JP7073637B2 - リードフレームおよび半導体装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1の実施の形態について、図1乃至図14を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。
まず、図1乃至図8により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図1乃至図8は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
次に、図9および図10により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図9および図10は、本実施の形態による半導体装置(DR-QFN(Dual Row QFN)タイプ)を示す図である。
次に、図1乃至図8に示すリードフレーム10の製造方法について、図11(a)-(e)を用いて説明する。なお、図11(a)-(e)は、リードフレーム10の製造方法を示す断面図(図3に対応する図)である。
次に、図9および図10に示す半導体装置20の製造方法について、図12(a)-(e)を用いて説明する。
次に、図15および図16を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。図15および図16は本発明の第2の実施の形態を示す図である。図15および図16に示す第2の実施の形態は、リード部12A、12Bの構成が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図15および図16において、図1乃至図12に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図17および図18を参照して本発明の第3の実施の形態について説明する。図17および図18は本発明の第3の実施の形態を示す図である。図17および図18に示す第3の実施の形態は、リード部12A、12Bの構成が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図17および図18において、図1乃至図12に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
11 ダイパッド
12A 第1リード部
12B 第2リード部
15A、15B 内部端子
17A 第1外部端子
17B 第2外部端子
20 半導体装置
21 半導体素子
22 ボンディングワイヤ
23 封止樹脂
52 外側領域
53 端子領域
54 段差部
62 外側領域
63 端子領域
Claims (8)
- リードフレームにおいて、
半導体素子が搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部とを備え、
前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置され、
前記複数のリード部は、それぞれ裏面に前記外部端子が形成された端子領域と、前記端子領域の外側に位置するとともに裏面側から薄肉化された外側領域とを有し、
前記外部端子は、それぞれその内側端部および外側端部の両方が丸みを帯びるとともに、前記リード部の長手方向に細長い平面形状を有し、
各端子領域は、前記リード部の内端に位置しており、各端子領域の表面側に段差部が形成され、
前記段差部は、前記端子領域の内端であって前記端子領域の裏面側の部分が、前記リード部の最も内側に位置するように形成され、
前記段差部は、前記端子領域の前記内端と前記端子領域の側縁とに繋がって形成されていることを特徴とするリードフレーム。 - 各端子領域の表面に、内部端子が形成されていることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- 前記内部端子のうちボンディングワイヤが接続される領域と、前記外部端子の領域とが平面視で重なっていることを特徴とする請求項2記載のリードフレーム。
- リードフレームにおいて、
半導体素子が搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部とを備え、 前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置され、
前記複数のリード部は、それぞれ裏面に前記外部端子が形成された端子領域と、前記端子領域の外側に位置するとともに裏面側から薄肉化された外側領域とを有し、
前記外部端子は、それぞれその内側端部および外側端部の両方が丸みを帯びるとともに、前記リード部の長手方向に細長い平面形状を有し、
各端子領域の内側にインナーリードが形成され、前記ダイパッドと各インナーリードの内端との距離が、前記複数のリード部の間で均一であることを特徴とするリードフレーム。 - 半導体装置において、
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部と、
前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記ボンディングワイヤとを封止する封止樹脂とを備え、
前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置され、
前記複数のリード部は、それぞれ裏面に前記外部端子が形成された端子領域と、前記端子領域の外側に位置するとともに裏面側から薄肉化された外側領域とを有し、
前記外部端子は、それぞれその内側端部および外側端部の両方が丸みを帯びるとともに、前記リード部の長手方向に細長い平面形状を有し、
各端子領域は、前記リード部の内端に位置しており、各端子領域の表面側に段差部が形成され、
前記段差部は、前記端子領域の内端であって前記端子領域の裏面側の部分が、前記リード部の最も内側に位置するように形成され、
前記段差部は、前記端子領域の前記内端と前記端子領域の側縁とに繋がって形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 各端子領域の表面に、内部端子が形成されていることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 前記内部端子のうちボンディングワイヤが接続されている領域と、前記外部端子の領域とが平面視で重なっていることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 半導体装置において、
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部と、 前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続するボンディングワイヤと、 前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記ボンディングワイヤとを封止する封止樹脂とを備え、
前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置され、
前記複数のリード部は、それぞれ裏面に前記外部端子が形成された端子領域と、前記端子領域の外側に位置するとともに裏面側から薄肉化された外側領域とを有し、
前記外部端子は、それぞれその内側端部および外側端部の両方が丸みを帯びるとともに、前記リード部の長手方向に細長い平面形状を有し、
各端子領域の内側にインナーリードが形成され、前記ダイパッドと各インナーリードの内端との距離が、前記複数のリード部の間で均一であることを特徴とする半導体装置。
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