JP2012147403A - 高周波モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】製造に係る工程やコストを削減しつつ薄型化に貢献することが可能な高周波モジュールを提供することを目的としている。
【解決手段】基板の一方の面に実装された部品と、前記一方の面に形成された前記部品と当該高周波モジュールが搭載される装置とを接続するための電極と、前記一方の面に前記部品を覆うように形成された第1絶縁層と、を有する高周波モジュールであって、前記電極は、少なくとも前記電極の一部が前記第1絶縁層の表面で前記第1絶縁層と連続するように形成されている。
【選択図】図2

Description

本発明は、高周波信号を受信する高周波モジュールに関する。
従来の高周波モジュールの一つとして、基板の片面に部品を実装し、部品の実装面を金属性のシールドケースで覆う構成のものが知られている。この高周波モジュールでは、部品実装面の裏面に、高周波モジュールを通信装置本体へ接続するための電極が形成されている。また従来の高周波モジュールでは、基板の両面に部品が実装されており、部品実装部が金属性のシールドケースで覆われた構成のものも知られている。両面実装の高周波モジュールでは、シールドケース外側の基板に通信装置本体と高周波モジュールとを接続するためのピンが形成されており、基板上の配線パターンとピンとが接続されている。
上述の片面実装及び両面実装の高周波モジュールでは、シールドケースで基板を覆う構成であるため、高周波モジュールを薄型化するに当たり不都合であった。
そこで、薄型化を実現するための高周波モジュールとして、基板の片面の実装された部品を覆う樹脂モールド層を形成し、樹脂モールド層の上にシールド層を形成する構成のものがある。例えば特許文献1には、金属ケースを使用せず樹脂モールド層と金属層とが形成された回路モジュールが記載されている。
この構成の高周波モジュールの基板の実装面の裏面にも、通信装置本体と高周波モジュールとを接続するための電極が形成されている。よって通信装置本体の基板に高周波モジュールを直接接続することができる。
また樹脂モールド層を用いた高周波モジュールにおいて、両面実装を実現したものも知られている。図10は、従来の高周波モジュールの一例を示す図である。図10(A)は、高周波モジュール10の断面の概略を示す図であり、図10(B)は高周波モジュール20の断面の概略を説明する図である。
図10(A)の高周波モジュール10において基板11は、部品12を実装するための実装部11Aと、高周波モジュール10を通信装置本体に実装する際ための電極13が形成される電極形成部11Bとを有するように形成される。高周波モジュール10では、電極形成部11Bを形成することで通信装置本体と基板11との間に空間14を設け、この空間14を利用して基板11の両面に部品12を実装している。さらに高周波モジュール10では、基板11の両面において、部品12を覆う樹脂モールド層15が形成される。このとき樹脂モールド層15の厚さは、空間14の高さH1よりも薄い。
図10(B)の高周波モジュール20において基板21には、両面に部品22が実装されている。また基板21には、通信装置本体と接続する面に、高周波モジュール20と通信装置本体とを接続するための電極となる半田ボール23が形成されている。高周波モジュール20では、半田ボール23を形成することで通信装置本体と基板21との間に空間24を設け、この空間24を利用して基板21の両面に部品22を実装している。さらに高周波モジュール20では、基板21の両面において部品22を覆う樹脂モールド層25が形成される。樹脂モールド層25の厚さは、空間24の高さH2よりも薄い。尚図示していないが、高周波モジュール10、20は、何れも樹脂モールド層の上にシールド層が形成されている。
このように、従来の樹脂モールド層を用いた高周波モジュールでは、基板の両面に部品を実装し、且つ高周波モジュールを通信装置本体の基板へ直接接続することができる構成のものもある。
特開2004−172176号公報
しかしながら例えば図10に示すような高周波モジュールでは、構成が複雑であるため、製造に係る工数やコストが増大するという問題点がある。
本発明は、上記事情を鑑みてこれを解決すべくなされたものであり、製造に係る工程やコストを削減しつつ薄型化に貢献することが可能な高周波モジュールを提供することを目的としている。
本発明は、上記目的を達成するために、以下の如き構成を採用した。
本発明は、基板(110)の一方の面(110B)に実装された部品(112)と、前記一方の面(110B)に形成された前記部品(112)と当該高周波モジュール(100)が搭載される装置とを接続するための電極(116)と、前記一方の面(110B)に前記部品(112)を覆うように形成された第1絶縁層(114)と、を有する高周波モジュール(100)であって、
前記電極(116)は、少なくとも前記電極(116)の一部が前記第1絶縁層(114)の表面で前記第1絶縁層(114)と連続するように形成されている。
また本発明の高周波モジュールは、前記基板(110)の他方の面(110A)に実装された部品(111)と、
前記他方の面(110A)に実装された前記部品(111)を覆うように形成された第2絶縁層(113)と、を有する。
また本発明の高周波モジュールは、前記第2絶縁層(113)の表面に高周波信号を受信するためのアンテナパターン(119)が形成されている。
また本発明の高周波モジュールは、前記基板(110)の前記他方の面(110A)に、高周波信号を受信するためのアンテナパターン(119)が形成されている。
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例にすぎず、図示の態様に限定されるものではない。
本発明によれば、製造に係る工程やコストを削減しつつ薄型化に貢献することができる。
第一の実施形態の高周波モジュールを説明する図である。 高周波モジュールのA−A断面図である。 第一の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。 第一の実施形態の高周波モジュールの個片化を説明する図である。 第二の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。 第二の実施形態の高周波モジュールの電極部品を説明する図である。 第三の実施形態の高周波モジュールを説明する第一の図である。 第三の実施形態の高周波モジュールを説明する第二の図である。 第四の実施形態の高周波モジュールを説明する図である。 従来の高周波モジュールの一例を示す図である。
(第一の実施形態)
以下に図面を参照して本発明の第一の実施形態について説明する。図1は、第一の実施形態の高周波モジュールを説明する図である。
本実施形態の高周波モジュール100は、回路基板に実装された電子部品が樹脂等に封止されて構成されている。本実施形態の高周波モジュール100は、無線通信を行う通信装置に搭載されるものであり、例えば無線LAN(Local Area Network)装置、ワンセグチューナ装置、GPS(Global Positioning System)装置等に搭載される。図2は、高周波モジュールのA−A断面図である。
本実施形態の高周波モジュール100は、回路基板110の一方の面110Aと他方の面110Bとに電子部品111、112がそれぞれ実装されている。本実施形態の回路基板110は、例えばセラミックやエポキシ樹脂等から形成されている。また高周波モジュール100では、面110Aに実装された電子部品111を覆う絶縁層である樹脂モールド層113と、面110Bに実装された電子部品112を覆う絶縁層である樹脂モールド層114とが形成されている。さらに本実施形態の高周波モジュール100では、面110B側に端子115と、端子115を樹脂モールド層114の外部へ引き出すための電極116とが形成されている。
尚本実施形態では図示していないが、樹脂モールド層113、114の表面は、ノイズ等の影響を遮蔽するシールド層となっていることが好ましい。
この端子115は、基板110に実装された電子部品111、112と接続されている。本実施形態では、高周波モジュール100を通信装置に搭載する際に、電極116が通信装置側の基板と接続するように配置することで、基板110に実装された電子部品111、112と通信装置側の回路とを端子115、電極116を介して接続することができる。尚図3(A)では図示していないが、面110A及び面110Bに実装された電子部品111、112は、面110A及び面110B上に形成された配線パターンにより端子115と接続されている。
図3は、第一の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。図3(A)は、高周波モジュール100における基板110の面110Aと面110Bを説明する図である。面110Aに実装された電子部品111は、例えば水晶発振器等を含む部品であっても良い。面110Bに実装された電子部品112は、通信に関わる部品や高周波モジュール100の電源回路等であっても良い。本実施形態では、通信に関わる部品等を面110Bへ実装することで、高周波モジュール100を通信装置へ搭載した際に電子部品112が面110Bと通信装置の基板との間に密封される。よって電子部品112に対するシールド効果の向上が期待できる。
基板110への電子部品111、112の実装が完了すると、図3(B)に示すように、面110Aに対してモールド樹脂封止を行い、電子部品111を覆う樹脂モールド層113を形成する。また面110Bに対してもモールド樹脂封止を行い、電子部品112と端子115とを覆う樹脂モールド層114とを形成する。図3(B)は、図3(A)のB−B断面図である。
続いて図3(C)に示すように、樹脂モールド層114の表面において端子115と重なる領域115Aに、端子115まで達する穴117を形成する。尚穴117を形成する加工は、例えばレーザ等により行うことが好ましい。続いて図3(D)に示すように、穴117に対してマスクを使用して銅ペーストを注入し、電極116を形成する。
このように本実施形態では、樹脂モールド層114に形成した穴117に銅ペーストを注入して電極116としている。したがって本実施形態の高周波モジュール100では、図2に示すように樹脂モールド層114と電極116とが連続した状態で形成される。
本実施形態の高周波モジュール100は、図4に示すように、複数個まとめて形成される。図3(A)〜(D)に示す手順が完了した後に、複数個がそれぞれ個別の高周波モジュール100として個片化される。図4は、第一の実施形態の高周波モジュールの個片化を説明する図である。
本実施形態の高周波モジュール100は、以上のように形成することで、基板110の両面に電子部品111、112を実装しつつ、通信装置と接続するための電極116を樹脂モールド層114の表面に形成することができる。したがって、高周波モジュール100を通信装置本体へ搭載する際に、電極116が形成された面が通信装置の基板へ接するように配置するだけで、高周波モジュール100内の電子部品111、112と通信回路側の回路とを接続することができる。
また本実施形態の高周波モジュール100は、基板110の両面に電子部品111、112を実装し且つ樹脂モールド層114と連続した電極116を形成する。このため本実施形態の高周波モジュール100では、通信装置本体と基板110との間に両面実装するための空間を設ける加工が不要となり、製造工程やコストを低減できる。また本実施形態の高周波モジュール100は、金属製のシールドケースを使用する必要がなく、両面実装とすることができるため、高周波モジュール100全体の小型化及び薄型化に貢献することができる。
(第二の実施形態)
以下に図面を参照して本発明の第二の実施形態について説明する。本発明の第二の実施形態では、端子115を樹脂モールド層114の表面へ引き出すための電極を予め基板に実装しておく点のみ第一の実施形態と相違する。したがって以下の第二の実施形態の説明では、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
図5は、第二の実施形態の高周波モジュールの製造方法について説明する図である。本実施形態の高周波モジュール100Aは、基板110に電極部品116Aとなる部品を予め実装しておく。
図5(A)に示すように、本実施形態の面110Bには、端子115が形成される位置に電極部品116Aが実装されている。電極部品116Aの形状の詳細は後述する。
本実施形態では、この状態で面110Aに対してモールド樹脂封止を行い、電子部品111を覆うように樹脂モールド層113を形成する。また面110Bに対してもモールド樹脂封止を行い、電子部品112を覆うように樹脂モールド層114Aを形成する。
本実施形態では、図5(B)に示すように、樹脂モールド層114Aをシートモールド成形にて形成し、電極部品116Aが樹脂モールド層114Aから数十μメートル突出するようにした。図5(B)は、図5(A)のC−C断面図である。
本実施形態では、以上のようにして高周波モジュール100Aを形成することで、基板110の両面に電子部品111、112を実装しつつ、通信装置と接続するための電極部品116Aを樹脂モールド層114Aの表面と連続するように形成することができる。図5(C)は、図5(B)を紙面に示す矢印方向から見た底面図である。
以下に図6を参照して本実施形態の電極部品116Aの形状について説明する。図6は、第二の実施形態の高周波モジュールの電極部品を説明する図である。
図6(A)は電極部品116Aの例を示す第一の図である。電極部品116Aは、例えば断面が四角形となる形状とした。電極部品116Aは、基板110に半田面115A
により接合されている。
図6(B)の電極部品116Bは、例えば断面にくぼみ118Aが形成されるH字状とした。この形状にすることで、樹脂モールド層114Aの形成時にモールド樹脂がくぼみ118Aへ流れこむ。よって、例えばリフローにより高周波モジュール100Aを通信装置に実装する場合等に、電極部品116Bと面110Bとを接合する半田面115Aが溶けることによる電極部品116Bの抜け落ちや電極部品116Bの配置のずれ等を防止できる。
図6(C)〜図6(E)は、図6(B)と同様に半田面115Aが溶けることによる電極部品の抜け落ちや電極部品の配置のずれを防止するための電極部品の形状の例である。図6(C)の電極部品116Cは、凸部118Bを有する構成とした。図6(D)の電極部品116Dは、断面に半円型の凹部118Cを有する構成とした。図6(E)の電極部品116Eは、半田ボールにより構成される。本実施形態では、電極部品の形状を、電極部品と樹脂モールド層114Aとが接する面積が大きくなる形状にすることが好ましい。
以上に説明したように、本実施形態の高周波モジュール100Aは、面110Bに電子部品112と電極部品とを実装してから樹脂モールド層114Aを形成するため、通信装置本体と基板110との間に空間を設ける必要がなく、製造工程やコストを低減できる。また本実施形態の高周波モジュール100Aは、金属製のシールドケースを使用する必要がなく、両面実装とすることができるため、高周波モジュール100全体の小型化及び薄型化に貢献することができる。
(第三の実施形態)
以下に図面を参照して本発明の第三の実施形態について説明する。本発明の第三の実施形態では、高周波モジュールとアンテナとを一体的に形成する点が第一の実施形態と相違する。よって以下の第三の実施形態の説明では、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
図7は、第三の実施形態の高周波モジュールを説明する第一の図である。図7に示す高周波モジュール100Bは、樹脂モールド層113の表面にアンテナ119と、端子115とアンテナ119とを接続するための表層パターン120とが形成されている。
尚図7では、第一の実施形態の高周波モジュール100にアンテナ119と表層パターン120とを形成した例を示したが、第二の実施形態の高周波モジュール100Aにも同様にアンテナ119と表層パターン120とを形成することができる。
図8は、第三の実施形態の高周波モジュールを説明する第二の図である。図8に示す高周波モジュール100Cでは、基板110の面110Aに電子部品111と共にアンテナ119と表層パターン120とが形成されている。尚図8の構成は、基板110の面110Bに電極部品116Aを実装した形態にも適用される。
また本実施形態のアンテナ119及び表層パターン120は、例えば高周波モジュール100Cの製造工程において形成されても良い。例えば、図4に示すように、高周波モジュール100Cが複数個まとまった状態であるときに、アンテナ119及び表層パターン120を一括して形成しても良い。
(第四の実施形態)
以下に図面を参照して本発明の第四の実施形態について説明する。本発明の第四の実施形態では、高周波モジュールがコネクタに接合された状態で通信装置に搭載される形態を示す。以下の第四の実施形態において、第一の実施形態と同様の機能構成を有するものには第一の実施形態の説明で用いた符号と同様の符号を付与し、その説明を省略する。
図9は、第四の実施形態の高周波モジュールを説明する図である。本実施形態では、通信装置の基板に実装されるコネクタ200へ高周波モジュール100が収納される。
コネクタ200には、ピン210と電極220とが形成されている。コネクタ200に高周波モジュール100が収納されると、電極116がピン210と圧接し、高周波モジュール100とコネクタ200とが接続される。電極220は、ピン210と一体的に形成されており、ピン210を介して電極116と接続される。
このように高周波モジュール100をコネクタ200に収納可能とすれば、例えば高周波信号を受信するための認証として、高周波モジュールのコネクタ接続が要求される場合にも対応することができる。
尚図9では、第一の実施形態の高周波モジュール100をコネクタ200に収納した例を説明したが、第二の実施形態及び第三の実施形態の高周波モジュール100A、100B、100Cも同様に適用することができる。
以上、各実施形態に基づき本発明の説明を行ってきたが、上記実施形態に示した要件に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の主旨をそこなわない範囲で変更することができ、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
100、100A、100B、100C 高周波モジュール
110 基板
111、112 電子部品
113、114 樹脂モールド層
115 端子
116 電極
116A 電極部品

Claims (4)

  1. 基板の一方の面に実装された部品と、前記一方の面に形成された前記部品と当該高周波モジュールが搭載される装置とを接続するための電極と、前記一方の面に前記部品を覆うように形成された第1絶縁層と、を有する高周波モジュールであって、
    前記電極は、少なくとも前記電極の一部が前記第1絶縁層の表面で前記第1絶縁層と連続するように形成されている高周波モジュール。
  2. 前記基板の他方の面に実装された部品と、
    前記他方の面に実装された前記部品を覆うように形成された第2絶縁層と、を有する請求項1記載の高周波モジュール。
  3. 前記第2絶縁層の表面に高周波信号を受信するためのアンテナパターンが形成されている請求項2記載の高周波モジュール。
  4. 前記基板の前記他方の面に、
    高周波信号を受信するためのアンテナパターンが形成されている請求項2記載の高周波モジュール。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI581396B (zh) * 2012-10-17 2017-05-01 環旭電子股份有限公司 立體堆疊式封裝結構及其製作方法
WO2020071020A1 (ja) * 2018-10-05 2020-04-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
WO2020071021A1 (ja) 2018-10-05 2020-04-09 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
DE112020003286T5 (de) 2019-07-09 2022-04-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Hochfrequenzmodul und Kommunikationsgerät

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000307049A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Matsushita Electronics Industry Corp リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2000307045A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Matsushita Electronics Industry Corp リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2006042009A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Kyocera Corp アンテナモジュール
JP2007102348A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Dainippon Printing Co Ltd Rfidタグ
JP2007295177A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Dainippon Printing Co Ltd 非接触データキャリア、非接触データキャリア用配線基板
WO2007132612A1 (ja) * 2006-05-17 2007-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合基板及びその製造方法
JP2009290553A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Fujitsu Media Device Kk 高周波モジュール及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4408475B2 (ja) * 1999-02-23 2010-02-03 三洋電機株式会社 ボンディングワイヤを採用しない半導体装置
JP2002100710A (ja) * 2001-07-23 2002-04-05 Seiko Epson Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4662324B2 (ja) 2002-11-18 2011-03-30 太陽誘電株式会社 回路モジュール
JP4417096B2 (ja) * 2003-12-24 2010-02-17 Necエレクトロニクス株式会社 樹脂封止方法および樹脂封止装置
JP2005198051A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Hitachi Ltd 高周波モジュール
US7295161B2 (en) * 2004-08-06 2007-11-13 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for constructing antennas using wire bonds as radiating elements
US8025237B2 (en) * 2006-01-20 2011-09-27 Panasonic Corporation Antenna built-in module, card type information device, and methods for manufacturing them
JP4833192B2 (ja) * 2007-12-27 2011-12-07 新光電気工業株式会社 電子装置
WO2009119374A1 (ja) * 2008-03-24 2009-10-01 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000307049A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Matsushita Electronics Industry Corp リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JP2000307045A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Matsushita Electronics Industry Corp リードフレームおよびそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2006042009A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Kyocera Corp アンテナモジュール
JP2007102348A (ja) * 2005-09-30 2007-04-19 Dainippon Printing Co Ltd Rfidタグ
JP2007295177A (ja) * 2006-04-24 2007-11-08 Dainippon Printing Co Ltd 非接触データキャリア、非接触データキャリア用配線基板
WO2007132612A1 (ja) * 2006-05-17 2007-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合基板及びその製造方法
JP2009290553A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Fujitsu Media Device Kk 高周波モジュール及びその製造方法

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