JP3292082B2 - ターミナルランドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、従来のビーム状の
リードを備えたリードフレームに代えて、ランドを備え
たターミナルランドフレームと、それを用いて半導体素
子を搭載し、外囲を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実
装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、
薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多
ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置が要望されている。

【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置に使用
するリードフレームについて説明する。

【０００４】図１１は、従来のリードフレームの構成を
示す平面図である。図１１に示すように、従来のリード
フレームはフレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半
導体素子が載置される四角形のダイパッド部２と、ダイ
パッド部２を支持する吊りリード部３と、半導体素子を
載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の
接続手段により電気的接続するビーム状のインナーリー
ド部４と、そのインナーリード部４と連続して設けら
れ、外部端子との接続のためのアウターリード部５と、
アウターリード部５どうしを連結固定し、樹脂封止の際
の樹脂止めとなるタイバー部６とより構成されていた。

【０００５】なお、リードフレームは、図１１に示した
構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、
上下に連続して配列されたものである。

【０００６】次に従来の樹脂封止型半導体装置について
説明する。図１２は、図１１に示したリードフレームを
用いた樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。

【０００７】図１２に示すように、リードフレームのダ
イパッド部２上に半導体素子７が搭載され、その半導体
素子７とインナーリード部４とが金属細線８により電気
的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体
素子７、インナーリード部４の外囲は封止樹脂９により
封止されている。封止樹脂９の側面からはアウターリー
ド部５が突出して設けられ、先端部はベンディングされ
ている。

【０００８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、図１３に示すように、リードフレームのダイパッド
部２上に半導体素子７を接着剤により接合した後（ダイ
ボンド工程）、半導体素子７とインナーリード部４の先
端部とを金属細線８により接続する（ワイヤーボンド工
程）。その後、半導体素子７の外囲を封止するが、封止
領域はリードフレームのタイバー部６の領域内を封止樹
脂９により封止し、アウターリード部５を外部に突出さ
せて封止する（樹脂封止工程）。そしてタイバー部６、
フレーム枠１をカッティングし、アウターリード部５の
先端部をベンディングすることにより（タイバーカット
・ベンド工程）、図１２に示した構造の樹脂封止型半導
体装置を製造することができる。図１３の破線で示した
領域が封止樹脂９で封止する領域である。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のリ
ードフレームでは、半導体素子が高集積化し、多ピンと
なった場合、インナーリード部の幅の形成には限界があ
り、多ピンに対応しようとする場合は、リードフレーム
自体が大きくなり、結果として樹脂封止型半導体装置も
大きくなり、要望される小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置は実現できないという課題があった。また、半導体
素子の多ピン対応としてリードフレームのサイズを変更
せず、インナーリード部を増加させる場合は、１本当た
りのインナーリード部の幅を細くしなければならず、リ
ードフレーム形成のエッチング等の加工で課題が多くな
ってしまう。

【００１０】また最近は面実装タイプの半導体装置とし
て、底面に外部電極を設けたキャリア上に半導体素子を
搭載し、上面を樹脂封止した半導体装置であるボール・
グリッド・アレイ（ＢＧＡ）タイプやランド・グリッド
・アレイ（ＬＧＡ）タイプの半導体装置がある。このタ
イプの半導体装置はその底面側でマザー基板と実装する
半導体装置であり、今後、このような面実装タイプの半
導体装置が主流になりつつある。したがって、このよう
な動向に対応するには、従来のリードフレーム、そのリ
ードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置では、対応
できないという大きな課題が顕在化してきている。従来
の樹脂封止型半導体装置では、封止樹脂の側面にアウタ
ーリード部よりなる外部リードが設けられており、その
外部リードと基板電極とを接合して実装するものである
ため、ＢＧＡタイプ，ＬＧＡタイプの半導体装置に比べ
て、基板実装の信頼性は低いものとなってしまう。

【００１１】本発明は前記した従来の課題および今後の
半導体装置の動向に対応できる樹脂封止型半導体装置を
提供するものであり、底面側で基板実装できる半導体装
置をフレーム体を用いて構成することを目的とするもの
である。そして従来のリードフレームに着目した発想か
ら転換し、ビーム状の「リード」に代え、「ランド」を
フレーム状で形成する点に主眼をおいたターミナルラン
ドフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置および
その製造方法を提供するものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明のターミナルランドフレームは、フレ
ーム枠と、そのフレーム枠領域内に設けられた複数のラ
ンド構成体と、ランド構成体を支持する支持リードと、
その支持リードどうし間を連結し、フレーム枠に連結し
た支持フレームとよりなるものである。また、半導体素
子を支持するための素子支持ランドと、その素子支持ラ
ンドを支持する第２の支持リードを有するものである。

【００１３】

【００１４】またターミナルランドフレームを用いた樹
脂封止型半導体装置の製造方法は、フレーム枠と、その
フレーム枠領域内にランド構成体と、そのランド構成体
を支持する支持リードと、支持リードと接続し、フレー
ム枠に連結した支持フレームとよりなるターミナルラン
ドフレームを用意する工程と、一部のランド構成体を素
子支持体として、その支持用のランド構成体上に半導体
素子を搭載する工程と、搭載した半導体素子の電極パッ
ドと半導体素子の周辺のランド構成体とをそれぞれ金属
細線により電気的に接続する工程と、半導体素子搭載状
態のターミナルランドフレームの底面に対して、封止シ
ートを密着させて、ターミナルランドフレームの底面を
マスクする工程と、封止シートを密着させた状態のター
ミナルランドフレームに対して樹脂封止する工程と、樹
脂封止後、封止シートをターミナルランドフレームより
除去した後、支持リードおよび支持フレームに対して、
レーザービームを照射し、不要なフレーム体をカッティ
ングして除去し、ランド構成体を残存させ、ランド電極
を形成する工程とよりなるものである。

【００１５】前記構成の通り、本発明のターミナルラン
ドフレームは、支持リードと支持フレームにより、電極
となるランド構成体を保持しているので、従来のような
ビーム状のリードを有したリードフレームよりも多ピン
化に対応でき、またランド構成体を格子状、千鳥状に配
列することもできるので、面実装タイプの樹脂封止型半
導体装置に好適である。

【００１６】また本発明のターミナルランドフレームを
用いて、そのランド構成体上に半導体素子を搭載し、電
気的な接続を行い、樹脂封止した後には、ランド構成体
だけを残存させることができるので、底面にランド電極
が配列された樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００１８】図１は本実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図である。図１のターミナルランドフレ
ームは、フレーム枠１０と、そのフレーム枠１０内に電
極となる円形のランド構成体１１と、そのランド構成体
１１を支持する支持リード１２と、支持リード１２を連
結させ、フレーム枠１０に連結した支持フレーム１３と
よりなるものである。また半導体素子を搭載する部分に
は、前記したランド構成体１１と同様な構成が設けら
れ、半導体素子を支持するための素子支持ランド１４
と、その素子支持ランド１４を支持する支持リード１５
が設けられ、支持フレーム１３に接続している。なお、
素子支持ランド１４の数は図では４つとしているが、搭
載する半導体素子やピン数などにより、その数を適宜設
定できるものである。またランド構成体１１の形状は円
形としているが、角形や長方形でもよく、また大きさ
は、ターミナルランドフレーム内ですべて同一としても
よいし、樹脂封止型半導体装置を構成し、ランド電極と
した場合、基板実装の際の応力緩和のために、周辺部に
位置するランド構成体１１を大きくするようにしてもよ
い。

【００１９】図１に示したターミナルランドフレームに
おいては、ランド構成体１１，素子支持ランド１４と、
それらを支持する支持リード１２，支持フレーム１３と
は、厚み構成が異なり、ランド構成体１１，素子支持ラ
ンド１４よりも支持リード１２，支持フレーム１３の方
が薄い厚みで構成されている。一例として厚みは、ラン
ド構成体１１，素子支持ランド１４が１５０［μｍ］で
あり、支持リード１２，支持フレーム１３が７０［μ
ｍ］である。この厚み構成は、ハーフエッチ加工により
形成することができる。

【００２０】この厚みの違いは、このターミナルランド
フレームを用いて樹脂封止型半導体装置を形成する際、
樹脂封止後に、支持リード１２，支持フレーム１３を除
去する必要があり、レーザービームによりこれら支持リ
ード１２，支持フレーム１３をカットできるようにする
ためである。したがって、このターミナルランドフレー
ムを用いて樹脂封止型半導体装置を構成した場合、最終
的には、電極となるランド構成体１１と、半導体素子を
支持する素子支持ランド１４が残るものであり、他のフ
レーム枠１０はもとより、支持リード１２，１５、支持
フレーム１３は除去されるものである。

【００２１】また、図１に示したターミナルランドフレ
ームにおいて、フレーム枠１０、ランド構成体１１、支
持リード１２、支持フレーム１３、素子支持ランド１４
および支持リード１５は、一体で形成されているもので
あり、従来のリードフレームのような４２アロイ、銅
（Ｃｕ）材等の金属板より構成されるものであり、製造
工法的には、エッチング加工、プレス加工、パンチング
加工によりパターン形成されるものである。またターミ
ナルランドフレームは、必要に応じてメッキ処理された
ものであり、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、
金（Ａｕ）などの金属が適宜メッキされているものであ
る。

【００２２】なお、図１に示したターミナルランドフレ
ームは、図示した構成よりなるパターンが１つではな
く、複数個、左右、上下に連続して配列されるものであ
る。また図１に示したターミナルランドフレームでは、
素子支持ランド１４および支持リード１５により、半導
体素子を支持する構造であるが、従来のリードフレーム
のように、ダイパッド（アイランド）を設けてもよい。

【００２３】本実施形態で示したターミナルランドフレ
ームは、従来のようなインナーリード部、アウターリー
ド部、ダイパッド部などを有さず、電極としてランド構
成体１１を有し、そのランド構成体１１を半導体素子が
搭載される面内に格子状、千鳥状に配列することによ
り、このターミナルランドフレームを用いて樹脂封止型
半導体装置を構成した場合、底面にランド電極を備えた
樹脂封止型半導体装置を実現することができる。また従
来のように電極となる構成が、ビーム状のリード構成で
はなく、ランド構成体１１とそれを支持する支持リード
１２であるため、面状に配置することができ、ランド構
成体１１の配置の自由度が向上し、多ピン化に対応する
ことができる。

【００２４】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置に
ついて説明する。図２は本実施形態の樹脂封止型半導体
装置を示す平面図であり、図３は本実施形態の樹脂封止
型半導体装置を示す底面図であり、図４は本実施形態の
樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。なお図４は
図２のＡ−Ａ１箇所の断面図である。

【００２５】図示するように、本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は、封止樹脂１６により実質的にハーフモー
ルドされたタイプの樹脂封止型半導体装置であり、その
底面にランド電極１７が千鳥状に配列された構成を有
し、従来のようなリード電極ではないため、多ピン化に
対応し、薄型・小型の樹脂封止型半導体装置である。そ
して半導体素子１８は素子支持ランド１９により支持さ
れ、半導体素子１８はランド電極１７と金属細線２０に
より電気的に接続されている。このランド電極１７は底
面に配列されて外部電極の役目を果たしている。なお、
素子支持ランド１９はランド電極１７とは異なり、外部
電極機能を有するものではなく、半導体素子１８を支持
しているものであり、必要により樹脂封止型半導体装置
を構成後は、除去してもよい。または樹脂封止型半導体
装置に用いるターミナルランドフレームの形成時におい
て、フレーム状態で素子支持ランド部分、およびそれを
支持する支持リード部分をハーフエッチし、他のランド
構成体よりも薄くしたり、素子支持ランド部分、および
それを支持する支持リード部分に対して、アップセット
加工した場合は、素子支持ランド１９が封止樹脂１６に
埋没したタイプの樹脂封止型半導体装置を得ることがで
きる。

【００２６】ランドとして、素子支持ランド１９を封止
樹脂１６から他のランド電極１７とともに配列するか、
封止樹脂１６の内部に埋没させるか、または素子支持ラ
ンド部分を除去するかは、樹脂封止型半導体装置として
の信頼性により適宜設定するものとする。

【００２７】以上のように本実施形態の樹脂封止型半導
体装置は、半導体素子１８とその半導体素子１８を支持
する素子支持ランド１９と、素子支持ランド１９の周囲
に配置された外部電極となるランド電極１７と、そのラ
ンド電極１７と半導体素子１８の電極とを電気的に接続
した金属細線２０と、半導体素子１８の外囲、金属細線
２０の接続領域およびランド電極１７を封止した封止樹
脂１６よりなるものであり、底面にランド電極１７が突
出して配列されているものである。また封止樹脂１６
は、半導体素子１８の底面部分にもランド電極１７の厚
み以下の厚みで形成されており、封止気密の信頼性を保
持している構造である。この構成により、底面側で基板
実装することができ、従来のようなビーム状のリードに
よる基板実装に比べて、実装の信頼性を向上させること
ができ、ＢＧＡ型半導体装置と同等以上の信頼性を有す
るものである。

【００２８】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について図面を参照しながら説明する。図５〜
図１０は本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法
を示す図であり、便宜上、図５，図６，図７は平面図、
図８，図９，図１０は底面図として示す。

【００２９】まず図５に示すように、フレーム枠１０
と、そのフレーム枠１０内に後に外部電極となる円形の
ランド構成体１１と、そのランド構成体１１を支持する
支持リード１２と、半導体素子を支持するための素子支
持ランド１４と、その素子支持ランド１４を支持する支
持リード１５と、支持リード１２，１５を連結させ、フ
レーム枠１０に連結した支持フレーム１３とを備えたタ
ーミナルランドフレームを用意する。ここで、素子支持
ランド１４と支持リード１５の一部とを封止樹脂内に埋
没させたい場合は、支持リード１５の途中に段差部分を
形成し、素子支持ランド１４をアップセットしたり、素
子支持ランド１４と支持リード１５にハーフエッチング
して、他のランド構成体１１の面よりも上方に上げてお
けばよい。

【００３０】そして図６に示すように、ターミナルラン
ドフレームの支持リード１５の先端部である素子支持ラ
ンド１４上に半導体素子１８を搭載する。なお図６で
は、素子支持ランド１４の構成は半導体素子１８に覆わ
れているので破線で示している。この工程では、半導体
素子１８と素子支持ランド１４とは導電ペースト等の接
着剤により接合されるものである。

【００３１】次に図７に示すように、搭載した半導体素
子１８周辺の電極パッド（図示せず）とランド構成体１
１とをそれぞれ金属細線２０により電気的に接続する。
この工程はいわゆるワイヤーボンド工程である。

【００３２】次に前記図７の状態のターミナルランドフ
レームの底面に対して、封止シートを貼り付けるか、ま
たは封止金型内に封止シートをリール供給して、前記図
７の状態のターミナルランドフレームの底面をマスクす
る。そして封止樹脂１６により実質的に前記図７の状態
のターミナルランドフレームに対してハーフモールドす
る。

【００３３】図８に封止樹脂１６により樹脂封止した状
態を示す。図８に示すように、封止樹脂１６で封止され
た封止体２１がフレーム枠１０に接続されている。封止
シートをターミナルランドフレームに密着させて樹脂封
止しているので、ランド構成体部分などへの樹脂のはみ
出しである樹脂バリが発生することがなく、実質的なハ
ーフモールドを精度よく行うことができる。

【００３４】次に図９に示すように、樹脂封止後、封止
シートを剥がして、除去した後、封止体２１の底面に対
して、レーザービームを照射し、不要なフレーム構成体
を除去する。この工程では、ランド構成体１１、素子支
持ランド１４を残存させ、支持リード１２，支持リード
１５とそれらを連結している支持フレーム１３をレーザ
ービームでカッティングして除去する。そして、最後に
フレーム枠１０から支持フレーム１３を切断し、樹脂封
止型半導体装置を分離させる。この工程で使用するレー
ザービームとしては、ＹＡＧレーザー、ＣＯ₂レーザー
が使用可能であり、支持リード１２等を除去できる。

【００３５】また樹脂封止後、封止シートを剥がした状
態では、ランド構成体１１、支持リード１２，支持リー
ド１５，素子支持ランド１４は、封止樹脂１６の面より
も突出した状態となっている。これは封止シートをター
ミナルランドフレームに密着させて樹脂封止した場合、
封止シートが熱収縮し、ランド構成体１１、支持リード
１２，支持リード１５，素子支持ランド１４などの各フ
レーム構成体と封止樹脂との界面に食い込むため、各フ
レーム構成体は突出するものである。したがって、レー
ザー照射により、容易に不要なフレーム構成体を除去
し、ランドだけを残留させることができる。

【００３６】その結果、図１０に示すように、素子支持
ランド１４は素子支持ランド１９となり、ランド構成体
１１はランド電極１７となり、樹脂封止型半導体装置の
底面の封止樹脂１６面内に千鳥状に配列させることがで
きる。また図１０の断面構造は図４に示した構造とな
り、この構成により、底面側で基板実装することがで
き、従来のようなビーム状のリードによる基板実装に比
べて、実装の信頼性を向上させることができ、ＢＧＡ型
半導体装置と同等以上の信頼性を有するものである。

【００３７】以上のように、ターミナルランドフレーム
に対して半導体素子を搭載し、ワイヤーボンド、樹脂封
止した後、レーザービームによりフレームの不要な部分
を除去することにより、ランド電極を形成することがで
き、リードレスパッケージを製造することができる。

【００３８】なお、本実施形態で示したターミナルラン
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の別の製造方
法としては、ターミナルランドフレームに対して半導体
素子を搭載し、ワイヤーボンド、樹脂封止し、ターミナ
ルランドフレーム外囲を封止樹脂で封止した後、レーザ
ービームにより封止樹脂に穴開けし、ランド部分のみを
露出させ、その露出した部分にボール電極を付設して外
部電極を構成することも可能である。

【００３９】また本実施形態では、樹脂封止型半導体装
置として、底面に２列のランド電極を配列した構造を示
したが、ランド電極が２列以外にも、搭載する半導体素
子のピン数（電極数）によっては、３列以上の複数列や
単列とすることができる。この場合は、ターミナルラン
ドフレームのランド構成体の数を適宜調整して設けるこ
とにより対応が可能である。

【００４０】以上、本実施形態で示したようなターミナ
ルランドフレームを用いることにより、半導体素子を搭
載し、樹脂封止した後、レーザービームにより、ランド
構成体を支持している支持リードなどの不要なフレーム
体を除去できるので、樹脂封止型半導体装置の底面部分
に半導体素子と電気的に接続したランド電極を配列する
ことができる。その結果、面実装タイプの半導体装置が
得られ、従来のようなリード接合による実装に比べて、
基板実装の信頼性を向上させることができる。またＢＧ
Ａタイプの半導体装置のように、ランド電極を設けた基
板を用いるものでなく、ターミナルランドフレームとい
う金属板からなるフレーム体から半導体装置を構成する
ので、量産性、コスト性などの面においては、従来のＢ
ＧＡタイプの半導体装置よりも有利となる。

【００４１】

【発明の効果】以上、本発明のターミナルランドフレー
ムにより、従来のようなビーム状のリード電極に代え
て、ランド電極を有した樹脂封止型半導体装置を実現す
ることができる。この樹脂封止型半導体装置の底面のラ
ンド電極をフレーム状態から形成できる点が特に重要で
あり、従来にないフレーム構造、工法によりランド電極
を有したリードレスパッケージ型の樹脂封止型半導体装
置を実現することができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図

【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す平面図

【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す底面図

【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す断面図

【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す図

【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す図

【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す図

【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す図

【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す図

【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す図

【図１１】従来のリードフレームを示す平面図

【図１２】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図

【図１３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示
す平面図

【符号の説明】

１ フレーム枠 ２ ダイパッド部 ３ 吊りリード部 ４ インナーリード部 ５ アウターリード部 ６ タイバー部 ７ 半導体素子 ８ 金属細線 ９ 封止樹脂 １０ フレーム枠 １１ ランド構成体 １２ 支持リード １３ 支持フレーム １４ 素子支持ランド １５ 支持リード １６ 封止樹脂 １７ ランド電極 １８ 半導体素子 １９ 素子支持ランド ２０ 金属細線 ２１ 封止体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野村 徹 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工 業株式会社内 (56)参考文献 特開 平８−250641（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−306853（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−306854（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 23/50

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フレーム枠と、前記フレーム枠領域内に
   設けられた複数のランド構成体と、前記ランド構成体を
   支持する支持リードと、前記支持リードどうし間を連結
   した支持フレームとよりなるターミナルランドフレーム
   であって、前記支持フレームは前記フレーム枠に連結
   し、前記ランド構成体の方が、前記支持リードおよび支
   持フレームよりも厚みが大きいことを特徴とするターミ
   ナルランドフレーム。
2. 【請求項２】 フレーム枠と、前記フレーム枠領域内に
   設けられた複数の電極となるランド構成体と、前記ラン
   ド構成体を支持する第１の支持リードと、半導体素子を
   支持するための素子支持ランドと、前記素子支持ランド
   を支持する第２の支持リードと、前記第１，第２の支持
   リードどうし間を連結し、前記フレーム枠に連結した支
   持フレームとよりなるターミナルランドフレームであっ
   て、前記ランド構成体および前記素子支持ランドの方
   が、前記第１，第２の支持リードおよび前記支持フレー
   ムよりも厚みが大きいことを特徴とするターミナルラン
   ドフレーム。
3. 【請求項３】 ランド構成体およびそのランド構成体を
   支持する第１の支持リードに対して、半導体素子を支持
   するための素子支持ランドおよびその素子支持ランドを
   支持する第２の支持リードがアップセットされているこ
   とを特徴とする請求項２記載のターミナルランドフレー
   ム。
4. 【請求項４】 フレーム枠と、前記フレーム枠領域内に
   ランド構成体と、前記ランド構成体を支持する支持リー
   ドと、前記支持リードと接続し、前記フレーム枠に連結
   した支持フレームとよりなるターミナルランドフレーム
   を用意する工程と、一部の前記ランド構成体を素子支持
   体として、その支持用のランド構成体上に半導体素子を
   搭載する工程と、搭載した前記半導体素子の電極パッド
   と前記半導体素子の周辺の前記ランド構成体とをそれぞ
   れ金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体
   素子搭載状態のターミナルランドフレームの底面に対し
   て、封止シートを密着させて、前記ターミナルランドフ
   レームの底面をマスクする工程と、前記封止シートを密
   着させた状態のターミナルランドフレームに対して樹脂
   封止する工程と、樹脂封止後、前記封止シートをターミ
   ナルランドフレームより除去した後、支持リードおよび
   支持フレームに対して、レーザービームを照射し、不要
   なフレーム体をカッティングして除去し、前記ランド構
   成体を残存させ、ランド電極を形成する工程とよりなる
   ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。