JP6707970B2

JP6707970B2 - Ｉｃチップ実装基板

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Publication number: JP6707970B2
Application number: JP2016084858A
Authority: JP
Inventors: 佳弘淺田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2016-04-20
Filing date: 2016-04-20
Publication date: 2020-06-10
Anticipated expiration: 2036-04-20
Also published as: JP2017195708A

Description

本発明は、ＩＣチップ実装基板に関し、さらに詳しくは、小型化されたＩＣチップ実装基板に関する。

基板にＩＣチップが実装されたＩＣチップ実装基板が、電子モジュールなどとして種々の電子機器に使用されている。

特許文献１（ＷＯ２０１５-１５２３３３号公報）に、そのようなＩＣチップ実装基板が開示されている。なお、特許文献１に開示されたＩＣチップ実装基板は、積層基板に、ＩＣチップとしてスイッチングＩＣや、キャパシタが実装されて、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュールが構成されている。

図１２に、特許文献１に開示されたＤＣ-ＤＣコンバータモジュール（ＩＣチップ実装基板）１０００を示す。

ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１０００は、積層基板１０１を備える。

積層基板１０１の主面には、２個のスイッチングＩＣ（ＩＣ）１０２ａ、１０２ｂと、２個のキャパシタ１０３ａ、１０３ｂとが実装されている。

ＷＯ２０１５-１５２３３３号公報

電子機器の小型化に伴い、電子機器に使用される電子部品や電子モジュール（ＩＣチップ実装基板など）にも、小型化が求められている。たとえば、電子機器の一例であるスマートフォンでは、薄型化を含めた小型化が進んでおり、内蔵される電子部品や電子モジュールに対して、縦寸法および横寸法を小さくすること（平面方向における小型化）、および、高さ寸法を小さくすること（高さ方向における小型化＝低背化）が強く求められている。

しかしながら、上述したＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１０００は、積層基板１０１の主面とスイッチングＩＣ１０２ａ、１０２ｂとが平行となるように、積層基板１０１にスイッチングＩＣ１０２ａ、１０２ｂが実装されているため、積層基板１０１の主面にスイッチングＩＣ１０２ａ、１０２ｂを実装するための大きなスペースが必要となり、平面方向に大型化しているという問題があった。

また、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１０００は、積層基板１０１の主面上にスイッチングＩＣ１０２ａ、１０２ｂなどが実装されているため、高さ方向にも大型化しているという問題があった。

本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明のＩＣチップ実装基板は、１対の主面を有し、少なくとも一方の主面にキャビティが形成された基板と、キャビティ内に形成された接続用電極と、１対の主面を有し、一方の主面に端子電極が形成された板状のＩＣチップと、を備え、ＩＣチップがキャビティ内に収容され、端子電極が接続用電極に導電性接合材を介して接続されたものであって、基板に、さらに、キャビティの深さ方向に巻回軸を有するコイルが内蔵され、キャビティは、コイルの内側に形成され、接続用電極がキャビティの側壁に形成され、ＩＣチップの主面がキャビティの側壁に沿うように、ＩＣチップがキャビティ内に縦方向に収容されたものとした。

基板が、磁性体によって形成された磁性体部を有し、その磁性体部内に、コイルが内蔵されたものとしても良い。この場合には、内蔵されたコイルを使って電子モジュールを構成することができる。なお、上述したように、本発明のＩＣチップ実装基板は、ＩＣチップの主面がキャビティの側壁に沿うようにＩＣチップがキャビティ内に収容されているため、ＩＣチップが基板に内蔵されているにもかかわらず、コイルの形成する磁束がＩＣチップの影響を受けにくい。

磁性体部の内部にコイルを内蔵させた場合には、磁性体部に、基板の主面と平行な方向に広がる、非磁性体によって形成された非磁性体層を設けても良い。この場合には、その非磁性体層によって、コイルの直流重畳特性を改善することができる。

キャビティとＩＣチップとの隙間に樹脂が充填されたものとしても良い。この場合には、樹脂によって、ＩＣチップを保護することができる。また、樹脂によって、基板の強度を向上させることができる。

ＩＣチップにスイッチングＩＣを用いて、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュールを構成することができる。

本発明のＩＣチップ実装基板は、ＩＣチップの主面が基板に形成されたキャビティの側壁に沿うようにＩＣチップがキャビティ内に収容されているため、小型化がはかられている。

図１（Ａ）は、第１実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００を示す斜視図である。図１（Ｂ）は、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００を示す断面図である。ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００の要部斜視図である。ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００の等価回路図である。図４（Ａ-１）は、実施例にかかるＩＣチップ実装基板Ｘの平面方向の透視図である。図４（Ａ-２）は、ＩＣチップ実装基板Ｘを示す側面方向の透視図である。図４（Ｂ-１）は、比較例にかかるＩＣチップ実装基板Ｙの平面方向の透視図である。図４（Ｂ-２）は、ＩＣチップ実装基板Ｙを示す側面方向の透視図である。図５（Ａ）は、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。図６（Ｂ）は、図５（Ａ）の続きであり、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。図７（Ｃ）、（Ｄ）は、図６（Ｂ）の続きであり、それぞれ、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。図８（Ｅ）、（Ｆ）は、図７（Ｄ）の続きであり、それぞれ、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。図９（Ｇ）、（Ｈ）は、図８（Ｆ）の続きであり、それぞれ、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。図１０（Ａ）は、第２実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール２００を示す斜視図である。図１０（Ｂ）は、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール２００を示す断面図である。第３実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール３００を示す断面図である。従来のＩＣチップ実装基板（ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１０００）を示す斜視図である。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、実施形態の理解を助けるためのものであり、必ずしも厳密に描画されていない場合がある。たとえば、描画された構成要素ないし構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。

［第１実施形態］
第１実施形態においては、ＩＣチップ実装基板として、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００を構成した。すなわち、本実施形態のＩＣチップ実装基板は、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュールしての機能を有している。ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００の斜視図を図１（Ａ）に、断面図を図１（Ｂ）に、要部斜視図を図２は、等価回路図を図３に、それぞれ示す。

ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００は、積層基板１を備える。

積層基板１は、下から順に、第１の非磁性体部１Ａと、磁性体部１Ｂと、第２の非磁性体部１Ｃとが積層された構造を有する。第１の非磁性体部１Ａは、複数の非磁性体層１ａが積層されている。磁性体部１Ｂは、複数の磁性体層１ｂが積層されている。第２の非磁性体部１Ｃは、複数の非磁性体層１ｃが積層されている。非磁性体部１Ａ、１Ｃ（非磁性体層１ａ、１ｃ）は、低透磁率または非磁性のセラミックにより形成されている。磁性体部１Ｂ（磁性体層１ｂ）は、非磁性体部１Ａ、１Ｃ（非磁性体層１ａ、１ｃ）よりも透磁率が大きい磁性セラミックにより形成されている。磁性体部１Ｂ（磁性体層１ｂ）の材料としては、例えば、磁性フェライトセラミックが用いられる。具体的には、酸化鉄を主成分とし、亜鉛、ニッケルおよび銅のうち少なくとも１つ以上を含むフェライトが用いられる。非磁性体部１Ａ、１Ｃ（非磁性体層１ａ、１ｃ）の材料としては、例えば、非磁性フェライトセラミックスやアルミナおよびガラスを主成分とする絶縁性ガラスセラミックスが用いられる。

第１の非磁性体部１Ａには、非磁性体層１ａの層間に形成された配線パターン２や、非磁性体層１ａを貫通して形成されたビア電極３によって、内部配線が形成されている。配線パターン２、ビア電極３は、たとえば、銀を主成分として形成されている。

磁性体部１Ｂには、コイルＬ１が内蔵されている。コイルＬ１は、磁性体層１ｂの層間に形成されたコイルパターン４が、磁性体層１ｂを貫通して形成されたビア電極（図示せず）によって螺旋状に接続されて形成されている。コイルパターン４は、たとえば、銀を主成分として形成されている。また、磁性体部１Ｂには、磁性体層１ｂの層間に形成された配線パターン２や、磁性体層１ｂを貫通して形成されたビア電極３によって、内部配線が形成されている。

第２の非磁性体部１Ｃには、２つのキャパシタＣ１、Ｃ２が内蔵されている。キャパシタＣ１、Ｃ２は、それぞれ、非磁性体層１ｃの層間に形成された対向する１対のキャパシタ電極５によって形成されている。キャパシタ電極５は、たとえば、銀を主成分として形成されている。また、第２の非磁性体部１Ｃには、非磁性体層１ｃの層間に形成された配線パターン（図示せず）や、非磁性体層１ｃを貫通して形成されたビア電極（図示せず）によって、内部配線が形成されている。

積層基板１の下側の主面には、ＤＣ‐ＤＣコンバータモジュール１００を基板などに実装する際に使用する、複数の実装用電極６が形成されている。実装用電極６は、積層基板１の第１の非磁性体部１Ａに形成された内部配線と接続されている。なお、実装用電極６は、図３の等価回路図においては、入力端子Ｔ１、出力端子Ｔ２、制御端子Ｔ３、グランド端子Ｔ４として示している。

積層基板１の上側の主面の中央部分には、キャビティ７が形成されている。キャビティ７は、積層基板１の主面と垂直方向に深さ方向を有している。

キャビティ７の側壁には、接続用電極８が形成されている。接続用電極８は、図２に示すように、本実施形態においては、磁性体部１Ｂや第２の非磁性体部１Ｃに設けられた配線パターン２やビア電極３が、キャビティ７を形成する際の切削加工によって露出されたのである。

キャビティ７には、スイッチングＩＣ（ＩＣチップ）Ｓ１が収容されている。スイッチングＩＣＳ１は、板状で、本実施形態においては平面方向の形状が矩形をしている。ただし、平面方向の形状は任意であり、矩形には限定されない。

図２に示すように、スイッチングＩＣＳ１は、一方の主面（底面）に端子電極９が形成されている。そして、スイッチングＩＣＳ１の各端子電極９の表面には、予め、はんだバンプ（導電性接合材）１０が形成されている。スイッチングＩＣＳ１は、キャビティ７に収容された後に、加熱され、はんだバンプ１０がリフローされ、再び自然冷却されて固化されることによって、はんだバンプ１０によって端子電極９が接続用電極８に接続されている。この結果、スイッチングＩＣＳ１の主面は、積層基板１の主面に対して、ほぼ垂直に配置される。

キャビティ７の側壁と、スイッチングＩＣＳ１の上側の主面（天面）との隙間（クリアランス）の大きさは、５０μｍ〜５００μｍ程度とするのが好ましい。また、キャビティ７の側壁と、スイッチングＩＣＳ１の側面との隙間の大きさは、両側の合計で、５０μｍ〜５００μｍ程度とするのが好ましい。隙間がこれよりも小さいと、スイッチングＩＣＳ１をキャビティ７内に収容するのが難しくなるからである。また、隙間がこれよりも大きいと、磁性体部１Ｂの体積が減少して、コイルＬ１のインダクタンス形成にとって好ましくないからである。なお、キャビティ７の内底面と、スイッチングＩＣＳ１の側面との隙間の大きさは任意であり、スイッチングＩＣＳ１の側面がキャビティ７の内底面に接していても良いし、接していなくても良い。

キャビティ７とスイッチングＩＣＳ１との隙間に、樹脂２１が充填されている。樹脂２１は、スイッチングＩＣＳ１を保護するとともに、積層基板１の強度を向上させている。

以上の構造を有する、第１実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００は、図３に示す等価回路を有する。

ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００は、入力端子Ｔ１、出力端子Ｔ２、制御端子Ｔ３、グランド端子Ｔ４を備える。入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、スイッチングＩＣＳ１とコイルＬ１とが接続されている。コイルＬ１は、チョークコイルとして機能する。入力端子Ｔ１とスイッチングＩＣＳ１との接続点が、キャパシタＣ１を介して、グランド端子Ｔ４に接続されている。また、スイッチングＩＣＳ１と出力端子Ｔ２との接続点が、キャパシタＣ２を介して、グランド端子Ｔ４に接続されている。さらに、制御端子Ｔ３とグランド端子Ｔ４とが、それぞれ、スイッチングＩＣＳ１に接続されている。

以上の構造および等価回路を有する、第１実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００は、次のような特長を備えている。

ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００は、スイッチングＩＣＳ１の主面がキャビティ７の側壁に沿うように、スイッチングＩＣＳ１がキャビティ７内に収容されているため、小型化がはかられている。すなわち、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００は、積層基板１の主面に、スイッチングＩＣＳ１を実装するためのスペースを必要としないため、平面方向の大きさ（縦寸法および横寸法）が抑制されている。また、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００は、スイッチングＩＣＳ１がキャビティ７内に収容されているため、高さ方向の大きさ（高さ寸法）も抑制されている。

また、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００は、スイッチングＩＣＳ１の主面がキャビティ７の側壁に沿うように、スイッチングＩＣＳ１がキャビティ７内に収容されているため、コイルＬ１の形成する磁束が、スイッチングＩＣＳ１によって妨げられにくい。以下に、図面を参照しながら説明する。図４（Ａ-１）、（Ａ-２）に、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００と同じく、ＩＣチップ５１の主面が基板５２の主面に対して垂直となるように、ＩＣチップ５１を基板５２の内部に埋設した、実施例にかかるＩＣチップ実装基板Ｘを示す。また、図４（Ｂ-１）、（Ｂ-２）に、ＩＣチップ６１の主面が基板６２の主面に対して平行となるように、ＩＣチップ６１を基板６２の内部に埋設した、比較例にかかるＩＣチップ実装基板Ｙを示す。ただし、図４（Ａ-１）、図４（Ｂ-１）は平面方向の透視図、図４（Ａ-２）、図４（Ｂ-２）は側面方向の透視図である。

実施例にかかるＩＣチップ実装基板Ｘは、図４（Ａ-１）、（Ａ-２）に示すように、コイル５３が形成する磁束（矢印で示す）が、ＩＣチップ５１によって妨げられにくい。これに対し、比較例にかかるＩＣチップ実装基板Ｙは、図４（Ｂ-１）、（Ｂ-２）に示すように、コイル６３が形成する磁束（矢印で示す）が、ＩＣチップ６１によって妨げられている。この結果、コイル５３とコイル６３とが同じ条件で形成されている場合には、コイル５３のインダクタンス値の方がコイル６３のインダクタンス値よりも大きくなる。そして、コイル５３の直流重畳特性の方が、コイル６３の直流重畳特性よりも優れたものになる。

ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００は、スイッチングＩＣＳ１の主面がキャビティ７の側壁に沿うように、スイッチングＩＣＳ１がキャビティ７内に収容されているため、コイルＬ１の形成する磁束がスイッチングＩＣＳ１によって妨げられにくく、大きなインダクタンス値を備えている。

次に、本実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００の製造方法の一例について説明する。

まず、図５（Ａ）に示すように、非磁性体層１ａを形成するためのセラミックグリーンシート１１ａ、磁性体層１ｂを形成するためのセラミックグリーンシート１１ｂ、非磁性体層１ｃを形成するためのセラミックグリーンシート１１ｃを作製する。セラミックグリーンシート１１ａ、１１ｃは、たとえば、非磁性フェライトを主成分にして形成されている。セラミックグリーンシート１１ｂは、たとえば、磁性フェライトを主成分にして形成されている。続いて、同じく図５（Ａ）に示すように、セラミックグリーンシート１１ａ〜１１ｃに、必要に応じて、レーザー光を照射するなどの方法によって、ビア電極３を形成するための孔１３を形成する。

次に、図６（Ｂ）に示すように、セラミックグリーンシート１１ａ〜１１ｃの孔１３に、導電性ペースト２３を充填する。併せて、セラミックグリーンシート１１ａ〜１１ｃの主面に、配線パターン２を形成するための導電性ペースト２２、コイルパターン４を形成するための導電性ペースト２４、キャパシタ電極５を形成するための導電性ペースト２５、実装用電極６を形成するための導電性ペースト２６を、それぞれ、所定のパターン形状に塗布する。導電性ペースト２２〜２６には、たとえば、銀を主成分とする導電性ペーストを用いることができる。導電性ペースト２３の充填および導電性ペースト２２、２４、２５、２６の塗布は、たとえばスクリーン印刷により、同時におこなうことができる。

次に、図７（Ｃ）に示すように、セラミックグリーンシート１１ａ〜１１ｃを積層し、加圧して一体化し、所定のプロファイルで焼成して積層基板１を作製する。

次に、図７（Ｄ）に示すように、積層基板１の上側の主面（天面）をドリル７１などで切削加工して、図８（Ｅ）に示すように、積層基板１の上側の主面にキャビティ７を形成する。このとき、キャビティ７の側壁に、接続用電極８が露出する。

次に、図８（Ｆ）に示すように、キャビティ７に、スイッチングＩＣＳ１を収容する。

次に、積層基板１を例えばリフローにより所定の温度で加熱し、はんだバンプ１０を溶融させ、再び自然冷却させて固化させて、図９（Ｇ）に示すように、スイッチングＩＣＳ１の端子電極（図９（Ｇ）には図示せず）を、はんだバンプ（導電性接合材）１０によって、キャビティ７の側壁に設けられた接続用電極８に接続する。このとき、スイッチングＩＣＳ１がセルフアライメントによって移動するため、端子電極と接続用電極８とが確実に接続される。なお、この工程は、図９（Ｇ）に示された積層基板１を、図における反時計回りに９０度回転させ、スイッチングＩＣＳ１のはんだバンプ１０が形成された主面が下側になるようにしたうえで、おこなうことが好ましい。この場合には、スイッチングＩＣＳ１のセルフアライメントが、より適正におこなわれる。

次に、図９（Ｈ）に示すように、スイッチングＩＣＳ１とキャビティ７との隙間に、樹脂２１を充填する。以上により、第１実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００が完成する。

［第２実施形態］
図１０（Ａ）、（Ｂ）に、第２実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール（ＩＣチップ実装基板）２００を示す。なお、図１０（Ａ）はＤＣ-ＤＣコンバータモジュール２００の斜視図、図１０（Ｂ）は断面図である。

ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール２００は、第１実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００に変更を加えた。

ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００では、図１（Ｂ）に示すように、キャパシタＣ１、Ｃ２が、それぞれ、積層基板１の第２の非磁性体部１Ｃの非磁性体層１ｃの層間に形成された対向する１対のキャパシタ電極５によって形成されていた。ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール２００は、これに代えて、キャパシタＣ１、Ｃ２を別部品として構成するとともに、積層基板１の上側の主面（天面）にランド電極３６を形成して、キャパシタＣ１、Ｃ２をランド電極３６に実装した。

また、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００では、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、スイッチングＩＣＳ１が、キャビティ７内に完全に収容されていた。ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール２００は、これに代えて、スイッチングＩＣＳ１の一部を、キャビティ７の外部に露出させた。ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール２００の他の構成は、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００と同じにした。

第２実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール２００も、スイッチングＩＣＳ１の主面がキャビティ７の側壁に沿うように、スイッチングＩＣＳ１がキャビティ７内に収容されており、積層基板１の主面にスイッチングＩＣＳ１を実装するためのスペースを必要としないため、平面方向の大きさ（縦寸法および横寸法）が抑制されている。また、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール２００は、スイッチングＩＣＳ１の主面がキャビティ７の側壁に沿うように、スイッチングＩＣＳ１がキャビティ７内に収容されているため、コイルＬ１の形成する磁束が、スイッチングＩＣＳ１によって妨げられにくい。さらに、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール２００は、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００よりもキャビティ７の深さを小さくすることができるため、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００よりも積層基板１の強度が向上している。

［第３実施形態］
図１１に、第３実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール（ＩＣチップ実装基板）３００を示す。なお、図１１は、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール３００の断面図である。

ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール３００は、第１実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００に変更を加えた。具体的には、積層基板１の磁性体部１Ｂを構成する磁性体層１ｂのうちの１層を、非磁性体層１ｘに置換えた。非磁性体層１ｘは、非磁性体層１ａや非磁性体層１ｃと同じ材質によって形成されている。ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール３００の他の構成は、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール１００と同じにした。

第３実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール３００は、非磁性体層１ｘを設けたことにより、コイルＬ１の直流重畳特性が改善されている。

以上、第１〜第３実施形態にかかるＤＣ-ＤＣコンバータモジュール（ＩＣチップ実装基板）１００〜３００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。

たとえば、第１〜第３実施形態では、ＩＣチップ実装基板としてＤＣ-ＤＣコンバータモジュールを作製したが、作製される電子モジュールはＤＣ-ＤＣコンバータモジュールには限られない。たとえば、ＲＦＩＤモジュール、ＲＦフロントエンドモジュールなどであっても良い。

１・・・積層基板
１Ａ・・・第１の非磁性体部
１ａ・・・非磁性体層
１Ｂ・・・磁性体部
１ｂ・・・磁性体層
１Ｃ・・・第２の非磁性体部
１ｃ・・・非磁性体層
１ｘ・・・非磁性体層（磁性体部１Ｂに設けられたもの）
２・・・配線パターン
３・・・ビア電極
４・・・コイルパターン
５・・・キャパシタ電極
６・・・実装用電極
７・・・キャビティ
８・・・接続用電極
９・・・端子電極
１０・・・はんだバンプ
２１・・・樹脂
３６・・・ランド電極
Ｓ１・・・スイッチングＩＣ（ＩＣチップ）
Ｔ１・・・入力端子
Ｔ２・・・出力端子
Ｔ３・・・制御端子
Ｔ４・・・グランド端子
Ｌ１・・・コイル
Ｃ１、Ｃ２・・・キャパシタ
１００、２００、３００・・・ＤＣ-ＤＣコンバータモジュール（ＩＣチップ実装基板）

Claims

１対の主面を有し、少なくとも一方の前記主面にキャビティが形成された基板と、
前記キャビティ内に形成された接続用電極と、
１対の主面を有し、一方の前記主面に端子電極が形成された板状のＩＣチップと、を備え、
前記ＩＣチップが前記キャビティ内に収容され、前記端子電極が前記接続用電極に導電性接合材を介して接続されたＩＣチップ実装基板であって、
前記基板に、さらに、前記キャビティの深さ方向に巻回軸を有するコイルが内蔵され、
前記キャビティは、前記コイルの内側に形成され、
前記接続用電極が前記キャビティの側壁に形成され、前記ＩＣチップの前記主面が前記キャビティの前記側壁に沿うように、前記ＩＣチップが前記キャビティ内に縦方向に収容されたＩＣチップ実装基板。
前記基板が、磁性体によって形成された磁性体部を有し、当該磁性体部内に、前記コイルが内蔵されている、請求項１に記載されたＩＣチップ実装基板。
前記磁性体部に、前記基板の前記主面と平行な方向に広がる、非磁性体によって形成された非磁性体層が設けられた、請求項２に記載されたＩＣチップ実装基板。
前記キャビティと前記ＩＣチップとの隙間に樹脂が充填されている、請求項１ないし３のいずれか１項に記載されたＩＣチップ実装基板。
前記ＩＣチップがスイッチングＩＣであり、ＤＣ-ＤＣコンバータモジュールを構成し
ている請求項１ないし４のいずれか１項に記載されたＩＣチップ実装基板。