JP6607441B2 - リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法に関する。

近年、基板に実装される半導体装置の小型化および薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成された、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。

しかしながら、従来一般的な構造からなるＱＦＮの場合、端子数が増加するにしたがってパッケージが大きくなるため、実装信頼性を確保することが難しくなるという課題があった。これに対して、多ピン化されたＱＦＮを実現するための技術として、外部端子を２列に配列したパッケージの開発が進められている（例えば特許文献１）。このようなパッケージは、ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）パッケージともよばれている。

特開２００６−１９７６７号公報 特開２０１０−２６３０９４号公報

近年、ＤＲ−ＱＦＮパッケージを生産するにあたり、チップサイズを変更することなく、リード部の数（ピン数）を増やすことが求められてきている。これに対して、従来、ピン数を増やすために、パッケージサイズを大きくする手法がとられてきた。しかしながら、パッケージを電子機器へ搭載する上での制約があるため、パッケージサイズを大きくすることには限界がある。

また、外部端子を３列に配列したパッケージとして、例えば特許文献２に記載されたものが知られている。しかしながら、特許文献２のパッケージにおいては、各外部端子が支持リードの垂直方向に一直線上に並んでいるため、端子間の距離を十分に確保できないおそれがある。

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、外部と接続される端子部の数（ピン数）を増やすとともに、各端子部間の距離を十分に確保することが可能な、リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、半導体装置用のリードフレームであって、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第１端子部を含む複数の第１リード部と、前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第２端子部を含む複数の第２リード部と、前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第３端子部を含む複数の第３リード部とを備え、前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部は、それぞれ支持リードに支持され、前記第１リード部の前記第１端子部は、前記第２リード部の前記第２端子部よりも外側に位置するとともに、当該第１リード部に隣接する第２リード部の前記第２端子部に対して前記支持リードの長手方向にずれて配置され、前記第２リード部の前記第２端子部は、前記第３リード部の前記第３端子部よりも外側に位置するとともに、当該第２リード部に隣接する第３リード部の前記第３端子部に対して前記支持リードの長手方向にずれて配置されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部は、前記支持リードに沿ってこの順番に繰り返し配置されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記第１リード部の前記第１端子部の中心と、当該第１リード部に隣接する第２リード部の前記第２端子部の中心と、当該第２リード部に隣接する第３リード部の前記第３端子部の中心とが一直線上に並んでいることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記第１端子部、前記第２端子部および前記第３端子部の外周は、それぞれ平面円弧形状部分を有することを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記複数の第１リード部、前記複数の第２リード部および前記複数の第３リード部は、前記支持リードの長手方向中央部を中心として線対称に配置されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部は、それぞれ前記第１端子部、前記第２端子部および前記第３端子部から前記ダイパッド側に延びる内部領域を有し、前記内部領域のうち少なくとも前記第１端子部、前記第２端子部又は前記第３端子部との連結部分は、それぞれ前記支持リードに対して垂直な方向に延びていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記ダイパッドは、吊りリードを介して前記支持リードに連結支持されており、前記複数の第１リード部、前記複数の第２リード部および前記複数の第３リード部のうち、前記支持リードの長手方向端部近傍に位置するリード部は、前記吊りリードに連結されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記ダイパッドの表面外周に沿って、めっき部が形成されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記ダイパッドと、前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部との間に接続バーが配置され、前記接続バーに、複数の第４端子部が連結されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記ダイパッドの裏面外周に沿って薄肉部が形成されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、前記ダイパッドの表面に、前記ダイパッドと前記半導体素子とを固定する接着剤の流れを止める流れ止め凹部が形成されていることを特徴とするリードフレームである。

本発明は、半導体装置であって、ダイパッドと、前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第１端子部を含む複数の第１リード部と、前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第２端子部を含む複数の第２リード部と、前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第３端子部を含む複数の第３リード部と、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と、前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、前記ダイパッドと、前記第１リード部と、前記第２リード部と、前記第３リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、前記第１リード部の前記第１端子部は、前記第２リード部の前記第２端子部よりも外側に位置するとともに、当該第１リード部に隣接する第２リード部の前記第２端子部に対して前記封止樹脂の周縁方向にずれて配置され、前記第２リード部の前記第２端子部は、前記第３リード部の前記第３端子部よりも外側に位置するとともに、当該第２リード部に隣接する第３リード部の前記第３端子部に対して前記封止樹脂の周縁方向にずれて配置されていることを特徴とする半導体装置である。

本発明は、前記リードフレームの製造方法であって、金属基板を準備する工程と、前記金属基板をエッチング加工することにより、前記金属基板に前記ダイパッド、前記複数の第１リード部、前記複数の第２リード部および前記複数の第３リード部を形成する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法である。

本発明は、半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームを準備する工程と、前記リードフレームの前記ダイパッド上に前記半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と、前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部とを導電部材により電気的に接続する工程と、前記ダイパッドと、前記複数の第１リード部と、前記複数の第２リード部と、前記複数の第３リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。

本発明によれば、外部と接続される端子部の数（ピン数）を増やすとともに、各端子部間の距離を十分に確保することができる。

図１は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す平面図。 図２は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のII−II線断面図）。 図３は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図（図１のIII部拡大図）。 図４は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図（図１のIV部拡大図）。 図５は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図。 図６は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す断面図（図５のVI−VI線断面図）。 図７（ａ）−（ｆ）は、本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。 図８（ａ）−（ｅ）は、本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。 図９は、リードフレームの変形例（変形例１）を示す部分拡大平面図。 図１０は、リードフレームの変形例（変形例２）を示す部分拡大平面図。 図１１は、リードフレームの変形例（変形例３）を示す部分拡大平面図。 図１２は、リードフレームの変形例（変形例４）を示す部分拡大平面図。 図１３は、リードフレームの変形例（変形例５）を示す部分拡大平面図。 図１４は、リードフレームの変形例（変形例６）を示す部分拡大平面図。 図１５は、リードフレームの変形例（変形例７）を示す部分拡大平面図。 図１６（ａ）〜（ｃ）は、リードフレームの変形例（変形例８）を示す部分拡大底面図。 図１７は、リードフレームの変形例（変形例８）を示す断面図（図１６（ａ）のXVII−XVII線断面図）。

以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

リードフレームの構成
まず、図１乃至図４により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図４は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。

図１乃至図３に示すように、リードフレーム１０は、半導体素子２１（後述）を搭載する平面矩形状のダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と外部回路（図示せず）とを接続する複数の細長いリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃとを備えている。

図１において、符号１０ａは単位リードフレームを示しており、各単位リードフレーム１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応している。また、各単位リードフレーム１０ａは、支持リード（支持部材）１３を介して互いに連結されている。この支持リード１３は、ダイパッド１１とリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃとを支持するものであり、Ｘ方向、およびＸ方向に垂直なＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。なお、ダイパッド１１の四隅には吊りリード１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本の吊りリード１４を介して支持リード１３に連結支持されている。

次に、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの構成について説明する。なお、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃのことを、それぞれ第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ、第３リード部１２Ｃともいう。

第１リード部１２Ａは、それぞれ第１端子部５３Ａと、第１端子部５３Ａに連結された内部領域（インナーリード）５１Ａとを有している。このうち内部領域５１Ａは、第１端子部５３Ａから内側（ダイパッド１１側）に向けて延びるとともに、その先端部がダイパッド１１から離間して配置されている。また第１端子部５３Ａは、支持リード１３に対して直接連結されている。

第２リード部１２Ｂは、それぞれ第２端子部５３Ｂと、第２端子部５３Ｂに連結された内部領域（インナーリード）５１Ｂと、第２端子部５３Ｂに連結された外部領域（接続リード）５２Ｂとを有している。このうち内部領域５１Ｂは、第２端子部５３Ｂから内側（ダイパッド１１側）に向けて延びるとともに、その先端部がダイパッド１１から離間して配置されている。また外部領域５２Ｂは、第２端子部５３Ｂから外側（支持リード１３側）に向けて延びるとともに、支持リード１３に連結されている。

第３リード部１２Ｃは、それぞれ第３端子部５３Ｃと、第３端子部５３Ｃに連結された内部領域（インナーリード）５１Ｃと、第３端子部５３Ｃに連結された外部領域（接続リード）５２Ｃとを有している。このうち内部領域５１Ｃは、第３端子部５３Ｃから内側（ダイパッド１１側）に向けて延びるとともに、その先端部がダイパッド１１から離間して配置されている。また外部領域５２Ｃは、第３端子部５３Ｃから外側（支持リード１３側）に向けて延びるとともに、支持リード１３に連結されている。

リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの内部領域５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃの先端部（ダイパッド１１側端部）の表面には、それぞれ内部端子１５が形成されている。この内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。このため、内部端子１５上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部２５が設けられている。また、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの各内部端子１５は、ダイパッド１１の辺に平行な直線に沿って配置されている。これにより、ボンディングワイヤ２２の長さを略均一にすることができ、ボンディング作業の効率を高めることができる。

互いに隣接するリード部１２Ａ、１２Ｂと、リード部１２Ｂ、１２Ｃと、リード部１２Ｃ、１２Ａとは、それぞれ半導体装置２０（後述）の製造後に互いに電気的に絶縁される形状となっている。また、各リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは、半導体装置２０の製造後にダイパッド１１と電気的に絶縁される形状となっている。この端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃが形成されている。各外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃは、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。

リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの内部領域５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃおよび外部領域５２Ｂ、５２Ｃは、それぞれ裏面側（半導体素子２１を搭載する面の反対側）からハーフエッチングにより薄肉に形成されている。一方、端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃは、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１および支持リード１３と同一の厚みを有している。このように、内部領域５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃおよび外部領域５２Ｂ、５２Ｃの厚みを端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの厚みよりも薄くすることにより、幅の狭いリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃを精度良く形成することができ、小型でピン数の多い半導体装置２０を得ることができる。なお、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。なお、本実施の形態において、第１リード部１２Ａは外部領域を有していないが、これに限らず、第１リード部１２Ａが、裏面側からハーフエッチングにより薄肉に形成された外部領域を有していても良い。

図１および図３に示すように、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよび第３リード部１２Ｃは、それぞれ支持リード１３に支持されるとともに、支持リード１３に沿ってこの順番に繰り返し配置されている。すなわち、本実施の形態において、支持リード１３の長手方向端部側から長手方向中央部側に向けて、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよび第３リード部１２Ｃがこの順に繰り返し配列されている。

なお、支持リード１３の長手方向両端部には、それぞれ第２リード部１２Ｂおよび第３リード部１２Ｃが設けられている。これら一対のリード部１２Ｂ、１２Ｃは、支持リード１３からダイパッド１１側に延びて、それぞれ第２端子部５３Ｂおよび第３端子部５３Ｃで終端している。すなわち、これらのリード部１２Ｂ、１２Ｃは、他のリード部１２Ｂ、１２Ｃと異なり、内部領域５１Ｂ、５１Ｃを有していない。これにより、ダイパッド１１の角部近傍で内部領域５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃが集中しすぎてこれらが接近してしまう不具合を防止するとともに、半導体装置２０（後述）の角部近傍の領域を有効に利用することができる。なお、支持リード１３の長手方向端部に、内部領域５１Ａを有していない、第１端子部５３Ａで終端する第１リード部１２Ａを設けても良い。

また、支持リード１３の長手方向中央部には、第１リード部１２Ａが設けられている。
この中央の第１リード部１２Ａから、支持リード１３の長手方向両端部側に向けて、第３リード部１２Ｃ、第２リード部１２Ｂおよび第１リード部１２Ａがこの順に繰り返し配列されている。この場合、支持リード１３に支持された複数の第１リード部１２Ａ、複数の第２リード部１２Ｂおよび複数の第３リード部１２Ｃが、支持リード１３の長手方向中央部を中心として線対称に配置されている。具体的には、中央の第１リード部１２Ａを中心として、その両側のリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの形状及び配置関係の両方が線対称となっている。これにより、端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃをバランス良く配置することができ、半導体装置２０の設計や製造を容易にすることができる。

図１に示すように、複数のリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃは、平面から見て千鳥状に配置されている。この場合、複数の端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃは、それぞれＸ方向又はＹ方向のいずれかに対して平行な直線に沿って、３列に配列されている。すなわち、複数の端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃは、それぞれ直線Ｌ_Ａ、Ｌ_Ｂ、Ｌ_Ｃに沿って配列されている。なお、直線Ｌ_Ａ、Ｌ_Ｂ間の距離Ｄ_１と、直線Ｌ_Ｂ、Ｌ_Ｃ間の距離Ｄ_２とは、互いに等しくなっている（Ｄ_１＝Ｄ_２）。

さらに、第１リード部１２Ａの第１端子部５３Ａは、第２リード部１２Ｂの第２端子部５３Ｂよりも外側（支持リード１３側）に位置している。また、第１端子部５３Ａは、その隣接する第２端子部５３Ｂに対して支持リード１３の長手方向にずれて配置されている。なお、「第１端子部５３Ａが第２端子部５３Ｂに対してずれている」とは、第１端子部５３Ａの中心が第２端子部５３Ｂの中心に対してずれていることをいう。また、「長手方向にずれて配置されている」とは、「長手方向に沿って、異なる位置に配置されている」ことをいう。例えば、支持リード１３の長手方向がＹ方向に平行である場合、第１端子部５３Ａの中心と第２端子部５３Ｂの中心とがＹ方向に異なる位置にあることをいう。

同様に、第２リード部１２Ｂの第２端子部５３Ｂは、第３リード部１２Ｃの第３端子部５３Ｃよりも外側（支持リード１３側）に位置している。また、第２端子部５３Ｂは、その隣接する第３端子部５３Ｃに対して支持リード１３の長手方向にずれて配置されている。さらに、第３端子部５３Ｃは、その隣接する第１端子部５３Ａに対して支持リード１３の長手方向にずれて配置されている。

これにより、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ間のピッチが確保されるので、端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃが、隣接するリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃに接触する不具合が防止される。

次に、図４を参照して、各リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの構成について更に説明する。

図４に示すように、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの内部領域５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃは、平面から見て支持リード１３に対して垂直な方向に延びる垂直領域５１ｐと、支持リード１３に対して傾斜して（非垂直に）延びる傾斜領域５１ｔとを有している。図４に示すように、各内部領域５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃは、それぞれ複数の垂直領域５１ｐと、複数の傾斜領域５１ｔとを有していても良い（例えば図４中、最も上方の第１リード部１２Ａ）。また、各内部領域５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃは、それぞれ複数の垂直領域５１ｐと、１つの傾斜領域５１ｔとを有していても良い（例えば図４中、最も下方の第３リード部１２Ｃ）。さらに、内部端子１５は、垂直領域５１ｐに設けられていても良く（図４参照）、傾斜領域５１ｔに設けられていても良い（図３参照）。

一方、第２リード部１２Ｂの外部領域５２Ｂは、平面から見て支持リード１３に対して垂直な方向に延びる垂直領域５２ｐを有している。また、第３リード部１２Ｃの外部領域５２Ｃは、平面から見て支持リード１３に対して垂直な方向に延びる垂直領域５２ｐと、支持リード１３に対して傾斜して延びる傾斜領域５２ｔとを有している。

この場合、内部領域５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃのうち、少なくとも第１端子部５３Ａ、第２端子部５３Ｂ又は第３端子部５３Ｃとの連結部分は、それぞれ垂直領域５１ｐとなっている。同様に、外部領域５２Ｂ、５２Ｃのうち、少なくとも第２端子部５３Ｂ又は第３端子部５３Ｃとの連結部分は、それぞれ垂直領域５２ｐとなっている。これにより、半導体装置２０を実装する際、外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃに付着した溶融半田が支持リード１３に垂直な方向（図４のＸ方向）に流され、支持リード１３に平行な方向（図４のＹ方向）に流れることが防止される。この結果、外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ上の半田が他の外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ上の半田と短絡する不具合（半田ブリッジ）を防止することができる。

図４に示すように、互いに隣接する第１端子部５３Ａ同士の間には、２本の垂直領域５２ｐ、５２ｐが配置されている。同様に、互いに隣接する第２端子部５３Ｂ同士の間には、２本の垂直領域５１ｐ、５２ｐが配置され、互いに隣接する第３端子部５３Ｃ同士の間には、２本の垂直領域５１ｐ、５１ｐが配置される。このように、第１端子部５３Ａ同士の間、第２端子部５３Ｂ同士の間又は第３端子部５３Ｃ同士の間に他の端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃを配置しないことにより、端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ同士が過度に接近することが防止され、端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ間のピッチを確保することができる。

また、図４に示すように、端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃの平面形状は、それぞれ半円と長方形とを合わせた形状であり、その外周は、それぞれ平面円弧形状部分を有している。この場合、円弧形状部分は、内部領域５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ側（ダイパッド１１側）に設けられている。これにより、半導体装置２０を実装する際、外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃに付着した溶融半田が外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃの特定の箇所に集中することを防止し、外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃの外に拡がることが防止される。また、隣接する端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ間の間隔（ピッチ）ｄを拡げることができるので、外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ上の半田が他の外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ上の半田と短絡する不具合（半田ブリッジ）を防止することができる。

さらに、図４において、第１リード部１２Ａの第１端子部５３Ａの中心Ｃ_Ａと、当該第１リード部１２Ａに隣接する第２リード部１２Ｂの第２端子部５３Ｂの中心Ｃ_Ｂと、当該第２リード部１２Ｂに隣接する第３リード部１２Ｃの第３端子部５３Ｃの中心Ｃ_Ｃとが一直線上に並んでいる。この直線は、支持リード１３に対して斜め（非垂直）に配置されている。また、互いに隣接する第１端子部５３Ａ同士のピッチｐ_Ａと、互いに隣接する第２端子部５３Ｂ同士のピッチｐ_Ｂと、互いに隣接する第３端子部５３Ｃ同士のピッチｐ_Ｃとが同一となっている（ｐ_Ａ＝ｐ_Ｂ＝ｐ_Ｃ）。これにより、端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ間のピッチを確保しつつ、端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃを均等に配置することができる。

なお、図４において、互いに隣接する端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ間の間隔（ピッチ）ｄは、７０μｍ〜１５０μｍ（７０μｍ以上１５０μｍ以下をいう。以下同様）とすることが好ましい。このように、間隔ｄを７０μｍ以上とすることにより、互いに隣接する端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ間の貫通部分をエッチングにより確実に形成することができる。また、上記間隔ｄを１５０μｍ以下とすることにより、各半導体装置２０の外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃの数（ピン数）を一定数以上確保することができる。

以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ〜２００μｍとすることができる。本実施の形態によるリードフレーム１０は、内部領域（インナーリード）５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃが長く、細いため、リードフレーム１０の材料としては、高強度材（引張強度７５０ＭＰａ〜１１００ＭＰａ）を用いることが好ましい。

なお、本実施の形態において、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは、ダイパッド１１の４辺全てに沿って配置されているが（図１参照）、これに限られるものではなく、例えばダイパッド１１の対向する２辺のみに沿って配置されていても良い。

半導体装置の構成
次に、図５および図６により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図５および図６は、本実施の形態による半導体装置（ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプ）を示す図である。

図５および図６に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置された複数の第１リード部１２Ａ、複数の第２リード部１２Ｂおよび複数の第３リード部１２Ｃと、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃと半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（導電部材）２２とを備えている。また、ダイパッド１１、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

このうち第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよび第３リード部１２Ｃは、封止樹脂２３の周縁２３ａに沿ってこの順番に繰り返し配置されている。また、第１リード部１２Ａの第１端子部５３Ａは、第２リード部１２Ｂの第２端子部５３Ｂよりも外側（封止樹脂２３の周縁２３ａ側）に位置するとともに、その隣接する第２端子部５３Ｂに対して封止樹脂２３の周縁方向にずれて配置されている。さらに、第２リード部１２Ｂの第２端子部５３Ｂは、第３リード部１２Ｃの第３端子部５３Ｃよりも外側（封止樹脂２３の周縁２３ａ側）に位置するとともに、その隣接する第３端子部５３Ｃに対して封止樹脂２３の周縁方向にずれて配置されている。なお、封止樹脂２３の周縁方向とは、封止樹脂２３の周縁２３ａを構成する辺に沿う方向をいう。

なお、ダイパッド１１およびリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。このダイパッド１１およびリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１乃至図４に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

また、半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト又はめっき等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。

各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの内部端子１５にそれぞれ接続されている。なお、内部端子１５には、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部２５が設けられている。

なお、半導体装置２０の角部近傍に設けられた、内部領域５１Ｂ、５１Ｃを有していない第２リード部１２Ｂおよび第３リード部１２Ｃに関しては、それぞれ第２端子部５３Ｂおよび第３端子部５３Ｃの表面に、直接ボンディングワイヤ２２が接続されている。当該第２端子部５３Ｂおよび第３端子部５３Ｃは、例えばグランド端子として用いられても良い。

封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ〜２７００μｍ程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば８ｍｍ〜１６ｍｍすることができる。なお、図５において、封止樹脂２３のうち、ダイパッド１１およびリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃよりも表面側に位置する部分の表示を省略している。

リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図４に示すリードフレーム１０の製造方法について、図７（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。なお、図７（ａ）−（ｆ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図２に対応する図）である。

まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。

続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｃ））。

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｄ））。これにより、ダイパッド１１および複数のリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの外形（図１および図３参照）が形成される。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行うことができる。

その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図７（ｅ））。

なお、上記においては、金属基板３１の両面側からスプレーエッチングを行う場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。例えば、金属基板３１の片面ずつ２段階のスプレーエッチングを行っても良い。具体的には、まず所定のパターンをもつエッチング用レジスト層３２、３３を形成し（図７（ｃ）参照）、その後、金属基板３１の裏面側に耐エッチング性のある封止層を設け、この状態で金属基板３１の表面側のみエッチングを実施する。次いで、当該裏面側の封止層を剥離し、金属基板３１の表面側に封止層を設ける。このとき、表面側の封止層は、エッチング加工された金属基板３１の表面側の凹部内にも進入する。続いて、金属基板３１の露出した裏面のみをエッチングし、その後表面側の封止層を剥離することにより、ダイパッド１１および複数のリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの外形が形成される。このように金属基板３１の片面ずつスプレーエッチングを行うことにより、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの変形を回避しやすいという効果が得られる。

次に、ボンディングワイヤ２２と内部端子１５との密着性を向上させるため、内部端子１５にメッキ処理を施し、めっき部２５を形成する（図７（ｆ））。この場合、選択されるメッキ種は、ボンディングワイヤ２２との密着性を確保できればその種類は問わないが、たとえばＡｇやＡｕなどの単層めっきでもよいし、Ｎｉ／ＰｄやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕがこの順に積層される複層めっきでもよい。また、めっき部２５は、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃのうちボンディングワイヤ２２との接続部のみに施してもよいし、リードフレーム１０の全面に施してもよい。

このようにして、図１乃至図４に示すリードフレーム１０が得られる。

半導体装置の製造方法
次に、図５および図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図８（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。

まず、例えば図７（ａ）−（ｆ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図８（ａ））。

次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト又はめっき等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（ｂ））。

次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃのめっき部２５（内部端子１５）とを、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（ｃ））。

次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図８（ｄ））。このようにして、リードフレーム１０、半導体素子２１、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃおよびボンディングワイヤ２２を封止する。

次に、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断しても良い。

このようにして、図５および図６に示す半導体装置２０が得られる（図８（ｅ））。

以上説明したように、本実施の形態によれば、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよび第３リード部１２Ｃは、支持リード１３に沿ってこの順番に繰り返し配置されている。また、第１端子部５３Ａは、第２端子部５３Ｂよりも外側に位置するとともに、その隣接する第２端子部５３Ｂに対して支持リード１３の長手方向にずれて配置されている。さらに、第２端子部５３Ｂは、第３端子部５３Ｃよりも外側に位置するとともに、その隣接する第３端子部５３Ｃに対して支持リード１３の長手方向にずれて配置されている。
このように、端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃを３列に配置することにより、外部の実装基板（図示せず）に接続される外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃの数（ピン数）を増やすとともに、各外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ間の距離を十分に確保することができる。

変形例
次に、図９乃至図１７により、本実施の形態によるリードフレームの変形例について説明する。図９乃至図１７において、図１乃至図８に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。

変形例１
図９は、本実施の形態の変形例（変形例１）を示す部分拡大平面図（図４に対応する図）である。図９において、図１乃至図８に示す実施の形態と異なり、第２端子部５３Ｂの平面形状を楕円形（小判形）としている。この場合、第２端子部５３Ｂの外周のうち、内部領域５１Ｂ側（ダイパッド１１側）と外部領域５２Ｂ側（支持リード１３側）との両方に円弧形状部分が設けられている。また、第３端子部５３Ｃの平面形状は、半円と長方形とを合わせた形状であり、円弧形状部分は、外部領域５２Ｃ側（支持リード１３側）に設けられている。これにより、隣接する端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ間の間隔（ピッチ）ｄを更に拡げることができるので、外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ上の半田が他の外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ上の半田と短絡する不具合（半田ブリッジ）をより確実に防止することができる。

変形例２
図１０は、本実施の形態の変形例（変形例２）を示す部分拡大平面図（図４に対応する図）である。図１０において、第２端子部５３Ｂだけでなく、第３端子部５３Ｃの平面形状を楕円形（小判形）とした点が、図９（変形例１）と異なっている。すなわち、第３端子部５３Ｃの外周のうち、内部領域５１Ｃ側（ダイパッド１１側）と外部領域５２Ｃ側（支持リード１３側）との両方に円弧形状部分が設けられている。これにより、図９（変形例１）おける効果に加え、半導体装置２０を実装する際、外部端子１７Ｃに付着した溶融半田が内部領域５１Ｃ側（ダイパッド１１側）に流れにくくする効果も得られる。

変形例３
図１１は、本実施の形態の変形例（変形例３）を示す部分拡大平面図（図３に対応する図）である。図１１において、ダイパッド１１の裏面外周に沿って薄肉部１１ａが形成されている点が、図１乃至図８に示す実施の形態と異なっている。この場合、薄肉部１１ａは、ダイパッド１１および複数のリード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの外形を形成する際（図７（ｅ）参照）、ハーフエッチングによって形成される。このように、ダイパッド１１の裏面外周に沿って薄肉部１１ａを設けたことにより、ダイパッド１１と封止樹脂２３との密着性を更に高めることができる。

変形例４
図１２は、本実施の形態の変形例（変形例４）を示す部分拡大平面図（図３に対応する図）である。図１２において、ダイパッド１１の表面外周に沿って、めっき部２６が形成されている（図１２の斜線部）。このように、ダイパッド１１にめっき部２６を形成したことにより、半導体素子２１をダイパッド１１に固定する際（図８（ｂ））、ダイボンディングペースト又はめっき等の接着剤２４がダイパッド１１から流れ出る不具合を防止することができる。また、このめっき部２６をグランド端子等の端子として用いることもできる。さらに、ダイパッド１１の周囲に沿って複数の貫通口１１ｂが形成されている。この貫通口１１ｂ内に封止樹脂２３（後述）が進入することにより、ダイパッド１１と封止樹脂２３とを確実に密着させることができる。

変形例５
図１３は、本実施の形態の変形例（変形例５）を示す部分拡大平面図（図３に対応する図）である。図１３において、支持リード１３の長手方向各端部に設けられた第２リード部１２Ｂおよび第３リード部１２Ｃは、それぞれ内部領域５１Ｂ、５１Ｃを有している。これらリード部１２Ｂ、１２Ｃの内部領域５１Ｂ、５１Ｃは、各単位リードフレーム１０ａでそれぞれ吊りリード１４に直接連結されている。この場合、リード部１２Ｂ、１２Ｃを例えばグランド端子として用いることができる。なお、支持リード１３の長手方向端部に第１リード部１２Ａを設け、この第１リード部１２Ａを吊りリード１４に連結しても良い。

変形例６
図１４は、本実施の形態の変形例（変形例６）を示す部分拡大平面図（図３に対応する図）である。図１４において、ダイパッド１１の表面に、ダイボンディングペースト又はめっき等の接着剤２４の流れを止める流れ止め凹部１１ｃが形成されている。流れ止め凹部１１ｃは、ダイパッド１１の一辺に沿って複数個配置されている。この流れ止め凹部１１ｃは、ハーフエッチングにより表面側から薄肉化されることによって形成されたものである。なお、流れ止め凹部１１ｃの平面形状は、例えばＸ字状（十字状）のほか、Ｌ字状、Ｔ字状、円形状、環形状又は多角形状としても良い。このように流れ止め凹部１１ｃを設けたことにより、半導体素子２１をダイパッド１１に固定する際（図８（ｂ））、接着剤２４がダイパッド１１から流れ出る不具合を防止することができる。

変形例７
図１５は、本実施の形態の変形例（変形例７）を示す部分拡大平面図（図３に対応する図）である。図１５において、図１乃至図８に示す実施の形態と異なり、ダイパッド１１と、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃとの間に、接続バー４１が配置されている。この接続バー４１は、Ｘ方向又はＹ方向に沿って一直線状に延びており、その長手方向両端部は、それぞれ吊りリード１４に連結されている。また接続バー４１には、複数の第４端子部１８が所定間隔を空けて連結されている。各第４端子部１８の表面には、ボンディングワイヤ２２が接続される内部端子１５が形成され、各第４端子部１８の裏面には、外部の実装基板（図示せず）に接続される外部端子１７Ｄが形成されている。この場合、各第４端子部１８は、接続バー４１に対して外側（支持リード１３側）に突出しているが、これに限らず接続バー４１に対して内側（ダイパッド１１側）に突出していても良い。なお、半導体装置２０の製造時に封止樹脂２３によって樹脂封止された後（図８（ｄ））、接続バー４１の一部又は全部は、裏面側から例えばエッチング又はダイシングにより除去される。これにより、複数の第４端子部１８がそれぞれ個別に分離される。このように端子部５３Ａ、５３Ｂ、５３Ｃ、１８を４列に配置することにより、外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ、１７Ｄの数（ピン数）を更に増やすことができる。また、第４端子部１８（外部端子１７Ｄ）を接続バー４１とは別途設けるのではなく、接続バー４１の一部を除去した後、接続バー４１の残部を第４端子部１８として用いてもよい。

変形例８
図１６（ａ）〜（ｃ）は、本実施の形態の変形例（変形例８）を示す部分拡大底面図である。このうち図１６（ａ）は、第１端子部５３Ａの裏面（外部端子１７Ａ）の周囲を示す図であり、図１６（ｂ）は、第２端子部５３Ｂの裏面（外部端子１７Ｂ）の周囲を示す図であり、図１６（ｃ）は、第３端子部５３Ｃの裏面（外部端子１７Ｃ）の周囲を示す図である。図１６（ａ）〜（ｃ）中、網掛けされた領域は、裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている領域を示している。

図１６（ａ）において、第１端子部５３Ａの側方（第１リード部１２Ａの長さ方向に垂直な方向）の位置Ｐ_Ｃ１、Ｐ_Ｂ１における、第３リード部１２Ｃの外部領域５２Ｃ又は第２リード部１２Ｂの外部領域５２Ｂの厚みをｔ_１とする。また、図１６（ｂ）において、第２端子部５３Ｂの側方（第２リード部１２Ｂの長さ方向に垂直な方向）の位置Ｐ_Ａ１、Ｐ_Ｃ２における、第１リード部１２Ａの内部領域５１Ａ又は第３リード部１２Ｃの外部領域５２Ｃの厚みをｔ_２とする。さらに、図１６（ｃ）において、第３端子部５３Ｃの側方（第３リード部１２Ｃの長さ方向に垂直な方向）の位置Ｐ_Ｂ２、Ｐ_Ａ２における、第２リード部１２Ｂの内部領域５１Ｂ又は第１リード部１２Ａの内部領域５１Ａの厚みをｔ_３とする。このとき、ｔ_１＞ｔ_２＞ｔ_３という関係が成り立つ。

また、図１６（ａ）において、第１リード部１２Ａの第１端子部５３Ａに隣接する位置Ｐ_Ａ３（第１リード部１２Ａの長さ方向に隣接する位置）における、内部領域５１Ａの厚みをｔ_４とする。また、図１６（ｂ）において、第２リード部１２Ｂの第２端子部５３Ｂに隣接する位置Ｐ_Ｂ３、Ｐ_Ｂ４（第２リード部１２Ｂの長さ方向に隣接する位置）における、内部領域５１Ｂ又は外部領域５２Ｂの厚みをｔ_５とする。さらに、図１６（ｃ）において、第３リード部１２Ｃの第３端子部５３Ｃに隣接する位置Ｐ_Ｃ３、Ｐ_Ｃ４（第３リード部１２Ｃの長さ方向に隣接する位置）における、内部領域５１Ｃ又は外部領域５２Ｃの厚みをｔ_６とする。このとき、ｔ_４＞ｔ_５＞ｔ_６という関係が成り立つ。

このように、各リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは、根元側（支持リード１３側）から先端側（ダイパッド１１側）へ向けて徐々に厚みが薄くなっている。これにより、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの根元側（支持リード１３側）の強度を高め、リード部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの変形を防止することができる。

図１６（ａ）に示すように、順に並んで配置されたリード部１２Ａ、１２Ｃ、１２Ｂにおいて、第１リード部１２Ａの第１端子部５３Ａと第２リード部１２Ｂの第２端子部５３Ｂとの間に位置する第３リード部１２Ｃの外部領域５２Ｃに、外部領域５２Ｃの他の部分よりも幅が広い幅広部５２ｗが形成されている。また、図１６（ｂ）に示すように、順に並んで配置されたリード部１２Ｂ、１２Ａ、１２Ｃにおいて、第２リード部１２Ｂの第２端子部５３Ｂと第３リード部１２Ｃの第３端子部５３Ｃとの間に位置する第１リード部１２Ａの内部領域５１Ａに、内部領域５１Ａの他の部分よりも幅が広い幅広部５１ｗが形成されている。このように、内部領域５１Ａ、外部領域５２Ｃにそれぞれ幅広部５１ｗ、５２ｗを設けたことにより、リード部１２Ａ、１２Ｃの強度を高め、リード部１２Ａ、１２Ｃの変形を防止することができる。

図１６（ａ）に示すように、支持リード１３と単位リードフレーム１０ａの外周部との間に、補強領域１３ａ（二点鎖線）が設けられている。補強領域１３ａは、支持リード１３から内側（ダイパッド１１側）に延出するとともに、第２リード部１２Ｂと第３リード部１２Ｃとの間に延びて第２リード部１２Ｂと第３リード部１２Ｃとを連結している。この場合、補強領域１３ａは、裏面側からハーフエッチングにより薄肉に形成されているが、これに限らず、薄肉化されることなく支持リード１３と同一の厚みを有していても良い。このように、補強領域１３ａを設けたことにより、リード部１２Ｂ、１２Ｃの根元の強度を高め、リード部１２Ｂ、１２Ｃの変形を防止することができる。

図１６（ｂ）に示すように、第２端子部５３Ｂの外部端子１７Ｂは、先端側（ダイパッド１１側）に位置する先端側周縁部５３ｓと、根元側（支持リード１３側）に位置する根元側周縁部５３ｔとを有している。先端側周縁部５３ｓおよび根元側周縁部５３ｔは、それぞれ円弧状部分を有しており、先端側周縁部５３ｓの円弧状部分の曲率半径は、根元側周縁部５３ｔの円弧状部分の曲率半径よりも小さくなっている。これにより、半導体装置２０を外部の実装基板（図示せず）に実装する際に用いる導電性接合部、例えば半田ペーストの流れ方向を制御することが可能となり、外部端子１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ間の短絡を防ぐことができる。具体的には、先端側周縁部５３ｓの円弧状部分の曲率半径は、例えば３０μｍ〜７０μｍであり、根元側周縁部５３ｔの円弧状部分の曲率半径は、例えば１００μｍ〜２５０μｍである。なお、第３端子部５３Ｃの外部端子１７Ｃの形状についても同様である（図１６（ｃ）参照）。

図１７は、図１６（ａ）のXVII−XVII線断面図である。図１７に示すように、第１リード部１２Ａの第１端子部５３Ａは、その両側面が内方に向けて湾曲した形状を有している。外部端子１７Ａの幅ｗ_Ａ２は、第１端子部５３Ａの表面の幅ｗ_Ａ１よりも広くなっている。これにより、互いに隣接する第１リード部１２Ａと、第２リード部１２Ｂ又は第３リード部１２Ｃとの間隔を狭めた場合であっても、外部端子１７Ａの面積を広く確保することができ、外部端子１７Ａと外部の実装基板（図示せず）とを確実に接続することができる。なお、第２リード部１２Ｂの第２端子部５３Ｂおよび第３リード部１２Ｃの第３端子部５３Ｃについても、同様に、その両側面が内方に向けて湾曲した形状を有しており、かつ外部端子１７Ｂ、１７Ｃの幅が第２端子部５３Ｂ、第３端子部５３Ｃの表面の幅よりも広くなっている。

上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態および変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。

１０ リードフレーム
１０ａ 単位リードフレーム
１１ ダイパッド
１２Ａ 第１リード部
１２Ｂ 第２リード部
１２Ｃ 第３リード部
１３ 支持リード（支持部材）
１４ 吊りリード
１５ 内部端子
１７Ａ、１７Ｂ、１７Ｃ 外部端子
２０ 半導体装置
２１ 半導体素子
２２ ボンディングワイヤ（導電部材）
２３ 封止樹脂
２４ 接着剤
２５ めっき部
５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ 内部領域
５２Ｂ、５２Ｃ 外部領域
５３Ａ 第１端子部
５３Ｂ 第２端子部
５３Ｃ 第３端子部

Claims (12)

1. 半導体装置用のリードフレームであって、
   半導体素子が搭載されるダイパッドと、
   前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第１端子部を含む複数の第１リード部と、
   前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第２端子部を含む複数の第２リード部と、
   前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第３端子部を含む複数の第３リード部とを備え、
   前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部は、それぞれ支持リードに支持され、
   前記第１リード部の前記第１端子部は、前記第２リード部の前記第２端子部よりも外側に位置するとともに、当該第１リード部に隣接する第２リード部の前記第２端子部に対して前記支持リードの長手方向にずれて配置され、
   前記第２リード部の前記第２端子部は、前記第３リード部の前記第３端子部よりも外側に位置するとともに、当該第２リード部に隣接する第３リード部の前記第３端子部に対して前記支持リードの長手方向にずれて配置され、
   前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部は、前記支持リードに沿ってこの順番に繰り返し配置され、
   前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部は、それぞれ前記第１端子部、前記第２端子部および前記第３端子部から前記ダイパッド側に延びる内部領域を有し、
   前記第２リード部および前記第３リード部は、それぞれ前記第２端子部および前記第３端子部から前記支持リード側に延びる外部領域を有し、
   前記第１リード部および前記第３リード部は、それぞれ平面から見て前記支持リードに対して垂直な方向に延びる垂直領域と、前記支持リードに対して傾斜して延びる傾斜領域とを有し、
   前記第２リード部は、平面から見て前記支持リードに対して垂直な方向に延びる垂直領域を有し、
   前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部の前記内部領域のうち、前記第１端子部、前記第２端子部または前記第３端子部との連結部分は、それぞれ前記垂直領域となっており、
   前記第２リード部および前記第３リード部の前記外部領域のうち、少なくとも前記第２端子部または前記第３端子部との連結部分は、それぞれ前記垂直領域となっており、
   前記第１リード部の前記内部領域が、前記支持リードに対して垂直な方向において、前記第２端子部と前記第３端子部との間に前記傾斜領域を有し、
   前記第３リード部の前記外部領域が、前記支持リードに対して垂直な方向において、前記第１端子部と前記第２端子部との間に前記傾斜領域を有することを特徴とするリードフレーム。
2. 前記第１リード部の前記第１端子部の中心と、当該第１リード部に隣接する第２リード部の前記第２端子部の中心と、当該第２リード部に隣接する第３リード部の前記第３端子部の中心とが一直線上に並んでいることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
3. 前記第１端子部、前記第２端子部および前記第３端子部の外周は、それぞれ平面円弧形状部分を有することを特徴とする請求項１又は２記載のリードフレーム。
4. 前記複数の第１リード部、前記複数の第２リード部および前記複数の第３リード部は、前記支持リードの長手方向中央部を中心として線対称に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載のリードフレーム。
5. 前記ダイパッドは、吊りリードを介して前記支持リードに連結支持されており、前記複数の第１リード部、前記複数の第２リード部および前記複数の第３リード部のうち、前記支持リードの長手方向端部近傍に位置するリード部は、前記吊りリードに連結されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のリードフレーム。
6. 前記ダイパッドの表面外周に沿って、めっき部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載のリードフレーム。
7. 前記ダイパッドと、前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部との間に接続バーが配置され、前記接続バーに、複数の第４端子部が連結されていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
8. 前記ダイパッドの裏面外周に沿って薄肉部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項記載のリードフレーム。
9. 前記ダイパッドの表面に、前記ダイパッドと前記半導体素子とを固定する接着剤の流れを止める流れ止め凹部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項記載のリードフレーム。
10. 半導体装置であって、
    ダイパッドと、
    前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第１端子部を含む複数の第１リード部と、
    前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第２端子部を含む複数の第２リード部と、
    前記ダイパッド周囲に設けられ、それぞれ第３端子部を含む複数の第３リード部と、
    前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
    前記半導体素子と、前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部とをそれぞれ電気的に接続する導電部材と、
    前記ダイパッドと、前記第１リード部と、前記第２リード部と、前記第３リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、
    前記第１リード部の前記第１端子部は、前記第２リード部の前記第２端子部よりも外側に位置するとともに、当該第１リード部に隣接する第２リード部の前記第２端子部に対して前記封止樹脂の周縁方向にずれて配置され、
    前記第２リード部の前記第２端子部は、前記第３リード部の前記第３端子部よりも外側に位置するとともに、当該第２リード部に隣接する第３リード部の前記第３端子部に対して前記封止樹脂の周縁方向にずれて配置され、
    前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部は、前記封止樹脂の周縁に沿ってこの順番に繰り返し配置され、
    前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部は、それぞれ前記第１端子部、前記第２端子部および前記第３端子部から前記ダイパッド側に延びる内部領域を有し、
    前記第２リード部および前記第３リード部は、それぞれ前記第２端子部および前記第３端子部から前記封止樹脂の周縁側に延びる外部領域を有し、
    前記第１リード部および前記第３リード部は、それぞれ平面から見て前記封止樹脂の周縁に対して垂直な方向に延びる垂直領域と、前記封止樹脂の周縁に対して傾斜して延びる傾斜領域とを有し、
    前記第２リード部は、平面から見て前記封止樹脂の周縁に対して垂直な方向に延びる垂直領域を有し、
    前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部の前記内部領域のうち、前記第１端子部、前記第２端子部または前記第３端子部との連結部分は、それぞれ前記垂直領域となっており、
    前記第２リード部および前記第３リード部の前記外部領域のうち、少なくとも前記第２端子部または前記第３端子部との連結部分は、それぞれ前記垂直領域となっており、
    前記第１リード部の前記内部領域が、前記封止樹脂の周縁に対して垂直な方向において、前記第２端子部と前記第３端子部との間に前記傾斜領域を有し、
    前記第３リード部の前記外部領域が、前記封止樹脂の周縁に対して垂直な方向において、前記第１端子部と前記第２端子部との間に前記傾斜領域を有することを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１乃至９のいずれか一項記載のリードフレームの製造方法であって、
    金属基板を準備する工程と、
    前記金属基板をエッチング加工することにより、前記金属基板に前記ダイパッド、前記複数の第１リード部、前記複数の第２リード部および前記複数の第３リード部を形成する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。
12. 半導体装置の製造方法であって、
    請求項１乃至９のいずれか一項記載のリードフレームを準備する工程と、
    前記リードフレームの前記ダイパッド上に前記半導体素子を搭載する工程と、
    前記半導体素子と、前記第１リード部、前記第２リード部および前記第３リード部とを導電部材により電気的に接続する工程と、
    前記ダイパッドと、前記複数の第１リード部と、前記複数の第２リード部と、前記複数の第３リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止樹脂により封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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