WO2007132612A1 - 複合基板及びその製造方法 - Google Patents

複合基板及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2007132612A1
WO2007132612A1 PCT/JP2007/058155 JP2007058155W WO2007132612A1 WO 2007132612 A1 WO2007132612 A1 WO 2007132612A1 JP 2007058155 W JP2007058155 W JP 2007058155W WO 2007132612 A1 WO2007132612 A1 WO 2007132612A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
piece
substrate
main surface
composite
substrate body
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/058155
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Norio Sakai
Yukio Yamamoto
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co., Ltd. filed Critical Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority to JP2008515459A priority Critical patent/JP4725817B2/ja
Publication of WO2007132612A1 publication Critical patent/WO2007132612A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/141—One or more single auxiliary printed circuits mounted on a main printed circuit, e.g. modules, adapters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/562—Protection against mechanical damage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3421—Leaded components
    • H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49805—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the leads being also applied on the sidewalls or the bottom of the substrate, e.g. leadless packages for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1532—Connection portion the connection portion being formed on the die mounting surface of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10742—Details of leads
    • H05K2201/1075—Shape details
    • H05K2201/10757—Bent leads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10742—Details of leads
    • H05K2201/10886—Other details
    • H05K2201/10924—Leads formed from a punched metal foil
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10742—Details of leads
    • H05K2201/10886—Other details
    • H05K2201/10946—Leads attached onto leadless component after manufacturing the component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954—Other details of electrical connections
    • H05K2201/10977—Encapsulated connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1572—Processing both sides of a PCB by the same process; Providing a similar arrangement of components on both sides; Making interlayer connections from two sides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to a composite substrate and a method for manufacturing the same, and more particularly to a composite substrate formed by bonding a connecting member to one main surface of a substrate body and a method for manufacturing the same.
  • module components are provided in which chip-shaped electronic components are mounted on both sides or one side of a substrate body.
  • frame-like members and cases In mounting such module parts on other circuit boards, it has been proposed to attach frame-like members and cases to the board body of the module parts.
  • a wiring pattern is formed on the frame-like member case, and one end of the wiring pattern is joined to the board body, and the other wiring pattern is connected. The end is bonded to another circuit board.
  • Patent Document 1 a flat semicircular terminal recess having a through hole cut in half is provided on the outer edge of an insulating sealing frame attached to one side of a printed wiring board. It is disclosed that an external input / output terminal that is conductively connected to a nod portion of a printed wiring board is formed by plating the inner periphery of the concave portion.
  • Patent Document 2 in order to produce an electronic component mounting case in which the terminal surface is exposed from the case body of the molded resin material, the terminals bent by press working are aligned to a pair of upper and lower molds. It is disclosed that the resin is insert-molded.
  • Patent Document 1 JP-A-6-216314
  • Patent Document 2 JP 2004-266013 A
  • the sealing frame in order to form the sealing frame, a through hole is formed, the inner peripheral surface of the through hole is plated, or a solder is filled, so that the process is complicated and the manufacturing cost increases.
  • the bonding reliability decreases. In particular, when the number of terminals is increased, the bonding reliability is significantly reduced.
  • the molding resin also flows onto the bent terminal due to the pressure and cannot be soldered, and the bonding reliability between it and other members is low.
  • the substrate may be warped due to a difference in thermal expansion coefficient, leading to deterioration in quality.
  • the thermal expansion coefficient of the ceramic substrate is 5 to: L lppmZ ° C
  • the thermal expansion coefficient of the resin used for the sealing frame is 20 to 200 ppmZ ° C. Since the difference in thermal expansion coefficient is large, the tendency for quality to decline is prominent.
  • the present invention provides a composite substrate that can reduce thermal stress and impact stress of a bonded portion with a simple configuration and can be easily manufactured, and a method for manufacturing the same. It is about to try.
  • the present invention provides a method for manufacturing a composite substrate configured as follows.
  • the method for manufacturing the composite substrate includes a first step and a second step.
  • each of the plurality of connecting members formed by bending a thin metal plate on one main surface of the substrate body and having the first piece and the second piece continuous at both ends of the intermediate piece, respectively.
  • the first piece is joined and a chip-like electronic component is mounted on the one main surface of the substrate body.
  • the second step at least a part of the chip-shaped electronic component and at least the first piece of each of the connection members are covered, and at least the second piece of each of the connection members is covered.
  • a resin layer is formed on the one main surface of the substrate body such that the surface opposite to the substrate body is exposed.
  • the surface of the connecting member exposed from the resin layer cover is connected to the external circuit substrate on the side opposite to the substrate body.
  • the thermal stress and impact stress generated at the joint between the connection member and the board body and the joint between the connection member and the external circuit board due to temperature change, impact force, etc. were formed by bending the thin metal plate.
  • the connection member can be relaxed by elastic deformation. As a result, the bonding reliability can be improved.
  • the formation of the resin layer in the second step allows the embedding of the connecting member and the fixing of the chip-shaped electronic component mounted on one main surface of the substrate body at the same time.
  • the structure is more than the case where another member for securing a space between the substrate body and the external circuit board (hereinafter simply referred to as “another member”) is joined to one main surface of the substrate body. It is easy and the manufacturing process is simplified.
  • the composite substrate can be made smaller than when another member is joined to one main surface of the substrate body. This is because there is no need to increase the size of the dimension in consideration of variations in the dimensions of the different members and variations in the position where the different members are joined to the substrate body.
  • the resin layer is formed by applying and curing liquid resin on the one main surface of the substrate body so that the surface of the second piece opposite to the substrate body is exposed.
  • Forming the resin by applying pressure tends to cause inconveniences such as deformation of the connecting member and adhesion of the resin to the exposed surface of the connecting member.
  • by applying liquid resin Such a resin layer can be easily formed without causing such inconvenience.
  • the process is simpler than when another member is formed and bonded to the substrate body.
  • the first step and the second step are performed collectively for the plurality of composite substrates in a state of an aggregate substrate including the plurality of substrate bodies.
  • the method for manufacturing a composite substrate further includes a step of forming a slit in the resin layer along a dividing line of the composite substrate.
  • the method for manufacturing a composite substrate further includes a step of mounting another chip-shaped electronic component on the other main surface of the substrate body.
  • the mounting density of the composite substrate can be increased.
  • the substrate main body is a ceramic multilayer substrate having a conductor pattern inside a laminate formed by laminating a plurality of ceramic layers sintered at 1050 ° C or lower.
  • the bonding reliability can be improved while increasing the mounting density of the composite substrate by the ceramic multilayer substrate.
  • the ceramic multilayer substrate has a higher thermal expansion than other types of substrates. Since the tension coefficient is small, thermal stress tends to increase and it is brittle. Therefore, the effect of preventing the destruction of the ceramic multilayer substrate itself from thermal stress and impact stress is great.
  • the connecting member is configured such that the first piece and the second piece are related to the intermediate piece, that is, the intermediate piece-first piece connecting portion and the intermediate piece-second piece. It extends to the same side with respect to the imaginary line connecting the connecting parts.
  • the connecting member has the first piece of the substrate body such that the intermediate pieces face each other, and the first piece and the second piece extend outside the space between the intermediate pieces. It is joined to the terminal on the one main surface.
  • the distance between the intermediate pieces of the opposing connecting members is such that the first piece and the second piece are between the intermediate pieces, rather than the case where the first piece and the second piece extend between the intermediate pieces.
  • the thermal stress or impact stress generated at the joint between the connecting member and the substrate body or external circuit is also reduced.
  • the bonding reliability is greater when the first piece and the second piece extend outside between the intermediate pieces than when the first piece and the second piece extend between the intermediate pieces. The case improves.
  • the connecting member is configured such that the first piece and the second piece are related to the intermediate piece, that is, the intermediate piece-first piece connecting portion and the intermediate piece-second piece.
  • the virtual lines connecting the connecting portions of the pieces extend to the opposite sides.
  • the connecting member has the intermediate pieces opposed to each other, and one of the first piece or the second piece extends outside between the intermediate pieces, and the first piece or the The first piece is joined to the terminal on the one main surface of the substrate body such that the other of the second pieces extends between the intermediate pieces.
  • the second piece of the connecting member is elastically deformed by separating the resin layer force or pressed so as to press the resin layer. Deforms and relieves stress at the joint. The first piece is prevented from rotating by the resin layer. As a result, it is possible to improve the bonding reliability by preventing an excessive force from acting on the bonding portion between the connecting member and the substrate body or the external circuit.
  • the area of the first piece is larger than the area of the second piece.
  • the area of the joint portion between the first piece of the connection member and the terminal of the board body is increased to improve the joint strength between the first piece of the connection member and the terminal of the board body. be able to
  • the present invention also provides a composite substrate configured as follows.
  • the composite substrate is formed by bending (a) a substrate body and (b) a metal thin plate, and a first piece and a second piece are connected to both ends of the intermediate piece, respectively, and the first piece is the above-mentioned
  • a plurality of connection members joined to one main surface of the substrate body (c) a chip-shaped electronic component mounted on the one main surface of the substrate body; and (d) at least the connection with the chip-shaped electronic component.
  • the one side of the substrate body so as to cover the first piece of each of the members and to expose at least the surface of the second piece of the connecting member opposite to the substrate body.
  • a resin layer formed of the same resin material on the entire main surface.
  • connection member is elastically deformed due to thermal stress, impact stress, etc. generated in the joint portion between the connection member and the board body and the joint portion between the connection member and the external circuit board. Can be alleviated. As a result, the bonding reliability can be improved.
  • the composite substrate can be made smaller than when another member is joined to one main surface of the substrate body. This is because there is no need to increase the size of the dimension in consideration of variations in the dimensions of the different members and variations in the position where the different members are joined to the substrate body.
  • another chip-shaped electronic component mounted on the other main surface of the substrate body is further provided.
  • the mounting density of the composite substrate can be increased.
  • the substrate body is formed by laminating a plurality of ceramic layers sintered at 1050 ° C or lower.
  • the bonding reliability can be improved while increasing the mounting density of the composite substrate by the ceramic multilayer substrate.
  • the ceramic multilayer substrate is more fragile than other types of substrates, the effect of preventing the destruction of the ceramic multilayer substrate itself from thermal stress and impact stress is great.
  • the first piece and the second piece extend on the same side with respect to the intermediate piece.
  • the intermediate pieces are opposed to each other, and the first piece and the second piece extend to the outer side than between the intermediate pieces.
  • the distance between the intermediate pieces of the connecting members facing each other is such that the first piece and the second piece are between the intermediate pieces as compared to the case where the first piece and the second piece extend between the intermediate pieces.
  • the thermal stress or impact stress generated at the joint between the connecting member and the substrate body or external circuit is also reduced.
  • the bonding reliability is greater when the first piece and the second piece extend outside between the intermediate pieces than when the first piece and the second piece extend between the intermediate pieces. The case improves.
  • the first piece and the second piece extend on opposite sides with respect to the intermediate piece.
  • the connecting member has the intermediate pieces opposed to each other, and one of the first piece or the second piece extends outside between the intermediate pieces, and the first piece or the The first piece is joined to the one main surface of the substrate body so that the other of the second pieces extends between the intermediate pieces.
  • the second piece of the connecting member is elastically deformed by separating the resin layer force or pressed so as to press the resin layer. Deforms and relieves stress at the joint. The first piece is prevented from rotating by the resin layer. As a result, it is possible to improve the bonding reliability by preventing an excessive force from acting on the bonding portion between the connection member and the board body or the external circuit.
  • the area of the first piece is larger than the area of the second piece.
  • the present invention it is possible to relieve the thermal stress and impact stress of the joint portion with a simple configuration. As a result, the bonding reliability can be improved. Moreover, it can be manufactured easily and the manufacturing cost can be reduced.
  • FIG. 1 is a bottom view of a cross-sectional view of a composite substrate. (Example 1)
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional bottom view of the main part of the composite substrate. (Example 1)
  • FIG. 3 is a plan view showing a manufacturing process of a connection member. (Example 1)
  • FIG. 4 is a perspective view showing a manufacturing process of a connection member. (Example 1)
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a connection member. (Example modification 1-3)
  • FIG. 6 is a perspective view showing the arrangement of connecting members on a substrate body. (Example 1)
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a composite substrate manufacturing process. (Example 1)
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a composite substrate manufacturing process. (Example 2)
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a composite substrate manufacturing process. (Example 3)
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a composite substrate manufacturing process. (Example 4)
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a composite substrate manufacturing process. (Example 5)
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a composite substrate manufacturing process. (Example 6)
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a composite substrate. (Example 7)
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a composite substrate. (Example 2)
  • FIG. 15 is an explanatory diagram of deformation of the composite substrate.
  • FIG. 16 is an explanatory diagram of deformation of the composite substrate.
  • the composite substrates 2 and 4 are formed on the main surfaces 10a and 10b of the plate-shaped substrate body 10 on the chip-shaped electronic electrodes t3 ⁇ 420 and 22; 26, 27, 28 force S is mounted, and connection member 30 that is an input / output terminal for connecting composite boards 2 and 4 to external circuit board 70 is joined to one main surface 10a of board body 10 ⁇
  • the substrate body 10 only needs to have a structure capable of mounting electronic components on one side or both sides in order to increase the density.
  • the substrate body 10 is not particularly limited in type, such as a printed board, a flexible printed wiring board, an alumina board, or a ceramic board.
  • a chip-like electronic component 20 which is a surface mount component (SMD) such as a chip capacitor is provided on one main surface 10a of the substrate body 10, and a terminal (not shown) of the one main surface 10a of the substrate body 10 is provided. It will be implemented. Also, chip-like electronic components 22 such as IC chips are die-bonded, and terminals (not shown) and pads (not shown) provided on one main surface 10a of the substrate body 10 are Au, Al, Cu, etc. Are connected by bonding wires 23.
  • SMD surface mount component
  • Chip-like electronic components 26, 27, 28 such as chip capacitors and IC chips are mounted on the other main surface 10b of the substrate body 10 as necessary.
  • chip-shaped electronic components 26 and 27 that are surface-mounted components are solder-mounted
  • chip-shaped electronic components 28 that are IC chips and the like are flip-chip mounted by Au or solder bumps 29.
  • a metal case 40 is bonded to the other main surface 10b of the substrate body 10 as necessary, as in the composite substrate 2 shown in FIG.
  • the metal case 40 may be bonded to the side surface of the substrate body 10.
  • the metal case 40 is used for making the mounter easily adsorb the composite substrate 2 when the composite substrate 2 is mounted on the external circuit board 70, and for electromagnetic sheathed particularly when used for high frequency.
  • the connecting member 30 is formed by bending a band-shaped metal thin plate into a U-shaped cross section, and the first piece 32 and the second piece 36 are continuous with both ends of the intermediate piece 34, respectively.
  • the first piece 32 of the connection member 30 is soldered to the terminal 16 provided on the one main surface 10a of the substrate body 10 (conductive adhesive or the like may be used). ) Is connected.
  • the second piece 36 of the connection member 30 extends away from the one main surface 10a of the substrate body 10.
  • connection member 30 is disposed on the peripheral edge of the one main surface 10 a of the substrate body 10, and is chip-shaped inside the connection member 30. Place electronic parts 20, 22. However, the connecting member 30 is arranged in the peripheral portion of the one main surface 10a of the substrate body 10, and a chip-like electronic component can be arranged in that portion.
  • a resin layer 24 covering the chip-shaped electronic components 20, 22 and the bonding wires 23 mounted on the one main surface 10a of the substrate body 10 is formed.
  • the resin layer 24 seals the chip-shaped electronic components 20 and 22 and the bonding wire 23 and protects them from mechanical damage and the external environment such as heat and water. It should be noted that at least a part of the chip-like electronic component is covered with the resin layer!
  • the resin layer 24 is formed of the same resin material on the entire main surface 10 a of the substrate body 10, and is formed closer to the substrate body 10 than the second piece 36 of the connection member 30. Since most of the connecting member 30 is buried in the resin layer 24, the mechanical strength is reinforced by the resin layer 24, such as buckling.
  • connection member 30 at least the surface 37 of the second piece 36 opposite to the substrate body 10 also exposes the grease layer 24 force, and this surface 37 is external circuit board 70 as shown in FIG.
  • the surface electrode 72 is joined with solder 74 (or conductive adhesive or the like!).
  • the metal case 40 When the metal case 40 is bonded to the substrate body 10 as in the composite substrate 2 in FIG. 1 (a), the metal case 40 is also electrically connected to the external circuit board 70.
  • connection member 30 widens the space between the board body 10 and the external circuit board 70, and the outside. By mounting chip-like electronic components 20 and 22 on one main surface 10a of the substrate body 10 facing the circuit substrate 70, the composite substrates 2 and 4 can be densified.
  • connection member 30 is formed of a plurality of strip-shaped portions connected to the common portion 38 by punching out a metal sheet 39 of phosphor bronze, white or nickel alloy with a mold.
  • the band-shaped portion 31 is bent at two bent portions 33 and 35, for example, as shown in the perspective view of FIG. Two pieces 36 and 36 are formed to extend.
  • the bent portions 33 and 35 are bent at a right angle so that the intermediate piece 34 does not protrude beyond the outside of the region where the first piece 32 and the second piece 36 face each other.
  • each connecting member 30 is connected to the common portion 38, and a plurality of connecting members 30 are arranged on the one main surface 10a of the substrate body 10 and then connected to the common portion 38 and each of the common members 38. Even if the common member 38 is separated from each connecting member 30 by cutting between the connecting members 30, the connecting members 30 separated by one by cutting between the common member 38 and each connecting member 30 are separated. Alternatively, it may be arranged on one main surface 10a of the substrate body 10.
  • the connecting member 30 is bent into a U-shaped cross section, but the bent shape of the connecting member is not limited to this.
  • the connecting member may be bent in at least one place and may have a shape having a first piece joined to the substrate body and a second piece joined to the external circuit board.
  • the strip-like portion of the thin metal plate is plastically deformed by bending, for example, only one place into an arc shape, and formed into a U-shaped cross section.
  • the size can be easily reduced.
  • the first piece 32a and the second piece 36a may have a Z-shaped cross section extending on the opposite sides with respect to the intermediate piece 34a. .
  • the combination of spring constants in each direction can be changed by increasing the number of bent portions.
  • the first piece 32b and the second piece 36b It may be formed in a cross-sectional shape that extends.
  • the first piece 32c and the second piece 36c extend on the same side of the intermediate piece 34.
  • the two connecting members 30c, 30c having a U-shaped cross section may be combined at one place so that the intermediate pieces 34c are back to back. In this case, the reliability against bending fatigue failure can be improved by fail-safe.
  • the thickness of the thin metal plate used to form the connecting member is preferably 50 ⁇ m to 300 ⁇ m.
  • the thickness of the thin metal plate is less than 50 m, the variation during bending becomes large, and the variation in the position and height of the first piece and the second piece becomes large.
  • the board body and the composite board will be downsized.
  • the height of the second piece varies, for example, the thickness of the solder joining between the second piece and the external circuit board varies, and the joint reliability is impaired.
  • Increasing the margin of the height dimension of the connecting member hinders the low profile of the composite board.
  • due to thermal stress and impact stress the vicinity of the bent portion of the connecting member is repeatedly fatigued.
  • the thickness of the connecting member is small, fatigue failure is liable to occur, so that joint reliability is impaired.
  • connection member NiZSn, NiZAu, Ni / solder, etc. are used to improve the wettability with the solder and conductive adhesive used for bonding to the board body and external circuit board, and to increase the bonding strength. You may get stuck.
  • Such plating can be applied to the entire surface of the connection member or only to the joint surface of the first piece and the second piece.
  • the connecting member may be formed by a method other than the bending process of the metal thin plate.
  • a plurality of composite substrates can be manufactured at the same time by using a collective substrate including a plurality of substrate main body portions.
  • the connection member 30 is disposed on the one main surface 1 Oa of the aggregate substrate of the substrate body 10 on which the terminals 11 are formed.
  • 12a, 12b, 12c, and 12d are shown for four composite boards bounded by the dividing line 14 indicated by a broken line. May include minutes.
  • connection member 30 is disposed only along a pair of sides of the rectangular substrate body 10.
  • the connecting member 30 is not limited to the example of FIG. 6 as long as a plurality of connecting members 30 are arranged on the peripheral edge portion of the one main surface 10a of the substrate body 10.
  • one or more pieces may be arranged along two opposing sides of the one main surface 10a of the rectangular substrate body 10 respectively.
  • it may be arranged only at the four corners of the one main surface 10a of the rectangular substrate body 10 or at only two diagonal positions of the four corners of the one principal surface 10a of the rectangular substrate body 10. May be arranged.
  • connecting members may be arranged on each of the four sides.
  • a terminal 16 (see FIG. 2) on one main surface 10a of the collective substrate including a portion that becomes a plurality of substrate bodies 10 (one is indicated by reference numeral 12) ) Is printed with a conductive paste (not shown) containing solder, Ag, etc., and the chip-like electronic component 20 and the connection member 30 which are surface-mounted components are mounted, reflowed or thermally cured, and then connected.
  • the first piece 32 of 30 is joined to the terminal 16 (see FIG. 2) on the one main surface 10a of the substrate body 10. After bonding, cleaning is performed to remove dirt on a wire bonding pad (not shown) provided on one main surface 10a of the substrate body 10.
  • a chip-like electronic component 22 such as an IC or FET is placed on one main surface 10a of the collective substrate of the substrate body 10 with epoxy resin or conductive resin. After mounting and thermosetting, between the terminals (not shown) of the chip-like electronic component 22 and the pads (not shown) provided on the one main surface 10a of the substrate body 10, Au, Al, Cu, etc. Connect with bonding wire 23.
  • the terminal 16 see Fig. 2
  • the pad (not shown) to be connected by the bonding wire 23 NiZAu or NiZPdZ should be used to increase the bonding strength.
  • a sealing resin such as a liquid epoxy resin is applied and then heated to be cured.
  • the height of the sealing resin does not exceed the second piece 36 of the connection member 30 so that the sealing resin is exposed to the connection member 30. It is preferable to prevent the two pieces 36 from getting wet to the surface 37 opposite to the substrate body 10. If the sealing resin wets and spreads to the surface 37 opposite to the substrate body 10 of the second piece 36 to be exposed of the connection member 30, the solder does not adhere to this surface 37, and the external circuit board 70 ( (See Fig. 1 and Fig. 2).
  • the portion to be exposed of the second piece 36 (the portion serving as the connection terminal with the external circuit board 70, that is, the substrate body of the second piece 36) It is preferable to apply a release agent or a water repellent to the surface 37) opposite to 10.
  • the connecting member 30 Since the curing shrinkage of the sealing resin is at most 0.5%, the connecting member 30 is not deformed by the sealing resin, but the aggregate substrate may be warped by the curing of the sealing resin. is there. In such a case, the encapsulated resin is precured to such an extent that the collective substrate does not warp, and along the dividing line 14 of the composite substrate, as shown in FIG.
  • the sealing resin After the slit 21 is formed in the oil layer 24, the sealing resin is further heated to be fully cured. Accordingly, the slit 21 can be easily processed when it is in a soft state before the sealing resin is completely cured. If the slits 21 are formed, the work of dividing into individual substrates in the subsequent process becomes easy. For example, after preliminarily curing the sealing resin by heating at 100 ° C. for 1 hour, the slit 21 is formed and further heating at 150 ° C. for 3 hours to completely cure the sealing resin.
  • the resin layer 24 can also be formed by using a resin sheet in a B stage state (semi-cured state) instead of the liquid sealing resin.
  • the resin sheet is placed on the chip-like electronic components 20 and 22 and the connection member 30 mounted on the board body 10 and then pushed into the board body 10 side, whereby one main surface of the board body 10 is After placing on 10a without any gaps, Heat to cure.
  • the remaining resin sheet adhered to the surface 37 of the second piece 36 to be exposed of the connecting member 30 on the side opposite to the substrate body 10 is removed before or after curing.
  • the collective substrate is cut along the dividing line 14 by means such as dicing saw, laser, break, etc., and divided into individual composite substrates 6 as shown in FIG. Thus, the composite substrate 6 is completed.
  • the second piece 36 of the connection member 30 is exposed on the surface 37 opposite to the board body 10.
  • the part is joined to a surface electrode 72 such as a bonding land of an external circuit board 70 such as a printed wiring board by solder 74 or the like.
  • solder 74 solder 74 or the like.
  • the composite substrate can relieve thermal stress and impact stress by elastic deformation of the connection member 30, it is possible to improve the bonding reliability.
  • the substrate body 10 is a brittle ceramic substrate containing glass or the like having a lower bending strength than an alumina substrate or the like, the effect of preventing the substrate body from being destroyed by relaxing the thermal stress and impact stress is great.
  • connection member 30 is a continuous metal terminal bent so as to be plastically deformed. Therefore, it is elastically deformed in any of the XYZ directions. Further, the resin layer 24 and the connecting member 30 are basically not joined, and the resin layer 24 is also elastically deformed in the cocoon direction.
  • the connecting member 30 is elastically deformable, thermal stress is generated due to reflow when the composite board is joined to the external circuit board 70 and the heat during the subsequent heat cycle due to the difference in the linear expansion coefficient ⁇ of each part. Even so, thermal stress can be absorbed by the elastic deformation of the connecting member 30 and the resin layer 24. Similarly, impact stress during a drop impact can be absorbed by elastic deformation. As a result, the bonding reliability is improved.
  • Example 2 The composite substrate 8 of Example 2 will be described with reference to FIG.
  • the composite substrate 8 has chip-like electronic chips 3 ⁇ 460; 62, on both main surfaces 50a, 50b of the flat substrate body 50, as in the first embodiment. 64 power ⁇ installed! Further, the connection member 30 is bonded to the one main surface 50a of the substrate body 50, and the resin layer 24 is formed.
  • a terminal 56 for joining the connecting member 30 and a joining pad 57 for the chip-like electronic component 60 are formed on one main surface 50a of the substrate body 50, and a chip-like electronic component is formed on the other main surface 50b.
  • Terminals 58 serving as 62 and 64 bonding electrodes (bonding lands) are formed. If necessary, attach NiZSn, Ni / Au, Ni / Pd / Au, or NiZ solder to terminals 56 and 58 pad 57.
  • the substrate body 50 of the composite substrate 8 is a multilayer ceramic substrate in which a plurality of ceramic layers are laminated.
  • An in-plane conductor pattern 52 and a via-hole conductor pattern 54 are formed inside the substrate body 50 using a conductive paste mainly composed of Ag, Ag / Pd, Ag / Pt, Cu, CuO, or the like. .
  • a conductive paste mainly composed of Ag, Ag / Pd, Ag / Pt, Cu, CuO, or the like.
  • Such a configuration uses low-resistance Ag or Cu, so it has been put to practical use as a high-frequency component or module with low signal loss.
  • the substrate body 50 is manufactured as follows.
  • an in-plane conductor pattern 52, a via-hole conductor pattern 54, and the like are formed, and an unfired ceramic green sheet having a thickness of about 10 to 200 ⁇ m is sintered at a temperature higher than the firing temperature of the ceramic green sheet.
  • Prepare a constraining layer The green ceramic green sheet contains a low-temperature sintered ceramic material, and the sintering temperature is 1050 ° C or lower.
  • a ceramic powder such as alumina or forsterite may be used.
  • the substrate body 50 of the composite substrate 8 is a ceramic multilayer substrate, it is possible to improve the bonding reliability while increasing the mounting density of the composite substrate 8.
  • the ceramic multilayer substrate is more fragile than other types of substrates, it has a great effect of preventing destruction of the ceramic multilayer substrate itself from thermal stress and impact stress.
  • connection member 1 Configuration of connecting member 1>
  • the connecting member 30 having a U-shaped cross section may be arranged so that the facing intermediate pieces 34 face each other as in Example 1 (see FIG. 1).
  • the opposing intermediate pieces 34 may be arranged inside. From the viewpoint of joining reliability, it is preferable to arrange the intermediate pieces 34 so that the intermediate pieces 34 are inside each other. This will be described below with reference to FIG.
  • the linear expansion coefficient ⁇ force of the substrate body 50 is smaller than the linear expansion coefficient ⁇ of the external circuit board 70.
  • connection member 30 expands on the side of the external circuit board 70 due to, for example, a reflow process for bonding the composite board to the external circuit board 70 or a temperature rise during use.
  • the shear between the second piece 36 of 30 and the external circuit board 70 is sheared Force Fs and bending moment Ms are applied.
  • the shearing force Fs and the bending moment Ms are substantially proportional to the distance L between the intermediate pieces 34 of the connecting member 30 arranged in the opposite direction.
  • the distance L between the intermediate pieces 34 is set so that the intermediate pieces 34 of the connecting members 30 facing each other are outside as shown in FIG. It becomes smaller than the case where it is arranged. Therefore, the shearing force Fs and the bending moment Ms acting on the joint between the second piece 36 of the connection member 30 and the external circuit board 70 are reduced, and the joining reliability is improved.
  • connection member 30 obtained by bending the metal thin plate is not adhered to the resin layer 24 even if it is embedded in the resin layer 24. Even if it is, the bonded portion can be easily peeled off, and can be easily elastically deformed.
  • connection member 30 when the surface 71 of the external circuit board 70 is curved in a convex shape, the connection member 30 has the second piece 36 approximately centered on the second bent portion 35. It rotates and elastically deforms so that a gap is formed between the resin layer 24 and the resin layer 24. As a result, it is possible to prevent an excessive force from acting on the joint portion between the second piece 36 of the connection member 30 and the external circuit board 70, and to improve the joint reliability.
  • the first piece 32 of the connection member 30 is separated from the substrate body 50 about the first bent portion 33. Try to rotate in the direction. However, the rotation can be prevented by the resin layer 24, and an excessive force can be prevented from acting on the joint portion between the first piece 32 of the connection member 30 and the substrate body 50.
  • connection member configuration 2 From the viewpoint of improving the joining reliability, the Z-shaped connecting member 30a shown in FIG. 5 (b) is also preferable. This will be described below with reference to FIG.
  • the board body 10 and the external circuit board 70 have different coefficients of thermal expansion or linear expansion, so that, for example, as shown in FIG. A shearing force Fs and a bending moment Ms act on the joint portion between the connecting member 30a and the board body 10 or the external circuit board 70 that are arranged due to a reflow process or a temperature rise during use.
  • the connection member 30a is elastically deformed and acts on the joint portion between the first piece 32a of the connection member 30a and the board body 10 and the joint portion between the second piece 36a of the connection member 30a and the external circuit board 70. To relieve stress.
  • the elongation ⁇ on the side of the substrate body 10 is the product of the distance L1 between the first bent portions 33a of the connecting members 30a arranged facing each other and the linear expansion coefficient of the substrate body 10.
  • the extension ⁇ on the external circuit board 70 side is equal to the distance L2 between the second bent portions 35a of the connecting member 30a arranged facing each other and the external rotation.
  • the linear expansion of the substrate body 10 such as ceramic
  • the coefficient ⁇ is larger than the linear expansion coefficient ⁇ of the external circuit board 70 such as a printed wiring board made of resin.
  • the direction force is smaller than when L1 ⁇ L2, and the shearing force Fs and bending moment Ms are also reduced. Therefore, when the opposing connection member 30a is arranged so that L1> L2, as shown in Fig. 16, the shearing force Fs and bending moment Ms acting on the joint are reduced, and the connection reliability is improved. Therefore, it is preferable.
  • the present invention is the case of LK L2, that is, the connecting members 30a arranged to face each other in FIG. This does not exclude the case where the first bent portions 33a are arranged inside and the second bent portions 35a of the connecting member 30a are arranged outside, or the opposing connecting members 30a are arranged asymmetrically.
  • the connecting member 30a obtained by bending the metal thin plate is not adhered to the resin layer 24 even if it is embedded in the resin layer 24. Even in this case, the bonded portion is easily peeled off, so that it can be easily elastically deformed.
  • the connecting member 30a when the surface 71 of the external circuit board 70 is curved in a convex shape, the connecting member 30a has the second piece 36a approximately centered on the second bent portion 35a. It rotates and elastically deforms so that a gap is formed between the resin layer 24 and the resin layer 24. Accordingly, it is possible to improve the bonding reliability by preventing an excessive force from acting on the bonding portion between the second piece 36a of the connection member 30a and the external circuit board 70.
  • the portion other than the first piece 32a of the connection member 30a is substantially centered around the first bent portion 33a. It tries to rotate in the direction of pressing 10 but the rotation is blocked by the resin layer 24 so that excessive force does not act on the joint between the first piece 32a of the connecting member 30a and the board body 10. Thus, the bonding reliability can be improved.
  • connection member 30a when the surface 71 of the external circuit board 70 is concavely curved, the elastic deformation of the resin layer 24 and the elastic deformation of the connection member 30a cause the connection member 30a to The force acting on the joint portion between the second piece 36a and the external circuit board 70 and the joint portion between the first piece 32a of the connection member 30a and the substrate body 10 can be reduced. [0129] When the arrangement of the connecting member 30a is opposite to that in Fig.
  • the bonding reliability with respect to the convex or concave curvature of the surface 71 of the external circuit board 70 can be enhanced. That is, even if the external circuit board 70 is curved in a convex shape or a concave shape, the connection member 30a is elastically deformed so that the second piece 36a of the connection member 30a is separated from the resin layer 24, and the first piece 32a or the second piece The rotation of the piece 36a is prevented by the resin layer 24. Therefore, it is possible to improve the bonding reliability by preventing an excessive force from acting on the bonded portion.
  • connection member 30a With this bending moment M, the connection member 30a tries to rotate around the first bent portion 33a and the second bent portion 35a. At this time, the rotation of the first piece 32a of the connecting member 30a is prevented by the resin layer 24a. Further, the second piece 36a of the connecting member 30a is elastically deformed so that a gap is formed between the second layer 36a and the resin layer 24. As a result, it is possible to improve the bonding reliability by preventing an excessive force from acting on the bonded portion.
  • connection member is a continuous metal terminal bent so as to be plastically deformed, it is elastically deformed in any of the XYZ directions.
  • the resin layer and the connecting member are basically not joined, and the connecting member is elastically deformed freely in the XYZ directions even after the resin coating is cured. Therefore, reflow when the composite substrate is mounted on the external circuit substrate, and thermal stress due to the difference in coefficient of linear expansion of each part due to heat during the subsequent heat cycle can be absorbed by elastic deformation of the connecting member, and the bonding reliability is high. In addition, the bonding reliability against impact stress during drop impact is high.
  • connection member By forming the resin layer, embedding of the connection member and sealing of the chip-shaped electronic component are simultaneously performed.
  • the structure is simpler than the case where another member in which the connection member is embedded, i.e., another member for securing a gap between the board body and the external circuit board, is joined to one main surface of the board body. This simplifies the manufacturing process.
  • the composite substrate can be reduced in size compared to the case where another member in which the connection member is embedded is joined to one main surface of the substrate body. This is because it is not necessary to allow a sufficient dimension in consideration of variations in the dimensions of other members, such as embedded connection members, and variations in the bonding position to the substrate body.
  • connection member When a liquid sealing resin is applied and cured to form a resin layer, the curing shrinkage of the resin is at most 0.5% or less, so it is embedded in the resin layer. Do not deform the connection member.
  • connection member When the connection member is formed of a thin metal plate, even if it is a thin and thin multi-terminal, there is no terminal deformation or contact failure between the terminals. Further, the connecting member can be manufactured at a low cost, and it is easy to reduce the pitch of the connecting member.
  • connection member embedded When another member, such as a connection member embedded, is bonded to one main surface of the substrate body, the reliability of bonding to the substrate body is reduced due to twisting or warping of the other member, but a sealing resin is applied. If the connecting member is embedded and the chip-shaped electronic component is sealed at the same time, such a problem does not occur. Since the connecting member itself is easily elastically deformed and joined along the substrate body, the joining reliability is also high.
  • the slit can be easily put into the sealing resin. Inserting a slit eliminates substrate warpage due to curing shrinkage of the sealing resin, and improves the yield rate.
  • the connecting member is formed by bending a metal thin plate and pouring the resin so as to cover it, the process becomes simple and the manufacturing cost can be reduced.
  • connection member formed by bending a thin metal plate, the board body and the external circuit board By joining between the plates, the stress can be absorbed by the elastic deformation of the metal and the strength can be improved.
  • the connecting member When the connecting member is bent into a thin metal plate, the material of the thin metal plate used for the connecting member has a higher degree of freedom in selection than when the connecting member is formed by plating.
  • the metal of the connecting member and the resin layer do not need to be firmly joined.
  • the resin material used for the resin layer also has a high degree of freedom in selection. Therefore, inexpensive materials, easy-to-bend materials, and easy-to-mold materials can be selected with a high degree of freedom, which is industrially useful.
  • the substrate body is a flat plate
  • a cavity concave portion may be formed on one or both of the main surfaces of the substrate body.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

　簡単な構成で接合部分の熱応力や衝撃応力を緩和することができ、簡単に製造することができる複合基板及びその製造方法を提供する。 　まず、基板本体１０の一方主面１０ａの端子に、金属薄板の折り曲げ加工により形成され中間片３４の両端にそれぞれ第１片３２と第２片３６とが連続する複数の接続部材３０のそれぞれの第１片３２を接合するとともに、基板本体１０の一方主面１０ａにチップ状電子部品２０，２２を搭載する。次いで、チップ状電子部品２０，２２の少なくとも一部と少なくとも接続部材３０のそれぞれの第１片３２とを覆い、かつ、少なくとも接続部材３０のそれぞれの第２片３６の基板本体１０とは反対側の面３７が露出するように、基板本体１０の一方主面１０ａに樹脂層２４を形成する。

Description

明 細 書
複合基板及びその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は複合基板及びその製造方法に関し、詳しくは、基板本体の一方主面に接 続部材を接合してなる複合基板及びその製造方法に関する。
背景技術
[0002] 高密度に電子部品を実装するため、基板本体の両面又は片面にチップ状電子部 品を搭載したモジュール部品が提供されて 、る。このようなモジュール部品を他の回 路基板に実装するに当たり、モジュール部品の基板本体に枠状の部材ゃケースを取 り付けることが提案されている。この場合、基板本体と他の回路基板との間の電気的 接続のため、枠状の部材ゃケースには配線パターンが形成され、配線パターンの一 端が基板本体に接合され、配線パターンの他端が他の回路基板に接合される。
[0003] 例えば特許文献 1には、プリント配線板の片面に取着する絶縁体の封止枠の外縁 に、スルーホールを半分に切断した平面半円状の端子用凹部を設け、この端子用凹 部の内周にめっきを施すことによって、プリント配線板のノッド部と導通接続される外 部入出力端子を形成することが開示されている。
[0004] また、特許文献 2には、成形榭脂材のケース本体から端子面が露出する電子部品 搭載用ケースを作製するため、プレス加工により折り曲げたターミナルを、上下一対 の金型にァライメントして配置し、榭脂をインサート成形することが開示されている。 特許文献 1 :特開平 6— 216314号公報
特許文献 2 :特開 2004— 266013号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] モジュール部品の基板本体とモジュール部品が実装される他の回路基板との熱膨 張率又は線膨張係数に差があると、温度変化によって、枠状の部材ゃケースに形成 した配線パターンやターミナルと基板本体や他の回路基板との接合部分に熱応力が 作用する。また、これらの接合部分には、落下衝撃によって衝撃応力が作用する。 [0006] 特許文献 1のように、プリント配線板のパッド部と導通接続される外部入出力端子を めっきで形成した場合には、めっき膜の厚みが薄く（せいぜい 50 m)、めっき膜に 接続される端子やめつき膜と端子との間のハンダゃ導電性ペーストは、プリント配線 板の主面に対して垂直方向に一直線上に配列され接合されるため、熱応力や衝撃 応力に対する接合信頼性が低 ヽ。
[0007] また、スルーホールに湿式めつきにより成膜すると、めっき液が膜内に残留しやす い。そのため、封止枠の接合、他の回路基板への接合、封止枠内に充填した封止榭 脂の硬化などの後工程で温度が 100°C以上になると、残留していためつき液が急激 に膨張して、めっき膜に亀裂が入ったり、スルーホールに充填したはんだ内にボイド が発生したりして、熱応力や衝撃応力に対する接合信頼性が低下することがある。
[0008] また、封止枠を形成するために、スルーホールを形成し、スルーホール内周面にめ つきを施し、あるいははんだを充填するなど、工程が煩雑で製造コストが高くなる。
[0009] また、封止枠内に封止榭脂を充填すると、封止榭脂の硬化収縮によってプリント配 線板が反りやすいため、良品率が低ぐ硬化温度プロファイルを厳密に管理する必 要がある。
[0010] 特許文献 2のように、折り曲げたターミナルを配置してインサート成形する場合、タ 一ミナルの強度が小さいと、榭脂を充填するときの圧力でターミナルが変形し、最悪 、隣接するターミナルに接触してショートする。そのため、小型化しょうとしても、ターミ ナルの幅及び隣接するターミナルとの間の間隔は数百 m程度、ケースの枠の幅も 数百; z m程度が限界となる。
[0011] また、インサート成形のための金型が必要であるため、初期コストが大きい。
[0012] また、成形樹脂とターミナルの金属との熱膨張率の差によって、ケースがねじれたり 反ったりして成形され、それを他の回路基板に接合すると、接合信頼性が低下する。 特に端子数が多くなると、接合信頼性の低下が著しい。
[0013] さらに、圧力で、折り曲げられたターミナル上にも成形樹脂が流れ込み、ハンダ付 けできなくなり、そこと他の部材との接合信頼性は低い。
[0014] インサート成形では、榭脂を注入するためのゲート部分が残るため、その部分を成 形後に切り取る必要があり、工程が多くなる。さらに、この切断工程において、幅の細 い封止枠にはクラックが入りやすぐ最悪の場合には破断する。
[0015] また、封止枠を基板にはんだ付けするためのリフロー時に、熱膨張係数の差により 基板が反り、品質の低下を招くことがある。特に、セラミック基板に、榭脂成形した封 止枠を接合する場合、セラミック基板の熱膨張係数が 5〜： L lppmZ°C、封止枠に用 いる樹脂の熱膨張係数が 20〜200ppmZ°Cであり、熱膨張係数の差が大きくなるた め、品質低下傾向が顕著となる。
[0016] 本発明は、カゝかる実情に鑑み、簡単な構成で接合部分の熱応力や衝撃応力を緩 和することができ、簡単に製造することができる複合基板及びその製造方法を提供し ようとするものである。
課題を解決するための手段
[0017] 本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した複合基板の製造方 法を提供する。
[0018] 複合基板の製造方法は、第 1の工程と第 2の工程とを備える。前記第 1の工程にお いて、基板本体の一方主面に、金属薄板の折り曲げ加工により形成され中間片の両 端にそれぞれ第 1片と第 2片とが連続する複数の接続部材のそれぞれの前記第 1片 を接合するとともに、前記基板本体の前記一方主面にチップ状電子部品を搭載する 。前記第 2の工程において、前記チップ状電子部品の少なくとも一部と少なくとも前 記接続部材のそれぞれの前記第 1片とを覆い、かつ、少なくとも前記接続部材のそ れぞれの前記第 2片の前記基板本体とは反対側の面が露出するように、前記基板本 体の前記一方主面に榭脂層を形成する。
[0019] 上記の方法で製造された複合基板は、榭脂層カゝら露出して ヽる接続部材の第 2片 の基板本体とは反対側の面が、外部回路基板に接続される。このとき、温度変化や 衝撃力等により、接続部材と基板本体との接合部分や接続部材と外部回路基板との 接合部分に生じる熱応力や衝撃応力等を、金属薄板の折り曲げ加工により形成され た接続部材が弾性変形することによって、緩和することができる。そのため、接合信 頼性を向上することができる。
[0020] 上記方法によれば、第 2の工程における榭脂層の形成によって、接続部材の埋め 込みと基板本体の一方主面に搭載されたチップ状電子部品の固定とを同時に行うこ とができ、基板本体と外部回路基板との間に間隔を確保するための別部材 (以下、 単に「別部材」とも ヽぅ。 )を基板本体の一方主面に接合する場合よりも構成が簡単で あり、製造工程も簡単になる。
[0021] さらに、別部材を基板本体の一方主面に接合する場合よりも、複合基板を小型化 することができる。別部材の寸法のばらつきや別部材を基板本体に接合する位置の ばらつき等を考慮して、寸法に余裕を持たせ、大きくする必要がないからである。
[0022] 好ましくは、前記第 2の工程において、前記チップ状電子部品の少なくとも一部と少 なくとも前記接続部材のそれぞれの前記第 1片とを覆い、かつ、少なくとも前記接続 部材のそれぞれの前記第 2片の前記基板本体とは反対側の面が露出するように、前 記基板本体の前記一方主面に液状の榭脂を塗布し、硬化させることにより、前記榭 脂層を形成する。
[0023] 圧力を加えて榭脂を成形すると、接続部材が変形したり、接続部材の露出面に榭 脂が付着するなどの不都合が生じやすいが、液状の榭脂を塗布することで、このよう な不都合が生じることなぐ榭脂層を容易に形成することができる。また、別部材を形 成し、基板本体に接合する場合に比べ、工程が簡単になる。
[0024] 好ましくは、前記第 1の工程と前記第 2の工程とは、複数個分の前記基板本体を含 む集合基板の状態で、複数個分の前記複合基板についてまとめて行う。前記第 2の 工程の後に、複合基板の製造方法は、前記複合基板の分割線に沿って前記榭脂層 にスリットを形成する工程を、さらに備える。
[0025] この場合、複数個分の複合基板の榭脂層が連続することによって発生する集合基 板の反りを、スリットを形成することによって防ぐことができる。
[0026] 好ましくは、複合基板の製造方法は、前記基板本体の他方主面に他のチップ状電 子部品を搭載する工程を、さらに備える。
[0027] この場合、複合基板の実装密度を高めることができる。
[0028] 好ましくは、前記基板本体は、 1050°C以下で焼結する複数のセラミック層を積層し てなる積層体の内部に導体パターンを有するセラミック多層基板である。
[0029] この場合、セラミック多層基板により複合基板の実装密度を高めつつ、接合信頼性 を向上することができる。また、セラミック多層基板は他の種類の基板に比べて熱膨 張係数が小さいため熱応力が大きくなりやすい上、脆い。したがって、熱応力や衝撃 応力からセラミック多層基板自体の破壊を防止する効果が大き 、。
[0030] 好ましくは、前記第 1の工程において、前記接続部材は、前記第 1片及び前記第 2 片が前記中間片に関して、すなわち、中間片ー第 1片の接続部と中間片ー第 2片の 接続部とを結ぶ仮想線に関して、同じ側に延在する。前記接続部材は、前記中間片 同士が対向し、かつ、前記第 1片及び前記第 2片が前記中間片同士の間よりも外側 に延在するように、前記第 1片が前記基板本体の前記一方主面の前記端子に接合さ れる。
[0031] 対向する接続部材の中間片間の距離は、第 1片及び第 2片が中間片同士の間に 延在する場合よりも、第 1片及び第 2片が中間片同士の間よりも外側に延在する場合 の方が短くなるため、接続部材と基板本体や外部回路との接合部分に生じる熱応力 や衝撃応力等も小さくなる。その結果、接合信頼性は、第 1片及び第 2片が中間片同 士の間に延在する場合よりも、第 1片及び第 2片が中間片同士の間よりも外側に延在 する場合の方が向上する。
[0032] 好ましくは、前記第 1の工程において、前記接続部材は、前記第 1片及び前記第 2 片が前記中間片に関して、すなわち、中間片ー第 1片の接続部と中間片ー第 2片の 接続部とを結ぶ仮想線に関して、互いに反対側に延在する。前記接続部材は、前記 中間片同士が対向し、かつ、前記第 1片又は前記第 2片の一方同士が前記中間片 同士の間よりも外側に延在し、かつ、前記第 1片又は前記第 2片の他方同士が前記 中間片同士の間に延在するように、前記第 1片が前記基板本体の前記一方主面の 前記端子に接合される。
[0033] この場合、複合基板が接続される外部回路基板が湾曲しても、接続部材の第 2片 は、榭脂層力も離れて弾性変形して、あるいは榭脂層を押圧するように弾性変形して 、接合部分の応力を緩和する。第 1片は、回動が榭脂層によって阻止される。これに より、接続部材と基板本体や外部回路との接合部分に無理な力が作用しないように して、接合信頼性を高めることができる。
[0034] 好ましくは、前記接続部材は、前記第 1片の面積が、前記第 2片の面積よりも大きい [0035] この場合、接続部材の第 1片と基板本体の端子との間の接合部分の面積を大きくし て、接続部材の第 1片と基板本体の端子との間の接合強度を向上させることができる
[0036] また、本発明は、以下のように構成した複合基板を提供する。
[0037] 複合基板は、（a)基板本体と、（b)金属薄板の折り曲げ加工により形成され、中間 片の両端にそれぞれ第 1片と第 2片とが連続し、前記第 1片が前記基板本体の一方 主面に接合された複数の接続部材と、 (c)前記基板本体の前記一方主面に搭載さ れたチップ状電子部品と、 (d)前記チップ状電子部品と少なくとも前記接続部材のそ れぞれの前記第 1片とを覆い、かつ、少なくとも前記接続部材のそれぞれの前記第 2 片の前記基板本体とは反対側の面が露出するように、前記基板本体の前記一方主 面全体に同一榭脂材料で形成された榭脂層とを備える。
[0038] 上記構成の複合基板は、榭脂層から露出して 、る接続部材の第 2片の基板本体と は反対側の面が、外部回路基板に接続される。このとき、温度変化や衝撃力等により 、接続部材と基板本体との接合部分や接続部材と外部回路基板との接合部分に生 じる熱応力や衝撃応力等を、接続部材が弾性変形することによって、緩和することが できる。そのため、接合信頼性を向上することができる。
[0039] 上記構成によれば、基板本体の一方主面全体に同一榭脂材料で榭脂層を形成す ることによって、接続部材の埋め込みと基板本体の一方主面に搭載されたチップ状 電子部品の封止とを同時に行うことができ、基板本体と外部回路基板との間に間隔 を確保するための別部材 (以下、単に「別部材」ともいう。）を基板本体の一方主面に 接合する場合よりも構成が簡単であり、製造工程も簡単になる。
[0040] さらに、別部材を基板本体の一方主面に接合する場合よりも、複合基板を小型化 することができる。別部材の寸法のばらつきや別部材を基板本体に接合する位置の ばらつき等を考慮して、寸法に余裕を持たせ、大きくする必要がないからである。
[0041] 好ましくは、前記基板本体の他方主面に搭載された他のチップ状電子部品を、さら に備える。
[0042] この場合、複合基板の実装密度を高めることができる。
[0043] 好ましくは、前記基板本体は、 1050°C以下で焼結する複数のセラミック層を積層し てなる積層体の内部に導体パターンを有するセラミック多層基板である。
[0044] この場合、セラミック多層基板により複合基板の実装密度を高めつつ、接合信頼性 を向上することができる。また、セラミック多層基板は他の種類の基板に比べて脆い ため、熱応力や衝撃応力からセラミック多層基板自体の破壊を防止する効果が大き い。
[0045] 好ましくは、前記接続部材は、前記第 1片及び前記第 2片が前記中間片に関して 同じ側に延在する。前記接続部材は、前記中間片同士が対向し、かつ、前記第 1片 及び前記第 2片が前記中間片同士の間よりも外側に延在する。
[0046] 対向する接続部材の中間片間の距離は、第 1片及び第 2片が中間片同士の間に 延在する場合よりも、第 1片及び第 2片が中間片同士の間よりも外側に延在する場合 の方が短くなるため、接続部材と基板本体や外部回路との接合部分に生じる熱応力 や衝撃応力等も小さくなる。その結果、接合信頼性は、第 1片及び第 2片が中間片同 士の間に延在する場合よりも、第 1片及び第 2片が中間片同士の間よりも外側に延在 する場合の方が向上する。
[0047] 好ましくは、前記接続部材は、前記第 1片及び前記第 2片が前記中間片に関して 互いに反対側に延在する。前記接続部材は、前記中間片同士が対向し、かつ、前記 第 1片又は前記第 2片の一方同士が前記中間片同士の間よりも外側に延在し、かつ 、前記第 1片又は前記第 2片の他方同士が前記中間片同士の間に延在するように、 前記第 1片が前記基板本体の前記一方主面に接合される。
[0048] この場合、複合基板が接続される外部回路基板が湾曲しても、接続部材の第 2片 は、榭脂層力も離れて弾性変形して、あるいは榭脂層を押圧するように弾性変形して 、接合部分の応力を緩和する。第 1片は、回動が榭脂層によって阻止される。これ〖こ より、接続部材と基板本体や外部回路との接合部分に無理な力が作用しないように して、接合信頼性を高めることができる。
[0049] 好ましくは、前記接続部材は、前記第 1片の面積が、前記第 2片の面積よりも大きい 発明の効果
[0050] 本発明によれば、簡単な構成で接合部分の熱応力や衝撃応力を緩和することがで きるので、接合信頼性を向上することができる。また、簡単に製造することができ、製 造コストを低減することができる。
図面の簡単な説明
[0051] [図 1]複合基板の断面図底面図である。（実施例 1)
[図 2]複合基板の要部拡大断面図底面図である。（実施例 1)
[図 3]接続部材の製造工程を示す平面図である。（実施例 1)
[図 4]接続部材の製造工程を示す斜視図である。（実施例 1)
[図 5]接続部材の断面図である。（実施例 変形例 1〜3)
[図 6]基板本体上への接続部材の配置を示す斜視図である。（実施例 1)
[図 7]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例 1)
[図 8]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例 2)
[図 9]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例 3)
[図 10]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例 4)
[図 11]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例 5)
[図 12]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例 6)
[図 13]複合基板の作製工程を示す断面図である。（実施例 7)
[図 14]複合基板の断面図である。（実施例 2)
[図 15]複合基板の変形の説明図である。
[図 16]複合基板の変形の説明図である。
符号の説明
[0052] 2, 4, 6 複合基板
10 基板本体
10a 一方主面
20, 22 チップ状電子部品
24 榭脂層
26, 27, 28 チップ状電子部品
30 接続部材
32 第 1片 34 中間片
36 第 2片
発明を実施するための最良の形態
[0053] 以下、本発明の実施の形態について、図 1〜図 16を参照しながら説明する。
[0054] く実施例〉 図 1〜図 13を参照しながら、複合基板について説明する。
[0055] 図 1 (a)、図 1 (b)の断面図に示すように、複合基板 2, 4は、平板状の基板本体 10 の主面 10a, 10bにチップ状電子咅 t¾20, 22 ; 26, 27, 28力 S搭載され、基板本体 1 0の一方主面 10aには、複合基板 2, 4を外部回路基板 70に接続するための入出力 端子である接続部材 30が接合されて ヽる。
[0056] 基板本体 10は、高密度化のために、片面又は両面に電子部品を実装可能な構造 であればよい。基板本体 10は、プリント基板、フレキシブルプリント配線板、アルミナ 基板、セラミック基板など、特に種類は限定されない。
[0057] 基板本体 10の一方主面 10aには、チップコンデンサ等の表面実装部品（SMD)で あるチップ状電子部品 20が、基板本体 10の一方主面 10aの端子（図示せず）にはん だ実装される。また、 ICチップ等のチップ状電子部品 22がダイボンドされ、その端子 (図示せず）と基板本体 10の一方主面 10aに設けられたパッド（図示せず）とが、 Au 、 Al、 Cuなどのボンディングワイヤー 23によって接続されている。
[0058] 基板本体 10の他方主面 10bには、必要に応じて、チップコンデンサや ICチップ等 のチップ状電子部品 26, 27, 28が搭載される。例えば、表面実装部品であるチップ 状電子部品 26, 27がはんだ実装され、 ICチップ等であるチップ状電子部品 28が A u又ははんだのバンプ 29によりフリップチップ実装される。
[0059] 基板本体 10の他方主面 10bには、図 1 (a)に示す複合基板 2のように、必要に応じ て金属ケース 40が接合される。金属ケース 40は、基板本体 10の側面に接合されて もよい。金属ケース 40は、複合基板 2を外部回路基板 70に実装する際にマウンター が複合基板 2を吸着し易いようにするためと、特に高周波用に用いられる場合の電磁 シーノレド用である。
[0060] 電磁シールドが不要な場合には、図 1 (b)に示す複合基板 4のように、基板本体 10 の他方主面 10bに、チップ状電子部品 26, 27, 28を被覆するように、エポキシ榭脂 等の熱硬化性榭脂を塗布したり、トランスファー成形して榭脂層 42を形成し、マウン ターの吸着ノズルで吸着できるように、榭脂層 42の表面 43 (図において上面）を平ら にする。
[0061] 接続部材 30は、帯状の金属薄板が断面コ字に折り曲げて形成され、中間片 34の 両端にそれぞれ第 1片 32と第 2片 36とが連続している。
[0062] 図 2の要部拡大図に示すように、接続部材 30の第 1片 32は、基板本体 10の一方 主面 10aに設けられた端子 16にはんだ 18 (導電性接着剤等でもよい)で接続される 。接続部材 30の第 2片 36は基板本体 10の一方主面 10aから離れて延在している。
[0063] 図 1に示したように、基板本体 10の一方主面 10aにおいて、接続部材 30は、基板 本体 10の一方主面 10aの周縁部に配置され、接続部材 30よりも内側にチップ状電 子部品 20, 22を配置する。もっとも、基板本体 10の一方主面 10aの周縁部のうち接 続部材 30が配置されて 、な 、部分に、チップ状電子部品を配置することも可能であ る。
[0064] 基板本体 10の一方主面 10aには、基板本体 10の一方主面 10aに搭載されたチッ プ状電子部品 20, 22やボンディングワイヤー 23を覆う榭脂層 24が形成されて 、る。 榭脂層 24は、チップ状電子部品 20, 22やボンディングワイヤー 23を封止し、機械的 破壊や、熱や水といった外部環境から保護する。なお、チップ状電子部品は、その少 なくとも一部が榭脂層に覆われて 、ればよ!/、。
[0065] 榭脂層 24は、基板本体 10の一方主面 10a全体に同一榭脂材料で形成されており 、接続部材 30の第 2片 36より基板本体 10側に、形成されている。接続部材 30は、そ の大部分が榭脂層 24内に埋もれているため、例えば座屈しに《なるなど、機械的 強度が榭脂層 24によって補強されている。
[0066] 接続部材 30は、少なくとも第 2片 36の基板本体 10とは反対側の面 37が榭脂層 24 力も露出し、この面 37が、図 2に示したように、外部回路基板 70の表面電極 72に、 はんだ 74 (導電性接着剤等でもよ!ヽ)で接合される。
[0067] 図 1 (a)の複合基板 2のように、基板本体 10に金属ケース 40が接合される場合には 、金属ケース 40も外部回路基板 70に電気的に接続されるようにする。
[0068] 接続部材 30によって、基板本体 10と外部回路基板 70との間の間隔を広げ、外部 回路基板 70に対向する基板本体 10の一方主面 10aにチップ状電子部品 20, 22を 搭載して、複合基板 2, 4を高密度化することができる。
[0069] 接続部材 30は、例えば図 3の平面図に示すように、リン青銅ゃ洋白、 Ni合金の金 属薄板 39を金型で打ち抜いて、共通部分 38につながった複数の帯状の部分 31を 形成した後、帯状の部分 31を、例えば図 4の斜視図に示すように、 2箇所の屈曲部 3 3, 35で折り曲げることにより、中間片 34に関して同じ側に第 1片 32と第 2片 36とが 延在するように形成する。このとき、屈曲部 33, 35で直角に折り曲げ、第 1片 32と第 2片 36とが対向する領域の外側よりも外側に中間片 34がはみ出ないようにする。この ように折り曲げると、接続部材 30、ひいては複合基板を小型化することができる。
[0070] 各接続部材 30は、図 4に示したように共通部分 38につながったままの状態で複数 個をまとめて基板本体 10の一方主面 10a上に配置した後、共通部分 38と各接続部 材 30との間を切断して共通部分 38を各接続部材 30から分離しても、共通部分 38と 各接続部材 30との間を切断して 1個ずつに分離した接続部材 30を、基板本体 10の 一方主面 10aに配置してもよ 、。
[0071] 接続部材 30は、図 5 (a)の断面図に示すように、断面コ字状に折り曲げ加工されて いるが、接続部材の折り曲げ形状はこれに限らない。接続部材は、少なくとも 1箇所 で屈曲し、基板本体に接合される第 1片と、外部回路基板に接合される第 2片とを有 する形状であればよい。
[0072] 接続部材は、 1箇所で屈曲する場合には、金属薄板の帯状の部分を、例えば 1箇 所のみを円弧状に屈曲させて塑性変形させ、断面 U字状に形成する。
[0073] 2箇所で屈曲する場合には、例えば 2箇所で折り曲げ、第 1片と第 2片とが対向する 空間内に中間片が延在するように接続部材を形成すると、容易に小型化を図ること ができる。例えば図 5 (b)の断面図に示す接続部材 30aのように、第 1片 32aと第 2片 36aとが中間片 34aに関して互いに反対側に延在する断面 Z字状であってもよ 、。
[0074] 屈曲部を増やすことにより、各方向のばね定数の組み合わせを変えることができる 。例えば図 5 (c)の断面図に示す接続部材 30bのように、中間位置に屈曲部 34xが 形成された断面く字状の中間片 34bの同じ側に第 1片 32bと第 2片 36bとが延在する 断面∑字状に形成してもよ ヽ。 [0075] また、 1箇所につき一つの接続部材を用いる代わりに、図 5 (d)の断面図に示すよう に、中間片 34の同じ側に第 1片 32cと第 2片 36cとが延在する断面コ字状の 2つの接 続部材 30c, 30cを、中間片 34c同士が背中合わせになるように組み合わせて 1箇所 に用いてもよい。この場合、フェールセーフにより、折り曲げ疲労破壊に対する信頼 性を向上させることができる。
[0076] 接続部材を形成するために用いる金属薄板の厚みは、 50 μ m〜300 μ mが好まし い。
[0077] 金属薄板の厚みが 50 m未満では、折り曲げ加工時のばらつきが大きくなり、第 1 片ゃ第 2片の位置や高さのばらつきが大きくなつてしまう。基板本体に接続する第 1 片の位置のばらつきに対応するため、基板本体側の端子を大きくすると、基板本体 の小型化、ひいては複合基板の小型化を損ねる。第 2片の高さがばらつくと、例えば 、第 2片と外部回路基板との間を接合するはんだの厚みがばらつき、接合信頼性が 損なわれる。接続部材の高さ寸法の余裕を大きくすると、複合基板の低背化を阻害 する。さらに、熱応力や衝撃応力により、接続部材の屈曲部近傍は繰り返し疲労を受 けるが、接続部材の厚みが小さいと疲労破壊しやすいため、接合信頼性を損ねる。
[0078] 接続部材に用いる金属薄板の厚みが 300 mを越えると、折り曲げ加工が難しくな り、曲げ角度のばらつき、高さのばらつきが大きくなる。また、打ち抜きや折り曲げの 間隔を小さくし、接続部材の高さ Hや長さ W (図 4参照)を小さくすることができないた め、複合基板の小型化、低背化を阻害する。
[0079] 接続部材には、基板本体や外部回路基板との接合に使用されるはんだや導電性 接着剤との濡れ性をよくし、接合強度を高めるため、 NiZSn、 NiZAu、 Ni/はんだ などをめつきしてもよい。このようなめっきは、接続部材の全面に施しても、第 1片ゃ第 2片の接合面のみに施してもょ 、。
[0080] 接続部材は、金属薄板の折り曲げ加工以外の方法で形成することも考えられる。
[0081] しかし、例えばめつきにより形成する場合、スルーホール内にめっき液が残っている と複合基板を外部回路基板に接合する工程で、残っていためつき液が加熱され、気 化して急激に膨張することによって、スルーホール付近に亀裂が発生したり、はんだ にボイドが発生したりすることがある。接続部材を金属薄板の折り曲げ加工で形成す る場合には、このようなことがないため、接合信頼性を向上することができる。
[0082] 複合基板は、複数個分の基板本体となる部分を含む集合基板を用いて、複数個分 を同時に作製することができる。その場合、例えば図 6の斜視図に示すように、接続 部材 30は、端子 11が形成された基板本体 10の集合基板の一方主面 1 Oaに配置さ れる。図 6では、破線で示した分割線 14を境界とする複合基板 4個分 12a, 12b, 12 c, 12dを図示しているが、集合基板は、これより多い個数分を含んでも、少ない個数 分を含んでもよい。
[0083] 図 6では、接続部材 30は、矩形の基板本体 10の一対の辺に沿ってのみ配置され ている。接続部材 30は、基板本体 10の一方主面 10aの周縁部に複数個が配置され ていればよぐ図 6の例に限定されない。例えば、矩形の基板本体 10の一方主面 10 aの対向する二対の各辺に沿って、それぞれ 1個以上が配置されてもよい。また、矩 形の基板本体 10の一方主面 10aの四隅の計 4箇所のみに配置されても、あるいは、 矩形の基板本体 10の一方主面 10aの四隅のうち対角位置の 2箇所のみに配置され てもよい。また、 4辺のそれぞれに接続部材を配してもよい。
[0084] 次に、複合基板の作製工程について、図 7〜図 13の断面図を参照しながら説明す る。
[0085] (a) 図 7に示すように、複数個分の基板本体 10 (1個分を符号 12で示す)となる部 分を含む集合基板の一方主面 10aの端子 16 (図 2参照）に、はんだ、 Ag等を含む導 電性ペースト（図示せず)を印刷し、表面実装部品であるチップ状電子部品 20と接続 部材 30とを搭載し、リフローもしくは熱硬化して、接続部材 30の第 1片 32を基板本体 10の一方主面 10aの端子 16 (図 2参照）に接合する。接合後、洗浄を行って、基板 本体 10の一方主面 10aに設けたワイヤーボンディング用のパッド（図示せず）の汚れ を除去する。
[0086] (b) 次いで、図 8に示すように、 IC、FETなどのチップ状電子部品 22を、エポキシ 系榭脂又は導電性榭脂等で基板本体 10の集合基板の一方主面 10aに搭載し、熱 硬化し、チップ状電子部品 22の端子（図示せず）と、基板本体 10の一方主面 10aに 設けたパッド（図示せず）との間を、 Au、 Al、 Cuなどのボンディングワイヤー 23によつ て接続する。 [0087] なお、基板本体 10側の端子 16 (図 2参照）やボンディングワイヤー 23によって接続 するパッド（図示せず）には、接合強度を上げるベぐ通常、 NiZAu、又は NiZPdZ
Auめっきが施されている。
[0088] (c) 次いで、図 9に示すように、基板本体 10の集合基板の一方主面 10aの全面に
、榭脂層 24を形成するため、液状のエポキシ系榭脂等の封止榭脂を塗布した後、加 熱して硬化させる。
[0089] 封止榭脂を塗布するとき、封止榭脂の高さが接続部材 30の第 2片 36を越えないよ うにして、封止榭脂が、接続部材 30の露出すべき第 2片 36の基板本体 10とは反対 側の面 37にまで濡れ広がらないようにすることが好ましい。封止榭脂が、接続部材 3 0の露出すべき第 2片 36の基板本体 10とは反対側の面 37にまで濡れ広がると、この 面 37にはんだが付力なくなり、外部回路基板 70 (図 1、図 2参照）と接合できなくなる 力 である。
[0090] このような封止榭脂の濡れ広がりを確実に防ぐため、第 2片 36の露出させるべき部 分 (外部回路基板 70との接続端子となる部分、すなわち第 2片 36の基板本体 10とは 反対側の面 37)に、離型剤や撥水剤を塗布することが好ましい。
[0091] 封止榭脂の硬化収縮率は高々 0. 5%以下であるため、接続部材 30が封止榭脂に よって変形しないが、封止榭脂の硬化によって集合基板が反る場合がある。このよう な場合には、集合基板が反らない程度に封止榭脂を予備硬化させた状態で、図 10 に示すように、複合基板の分割線 14に沿って、封止榭脂の榭脂層 24にスリット 21を 形成した後、封止榭脂をさらに加熱して本硬化させる。これによつて、スリット 21は、 封止榭脂が完全に硬化する前のやわらかい状態のときに、容易に加工することがで きる。スリット 21を形成しておくと、後の工程で個々の基板に分割する作業も容易に なる。例えば、 100°Cで 1時間加熱して封止榭脂を予備硬化させた後、スリット 21を 形成し、さらに、 150°Cで 3時間加熱して、封止榭脂を完全に硬化させる。
[0092] 榭脂層 24は、液状の封止榭脂の代わりに、 Bステージ状態（半硬化状態）にある榭 脂シートを用いても形成することができる。この場合、榭脂シートは、基板本体 10に 搭載されたチップ状電子部品 20, 22や接続部材 30の上に配置した後、基板本体 1 0側に押し込むことにより、基板本体 10の一方主面 10a上に隙間なく配置した後に、 加熱して硬化させる。接続部材 30の露出すべき第 2片 36の基板本体 10とは反対側 の面 37などに付着し残った榭脂シートは、硬化前に、あるいは硬化後に取り除く。
[0093] (d) 次 、で、図 11に示すように、基板本体 10の集合基板を上下反転し、基板本 体 10の他方主面 10bに、はんだ、 Ag等を含む導電性ペースト（図示せず)を印刷し 、チップコンデンサ等のチップ状電子部品 26, 27を搭載してリフローもしくは熱硬化 して、あるいは ICチップ等のチップ状電子部品 28をはんだボール 29を介してフリツ プチップボンディングして、基板本体 10の他方主面 10bの端子（図示せず）にチップ 状電子部品 26, 27, 28を接合する。必要に応じて、フリップチップボンディングした チップ状電子部品 28と基板本体 10の他方主面 10bとの間に、エポキシ系榭脂から なるアンダーフィル榭脂 25を充填、熱硬化する。
[0094] これによつて、基板両面に部品実装された高密度モジュールとなる。
[0095] (e) 次いで、金属ケース 40を用いる場合には、図 12に示すように、洋白、りん青 銅等力もなる金属ケース 40を、基板本体 10の他方主面 10bに搭載し、接合する。こ の工程は、上記（d)の工程と同時に行われてもよい。
[0096] (f) 次いで、ダイシングソ一、レーザー、ブレイク等の手段で、分割線 14に沿って 集合基板を切断し、図 13に示すように、個々の複合基板 6に分割する。以上により、 複合基板 6が完成する。
[0097] 完成した複合基板は、外部回路基板 70に実装する場合、図 2に示したように、接続 部材 30の第 2片 36の基板本体 10とは反対側の面 37に露出している部分を、プリン ト配線板等の外部回路基板 70の接合用ランド等の表面電極 72に、はんだ 74等で接 合する。これによつて、基板本体 10の一方主面 10aに設けられた端子 16は、はんだ 18、接続部材 30、はんだ 74を介して、外部回路基板 70の表面電極 72と電気的に 接続される。
[0098] 複合基板は、接続部材 30の弾性変形によって、熱応力や衝撃応力を緩和すること ができるため、接合信頼性を向上することができる。特に、基板本体 10が、アルミナ 基板などと比べて曲げ強度が低ぐガラス等を含み脆いセラミック基板の場合、熱応 力や衝撃応力の緩和により、基板本体の破壊を防止する効果も大きい。
[0099] すなわち、接続部材 30は、塑性変形するように折り曲げられた連続する金属端子 であるので、 XYZ方向のいずれにも弾性変形する。また、榭脂層 24と接続部材 30と は基本的に接合しておらず、榭脂層 24も ΧΥΖ方向に弾性変形する。
[0100] 接続部材 30が弾性変形可能であると、複合基板を外部回路基板 70に接合すると きのリフロー、その後のヒートサイクル時の熱により、各部の線膨張係数 αの差により 熱応力が発生しても、接続部材 30や榭脂層 24の弾性変形によって、熱応力を吸収 することができる。同様に、落下衝撃時などの衝撃応力も、弾性変形で吸収すること ができる。そのため、接合信頼性が向上する。
[0101] く実施例 2> 実施例 2の複合基板 8について、図 14を参照しながら説明する。
[0102] 図 14の断面図に示すように、複合基板 8は、実施例 1と同様に、平板状の基板本体 50の両方の主面 50a, 50bに、チップ状電子咅ロ ¾60； 62, 64力 ^搭載されて!/、る。ま た、基板本体 50の一方主面 50aには接続部材 30が接合され、榭脂層 24が形成さ れている。
[0103] 基板本体 50の一方主面 50aには、接続部材 30を接合する端子 56や、チップ状電 子部品 60の接合用パッド 57が形成され、他方主面 50bには、チップ状電子部品 62 , 64の接合電極 (接合用ランド)となる端子 58が形成されている。端子 56, 58ゃパッ ド 57には、必要に応じて、 NiZSn、 Ni/Au、 Ni/Pd/Au、 NiZはんだをめつき する。
[0104] 実施例 1と異なり、複合基板 8の基板本体 50は、複数のセラミック層を積層された多 層セラミック基板である。基板本体 50の内部には、 Ag、 Ag/Pd、 Ag/Pt、 Cu、 Cu Oなどを主成分とする導電性ペーストを用いて面内導体パターン 52やビアホール導 体パターン 54が形成されている。このような構成は、低抵抗の Agや Cuを使うので、 信号損失が小さぐ高周波用の部品あるいはモジュールとして実用化されている。
[0105] 基板本体 50は、以下のようにして作製する。
[0106] すなわち、面内導体パターン 52やビアホール導体パターン 54等が形成され厚さ 1 0〜200 μ m程度の未焼成セラミックグリーンシートと、このセラミックグリーンシートの 焼成温度よりも高温で焼結する拘束層とを準備する。未焼成セラミックグリーンシート は低温焼結セラミックス材料を含み、焼結温度は 1050°C以下である。低温焼結セラ ミック材料としては、具体的には、アルミナゃフォルステライト等のセラミック粉末にホ ゥ珪酸系ガラスを混合してなるガラス複合系 LTCC (Low Temperature Co -fir ed Ceramic)材料、 ZnO— MgO—Al O—SiO系の結晶化ガラスを用いた結晶
2 3 2
化ガラス系 LTCC材料、 ZnO— MgO—Al O—SiO系の結晶化ガラスを用いた結
2 3 2
晶化ガラス系 LTCC材料、 BaO—Al O—SiO系セラミック粉末や Al O—CaO—
2 3 2 2 3
SiO -MgO-B O系セラミック粉末等を用いた非ガラス系 LTCC材料等、が挙げ
2 2 3
られる。
[0107] 次 、で、未焼成セラミックグリーンシートと拘束層とを適宜な順序で積層して、複数 枚の未焼成セラミックグリーンシートを積層した積層体の両主面に拘束層が積層され た複合積層体を形成する。
[0108] 次いで、この複合積層体を、セラミックグリーンシートの焼結温度よりも高ぐ拘束層 の焼結温度よりも低い温度で焼成した後、焼結していない拘束層を除去して、未焼 成セラミックグリーンシートが焼結して形成された基板本体 50を取り出す。
[0109] このようにして作製された基板本体 50の一方主面 50aに、実施例 1と同様に、チッ プ状電子部品 60と接続部材 30が接合された後、榭脂層 24が形成される。必要に応 じて、基板本体 50の他方主面 50bに、チップ状電子部品 62, 64が搭載される。
[0110] 複合基板 8は、基板本体 50がセラミック多層基板であるので、複合基板 8の実装密 度を高めつつ、接合信頼性を向上することができる。また、セラミック多層基板は他の 種類の基板に比べて脆 ヽため、熱応力や衝撃応力からセラミック多層基板自体の破 壊を防止する効果が大きい。
[0111] く接続部材の構成 1 > 断面コ字状の接続部材 30は、実施例 1 (図 1参照）のよう に対向する中間片 34同士が外側になるように配置しても、実施例 2 (図 14参照）のよ うに対向する中間片 34同士が内側になるように配置してもよ ヽ。接合信頼性の観点 力 は、中間片 34同士が内側になるように配置することが好ましい。以下、図 15を参 照しながら説明する。
[0112] 基板本体 50の線膨張係数 α 力 外部回路基板 70の線膨張係数 α よりも小さい
1 2
とき、図 15 (A)に示すように、接続部材 30は、例えば複合基板を外部回路基板 70 に接合するためのリフロー工程や、使用時の温度上昇によって外部回路基板 70側 が広がり、接続部材 30の第 2片 36と外部回路基板 70との間の接合部分に、せん断 力 Fsや曲げモーメント Msが作用する。このせん断力 Fsや曲げモーメント Msは、対 向して配置されている接続部材 30の中間片 34間の距離 Lに略比例する。図示した ように対向する接続部材 30の中間片 34同士が内側に配置されていると、中間片 34 間の距離 Lは、図 1のように対向する接続部材 30の中間片 34同士が外側に配置さ れている場合よりも小さくなる。そのため、接続部材 30の第 2片 36と外部回路基板 70 との間の接合部分に作用するせん断力 Fsや曲げモーメント Msが小さくなり、接合信 頼性が向上する。
[0113] 接続部材 30の第 1片 32と基板本体 50との接合部分についても同様であり、対向 する接続部材 30の中間片 34同士が内側に配置されていると、図 1のように対向する 接続部材 30の中間片 34同士が外側に配置されている場合よりも、中間片 34間の距 離 Lが小さくなり、接合部分に作用するせん断力や曲げモーメントが小さくなるため、 接合信頼性が向上する。
[0114] また、金属と榭脂は接着しにくいため、金属薄板を折り曲げ加工した接続部材 30は 、榭脂層 24に埋設されていても、榭脂層 24に接着していなかったり、接着していても 接着部分が簡単に剥離したりするので、容易に弾性変形することができる。
[0115] そのため、図 15 (B)に示すように、外部回路基板 70の表面 71が凸状に湾曲した 場合、接続部材 30は、第 2片 36が大略第 2の屈曲部 35を中心に回動し、榭脂層 24 との間に隙間が形成されるように弾性変形する。これによつて、接続部材 30の第 2片 36と外部回路基板 70との間の接合部分に無理な力が作用しないようにすることがで き、接合信頼性を高めることができる。
[0116] また、接続部材 30の第 1片 32と基板本体 50との接合部分については、接続部材 3 0の第 1片 32が大略第 1の屈曲部 33を中心に、基板本体 50から離れる方向に回動 しょうとする。しかし、榭脂層 24によってこの回動が阻止され、接続部材 30の第 1片 3 2と基板本体 50との間の接合部分に無理な力が作用しないようにすることができる。
[0117] また、図 15 (C)に示すように、外部回路基板 70の表面 71が凹状に湾曲した場合、 榭脂層 24の弾性変形と接続部材 30の弾性変形とにより、接続部材 30の第 2片 36と 外部回路基板 70との間の接合部分と、接続部材 30の第 1片 32と基板本体 50との間 の接合部分に作用する力を緩和することができる。 [0118] このとき、接続部材 30の第 1の屈曲部 33付近に応力が集中するが、榭脂層 24があ るので接合が補強され、応力集中が緩和され、接合信頼性をより高めることができる
[0119] また、複合基板を外部回路基板 70に実装するときや、落下等の衝撃が加わったと き、図 15 (D)に示すように、複合基板を外部回路基板 70の略中心に押圧力 W1が 作用すると、この押圧力 W1は、大略、接続部材 30の中間片 34により伝達される反 力 W2と釣り合う。このとき、押圧力 W1と反力 W2とが作用する位置がずれているため 、曲げモーメント Mが発生する。この曲げモーメント Mは、接続部材 30の第 2片 36と 外部回路基板 70との間の接合部分や、接続部材 30の第 1片 32と基板本体 50との 間の接合部分に作用する。曲げモーメント Mの大きさは、対向する接続部材 30の中 間片 34間の距離 Lに略比例する。
[0120] そのため、図 15 (A)の場合と同様に、中間片 34間の距離 Lが小さくなる構成、すな わち、対向する接続部材 30の中間片 34が内側に配置される構成により、接合部分 に作用する曲げモーメント Mを小さくして接合信頼性を高めることができる。
[0121] く接続部材の構成 2 > 接合信頼性の向上という観点からは、図 5 (b)に示した断 面 Z字状の接続部材 30aも好ましい。以下、図 16を参照しながら説明する。
[0122] 一般に、基板本体 10と外部回路基板 70とは熱膨張率又は線膨張係数が異なるた め、図 16 (A)に示すように、例えば複合基板を外部回路基板 70に接合するためのリ フロー工程や、使用時の温度上昇によって、配置されている接続部材 30aと基板本 体 10や外部回路基板 70との間の接合部分に、せん断力 Fsや曲げモーメント Msが 作用する。このとき、接続部材 30aが弾性変形して、接続部材 30aの第 1片 32aと基 板本体 10との接合部分や、接続部材 30aの第 2片 36aと外部回路基板 70との接合 部分に作用する応力を緩和する。
[0123] 基板本体 10側の伸び δ は、対向して配置された接続部材 30aの第 1屈曲部 33a 間の距離 L1と基板本体 10の線膨張係数ひ との積となる。外部回路基板 70側の伸 び δ は、対向して配置された接続部材 30aの第 2屈曲部 35a間の距離 L2と外部回
2
路基板 70の線膨張係数 α との積となる。せん断力 Fsや曲げモーメント Msは、 δ -
2 2 δ = a X L2 - a X L1に比例する。一般に、セラミック等の基板本体 10の線膨張 係数 α は、榭脂製のプリント配線基板等の外部回路基板 70の線膨張係数 α よりも
1 2
/J、さく、ひ く ひ であるため、 δ — δ oc X L2 - X L1は、 LI〉L2の場合の
1 2 2 1 2 1
方力 L1 < L2の場合よりも小さくなり、せん断力 Fsや曲げモーメント Msも小さくなる 。したがって、対向する接続部材 30aは、図 16に示したように、 L1 >L2となるように 配置とすると、接合部分に作用するせん断力 Fsや曲げモーメント Msが小さくなり、接 合信頼性が向上するので、好ましい。
[0124] なお、本発明は、 LK L2の場合、すなわち、対向して配置された接続部材 30aを 図 16にお 、て左右を入れ替えて配置し、対向して配置された接続部材 30aの第 1の 屈曲部 33a同士を内側に配置し、接続部材 30aの第 2の屈曲部 35a同士を外側に配 置する場合や、対向する接続部材 30aを非対称に配置する場合を排除するものでは ない。
[0125] また、金属と榭脂は接着しにくいため、金属薄板を折り曲げ加工した接続部材 30a は、榭脂層 24に埋設されていても、榭脂層 24に接着していなかったり、接着してい ても接着部分が簡単に剥離したりするので、容易に弾性変形することができる。
[0126] そのため、図 16 (B)に示すように、外部回路基板 70の表面 71が凸状に湾曲した 場合、接続部材 30aは、第 2片 36aが大略第 2の屈曲部 35aを中心に回動し、榭脂 層 24との間に隙間が形成されるように弾性変形する。これによつて、接続部材 30aの 第 2片 36aと外部回路基板 70との間の接合部分に無理な力が作用しないようにして 、接合信頼性を高めることができる。
[0127] また、接続部材 30aの第 1片 32aと基板本体 10との接合部分については、接続部 材 30aの第 1片 32a以外の部分が大略第 1の屈曲部 33aを中心に、基板本体 10を押 圧する方向に回動しょうとするが、榭脂層 24によって回動が阻止され、接続部材 30a の第 1片 32aと基板本体 10との間の接合部分に無理な力が作用しないようにして、 接合信頼性を高めることができる。
[0128] また、図 16 (C)に示すように、外部回路基板 70の表面 71が凹状に湾曲した場合、 榭脂層 24の弾性変形と接続部材 30aの弾性変形とにより、接続部材 30aの第 2片 36 aと外部回路基板 70との間の接合部分と、接続部材 30aの第 1片 32aと基板本体 10 との間の接合部分に作用する力を緩和することができる。 [0129] 接続部材 30aの配置が図 16とは逆の場合、すなわち、対向する接続部材 30aの第 1の屈曲部 33aが内側に配置され、第 2の屈曲部 35aが外側に配置された場合であ つても、同様に、外部回路基板 70の表面 71の凸状又は凹状の湾曲に対する接合信 頼性を高めることができる。すなわち、外部回路基板 70が凸状又は凹状に湾曲して も、接続部材 30aは、接続部材 30aの第 2片 36aが榭脂層 24から離れるように弾性 変形し、第 1片 32a又は第 2片 36aの回動が榭脂層 24によって阻止される。そのため 、接合部分に無理な力が作用しないようにして、接合信頼性を高めることができる。
[0130] また、複合基板を外部回路基板 70に実装するときや、落下等の衝撃が加わったと き、図 16 (D)に示すように、複合基板の略中心に押圧力 W1が作用すると、この押圧 力 W1は、大略、接続部材 30aの中間片 34aにより伝達される反力 W2と釣り合う。押 圧力 W1と反力 W2とが作用する位置がずれているため、曲げモーメント Mが発生す る。
[0131] この曲げモーメント Mにより、接続部材 30aが第 1の屈曲部 33aや第 2の屈曲部 35a を中心に回動しょうとする。このとき、接続部材 30aの第 1片 32aは、榭脂層 24aによ つて回動が阻止される。また、接続部材 30aの第 2片 36aは、榭脂層 24との間に隙間 が形成されるように弾性変形する。これにより、接合部分に無理な力が作用しないよう にして、接合信頼性を高めることができる。
[0132] 押圧力 W1が図示とは逆向きに作用した場合、接続部材 30aの第 1片 32aや第 2片 36aの回動が榭脂層 24によって阻止され、接合部分に無理な力が作用しな 、ように して、接合信頼性を高めることができる。
[0133] くまとめ > 以上に説明したように、接続部材は、塑性変形するよう折り曲げられた 連続する金属端子であるため、 XYZ方向いずれにも弾性変形する。また、榭脂層と 接続部材は基本的に接合しておらず、接続部材は榭脂塗布硬化後も XYZ方向に自 由に弾性変形する。そのため、複合基板を外部回路基板に実装する際のリフロー、 その後のヒートサイクル時の熱による各部の線膨張率の差による熱応力を、接続部材 の弾性変形によって吸収でき、接合信頼性が高い。また、落下衝撃時の衝撃応力に 対する接合信頼性も高い。
[0134] 榭脂層の形成により、接続部材の埋め込みとチップ状電子部品の封止とを同時に 行うことができ、接続部材が埋め込まれるなどした別部材、すなわち基板本体と外部 回路基板との間に間隔を確保するための別部材を基板本体の一方主面に接合する 場合よりも構成が簡単であり、製造工程も簡単になる。
[0135] さらに、接続部材が埋め込まれるなどした別部材を基板本体の一方主面に接合す る場合よりも、複合基板を小型化することができる。接続部材が埋め込まれるなどした 別部材の寸法のばらつきや基板本体への接合位置のばらつき等を考慮して寸法に 余裕を持たせる必要がな 、からである。
[0136] 液状の封止榭脂を塗布し、硬化させて榭脂層を形成するとき、榭脂の硬化収縮率 は高々 0. 5%以下でわずかであるので、榭脂層に埋設される接続部材を変形させな い。接続部材は、金属薄板から形成すると、細ぐ薄ぐ多端子の場合でも端子変形 や端子同士の接触不良がないため、めっき等で形成する場合に比べて優れている。 また、接続部材を安価に製造することができ、接続部材のピッチを狭くすることも容易 である。
[0137] 接続部材が埋め込まれるなどした別部材を基板本体の一方主面に接合する場合、 別部材のねじれや反りにより基板本体との接合信頼性が低下するが、封止榭脂を流 し込んで接続部材の埋め込みとチップ状電子部品の封止とを同時に行うと、そのよう な問題が発生しない。接続部材そのものは容易に弾性変形し、基板本体に沿って接 合されるので、接合信頼性も高い。
[0138] 榭脂に圧力を加え、インサート成形する場合には、折り曲げられた接続部材上にも 榭脂が流れ込み、付着すると、はんだ付けができなくなり、他部材との接合信頼性が 低下する。液状の封止榭脂を、圧力を加えずに流し込むことによって榭脂層を形成 すると、そのような問題がない。
[0139] また、接続部材が埋め込まれるなどした別部材がな 、ので、封止榭脂に簡単にスリ ットを入れることができる。スリットを入れることによって、封止榭脂の硬化収縮による 基板反りがなくなり、良品率が向上する。
[0140] また、接続部材を金属薄板の折り曲げ加工で形成し、それを被覆するように榭脂を 流し込むと、工程が簡単になり、製造コストを低減することができる。
[0141] また、金属薄板の折り曲げ加工で形成された接続部材で、基板本体と外部回路基 板との間を接合することにより、金属の弾性変形で応力を吸収し、強度を向上させる ことができる。
[0142] また、接続部材を金属薄板の折り曲げ加工すると、接続部材に用いる金属薄板の 材質は、めっきにより接続部材を形成する場合よりも、選択の自由度が高い。接続部 材の金属と榭脂層とは、強固に接合されている必要はない。そのため、榭脂層に用 いる樹脂の材質も、選択の自由度が高い。したがって、安価な材質、折り曲げやすい 材質、成形しやすい材質を、高い自由度で選定することができ、工業上、有用である
[0143] なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなぐ種々変更を加え て実施可能である。
[0144] 実施例では、基板本体が平板状の場合を図示して ヽるが、基板本体の主面の 、ず れか一方又は両方に、キヤビティ（凹部）が形成されていてもよい。

Claims

請求の範囲
[1] 基板本体の一方主面に、金属薄板の折り曲げ加工により形成され中間片の両端に それぞれ第 1片と第 2片とが連続する複数の接続部材のそれぞれの前記第 1片を接 合するとともに、前記基板本体の前記一方主面にチップ状電子部品を搭載する、第 1の工程と、
前記チップ状電子部品の少なくとも一部と少なくとも前記接続部材のそれぞれの前 記第 1片とを覆い、かつ、少なくとも前記接続部材のそれぞれの前記第 2片の前記基 板本体とは反対側の面が露出するように、前記基板本体の前記一方主面に榭脂層 を形成する、第 2の工程と、
を備えることを特徴とする複合基板の製造方法。
[2] 前記第 2の工程において、前記チップ状電子部品の少なくとも一部と少なくとも前 記接続部材のそれぞれの前記第 1片とを覆い、かつ、少なくとも前記接続部材のそ れぞれの前記第 2片の前記基板本体とは反対側の面が露出するように、前記基板本 体の前記一方主面に液状の榭脂を塗布し、硬化させることにより、前記榭脂層を形 成することを特徴とする、請求項 1に記載の複合基板の製造方法。
[3] 前記第 1の工程と前記第 2の工程とを、複数個分の前記基板本体となる部分を含む 集合基板の状態で、複数個分の前記複合基板につ!、てまとめて行!、、
前記第 2の工程の後に、前記複合基板の分割線に沿って前記榭脂層にスリットを 形成する工程を、さらに備えることを特徴とする、請求項 1又は 2に記載の複合基板 の製造方法。
[4] 前記基板本体の他方主面に他のチップ状電子部品を搭載する工程を、さらに備え ることを特徴とする、請求項 1、 2、又は 3に記載の複合基板の製造方法。
[5] 前記基板本体は、 1050°C以下で焼結する複数のセラミック層を積層してなる積層 体の内部に導体パターンを有するセラミック多層基板であることを特徴とする、請求 項 1〜4のいずれか一項に記載の複合基板の製造方法。
[6] 前記第 1の工程において、前記接続部材は、
前記第 1片及び前記第 2片が前記中間片に関して同じ側に延在し、
前記中間片同士が対向し、かつ、前記第 1片及び前記第 2片が前記中間片同士の 間よりも外側に延在するように、前記第 1片が前記基板本体の前記一方主面に接合 されることを特徴とする、請求項 1〜5のいずれか一項に記載の複合基板の製造方法
[7] 前記第 1の工程において、前記接続部材は
前記第 1片及び前記第 2片が前記中間片に関して互いに反対側に延在し、 前記中間片同士が対向し、かつ、前記第 1片又は前記第 2片の一方同士が前記中 間片同士の間よりも外側に延在し、かつ、前記第 1片又は前記第 2片の他方同士が 前記中間片同士の間に延在するように、前記第 1片が前記基板本体の前記一方主 面に接合されることを特徴とする、請求項 1〜5のいずれか一項に記載の複合基板の 製造方法。
[8] 前記接続部材は、前記第 1片の面積が、前記第 2片の面積よりも大きいことを特徴 とする、請求項 1〜7のいずれか一項に記載の複合基板の製造方法。
[9] 基板本体と、
金属薄板の折り曲げ加工により形成され、中間片の両端にそれぞれ第 1片と第 2片 とが連続し、前記第 1片が前記基板本体の一方主面に接合された複数の接続部材と 前記基板本体の前記一方主面に搭載されたチップ状電子部品と、
前記チップ状電子部品と少なくとも前記接続部材のそれぞれの前記第 1片とを覆い
、かつ、少なくとも前記接続部材のそれぞれの前記第 2片の前記基板本体とは反対 側の面が露出するように、前記基板本体の前記一方主面全体に同一榭脂材料で形 成された榭脂層と、
を備えることを特徴とする複合基板。
[10] 前記基板本体の他方主面に搭載された他のチップ状電子部品を、さらに備えること を特徴とする、請求項 9に記載の複合基板。
[11] 前記基板本体は、 1050°C以下で焼結する複数のセラミック層を積層してなる積層 体の内部に導体パターンを有するセラミック多層基板であることを特徴とする、請求 項 9又は 10に記載の複合基板。
[12] 前記接続部材は、 前記第 1片及び前記第 2片が前記中間片に関して同じ側に延在し、 前記中間片同士が対向し、かつ、前記第 1片及び前記第 2片が前記中間片同士の 間よりも外側に延在することを特徴とする、請求項 9、 10又は 11に記載の複合基板。
[13] 前記接続部材は、
前記第 1片及び前記第 2片が前記中間片に関して互いに反対側に延在し、 前記中間片同士が対向し、かつ、前記第 1片又は前記第 2片の一方同士が前記中 間片同士の間よりも外側に延在し、かつ、前記第 1片又は前記第 2片の他方同士が 前記中間片同士の間に延在するように、前記第 1片が前記基板本体の前記一方主 面に接合されることを特徴とする、請求項 9、 10又は 11に記載の複合基板。
[14] 前記接続部材は、前記第 1片の面積が、前記第 2片の面積よりも大きいことを特徴 とする、請求項 9〜 13のいずれか一項に記載の複合基板。
PCT/JP2007/058155 2006-05-17 2007-04-13 複合基板及びその製造方法 WO2007132612A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008515459A JP4725817B2 (ja) 2006-05-17 2007-04-13 複合基板の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-138333 2006-05-17
JP2006138333 2006-05-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007132612A1 true WO2007132612A1 (ja) 2007-11-22

Family

ID=38693713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/058155 WO2007132612A1 (ja) 2006-05-17 2007-04-13 複合基板及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4725817B2 (ja)
WO (1) WO2007132612A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012096354A1 (ja) * 2011-01-14 2012-07-19 ミツミ電機株式会社 高周波モジュール
JP2013069800A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Nec Corp 半導体装置の実装構造及び実装方法
WO2013054808A1 (ja) * 2011-10-14 2013-04-18 株式会社村田製作所 多層基板および多層基板を備えるモジュール
WO2014017228A1 (ja) * 2012-07-26 2014-01-30 株式会社村田製作所 モジュール
US8987912B2 (en) 2010-04-28 2015-03-24 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2019138895A1 (ja) * 2018-01-11 2019-07-18 株式会社村田製作所 部品内蔵モジュールおよびその製造方法
WO2020218289A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 株式会社村田製作所 モジュール部品、アンテナモジュール及び通信装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01204379A (ja) * 1987-12-08 1989-08-16 Rogers Corp リード無しセラミックチップキャリヤ用ソケット
JPH07249733A (ja) * 1994-03-14 1995-09-26 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH11121897A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Fujitsu Ltd 複数の回路素子を基板上に搭載するプリント配線基板の製造方法及びプリント配線基板の構造
JP2003068968A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Pfu Ltd 半導体集積回路装置
WO2006027888A1 (ja) * 2004-09-08 2006-03-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合セラミック基板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0695561B2 (ja) * 1989-02-07 1994-11-24 富士通株式会社 二列並行多端子型混成集積回路装置
JP2591152Y2 (ja) * 1993-12-24 1999-02-24 富士通テン株式会社 電子部品実装回路基板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01204379A (ja) * 1987-12-08 1989-08-16 Rogers Corp リード無しセラミックチップキャリヤ用ソケット
JPH07249733A (ja) * 1994-03-14 1995-09-26 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH11121897A (ja) * 1997-10-14 1999-04-30 Fujitsu Ltd 複数の回路素子を基板上に搭載するプリント配線基板の製造方法及びプリント配線基板の構造
JP2003068968A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Pfu Ltd 半導体集積回路装置
WO2006027888A1 (ja) * 2004-09-08 2006-03-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. 複合セラミック基板

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8987912B2 (en) 2010-04-28 2015-03-24 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2012096354A1 (ja) * 2011-01-14 2012-07-19 ミツミ電機株式会社 高周波モジュール
JP2012147403A (ja) * 2011-01-14 2012-08-02 Mitsumi Electric Co Ltd 高周波モジュール
CN103299551A (zh) * 2011-01-14 2013-09-11 三美电机株式会社 高频模块
JP2013069800A (ja) * 2011-09-21 2013-04-18 Nec Corp 半導体装置の実装構造及び実装方法
WO2013054808A1 (ja) * 2011-10-14 2013-04-18 株式会社村田製作所 多層基板および多層基板を備えるモジュール
WO2014017228A1 (ja) * 2012-07-26 2014-01-30 株式会社村田製作所 モジュール
US9293446B2 (en) 2012-07-26 2016-03-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Low profile semiconductor module with metal film support
WO2019138895A1 (ja) * 2018-01-11 2019-07-18 株式会社村田製作所 部品内蔵モジュールおよびその製造方法
CN111566805A (zh) * 2018-01-11 2020-08-21 株式会社村田制作所 部件内置模块及其制造方法
JPWO2019138895A1 (ja) * 2018-01-11 2020-12-10 株式会社村田製作所 部品内蔵モジュールおよびその製造方法
JP7167945B2 (ja) 2018-01-11 2022-11-09 株式会社村田製作所 部品内蔵モジュールおよびその製造方法
US11682597B2 (en) 2018-01-11 2023-06-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Module with built-in component and method for manufacturing the same
CN111566805B (zh) * 2018-01-11 2023-11-14 株式会社村田制作所 部件内置模块及其制造方法
WO2020218289A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 株式会社村田製作所 モジュール部品、アンテナモジュール及び通信装置
US11791537B2 (en) 2019-04-26 2023-10-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Module component, antenna module, and communication device

Also Published As

Publication number Publication date
JP4725817B2 (ja) 2011-07-13
JPWO2007132612A1 (ja) 2009-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4873005B2 (ja) 複合基板及び複合基板の製造方法
JP4821849B2 (ja) 複合基板及び複合基板の製造方法
JP4367414B2 (ja) 部品内蔵モジュールおよびその製造方法
JP4310467B2 (ja) 複合多層基板及びその製造方法
JP4957163B2 (ja) 複合部品
WO2008001641A1 (fr) Substrat d&#39;interconnexion et structure de montage de circuits électroniques
WO2005071745A1 (ja) 積層型電子部品およびその製造方法
JP4725817B2 (ja) 複合基板の製造方法
WO2006011320A1 (ja) 複合型電子部品及びその製造方法
US7807510B2 (en) Method of manufacturing chip integrated substrate
WO2005071744A1 (ja) 積層型電子部品および積層型電子部品の実装構造
JPH09199635A (ja) 回路基板形成用多層フィルム並びにこれを用いた多層回路基板および半導体装置用パッケージ
US20060134907A1 (en) Process for substrate incorporating component
JP4752612B2 (ja) 突起電極付き回路基板の製造方法
JP5397012B2 (ja) 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法
JP2005026573A (ja) 部品内蔵モジュールの製造方法
JP4788581B2 (ja) 複合基板
JP2007049107A (ja) 複合セラミック基板
JP4403820B2 (ja) 積層型電子部品およびその製造方法
JP2005235807A (ja) 積層型電子部品およびその製造方法
JP2002026244A (ja) 多層モジュールおよびその製造方法
WO2008004423A1 (fr) Carte de câblage ayant un conducteur en forme de colonne et son procédé de fabrication
JPH0342860A (ja) フレキシブルプリント配線板
JP5109361B2 (ja) 複合基板
WO2005071742A1 (ja) 積層型電子部品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07741591

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2008515459

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07741591

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1