JP2022097666A - リードフレームおよび半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の第1の実施の形態について、図1乃至図14を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。
まず、図1乃至図8により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図1乃至図8は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
このように、外側領域52を裏面側から薄肉化したことにより、幅の狭い第1リード部12Aを精度良く形成することができ、小型でピン数の多い半導体装置20を得ることができる。また、端子領域53の周縁部は、表面側からハーフエッチングにより薄肉化され、端子領域53の中央部は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド11のダイパッド厚肉部11aおよび支持リード13と同一の厚みを有している。
次に、図9および図10により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図9および図10は、本実施の形態による半導体装置(DR-QFN(Dual Row QFN)タイプ)を示す図である。
次に、図1乃至図8に示すリードフレーム10の製造方法について、図11(a)-(e)を用いて説明する。なお、図11(a)-(e)は、リードフレーム10の製造方法を示す断面図(図3に対応する図)である。
次に、図9および図10に示す半導体装置20の製造方法について、図12(a)-(e)を用いて説明する。
次に、図15および図16を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。図15および図16は本発明の第2の実施の形態を示す図である。図15および図16に示す第2の実施の形態は、リード部12A、12Bの構成が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図15および図16において、図1乃至図12に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
次に、図17および図18を参照して本発明の第3の実施の形態について説明する。図17および図18は本発明の第3の実施の形態を示す図である。図17および図18に示す第3の実施の形態は、リード部12A、12Bの構成が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施の形態と略同一である。図17および図18において、図1乃至図12に示す第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
また、端子領域53、63の表面及び裏面に、それぞれ内部端子15A、15B及び外部端子17A、17Bが形成されており、外部端子17A、17Bの幅が内部端子15A、15Bの幅よりも広いので、幅の広い外部端子17A、17Bの位置に基づいて内部端子15A、15Bの位置決めを行うことができる。この結果、ワイヤボンディングの位置決め精度を向上させることができる。
11 ダイパッド
12A 第1リード部
12B 第2リード部
15A、15B 内部端子
17A 第1外部端子
17B 第2外部端子
20 半導体装置
21 半導体素子
22 ボンディングワイヤ
23 封止樹脂
52 外側領域
53 端子領域
54 段差部
62 外側領域
63 端子領域
Claims (1)
- リードフレームにおいて、
半導体素子が搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部とを備え、 前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置され、
前記複数のリード部は、それぞれ裏面に前記外部端子が形成された端子領域と、前記端子領域の外側に位置するとともに裏面側から薄肉化された外側領域とを有し、
前記外部端子は、それぞれその内側端部および外側端部の両方が丸みを帯びるとともに、前記リード部の長手方向に細長い平面形状を有することを特徴とするリードフレーム。
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