JP2008112832A - 高周波ユニット、及び高周波ユニットの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】小型で安価な高周波ユニット、及び高周波ユニットの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の高周波ユニットにおいて、第２の接地用パターン４を挟んで隣り合わせに第１，第２の回路形成領域Ｒ１，Ｒ２が設けられると共に、第１のカバ７の第１の側面板７ｂと第２のカバー９の第３の側面板９ｃとが互いに突き合わされるようになっているため、第１，第２の回路形成領域Ｒ１，Ｒ２間と第１、第２のカバー７，９間の距離を極力小さくできて、小型で、絶縁基板１の材料費を安くできて、安価なものが得られる。
【選択図】図２

Description

本発明は、携帯電話機に使用される送受信ユニット等に使用して好適な高周波ユニット、及び高周波ユニットの製造方法に関するものである。

図９は従来の高周波ユニットの平面図、図１０は従来の高周波ユニットの要部断面図であり、次に、従来の高周波ユニットの構成を図９，図１０に基づいて説明すると、絶縁基板５１の上面には、互いに間隔を置いて配置された第１，第２の回路形成領域５２，５３が設けられると共に、この絶縁基板５１には、第１，第２の回路形成領域５２，５３のそれぞれの境目において複数の凹部５１ａ、５１ｂが設けられている。

そして、第１，第２の回路形成領域５２，５３には、それぞれ電子部品５４が搭載されて、第１，第２の回路部５５，５６が形成されている。

金属板からなる箱形の第１のカバー５７は、四角形の第１の上面板５７ａと、この第１の上面板５７ａの周辺から同じ長さで下方に延びる４つの第１の側面板５７ｂと、第１の側面板５７ｂの下端部から下方に突出する複数の第１の突部５７ｃとを有する。

この第１のカバー５７は、第１の上面板５７ａと第１の側面板５７ｂとで第１の回路形成領域５２を覆った状態で、第１の突部５７ｃが凹部５１ａに掛け止めされ、第１のカバー５７の第１の側面板５７ｂの下部全周が絶縁基板５１に設けられた接地用パターン（図示せず）に半田５８付けされる。

金属板からなる箱形の第２のカバー５９は、四角形の第２の上面板５９ａと、この第２の上面板５９ａの周辺から第１の側面板５７ｂと同じ長さで下方に延びる４つの第２の側面板５９ｂと、第２の側面板５９ｂの下端部から下方に突出する複数の第２の突部５９ｃとを有する。

この第２のカバー５９は、第２の上面板５９ａと第２の側面板５９ｂとで第２の回路形成領域５３を覆った状態で、第２の突部５９ｃが凹部５１ｂに掛け止めされ、第２のカバー５９の第２の側面板５９ｂの下部全周が絶縁基板５１に設けられた接地用パターン（図示せず）に半田６０付けされて、従来の高周波ユニットが形成されている（例えば、特許文献１参照）。

即ち、従来の高周波ユニットは、第１，第２の回路形成領域５２，５３間と、第１，第２のカバー５７，５９間が大きく離れた状態で配置されたものとなっており、このような構成を有する従来の高周波ユニットの製造方法を説明すると、先ず、第１，第２の回路形成領域５２，５３を有する絶縁基板５１上に電子部品５４を搭載して、第１，第２の回路形成領域５２，５３に第１，第２の回路部５５，５６を形成する。

次に、第１のカバー５７によって第１の回路形成領域５２を覆った状態で、第１の突部５７ｃが凹部５１ａに掛け止めされると共に、第２のカバー５９によって第２の回路形成領域５３を覆った状態で、第２の突部５９ｃが凹部５１ｂに掛け止めされる。

次に、この状態でリフローによる半田付けが行われ、第１のカバー５７の第１の側面板５７ｂの下部全周が絶縁基板５１に設けられた接地用パターン（図示せず）に半田５８付けされると共に、第２のカバー５９の第２の側面板５９ｂの下部全周が絶縁基板５１に設けられた接地用パターン（図示せず）に半田６０付けされて、従来の高周波ユニットの製造が完了する。
特開２００３−２５８４７６号公報

しかし、従来の高周波ユニットにあっては、絶縁基板５１上に設けられた第１，第２の回路形成領域５２，５３間と、第１，第２のカバー５７，５９間が大きく離れた状態で配置されているため、大型となる上に、絶縁基板５１の材料費が高くなって、コスト高になるという問題がある。

また、従来の高周波ユニットの製造方法にあっては、絶縁基板５１上に設けられた第１，第２の回路形成領域５２，５３間と、第１，第２のカバー５７，５９間が大きく離れた状態で配置されているため、第１，第２のカバー５７，５９間の半田５８，６０の付き状態を容易に判別できる反面、大型となる上に、絶縁基板５１の材料費が高くなって、コスト高になるという問題がある。

本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、小型で安価な高周波ユニット、及び高周波ユニットの製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するために、本発明の高周波ユニットは、第１，第２の回路形成領域を囲む四角形状をなした第１の接地用パターン、及びこの第１の接地用パターン内を２分して第１，第２の回路形成領域を分割する第２の接地用パターンとを有する絶縁基板と、第１，第２の回路形成領域に電子部品が搭載されて形成された第１，第２の回路部と、第１の回路形成領域を覆う箱形の第１のカバーと、第２の回路形成領域を覆う箱形の第２のカバーとを備え、
第１のカバーは、四角形の第１の上面板と、この第１の上面板の周辺から同じ長さで下方に延びる４つの第１の側面板とを有し、第１の側面板の３つの下部が第１の接地用パターンに半田付けされると共に、第１の側面板の残りの１つの下部が第２の接地用パターンに半田付けされ、
第２のカバーは、四角形の第２の上面板と、この第２の上面板の周辺から第１の側面板と同じ長さで下方に延びる３つの第２の側面板と、この第２の側面板よりも短い長さで第２の上面板から下方に延びる１つの第３の側面板とを有し、第２の側面板の３つの下部が第１の接地用パターンに半田付けされると共に、第３の側面板は、第３の側面板の下端部と絶縁基板との間に隙間を持たせた状態で、第２の接地用パターンに接続された第１の側面板に突き合わされ、第１，第２のカバーの突き合わせ箇所の上面側が半田付けされたことを特徴としている。

このように構成した本発明は、第２の接地用パターンを挟んで隣り合わせに第１，第２の回路形成領域が設けられると共に、第１のカバーの第１の側面板と第２のカバーの第３の側面板とが互いに突き合わされるようになっているため、第１，第２の回路形成領域間と第１、第２のカバー間の距離を極力小さくできて、小型で、絶縁基板の材料費を安くできて、安価なものが得られる。

また、第３の側面板の下端部と絶縁基板との間に隙間を持たせた状態となっているため、この隙間、或いは隙間の近傍に第２の回路形成領域の電子部品を配置できて、一層の小型化を図ることができる上に、第１，第２のカバーの突き合わせ箇所の上面側が半田付けされているため、突き合わせ箇所が半田によって塞がれ、第２の回路形成領域内におけるシールドを良好にでき、且つ、第３の側面板の存在によって、突き合わせ箇所に半田が設けられた際、第２のカバー内への半田の流入が抑えられて、半田を突き合わせ箇所に留めることができる。

また、本発明の高周波ユニットは、上記発明において、第１の側面板の３つの下部全体が第１の接地用パターンに、また、第１の側面板の１つの下部全体が第２の接地用パターンに半田付けされると共に、第２の側面板の下部全体が第１の接地用パターンに半田付けされたことを特徴としている。

このように構成した本発明は、第１の側面板の下部全体が第１、第２の接地用パターンに半田付けされ、第２の側面板の下部全体が第１の接地用パターンに半田付けされたため、第１，第２の回路形成領域内のシールドの良好なものが得られる。

また、本発明の高周波ユニットは、上記発明において、第１、第２のカバーの突き合わせ箇所の側面側が半田付けされたことを特徴としている。

このように構成した本発明は、第１、第２のカバーの突き合わせ箇所の側面側に半田を設けることによって、側面側が半田で塞がれ、第２の回路形成領域内のシールドを一層向上することができる。

また、本発明の高周波ユニットは、上記発明において、第２のカバーは、第３の側面板の下部両端に位置する第４の補助側面板を有し、この第４の補助側面板が第１の接地用パターンに半田付けされた第１の側面板に突き合わされたことを特徴としている。

このように構成した本発明は、第４の補助側面板の存在によって、突き合わせ箇所の側面側に半田が設けられた際、第２のカバー内への半田の流入が抑えられて、半田を突き合わせ箇所に留めることができる。

また、本発明の高周波ユニットは、上記発明において、第１，第２のカバーの下部には、それぞれ突部が設けられ、この突部が絶縁基板に設けられた凹部に掛け止めされたことを特徴としている。

このように構成した本発明は、突部の存在によって、第１，第２のカバーの位置決めが正確にできて、精度の高いものが得られる。

上記の目的を達成するために、本発明の高周波ユニットの製造方法は、第１，第２の回路形成領域を囲む四角形状をなした第１の接地用パターン、及びこの第１の接地用パターン内を２分して第１，第２の回路形成領域を分割する第２の接地用パターンとを有する絶縁基板上に電子部品を搭載して、第１，第２の回路形成領域に第１，第２の回路部を形成する回路形成工程と、
四角形の第１の上面板、及びこの第１の上面板の周辺から同じ長さで下方に延びる４つの第１の側面板とを有した箱形の第１のカバーによって第１の回路形成領域を覆う被せ工程と、
第１の側面板の３つの下部を第１の接地用パターンに半田付け、及び第１の側面板の残りの１つの下部を第２の接地用パターンに半田付けする第１の半田付け工程と、
四角形の第２の上面板とこの第２の上面板の周辺から第１の側面板と同じ長さで下方に延びる３つの第２の側面板、及びこの第２の側面板よりも短い長さで第２の上面板から下方に延びる１つの第３の側面板とを有した第２のカバーによって第２の回路形成領域を覆い、且つ、第３の側面板の下端部と絶縁基板との間に隙間を持たせた状態で、第３の側面板を第１の接地用パターンに半田付けされた第１の側面板に突き合わせる合わせ工程と、
第２の側面板の３つの下部を第１の接地用パターンに半田付けする第２の半田付け工程と、
第１，第２のカバーの突き合わせ箇所の上面側を半田付けする第３の半田付け工程とを備えたことを特徴としている。

このように構成した本発明は、第１のカバーを半田付けする第１の半田付け工程を行った後に、第１の側面板における第２の接地用パターンへの半田付き状態を確認し、しかる後、第２のカバーを半田付けする第２の半田付け工程を行うことができるため、第１の側面板における第２の接地用パターンへの半田付き状態を容易に確認できると共に、第２の接地用パターンを挟んで隣り合わせに第１，第２の回路形成領域が設けられ、第１のカバーの第１の側面板と第２のカバーの第３の側面板とが互いに突き合わせられるようになっているため、第１，第２の回路形成領域間と第１、第２のカバー間の距離を極力小さくできて、小型で、絶縁基板の材料費を安くできて、安価なものが得られる。

また、本発明の製造方法は、上記発明において、第１の半田付け工程において、第１の側面板の３つの下部全体が第１の接地用パターンに、及び第１の側面板の残りの１つの下部全体が第２の接地用パターンに半田付けされると共に、第２の半田付け工程において、第２の側面板の３つの下部全体が第１の接地用パターンに半田付けされたことを特徴としている。

このように構成した本発明は、第１の側面板の下部全体が第１、第２の接地用パターンに半田付けされ、第２の側面板の下部全体が第１の接地用パターンに半田付けされたため、第１，第２の回路形成領域内のシールドの良好なものが得られる。

また、本発明の製造方法は、上記発明において、第１のカバーの被せ工程において、第１のカバーの下部に設けられた突部が絶縁基板に設けられた凹部に掛け止めされて、第１のカバーの位置決めが行われるようにしたことを特徴としている。

このように構成した本発明は、突部の存在によって、第１のカバーの位置決めが正確にできて、精度の高いものが得られる。

また、本発明の製造方法は、上記発明において、第２のカバーの合わせ工程において、第２のカバーの下部に設けられた突部が絶縁基板に設けられた凹部に掛け止めされて、第２のカバーの位置決めが行われるようにしたことを特徴としている。

このように構成した本発明は、突部の存在によって、第２のカバーの位置決めが正確にできて、精度の高いものが得られる。

本発明の高周波ユニットは、第２の接地用パターンを挟んで隣り合わせに第１，第２の回路形成領域が設けられると共に、第１のカバの第１の側面板と第２のカバーの第３の側面板とが互いに突き合わされるようになっているため、第１，第２の回路形成領域間と第１、第２のカバー間の距離を極力小さくできて、小型で、絶縁基板の材料費を安くできて、安価なものが得られる。

また、本発明の高周波ユニットの製造方法は、第１のカバーを半田付けする第１の半田付け工程を行った後に、第１の側面板における第２の接地用パターンへの半田付き状態を確認し、しかる後に、第２のカバーを半田付けする第２の半田付け工程を行うことができるため、第１の側面板における第２の接地用パターンへの半田付き状態を容易に確認できると共に、第２の接地用パターンを挟んで隣り合わせに第１，第２の回路形成領域が設けられ、第１のカバの第１の側面板と第２のカバーの第３の側面板とが互いに突き合わされるようになっているため、第１，第２の回路形成領域間と第１、第２のカバー間の距離を極力小さくできて、小型で、絶縁基板の材料費を安くできて、安価なものが得られる。

発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１は本発明の高周波ユニットの平面図、図２は本発明の高周波ユニットの要部断面図、図３は本発明の高周波ユニットに係り、カバーを取り去った状態の絶縁基板の平面図、図４は本発明の高周波ユニットに係り、第１のカバーを突き合わせ面側から見た斜視図、図５は本発明の高周波ユニットに係り、第２のカバーを突き合わせ面側から見た斜視図、図６は本発明の高周波ユニットの製造方法に係り、回路形成工程を示す斜視図、図７は本発明の高周波ユニットの製造方法に係り、被せ工程を示す斜視図、図８は本発明の高周波ユニットの製造方法に係り、合わせ工程を示す斜視図である。

次に、本発明の高周波ユニットの構成を図１〜図５に基づいて説明すると、樹脂部やセラミック等からなる絶縁基板１の上面には、銅箔等からなる配線パターン２が設けられ、この配線パターン２は、絶縁基板１上に形成された第１、第２の回路形成領域Ｒ１、Ｒ２の全体を囲むように配置された四角形状の第１の接地用パターン３と、この第１の接地用パターン３に接続され、この第１の接地用パターン３内を２分して隣り合わせに第１、第２の回路形成領域Ｒ１、Ｒ２を分割する第２の接地用パターン４とを有する。

また、配線パターン２は、第１、第２の回路形成領域Ｒ１，Ｒ２に形成された信号用パターン５を有すると共に、第１、第２の回路形成領域Ｒ１，Ｒ２には、半導体部品、及び抵抗やコンデンサ等のチップ部品からなる電子部品６が搭載されて、第１の回路形成領域Ｒ１には第１の回路部Ｋ１が、また、第２の回路形成領域Ｒ２には第２の回路部Ｋ２が形成されている。

また、絶縁基板１は、第１の接地用パターン３上に位置した状態で設けられた凹部１ａを有し、この凹部１ａは、少なくとも第２の接地用パターン４を避けた状態となっている。

金属板からなる箱形の第１のカバー７は、特に図４に示すように、四角形状の第１の上面板７ａと、この第１の上面板７ａの周辺から同じ長さで下方に延びる４つの第１の側面板７ｂと、第１の側面板７ｂの下端部から下方に突出する複数の第１の突部７ｃとを有する。

この第１のカバー７は、第１の上面板７ａと第１の側面板７ｂとで第１の回路形成領域Ｒ１を覆った状態で、第１の突部７ｃが凹部１ａに掛け止めされ、第１の側面板７ｂの３つの下部全体が第１の接地用パターン３に半田８付けされ、また、第１の側面板７ｂの残りの１つの下部全体が第２の接地用パターン４に半田８付けされる。

金属板からなる箱形の第２のカバー９は、特に図５に示すように、四角形状の第２の上面板９ａと、この第２の上面板９ａの周辺から第１の側面板７ｂと同じ長さで下方に延びる３つの第２の側面板９ｂと、この第２の側面板９ｂよりも短い長さで第２の上面板から下方に延びる第３の側面板９ｃと、この第３の側面板９ｃの両端下部に位置するように、第２の側面板９ｂから折り曲げ形成された第４の補助側面板９ｄと、第２の側面板９ｂの下端部から下方に突出する第２の突部９ｅとを有する。

この第２のカバー９は、第２の上面板９ａと第２の側面板９ｂとで第２の回路形成領域Ｒ２を覆った状態で、第３の側面板９ｃと第４の補助側面板９ｄとが第２の接地用パターン３に接続された１つの第１の側面板７ｂに互いに突き合わされ、且つ、第２の突部９ｅが凹部１ａに掛け止めされて、第３の側面板９ｃの下端部と絶縁基板１との間に隙間を持たせた状態で、第２の側面板９ｂの３つの下部全体が第１の接地用パターン３に半田１０付けされている。

ここでは図示しないが、第１，第２のカバー７，９の突き合わせ箇所の上面側、及び側面側が半田付けされており、この半田によって突き合わせ箇所の隙間を無くすようにして、本発明の高周波ユニットが形成されている。

また、第３の側面板と第４の補助側面板９ｄの存在によって、突き合わせ箇所に半田が設けられた際、第２のカバー９内への半田の流入が抑えられて、半田を突き合わせ箇所に留めることができるものである。

次に、本発明の高周波ユニットの製造方法を図６〜図８に基づいて説明すると、先ず、図６に示すように、第１，第２の回路形成領域Ｒ１，Ｒ２を囲む四角形状をなした第１の接地用パターン３、及びこの第１の接地用パターン３内を２分して第１，第２の回路形成領域Ｒ１，Ｒ２を分割する第２の接地用パターン４とを有する絶縁基板１上に電子部品６を搭載して、第１，第２の回路形成領域Ｒ１，Ｒ２に第１，第２の回路部Ｋ１，Ｋ２を形成する回路形成工程を行う。

次に、図７に示すように、四角形状の第１の上面板７ａ、この第１の上面板７ａの周辺から同じ長さで下方に延びる４つの第１の側面板７ｂ、及び第１の突部７ｃとを有した第１のカバー７によって第１の回路形成領域Ｒ１を覆う被せ工程を行うと共に、この被せ工程において、第１の突部７ｃが絶縁基板１の凹部１ａに掛け止めされて、第１のカバー７の位置決めが行われる。

次に、第１の側面板７ｂの３つの下部全体を第１の接地用パターン３に半田８付け、及び第１の側面板７ｂの１つの下部全体を第２の接地用パターン４に半田８付けする第１の半田付け工程を行う。

これによって、第２のカバー９が第１のカバー７に突き合わされる前に、第１の側面板７ｂの第２の接地用パターン４への半田８付け状態を目視によって確認することができる。

次に、図８に示すように、四角形状の第２の上面板９ａ、この第２の上面板９ａの周辺から第１の側面板７ｂと同じ長さで下方に延びる３つの第２の側面板９ｂ、この第２の側面板９ｂよりも短い長さで第２の上面板９ａから下方に延びる１つの第３の側面板９ｃ、第４の補助側面板９ｄ、及び第２の突部９ｅとを有した第２のカバーによって第２の回路形成領域Ｒ２を覆い、且つ、第３の側面板９ｃの下端部と絶縁基板１との間に隙間を持たせた状態で、第３の側面板と第４の部分側面板９ｄとが第２の接地用パターン４に接続された１つの第１の側面板７ｂに互いに突き合わされる合わせ工程を行う。

この合わせ工程において、第２の突部９ｅが絶縁基板１の凹部１ａに掛け止めされて、第２のカバー９の位置決めが行われる。

そして、この合わせ工程の後、第２の側面板９ｂの３つの下部全体を第１の接地用パターン３に半田付けする第２の半田付け工程を行った後、第１，第２のカバー７，９の突き合わせ箇所の上面側、及び側面側を半田付けする第３の半田付け工程を行うと、本発明の高周波ユニットの製造が完了する。

このように、第１，第２のカバー７，９の突き合わせ箇所の上面側（第１，第３の側面板７ｂ、９ｃ間）、及び側面側（第１の側面板７ｂと第４の補助側面板９ｄとの間）が半田付けされているため、突き合わせ箇所が半田によって塞がれ、第２の回路形成領域内におけるシールドを良好にでき、且つ、第３の側面板と第４の補助側面板９ｄの存在によって、突き合わせ箇所に半田が設けられた際、第２のカバー内への半田の流入が抑えられて、半田を突き合わせ箇所に留めることができる。

本発明の高周波ユニットの平面図である。 本発明の高周波ユニットの要部断面図である。 本発明の高周波ユニットに係り、カバーを取り去った状態の絶縁基板の平面図である。 本発明の高周波ユニットに係り、第１のカバーを突き合わせ面側から見た斜視図である。 本発明の高周波ユニットに係り、第２のカバーを突き合わせ面側から見た斜視図である。 本発明の高周波ユニットの製造方法に係り、回路形成工程を示す斜視図である。 本発明の高周波ユニットの製造方法に係り、被せ工程を示す斜視図である。 本発明の高周波ユニットの製造方法に係り、合わせ工程を示す斜視図である。 従来の高周波ユニットの平面図である。 従来の高周波ユニットの要部断面図である。

符号の説明

１ 絶縁基板
１ａ 凹部
２ 配線パターン
３ 第１の接地用パターン
４ 第２の接地用パターン
５ 信号用パターン
６ 電子部品
７ 第１のカバー
７ａ 第１の上面板
７ｂ 第１の側面板
７ｃ 第１の突部
８ 半田
９ 第２のカバー
９ａ 第２の上面板
９ｂ 第２の側面板
９ｃ 第３の側面板
９ｄ 第４の補助側面板
９ｅ 第２の突部
１０ 半田
Ｒ１ 第１の回路形成領域
Ｒ２ 第２の回路形成領域
Ｋ１ 第１の回路部
Ｋ２ 第２の回路部

Claims (9)

1. 第１，第２の回路形成領域を囲む四角形状をなした第１の接地用パターン、及びこの第１の接地用パターン内を２分して前記第１，第２の回路形成領域を分割する第２の接地用パターンとを有する絶縁基板と、前記第１，第２の回路形成領域に電子部品が搭載されて形成された第１，第２の回路部と、前記第１の回路形成領域を覆う箱形の第１のカバーと、前記第２の回路形成領域を覆う箱形の第２のカバーとを備え、
   前記第１のカバーは、四角形の第１の上面板と、この第１の上面板の周辺から同じ長さで下方に延びる４つの第１の側面板とを有し、前記第１の側面板の３つの下部が前記第１の接地用パターンに半田付けされると共に、前記第１の側面板の残りの１つの下部が前記第２の接地用パターンに半田付けされ、
   前記第２のカバーは、四角形の第２の上面板と、この第２の上面板の周辺から前記第１の側面板と同じ長さで下方に延びる３つの第２の側面板と、この第２の側面板よりも短い長さで前記第２の上面板から下方に延びる１つの第３の側面板とを有し、前記第２の側面板の３つの下部が前記第１の接地用パターンに半田付けされると共に、前記第３の側面板は、前記第３の側面板の下端部と前記絶縁基板との間に隙間を持たせた状態で、前記第２の接地用パターンに接続された前記第１の側面板に突き合わされ、前記第１，第２のカバーの突き合わせ箇所の上面側が半田付けされたことを特徴とする高周波ユニット。
2. 前記第１の側面板の３つの下部全体が前記第１の接地用パターンに、また、前記第１の側面板の１つの下部全体が前記第２の接地用パターンに半田付けされると共に、前記第２の側面板の下部全体が前記第１の接地用パターンに半田付けされたことを特徴とする請求項１記載の高周波ユニット。
3. 前記第１、第２のカバーの突き合わせ箇所の側面側が半田付けされたことを特徴とする請求項１、又は２記載の高周波ユニット。
4. 前記第２のカバーは、前記第３の側面板の下部両端に位置する第４の補助側面板を有し、この第４の補助側面板が前記第１の接地用パターンに半田付けされた前記第１の側面板に突き合わされたことを特徴とする請求項３記載の高周波ユニット。
5. 前記第１，第２のカバーの下部には、それぞれ突部が設けられ、この突部が前記絶縁基板に設けられた凹部に掛け止めされたことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の高周波ユニット。
6. 第１，第２の回路形成領域を囲む四角形状をなした第１の接地用パターン、及びこの第１の接地用パターン内を２分して前記第１，第２の回路形成領域を分割する第２の接地用パターンとを有する絶縁基板上に電子部品を搭載して、前記第１，第２の回路形成領域に第１，第２の回路部を形成する回路形成工程と、
   四角形の第１の上面板、及びこの第１の上面板の周辺から同じ長さで下方に延びる４つの第１の側面板とを有した箱形の第１のカバーによって前記第１の回路形成領域を覆う被せ工程と、
   前記第１の側面板の３つの下部を前記第１の接地用パターンに半田付け、及び前記第１の側面板の残りの１つの下部を前記第２の接地用パターンに半田付けする第１の半田付け工程と、
   四角形の第２の上面板とこの第２の上面板の周辺から前記第１の側面板と同じ長さで下方に延びる３つの第２の側面板、及びこの第２の側面板よりも短い長さで前記第２の上面板から下方に延びる１つの第３の側面板とを有した第２のカバーによって前記第２の回路形成領域を覆い、且つ、前記第３の側面板の下端部と前記絶縁基板との間に隙間を持たせた状態で、前記第３の側面板を前記第１の接地用パターンに半田付けされた前記第１の側面板に突き合わせる合わせ工程と、
   前記第２の側面板の３つの下部を前記第１の接地用パターンに半田付けする第２の半田付け工程と、
   前記第１，第２のカバーの突き合わせ箇所の上面側を半田付けする第３の半田付け工程とを備えたことを特徴とする高周波ユニットの製造方法。
7. 前記第１の半田付け工程において、前記第１の側面板の３つの下部全体が前記第１の接地用パターンに、及び前記第１の側面板の残りの１つの下部全体が前記第２の接地用パターンに半田付けされると共に、前記第２の半田付け工程において、前記第２の側面板の３つの下部全体が前記第１の接地用パターンに半田付けされたことを特徴とする請求項６記載の高周波ユニット。
8. 前記第１のカバーの前記被せ工程において、前記第１のカバーの下部に設けられた突部が前記絶縁基板に設けられた凹部に掛け止めされて、前記第１のカバーの位置決めが行われるようにしたことを特徴とする請求項６、又は７記載の高周波ユニットの製造方法。
9. 前記第２のカバーの前記合わせ工程において、前記第２のカバーの下部に設けられた突部が前記絶縁基板に設けられた凹部に掛け止めされて、前記第２のカバーの位置決めが行われるようにしたことを特徴とする請求項８記載の高周波ユニットの製造方法。

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