JP2002280491A

JP2002280491A - 電子部品およびその製造方法

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Publication number: JP2002280491A
Application number: JP2001082149A
Authority: JP
Inventors: Keiji Onishi; 慶治大西; Akihiko Nanba; 昭彦南波; Katsunori Moritoki; 克典守時; Yasuhiro Sugaya; 康博菅谷
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-03-22
Filing date: 2001-03-22
Publication date: 2002-09-27

Abstract

(57)【要約】【課題】回路基板にはんだ工程を用いて実装する際
に、電子部品の高さを均一にし、接続不良等を低減でき
る電子部品およびその製造方法を提供することを目的と
する。【解決手段】電子部品のリード３の一主面には電子デ
バイス４の突起電極５が接合されており、リード３の他
方の主面３ａは封止体１の底面と同一面にあり、かつリ
ード３の端面３ｂは封止体側面１ａと同一面にあるよう
に構成した。このことにより、封止体側面１ａに露出し
たリードの端面３ｂもはんだとなじむことになり、はん
だのながれがよくなる。また本電子部品の製造法では、
キャリア１０上に剥離層１１と金属層１２をこの順に積
層した転写形成材を用い、金属層１２をエッチングして
リード３を形成しており、容易に上記の電子部品を製造
することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、小形・薄型の電子
部品およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話をはじめとする携帯型情
報端末機器の小型・軽量・薄型化の要望が強くなり、関
連する技術開発が多く行われてきている。特に高速信号
処理を必要とする機器、高周波機器においては、半導体
部品を代表とする電子部品の小型・軽量化がいっそう強
く求められている。これら電子部品、半導体部品は回路
基板への実装を考慮して、小型パッケージに収納される
が、従来から特開２０００−３２３６０３号公報に代表
される小型のチップサイズパッケージが開発されてい
る。

【０００３】以下従来の電子部品の製造方法について、
半導体装置を例として、図面を参照しながら説明する。

【０００４】図１１（ａ）から図１１（ｅ）は従来のチ
ップサイズパッケージの製造方法を示す工程断面図であ
る。

【０００５】まず図１１（ａ）に示すように、樹脂製の
基材フィルム４１の上にリード４２が形成された端子供
給テープと電極パッド（図示せず）に突起電極４４が形
成された半導体デバイス４３を準備する。次に図１１
（ｂ）に示すように、突起電極４４をリード４２に位置
合せした後、超音波熱圧着法を用いて両者を接合する。

【０００６】次に図１１（ｃ）に示すように、半導体デ
バイス４３の周辺部、突起電極４４の周辺部に樹脂を充
填し、硬化して、アンダーフィル４５を形成する。次に
図１１（ｄ）に示すように、基材フィルム４１の上下を
上型４６ａおよび下型４６ｂからなる金型で挟んで空間
４７に樹脂を注入して封止体を形成する。次に基材フィ
ルム４１を取り除き、図１１（ｅ）に示すように封止体
４８で保護され、封止体４８の底面４９にリード４２が
露出したチップサイズパッケージが製造される。

【０００７】図１１（ａ）に示すように、この例で説明
した端子供給テープではリード４２が基材フィルム４１
にめり込んだ形状になっているため、図１１（ｅ）に示
すパッケージでは、リード４１の底面がアンダーフィル
の底面４９からは突出した形状になっている。

【０００８】また図１１（ｃ）に示す工程の後に、キャ
リア４１を剥離し、これを単体の半導体部品として使用
できることが、特開平２０００−３２３６０３号公報に
開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、突起電極が接続された面とは反対側のリ
ードの面が封止体の底面から露出しているものの、リー
ドの端部はパッケージの側面よりも奥に入りこんだ構成
となっている。このような構成の電子部品を回路基板に
はんだ実装するとき、封止体底面と回路基板との間隔が
狭く、またリードの端部が封止体の側面に露出していな
いために、はんだの流れが制限されることになり、回路
基板の個々の接続パッドの形状・面積の相違や、はんだ
量のばらつき等によって、電子部品の回路基板からの高
さや実装時の位置精度がばらつくという問題が生じる。

【００１０】また上記と同様の理由で、電子部品を回路
基板にはんだ実装するとき、溶融したはんだからの気泡
が抜けにくいために、ボイドが発生する恐れがある。

【００１１】また上記の従来の製造方法では、樹脂製の
基材フィルムを使用しており、導電性の材料ではないた
め、電子デバイスの突起電極をリードに接続する工程を
はじめ封止工程に至るまでの製造工程においてリードが
独立しているため、静電気によるデバイスの破壊を生じ
る場合がある。また、電子デバイスが圧電基板を用いた
弾性表面波デバイスの場合、各リードが電気的に独立し
ているために、加熱によって弾性表面波デバイスが焦電
破壊されることがある。

【００１２】本発明は上述した従来の課題を解決するも
のであり、リードの裏面は封止体の底面と略同一面と
し、かつリードの端部を封止体の側面に露出させた構造
とすることにより、回路基板へのはんだ実装において電
子部品の高さおよび位置の精度を向上させ、また回路基
板へのはんだ実装時にはんだ中のボイド発生を防止でき
る電子部品、および電子デバイスの製造工程における静
電気破壊や焦電破壊を防止できる製造方法を実現するこ
とを目的とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電子部品は、リードとリードの一主面に突
起電極を用いて接続した電子デバイスと、リードと電子
デバイスを樹脂封止した封止体とからなり、リードの他
方主面は封止体の底面と略同一面に、またリードの一方
の端部は封止体の側面と同一面にある構成を有している
ものであり、このような形状を有する電子部品では回路
基板へのはんだ実装工程において、はんだが電子部品の
リードになじんで封止体の側面まで流れるために、電子
デバイスの回路基板からの高さおよび位置の精度が格段
に向上することになり、結果として電子回路装置として
の寸法精度を格段に向上させることができる。

【００１４】また、本発明の電子部品の製造方法は、キ
ャリアの主面に剥離層および金属層が形成された転写形
成材を用い、フォトリソ工程を用いて金属層をエッチン
グしてリードを形成する工程と、このリードの一主面に
突起電極を用いて電子デバイスを接続する工程と、電子
デバイスとリードを樹脂封止する工程と、この状態で剥
離層とリードとの界面で樹脂からキャリアを剥離する工
程と、樹脂およびリードを切断して個々の電子部品とす
る工程を有するものであり、リードの他方主面が封止体
の底面と同一面にあり、かつリードの一方の端面が封止
体の側面と同一面にある電子部品を容易に製造できるも
のである。

【００１５】また、上記の電子部品の製造方法に関連し
て、リード形成工程で剥離層の上の金属層のみをエッチ
ングしてリードを形成する方法においては少なくとも剥
離層を導電性材料で構成することにより、またリード形
成工程で金属層だけでなくキャリアの表層までエッチン
グしてリードを形成する方法においては剥離層およびキ
ャリアを導電性の材料で構成することにより、封止体を
キャリアから剥離する工程までは各リードが短絡された
状態で工程を実施することができるため、電子デバイス
の静電気による破壊を防止することができ、また電子デ
バイスが圧電基板を用いた弾性表面波デバイスでは焦電
破壊を確実に防止することができる。

【００１６】また剥離層およびキャリアを導電性の材料
で構成することにより、リードにめっき層を設ける場合
に、リードの配置によらず、すなわち各リードが独立し
た形状で形成されている場合を含めて、リードに均一な
めっき層を電解めっき法で形成することができ、信頼性
の高い突起電極接続ができるとともに、成膜のタクトを
短くすることができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の電子部
品は、一群のリードと、リードの一主面に突起電極を用
いて接続した電子デバイスと、電子デバイスおよびリー
ドを樹脂封止して形成した封止体とを有し、リードの他
方主面は封止体の底面と同一面にあり、かつリードの一
方の端面は封止体の側面と同一面にある構成を有してお
り、回路基板にはんだ実装する際に電子部品の位置精度
および高さの均一性を従来より向上させることができ
る。

【００１８】本発明の請求項２に記載の電子部品は、一
群のリードと、リードの一主面に突起電極を用いて接続
した電子デバイスと、電子デバイスおよびリードを樹脂
封止して形成した封止体とを有し、リードの一方の端面
は封止体の側面と同一面にあり、かつ封止体の底面にお
いてリード間の樹脂がリードの他方主面より突出してい
る構成を有している。この電子部品では封止体の底面か
ら見てリードが凹んだ位置にあるためリードの封止体に
対する密着強度が高い。またリードが封止体の底面から
見て凹んだ位置にあるため、はんだ接続工程において気
泡が抜けにくい構造のように見えるが、リードの端面が
封止体の側面で露出しているため、その部分まではんだ
のなじみがよくなり、気泡がこの部分を通って抜けるこ
とができ、ボイドの発生がない。

【００１９】本発明の請求項３に記載の電子部品は、一
群のリードと、リードの一主面に突起電極を用いて接続
した電子デバイスと、電子デバイスおよびリードを樹脂
封止して形成した封止体とを有し、リードの他方主面は
封止体の底面と同一面にあり、リードの突起電極接続部
より外側でリードの厚さが厚く、かつリードの一方の端
面は封止体の側面と同一面にある構成を有している。こ
の電子部品ではリードと封止体樹脂との接触面積が大き
く、リードと封止体との密着性が大きくなるとともに、
封止体の側面におけるリードの端面の露出面積が大きく
なるために、はんだ接続強度が向上する。すなわち、リ
ードの露出面にまではんだが流れることによって、その
部分でリードの端面と回路基板の配線との間に形成され
るフィレットがより大きく形成されることになる。

【００２０】本発明の請求項４に記載の電子部品は、請
求項１、請求項２、請求項３のいずれかに記載の発明に
おいて、電子デバイスが半導体デバイスであり、突起電
極が半導体デバイスの電極パッドに設けられている構成
を有しており、小型・薄型の半導体装置を実現すること
ができる。

【００２１】本発明の請求項５に記載の電子部品は、請
求項１、請求項２、請求項３のいずれかに記載の発明に
おいて、電子デバイスが弾性表面波デバイスであり、弾
性表面波デバイスは表面弾性波の伝播領域が中空の蓋体
で保護されており、かつ突起電極が弾性表面波デバイス
の電極パッドに設けられている構成を有しており、小型
・薄型の弾性表面波デバイスを実現することができる。

【００２２】本発明の請求項６に記載の電子部品の製造
方法は、キャリアの主面に剥離層と金属層とをこの順に
形成した転写形成材の金属層の表面にリード形成用のレ
ジストパターンを形成する第１の工程と、レジストパタ
ーンをマスクとして金属層をエッチングし、複数個のリ
ードからなる複数個のリード群を形成した後レジストパ
ターンを除去する第２の工程と、電子デバイスの突起電
極をリードの一主面に接続してキャリアの主面に複数個
の電子デバイスを搭載する第３の工程と、キャリア上の
電子デバイスおよびリードを樹脂で封止する第４の工程
と、樹脂とリードとを剥離層から剥離する第５の工程
と、樹脂およびリードを切断して樹脂封止された個々の
電子部品とする第６の工程とを有するもので、リードの
一主面に突起電極を介して電子デバイスが実装されてお
り、リードの他方主面が封止体の底面と同一面にあり、
かつリードの一方の端面が封止体の側面と同一面にある
電子部品を容易に製造することができる。また本製造方
法においては、樹脂を硬化させた後に第６の工程でリー
ドの所定位置で樹脂およびリードを切断することになる
ため、電子部品としての寸法精度が従来の金型を用いた
製造方法に比べて高い。

【００２３】本発明の請求項７に記載の電子部品の製造
方法は、請求項６に記載の発明において、剥離層および
キャリアのうち少なくとも剥離層が導電性材料で構成さ
れていることを特徴とするもので、各リードが剥離層ま
たは剥離層とキャリアで共通接続されることになるた
め、製造工程における電子デバイスの静電気破壊、およ
び電子デバイスが圧電基板を用いた弾性表面波デバイス
の場合の焦電破壊を防止することができる。

【００２４】本発明の請求項８に記載の電子部品の製造
方法は、請求項６に記載の発明において、第２の工程で
レジストパターンをマスクとして金属層だけでなく、剥
離層およびキャリアの表層までをエッチングしてリード
を形成することを特徴とするもので、樹脂およびリード
と剥離層との界面で容易にキャリアを剥離することがで
きる。

【００２５】本発明の請求項９に記載の電子部品の製造
方法は、請求項８に記載の発明において、剥離層および
キャリアを導電性材料で構成したことを特徴とするもの
で、独立して形成されたリードが導電性の剥離層を介し
て導電性のキャリアで共通接続されることになり、製造
工程における電子部品の静電気破壊や焦電破壊を防止す
ることができる。

【００２６】本発明の請求項１０に記載の電子部品の製
造方法は、キャリアの主面に剥離層と金属層とをこの順
に形成した転写形成材の金属層の表面に後に形成するリ
ード群とは逆のパターンを有するリード形成用のレジス
トパターンを形成する第１の工程と、レジストパターン
をマスクとして金属層の露出した表面に金属層とはその
エッチャントおよびエッチングレートの少なくとも一つ
が異なる金属からなるめっき層を形成した後レジストパ
ターンを除去する第２の工程と、めっき層をマスクとし
て金属層をエッチングし、複数個のリードからなる複数
個のリード群を形成する第３の工程と、電子デバイスの
突起電極をリードの一主面に接続してキャリアの主面に
複数個の電子デバイスを搭載する第４の工程と、キャリ
ア上の電子デバイスおよびリードを樹脂で封止する第５
の工程と、樹脂とリードを剥離層から剥離する第６の工
程と、樹脂およびリードを切断して樹脂封止された個々
の電子部品とする第７の工程とを有するもので、めっき
層と金属層の２層からなるリードを形成することがで
き、めっき層の材料として突起電極との接合性に優れた
金属を選択することにより、突起電極とリードとの接合
の信頼性をいっそう向上させることができる。

【００２７】本発明の請求項１１に記載の電子部品の製
造方法は、請求項１０に記載の発明において、剥離層お
よびキャリアのうち少なくとも剥離層が導電性材料で構
成されているもので、各リードが剥離層または剥離層と
キャリアで共通接続されることになるため、製造工程に
おける電子デバイスの静電気破壊、および電子デバイス
が圧電基板を用いた弾性表面波デバイスの場合の焦電破
壊を防止することができる。

【００２８】本発明の請求項１２に記載の電子部品の製
造方法は、請求項１０に記載の発明において、第３の工
程でめっき層をマスクとして金属層だけではなく、剥離
層およびキャリアの表層までをエッチングしてリードを
形成することを特徴とするもので、樹脂およびリードと
剥離層との界面で容易にキャリアを剥離することができ
る。

【００２９】本発明の請求項１３に記載の電子部品の製
造方法は、請求項１２に記載の発明において、剥離層お
よびキャリアが導電性材料で構成されていることを特徴
とするもので、独立して形成されたリードが導電性の剥
離層を介して導電性のキャリアで共通接続されることに
なり、製造工程における電子部品の静電気破壊や焦電破
壊を防止することができる。

【００３０】本発明の請求項１４に記載の電子部品の製
造方法は、キャリアの主面に剥離層、金属層をこの順に
形成した転写形成材の表面に第１のレジストパターンを
形成する第１の工程と、第１のレジストパターンをマス
クとして金属層を厚さ方向に一定の深さまでエッチング
し、後工程で切断位置となる領域に突起部を形成する第
２の工程と、第１のレジストパターンを除去した後、突
起部を有するリードを形成するための第２のレジストパ
ターンを形成する第３の工程と、第２のレジストパター
ンをマスクとして金属層をエッチング除去しリード群を
形成する第４の工程と、第２のレジストパターンを除去
した後、電子デバイスの突起電極をリードの一主面に接
続してキャリアの主面に複数個の電子デバイスを搭載す
る第５の工程と、キャリア上の電子デバイスおよびリー
ドを樹脂で封止する第６の工程と、樹脂とリードとを剥
離層から剥離する第７の工程と、突起部の部分で樹脂と
リードを切断して樹脂封止された個々の電子部品とする
第８の工程とを有するもので、切断位置でリードの厚さ
が厚い電子部品を容易に製造することができる。

【００３１】本発明の請求項１５に記載の電子部品の製
造方法は、請求項１４に記載の発明において、剥離層お
よびキャリアのうち、少なくとも剥離層が導電性材料で
構成されているもので、各リードが剥離層または剥離層
とキャリアで共通接続されることになるため、製造工程
における電子デバイスの静電気破壊、および電子デバイ
スが圧電基板を用いた弾性表面波デバイスの場合の焦電
破壊を防止することができる。

【００３２】本発明の請求項１６に記載の電子部品の製
造方法は、請求項１４に記載の発明において、第４の工
程で、第２のレジストパターンをマスクとして金属層だ
けではなく、剥離層およびキャリアの表層までをエッチ
ングしてリードを形成することを特徴とするもので、樹
脂およびリードと剥離層との界面で容易にキャリアを剥
離することができる。

【００３３】本発明の請求項１７に記載の電子部品の製
造方法は、請求項１６に記載の発明において、剥離層お
よびキャリアが導電性材料で構成されていることを特徴
とするもので、独立して形成されたリードが導電性の剥
離層を介して導電性のキャリアで共通接続されることに
なり、製造工程における電子部品の静電気破壊や焦電破
壊を防止することができる。

【００３４】本発明の請求項１８に記載の電子部品の製
造方法は、キャリアの主面に剥離層、第１の金属層およ
び第１の金属とはエッチャントおよびエッチングレート
の少なくとも一方が異なる第２の金属層をこの順に形成
した転写形成材の表面に第１のレジストパターンを形成
する第１の工程と、第１のレジストパターンをマスクと
して第２の金属層をエッチングし、後工程で切断位置と
なる領域に突起部を形成する第２の工程と、第１のレジ
ストパターンを除去した後、突起部を有するリードを形
成するための第２のレジストパターンを形成する第３の
工程と、第２のレジストパターンをマスクにして第１の
金属層をエッチングし、リード群を形成する第４の工程
と、第２のレジストパターンを除去した後、電子デバイ
スの突起電極をリードの一主面に接続してキャリアの主
面に複数個の電子デバイスを搭載する第５の工程と、キ
ャリア上の電子デバイスおよびリードを樹脂で封止する
第６の工程と、樹脂とリードとを剥離層から剥離する第
７の工程と、突起部の部分で樹脂とリードを切断して樹
脂封止された個々の電子部品とする第８の工程とを有す
るもので、封止体の切断位置でリードの厚さが厚い電子
部品を容易に製造することができる。

【００３５】本発明の請求項１９に記載の電子部品の製
造方法は、請求項１８に記載の発明において、剥離層お
よびキャリアのうち、少なくとも剥離層が導電性材料で
構成されているもので、各リードが剥離層または剥離層
とキャリアで共通接続されることになるため、製造工程
における電子デバイスの静電気破壊、および電子デバイ
スが圧電基板を用いた弾性表面波デバイスの場合の焦電
破壊を防止することができる。

【００３６】本発明の請求項２０に記載の電子部品の製
造方法は、請求項１８に記載の発明において、第４の工
程で、第２のレジストパターンをマスクとして金属層だ
けではなく、剥離層およびキャリアの表層までをエッチ
ングしてリードを形成することを特徴とするもので、樹
脂およびリードと剥離層との界面で容易にキャリアを剥
離することができる。

【００３７】本発明の請求項２１に記載の電子部品の製
造方法は、請求項２０に記載の発明において、剥離層お
よびキャリアが導電性材料で構成されていることを特徴
とするもので、独立して形成されたリードが導電性の剥
離層を介して導電性のキャリアで共通接続されることに
なり、製造工程における電子部品の静電気破壊や焦電破
壊を防止することができる。

【００３８】本発明の請求項２２に記載の電子部品の製
造方法は、請求項６、請求項１０、請求項１４、請求項
１８のいずれかに記載の発明において、一つのリード群
を構成するリードの先端が隣接する他のリード群のリー
ドの先端と連続して一体的に形成されたものであり、隣
接する封止体の間隔を狭くすることができるためにキャ
リアの主面により多くの電子デバイスを搭載することが
でき、またリード切断時の材料損失を少なくすることが
できる。

【００３９】本発明の請求項２３に記載の電子部品の製
造方法は、請求項６、請求項１０、請求項１４、請求項
１８のいずれかに記載の発明において、電子デバイスが
半導体デバイスであり、突起電極が半導体デバイスの電
極パッドに設けられていることを特徴とするものであ
り、小型・薄型の半導体装置を容易に製造することがで
きる。

【００４０】本発明の請求項２４に記載の電子部品の製
造方法は、請求項６、請求項１０、請求項１４、請求項
１８のいずれかに記載の発明において、電子デバイスが
弾性表面波デバイスであり、弾性表面波デバイスは表面
弾性波の伝播領域が中空の蓋体で保護されており、かつ
突起電極が弾性表面波デバイスの電極パッドに設けられ
ていることを特徴とするもので、小型・薄型の弾性表面
波部品を容易に製造することができる。

【００４１】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図１０を参照しながら説明する。

【００４２】（実施の形態１）図１（ａ）は本発明の第
１の実施の形態における電子部品の斜視図、図１（ｂ）
は図１（ａ）の電子部品をＡ−Ｂ線で切断したときの断
面図である。

【００４３】図１（ａ）は樹脂を用いた封止体１の底面
２ｂ（以下、封止体の底面を封止体底面と記す）の斜め
方向から見た斜視図であり、封止体１の表面側２ａ（以
下、封止体の表面側を封止体表面と記す）は図面の背後
に隠れている。このように、リード３の裏面３ａ（以
下、リードの裏面をリード裏面と記す）は封止体底面２
ｂの面にその面を同じくして露出しており、またリード
３の端面３ｂ（以下、リードの端面をリード端面と記
す）は封止体１の側面（以下、封止体の側面を封止体側
面と記す）に露出している。

【００４４】また、図１（ｂ）は図１（ａ）とはその上
下方向を逆にして示しているが、Ａ−Ｂ線で切断した断
面図で、リード３の主面３ｃ（以下、リード主面と記
す）と電子デバイス４に設けられた突起電極５が接続さ
れている状態を示している。

【００４５】このようにリード端面３ｂが封止体側面１
ａに露出している電子部品を回路基板に実装したとき、
リード端面３ｂまではんだとなじみ、流れやすくなるこ
とから、工程後のはんだ厚さが均一になり電子部品の実
装高さが一定になる。またはんだがリード端面３ｂまで
流れることからボイド発生および接続不良が低減され
る。

【００４６】次に、図１に示した電子部品の一部を変更
した例について、図２（ａ）、図２（ｂ）を用いて説明
する。図２（ｂ）は図２（ａ）の電子部品をＣ−Ｄ線で
切断した断面図である。

【００４７】図２（ａ）に示すように、電子デバイス４
の突起電極５がリード主面３ｃに接続されており、これ
らを樹脂で封止して封止体１を形成したものである。た
だし、図１に示す電子部品とは異なり、リード端面３ｂ
は封止体側面１ａと同一面にあるが、リード裏面３ａは
封止体底面７と同一面になっていない。すなわち、図２
（ｂ）に示すように、リード３は封止体１の溝部６の中
に配置された構成となっている。しかしながら、このよ
うな構成の電子部品であっても、回路基板に実装すると
き、リード端面３ｂが封止体側面１ａに露出しているた
めに、電子部品の実装高さが一定になり、はんだ接続が
問題なく行われることになる。

【００４８】次に、図１（ａ）、（ｂ）に示した電子部
品のリード部分を改良した例について、図３を用いて説
明する。

【００４９】図３に示すように、電子デバイス４の突起
電極５がリード主面に接続されており、これらを樹脂で
封止して封止体１を形成したものである。ただし、図１
に示す電子部品とは異なり、リード８は厚みの薄い部分
（以下、リード肉薄部と記す）８ａと厚みの厚い部分
（以下、リード肉厚部と記す）８ｂから構成され、リー
ド肉薄部８ａの主面には突起電極５が接続され、リード
肉薄部８ａの他方主面は封止体底面７と同一面にあり、
かつリード肉厚部８ｂの端面は封止体側面１ａと同一面
にある。

【００５０】このような構成の電子部品では、リード肉
厚部８ｂの部分があるためにリード８と封止体１との密
着面積が大きくなる。また、リード端面が封止体側面１
ａと同一面にあり回路基板への実装時にはんだがこの部
分まで流れるため、電子部品の実装高さをより均一にで
きるとともに、封止体側面１に露出したリード端面には
んだが流れるため接着強度を大きくすることができる。

【００５１】以上の例では、電子デバイスとして半導体
デバイスを一つの例として説明したが、本実施の形態は
この範囲に限定されるものではなく、図４にその断面図
を示す表面弾性波デバイスに適用して優れた効果が得ら
れるものである。表面弾性波デバイスは圧電基板の主面
にインターディジタルトランスデューサ電極が形成され
ているもので、圧電基板の主面には表面弾性波が伝播す
る領域があり、その領域は空間１０を有する蓋体９で覆
われている。この場合も上記の例と同じ効果があり、ま
た表面弾性波部品としては、従来にない小型・薄型にす
ることができる。

【００５２】（実施の形態２）図５（ａ）から図５
（ｇ）は、本発明の第２の実施の形態における電子部品
の製造方法を説明する工程断面図である。

【００５３】まず、図５（ａ）に示すように、キャリア
１０の主面に剥離層１１と金属層１２が積層された転写
形成材を準備する。

【００５４】次に、図５（ｂ）に示すように、最終的に
リードとして残す領域を規定するレジストパターン１３
を形成した後、レジストパターン１３をマスクとして金
属層１２をエッチングし、リード部材１４を形成する。
その後レジストパターン１３を除去し、図５（ｃ）に示
す形状を得る。

【００５５】次に、図５（ｄ）に示すように、電子デバ
イス４の突起電極５をリード部材１４の一主面に位置合
せし、接合する。次に、図５（ｅ）に示すように、全体
を樹脂１５で封止する。その後、リード部材１４と樹脂
１５とを剥離層１１から剥離し、図５（ｆ）に示す形状
が得られる。

【００５６】次に、一点鎖線で示した仮想の切断線１６
に沿って、樹脂１５およびリード部材１４を切断するこ
とによって図５（ｇ）に示す電子部品が得られる。な
お、図5（ｇ）に断面構造を示す電子部品は図1（ｂ）に
示す電子部品と同じであり、同一場所には同一符号を付
した。このような製造方法によって、リード裏面３ａが
封止体底面２ｂと同一面にあり、リード端面３ｂが封止
体側面１ａと同一面にある電子部品が得られる。

【００５７】なお、この場合に少なくとも剥離層１１と
して導電性材料を用いることにより、図５（ｄ）〜図５
（ｅ）の工程においては、各リード部材１４が剥離層１
１で共通接続されているために、半導体デバイスを用い
た場合の静電気破壊や弾性表面波デバイスを用いた場合
の焦電破壊を完全に防止することができる。もちろん、
剥離層１１とキャリア１０の両方に導電性材料を用いた
場合には、さらに完全に静電気破壊や焦電破壊を防止す
ることができる。例えば、転写形成材のキャリア１０と
して銅箔を、剥離層１１の材料としてクロム、ニッケル
を、金属層１２の材料として銅箔を用いることによって
良好な結果を得ている。

【００５８】また、図５（ｃ）を図６（ｃ）のように変
更することによって、リード１４と樹脂１５を剥離層１
１から容易に剥離することができるようになり、効率お
よび歩留まりのよい製造方法を実現することができる。
図６（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図５（ａ）、（ｂ）と
同じであり、説明を省略する。

【００５９】図６（ｂ）の状態で、レジストパターン１
３をマスクとして金属層１２をエッチングしてリード部
材１４を形成した後、剥離層１１をエッチングし、さら
にキャリア１０の表層までをエッチングしてキャリア１
０に溝部１８を形成する。この場合、エッチング時間を
制御することにより、キャリア１０の表層を一定深さま
でエッチングすることは容易である。

【００６０】なお、この場合には、リード部材１４の下
部の剥離層１１も独立しているために、静電気破壊や焦
電破壊を防止するためには、剥離層１１とキャリア１０
の両方を導電性材料にしておけばよいことになる。

【００６１】また、溝部１８を形成する工程において、
リード部材１４を形成した後、剥離層１１およびキャリ
ア１０をエッチングする時に、リード部材１４の周辺部
にオーバーハングが形成されるようにエッチングするこ
とにより、さらに剥離層１１とリード部材１４との間の
剥離を容易にすることができる。

【００６２】この後は、図５（ｄ）以降の工程を継続す
ることにより、図２に断面図を示す電子部品が得られ
る。

【００６３】（実施の形態３）図７（ａ）から図７
（ｇ）は、本発明の第３の実施の形態における電子部品
の製造方法を説明する工程断面図である。

【００６４】まず、図７（ａ）に示すように、キャリア
１０の主面に剥離層１１および金属層１２を積層した転
写形成材を準備し、次に金属層１２の主面に、後にリー
ド部材となる領域に開口２０を有するいわゆるリード部
材の逆レジストパターン１９を形成する。

【００６５】次に、図７（ｂ）に示すように、逆レジス
トパターン１９をマスクとして開口２０の部分に金など
の材料からなるめっき層２１を形成する。次に、図７
（ｃ）に示すように、逆レジストパターン１９を除去
し、めっき層２１をマスクとして金属層１２をエッチン
グし、リード部材１４を形成する。なお、めっき層２１
の材料としては、剥離層１１およびキャリア１０とはエ
ッチャントおよびエッチングレートの少なくとも一方が
異なる材料を選択することが望ましい。

【００６６】次に、図７（ｄ）に示すように、リード部
材１４と電子デバイス４の突起電極４とを位置合せした
のち両者を接合する。その後、全体を樹脂１５で被覆
し、図７（ｅ）に示す形状を得る。その後、リード部材
１４と樹脂１５とを剥離層１１から剥離して、図７
（ｆ）に示すような形状を得る。

【００６７】次に、図７（ｆ）に示す仮想の切断線２２
に沿って、表面にめっき層２１が形成されたリード部材
１４および樹脂１５を切断し、図７（ｇ）に示すような
電子部品が得られる。

【００６８】このような製造方法によって、リード裏面
３ａが封止体底面２ｂと同一面にあり、リード端面３ｂ
が封止体側面１ａと同一面にある電子部品が得られる。
また、本実施の形態の製造方法においては、リード３の
主面にめっき層２１が形成されており、このめっき層２
１の材料として突起電極５との接合性のよい金属を選択
することにより、接合の信頼性を向上させることができ
る。

【００６９】なお、この場合に少なくとも剥離層１１と
して導電性材料を用いることにより、図７（ｄ）〜図７
（ｅ）の工程においては、各リード部材１４が剥離層１
１で共通接続されているために、半導体デバイスを用い
た場合の静電気破壊や弾性表面波デバイスを用いた場合
の焦電破壊を完全に防止することができる。もちろん、
剥離層１１とキャリア１０の両方に導電性材料を用いた
場合には、さらに完全に静電気破壊や焦電破壊を防止す
ることができる。例えば、転写形成材のキャリア１０と
して銅箔を、剥離層１１の材料としてクロム、ニッケル
を、金属層１２の材料として銅箔を用いることによって
良好な結果を得ている。

【００７０】また、図７（ｃ）を図８（ｃ）のように変
更することによって、さらに効率および歩留まりのよい
製造方法を実現することができる。

【００７１】図８（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図７
（ａ）、（ｂ）と同じであり、説明を省略する。

【００７２】図８（ｃ）の状態で、めっき層２１をマス
クとして金属層１２をエッチングした後、剥離層１１を
エッチングし、さらにキャリア１０の表層までをエッチ
ングして、図８（ｄ）に示すようにキャリア１０に溝部
１８を形成する。この場合、エッチング時間を制御する
ことにより、キャリア１０の表層を一定深さまでエッチ
ングすることは容易である。なお、この場合には、リー
ド部材１４の下部の剥離層１１も独立しているために、
静電気破壊や焦電破壊を防止するためには、剥離層１１
とキャリア１０の両方を導電性材料とする必要がある。
また、溝部１８を形成する工程において、リード部材１
４を形成した後剥離層１１およびキャリア１０をエッチ
ングする時に、リード部材１４の周辺部にオーバーハン
グが形成されるようにエッチングすることにより、さら
に剥離層１１とリード部材１４との間の剥離を容易にす
ることができる。

【００７３】この後は、図７（ｄ）以降の工程を継続す
ることにより、図２に示す断面図と同様の形状を有する
電子部品が得られる。

【００７４】（実施の形態４）図９（ａ）から図９
（ｇ）は、本発明の第４の実施の形態における電子部品
の製造方法を説明する工程断面図である。

【００７５】まず、図９（ａ）に示すように、キャリア
１１の主面に剥離層１１、第１の金属層１２ａおよび第
２の金属層１２ｂを積層した転写形成材を準備する。第
１の金属層１２ａと第２の金属層１２ｂは、互いにエッ
チャントおよびエッチングレートの少なくとも一方が異
なるように選択することが望ましい。ここにいうエッチ
ャントとは、ガスを用いてエッチングする場合はそのエ
ッチングガスを、ウェットエッチングの場合はそのエッ
チング液を意味している。この第２の金属層１２ｂの上
に後に突起領域となる第１のレジストパターン２２を形
成する。

【００７６】次に、図９（ｂ）に示すように、第１のレ
ジストパターン２２をマスクにして第２の金属層１２ｂ
をエッチングし、突起領域１４ｂを形成した後第１のレ
ジストパターン２２を除去する。次に、図９（ｃ）に示
すように、突起領域１４ｂを含んで後にリード部材とな
る領域を規定するための第２のレジストパターン２３を
形成する。この第２のレジストパターン２３をマスクと
して第１の金属層１２ａをエッチングし、リード部材１
４ａを形成する。その後、第２のレジストパターン２３
を除去する。

【００７７】次に、図９（ｄ）に示すように、リード部
材１４ａに突起電極５を位置合せした後、両者を接合す
る。次に、図９（ｅ）に示すように、全体を樹脂２４で
覆う。

【００７８】次に、リード部材１４ａおよび樹脂２４を
剥離層１１から剥離して、図９（ｆ）に示す形状が得ら
れる。この状態で、仮想の切断線２５の位置でリード部
材１４ａと樹脂２４を切断することによって、図９
（ｇ）に示す電子部品が得られる。図９（ｇ）に示す形
状は図３に示す電子部品と同じ形状である。

【００７９】本実施の形態においては、リード部材１４
ａの一部に突起領域１４ｂが形成されており、その突起
領域１４ｂの位置に切断線２５が設定されている。な
お、図９（ｃ）の工程後のリード部材１４ａの配置状態
の一例を図１０（ａ）、（ｂ）に示した。

【００８０】図１０（ａ）は斜視図であり、キャリア１
０の上に剥離層１１があり、剥離層１１の上に突起領域
１４ｂを有するリード部材１４ａ、突起領域１４ｄを有
するリード部材１４ｃが形成されている。図１０（ａ）
は、キャリア１０がテープ状に形成されており、電子デ
バイスがキャリア１０の長さ方向に配置・搭載される例
である。また一例として、リード部材１４ａがそれぞれ
の辺に２本づつ配置されている場合を示したものであ
る。なお、仮想の切断線２５ａと仮想の切断線２５ｂで
囲まれた領域が後に封止体となる領域を示している。

【００８１】このように、リード部材１４ａでは長さ方
向の中間に突起領域１４ｂが形成されており、リード部
材１４ｃではその外側の端部に突起領域１４ｄが形成さ
れている。すなわち、リード部材１４ａでは、突起領域
１４ｂを挟んで両側に突起電極を有する電子部品が配置
されることになる。またリード部材１４ｃでは突起領域
１４ｄから見て一方の側にのみ突起電極が接合されるた
めに、実質的には突起領域１４ｄは突起領域１４ｂの半
分の大きさでよいことになる。

【００８２】図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示す転写
形成材に電子デバイスを搭載した場合の封止体との関係
を説明するための斜視図である。すなわち、リードの端
部２８は封止体側面２９と同一面にある。

【００８３】図１０（ａ）からも明らかなように、リー
ド部材１４ａをこのように配置することによって、電子
デバイスをキャリア１０の長さ方向に狭い間隔で配置で
き、またリード部材１４ａはその中間部で切断すること
になるため、材料の損失が少なくなる。

【００８４】実施の形態４では、キャリア１０の主面に
剥離層１１、第１の金属層１２ａおよび第２の金属層１
２ｂを積層した転写形成材を用いた例について説明した
が、第１の金属層１２ａと第２の金属層１２ｂの代わり
に１層の金属層を用い、図９（ｂ）に示す工程で第１の
レジストパターン２２をマスクとして１層の金属層を厚
さ方向に所定深さまでエッチングして突起領域を形成
し、図９（ｃ）に示す工程で第２のレジストパターンを
マスクとして１層の金属層の残り厚さをエッチングして
中間に突起領域を有するリード部材を備えた形状を得る
ことができる。

【００８５】なお、１層の金属層を厚さ方向の所定深さ
までエッチングするには、例えば、時間制御によって実
現することができる。

【００８６】なお、本実施の形態においても、剥離層１
１として導電性材料を用いることにより、図９（ｄ）〜
図９（ｅ）の工程において、各リード部材１４ａが剥離
層１１で共通接続されているために、半導体デバイスを
用いた場合の静電気破壊や弾性表面波デバイスを用いた
場合の焦電破壊を完全に防止することができる。もちろ
ん剥離層１１とキャリア１０の両方に導電性材料を用い
た場合には、さらに完全に静電気破壊や焦電破壊を防止
することができる。例えば、転写形成材のキャリア１０
として銅箔を、剥離層１１の材料としてクロム、ニッケ
ルを、金属層１２の材料として銅箔を用いることによっ
て良好な結果を得ている。

【００８７】また、図９（ｃ）の工程において、第１の
金属層１２ａをエッチングした後、剥離層１１をエッチ
ングし、さらにキャリア１０の表層をもエッチングする
ことによって、リード部材１４ａと樹脂２４をキャリア
１０から容易に剥離することができる。この場合には、
キャリア１０と剥離層１１をともに導電性材料で形成し
ておくことにより、図９（ｄ）、（ｅ）に示す工程で各
リード部材１４ａが共通接続されることになり、電子デ
バイスの静電気破壊や焦電破壊を防止することができ
る。

【００８８】また、図１０では、キャリア１０の幅方向
に１個のリード群を配置した例を示したが、本発明はこ
の範囲に限定されるものではなく、たとえば平板状のキ
ャリア１０の主面の縦横方向にそれぞれ複数個のリード
群を配置するようにしてもよい。

【００８９】また、実施の形態４で説明したような、一
つのリード群を構成するリードの先端が隣接する他のリ
ード群のリードの先端と連続して一体的に形成されたも
のである電子部品の製造方法は、リードの中間部に突起
領域を有する場合に限定されるものではなく、実施の形
態２、実施の形態３においても適用できるもので、同様
の作用効果を発揮するものである。

【００９０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の電子部品
は、一群のリードと、リードの一主面に突起電極を用い
て接続した電子デバイスと、電子デバイスおよびリード
を樹脂封止して形成した封止体とを有し、リードの他方
主面は封止体底面と略同一面にあり、かつリードの一方
の端面は封止体側面と同一面にあることを特徴とするも
ので、このような構成の電子部品を回路基板に実装する
際、はんだがリードの端面まで流れることになり、実装
後のはんだの厚さを均一にすることができる。

【００９１】したがって、超小型電子機器において実装
された電子部品の回路基板からの高さを所定の高さの範
囲に納めることができる。また同様に、はんだが封止体
側面にまて容易に流れ出ることから、はんだ接続部にボ
イド等が発生することなく、信頼性の高い接続を実現す
ることができる。

【００９２】また、リードの突起電極の接続部より外側
の領域でリードの厚さをその他の領域より厚くすること
により、電子部品の回路基板への実装において信頼性の
高い接続を実現することができる。

【００９３】また、本発明の電子部品の製造方法は、キ
ャリアの表面に剥離層と金属層とを積層した転写形成材
を用い、金属層をフォトエッチングしてリードを形成
し、そのリードの一主面に電子デバイスの突起電極を接
続し、全体を樹脂で封止した後、樹脂とリードを切断し
て電子部品を製造する方法であり、リードの他方主面が
封止体底面と略同一面であり、また、リードの一方の端
部が封止体側面と同一面である電子部品を容易に製造す
ることができるものである。

【００９４】また、本発明の電子部品の製造方法におい
て、剥離層または剥離層とキャリアとして導電性材料を
用いることにより、キャリアが剥離されるまでは各リー
ドが短絡された状態になっているため、電子デバイスの
静電気破壊を防止することができる。さらには、圧電基
板を用いた弾性表面波デバイスでは加熱により焦電破壊
が発生することがあるが、剥離層または剥離層とキャリ
アとして導電性材料を用いることにより焦電効果による
デバイスの破壊を防止することができる。

【００９５】また、本発明の電子部品の製造方法におい
て、剥離層または剥離層とキャリアとして導電性材料を
用いることにより、リードを形成した後リードにめっき
層を設ける場合に、リードの配置によらず電解めっき法
を用いることができ、また均一なめっき層を形成できる
ため、信頼性の高いバンプ接続を実現できるとともに、
成膜のタクトを短くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態１における電子
部品の斜視図（ｂ）は、図１（ａ）をＡ−Ｂ線で切断した断面図

【図２】（ａ）は、図１に示す電子部品の一部を変更し
た電子部品の断面図（ｂ）は、図２（ａ）をＣ−Ｄ線で切断した断面図

【図３】図１に示す電子部品のリードの一部を変更した
電子部品の断面図

【図４】図１に示す電子部品で、表面弾性波デバイスを
内蔵した電子部品の断面図

【図５】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第２の実施の形態
における電子部品の製造方法を説明する工程断面図

【図６】（ａ）〜（ｃ）は、図５に示す製造工程の一部
を変更した製造方法を説明する部分工程断面図

【図７】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第３の実施の形態
における電子部品の製造方法を説明する工程断面図

【図８】（ａ）〜（ｄ）は、図７に示す製造工程の一部
を変更した製造方法を説明する部分工程断面図

【図９】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第４の実施の形態
における電子部品の製造方法を説明する工程断面図

【図１０】（ａ）は、図９に示す製造方法における工程
途中品の斜視図（ｂ）は、図９（ｇ）に示す電子部品に対応させてリー
ドの配置を説明する斜視図

【図１１】従来の電子部品の製造方法を説明する工程断
面図

【符号の説明】

１封止体１ａ封止体側面２ａ封止体表面２ｂ封止体底面３リード３ａリード裏面３ｂリード端面３ｃリード主面４電子デバイス５突起電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者守時克典大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者菅谷康博大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 4M109 AA01 BA07 CA21 DA10 5F061 AA01 BA07 CA21 CB13 EA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一群のリードと、前記リードの一主面に
突起電極を用いて接続した電子デバイスと、前記電子デ
バイスおよび前記リードを樹脂封止して形成した封止体
とを有し、前記リードの他方主面は前記封止体の底面と
同一面にあり、かつ前記リードの一方の端面は前記封止
体の側面と同一面にあることを特徴とする電子部品。
【請求項２】一群のリードと、前記リードの一主面に
突起電極を用いて接続した電子デバイスと、前記電子デ
バイスおよび前記リードを樹脂封止して形成した封止体
とを有し、前記リードの一方の端面は前記封止体の側面
と同一面にあり、かつ前記封止体の底面においてはリー
ド間の樹脂が前記リードの他方主面より突出しているこ
とを特徴とする電子部品。
【請求項３】一群のリードと、前記リードの一主面に
突起電極を用いて接続した電子デバイスと、前記電子デ
バイスおよび前記リードを樹脂封止して形成した封止体
とを有し、前記リードの他方主面は前記封止体の底面と
同一面にあり、リードの突起電極接続部より外側でリー
ドの厚さが厚く、かつ前記リードの一方の端面は前記封
止体の側面と同一面にあることを特徴とする電子部品。
【請求項４】電子デバイスが半導体デバイスであり、
突起電極が前記半導体デバイスの電極パッドに設けられ
ていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれ
かに記載の電子部品。
【請求項５】電子デバイスが弾性表面波デバイスであ
り、前記弾性表面波デバイスは表面弾性波の伝播領域が
中空の蓋体で保護されており、かつ突起電極が前記弾性
表面波デバイスの電極パッドに設けられていることを特
徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電子
部品。
【請求項６】キャリアの主面に剥離層と金属層とをこ
の順に形成した転写形成材の前記金属層の表面にリード
形成用のレジストパターンを形成する第１の工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記金属層をエッ
チングし、複数個のリードからなる複数個のリード群を
形成した後前記レジストパターンを除去する第２の工程
と、電子デバイスの突起電極を前記リードの一主面に接続し
て前記キャリアの主面に複数個の電子デバイスを搭載す
る第３の工程と、前記キャリア上の前記電子デバイスおよび前記リードを
樹脂で封止する第４の工程と、前記樹脂と前記リードとを前記剥離層から剥離する第５
の工程と、前記樹脂および前記リードを切断して樹脂封止された個
々の電子部品とする第６の工程とを有する電子部品の製
造方法。
【請求項７】剥離層およびキャリアのうち、少なくと
も剥離層が導電性材料で構成されていることを特徴とす
る請求項６に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】第２の工程において、レジストパターン
をマスクとして金属層だけではなく、剥離層およびキャ
リアの表層をもエッチングすることを特徴とする請求項
６に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】剥離層およびキャリアが導電性材料で構
成されていることを特徴とする請求項８に記載の電子部
品の製造方法。
【請求項１０】キャリアの主面に剥離層と金属層とを
この順に形成した転写形成材の前記金属層の表面に後に
形成するリード群とは逆のパターンを有するリード形成
用のレジストパターンを形成する第１の工程と、前記レ
ジストパターンをマスクとして前記金属層の露出した表
面に前記金属層とはそのエッチャントおよびエッチング
レートの少なくとも一つが異なる金属からなるめっき層
を形成した後前記レジストパターンを除去する第２の工
程と、前記めっき層をマスクとして前記金属層をエッチ
ングし、複数個のリードからなる複数個のリード群を形
成する第３の工程と、電子デバイスの突起電極を前記リードの一主面に接続し
て前記キャリアの主面に複数個の電子デバイスを搭載す
る第４の工程と、前記キャリア上の前記電子デバイスおよび前記リードを
樹脂で封止する第５の工程と、前記樹脂と前記リードを前記剥離層から剥離する第６の
工程と、前記樹脂および前記リードを切断して樹脂封止された個
々の電子部品とする第７の工程とを有する電子部品の製
造方法。
【請求項１１】剥離層およびキャリアのうち、少なく
とも剥離層が導電性材料で構成されていることを特徴と
する請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】第３の工程において、めっき層をマス
クとして金属層だけではなく、剥離層およびキャリアの
表層をもエッチングすることを特徴とする請求項１１に
記載の電子部品の製造方法。
【請求項１３】剥離層およびキャリアが導電性材料で
構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の電
子部品の製造方法。
【請求項１４】キャリアの主面に剥離層、金属層をこ
の順に形成した転写形成材の表面に第１のレジストパタ
ーンを形成する第１の工程と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記金属層
を厚さ方向に一定の深さまでエッチングし、後工程で切
断位置となる領域に突起部を形成する第２の工程と、前記第１のレジストパターンを除去した後、前記突起部
を有するリードを形成するための第２のレジストパター
ンを形成する第３の工程と、前記第２のレジストパターンをマスクとして前記金属層
をエッチング除去しリード群を形成する第４の工程と、前記第２のレジストパターンを除去した後、電子デバイ
スの突起電極を前記リードの一主面に接続して前記キャ
リアの主面に複数個の電子デバイスを搭載する第５の工
程と、前記キャリア上の前記電子デバイスおよび前記リードを
樹脂で封止する第６の工程と、前記樹脂と前記リードとを前記剥離層から剥離する第７
の工程と、前記突起部の部分で前記樹脂と前記リードを切断して樹
脂封止された個々の電子部品とする第８の工程とを有す
る電子部品の製造方法。
【請求項１５】剥離層およびキャリアのうち、少なく
とも剥離層が導電性材料で構成されていることを特徴と
する請求項１４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１６】第４の工程において、第２のレジスト
パターンをマスクとして金属層だけではなく、剥離層お
よびキャリアの表層をもエッチングすることを特徴とす
る請求項１４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１７】剥離層およびキャリアが導電性材料で
構成されていることを特徴とする請求項１６に記載の電
子部品の製造方法。
【請求項１８】キャリアの主面に剥離層、第１の金属
層および前記第１の金属とはエッチャントおよびエッチ
ングレートの少なくとも一方が異なる第２の金属層をこ
の順に形成した転写形成材の表面に第１のレジストパタ
ーンを形成する第１の工程と、前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第２の
金属層をエッチングし、後工程で切断位置となる領域に
突起部を形成する第２の工程と、前記第１のレジストパターンを除去した後、前記突起部
を有するリードを形成するための第２のレジストパター
ンを形成する第３の工程と、前記第２のレジストパターンをマスクにして前記第１の
金属層をエッチングし、リード群を形成する第４の工程
と、前記第２のレジストパターンを除去した後、電子デバイ
スの突起電極を前記リードの一主面に接続して前記キャ
リアの主面に複数個の電子デバイスを搭載する第５の工
程と、前記キャリア上の前記電子デバイスおよび前記リードを
樹脂で封止する第６の工程と、前記樹脂と前記リードとを前記剥離層から剥離する第７
の工程と、前記突起部の部分で前記樹脂と前記リードを切断して樹
脂封止された個々の電子部品とする第８の工程とを有す
る電子部品の製造方法。
【請求項１９】剥離層およびキャリアのうち、少なく
とも剥離層が導電性材料で構成されていることを特徴と
する請求項１８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２０】第４の工程において、第２のレジスト
パターンをマスクとして第１の金属層だけではなく、剥
離層およびキャリアの表層をもエッチングすることを特
徴とする請求項１８に記載の電子部品の製造方法。
【請求項２１】剥離層およびキャリアが導電性材料で
構成されていることを特徴とする請求項２０に記載の電
子部品の製造方法。
【請求項２２】一つのリード群を構成するリードの先
端が隣接する他のリード群のリードの先端と連続して一
体的に形成されたものであること特徴とする請求項６、
請求項１０、請求項１４、請求項１８のいずれかに記載
の電子部品の製造方法。
【請求項２３】電子デバイスが半導体デバイスであ
り、突起電極が前記半導体デバイスの電極パッドに設け
られていることを特徴とする請求項６、請求項１０、請
求項１４、請求項１８のいずれかに記載の電子部品の製
造方法。
【請求項２４】電子デバイスが弾性表面波デバイスで
あり、前記弾性表面波デバイスは表面弾性波の伝播領域
が中空の蓋体で保護されており、かつ突起電極が前記弾
性表面波デバイスの電極パッドに設けられていることを
特徴とする請求項６、請求項１０、請求項１４、請求項
１８のいずれかに記載の電子部品の製造方法。