JP4367414B2 - 部品内蔵モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、セラミック多層基板の底面側にキャビティを設け、その中に回路部品を収容した後、樹脂モールドしてなる部品内蔵モジュールおよびその製造方法に関するものである。
携帯端末などの情報通信機器の内部には、チップアンテナ、ディレイライン、高周波複合スイッチモジュール、受信デバイスなど、様々な高周波モジュールが搭載されている。このような高周波モジュールは、プリント配線板などの実装基板に実装された状態で用いられる。このような高周波モジュールの構造としては、多層基板上に回路素子が実装されたものが一般的である。
さて、近年、情報通信機器などの電子機器は小型化が進められており、高周波モジュールに対しても小型化の要求が高まっている。しかし、多層基板の面積を小さくしてしまうと、モジュールに必要な回路素子をすべて搭載できなくなるという問題が生じる。
そこで、セラミック多層基板にキャビティを形成し、キャビティ内部に回路部品を実装することがよく行われている。
特許文献１では、セラミック多層基板上に水晶振動子を搭載するとともに、セラミック多層基板の底面にキャビティを形成し、このキャビティ内にＩＣチップを収容し、樹脂モールドしてなる表面実装型の水晶発信器が提案されている。
このようにセラミック多層基板の底面（実装面）にキャビティを設ける場合、外部端子電極は、セラミック多層基板の実装面のキャビティ周囲の枠状部に形成される。
図９の（ａ）はこのようなセラミック多層基板を裏面方向から見た図であり、セラミック多層基板５０の底面にキャビティ５１を有し、キャビティ５１内にモールド樹脂５２がモールドされた構造を有している。そして、キャビティ５１の周囲の枠状部５３には外部端子電極５４が形成されている。
特開２０００−７７９４２号公報
ところが、セラミック多層基板の小型化が進むと、図９の（ｂ）のように枠状部５３の幅を狭くせざるを得ない。なぜなら、回路の設計上、回路部品の点数や大きさを変更できないので、キャビティ５１の面積を小さくすることができないからである。そのため、外部端子電極５４の面積を十分に確保することができず、マザーボードなどの実装基板に搭載する際に接続不良が発生しやすい。また、正常に接続された場合でも、接続面積が小さいために、外部からの衝撃により接続部が剥離しやすく、接続信頼性に問題を生じる。
一方、キャビティ５１に充填されたモールド樹脂５２の上に外部端子電極５４を形成することも考えられるが、モールド樹脂５２は、液状の樹脂を流し込んだ後、その樹脂を硬化させたものであるから、硬化収縮等により表面が凹状に凹んだり、あるいは樹脂が盛り上がることがあり、平坦に形成することが困難である。そのため、外部端子電極５４の形成部位として適していない。
そこで、本発明の目的は、セラミック多層基板の実装面側にキャビティを設け、その中に回路部品を収容した後、樹脂モールドしてなる部品内蔵モジュールにおいて、十分な面積を有する外部端子電極を安定して形成でき、実装性に優れた小型の部品内蔵モジュールおよびその製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、複数のセラミック層が積層されてなり、一方主面および他方主面を有し、前記一方主面にキャビティとこのキャビティを取り囲む枠状部とが形成されたセラミック多層基板と、前記キャビティの内部に収容固定された第１の回路部品と、前記第１の回路部品を埋没させるようにして前記キャビティにモールドされた第１の樹脂部と、前記枠状部と前記第１の樹脂部とを連続的に覆うように、前記枠状部および前記第１の樹脂部に接合された第２の樹脂部と、前記第２の樹脂部の外部に露出する主面に、前記枠状部と第１の樹脂部とに対向する領域にまたがって形成された、実装用の外部端子電極と、前記第２の樹脂部と接する前記枠状部の頂面に形成された中継電極と、前記第２の樹脂部の内部に形成され、一端が前記中継電極と電気的に接続された導電性樹脂よりなるビア導体と、前記第２の樹脂部の外部に露出する主面に、前記枠状部と第１の樹脂部とに対向する領域にまたがって形成され、前記ビア導体の他端を覆う実装用の外部端子電極と、を備えたことを特徴とする部品内蔵モジュールを提供する。
請求項６に記載の発明は、複数のセラミック層が積層されてなり、一方主面および他方主面を有し、前記一方主面にキャビティとこのキャビティを取り囲む枠状部とが形成され、前記枠状部の頂面に形成された中継電極を有するセラミック多層基板を準備する工程と、前記キャビティの内部に第１の回路部品を収容固定する工程と、前記第１の回路部品を埋没させるようにして前記キャビティに液状の熱硬化性樹脂を充填し、第１の樹脂部を形成する工程と、前記枠状部と前記第１の樹脂部とを連続的に覆うように、半硬化状態の熱硬化性樹脂よりなる樹脂シートを圧着接合し、第２の樹脂部を形成する工程と、前記第２の樹脂部に、一端が前記中継電極と接続された導電性樹脂よりなるビア導体を形成する工程と、前記第２の樹脂部の外部に露出する主面に、前記枠状部と第１の樹脂部とに対向する領域にまたがって、かつ前記ビア導体の他端を覆うように実装用の外部端子電極を設ける工程と、を備えたことを特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法を提供する。
本発明では、セラミック多層基板の一方主面に形成されたキャビティを第１の樹脂部によりモールドした後に、キャビティと枠状部とを覆う第２の樹脂部を設け、その表面に外部端子電極を形成したものである。キャビティにモールドされた第１の樹脂部の表面に凹部や凸部があっても、第２の樹脂部がこの凹凸を吸収し、表面を平坦にすることができるので、外部端子電極の形成部位として適している。そのため、キャビティの大きさに関係なく外部端子電極を形成することができ、十分な面積の外部端子電極を形成することができる。
セラミック多層基板の底面に形成されたキャビティに樹脂をモールドする場合、その樹脂量の管理が非常に難しく、不良が多発しやすい。つまり、樹脂量が不足すると、樹脂の硬化収縮とも相俟って樹脂の表面が凹状に窪んでしまい、逆に樹脂量が多いと、樹脂が枠状部より盛り上がってしまう結果となる。このような凹状の窪みや盛り上がりを、第２の樹脂層が吸収することができるので、キャビティへの樹脂注入量の管理を緩くすることが可能になり、製造の歩留りを向上させることができる。
セラミック多層基板が低温焼成セラミック多層基板（ＬＴＣＣ）よりなる場合、高温焼成セラミック多層基板（ＨＴＣＣ）に比べて強度が低いものが多いので、実装基板から受ける衝撃によって割れやクラックが入ることがある。しかし、セラミック多層基板の実装面側に第２の樹脂層が設けられ、この第２の樹脂層が衝撃吸収層を兼ねるので、衝撃に対する接続信頼性を高めることができる。
回路部品としては、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの能動素子や、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップサーミスタ、チップインダクタなどの受動素子でもよい。
回路部品をセラミック多層基板と接続するために、セラミック多層基板のキャビティの底部にランド電極を設け、このランド電極に回路部品を実装するのがよい。実装方法としては、回路部品をキャビティの底面に固定した後、ワイヤボンディングなどでランド電極と回路部品とを電気的に接続してもよいし、ランド電極に回路部品の電極をはんだ又は導電性接着剤で直接実装してもよいし、さらにはフリップチップ実装してもよい。実装方法は任意である。
本発明では、外部端子電極は枠状部と第１の樹脂部とに対向する領域にまたがって形成されている。
従来では、外部端子電極の形成部位はセラミック多層基板の枠状部に限られていたが、本発明では、外部端子電極を第２の樹脂部の表面に形成するので、外部端子電極の一部がキャビティと対向する領域まで張り出していても支障がないし、より広い面積の外部端子電極を形成することが可能になる。
請求項２のように、セラミック多層基板の内部に内部回路要素が形成され、中継電極は、内部回路要素と電気的に接続されている構成としてもよい。
内部回路要素とは、セラミック多層基板の層間に配置された内部導体と、セラミック多層基板を厚み方向に貫通するビア導体とを総称したものである。
外部端子電極とセラミック多層基板の内部に形成された内部回路要素とを電気的に接続する方法として、枠状部と第２の樹脂部との界面に、内部回路要素と電気的に接続された中継電極を形成し、第２の樹脂部の内部に、中継電極と外部端子電極とを電気的に接続するビア導体を形成すれば、簡単かつ確実に接続することができる。また、セラミック多層基板および第２の樹脂層の外周面には電極が形成されないので、親基板状態のセラミック多層基板に第１の樹脂層のモールド、第２樹脂層の接合を行い、その後で個片にカットまたはブレークすることで分割する方法を採用することができ、量産性に優れた製造方法を提供できる。
請求項３のように、セラミック多層基板の内部に内部回路要素が形成され、セラミック多層基板の他方主面上に、内部回路要素と電気的に接続されたランド電極が形成され、ランド電極上に第２の回路部品が実装されている構成としてもよい。
このようにセラミック多層基板の一方主面（下面）側だけでなく、他方主面（上面）にも回路部品を搭載することで、集積化が図れ、より高機能な部品内蔵モジュールを実現できる。
請求項４のように、セラミック多層基板の他方主面上に、第２の回路部品を覆うケースを被せてもよい。
セラミック多層基板の他方主面に回路部品を実装しただけでは、回路部品が剥き出しになるため、外力が加わると回路部品が脱落しやすく、またマウンタによる吸着が行えない。そこで、セラミック多層基板の上に回路部品を覆うケースを被せることで、回路部品の脱落防止とマウンタによる吸着が可能になるとともに、金属ケースの場合には回路部品の電磁シールドが可能になる。
請求項５のように、セラミック多層基板の他方主面上に、第２の回路部品を埋没させるようにモールドされた第３の樹脂部を備えてもよい。
この場合は、請求項４と同様に、モールド樹脂が回路部品を保護できるとともに、マウンタによる吸着も可能になる。
請求項６のように、第２の樹脂部は、半硬化状態の熱硬化性樹脂よりなる樹脂シートをセラミック多層基板の一方主面であって、枠状部と第１の樹脂部とを連続的に覆うように、圧着接合することで形成される。半硬化状態とは、Ｂステージ状態またはプリプレグ状態をさす。
圧着接合時、第２の樹脂部は未だ硬化していないので、第１の樹脂部の凹凸を吸収でき、その外表面を平坦にすることができる。第２の樹脂層の外表面には外部端子電極が形成されるが、その形成は第２の樹脂層を硬化させた後でもよいし、圧着接合時に同時に形成してもよい。例えば、銅箔などの外部端子電極を貼り付けた支持板を準備し、半硬化状態の第２の樹脂部を間にして支持板をセラミック多層基板の一方主面に圧着し、第２の樹脂部の硬化後に支持板を剥離することで、外部端子電極を第２の樹脂部に転写することが可能である。
第１の樹脂部と第２の樹脂部の硬化順序は、請求項７のように、第１の樹脂部を先に硬化させた後、第２の樹脂部を圧着接合し、その後で第２の樹脂部を硬化させてもよいし、請求項８のように、第１の樹脂部が未硬化の状態のまま第２の樹脂部を圧着接合し、その後で第１と第２の樹脂部を同時に硬化させてもよい。
前者の場合には、第１の樹脂部が硬化した後に第２の樹脂部を圧着するので、第１の樹脂部の凹凸を第２の樹脂部が容易に吸収できる。一方、後者の場合には、硬化工程が一度で済むという利点がある。
請求項１に係る発明によれば、セラミック多層基板に形成されたキャビティを第１の樹脂部によりモールドした後に、第１の樹脂部と枠状部とを覆う第２の樹脂部を設け、その表面に外部端子電極を形成したので、第１の樹脂部の表面に凹部や凸部があっても、第２の樹脂部がこの凹凸を吸収し、表面を平坦にすることができる。そのため、キャビティの大きさに関係なく外部端子電極を形成することができ、必要な大きさの外部端子電極を形成することができる。
セラミック多層基板に形成されたキャビティに樹脂をモールドする場合、その樹脂量の管理が非常に難しく、不良が多発しやすいが、第１の樹脂部の凹凸を第２の樹脂層が吸収することができるので、キャビティへの樹脂注入量の管理が容易になり、製造の歩留りを向上させることができる。
本発明にかかる部品内蔵モジュールの第１実施形態の断面図である。 図１に示す部品内蔵モジュールの底面図である。 本発明にかかる部品内蔵モジュールの第２実施形態の断面図である。 本発明にかかる部品内蔵モジュールの第３実施形態の断面図である。 本発明にかかる部品内蔵モジュールの第４実施形態の断面図である。 本発明にかかる部品内蔵モジュールの第５実施形態の断面図である。 図１に示す部品内蔵モジュールの製造工程を示す図である。 本発明にかかる部品内蔵モジュールの他の実施形態の底面図である。 従来の部品内蔵モジュールの底面図である。
以下に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１，図２は本発明にかかる部品内蔵モジュールの第１の実施形態を示す。
この部品内蔵モジュールは、複数のセラミック層からなるセラミック多層基板１と、セラミック多層基板１の下面に形成されたキャビティ４にモールドされた第１の樹脂部１５と、セラミック多層基板１の下面全面に固着された第２の樹脂部２０とで構成されている。
セラミック多層基板１は、例えば低温焼成セラミック多層基板（ＬＴＣＣ）よりなり、複数のセラミック層の層間に内部電極２を設けるとともに、セラミック層を厚み方向に貫通するビア導体３を設けたものであり、一体に焼成されている。セラミック多層基板１には、積層コンデンサや積層インダクタなどを一体に作り込むこともできる。セラミック多層基板１の下面にはキャビティ４と、このキャビティ４を取り囲む枠状部５とが形成されている。キャビティ４の底部には第１の回路部品６が固定され、この回路部品６はキャビティ４の内側の段差部に形成された電極７とボンディングワイヤ８によって電気的に接続されている。
キャビティ４には熱硬化性樹脂よりなる第１の樹脂部１５がモールドされている。この実施形態では、第１の樹脂部１０の表面は枠状部５の表面に比べて凹んでいる。
枠状部５の下面には、複数の中継電極９が形成されており、この中継電極９は上記ビア導体３を介して内部電極２と電気的に接続されている。
セラミック多層基板１の上面には複数のランド電極１０が形成され、これらランド電極１０もビア導体３を介して内部電極２と電気的に接続されている。ランド電極１０上に第２の回路部品１１が実装されている。
セラミック多層基板１の下面には、枠状部５と第１の樹脂部１５とを連続的に覆うように第２の樹脂部２０が接合されている。第２の樹脂部２０は第１の樹脂部１５と近い組成の熱硬化性樹脂を用いるのが望ましく、ここでは同一の熱硬化性樹脂が用いられている。特に、同一組成の樹脂で構成した場合は、両樹脂部１５，２０の接着が良好となり、両樹脂部１５，２０の剥離や界面への水分の浸入などを防止できる。第２の樹脂部２０は第１の樹脂部１５の凹みを埋め、第２の樹脂部２０の外表面はほぼ平坦に形成されている。第２の樹脂部２０の平坦な外表面に、複数の外部端子電極２１が設けられている。外部端子電極２１の一部は、図示するようにキャビティ４と対向する領域に、寸法Ａだけはみ出るように形成されている。つまり、枠状部５よりも内側へはみ出ている。そのため、枠状部５の幅寸法が小さくても、十分な大きさの外部端子電極２１を形成することができる。各外部端子電極２１は、第２の樹脂層２０に厚み方向に形成されたビア導体２２を介して上記中継電極９と電気的に接続されている。
キャビティ４内に固定される回路部品６およびセラミック多層基板１の上面に実装される回路部品１１としては、ＩＣ、ＬＳＩなどの能動素子や、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップサーミスタ、チップインダクタ、フィルタなどの受動素子を用いることができる。回路部品６の実装方法としては、ワイヤボンディングによる接続方法に限らず、はんだ又は導電性接着剤によって実装してもよいし、バンプを用いてフリップチップ実装してもよい。同様に、回路部品１１の実装方法も、はんだ又は導電性接着剤による実装に限らず、ワイヤボンディングによる接続や、バンプを用いたフリップチップ実装でもよい。
第２の樹脂部２０は熱硬化性樹脂中に無機フィラーを適宜混合したものであり、半硬化状態で枠状部５の下面と第１の樹脂部１５の下面とに圧着され、硬化されている。第２の樹脂部２０に形成されたビア導体２２は、樹脂部２０に設けられた貫通穴に導電性樹脂を埋め込み、硬化させたものを使用している。前記のように樹脂部２０の下面には外部端子電極２１が設けられており、この外部端子電極２１をプリント基板等に接続することにより、本部品内蔵モジュールをプリント基板等に実装することができる。樹脂部２０は、落下衝撃や熱衝撃に対してセラミック多層基板１を保護する衝撃吸収層として機能することができる。
図３は部品内蔵モジュールの第２の実施形態を示す。
図１に示す部品内蔵モジュールは、モールドされた第１の樹脂部１５の表面が硬化収縮によって凹状に凹んだ例であるが、キャビティ４に充填される樹脂量によっては盛り上がることがある。図３は第１の樹脂部１５が枠状部５の表面より盛り上がった状態で硬化された場合である。
この場合も、第２の樹脂部２０が第１の樹脂部１５の凹凸を吸収し、第２の樹脂部２０の外表面はほぼ平坦に形成されている。第２の樹脂部２０の平坦な外表面に、複数の外部端子電極２１が設けられている。
このように、キャビティ４に充填される樹脂量によって第１の樹脂部１５の表面が凹状あるいは凸状となっても、その凹凸を第２の樹脂部２０が吸収することで、第２の樹脂部２０の表面を平坦化できる。そのため、任意の大きさの外部端子電極２１を容易に形成することができる。
図４は部品内蔵モジュールの第３の実施形態を示す。
この実施形態は、第２の樹脂部２０を多層樹脂基板で構成し、層間に内部電極２３を設けることで、内部に積層コンデンサや積層インダクタなどの素子を一体に作り込んだものである。特に、内部電極２３をグラウンド電極とすれば、キャビティ内の回路部品６のシールドとして利用することは有用である。
また、内部電極２３に代えて、ＳＭＤなどの個別素子を埋設してもよい。
このように素子を一体に造りこんだり、個別素子を埋設することで、より高機能で小型の部品内蔵モジュールを実現できる。
図５は部品内蔵モジュールの第４の実施形態を示す。
図１に示す部品内蔵モジュールの場合、セラミック多層基板１の表面（上面）に実装された回路素子１１が剥き出しになるため、回路素子１１が脱落しやすくなるとともに、マウンタによる吸着が行えない。そこで、図５ではセラミック多層基板１の表面に回路素子１１を覆うケース３０を被せたものである。ケース３０としては、樹脂ケースあるいは金属ケースを用いることができる。金属ケース３０の場合には、加工のしやすさとコスト面で、洋白やリン青銅等が好ましい。
図６は部品内蔵モジュールの第５の実施形態を示す。
この実施形態は、セラミック多層基板１の表面に樹脂３１をモールドし、回路素子１１を覆ったものである。
セラミック多層基板１の表面に樹脂３１をモールドする場合には、セラミック多層基板１の表側の樹脂層３１と裏側の樹脂層１５，２０の熱膨張係数が異なると、熱履歴でセラミック多層基板１が反ったり、割れる恐れがあるため、樹脂層１５，２０，３１は同一組成のものか、あるいは熱膨張係数が近い材料を使用する方が好ましい。
次に、図１に示す部品内蔵モジュールの製造方法の一例を、図７に従って説明する。
まず、セラミック多層基板１を準備する。セラミック多層基板１は次のようにして作製される。
ＰＥＴ等の樹脂フィルム上にセラミックスラリーを塗布し、乾燥し、厚み１０〜２００μｍ程度のセラミックグリーンシートを得る。セラミックスラリーに含まれるセラミック粉末として、例えばＢａＯ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＣａＯなどを混合したものを用いることができる。
上記グリーンシートに金型、レーザー等でφ０．１ｍｍ程度の貫通穴（ビアホール）をあけ、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属粉、樹脂、有機溶剤を混練した導電ペーストをビアホール内に充填し、乾燥させる。これがビア導体３となる。
グリーンシート上にスクリーン印刷等で前記と同様の導電ペーストを所望のパターンに印刷し、乾燥させる。これが内部電極２となる。
適数枚のグリーンシートを積み重ねて、圧力１００〜２０００ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度４０〜１００℃程度で圧着する。
圧着した積層体の表裏面に、中継電極９やランド電極１０を、前記と同様の導電ペーストを用いて形成する。
次に、導電ペーストがＡｇ系であればエアー中で８５０℃前後、Ｃｕ系であればＮ2 中で９５０℃前後で積層体を焼成する。積層体の厚みは、例えば１ｍｍ程度である。
焼成後、必要に応じて表裏面に露出した電極上にＮｉ／ＳｎまたはＮｉ／Ａｕ等をメッキ等で成膜する。
以上のようにしてセラミック多層基板１は作製され、このセラミック多層基板１のキャビティ４の底部に回路部品６を固定し、ワイヤボンディング８によって電極７と回路部品６とを電気的に接続することで、図７の（ａ）のようになる。
次に、セラミック多層基板１のキャビティ４に液状樹脂１５を充填し、硬化させることで、図７の（ｂ）のように第１の樹脂部１５が形成される。液状樹脂１５は熱硬化性樹脂（エポキシ、フェノール、シアネート等）よりなる。なお、硬化状態の樹脂部１５の表面が凹状に凹む場合がある。
図７の（ｃ）は、第１の樹脂部１５を硬化させた後、セラミック多層基板１を裏返しにし、その下方に半硬化状態の樹脂シート２０Ａと支持体２５とを配置した状態を示す。
樹脂シート２０Ａは、熱硬化性樹脂（エポキシ、フェノール、シアネート等）中に無機フィラー（Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 等）を混合したものであり、これにレーザー等で導通用ビアホール２２をあける。半硬化状態とは、Ｂステージ状態またはプリプレグ状態をさす。ビアホール２２内に、導電性樹脂（Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属粒子とエポキシ、フェノール、シアネート等の熱硬化性樹脂の混合物）を充填する。なお、ビアホール２２内にはんだを充填する場合には、セラミック多層基板１との圧着後にリフロー等によって充填してもよい。
支持体２５は金属板などよりなり、その上面に厚み１０〜４０μｍ程度の銅箔をメッキあるいは貼り付け、フォトレジスト塗布、露光、現像エッチング、レジスト剥離の各工程を経て、銅箔をパターニングする。これが外部端子電極２１となる。
前記のように準備された樹脂シート２０Ａと支持体２５とをセラミック多層基板１に対して位置決めし、加熱圧着する。
圧着によって、半硬化状態の樹脂シート２０Ａは、支持体２５の上面に圧着すると同時に、セラミック多層基板１の下面、つまり中継電極９が形成された枠状部５の下面と、モールドされた第１の樹脂部１５の表面とに圧着する。このとき、樹脂シート２０Ａの一部は、凹状の第１の樹脂部１５の表面に埋め込まれる。支持体２５を圧着した状態で、樹脂シート２０Ａを加熱硬化させる。加熱圧着により、樹脂シート２０Ａに設けられたビア導体２２は硬化して支持体２５上の外部端子電極２１と電気的に導通すると同時に、枠状部５の下面に形成された中継電極９とも電気的に導通する。
加熱圧着後、支持体２５を剥離すると、支持体２５の表面の平坦面が第２の樹脂部２０に転写され、支持体２５に貼り付けられていた外部端子電極２１も第２の樹脂部２０に転写される。その結果、図７の（ｄ）に示すような第２の樹脂層２０となる。
その後、セラミック多層基板１のランド電極１０に回路部品１１を実装することで、図１に示す部品内蔵モジュールが完成する。
図７では、単体の部品内蔵モジュールの製造方法について説明したが、生産性を高めるため、セラミック多層基板１および樹脂層２０を親基板状態で積層・圧着し、その後で個片にカットあるいはブレークしてもよい。
また、図７では、硬化状態の第１の樹脂部１５に対して半硬化状態の第２の樹脂部２０を圧着したが、未硬化状態の第１の樹脂部１５に対して、半硬化状態の第２の樹脂部２０を圧着し、両樹脂部１５，２０を同時に加熱硬化させてもよい。
さらに、２段構造のキャビティについて説明したが、１段のキャビティでもよく、３段以上のキャビティでもよい。さらに、複数のキャビティが並んで形成されていてもよい。
図２では、外部端子電極２１を第２の樹脂部２０の周辺部に配置した例を示したが、図８に示すように、全面に配置することも可能である。
すなわち、第２の樹脂部２０を多層基板で構成した場合、その内部あるいは第１の樹脂部１５との界面に回路を形成することで、図８に示すように外部端子電極２１を任意の位置に配置することが可能になる。
また、第１の樹脂部１５の表面が凹状や凸状になっている場合について説明したが、フラットになっていてもよい。第１の樹脂部１５の表面をフラットにすることは、樹脂種や樹脂量のコントロール、さらには、第１樹脂部１５の熱プレスや表面研磨等によって可能である。

Claims (8)

  1. 複数のセラミック層が積層されてなり、一方主面および他方主面を有し、前記一方主面にキャビティとこのキャビティを取り囲む枠状部とが形成されたセラミック多層基板と、
    前記キャビティの内部に収容固定された第１の回路部品と、
    前記第１の回路部品を埋没させるようにして前記キャビティにモールドされた第１の樹脂部と、
    前記枠状部と前記第１の樹脂部とを連続的に覆うように、前記枠状部および前記第１の樹脂部に接合された第２の樹脂部と、
    前記第２の樹脂部と接する前記枠状部の頂面に形成された中継電極と、
    前記第２の樹脂部の内部に形成され、一端が前記中継電極と電気的に接続された導電性樹脂よりなるビア導体と、
    前記第２の樹脂部の外部に露出する主面に、前記枠状部と第１の樹脂部とに対向する領域にまたがって形成され、前記ビア導体の他端を覆う実装用の外部端子電極と、を備えたことを特徴とする部品内蔵モジュール。
  2. 前記セラミック多層基板の内部に内部回路要素が形成され、
    前記中継電極は、前記内部回路要素と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵モジュール。
  3. 前記セラミック多層基板の内部に内部回路要素が形成され、
    前記セラミック多層基板の他方主面上に、前記内部回路要素と電気的に接続されたランド電極が形成され、
    前記ランド電極上に第２の回路部品が実装されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の部品内蔵モジュール。
  4. 前記セラミック多層基板の他方主面上に、前記第２の回路部品を覆うケースが被せられていることを特徴とする請求項３に記載の部品内蔵モジュール。
  5. 前記セラミック多層基板の他方主面上に、前記第２の回路部品を埋没させるようにモールドされた第３の樹脂部を備えていることを特徴とする請求項３に記載の部品内蔵モジュール。
  6. 複数のセラミック層が積層されてなり、一方主面および他方主面を有し、前記一方主面にキャビティとこのキャビティを取り囲む枠状部とが形成され、前記枠状部の頂面に形成された中継電極を有するセラミック多層基板を準備する工程と、
    前記キャビティの内部に第１の回路部品を収容固定する工程と、
    前記第１の回路部品を埋没させるようにして前記キャビティに液状の熱硬化性樹脂を充填し、第１の樹脂部を形成する工程と、
    前記枠状部と前記第１の樹脂部とを連続的に覆うように、半硬化状態の熱硬化性樹脂よりなる樹脂シートを圧着接合し、第２の樹脂部を形成する工程と、
    前記第２の樹脂部に、一端が前記中継電極と接続された導電性樹脂よりなるビア導体を形成する工程と、
    前記第２の樹脂部の外部に露出する主面に、前記枠状部と第１の樹脂部とに対向する領域にまたがって、かつ前記ビア導体の他端を覆うように実装用の外部端子電極を設ける工程と、を備えたことを特徴とする部品内蔵モジュールの製造方法。
  7. 前記第１の樹脂部を熱硬化させた後、前記樹脂シートを接合し、かつ熱硬化させることを特徴とする請求項６に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
  8. 前記第１の樹脂部が未硬化状態のまま、前記樹脂シートを接合し、前記第１の樹脂部と前記樹脂シートとを同時に熱硬化させることを特徴とする請求項６に記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
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