の２列を構成して露出するとともに、前記リ
ード部の側端面が封止樹脂側面から露出していることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１０】表面に突出部を有したダイパッド部
と、前記ダイパッド部の前記突出部上に搭載された半導
体素子と、表面に溝部を有し、底面が露出したリード部
と、前記リード部の先端部領域にその先端部が引き回し
で配置され、その先端部の底面が露出してランド電極を
構成するランドリード部と、前記半導体素子の電極パッ
ドと前記ランドリード部、前記リード部とを電気的に接
続した金属細線と、前記ダイパッド部の底面を除く領
域、搭載された半導体素子、ランドリード部の底面を除
く領域、リード部の外部側面と底面とを除く領域、およ
び金属細線領域を封止した封止樹脂とよりなり、前記ダ
イパッド部の表面と前記半導体素子の底面との間隙には
前記封止樹脂の一部が介在し、前記封止樹脂よりなるパ
ッケージ部底面より露出したランドリード部の底面と、
リード部の外部側面と底面とは外部電極を構成するラン
ド電極を構成しており、少なくとも前記リード部の底面
とその先端部領域に配置されたランドリード部の先端部
底面とは千鳥状の２列を構成して露出するとともに、前
記リード部の側端面が封止樹脂側面から露出しているこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１１】ダイパッド部はその表面の突出部を包
囲する環状の溝を有していることを特徴とする請求項９
または請求項１０に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１２】ダイパッド部はその底面に環状の溝を
有していることを特徴とする請求項９または請求項１０
に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１３】封止樹脂よりなるパッケージ部底面に
はダミーランド部が露出して設けられていることを特徴
とする請求項９または請求項１０に記載の樹脂封止型半
導体装置。
【請求項１４】表面に突出部と、前記突出部を包囲す
る環状の溝部と、底面に環状の溝部を有した半導体素子
搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を
支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、先端部底面がランド電極となり、表面に溝部が設け
られ、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、
先端部が前記リード部の先端部付近に配置され、他端部
が前記フレーム枠と接続したランドリード部とよりな
り、前記リード部の先端部と前記ランドリード部の先端
部とが直線状の２列配置を構成しているリードフレーム
を用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記
ダイパッド部の突出部上に半導体素子を搭載する工程
と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主
面上の電極パッドと、前記リードフレームのランドリー
ド部、前記リード部の各上面とを金属細線により接続す
る工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともダ
イパッド部、ランドリード部、リード部の各底面に密着
するように接着力を有する封止シートを貼付する工程
と、前記封止シートを貼付した状態で少なくとも前記ラ
ンドリード部、リード部を前記封止シートに押圧した状
態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
子、ダイパッド部、金属細線の領域を樹脂封止するとと
もに、少なくとも前記ダイパッド部、ランドリード部、
リード部の底面部分を除いて樹脂封止する工程と、樹脂
封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去
し、前記リードフレームの吊りリード部、ランドリード
部、リード部のフレーム枠と接続した部分を実質的にそ
れらの端部が樹脂封止したパッケージの側面と同一面に
配列するように切断し、前記パッケージ底面に前記ラン
ドリード部、リード部の底面によるランド電極を露出さ
せ、かつ前記リード部の側端部を外部電極として前記パ
ッケージ側面に露出させた樹脂封止型半導体装置を形成
する工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法。
【請求項１５】表面に突出部と、前記突出部を包囲す
る環状の溝部と、底面に環状の溝部を有した半導体素子
搭載用のダイパッド部と、先端部で前記ダイパッド部を
支持し、他端部でフレーム枠と接続した吊りリード部
と、先端部底面がランド電極となり、表面に溝部が設け
られ、他端部が前記フレーム枠と接続したリード部と、
先端部が前記リード部の先端部付近に配置され、他端部
が前記フレーム枠と接続したランドリード部とよりな
り、前記リード部の先端部と前記ランドリード部の先端
部とが千鳥状の２列配置を構成しているリードフレーム
を用意する工程と、前記用意したリードフレームの前記
ダイパッド部の突出部上に半導体素子を搭載する工程
と、前記ダイパッド部上に搭載した前記半導体素子の主
面上の電極パッドと、前記リードフレームのランドリー
ド部、前記リード部の各上面とを金属細線により接続す
る工程と、前記リードフレームの裏面側の少なくともダ
イパッド部、ランドリード部、リード部の各底面に密着
するように接着力を有する封止シートを貼付する工程
と、前記封止シートを貼付した状態で少なくとも前記ラ
ンドリード部、リード部を前記封止シートに押圧した状
態で、前記リードフレームの上面側として前記半導体素
子、ダイパッド部、金属細線の領域を樹脂封止するとと
もに、少なくとも前記ダイパッド部、ランドリード部、
リード部の底面部分を除いて樹脂封止する工程と、樹脂
封止後に前記封止シートを前記リードフレームより除去
し、前記リードフレームの吊りリード部、ランドリード
部、リード部のフレーム枠と接続した部分を実質的にそ
れらの端部が樹脂封止したパッケージの側面と同一面に
配列するように切断し、前記パッケージ底面に前記ラン
ドリード部、リード部の底面によるランド電極を露出さ
せ、かつ前記リード部の側端部を外部電極として前記パ
ッケージ側面に露出させた樹脂封止型半導体装置を形成
する工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法。