JP2011187845A - 電子基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】溶解性または膨潤性の剥離層2が設けられた工程基板1の剥離層側に機能性膜3を形成する工程と、工程基板の機能性膜上に配線パターン4を形成する工程と、配線パターンに電子素子5を接続固定する工程と、硬化型樹脂7を用いて電子素子を封止する工程と、剥離層を溶解または膨潤させて、工程基板を剥離する工程とを備えた電子基板10の製造方法。
【選択図】図1
Description
図1(a)〜(f)に、本発明の一実施形態に係る電子基板の製造方法を示す。本実施形態に係る製造方法で製造することのできる電子基板としては、例えば、画素制御基板、発光モジュール、プリント基板等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
(1)硬化前には、硬化型樹脂シートの圧着時の温度(0〜150℃)における貯蔵弾性率が1×103Pa以上、1×107Pa未満であり、硬化後には、25℃における貯蔵弾性率が1×107Pa以上であるか、
(2)硬化前には、25℃における貯蔵弾性率が1×103〜1×106Paであり、硬化後には、25℃における貯蔵弾性率が1×107Pa以上である
ことが好ましい。なお、貯蔵弾性率は、特開2006−323335号公報(特許文献1)に記載の方法と同様の方法で、それぞれの温度において測定する。
述した通りである。
(1)硬化型樹脂シートの作製
メタクリル酸メチル98質量部とメタアクリル酸2−ヒドロキシエチル2質量部との比率からなるメタクリル酸エステル共重合体の酢酸エチル溶液(固形分30質量%)の固形分100質量部に対し、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート(共栄社化学社製,商品名「ライトアクリレートDCPA」)を180質量部、光重合開始剤として1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製,商品名「イルガキュア184」)を6質量部、架橋剤としてポリイソシナート化合物(東洋インキ製造社製,「BHS−8515」,固形分37.5質量%)を1.5質量部加えて攪拌し、これを塗工液とした。
工程基板としての無アルカリガラス基板(コーニング社製,商品名「イーグル2000」,厚さ0.7mm,縦100mm,横100mm)に、ポジ型液状フォトレジスト(東京応化工業社製,商品名「OFPR−800」)を、スピンコーターを用いて回転数800rpmで厚さ2μmになるように塗布して、フォトレジストからなる剥離層を形成した。
実施例1で用いた工程基板としての無アルカリガラス基板に、ポリビニルアルコール(クラレ社製,商品名「ポバールPVA117H*」)の水溶液(2質量%)を、スピンコーターを用いて回転数800rpmで乾燥後の厚さが1μmになるように塗布し、120℃で2分間乾燥して剥離層を形成した。
実施例2と同様にして、工程基板としての無アルカリガラス基板上にポリビニルアルコールを塗布し剥離層を形成した。その剥離層上に、機能性膜としてシリコーンゴム製の放熱性膜(電気化学工業社製,商品名「BFG30」)を形成した。得られたシリコーンゴム膜上に、実施例1と同様の方法を用いて、配線パターンを形成し、配線パターン上に発光ダイオードチップ(日亜化学工業社製,商品名「NESWC04T」,チップ厚さ:約350μm)を接続固定した。
実施例1で用いた工程基板としての無アルカリガラス基板に、ポリビニルアルコール(クラレ社製,商品名「ポバールPVA117H*」)の水溶液(2質量%)を、スピンコーターを用いて回転数800rpmで乾燥後の厚さが1μmになるように塗布し、120℃で2分間乾燥して剥離層を形成した。
実施例1で用いた無アルカリガラス板上に10個のICチップを載置し、実施例1と同様の硬化型樹脂シートの軽剥離型剥離フィルムを剥離し、硬化型樹脂層によってICチップを覆うように積層した。硬化型樹脂シートの重剥離型剥離フィルム側に厚さ0.7mmのガラス板を載置し、室温下、圧力0.3MPaの条件で押圧した状態で、工程基板側からフュージョン社製Hバルブを光源とする紫外線(光量300mJ/cm2)を照射し、硬化した硬化型樹脂によりICチップを封止して電子基板の積層体を得た。ガラス板を除去した後、ICチップが封止された樹脂層(電子基板)を折り曲げるように湾曲させながら剥離して、電子基板を得た。
実施例及び比較例で得られた電子基板において、ICチップまたは発光ダイオードチップの封止前後の位置ずれをデジタル顕微鏡を用いて測定し、10個のチップの位置ずれの平均値をずれ量とした。
実施例で得られた電子基板におけるICチップまたは発光ダイオードチップと配線との間の導通確認を、テスターにより行った。その結果、実施例1〜4の電子基板は、全てのチップと配線との間で導通していることが確認された。なお、比較例1で得られた電子基板のおいては、ICチップのずれが大きく、配線パターンを形成することが困難であった。
実施例1〜4及び比較例1で得られた電子基板を、光学顕微鏡を用いて倍率50倍で観察し、クラックの有無を確認した。その結果、実施例1〜4の電子基板にはクラックは観察されなかったが、比較例1の電子基板にはクラックが観察された。すなわち、実施例1〜4の電子基板製造方法においては、工程基板の剥離性が良好であった。
2…剥離層
3…機能性膜
4…配線パターン
5…電子素子
6…接着剤
7…硬化型樹脂
10…電子基板
Claims (5)
- 溶解性または膨潤性の剥離層が設けられた工程基板の前記剥離層側に配線パターンを形成する工程(1)と、
前記配線パターンに電子素子を接続固定する工程(2)と、
硬化型樹脂を用いて前記電子素子を封止する工程(3)と、
前記剥離層を溶解または膨潤させて、前記工程基板を剥離する工程(4)と
を備えたことを特徴とする電子基板の製造方法。 - 前記工程(1)の前に、前記工程基板の前記剥離層側に機能性膜を形成する工程をさらに備えており、
前記工程(1)にて、前記配線パターンを前記機能性膜に形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の電子基板の製造方法。 - 前記硬化型樹脂として、シート状の硬化型樹脂を使用することを特徴とする請求項1または2に記載の電子基板の製造方法。
- 前記剥離層が水溶性であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電子基板の製造方法。
- 前記機能性膜が液晶配向膜であることを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の電子基板の製造方法。
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