JP4507452B2 - 電子部品、その製造方法及び電子回路装置 - Google Patents
電子部品、その製造方法及び電子回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4507452B2 JP4507452B2 JP2001147377A JP2001147377A JP4507452B2 JP 4507452 B2 JP4507452 B2 JP 4507452B2 JP 2001147377 A JP2001147377 A JP 2001147377A JP 2001147377 A JP2001147377 A JP 2001147377A JP 4507452 B2 JP4507452 B2 JP 4507452B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- island
- acoustic wave
- electronic component
- surface acoustic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、信頼性に優れた電子部品、特に弾性表面波デバイスを内蔵した電子部品、その製造方法、及び電子回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話を初めとする携帯型情報端末機器の小型・軽量・薄型化の要望が強くなり、関連する技術開発が多く行われている。そのために電子部品の小型・軽量化、さらにはその電子部品を用いた電子回路装置の小型・軽量・薄型化が必要不可欠になってきている。このような要求を満たすものとして、従来から特開平６−６１７７８号公報に開示された基板の端子に弾性表面波デバイスのバンプを接続し、弾性表面波デバイスを中空のパッケージで封止したもの、特開平１０−２７０９７５号公報に開示された基板の端子に振動領域を中空の蓋体で覆った弾性表面波デバイスのバンプを接続し、弾性表面波デバイスと基板との間を樹脂で封止したものなどが開発されている。
【０００３】
以下、従来の電子部品について、図面を参照しながら説明する。図１５（ａ）は、従来の電子部品の一例を示す断面図である。パッケージ基板３１には、電極端子３２が形成されている。電極端子３２はパッケージ基板３１の上面から側面を通って下面にまで延在して形成されている。パッケージ基板３１の上面の周辺部には側壁３３が接続されており、側壁の上部には弾性表面波デバイス３６を接着剤３５で接着したパッケージ封止板３４が接着されている。また弾性表面波デバイス３６には突起電極３７が形成されており、突起電極３７とパッケージ電極端子３２が接続されている。このようにしてパッケージ基板３１と側壁３３とパッケージ封止板３４とで構成された中空パッケージの内部に弾性表面波デバイス３６が収納されることになり、弾性表面波デバイス３６の主面の弾性表面波が伝播する活性領域が中空にされる。
【０００４】
このような電子部品は以下のようにして製造される。まず、パッケージ封止板３４の所定位置に弾性表面波デバイス３６の裏面を接着剤３５で接着する。一方、電極端子３２が形成され、周辺部に側壁３３を備えたパッケージ基板３１を準備し、側壁３３の上部に接着剤を塗布した後、弾性表面波デバイス３６が接着されたパッケージ封止板３４を接着すると同時に、突起電極３７と電極端子３２とを接続する。
【０００５】
また、図１５（ｂ）は、従来の電子部品の他の例を示す断面図であり、図１５（ａ）に示した一例をさらに小型化し、製造工程を容易にした例である。回路基板３８には上面から側面を通って下面にまで延在する電極端子３９が形成されており、電極端子３９には弾性表面波デバイス４０の突起電極４１が接続されている。弾性表面波デバイス４０には、弾性表面波が伝播する活性領域を覆って振動空間を確保するための蓋体４２が予め取り付けられている。さらに弾性表面波デバイス４０と回路基板３８との間は封止樹脂４３で封止されている。
【０００６】
このような電子部品は以下のようにして製造される。まず、活性領域を覆う蓋体４２及び突起電極４１を備えた弾性表面波デバイス４０、及び電極端子３９を備えた回路基板３８を準備する。次に電極端子３９と突起電極４１とを位置合わせし、接続する。その後に、弾性表面波デバイス４０と回路基板３８との間に封止樹脂４３を注入し、両者を接着する。この封止樹脂４３によって接着強度と信頼性を向上させることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来の第１の例では、弾性表面波デバイスの活性領域を覆うための蓋体が不要でありデバイス全体が中空かつ機密に封止されているものの、パッケージ基板を用いているためにその厚さ分だけ電子部品としての高さが高くなり、かつパッケージ側壁を構成するための領域を必要とするためその分だけ面積が大きくなるという課題を有していた。またその製造方法においては、弾性表面波デバイスをパッケージ封止板に接着した後に、パッケージ封止板と側壁、及び突起電極とパッケージ基板の電極端子とを同時に接続しなければならず、関係する各部分の高さ及び位置精度を厳しく調整しなければならないという課題を有していた。
【０００８】
また、上記の従来の第２の例では、弾性表面波デバイスを樹脂封止しているために回路基板の大きさを弾性表面波デバイスとほぼ同じ大きさにすることができ、電子部品としての面積を小さくできるものの、回路基板を用いているために第１の例と同様に電子部品としての厚さを薄くできないという課題を有していた。
【０００９】
また、上記の従来の第１の例では、弾性表面波デバイスの活性領域はパッケージ基板で覆われており、また第２の例では活性領域は蓋体及び回路基板で覆われているものの、電気的にはシールドされていない。
【００１０】
また、従来の第２の例において、全体の厚さを減じるために回路基板３８を無くし、電極端子３９としてリードフレームを用いる構造が考えられるが、この場合、蓋体４２の上部は封止樹脂４３で覆われるものの、この部分からの水の浸入による信頼性の低下が新たに大きな課題となる。
【００１１】
本発明は上記の従来の課題を解決するものであり、弾性表面波デバイスを収納した薄型・小型でかつ活性領域が電気的にシールドされ、さらには活性領域への水分の侵入を防止した電子部品、工程数の少ない製造方法及びこれらの電子部品を用いた電子回路装置を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明の電子部品は、活性領域が壁状体とその上部に設けられた蓋からなる中空の蓋体で保護され、電極パッドに突起電極が形成された弾性表面波デバイスと、壁状体で囲まれた活性領域に主面を対向して配置された島状導電体と、突起電極が一主面に接続されたリードと、弾性表面波デバイスと島状導電体とリードとを樹脂封止して形成した封止体とを有し、リードの他方主面及び島状導電体の他方主面は封止体の裏面に露出している構成を基本とするものであり、電子部品としての全体の高さは弾性表面波デバイスの厚さとリードの厚さにほぼ等しく、小型・薄型で寸法精度が高く、活性領域が電磁的にシールドされた電子部品を実現することができるものである。
【００１３】
さらに、島状導電体が活性領域を覆っているために、この部分からの水の浸入を防止することができ、薄型・小型でありながら高信頼性を有する電子部品を実現することができる。
【００１４】
また、本発明の電子部品の製造方法は、金属層と剥離層とキャリアからなる転写形成材を用い、金属層でリードと島状導電体を形成し、リードに突起電極を接続した後全体を封止樹脂で覆い、リード、島状導電体及び樹脂を剥離層から剥離し、リードと封止樹脂を切断して個々の電子部品に分割するもので、薄型・小型の電子部品を精度よくかつ少ない工程で容易に製造することができるものである。
【００１５】
また、本発明の電子回路装置は、以上述べた電子部品を回路基板に実装したもので、島状導電体を回路基板の接地電極に電気的に接続することにより、弾性表面波デバイスの活性領域を容易に電気的にシールドできるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
図１（ａ）は本発明の実施の形態１における電子部品の斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の電子部品をＡ−Ｂ線で切断した時の断面図である。図１（ａ）は弾性表面波デバイスを収納した封止体１を封止体裏面２ｂの斜め方向から見た斜視図であり、封止体表面２ａは図面の背後に隠れている。またリード裏面３ａ及び島状導電体裏面４ａは封止体裏面２ｂに露出している。
【００１８】
また、図１（ｂ）は、図１（ａ）をＡ−Ｂ線で切断した断面図であるが、その上下方向は図１（ａ）とは逆になっている。弾性表面波デバイス５の外部接続端子（図示せず）には突起電極７が形成されている。また、弾性表面波デバイス５の主面には櫛型電極（図示せず）が形成されているが、その活性領域を覆って振動空間を確保するための蓋体６が形成されている。このようにして、弾性表面波デバイスを内部に収納し、薄型・小型でかつ弾性表面波デバイスの活性領域が島状導電体４によって電磁的にかつ信頼性的に保護された電子部品を実現することができる。ここでいう「電磁的」とは、弾性表面波デバイスの活性領域が電磁界シールド効果が大きいということをいう。特に、弾性表面波デバイスがＵＨＦ帯以上で用いられる場合や、モジュール等の部品として、他の高周波デバイスと混載実装されている場合には、より効果が高い。
【００１９】
また、「信頼性的」とは、水分等が弾性表面波デバイスの活性領域に侵入し、弾性表面波を励振する櫛型電極、或いは、櫛型電極に電気信号を入出力する引き出し電極、パッド電極等が腐蝕するといった不具合に対する効果が大きいことを言う。この腐蝕の原因については、明確には、分かっていないが、水の浸入により、水中の水素イオンとのイオン化傾向の差により金属が腐蝕する場合や、封止体１や蓋体６に含まれる不純物、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン等により、腐蝕が発生する場合や、これらの不純物が弾性表面波デバイスの製造過程において、活性領域に存在しており、それが水の浸入によりイオン化し腐蝕が発生する場合が考えられる。また、水は、通常、気体の状態で、活性領域に侵入するが、結露により、液体の状態になることもある。なお、図１に示した電子部品において、蓋体６と島状導電体４とは接着剤で接着されていてもよいし、封止体１を構成する樹脂で接着されていてもよい。
【００２０】
次に、図１に示した電子部品とは蓋体が異なる例について、図２を参照しながら説明する。図２において、図１に示す電子部品と同一個所には同一符号を付して詳細な説明を省略する。図２に示す電子部品が図１に示す電子部品と異なる点は、活性領域１１を覆う蓋体の構造にある。即ち、図２に示す電子部品では、活性領域１１は壁状体１０と島状導電体４によって保護されている。この場合、壁状体１０は島状導電体４に圧着されている。このようにすることにより、信頼性を低下させることなく厚さを減じることができる。なお、壁状体１０と島状導電体４とは圧着された状態でもよいし、接着剤を用いて接着されていてもよい。
【００２１】
次に、リード３と封止体１の位置関係を改善した例について、図３（ａ）、図３（ｂ）を参照しながら説明する。これらの図において、図１に示す電子部品と同一個所には同一符号を付して、詳細説明を省略する。図３（ａ）は、リード３及び島状導電体４が封止体１の裏面からは凹んだ位置にあることを特徴とするものである。図３（ａ）に示すように、弾性表面波デバイス５の突起電極７はリード３に接続されており、これらを樹脂封止して封止体１を形成したものである。このような形状とすることにより、リード３の封止体１に対する密着強度は増強される。また、図３（ｂ）は、リード３及び島状導電体４が封止体１の裏面から突出していることを特徴とするものである。このような構造とすることで、上記の例に示す特徴に加えて、回路基板に実装するときにリード間、リードと島状導電体間に空間ができることになり、はんだ短絡を確実に防止することができる。
【００２２】
また、図４に示す電子部品は、リード３の厚さをリード３の端部で厚くしたことを特徴とするものである。図４に示す電子部品が図１に示す電子部品と異なる点は、リード１２が厚みの薄いリード部１２ａと厚みの厚いリード突起部１２ｂから構成されており、薄いリード部１２ａに突起電極７が接続されることになる。このような構成の電子部品では、リード突起部１２ｂがあるためにリード１２と封止体１との密着強度が大きくなる。
【００２３】
図１から図４に示す例において、島状導電体４をリード３のうちの１本に接続した構造とすることにより、島状導電体４を回路基板の接地電極に直接はんだ付けする必要がなくなるため、封止体１へのストレスをなくすことができる。
【００２４】
また、図１から図４に示すように、リード裏面３ａと島状導電体裏面４ａとを同一面とし、かつ封止体裏面２ｂと同一面とすることにより小型・薄型の電子部品を実現でき、また回路基板へのはんだ付けが容易になる。また、リード端面３ｂを封止体１の側面と同一面にすることにより、回路基板への実装時にはんだ流れが容易になり、はんだ付けが容易になると共に、はんだ中のボイド発生を防止することができる。なお、リード３と島状導電体４とを、金を主成分とする材料からなる層または金を主成分とする材料と金以外の金属材料との積層体で構成することにより、突起電極７との接続の信頼性を向上させることができる。
【００２５】
また、本実施の形態においては、島状導電体の大きさ・形状を活性領域、即ち壁状体で囲まれた面積と同じ大きさとして説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、壁状体の頂部を含めての大きさと同等またはそれ以上にしてもよい。まず第１に電磁的効果について考えると、島状導電体の大きさを、活性領域の一部、即ち弾性表面波が伝播する領域にのみ限定しても活性領域と島状導電体との距離が短いために、十分に電磁シールドされることになる。またこのように島状導電体の面積を必要最小限にすることにより電子部品の面積をさらに小さくすることができる。第２に信頼性的な効果について考える。この効果を高めるためには、
・水等の進入経路を長くする
・水等の進入経路における断面積を小さくする
ということが重要となる。従って、島状導電体の大きさは活性領域を覆うことが好ましく、それ以上大きくすることより更に、効果がある。
【００２６】
以下、詳細に説明する。図１（ｂ）に示した構造において、島状導電体４がない場合には、水分の進入は、主に、外部、蓋体６直下の封止体、蓋体６、活性領域という経路で発生する。つまり、蓋体６、及び、蓋体６直下の封止体の厚みが薄いほど進入経路も短くなり、より多くの水分が活性領域に浸入することになる。弾性表面波デバイスを低背化するには、当然、この厚みは小さいほうがよく、そうすると耐湿性も悪くなる。また、耐湿性を重視して、厚みを大きくする場合には、突起電極７を高くしなければならない。
【００２７】
突起電極７は、本実施の形態の場合、金のボールボンディングにより、弾性表面波デバイス上のパッド電極に接続し、その状態で引きちぎることにより形成している。この場合、１回のボールボンディングでは突起電極７の高さを高くすることが困難であり、通常、最終の突起電極７の高さは３０μｍ程度となり、高くした場合でも、４０〜５０μｍにするのが限界となる。複数回ボールボンディングを行い、突起電極７の高さを高くする方法もあるが、これは、弾性表面波デバイスのコストを上げることになる。また、他の方法、例えば、めっき、金属ボールにより、突起電極７を形成した場合でも、コストの引き上げにつながったり、素子の小型化を阻害する要因となる。特に、金属ボールの場合は、ボール径が大きくなり、小型化阻害の影響は大きい。
【００２８】
以上説明したように、島状電極４のない構造では、進入経路を小さくすることが困難である。また、島状電極４がある場合には、前記した外部、蓋体６直下の封止体、蓋体６、活性領域という経路はなくなり、かつ、進入経路における断面積も小さくなり、耐湿性は大きく向上することになる。なお、前記のように、大きな効果を引き出すためには、島状導電体の大きさは活性領域を覆うことが好ましく、それ以上大きくすることが更に、好ましいが、進入経路における断面積を減らすという点で、活性領域に対応する一部に、島状導電体が設けられていても効果はある。また、島状導電体と活性領域との距離が短いほど効果が高く、図２で示した構造がより効果がある。また、当然のことながら、図１の構造において、蓋体６を島状導電体４としても、同様の効果がある。この場合、図１の島状電極４は不要となるが、２重に設けることで、更に、効果は上がる。蓋体６がある場合には、蓋体６と島状電極４の距離が小さいほうがより効果的で、島状電極４と蓋体６が接触している場合が最も効果が高い。
【００２９】
なお、本実施の形態では、島状電極と活性領域の距離を調整するために、突起電極の高さを変えている。例えば、図１（ｂ）の構造では、１回のボールボンディングにより、高さを４０μｍにしたもの、２回ボールボンディングを行い、高さを５０〜６０μｍにしたものなどがあり、図２の構造では、ボールボンディングは一回で高さは２０〜２５μｍとしている。なお、図１から図４に示した弾性表面波デバイス５における蓋体６は、以下のようにして形成される。
【００３０】
まず、圧電基板の上に複数個の弾性表面波デバイスが形成される。次に圧電基板の全面にフィルムレジストを圧着し、露光・現像して活性領域を囲む壁状体を形成する。次に全面にフィルムレジストを圧着し、露光・現像して壁状体の上部を覆う板状体を形成する。このようにして蓋体が形成されるが、図２に示す電子部品では、上記の工程の途中段階のもの、即ち活性領域を囲む壁状体１０のみを形成した弾性表面波デバイス５を用いることになる。
【００３１】
（実施の形態２）
図５（ａ）から図５（ｆ）は本発明の実施の形態２における電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。まず、図５（ａ）に示すように、キャリア１３の上に剥離層１４及び金属層１５を積層した転写形成材を準備する。次に金属層１５の主面にリード３及び島状導電体４を形成するためのレジストパターンを形成した後、レジストパターンをマスクとして金属層１５をエッチングしてリード３、島状導電体４を形成し、図５（ｂ）に示す形状が得られる。
【００３２】
次に、図５（ｃ）に示すように、蓋体６及び突起電極７が形成された弾性表面波デバイス５を所定位置に位置合わせし、突起電極７をリード３に接続する。突起電極７の高さは、接続された後に島状導電体４と蓋体６とが圧着されるか、または間隙ができる程度に設定しておく。なお蓋体６と島状導電体４とは接着剤で接着してもよい。
【００３３】
次に、図５（ｄ）に示すように、全体を樹脂１ｃで封止する。この樹脂１ｃは蓋体６と島状導電体４の間に流れ込んでもよいし、その部分が空隙になっていてもよい。その後、リード３、樹脂１ｃ及び島状導電体４から剥離層１４及びキャリア１３を剥離し、図５（ｅ）に示す形状が得られる。次に、仮想分割線１７に沿って、樹脂１ｃ及びリード３を切断することによって、図５（ｆ）に示す形状が得られる。即ち、弾性表面波デバイス５の突起電極５がリード３に接続され、リード３の端面は封止体１の側面に露出しており、リード３の裏面及び島状導電体４の裏面は封止体１の裏面と同一面にある。
【００３４】
このようにして、３層構造の転写形成材を用いて容易に小型・薄型で寸法精度がよく、かつ弾性表面波デバイスの活性領域が電磁的にシールドされ、活性領域への水の浸入を防止した高信頼性の電子部品を製造することができる。なお、この場合、少なくとも剥離層１４を導電性材料としておくことにより、独立して形成されたリード３も剥離層１４を剥離するまでは共通接続されることになり、製造工程での静電気破壊や特に突起電極７の接合時や樹脂１ｃの硬化時などデバイスが加熱されたときに発生しやすい焦電破壊を防止することができる。
【００３５】
なお、図５（ｂ）に示す工程を、図６（ａ）から図６（ｃ）に示す工程でおきかえることにより、リード３及び島状導電体４を剥離層１４からさらに容易に剥離することができる。まず、図６（ａ）に示すように、キャリア１３、剥離層１４及び金属層１５からなる転写形成材を準備し、金属層１５の主面にレジストパターン１６を形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン１６をマスクにして、金属層１５、剥離層１４をエッチングし、さらにキャリア１３の表層までエッチングしてエッチング溝１８を形成する。
【００３６】
次に、レジストパターン１６を除去した形状を図６（ｃ）に示したが、以降は図５（ｃ）以下の工程を実行することになる。このような工程によって、リード３及び島状導電体４を剥離層１４から容易に剥離することができる。また、この場合には、剥離層１４とキャリア１３の両方を導電性材料で構成しておくことにより、キャリア１３の表層まで到達するエッチング溝１８を形成したとしても、剥離層１４を通してキャリア１３に導通しているため、各リードが共通接続されることになり、製造工程中の静電気破壊や焦電破壊を防止することができる。
【００３７】
また、図５（ｃ）で示した活性領域を蓋体６で保護した弾性表面波デバイス５の代わりに、活性領域が蓋のない壁状体で囲まれた弾性表面波デバイスを用いても、同様にして電子部品を製造することができる。この場合は、壁状体の頂部を島状導電体に圧着してもよいし、壁状体の頂部または島状導電体の少なくともいずれかに接着剤を塗布しておき、突起電極をリードに接続する工程で同時に接着してもよい。また、この製造方法において使用する弾性表面波デバイスは弾性表面波デバイスの製造工程を簡略化できるため、工程歩留りが向上すると共に製造コストを低減できる。
【００３８】
（実施の形態３）
図７（ａ）から図７（ｆ）は本発明の実施の形態３における電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。まず、図７（ａ）に示すように、キャリア１３の上に剥離層１４及び金属層１５を積層した転写形成材を準備し、その上に後に形成するリードとは逆のレジストパターン（以下、逆レジストパターンという）１９を形成する。次に逆レジストパターン１９をマスクにしてめっき層２０を形成する。次に逆レジストパターン１９を除去し、めっき層をマスクとして金属層１５をエッチングすることによって、図７（ｂ）に示すように、めっき層３ｄと金属層３ｅからなるリード３、めっき層４ｄと金属層４ｅからなる島状導電体４が形成される。
【００３９】
次に、図７（ｃ）に示すように、弾性表面波デバイス５の突起電極７をリード３に接続する。突起電極７の高さは、接続された後に島状導電体４と蓋体６とが圧着されるか、または間隙ができる程度に設定しておく。なお、蓋体６と島状導電体４とは接着剤で接着してもよい。次に、図７（ｄ）に示すように、全体を樹脂１ｃで封止する。この樹脂１ｃは蓋体６と島状導電体４の間に流れ込んでもよいし、その部分が空隙になっていてもよい。その後、リード３、樹脂１ｃ及び島状導電体４から剥離層１４及びキャリア１３を剥離し、図７（ｅ）に示す形状が得られる。
【００４０】
次に、仮想分割線１７に沿って、樹脂１ｃ及びリード３を切断することによって、図７（ｆ）に示す形状が得られる。この場合、めっき層２０の材料として突起電極７との接合性のよい金属、例えば金などを用いることにより、突起電極７とリード３との接合が容易になり、信頼性も向上する。このようにして、３層構造の転写形成材を用いて容易に小型・薄型で寸法精度がよく、かつ弾性表面波デバイスの活性領域が電磁的にシールドされ、活性領域への水の浸入を防止した高信頼性の電子部品を製造することができる。なお、この場合、少なくとも剥離層１４を導電性材料としておくことにより、独立して形成されたリード３も剥離層１４を剥離するまでは共通接続されることになり、製造工程での静電気破壊や特に突起電極７の接合時や樹脂１ｃの硬化時などデバイスが加熱されたときに発生しやすい焦電破壊を防止することができる。
【００４１】
なお、図７（ｂ）に示す工程を、図８（ａ）から図８（ｄ）に示す工程でおきかえることにより、リード３及び島状導電体４を剥離層１４からさらに容易に剥離することができる。まず、図８（ａ）に示すように、キャリア１３、剥離層１４及び金属層１５からなる転写形成材を準備し、金属層１５の主面に逆レジストパターン１９を形成する。次に図８（ｂ）に示すように、逆レジストパターン１９をマスクにして、めっき層２０を形成する。次に逆レジストパターン１９を除去した後、めっき層２０をマスクにして金属層１５、剥離層１４をエッチングし、さらにキャリア１３の表層までエッチングして図８（ｄ）に示すエッチング溝２１を形成する。
【００４２】
これ以降は、図５（ｃ）以下の工程を実行することになる。このような工程によって、リード３及び島状導電体４を剥離層１４から容易に剥離することができる。またこの場合には、剥離層１４とキャリア１３の両方を導電性材料で構成しておくことにより、キャリア１３の表層まで到達するエッチング溝２１を形成したとしても、剥離層１４を通してキャリア１３に導通しているため、各リードが共通接続されることになり、製造工程中の静電気破壊や焦電破壊を防止することができる。
【００４３】
また、図７（ｃ）で示した活性領域を蓋体６で保護した弾性表面波デバイス５の代わりに、活性領域が蓋のない壁状体で囲まれた弾性表面波デバイスを用いても、同様にして電子部品を製造することができる。この場合は、壁状体の頂部を島状導電体に圧着してもよいし、壁状体の頂部または島状導電体の少なくともいずれかに接着剤を塗布しておき、突起電極をリードに接続する工程で同時に接着すればよいことになる。また、この製造方法において使用する弾性表面波デバイスは弾性表面波デバイスの製造工程を簡略化できるため、工程歩留りが向上すると共に製造コストを低減できる。
【００４４】
（実施の形態４）
図９（ａ）から図９（ｇ）は本発明の実施の形態４における電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。まず図９（ａ）に示すように、キャリア１３の上に剥離層１４及び金属層１５を積層した転写形成材を準備し、その上に後にリード突起部１２ｂとなる領域を覆う第１のレジストパターン２２を形成する。この場合、金属層１５としてはリード突起部１２ｂを形成し、さらにリード部１２ａを形成できるだけの厚さが必要である。
【００４５】
次に、第１のレジストパターン２２をマスクにして、金属層１５を途中までエッチングし、図９（ｂ）に示すように、リード突起部１２ｂを形成する。この工程は金属層１５の途中でエッチングを止める必要があるが、エッチャント及びエッチング時間を制御することによって達成できる。次に第１のレジストパターン２２を除去し、リード部１２ａを形成するための第２のレジストパターン２３を形成する。この第２のレジストパターン２３はリード突起部１２ｂをも覆って形成しておく。次に第２のレジストパターン２３をマスクにして金属層１５の残り部分をエッチングし、図９（ｃ）に示すように、リード１２と島状導電体４を形成する。
【００４６】
次に、図９（ｄ）に示すように、厚さの薄いリード部１２ａに弾性表面波デバイス５の突起電極７を接続する。突起電極７の高さは、接続された後に島状導電体４と蓋体６とが圧着されるか、または間隙ができる程度に設定しておく。次に、図９（ｅ）に示すように全体を樹脂１ｃで封止した後、剥離層１４とキャリア１３をリード１２から剥離して図９（ｆ）の形状が得られる。次に、仮想切断線１７に沿って樹脂１ｃ及びリード１２を切断し、図９（ｇ）に示すように個々の電子部品に分割する。
【００４７】
このようにして、リード１２の端部に肉厚部を有し、小型・薄型で寸法精度がよく、かつ弾性表面波デバイスの活性領域が電磁的にシールドされ、活性領域への水の浸入を防止した高信頼性の電子部品を容易に製造することができる。この場合、少なくとも剥離層１４を導電性材料としておくことにより、独立して形成されたリード１２も剥離層１４を剥離するまでは共通接続されることになり、製造工程での静電気破壊や特に突起電極７の接合時や樹脂１ｃの硬化時などデバイスが加熱されたときに発生しやすい焦電破壊を防止することができる。
【００４８】
なお、この場合も、図９（ｃ）に示す工程で、第２のレジストパターン２３をマスクにして金属層１５のみでなく、剥離層１４及びキャリア１３の表層までをエッチングすることにより、リード１２及び島状導電体４を剥離層１４から容易に剥離することができる。この場合には、剥離層１４とキャリア１３の両方を導電性材料で構成しておくことにより、キャリア１３の表層まで到達するエッチング溝を形成したとしても、剥離層１４を通してキャリア１３に導通しているため、各リードが共通接続されることになり、製造工程中の静電気破壊や焦電破壊を防止することができる。
【００４９】
また、図９（ｄ）で示した活性領域を蓋体６で保護した弾性表面波デバイス５の代わりに、活性領域が蓋のない壁状体で囲まれた弾性表面波デバイスを用いても、同様にして電子部品を製造することができる。この場合は、壁状体の頂部を島状導電体に圧着するか、壁状体の頂部または島状導電体の少なくともいずれかに接着剤を塗布しておき、突起電極をリードに接続する工程で同時に接着すればよいことになる。また、この製造方法において使用する弾性表面波デバイスは弾性表面波デバイスの製造工程を簡略化できるため、工程歩留りが向上すると共に製造コストを低減できる。
【００５０】
（実施の形態５）
図１０（ａ）から図１０（ｇ）は本発明の実施の形態５における電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。まず、図１０（ａ）に示すように、キャリア１３の上に剥離層１４及び第１の金属層１５ａ及び第１の金属層１５ａとはエッチングレート及びエッチャントの少なくともいずれかが異なる第２の金属層１５ｂを積層した転写形成材を準備し、その上に後にリード突起部１２ｂとなる領域を覆う第１のレジストパターン２２を形成する。
【００５１】
次に、図１０（ｂ）に示すように、第１のレジストパターン２２をマスクとして第２の金属層１２ｂをエッチングし、リード突起部１２ｂを形成する。その後、第１のレジストパターン２２を除去し、図１０（ｃ）に示すように第２のレジストパターン２３を形成する。第２のレジストパターン２３はリード突起部１２ｂとリード部１２ａとを覆うように形成されている。この第２のレジストパターンをマスクとして第１の金属層１５ａをエッチングし、リード部１２ａ及び島状導電体４を形成する。第２のレジストパターン２３を除去した後、図１０（ｄ）に示すように、リード部１２ａに弾性表面波デバイス５の突起電極７を接続する。突起電極７の高さは、接続された後に島状導電体４と蓋体６とが圧着されるか、または間隙ができる程度に設定しておく。なお、蓋体６と島状導電体４とは接着剤で接着してもよい。
【００５２】
次に、図１０（ｅ）に示すように全体を樹脂１ｃで封止する。この樹脂１ｃは蓋体６と島状導電体４の間に流れ込んでもよいし、その部分が空隙になっていてもよい。その後、リード１２、樹脂１ｃ及び島状導電体４から剥離層１４及びキャリア１３を剥離して図１０（ｆ）に示す形状が得られる。次に、仮想分割線１７に沿って樹脂１ｃとリード１２とを切断し、図１０（ｇ）に示すように個々の電子部品に分割する。この場合、少なくとも剥離層１４を導電性材料としておくことにより、独立して形成されたリード１２も剥離層１４を剥離するまでは共通接続されることになり、製造工程での静電気破壊や特に突起電極７の接合時や樹脂１ｃの硬化時などデバイスが加熱されたときに発生しやすい焦電破壊を防止することができる。
【００５３】
なお、この場合も、図１０（ｃ）に示す工程で、第２のレジストパターン２３をマスクにして金属層１５のみでなく、剥離層１４及びキャリア１３の表層までをエッチングすることにより、リード１２及び島状導電体４を剥離層１４から容易に剥離することができる。なお、この場合には、剥離層１４とキャリア１３の両方を導電性材料で構成しておくことにより、キャリア１３の表層まで到達するエッチング溝を形成したとしても、剥離層１４を通してキャリア１３に導通しているため、各リードが共通接続されることになり、製造工程中の静電気破壊や焦電破壊を防止することができる。
【００５４】
また、図１０（ｄ）で示した活性領域を蓋体６で保護した弾性表面波デバイス５の代わりに、活性領域が蓋のない壁状体で囲まれた弾性表面波デバイスを用いても、同様にして電子部品を製造することができる。この場合は、壁状体の頂部を島状導電体に圧着してもよいし、壁状体の頂部または島状導電体の少なくともいずれかに接着剤を塗布しておき、突起電極をリードに接続する工程で同時に接着すればよいことになる。また、この製造方法において使用する弾性表面波デバイスは弾性表面波デバイスの製造工程を簡略化できるため、工程歩留りが向上すると共に製造コストを低減できる。
【００５５】
以上説明した実施の形態２から実施の形態５に示す電子部品の製造方法に関係して、弾性表面波デバイス５の活性領域を保護する蓋体６と島状導電体４とを接着剤を用いて接着する例について、図１１（ａ）から図１１（ｄ）を用いて説明する。例えば、図１０（ａ）から図１０（ｃ）の工程を終了した転写形成材を用い、図１１（ａ）に示すように、弾性表面波デバイス５の蓋体６の表面に接着剤８を塗布する。この例では、接着剤８を蓋体６側に塊状に塗布した例を示しているが、接着剤８は島状導電体４または島状導電体４と蓋体６の両方に塗布してもよい。この状態で、突起電極７とリード１２とを接合すると同時に接着剤８で蓋体６と島状導電体４とを接着する。
【００５６】
次に、図１１（ｂ）に示すように全体を樹脂１ｃで封止した後、リード１２を剥離層１４から剥離し、図１１（ｃ）の形状を得る。次に、仮想分割線１７に沿って樹脂１ｃとリード１２とを切断し、図１１（ｄ）に示す個々の電子部品に分割する。図１１に示す例では、リード１２として端部に厚さの厚い領域を有するリードを用いた例について説明したが、リードの形状にはかかわりなく適用できるものである。
【００５７】
また、実施の形態２から実施の形態５に示す電子部品の製造方法おいては、リードをそれぞれ独立して形成した例について説明したが、リード群内では各リードが独立し、隣接するリード群間で隣接するリード間は接続した状態で一体的にリードを形成しておき、個々の電子部品に分割する際に切断分離してもよい。この例について、図１２（ａ）、図１２（ｂ）を用いて説明する。
【００５８】
図１２（ａ）は、図１０（ｃ）でリード及び島状導電体を形成する工程の後の状態を示す斜視図である。キャリア１３の上に剥離層１４が積層されており、その上にリードが形成されている。簡単のためにテープ状のキャリア１３の長さ方向に複数個の端子群を並べた例を示したが、縦横に複数個のリード群を並べた場合でも同様である。
【００５９】
リード部１２ａは隣接するリード群において、互いに連結されて一体的に形成されたリード、リード部１２ｃは隣接するリード群のないリードである。リード部１２ａの中間部にはリード突起部１２ｂが、リード部１２ｃの端部にはリード突起部１２ｄが形成されている。リード突起部１２ｂは隣接するリード群の境界に形成されており、樹脂で封止した後に仮想切断線１７ａで切断することにより、リードの端部に厚さの厚い部分が形成されることになる。
【００６０】
この場合に、仮想切断線１７ａと仮想切断線１７ｂで囲まれた領域が１個の電子部品となる領域である。図１２（ａ）に弾性表面波デバイスを搭載し、樹脂で封止した例を図１２（ｂ）に示したが、仮想切断線１７ａで樹脂１ｃとリード１２をリード部１２ａで切断することにより、個々の電子部品に分割することができる。このように隣接するリード群で互いにリードを連結して一体的に形成することにより、キャリア上で面積当たりの弾性表面波デバイス搭載個数が増加し、また、リード切断時の材料損失も少なくて済むことから、コストを低減することができる。なお、隣接するリード群を連結することについては、図１２に示した例にとどまらず、リード突起部を有しない形状、即ち実施の形態２または実施の形態３に適用して同様の効果が得られるものである。
【００６１】
（実施の形態６）
図１３（ａ）から図１３（ｇ）は本発明の実施の形態６における電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。なお、これらの図は、実施の形態２から実施の形態５に用いた図面と容易に対比できるように、工程中の圧電基板とは上下を逆にして示している。まず図１３（ａ）に示すように、主面に活性領域２４ａを備えた多数個の弾性表面波デバイスが形成された圧電基板２４を準備する。
【００６２】
次に、図１３（ｂ）に示すように、活性領域２４ａを保護するための蓋体６を形成する。蓋体６は、実施の形態２から実施の形態５で説明したのと同様、フィルムレジストを用いて壁状体と蓋とから形成する。次に、図１３（ｃ）に示すように、弾性表面波デバイスの電極パッド（図示せず）上に突起電極７を形成する。次に図１３（ｄ）に示すように、圧電基板２４の主面に蓋体６及び突起電極７が隠れる程度で樹脂１ｃを塗布し、硬化する。この場合、ディスペンサーによる塗布、またはスピンコートによる塗布で樹脂１ｃを形成することができる。次に図１３（ｅ）に示すように、樹脂１ｃを研削して突起電極７の表面を樹脂１ｃの表面から露出させる。
【００６３】
次に、図１３（ｆ）に示すように、突起電極７と一部が重なったリード３及び島状導電体４を形成する。その後、仮想切断線１７に沿って、リード３及び樹脂１ｃを切断して、図１３（ｇ）に示すように、リード３及び島状導電体４が封止体１の裏面から突出した形状の電子部品が得られる。図１３（ｆ）に示したリード３及び島状導電体４は下記のようにして形成することができる。
【００６４】
まず、工程（ｅ）が終了した後、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法などによって、樹脂１ｃの全面に導電性薄膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー技術により、リード３及び島状導電体４をパターニングする。本実施の形態では、全面に感光性レジスト層を形成し、露光・現像してレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして導電性薄膜をエッチングしてリード３及び島状導電体４を形成する。なお、本実施の形態では、リード３及び島状導電体４のパターニングにフォトリソグラフィー技術を用いたが、工程（ｅ）の終了後、メタルマスクを用いて、導電性薄膜をパターニングしても良い。メタルマスクを用いた場合は、工程が簡略化され、製造コストを下げることできる。どちらの工法を選ぶかは、形成するリード３及び島状導電体４の形状、大きさ、精度により、決めればよい。例えば、本実施の形態の場合、隣接するリード３の間隔が０．３ｍｍ〜０．４ｍｍと小さいため、フォトリソグラフィー技術を用いた。
【００６５】
また、リード３及び島状導電体４の形成方法として、めっきによる方法を用いても良い。例えば、樹脂１ｃの全面に感光性のドライフィルムレジストをラミネートし、フォトリソグラフィー技術により、めっき膜を形成する部分に相当するドライフィルムレジストを除去する。次に、パラジウム等の金属材料による核づけを行い、銅等の材料をめっきする。なお、めっきの材料は、銅の他に、ニッケル、金、銀、錫、半田等を用いてもよく、また、それらの材料を積層した構造としても良い。要は、樹脂１ｃ側のめっき材料は、樹脂１ｃとの密着性がよく、２次実装時、或いは、実装後に剥離しないものを選べばよい。
【００６６】
また、外側の材料は、２次実装時の接続信頼性の高い材料を選べばよい。例えば、２次実装を半田リフローにより行うと、半田濡れ性の高い、銅、金、銀、すず、半田等から選ぶことが好ましい。なお、めっきによる方法で、リード３及び島状導電体４を形成することにより、容易に厚膜化が可能となり、２次実装が容易になる、２次実装後の接続信頼性が増すという効果がある。
【００６７】
また、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、無電解めっき法などにより、下地電極を形成した後、その上から更に、めっきを行っても良い。この場合、電解めっき法を用いることができ、更なる厚膜化が可能となり、膜の形成時間も減り、製造コストを下げることができる。また、膜の緻密度もあがり、水分等の遮断性が向上し、耐湿性も向上する。
【００６８】
また、リード３及び島状導電体４の形成方法として、導電性樹脂を印刷により、塗布、硬化させる方法を用いてもよい。例えば、リード３及び島状導電体４を形成する部分に相当するようにマスクの開口部が設けられたメタルマスクを樹脂１ｃの面にセッティングし、固定する。次に、導電性樹脂をメタルマスク上に適量、配置し、スキージにより樹脂１ｃ面に塗布する。塗布後は、メタルマスクを取り去り、加熱硬化させる。また、導電性樹脂中の金属材料は、通常、高い導電率を持つもの、例えば、金、銀、銅、パラジウム、白金、アルミニウム、鉄、ニッケル或いは、それらの合金、或いは、積層構造のものが選ばれるが、２次実装工程を半田リフローで行う場合は、半田により、形成したリード３が侵食され、電気的に開放状態となるのを防ぐため、銅を主成分とする金属材料を選ぶことが好ましい。また、銅の表面に金等の半田濡れ性の良好な材料がコートされているとより好ましい。
【００６９】
また、突起電極７との電気的な信頼性を高くし、電気的に開放状態となるのを防ぐようにするために、下地層として、薄膜を用い、その上に導電性樹脂を設けた方がより好ましい。下地層の形成方法としては、前記した電子ビーム、或いは、抵抗加熱による真空蒸着法やスパッタリング、イオンプレーティングなどの方法を用いることができる。また、めっきキ法を用いても良い。また、耐湿性からみても、下地層をつけた方が、水分等の遮断性は増す。
【００７０】
本実施の形態の製造方法により、電磁的、信頼性的に優れた弾性表面波デバイスをウエハレベルで容易に製造することが可能となり、大幅にコストを下げることが可能となる。
【００７１】
（実施の形態７）
図１４は本発明の実施の形態１における電子部品を用いて製造した電子回路装置の一例である。回路基板２５の主面には電極端子２６、接地電極２７が形成されている。封止体１の底面にリード３の底面が、封止体１の側面にはリード３の端面が露出し、内部に弾性表面波デバイス５を収容した電子部品が回路基板上に実装されている。電子部品のリード３は電極端子２６に、電子部品の島状導電体４は接地電極２７にそれぞれはんだ２８で接続されている。
【００７２】
このように、島状導電体４を回路基板２５の接地電極２７に接続することにより、島状導電体４が弾性表面波デバイス５の活性領域を電磁的にシールドすることになり、特に高周波回路では有効となる。さらには、弾性表面波デバイス５の活性領域が島状導電体４で保護されることになるため、信頼性の高い電子回路装置を実現することができる。
【００７３】
なお、実施の形態２から実施の形態７において、島状導電体４がリード３から独立した形状として示しているが、リード３及び島状導電体４を形成する工程において、パターンを変更することにより、島状導電体４をリード３に接続した形状を得ることができる。
【００７４】
【発明の効果】
本発明の電子部品は、活性領域が中空の蓋体で保護され、電極パッドに突起電極が形成された弾性表面波デバイスと、蓋体の主面が接着された島状導電体と、突起電極が一主面に接続されたリードと、弾性表面波デバイスと島状導電体とリードとを樹脂封止して形成した封止体とを有し、かつリードの他方主面及び島状導電体の他方主面は封止体の裏面に露出していることを特徴とするもので、回路基板に実装したとき島状導電体が電磁シールドとなって低雑音、低不要輻射の回路を実現でき、実装時の高さの均一性及び実装位置精度を向上させることができる。また、本発明の電子部品では、活性領域に対向して島状導電体を設けており、蓋体と島状導電体の間で封止樹脂の厚さが薄くても、活性領域への水の浸入を島状導電体で防止できるため、高信頼性を実現できるものである。
【００７５】
また、本発明の電子部品の製造方法は、キャリア上に剥離層、金属層を積層した転写形成材を用い、金属層でリードを形成し、弾性表面波デバイスの突起電極をリードに接続した後、全体を樹脂で封止し、リードと樹脂を切断して個々の電子部品とするもので、寸法精度の高い薄型・小型の電子部品を容易に製造できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態１における電子部品の斜視図
（ｂ）は同図（ａ）をＡ−Ｂ線で切断した断面図
【図２】本発明の実施の形態１における電子部品とは蓋体が異なる例を説明する断面図
【図３】（ａ）は本発明の実施の形態１におけるリードと封止体の位置関係を改良した例を説明する断面図
（ｂ）は本発明の実施の形態１におけるリードと封止体の位置関係を改良した第２の例を説明する断面図
【図４】本発明の実施の形態１における電子部品のリードを改良した例を説明する断面図
【図５】本発明の実施の形態２における電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図６】本発明の実施の形態２の一部工程を改良した電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図７】本発明の実施の形態３における電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図８】本発明の実施の形態３の一部工程を改良した電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図９】本発明の実施の形態４における電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図１０】本発明の実施の形態５における電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図１１】本発明の実施の形態２から実施の形態５における電子部品の製造方法の一部工程を改良した製造方法を説明する工程断面図
【図１２】（ａ）は、本発明の実施の形態５における電子部品の製造方法の一部工程を説明する斜視図
（ｂ）は、同製造方法を説明する断面図
【図１３】本発明の実施の形態６における電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図１４】本発明の実施の形態７における電子回路装置の要部断面図
【図１５】（ａ）は、従来の電子部品の一例を示す断面図
（ｂ）は、従来の電子部品の他の例を示す断面図
【符号の説明】
１ 封止体
２ａ 封止体表面
２ｂ 封止体裏面（封止体底面）
３ リード
３ａ リード裏面（リードの他方主面）
３ｂ リード端面
３ｃ リード主面（リードの一主面）
４ 島状導電体
４ａ 島状導電体裏面（島状導電体の他方主面）
５ 弾性表面波デバイス
６ 蓋体
７ 突起電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、信頼性に優れた電子部品、特に弾性表面波デバイスを内蔵した電子部品、その製造方法、及び電子回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話を初めとする携帯型情報端末機器の小型・軽量・薄型化の要望が強くなり、関連する技術開発が多く行われている。そのために電子部品の小型・軽量化、さらにはその電子部品を用いた電子回路装置の小型・軽量・薄型化が必要不可欠になってきている。このような要求を満たすものとして、従来から特開平６−６１７７８号公報に開示された基板の端子に弾性表面波デバイスのバンプを接続し、弾性表面波デバイスを中空のパッケージで封止したもの、特開平１０−２７０９７５号公報に開示された基板の端子に振動領域を中空の蓋体で覆った弾性表面波デバイスのバンプを接続し、弾性表面波デバイスと基板との間を樹脂で封止したものなどが開発されている。
【０００３】
以下、従来の電子部品について、図面を参照しながら説明する。図１５（ａ）は、従来の電子部品の一例を示す断面図である。パッケージ基板３１には、電極端子３２が形成されている。電極端子３２はパッケージ基板３１の上面から側面を通って下面にまで延在して形成されている。パッケージ基板３１の上面の周辺部には側壁３３が接続されており、側壁の上部には弾性表面波デバイス３６を接着剤３５で接着したパッケージ封止板３４が接着されている。また弾性表面波デバイス３６には突起電極３７が形成されており、突起電極３７とパッケージ電極端子３２が接続されている。このようにしてパッケージ基板３１と側壁３３とパッケージ封止板３４とで構成された中空パッケージの内部に弾性表面波デバイス３６が収納されることになり、弾性表面波デバイス３６の主面の弾性表面波が伝播する活性領域が中空にされる。
【０００４】
このような電子部品は以下のようにして製造される。まず、パッケージ封止板３４の所定位置に弾性表面波デバイス３６の裏面を接着剤３５で接着する。一方、電極端子３２が形成され、周辺部に側壁３３を備えたパッケージ基板３１を準備し、側壁３３の上部に接着剤を塗布した後、弾性表面波デバイス３６が接着されたパッケージ封止板３４を接着すると同時に、突起電極３７と電極端子３２とを接続する。
【０００５】
また、図１５（ｂ）は、従来の電子部品の他の例を示す断面図であり、図１５（ａ）に示した一例をさらに小型化し、製造工程を容易にした例である。回路基板３８には上面から側面を通って下面にまで延在する電極端子３９が形成されており、電極端子３９には弾性表面波デバイス４０の突起電極４１が接続されている。弾性表面波デバイス４０には、弾性表面波が伝播する活性領域を覆って振動空間を確保するための蓋体４２が予め取り付けられている。さらに弾性表面波デバイス４０と回路基板３８との間は封止樹脂４３で封止されている。
【０００６】
このような電子部品は以下のようにして製造される。まず、活性領域を覆う蓋体４２及び突起電極４１を備えた弾性表面波デバイス４０、及び電極端子３９を備えた回路基板３８を準備する。次に電極端子３９と突起電極４１とを位置合わせし、接続する。その後に、弾性表面波デバイス４０と回路基板３８との間に封止樹脂４３を注入し、両者を接着する。この封止樹脂４３によって接着強度と信頼性を向上させることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来の第１の例では、弾性表面波デバイスの活性領域を覆うための蓋体が不要でありデバイス全体が中空かつ機密に封止されているものの、パッケージ基板を用いているためにその厚さ分だけ電子部品としての高さが高くなり、かつパッケージ側壁を構成するための領域を必要とするためその分だけ面積が大きくなるという課題を有していた。またその製造方法においては、弾性表面波デバイスをパッケージ封止板に接着した後に、パッケージ封止板と側壁、及び突起電極とパッケージ基板の電極端子とを同時に接続しなければならず、関係する各部分の高さ及び位置精度を厳しく調整しなければならないという課題を有していた。
【０００８】
また、上記の従来の第２の例では、弾性表面波デバイスを樹脂封止しているために回路基板の大きさを弾性表面波デバイスとほぼ同じ大きさにすることができ、電子部品としての面積を小さくできるものの、回路基板を用いているために第１の例と同様に電子部品としての厚さを薄くできないという課題を有していた。
【０００９】
また、上記の従来の第１の例では、弾性表面波デバイスの活性領域はパッケージ基板で覆われており、また第２の例では活性領域は蓋体及び回路基板で覆われているものの、電気的にはシールドされていない。
【００１０】
また、従来の第２の例において、全体の厚さを減じるために回路基板３８を無くし、電極端子３９としてリードフレームを用いる構造が考えられるが、この場合、蓋体４２の上部は封止樹脂４３で覆われるものの、この部分からの水の浸入による信頼性の低下が新たに大きな課題となる。
【００１１】
本発明は上記の従来の課題を解決するものであり、弾性表面波デバイスを収納した薄型・小型でかつ活性領域が電気的にシールドされ、さらには活性領域への水分の侵入を防止した電子部品、工程数の少ない製造方法及びこれらの電子部品を用いた電子回路装置を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明の電子部品は、活性領域が壁状体とその上部に設けられた蓋からなる中空の蓋体で保護され、電極パッドに突起電極が形成された弾性表面波デバイスと、壁状体で囲まれた活性領域に主面を対向して配置された島状導電体と、突起電極が一主面に接続されたリードと、弾性表面波デバイスと島状導電体とリードとを樹脂封止して形成した封止体とを有し、リードの他方主面及び島状導電体の他方主面は封止体の裏面に露出している構成を基本とするものであり、電子部品としての全体の高さは弾性表面波デバイスの厚さとリードの厚さにほぼ等しく、小型・薄型で寸法精度が高く、活性領域が電磁的にシールドされた電子部品を実現することができるものである。
【００１３】
さらに、島状導電体が活性領域を覆っているために、この部分からの水の浸入を防止することができ、薄型・小型でありながら高信頼性を有する電子部品を実現することができる。
【００１４】
また、本発明の電子部品の製造方法は、金属層と剥離層とキャリアからなる転写形成材を用い、金属層でリードと島状導電体を形成し、リードに突起電極を接続した後全体を封止樹脂で覆い、リード、島状導電体及び樹脂を剥離層から剥離し、リードと封止樹脂を切断して個々の電子部品に分割するもので、薄型・小型の電子部品を精度よくかつ少ない工程で容易に製造することができるものである。
【００１５】
また、本発明の電子回路装置は、以上述べた電子部品を回路基板に実装したもので、島状導電体を回路基板の接地電極に電気的に接続することにより、弾性表面波デバイスの活性領域を容易に電気的にシールドできるものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
図１（ａ）は本発明の実施の形態１における電子部品の斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の電子部品をＡ−Ｂ線で切断した時の断面図である。図１（ａ）は弾性表面波デバイスを収納した封止体１を封止体裏面２ｂの斜め方向から見た斜視図であり、封止体表面２ａは図面の背後に隠れている。またリード裏面３ａ及び島状導電体裏面４ａは封止体裏面２ｂに露出している。
【００１８】
また、図１（ｂ）は、図１（ａ）をＡ−Ｂ線で切断した断面図であるが、その上下方向は図１（ａ）とは逆になっている。弾性表面波デバイス５の外部接続端子（図示せず）には突起電極７が形成されている。また、弾性表面波デバイス５の主面には櫛型電極（図示せず）が形成されているが、その活性領域を覆って振動空間を確保するための蓋体６が形成されている。このようにして、弾性表面波デバイスを内部に収納し、薄型・小型でかつ弾性表面波デバイスの活性領域が島状導電体４によって電磁的にかつ信頼性的に保護された電子部品を実現することができる。ここでいう「電磁的」とは、弾性表面波デバイスの活性領域が電磁界シールド効果が大きいということをいう。特に、弾性表面波デバイスがＵＨＦ帯以上で用いられる場合や、モジュール等の部品として、他の高周波デバイスと混載実装されている場合には、より効果が高い。
【００１９】
また、「信頼性的」とは、水分等が弾性表面波デバイスの活性領域に侵入し、弾性表面波を励振する櫛型電極、或いは、櫛型電極に電気信号を入出力する引き出し電極、パッド電極等が腐蝕するといった不具合に対する効果が大きいことを言う。この腐蝕の原因については、明確には、分かっていないが、水の浸入により、水中の水素イオンとのイオン化傾向の差により金属が腐蝕する場合や、封止体１や蓋体６に含まれる不純物、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン等により、腐蝕が発生する場合や、これらの不純物が弾性表面波デバイスの製造過程において、活性領域に存在しており、それが水の浸入によりイオン化し腐蝕が発生する場合が考えられる。また、水は、通常、気体の状態で、活性領域に侵入するが、結露により、液体の状態になることもある。なお、図１に示した電子部品において、蓋体６と島状導電体４とは接着剤で接着されていてもよいし、封止体１を構成する樹脂で接着されていてもよい。
【００２０】
次に、図１に示した電子部品とは蓋体が異なる例について、図２を参照しながら説明する。図２において、図１に示す電子部品と同一個所には同一符号を付して詳細な説明を省略する。図２に示す電子部品が図１に示す電子部品と異なる点は、活性領域１１を覆う蓋体の構造にある。即ち、図２に示す電子部品では、活性領域１１は壁状体１０と島状導電体４によって保護されている。この場合、壁状体１０は島状導電体４に圧着されている。このようにすることにより、信頼性を低下させることなく厚さを減じることができる。なお、壁状体１０と島状導電体４とは圧着された状態でもよいし、接着剤を用いて接着されていてもよい。
【００２１】
次に、リード３と封止体１の位置関係を改善した例について、図３（ａ）、図３（ｂ）を参照しながら説明する。これらの図において、図１に示す電子部品と同一個所には同一符号を付して、詳細説明を省略する。図３（ａ）は、リード３及び島状導電体４が封止体１の裏面からは凹んだ位置にあることを特徴とするものである。図３（ａ）に示すように、弾性表面波デバイス５の突起電極７はリード３に接続されており、これらを樹脂封止して封止体１を形成したものである。このような形状とすることにより、リード３の封止体１に対する密着強度は増強される。また、図３（ｂ）は、リード３及び島状導電体４が封止体１の裏面から突出していることを特徴とするものである。このような構造とすることで、上記の例に示す特徴に加えて、回路基板に実装するときにリード間、リードと島状導電体間に空間ができることになり、はんだ短絡を確実に防止することができる。
【００２２】
また、図４に示す電子部品は、リード３の厚さをリード３の端部で厚くしたことを特徴とするものである。図４に示す電子部品が図１に示す電子部品と異なる点は、リード１２が厚みの薄いリード部１２ａと厚みの厚いリード突起部１２ｂから構成されており、薄いリード部１２ａに突起電極７が接続されることになる。このような構成の電子部品では、リード突起部１２ｂがあるためにリード１２と封止体１との密着強度が大きくなる。
【００２３】
図１から図４に示す例において、島状導電体４をリード３のうちの１本に接続した構造とすることにより、島状導電体４を回路基板の接地電極に直接はんだ付けする必要がなくなるため、封止体１へのストレスをなくすことができる。
【００２４】
また、図１から図４に示すように、リード裏面３ａと島状導電体裏面４ａとを同一面とし、かつ封止体裏面２ｂと同一面とすることにより小型・薄型の電子部品を実現でき、また回路基板へのはんだ付けが容易になる。また、リード端面３ｂを封止体１の側面と同一面にすることにより、回路基板への実装時にはんだ流れが容易になり、はんだ付けが容易になると共に、はんだ中のボイド発生を防止することができる。なお、リード３と島状導電体４とを、金を主成分とする材料からなる層または金を主成分とする材料と金以外の金属材料との積層体で構成することにより、突起電極７との接続の信頼性を向上させることができる。
【００２５】
また、本実施の形態においては、島状導電体の大きさ・形状を活性領域、即ち壁状体で囲まれた面積と同じ大きさとして説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、壁状体の頂部を含めての大きさと同等またはそれ以上にしてもよい。まず第１に電磁的効果について考えると、島状導電体の大きさを、活性領域の一部、即ち弾性表面波が伝播する領域にのみ限定しても活性領域と島状導電体との距離が短いために、十分に電磁シールドされることになる。またこのように島状導電体の面積を必要最小限にすることにより電子部品の面積をさらに小さくすることができる。第２に信頼性的な効果について考える。この効果を高めるためには、
・水等の進入経路を長くする
・水等の進入経路における断面積を小さくする
ということが重要となる。従って、島状導電体の大きさは活性領域を覆うことが好ましく、それ以上大きくすることより更に、効果がある。
【００２６】
以下、詳細に説明する。図１（ｂ）に示した構造において、島状導電体４がない場合には、水分の進入は、主に、外部、蓋体６直下の封止体、蓋体６、活性領域という経路で発生する。つまり、蓋体６、及び、蓋体６直下の封止体の厚みが薄いほど進入経路も短くなり、より多くの水分が活性領域に浸入することになる。弾性表面波デバイスを低背化するには、当然、この厚みは小さいほうがよく、そうすると耐湿性も悪くなる。また、耐湿性を重視して、厚みを大きくする場合には、突起電極７を高くしなければならない。
【００２７】
突起電極７は、本実施の形態の場合、金のボールボンディングにより、弾性表面波デバイス上のパッド電極に接続し、その状態で引きちぎることにより形成している。この場合、１回のボールボンディングでは突起電極７の高さを高くすることが困難であり、通常、最終の突起電極７の高さは３０μｍ程度となり、高くした場合でも、４０〜５０μｍにするのが限界となる。複数回ボールボンディングを行い、突起電極７の高さを高くする方法もあるが、これは、弾性表面波デバイスのコストを上げることになる。また、他の方法、例えば、めっき、金属ボールにより、突起電極７を形成した場合でも、コストの引き上げにつながったり、素子の小型化を阻害する要因となる。特に、金属ボールの場合は、ボール径が大きくなり、小型化阻害の影響は大きい。
【００２８】
以上説明したように、島状電極４のない構造では、進入経路を小さくすることが困難である。また、島状電極４がある場合には、前記した外部、蓋体６直下の封止体、蓋体６、活性領域という経路はなくなり、かつ、進入経路における断面積も小さくなり、耐湿性は大きく向上することになる。なお、前記のように、大きな効果を引き出すためには、島状導電体の大きさは活性領域を覆うことが好ましく、それ以上大きくすることが更に、好ましいが、進入経路における断面積を減らすという点で、活性領域に対応する一部に、島状導電体が設けられていても効果はある。また、島状導電体と活性領域との距離が短いほど効果が高く、図２で示した構造がより効果がある。また、当然のことながら、図１の構造において、蓋体６を島状導電体４としても、同様の効果がある。この場合、図１の島状電極４は不要となるが、２重に設けることで、更に、効果は上がる。蓋体６がある場合には、蓋体６と島状電極４の距離が小さいほうがより効果的で、島状電極４と蓋体６が接触している場合が最も効果が高い。
【００２９】
なお、本実施の形態では、島状電極と活性領域の距離を調整するために、突起電極の高さを変えている。例えば、図１（ｂ）の構造では、１回のボールボンディングにより、高さを４０μｍにしたもの、２回ボールボンディングを行い、高さを５０〜６０μｍにしたものなどがあり、図２の構造では、ボールボンディングは一回で高さは２０〜２５μｍとしている。なお、図１から図４に示した弾性表面波デバイス５における蓋体６は、以下のようにして形成される。
【００３０】
まず、圧電基板の上に複数個の弾性表面波デバイスが形成される。次に圧電基板の全面にフィルムレジストを圧着し、露光・現像して活性領域を囲む壁状体を形成する。次に全面にフィルムレジストを圧着し、露光・現像して壁状体の上部を覆う板状体を形成する。このようにして蓋体が形成されるが、図２に示す電子部品では、上記の工程の途中段階のもの、即ち活性領域を囲む壁状体１０のみを形成した弾性表面波デバイス５を用いることになる。
【００３１】
（実施の形態２）
図５（ａ）から図５（ｆ）は本発明の実施の形態２における電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。まず、図５（ａ）に示すように、キャリア１３の上に剥離層１４及び金属層１５を積層した転写形成材を準備する。次に金属層１５の主面にリード３及び島状導電体４を形成するためのレジストパターンを形成した後、レジストパターンをマスクとして金属層１５をエッチングしてリード３、島状導電体４を形成し、図５（ｂ）に示す形状が得られる。
【００３２】
次に、図５（ｃ）に示すように、蓋体６及び突起電極７が形成された弾性表面波デバイス５を所定位置に位置合わせし、突起電極７をリード３に接続する。突起電極７の高さは、接続された後に島状導電体４と蓋体６とが圧着されるか、または間隙ができる程度に設定しておく。なお蓋体６と島状導電体４とは接着剤で接着してもよい。
【００３３】
次に、図５（ｄ）に示すように、全体を樹脂１ｃで封止する。この樹脂１ｃは蓋体６と島状導電体４の間に流れ込んでもよいし、その部分が空隙になっていてもよい。その後、リード３、樹脂１ｃ及び島状導電体４から剥離層１４及びキャリア１３を剥離し、図５（ｅ）に示す形状が得られる。次に、仮想分割線１７に沿って、樹脂１ｃ及びリード３を切断することによって、図５（ｆ）に示す形状が得られる。即ち、弾性表面波デバイス５の突起電極５がリード３に接続され、リード３の端面は封止体１の側面に露出しており、リード３の裏面及び島状導電体４の裏面は封止体１の裏面と同一面にある。
【００３４】
このようにして、３層構造の転写形成材を用いて容易に小型・薄型で寸法精度がよく、かつ弾性表面波デバイスの活性領域が電磁的にシールドされ、活性領域への水の浸入を防止した高信頼性の電子部品を製造することができる。なお、この場合、少なくとも剥離層１４を導電性材料としておくことにより、独立して形成されたリード３も剥離層１４を剥離するまでは共通接続されることになり、製造工程での静電気破壊や特に突起電極７の接合時や樹脂１ｃの硬化時などデバイスが加熱されたときに発生しやすい焦電破壊を防止することができる。
【００３５】
なお、図５（ｂ）に示す工程を、図６（ａ）から図６（ｃ）に示す工程でおきかえることにより、リード３及び島状導電体４を剥離層１４からさらに容易に剥離することができる。まず、図６（ａ）に示すように、キャリア１３、剥離層１４及び金属層１５からなる転写形成材を準備し、金属層１５の主面にレジストパターン１６を形成する。次に、図６（ｂ）に示すように、レジストパターン１６をマスクにして、金属層１５、剥離層１４をエッチングし、さらにキャリア１３の表層までエッチングしてエッチング溝１８を形成する。
【００３６】
次に、レジストパターン１６を除去した形状を図６（ｃ）に示したが、以降は図５（ｃ）以下の工程を実行することになる。このような工程によって、リード３及び島状導電体４を剥離層１４から容易に剥離することができる。また、この場合には、剥離層１４とキャリア１３の両方を導電性材料で構成しておくことにより、キャリア１３の表層まで到達するエッチング溝１８を形成したとしても、剥離層１４を通してキャリア１３に導通しているため、各リードが共通接続されることになり、製造工程中の静電気破壊や焦電破壊を防止することができる。
【００３７】
また、図５（ｃ）で示した活性領域を蓋体６で保護した弾性表面波デバイス５の代わりに、活性領域が蓋のない壁状体で囲まれた弾性表面波デバイスを用いても、同様にして電子部品を製造することができる。この場合は、壁状体の頂部を島状導電体に圧着してもよいし、壁状体の頂部または島状導電体の少なくともいずれかに接着剤を塗布しておき、突起電極をリードに接続する工程で同時に接着してもよい。また、この製造方法において使用する弾性表面波デバイスは弾性表面波デバイスの製造工程を簡略化できるため、工程歩留りが向上すると共に製造コストを低減できる。
【００３８】
（実施の形態３）
図７（ａ）から図７（ｆ）は本発明の実施の形態３における電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。まず、図７（ａ）に示すように、キャリア１３の上に剥離層１４及び金属層１５を積層した転写形成材を準備し、その上に後に形成するリードとは逆のレジストパターン（以下、逆レジストパターンという）１９を形成する。次に逆レジストパターン１９をマスクにしてめっき層２０を形成する。次に逆レジストパターン１９を除去し、めっき層をマスクとして金属層１５をエッチングすることによって、図７（ｂ）に示すように、めっき層３ｄと金属層３ｅからなるリード３、めっき層４ｄと金属層４ｅからなる島状導電体４が形成される。
【００３９】
次に、図７（ｃ）に示すように、弾性表面波デバイス５の突起電極７をリード３に接続する。突起電極７の高さは、接続された後に島状導電体４と蓋体６とが圧着されるか、または間隙ができる程度に設定しておく。なお、蓋体６と島状導電体４とは接着剤で接着してもよい。次に、図７（ｄ）に示すように、全体を樹脂１ｃで封止する。この樹脂１ｃは蓋体６と島状導電体４の間に流れ込んでもよいし、その部分が空隙になっていてもよい。その後、リード３、樹脂１ｃ及び島状導電体４から剥離層１４及びキャリア１３を剥離し、図７（ｅ）に示す形状が得られる。
【００４０】
次に、仮想分割線１７に沿って、樹脂１ｃ及びリード３を切断することによって、図７（ｆ）に示す形状が得られる。この場合、めっき層２０の材料として突起電極７との接合性のよい金属、例えば金などを用いることにより、突起電極７とリード３との接合が容易になり、信頼性も向上する。このようにして、３層構造の転写形成材を用いて容易に小型・薄型で寸法精度がよく、かつ弾性表面波デバイスの活性領域が電磁的にシールドされ、活性領域への水の浸入を防止した高信頼性の電子部品を製造することができる。なお、この場合、少なくとも剥離層１４を導電性材料としておくことにより、独立して形成されたリード３も剥離層１４を剥離するまでは共通接続されることになり、製造工程での静電気破壊や特に突起電極７の接合時や樹脂１ｃの硬化時などデバイスが加熱されたときに発生しやすい焦電破壊を防止することができる。
【００４１】
なお、図７（ｂ）に示す工程を、図８（ａ）から図８（ｄ）に示す工程でおきかえることにより、リード３及び島状導電体４を剥離層１４からさらに容易に剥離することができる。まず、図８（ａ）に示すように、キャリア１３、剥離層１４及び金属層１５からなる転写形成材を準備し、金属層１５の主面に逆レジストパターン１９を形成する。次に図８（ｂ）に示すように、逆レジストパターン１９をマスクにして、めっき層２０を形成する。次に逆レジストパターン１９を除去した後、めっき層２０をマスクにして金属層１５、剥離層１４をエッチングし、さらにキャリア１３の表層までエッチングして図８（ｄ）に示すエッチング溝２１を形成する。
【００４２】
これ以降は、図５（ｃ）以下の工程を実行することになる。このような工程によって、リード３及び島状導電体４を剥離層１４から容易に剥離することができる。またこの場合には、剥離層１４とキャリア１３の両方を導電性材料で構成しておくことにより、キャリア１３の表層まで到達するエッチング溝２１を形成したとしても、剥離層１４を通してキャリア１３に導通しているため、各リードが共通接続されることになり、製造工程中の静電気破壊や焦電破壊を防止することができる。
【００４３】
また、図７（ｃ）で示した活性領域を蓋体６で保護した弾性表面波デバイス５の代わりに、活性領域が蓋のない壁状体で囲まれた弾性表面波デバイスを用いても、同様にして電子部品を製造することができる。この場合は、壁状体の頂部を島状導電体に圧着してもよいし、壁状体の頂部または島状導電体の少なくともいずれかに接着剤を塗布しておき、突起電極をリードに接続する工程で同時に接着すればよいことになる。また、この製造方法において使用する弾性表面波デバイスは弾性表面波デバイスの製造工程を簡略化できるため、工程歩留りが向上すると共に製造コストを低減できる。
【００４４】
（実施の形態４）
図９（ａ）から図９（ｇ）は本発明の実施の形態４における電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。まず図９（ａ）に示すように、キャリア１３の上に剥離層１４及び金属層１５を積層した転写形成材を準備し、その上に後にリード突起部１２ｂとなる領域を覆う第１のレジストパターン２２を形成する。この場合、金属層１５としてはリード突起部１２ｂを形成し、さらにリード部１２ａを形成できるだけの厚さが必要である。
【００４５】
次に、第１のレジストパターン２２をマスクにして、金属層１５を途中までエッチングし、図９（ｂ）に示すように、リード突起部１２ｂを形成する。この工程は金属層１５の途中でエッチングを止める必要があるが、エッチャント及びエッチング時間を制御することによって達成できる。次に第１のレジストパターン２２を除去し、リード部１２ａを形成するための第２のレジストパターン２３を形成する。この第２のレジストパターン２３はリード突起部１２ｂをも覆って形成しておく。次に第２のレジストパターン２３をマスクにして金属層１５の残り部分をエッチングし、図９（ｃ）に示すように、リード１２と島状導電体４を形成する。
【００４６】
次に、図９（ｄ）に示すように、厚さの薄いリード部１２ａに弾性表面波デバイス５の突起電極７を接続する。突起電極７の高さは、接続された後に島状導電体４と蓋体６とが圧着されるか、または間隙ができる程度に設定しておく。次に、図９（ｅ）に示すように全体を樹脂１ｃで封止した後、剥離層１４とキャリア１３をリード１２から剥離して図９（ｆ）の形状が得られる。次に、仮想切断線１７に沿って樹脂１ｃ及びリード１２を切断し、図９（ｇ）に示すように個々の電子部品に分割する。
【００４７】
このようにして、リード１２の端部に肉厚部を有し、小型・薄型で寸法精度がよく、かつ弾性表面波デバイスの活性領域が電磁的にシールドされ、活性領域への水の浸入を防止した高信頼性の電子部品を容易に製造することができる。この場合、少なくとも剥離層１４を導電性材料としておくことにより、独立して形成されたリード１２も剥離層１４を剥離するまでは共通接続されることになり、製造工程での静電気破壊や特に突起電極７の接合時や樹脂１ｃの硬化時などデバイスが加熱されたときに発生しやすい焦電破壊を防止することができる。
【００４８】
なお、この場合も、図９（ｃ）に示す工程で、第２のレジストパターン２３をマスクにして金属層１５のみでなく、剥離層１４及びキャリア１３の表層までをエッチングすることにより、リード１２及び島状導電体４を剥離層１４から容易に剥離することができる。この場合には、剥離層１４とキャリア１３の両方を導電性材料で構成しておくことにより、キャリア１３の表層まで到達するエッチング溝を形成したとしても、剥離層１４を通してキャリア１３に導通しているため、各リードが共通接続されることになり、製造工程中の静電気破壊や焦電破壊を防止することができる。
【００４９】
また、図９（ｄ）で示した活性領域を蓋体６で保護した弾性表面波デバイス５の代わりに、活性領域が蓋のない壁状体で囲まれた弾性表面波デバイスを用いても、同様にして電子部品を製造することができる。この場合は、壁状体の頂部を島状導電体に圧着するか、壁状体の頂部または島状導電体の少なくともいずれかに接着剤を塗布しておき、突起電極をリードに接続する工程で同時に接着すればよいことになる。また、この製造方法において使用する弾性表面波デバイスは弾性表面波デバイスの製造工程を簡略化できるため、工程歩留りが向上すると共に製造コストを低減できる。
【００５０】
（実施の形態５）
図１０（ａ）から図１０（ｇ）は本発明の実施の形態５における電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。まず、図１０（ａ）に示すように、キャリア１３の上に剥離層１４及び第１の金属層１５ａ及び第１の金属層１５ａとはエッチングレート及びエッチャントの少なくともいずれかが異なる第２の金属層１５ｂを積層した転写形成材を準備し、その上に後にリード突起部１２ｂとなる領域を覆う第１のレジストパターン２２を形成する。
【００５１】
次に、図１０（ｂ）に示すように、第１のレジストパターン２２をマスクとして第２の金属層１２ｂをエッチングし、リード突起部１２ｂを形成する。その後、第１のレジストパターン２２を除去し、図１０（ｃ）に示すように第２のレジストパターン２３を形成する。第２のレジストパターン２３はリード突起部１２ｂとリード部１２ａとを覆うように形成されている。この第２のレジストパターンをマスクとして第１の金属層１５ａをエッチングし、リード部１２ａ及び島状導電体４を形成する。第２のレジストパターン２３を除去した後、図１０（ｄ）に示すように、リード部１２ａに弾性表面波デバイス５の突起電極７を接続する。突起電極７の高さは、接続された後に島状導電体４と蓋体６とが圧着されるか、または間隙ができる程度に設定しておく。なお、蓋体６と島状導電体４とは接着剤で接着してもよい。
【００５２】
次に、図１０（ｅ）に示すように全体を樹脂１ｃで封止する。この樹脂１ｃは蓋体６と島状導電体４の間に流れ込んでもよいし、その部分が空隙になっていてもよい。その後、リード１２、樹脂１ｃ及び島状導電体４から剥離層１４及びキャリア１３を剥離して図１０（ｆ）に示す形状が得られる。次に、仮想分割線１７に沿って樹脂１ｃとリード１２とを切断し、図１０（ｇ）に示すように個々の電子部品に分割する。この場合、少なくとも剥離層１４を導電性材料としておくことにより、独立して形成されたリード１２も剥離層１４を剥離するまでは共通接続されることになり、製造工程での静電気破壊や特に突起電極７の接合時や樹脂１ｃの硬化時などデバイスが加熱されたときに発生しやすい焦電破壊を防止することができる。
【００５３】
なお、この場合も、図１０（ｃ）に示す工程で、第２のレジストパターン２３をマスクにして金属層１５のみでなく、剥離層１４及びキャリア１３の表層までをエッチングすることにより、リード１２及び島状導電体４を剥離層１４から容易に剥離することができる。なお、この場合には、剥離層１４とキャリア１３の両方を導電性材料で構成しておくことにより、キャリア１３の表層まで到達するエッチング溝を形成したとしても、剥離層１４を通してキャリア１３に導通しているため、各リードが共通接続されることになり、製造工程中の静電気破壊や焦電破壊を防止することができる。
【００５４】
また、図１０（ｄ）で示した活性領域を蓋体６で保護した弾性表面波デバイス５の代わりに、活性領域が蓋のない壁状体で囲まれた弾性表面波デバイスを用いても、同様にして電子部品を製造することができる。この場合は、壁状体の頂部を島状導電体に圧着してもよいし、壁状体の頂部または島状導電体の少なくともいずれかに接着剤を塗布しておき、突起電極をリードに接続する工程で同時に接着すればよいことになる。また、この製造方法において使用する弾性表面波デバイスは弾性表面波デバイスの製造工程を簡略化できるため、工程歩留りが向上すると共に製造コストを低減できる。
【００５５】
以上説明した実施の形態２から実施の形態５に示す電子部品の製造方法に関係して、弾性表面波デバイス５の活性領域を保護する蓋体６と島状導電体４とを接着剤を用いて接着する例について、図１１（ａ）から図１１（ｄ）を用いて説明する。例えば、図１０（ａ）から図１０（ｃ）の工程を終了した転写形成材を用い、図１１（ａ）に示すように、弾性表面波デバイス５の蓋体６の表面に接着剤８を塗布する。この例では、接着剤８を蓋体６側に塊状に塗布した例を示しているが、接着剤８は島状導電体４または島状導電体４と蓋体６の両方に塗布してもよい。この状態で、突起電極７とリード１２とを接合すると同時に接着剤８で蓋体６と島状導電体４とを接着する。
【００５６】
次に、図１１（ｂ）に示すように全体を樹脂１ｃで封止した後、リード１２を剥離層１４から剥離し、図１１（ｃ）の形状を得る。次に、仮想分割線１７に沿って樹脂１ｃとリード１２とを切断し、図１１（ｄ）に示す個々の電子部品に分割する。図１１に示す例では、リード１２として端部に厚さの厚い領域を有するリードを用いた例について説明したが、リードの形状にはかかわりなく適用できるものである。
【００５７】
また、実施の形態２から実施の形態５に示す電子部品の製造方法おいては、リードをそれぞれ独立して形成した例について説明したが、リード群内では各リードが独立し、隣接するリード群間で隣接するリード間は接続した状態で一体的にリードを形成しておき、個々の電子部品に分割する際に切断分離してもよい。この例について、図１２（ａ）、図１２（ｂ）を用いて説明する。
【００５８】
図１２（ａ）は、図１０（ｃ）でリード及び島状導電体を形成する工程の後の状態を示す斜視図である。キャリア１３の上に剥離層１４が積層されており、その上にリードが形成されている。簡単のためにテープ状のキャリア１３の長さ方向に複数個の端子群を並べた例を示したが、縦横に複数個のリード群を並べた場合でも同様である。
【００５９】
リード部１２ａは隣接するリード群において、互いに連結されて一体的に形成されたリード、リード部１２ｃは隣接するリード群のないリードである。リード部１２ａの中間部にはリード突起部１２ｂが、リード部１２ｃの端部にはリード突起部１２ｄが形成されている。リード突起部１２ｂは隣接するリード群の境界に形成されており、樹脂で封止した後に仮想切断線１７ａで切断することにより、リードの端部に厚さの厚い部分が形成されることになる。
【００６０】
この場合に、仮想切断線１７ａと仮想切断線１７ｂで囲まれた領域が１個の電子部品となる領域である。図１２（ａ）に弾性表面波デバイスを搭載し、樹脂で封止した例を図１２（ｂ）に示したが、仮想切断線１７ａで樹脂１ｃとリード１２をリード部１２ａで切断することにより、個々の電子部品に分割することができる。このように隣接するリード群で互いにリードを連結して一体的に形成することにより、キャリア上で面積当たりの弾性表面波デバイス搭載個数が増加し、また、リード切断時の材料損失も少なくて済むことから、コストを低減することができる。なお、隣接するリード群を連結することについては、図１２に示した例にとどまらず、リード突起部を有しない形状、即ち実施の形態２または実施の形態３に適用して同様の効果が得られるものである。
【００６１】
（実施の形態６）
図１３（ａ）から図１３（ｇ）は本発明の実施の形態６における電子部品の製造方法を説明するための工程断面図である。なお、これらの図は、実施の形態２から実施の形態５に用いた図面と容易に対比できるように、工程中の圧電基板とは上下を逆にして示している。まず図１３（ａ）に示すように、主面に活性領域２４ａを備えた多数個の弾性表面波デバイスが形成された圧電基板２４を準備する。
【００６２】
次に、図１３（ｂ）に示すように、活性領域２４ａを保護するための蓋体６を形成する。蓋体６は、実施の形態２から実施の形態５で説明したのと同様、フィルムレジストを用いて壁状体と蓋とから形成する。次に、図１３（ｃ）に示すように、弾性表面波デバイスの電極パッド（図示せず）上に突起電極７を形成する。次に図１３（ｄ）に示すように、圧電基板２４の主面に蓋体６及び突起電極７が隠れる程度で樹脂１ｃを塗布し、硬化する。この場合、ディスペンサーによる塗布、またはスピンコートによる塗布で樹脂１ｃを形成することができる。次に図１３（ｅ）に示すように、樹脂１ｃを研削して突起電極７の表面を樹脂１ｃの表面から露出させる。
【００６３】
次に、図１３（ｆ）に示すように、突起電極７と一部が重なったリード３及び島状導電体４を形成する。その後、仮想切断線１７に沿って、リード３及び樹脂１ｃを切断して、図１３（ｇ）に示すように、リード３及び島状導電体４が封止体１の裏面から突出した形状の電子部品が得られる。図１３（ｆ）に示したリード３及び島状導電体４は下記のようにして形成することができる。
【００６４】
まず、工程（ｅ）が終了した後、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法などによって、樹脂１ｃの全面に導電性薄膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー技術により、リード３及び島状導電体４をパターニングする。本実施の形態では、全面に感光性レジスト層を形成し、露光・現像してレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして導電性薄膜をエッチングしてリード３及び島状導電体４を形成する。なお、本実施の形態では、リード３及び島状導電体４のパターニングにフォトリソグラフィー技術を用いたが、工程（ｅ）の終了後、メタルマスクを用いて、導電性薄膜をパターニングしても良い。メタルマスクを用いた場合は、工程が簡略化され、製造コストを下げることできる。どちらの工法を選ぶかは、形成するリード３及び島状導電体４の形状、大きさ、精度により、決めればよい。例えば、本実施の形態の場合、隣接するリード３の間隔が０．３ｍｍ〜０．４ｍｍと小さいため、フォトリソグラフィー技術を用いた。
【００６５】
また、リード３及び島状導電体４の形成方法として、めっきによる方法を用いても良い。例えば、樹脂１ｃの全面に感光性のドライフィルムレジストをラミネートし、フォトリソグラフィー技術により、めっき膜を形成する部分に相当するドライフィルムレジストを除去する。次に、パラジウム等の金属材料による核づけを行い、銅等の材料をめっきする。なお、めっきの材料は、銅の他に、ニッケル、金、銀、錫、半田等を用いてもよく、また、それらの材料を積層した構造としても良い。要は、樹脂１ｃ側のめっき材料は、樹脂１ｃとの密着性がよく、２次実装時、或いは、実装後に剥離しないものを選べばよい。
【００６６】
また、外側の材料は、２次実装時の接続信頼性の高い材料を選べばよい。例えば、２次実装を半田リフローにより行うと、半田濡れ性の高い、銅、金、銀、すず、半田等から選ぶことが好ましい。なお、めっきによる方法で、リード３及び島状導電体４を形成することにより、容易に厚膜化が可能となり、２次実装が容易になる、２次実装後の接続信頼性が増すという効果がある。
【００６７】
また、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、無電解めっき法などにより、下地電極を形成した後、その上から更に、めっきを行っても良い。この場合、電解めっき法を用いることができ、更なる厚膜化が可能となり、膜の形成時間も減り、製造コストを下げることができる。また、膜の緻密度もあがり、水分等の遮断性が向上し、耐湿性も向上する。
【００６８】
また、リード３及び島状導電体４の形成方法として、導電性樹脂を印刷により、塗布、硬化させる方法を用いてもよい。例えば、リード３及び島状導電体４を形成する部分に相当するようにマスクの開口部が設けられたメタルマスクを樹脂１ｃの面にセッティングし、固定する。次に、導電性樹脂をメタルマスク上に適量、配置し、スキージにより樹脂１ｃ面に塗布する。塗布後は、メタルマスクを取り去り、加熱硬化させる。また、導電性樹脂中の金属材料は、通常、高い導電率を持つもの、例えば、金、銀、銅、パラジウム、白金、アルミニウム、鉄、ニッケル或いは、それらの合金、或いは、積層構造のものが選ばれるが、２次実装工程を半田リフローで行う場合は、半田により、形成したリード３が侵食され、電気的に開放状態となるのを防ぐため、銅を主成分とする金属材料を選ぶことが好ましい。また、銅の表面に金等の半田濡れ性の良好な材料がコートされているとより好ましい。
【００６９】
また、突起電極７との電気的な信頼性を高くし、電気的に開放状態となるのを防ぐようにするために、下地層として、薄膜を用い、その上に導電性樹脂を設けた方がより好ましい。下地層の形成方法としては、前記した電子ビーム、或いは、抵抗加熱による真空蒸着法やスパッタリング、イオンプレーティングなどの方法を用いることができる。また、めっきキ法を用いても良い。また、耐湿性からみても、下地層をつけた方が、水分等の遮断性は増す。
【００７０】
本実施の形態の製造方法により、電磁的、信頼性的に優れた弾性表面波デバイスをウエハレベルで容易に製造することが可能となり、大幅にコストを下げることが可能となる。
【００７１】
（実施の形態７）
図１４は本発明の実施の形態１における電子部品を用いて製造した電子回路装置の一例である。回路基板２５の主面には電極端子２６、接地電極２７が形成されている。封止体１の底面にリード３の底面が、封止体１の側面にはリード３の端面が露出し、内部に弾性表面波デバイス５を収容した電子部品が回路基板上に実装されている。電子部品のリード３は電極端子２６に、電子部品の島状導電体４は接地電極２７にそれぞれはんだ２８で接続されている。
【００７２】
このように、島状導電体４を回路基板２５の接地電極２７に接続することにより、島状導電体４が弾性表面波デバイス５の活性領域を電磁的にシールドすることになり、特に高周波回路では有効となる。さらには、弾性表面波デバイス５の活性領域が島状導電体４で保護されることになるため、信頼性の高い電子回路装置を実現することができる。
【００７３】
なお、実施の形態２から実施の形態７において、島状導電体４がリード３から独立した形状として示しているが、リード３及び島状導電体４を形成する工程において、パターンを変更することにより、島状導電体４をリード３に接続した形状を得ることができる。
【００７４】
【発明の効果】
本発明の電子部品は、活性領域が中空の蓋体で保護され、電極パッドに突起電極が形成された弾性表面波デバイスと、蓋体の主面が接着された島状導電体と、突起電極が一主面に接続されたリードと、弾性表面波デバイスと島状導電体とリードとを樹脂封止して形成した封止体とを有し、かつリードの他方主面及び島状導電体の他方主面は封止体の裏面に露出していることを特徴とするもので、回路基板に実装したとき島状導電体が電磁シールドとなって低雑音、低不要輻射の回路を実現でき、実装時の高さの均一性及び実装位置精度を向上させることができる。また、本発明の電子部品では、活性領域に対向して島状導電体を設けており、蓋体と島状導電体の間で封止樹脂の厚さが薄くても、活性領域への水の浸入を島状導電体で防止できるため、高信頼性を実現できるものである。
【００７５】
また、本発明の電子部品の製造方法は、キャリア上に剥離層、金属層を積層した転写形成材を用い、金属層でリードを形成し、弾性表面波デバイスの突起電極をリードに接続した後、全体を樹脂で封止し、リードと樹脂を切断して個々の電子部品とするもので、寸法精度の高い薄型・小型の電子部品を容易に製造できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態１における電子部品の斜視図
（ｂ）は同図（ａ）をＡ−Ｂ線で切断した断面図
【図２】本発明の実施の形態１における電子部品とは蓋体が異なる例を説明する断面図
【図３】（ａ）は本発明の実施の形態１におけるリードと封止体の位置関係を改良した例を説明する断面図
（ｂ）は本発明の実施の形態１におけるリードと封止体の位置関係を改良した第２の例を説明する断面図
【図４】本発明の実施の形態１における電子部品のリードを改良した例を説明する断面図
【図５】本発明の実施の形態２における電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図６】本発明の実施の形態２の一部工程を改良した電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図７】本発明の実施の形態３における電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図８】本発明の実施の形態３の一部工程を改良した電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図９】本発明の実施の形態４における電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図１０】本発明の実施の形態５における電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図１１】本発明の実施の形態２から実施の形態５における電子部品の製造方法の一部工程を改良した製造方法を説明する工程断面図
【図１２】（ａ）は、本発明の実施の形態５における電子部品の製造方法の一部工程を説明する斜視図
（ｂ）は、同製造方法を説明する断面図
【図１３】本発明の実施の形態６における電子部品の製造方法を説明する工程断面図
【図１４】本発明の実施の形態７における電子回路装置の要部断面図
【図１５】（ａ）は、従来の電子部品の一例を示す断面図
（ｂ）は、従来の電子部品の他の例を示す断面図
【符号の説明】
１ 封止体
２ａ 封止体表面
２ｂ 封止体裏面（封止体底面）
３ リード
３ａ リード裏面（リードの他方主面）
３ｂ リード端面
３ｃ リード主面（リードの一主面）
４ 島状導電体
４ａ 島状導電体裏面（島状導電体の他方主面）
５ 弾性表面波デバイス
６ 蓋体
７ 突起電極
Claims (23)
- 活性領域が壁状体とその上部に設けられた蓋からなる中空の蓋体で保護され、電極パッドに突起電極が形成された弾性表面波デバイスと、壁状体で囲まれた活性領域に主面を対向して配置された島状導電体と、前記突起電極が一主面に接続されたリードと、前記弾性表面波デバイスと前記島状導電体と前記リードとを樹脂封止して形成した封止体とを有し、前記リードの他方主面及び前記島状導電体の他方主面は前記封止体の裏面に露出していることを特徴とする電子部品。
- 蓋体の蓋と島状導電体とが接着剤によって接着されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
- 蓋体の蓋と島状導電体とが封止樹脂によって接着されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
- 活性領域が壁状体で囲まれて保護され、電極パッドに突起電極が形成された弾性表面波デバイスと、壁状体で囲まれた活性領域に主面を対向して配置された島状導電体と、前記突起電極が一主面に接続されたリードと、前記弾性表面波デバイスと前記島状導電体と前記リードとを樹脂封止して形成した封止体とを有し、前記リードの他方主面及び前記島状導電体の他方主面は前記封止体の裏面に露出しており、
前記壁状体の頂部が前記島状導電体に圧着されているか、もしくは前記壁状体の頂部及び前記島状導電体の少なくともいずれかに塗布された接着剤によって前記壁状体が前記島状導電体に接着されていることを特徴とする電子部品。 - リードの他方主面及び島状導電体の他方主面が同一面にあることを特徴とする請求項１または請求項４に記載の電子部品。
- リードの他方主面及び島状導電体の他方主面が封止体の裏面と同一面にあることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
- リードの他方主面及び島状導電体の他方主面が封止体の裏面より凹んだ位置にあることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
- リードの他方主面及び島状導電体の他方主面が封止体の裏面より突出していることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
- リードの厚さが、突起電極が接合される領域より外側でその他の領域より厚いことを特徴とする請求項１または請求項４に記載の電子部品。
- 島状導電体が少なくとも一つのリードに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または請求項４に記載の電子部品。
- リード及び島状導電体が、金を主成分とする材料からなる層または金を主成分とする材料と金以外の金属材料との積層体で構成されていることを特徴とする請求項１または請求項４に記載の電子部品。
- キャリアの主面に剥離層と金属層とをこの順に形成した転写形成材の前記金属層の表面にリード及び島状導電体を形成するためのレジストパターンを形成する第１の工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記金属層をエッチングし、複数個のリードと島状導電体からなる複数個のリード群を形成した後前記レジストパターンを除去する第２の工程と、
活性領域が壁状体とその上部に設けられた蓋からなる中空の蓋体で保護され、電極パッドに突起電極が形成された弾性表面波デバイスの前記突起電極をリードの一主面に接続する第３の工程と、
前記弾性表面波デバイス、前記島状導電体及び前記リードを樹脂で封止する第４の工程と、
前記リード、前記島状導電体及び前記樹脂を剥離層から剥離する第５の工程と、
前記樹脂と前記リードとを切断して弾性表面波デバイスを収納した個々の電子部品とする第６の工程を有する電子部品の製造方法。 - 剥離層及びキャリアのうち、少なくとも剥離層が導電性材料で構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の電子部品の製造方法。
- 第２の工程において、レジストパターンをマスクとして金属層だけではなく、剥離層及びキャリアの表層をもエッチングすることを特徴とする請求項１２に記載の電子部品の製造方法。
- 剥離層及びキャリアが導電性材料で形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の電子部品の製造方法。
- 第２の工程において、一つのリード群を構成するリードの先端が隣接する他のリード群のリードの先端と連続して一体的に形成されることを特徴とする請求項１２に記載の電子部品の製造方法。
- 第３の工程において、蓋体の主面と島状導電体とが蓋体の主面及び島状導電体の少なくとも一方に塗布された接着剤で接着されることを特徴とする請求項１２に記載の電子部品の製造方法。
- 活性領域が壁状体と蓋からなる中空の蓋体で覆われた弾性表面波デバイスの代わりに、活性領域が壁状体で囲まれた弾性表面波デバイスを用い、第３の工程において前記壁状体の頂部を島状導電体に圧着することを特徴とする請求項１２に記載の電子部品の製造方法。
- 活性領域が壁状体と蓋からなる中空の蓋体で覆われた弾性表面波デバイスの代わりに、活性領域が壁状体で囲まれた弾性表面波デバイスを用い、第３の工程において前記壁状体の頂部または島状導電体の少なくともいずれかに塗布した接着剤によって両者を接着することを特徴とする請求項１２に記載の電子部品の製造方法。
- キャリアの主面に剥離層と金属層とをこの順に形成した転写形成材の前記金属層の表面に後に形成するリード及び島状導電体とは逆のパターンを備えたレジストパターンを形成する第１の工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記金属層の露出した表面に前記金属層とはそのエッチャント及びエッチングレートの少なくとも一つが異なる金属からなるめっき層を形成した後前記レジストパターンを除去する第２の工程と、
前記めっき層をマスクとして前記金属層をエッチングし、複数個のリードと島状導電体とからなる複数個のリード群を形成する第３の工程と、
活性領域が壁状体とその上部に設けられた蓋からなる中空の蓋体で保護され、電極パッドに突起電極が形成された弾性表面波デバイスの前記突起電極をリードの一主面に接続する第４の工程と、
前記弾性表面波デバイス、前記島状導電体及び前記リードを樹脂で封止する第５の工程と、
前記リード、前記島状導電体及び前記樹脂を剥離層から剥離する第６の工程と、
前記樹脂と前記リードとを切断して弾性表面波デバイスを収納した個々の電子部品とする第７の工程を有する電子部品の製造方法。 - キャリアの主面に剥離層、金属層をこの順に形成した転写形成材の表面に第１のレジストパターンを形成する第１の工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記金属層を厚さ方向に一定の深さまでエッチングし、後工程で切断位置となる領域に突起部を形成した後第１のレジストパターンを除去する第２の工程と、
島状導電体及び前記突起部を有するリードを形成するための第２のレジストパターンを形成する第３の工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクとして前記金属層をエッチングし、島状導電体とリードからなる複数のリード群を形成した後前記第２のレジストパターンを除去する第４の工程と、
活性領域が壁状体と蓋からなる中空の蓋体で保護され、電極パッドに突起電極が形成された弾性表面波デバイスの前記突起電極をリードの一主面に接続する第５の工程と、
前記弾性表面波デバイス、前記島状導電体及び前記リードを樹脂で封止する第６の工程と、
前記リード、前記島状導電体及び前記樹脂を剥離層から剥離する第７の工程と、
前記樹脂と前記リードを前記突起部の位置で切断して弾性表面波デバイスを収納した個々の電子部品とする第８の工程を有する電子部品の製造方法。 - キャリアの主面に剥離層、第１の金属層及び前記第１の金属層とはエッチャント及びエッチングレートの少なくとも一方が異なる第２の金属層をこの順に形成した転写形成材の表面に第１のレジストパターンを形成する第１の工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第２の金属層をエッチングし、後工程で切断位置となる領域に突起部を形成した後前記第１のレジストパターンを除去する第２の工程と、
前記突起部を有するリード及び島状導電体を形成するための第２のレジストパターンを形成する第３の工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクにして前記第１の金属層をエッチングし、島状導電体とリードからなる複数のリード群を形成した後前記第２のレジストパターンを除去する第４の工程と、
活性領域が壁状体と蓋からなる中空の蓋体で保護され、電極パッドに突起電極が形成された弾性表面波デバイスの前記突起電極をリードの一主面に接続する第５の工程と、
前記弾性表面波デバイス、前記島状導電体及び前記リードを樹脂で封止する第６の工程と、
前記リード、前記島状導電体及び前記樹脂を剥離層から剥離する第７の工程と、
前記樹脂と前記リードを前記突起部の位置で切断して弾性表面波デバイスを収納した個々の電子部品とする第８の工程を有する電子部品の製造方法。 - 圧電基板の主面に多数個の弾性表面波素子を形成する第１の工程と、
前記弾性表面波素子の活性領域を覆って壁状体とその上部に設けられた蓋からなる中空の蓋体を形成する第２の工程と、
前記弾性表面波素子の電極パッドに突起電極を形成する第３の工程と、
前記圧電基板の主面に少なくとも前記突起電極及び前記蓋体を覆って樹脂を塗布し硬化して封止体を形成する第４の工程と、
前記樹脂を研磨または研削して突起電極を露出させる第５の工程と、
一部が前記突起電極覆うリードと前記活性領域に対向する島状導電体とを形成する第６の工程と、
前記圧電基板、前記樹脂を切断して弾性表面波素子を収納した個々の電子部品とする第７の工程とを有する電子部品の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001147377A JP4507452B2 (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 電子部品、その製造方法及び電子回路装置 |
| EP02711321.6A EP1361657B1 (en) | 2001-02-06 | 2002-02-06 | Surface acoustic wave device |
| PCT/JP2002/000949 WO2002063763A1 (fr) | 2001-02-06 | 2002-02-06 | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface, procede de fabrication associe, et dispositif a circuit electronique |
| CNB028030648A CN1221076C (zh) | 2001-02-06 | 2002-02-06 | 弹性表面波装置及其制造方法及电子电路装置 |
| US10/399,305 US6969945B2 (en) | 2001-02-06 | 2002-02-06 | Surface acoustic wave device, method for manufacturing, and electronic circuit device |
| US11/220,815 US7246421B2 (en) | 2001-02-06 | 2005-09-07 | Method for manufacturing surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001147377A JP4507452B2 (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 電子部品、その製造方法及び電子回路装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002344283A JP2002344283A (ja) | 2002-11-29 |
| JP2002344283A5 JP2002344283A5 (ja) | 2008-01-31 |
| JP4507452B2 true JP4507452B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=18992874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001147377A Expired - Fee Related JP4507452B2 (ja) | 2001-02-06 | 2001-05-17 | 電子部品、その製造方法及び電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4507452B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005076351A1 (ja) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 部品内蔵モジュールおよびその製造方法 |
| JP4811232B2 (ja) * | 2005-11-02 | 2011-11-09 | パナソニック株式会社 | 電子部品パッケージ |
| JP4936953B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2012-05-23 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP4906557B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2012-03-28 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置の製造方法 |
| JP5285289B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2013-09-11 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置およびその製造方法 |
| US8829685B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-09-09 | Semiconductor Components Industries, Llc | Circuit device having funnel shaped lead and method for manufacturing the same |
| JP4589450B1 (ja) * | 2009-08-13 | 2010-12-01 | 株式会社ＳＫＬｉｎｋ | 回路基板の製造方法 |
| CN103444077B (zh) * | 2011-03-22 | 2016-10-19 | 株式会社村田制作所 | 电子部件模块的制造方法及电子部件模块 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000261284A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP2000323603A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Nec Corp | 半導体回路装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10270975A (ja) * | 1996-03-08 | 1998-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品とその製造方法 |
| JP3514361B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2004-03-31 | Ｔｄｋ株式会社 | チップ素子及びチップ素子の製造方法 |
-
2001
- 2001-05-17 JP JP2001147377A patent/JP4507452B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000261284A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP2000323603A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Nec Corp | 半導体回路装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002344283A (ja) | 2002-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6969945B2 (en) | Surface acoustic wave device, method for manufacturing, and electronic circuit device | |
| KR100543481B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP4821452B2 (ja) | 超小型電力変換装置およびその製造方法 | |
| US6838368B1 (en) | Method for making semiconductor device using a nickel film for stopping etching | |
| US8101864B2 (en) | Electronic device substrate and its fabrication method, and electronic device and its fabrication method | |
| JP5427337B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、カメラモジュール | |
| EP1734576A1 (en) | Semiconductor device having through electrode and method of manufacturing the same | |
| JP3578964B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2007311754A (ja) | 半導体チップ、半導体チップの製造方法及び半導体チップパッケージ | |
| JP2001060648A (ja) | リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置 | |
| KR100663142B1 (ko) | 탄성 표면파 장치 | |
| JP3003624B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100611291B1 (ko) | 회로 장치, 회로 모듈 및 회로 장치의 제조 방법 | |
| JP4507452B2 (ja) | 電子部品、その製造方法及び電子回路装置 | |
| JPH10335337A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10326795A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH11163024A (ja) | 半導体装置とこれを組み立てるためのリードフレーム、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2002280491A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP7001096B2 (ja) | 電子部品モジュール及び電子部品モジュールの製造方法 | |
| JP2002313930A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11307694A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2005294875A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000058695A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US20220320012A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device | |
| WO2024127985A1 (ja) | 電子装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071203 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071203 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20080115 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091119 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100216 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100225 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100413 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100426 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |