JP4373122B2 - 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング形成した端子部材とダイパッドを用いた、小型、薄型の樹脂封止型半導体装置と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められている。
このような状況のもと、薄型化に対応するものとして、特開平１１−３０７６７５号公報に記載の接続用リードの上面及び下面を露出させた構造の樹脂封止型半導体装置や、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の接続用リードの一部を露出して外部端子としている樹脂封止型半導体装置が提案されている。
特開平１１−３０７６７５号や 特開平１１−２６０９８９号公報に記載のものは、ダイパッドの一面を外部に露出し、露出した面でない方の面上に半導体装置を搭載する構造で、面付け状態で一括してモールドを行うには、不適な構造である。
また、特開平１１−３０７６７５号や 特開平１１−２６０９８９号公報には、ペリフェラルパッド配列の半導体素子上に更に半導体素子を積層して１つのパッケージとした樹脂封止型半導体装置で、量産性の良い構造のものを開示されていない。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−３０７６７５号公報
【特許文献２】
特開平１１−２６０９８９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、近年、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められており、この対応が求められていた。
本発明はこれらに対応するもので、具体的には、半導体部品の更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適し、且つ、耐湿性、放熱性に優れた、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージあるいはＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージ構造の半導体装置を提供しようとするものである。
更に、ペリフェラルパッド配列の半導体素子上に１つ以上の半導体素子を積層して１つのパッケージとした樹脂封止型半導体装置で、薄型で量産性の良い構造のものを提供しようとするものである。
同時に、このような樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子１つとを用い、半導体素子をダイパッドに搭載し、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側に向けて、内部端子部を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、半導体素子の端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにし、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載しており、各端子部材のリード部のハーフエッチング面側に内部端子部の端子面側を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
あるいは、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子複数個を用い、前記半導体素子複数個を積層した状態としてダイパッドに搭載し、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、ダイパッド側の半導体素子をペリフェラルパッド配列の半導体素子とし、その端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにし、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載し、更に、前記ダイパッド側の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記ダイパッド側の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載しており、各端子部材のリードのハーフエッチング面側に内部端子部の端子面側を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置おいて、樹脂封止されて、全体が板状方形であることを特徴とするものである。
【０００６】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子１つとを用い、半導体素子をダイパッドに搭載し、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側に向けて、内部端子部を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、半導体素子の端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにして、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載しており、各端子部材のリード部のハーフエッチング面側に内部端子部の端子面を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各端子部材の外側側面を含む側面部とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
あるいはまた、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子複数個を用い、前記半導体素子複数個を積層した状態としてダイパッドに搭載し、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、ダイパッド側の半導体素子をペリフェラルパッド配列の半導体素子とし、その端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにし、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載し、更に、前記ダイパッド側の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記ダイパッド側の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載しており、各端子部材のリード部のハーフエッチング面側に内部端子部の端子面を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各端子部材の外側側面を含む側面部とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
【０００７】
そして、上記の樹脂封止型半導体装置において、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることを特徴とするものである。
また、上記の樹脂封止型半導体装置において、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層として設けていることを特徴とするものである。
【０００８】
第１の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１ないし３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材とダイパッドの配置に対応した、端子部材およびダイパッドの配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を位置決めして、ダイパッド上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、反対側はキャビティを設けるように、表裏をモールド固定用の平板にて囲み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（ｇ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
【０００９】
第２の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項４ないし５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ１）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材とダイパッドの配置に対応した、端子部材およびダイパッドの配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ１）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ１）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を位置決めして、ダイパッド上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ１）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ１）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ１）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、モールド固定用の平板にて固定し、反対側には、所定の面付け数をまかなう所定の型を設け、前記モールド固定用の平板と前記型間を樹脂で埋めるモールドを行う、モールド工程と、（ｇ１）モールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、半導体部品の更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適し、且つ、耐湿性、放熱性に優れたＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の半導体装置の提供を可能にしている。
更に、ペリフェラルパッド配列の半導体素子上に１つ以上の半導体素子を積層して１つのパッケージとした樹脂封止型半導体装置で、薄型で量産性の良い構造の半導体装置の提供を可能にしている。
この半導体素子積層構造の場合、半導体チップの薄化に対応して、１つのパッケージ内に半導体素子を３次元方向に積層したパッケージでシステムＬＳＩを実現するシステムパッケージ（システムインパッケージあるいはＳＩＪとも言う）としての適用を可能としている。
即ち、ハーフエッチング法にて作製され、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材と、加工用素材からハーフエッチング加工法を用いて全体を薄肉にして形成されたダイパッドと、半導体素子とを用い、具体的には、端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、あるいは、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることにより、これを達成している。
また、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造といえる。
特に、樹脂封止されて、全体が板状方形で、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、外部端子部の外側側面とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている場合には、樹脂封止工程（モールド工程）において、特別な型を設ける必要はなく、一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい構造と言える。
詳しくは、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしていることにより、一括モールドがし易いものとしている。
また、ダイパッドのハーフエッチング面側がを封止用樹脂で満たされることから、チップへのクラック、欠けが生じにくいものとし、樹脂封止により耐湿性を向上させることができる。
また、前述のようなダイパッドと端子部材との位置関係から、ダイパッドより大サイズの半導体素子を搭載することを可能としている。
また、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、あるいは、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させていることにより、放熱性の良いものとしている。
尚、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることにより、個片化の際の切断を容易なものとしている。
端子部材としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなるものが挙げられる。
また、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層としていることにより、ワイヤボンディング接続を信頼性良いものとしている。
【００１１】
第１の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項１ないし３の発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
また、第２の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項４ないし５の発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図で、図２（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１側から透視してみた図で、図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ１側から透視してみた図で、図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ１側から透視してみた図で、図５（ａ）、図５（ｂ）はそれぞれ第１の例、第３の例の変形例の断面図で、図６は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の製造工程の一部を示した工程断面図で、図７は図６に続く工程を示した工程断面図で、図８はダイシングソーによる切断状態を示した図である。
尚、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ１−Ａ２側から見た図で、図２（ａ）は図２（ｂ）のＢ１−Ｂ２側から見た図で、図３（ａ）は図３（ｂ）のＣ１−Ｃ２側から見た図で、図４（ａ）は図４（ｂ）のＤ１−Ｄ２側から見た図である。
また、図７（ｇ）における両方向矢印は、ダイシングソーの昇降方向を示している。
図１〜図８中、１１０は端子部材、１１１は外部端子部、１１２は内部端子部、１１２ａ、１１２ｂは端子面、１１４はリード部、１１４ａはハーフエッチング面、１１６は切り欠け部、１１７、１１７ａは非エッチング面、１１８は側面、１２０、１２０Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２０ａは端子面、１２０ｂは裏面、１２１は端子、１２５、１２５Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２５ａは端子面、１２５ｂは裏面、１２６、１２６Ａは端子、１２８、１２８Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２８ａは端子面、１２８ｂは裏面、１２９、１２９Ａは端子、１３０、１３５、１３５Ａはボンディングワイヤ、１３６、１３６Ａはボンディングワイヤ、１４０は封止用樹脂、１５０はダイパッド、１５０ａはハーフエッチング面、１５０ｂは非エッチング面、２１０は加工用素材、２１０Ａは加工シート、２２０はレジスト、２２５は開口、２３０は端子部材、２３１は外部端子部、２３２は内部端子部、２３４はリード部、２３５は凹部、２３５Ａは切り欠け部、２３６は支持部（連結部とも言う）、２３７は非エッチング面（露出面）、２３８は側面、２４０はダイパッド、２５０は半導体素子、２５１は端子、２６０はボンディングワイヤ、２７１、２７２はモールド固定用の平板、２８０は（モールド用の）テープ、２８５は（切断用の）テープ、２９０は封止用樹脂、４０１は単位の樹脂封止型半導体装置、４１０Ａは加工シート、４１５は枠部、４１６は治具孔、４１７は長孔部、４８５は切断ラインである。
【００１３】
はじめに、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を図１に基づいて説明する。
第１の例は、外部回路と接続するための外部端子部１１２と、半導体素子と接続するための内部端子部１１１をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材（図示していない）から、外部端子部１１２の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部１１４をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１５０と、対向する２辺に沿い端子が配列されたペリフェラルパッド配列の半導体素子１２０とを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材の内部端子部１１２とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置で、端子部材１１０をその対向する２辺に沿い配置したＳＯＮタイプの半導体装置である。
そして、各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部１１１の表裏の面および内部端子部１１２の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、
周辺部に、外部端子部１１１を外側に向けて、内部端子部１１２を内側に向けて、各端子部材１１０を配しており、ダイパッド１５０のハーフエッチング面１５０ａの向きは、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａの向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面１５０ｂを端子部材１１０のハーフエッチング面１１４ａ側の外部端子部の非エッチング面１１７ａ、と一平面上に、揃うようにしている。
また、半導体素子１２０の端子面１２０ａを、端子部材１１０のハーフエッチング面側１１４ａと同じ向きにし、その裏面１２０ｂを、ダイパッド１５０の非エッチング面１５０ａ側に搭載しており、各端子部材１１０のリード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側に内部端子部１１１の端子面側を配し、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側でない各端子部材１１０の非ハーフエッチング面１１７と、各外部端子部１１１の外側側面１１８とを、露出させ、これ以外を樹脂１４０中にして樹脂封止されている。
尚、ここでは、ダイパッド１５０より大きい半導体素子１２０を用いている。
【００１４】
本例は、端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面（ここでは非エッチング面１１７のこと）側が、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
また、半導体素子自体の厚さの薄化に伴ない、薄型化が達成できる。
本例では、加工用素材の厚さと半導体素子の総厚により、その厚さは決まる。
また、本例においては、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、本例は、後述する、（図６、図７に示す）本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製できる、量産性に適した構造といえる。
また、本例は、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
【００１５】
端子部材１１０は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金等が挙げられるが、通常は、導電性等から、Ｃｕ、Ｃｕ系合金が用いられる。
第１の例においては、外部端子部１１２の外側側面の端子面１１２ｂは切断部で、それ以外の表面には、接続用のめっき層が設けられている。
接続用のめっき層としては、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が用いられる。
封止用樹脂１４０としては、通常、エポキシ系のものが用いられるが、これに限定はされない。
【００１６】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を図２に基づいて説明する。
第２の例は、外部回路と接続するための外部端子部１１２と、半導体素子と接続するための内部端子部１１１をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材（図示していない）から、外部端子部１１２の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部１１４をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１５０と、その４辺に沿い端子が配列されたペリフェラルパッド配列の半導体素子１２０Ａとを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材の内部端子部１１２とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置で、端子部材１１０をその対向する２辺に沿い配置したＱＦＮタイプの半導体装置である。
第２の例においては、端子部材１１０の配列を周辺の４辺に沿うように配設している。
端子部材１１０の配列、半導体素子１２０Ａ以外は第１の例と同じであり、半導体素子１２０Ａ以外の各部については、第１の例のものと同じである。
そして、第２の例も、第１の例と同様に、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側でない各端子部材１１０の非ハーフエッチング面１１７と、各外部端子部１１１の外側側面１１８とを、露出させ、これ以外を樹脂１４０中にして樹脂封止されている。
第２の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面（ここでは非エッチング面１１７のこと）側が、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
ここでも、ダイパッド１５０より大きい半導体素子１２０を用いている。
また、本例においても、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、本例も、基本的には、第１の例とほぼ同じように面付け状態で作製でき、量産性に適した構造と言える。
また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００１７】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例を図３に基づいて説明する。
第３の例の樹脂封止型半導体装置も、第１の例と同様、外部回路と接続するための外部端子部１１１と、半導体素子と接続するための内部端子部１１２をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１５０と、その対向する２辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の２つの半導体素子１２５、１２５Ａとを用い、２つの半導体素子１２５、１２５Ａを積層した状態でダイパッドに搭載し、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置である。
そして、第１の例と同様、各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部１１１の表裏の面および内部端子部１１２の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部１１１を外側に向けて、内部端子部１１２を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしている。
第３の例においては、ダイパッド１５０側の半導体素子１２５の端子面１２５ａを、端子部材１１０のハーフエッチング面１１４ａ側と同じ向きにし、その裏面１２５ｂを、ダイパッド１５０の非エッチング面１５０ｂ側に搭載し、更に、該ダイパッド１５０側の半導体素子１２５の端子面１２５ａ上に、もう１つの半導体素子１２５Ａをその裏面にて重ねて搭載している。
そして、各端子部材１１０のリード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側に内部端子部１１２の端子面側を配し、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側でない各端子部材の非ハーフエッチング面１１７と、各外部端子部の外側の側面１１８とを、露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
半導体素子１２５、１２５Ａの端子１２６、１２６Ａの端子部材１１０との接続は、リード部１１４のエッチング面１１４ａで行なっている。
【００１８】
第３の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面（ここでは非エッチング面１１７のこと）側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、半導体素子を１つのパッケージ内に重ね搭載するタイプのものにおいて、薄型化が達成できる。
半導体素子を２個用いるが基本的には第１の例と同様にして、面付けで作製することができる、量産性に適した構造で、また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００１９】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例を図４に基づいて説明する。
第４の例の樹脂封止型半導体装置も、第１の例と同様、外部回路と接続するための外部端子部１１１と、半導体素子と接続するための内部端子部１１２をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１５０と、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の２つの半導体素子１２８、１２８Ａとを用い、２つの半導体素子１２８、１２８Ａを積層した状態でダイパッドに搭載し、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した、ＱＦＮタイプの樹脂封止型半導体装置である。
本例は、第３の例において、その対向する２辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１２５、１２５Ａに代え、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１８５、１８５Ａを用い、更に、端子部材１１０を周辺４辺に沿い配設した形態のものである。
半導体素子１２８、１２９Ａの端子１２９、１２９Ａの端子部材との接続は、リード部１１４のエッチング面１１４ａで行なっている。
【００２０】
第４の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面（ここでは非エッチング面１１７のこと）側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
本例も、半導体素子を２個用いるが基本的には第１の例と同様にして、面付けで作製することができ、量産性に適した構造で、また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００２１】
第１の例、第３の例の変形例としては、樹脂のモールド領域がこれらとは若干異なり、
リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側でない各端子部材の非ハーフエッチング面１１７と、各端子部材の外側側面１８を含む側面部１９とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている形態の、それぞれ、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すものが挙げられる。
勿論、第２の例、第４の例の変形例として、同様の形態を採るものを挙げることができる。
第３の例、第４の例の変形例としては、それぞれ、第３の例において、半導体素子１２５Ａをセンターパッド配列の半導体素子に置き換えたもの、第４の例において、半導体素子１２８Ａをセンターパッド配列の半導体素子に置き換えたものが挙げられる。
第３の例において、半導体素子１２５、１２５Ａを、３個以上の半導体素子に置き換え、あるいは、第４の例において、半導体素子１２８、１２５８を、３個以上の半導体素子に置き換え、これらの半導体素子を積層した状態とし、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置も変形例として挙げられる。
この場合、ダイパッド側の半導体素子をペリフェラルパッド配列の半導体素子とし、その端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにし、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載し、更に、前記ダイパッド側の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記ダイパッド側の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載している。
【００２２】
次いで、第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例を図６、図７に基づいて説明する。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の説明に代える。
先ず、加工用素材２１０の両面に所定形状にレジスト２２０を配設し（図６（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、この配置状態に、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、両面からエッチングを行い、端子部材２３０を、支持部２３６にて連結した状態で、面付けして形成する。（図６（ｂ））
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、これが支持部２３６にて連結され面付けされた、加工シート２１０Ａを得る。
加工用素材２１０としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２合金（Ｎｉ４２％−Ｆｅ合金）等が用いられ、エッチング液としては、塩化第二鉄溶液が用いられる。
また、レジスト３２０としては、耐エッチング性のもので、所望の解像性を有し、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
次いで、レジスト２２０を除去（図６（ｃ））後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、面付け形成され、表面めっきが施された加工シート２１０Ａのハーフエッチング面２３４ａ側ではない側に、面付け分の数だけ、半導体素子２５０を所定の位置に位置決めして、ダイパッド２４０に載せ、この状態で、各半導体素子２５０について、その端子２５１と端子部材２３０の内部端子部（図１の１１１に相当）のハーフエッチング面である端子面とをワイヤボンディング接続する。（図６（ｄ））
次いで、モールド用のテープ２８０を、加工シート３２０Ａのハーフエッチング面２３４ａ側を覆うように、平面状に貼り、 更に、表裏をモールド固定用の平板２７１、２７２にて挟み、加工シート２１０Ａ全体について、一括してモールドを行う。（図７（ｅ））
尚、加工シート２１０Ａの端子部材２３０を支持する支持部２３６は、通りぬけ孔等を設けたもので、モールドの際、各面付け間モールド用の樹脂が通りぬけできるような形状になっている。
【００２３】
次いで、表裏のモールド固定用の平板２７１、２７２を除去し、更にテープ２８０を除去し（図７（ｆ））、切断用のテープ２８５を貼り（図７（ｇ））、該切断用のテープ２８５とは反対側からダイシングソー（図示していない）にて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る。（図７（ｈ））
ダイシングソー（図示していない）による切断状態は、例えば、図８（ａ）や、図８（ｂ）のようになる。
尚、図８において、単位の樹脂封止型半導体装置４０１は、切断ライン４８５にて互いに分けられた各領域であり、ここでは、説明を分かり易くするため図示していないが、図７（ｇ）の支持部２３６を凹部２３５で切断する。
加工シート２１０Ａは、フレームとも呼ばれる。
また、この切断面が、作製される樹脂封止型半導体装置の外部端子の外側側面２３８となる。
尚、切り欠け部２３５Ａの切断された面でない面には接続用のめっきが配設されておりこの部分は接続用に利用し易い。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
【００２４】
第２の例〜第４の例の製造は、半導体素子と端子部材のリード部との位置関係は異なる、あるいは、半導体素子を積層する工程やワイヤボンディング工程が余分にあっても、大筋は、上記第１の例の製造と同様にして行うことができる。
【００２５】
図５に示す、第１の例、第３の例の変形例のように、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側でない各端子部材の非ハーフエッチング面１１７と、各端子部材の外側側面１８を含む側面部１９とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている形態のものの、樹脂モールドは、図６〜図７に示す製造方法のように面付け状態で半導体素子を搭載し、更にワイヤボンディング接続を行った後、露出させる外部端子部の端子面は、上記製造法方と同様、平板で抑え、反対側に、所定の型を用いて所定のキャビティーを形成して、分割方式により、繰り返し行う。
例えば、図８（ａ）に示す、１６個分の型を用い、領域Ｇ毎に繰り返して行う。
他の変形例の製造についても、半導体素子を積層する工程やワイヤボンディング工程が余分にあっても、大筋は、第１の例の製造、あるいは、図５に示す、第１の例、第３の例の変形例についての製造方法と同様にして行うことができる。
【００２６】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適し、且つ、耐湿性、放熱性に優れたＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の半導体装置の提供を可能にした。
特に、積層型のＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の樹脂封止型半導体装置で、このような半導体装置の提供を可能にした。
同時に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図である。
【図２】図２（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１側から透視してみた図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ１側から透視してみた図である。
【図４】図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ１側から透視してみた図である。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）はそれぞれ第１の例、第３の例の変形例の断面図である。
【図６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の製造工程の一部を示した工程断面図である。
【図７】図６に続く工程を示した工程断面図である。
【図８】ダイシングソーによる切断状態を示した図である。
【符号の説明】
１１０ 端子部材
１１１ 外部端子部
１１２ 内部端子部
１１２ａ、１１２ｂ 端子面
１１４ リード部
１１４ａ ハーフエッチング面
１１６ 切り欠け部
１１７、１１７ａ 非エッチング面
１１８ 側面
１２０、１２０Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２０ａ 端子面
１２０ｂ 裏面
１２１ 端子
１２５、１２５Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２５ａ 端子面
１２５ｂ 裏面
１２６、１２６Ａ 端子
１２８、１２８Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２８ａ 端子面
１２８ｂ 裏面
１２９、１２９Ａ 端子
１３０、１３５、１３５Ａ ボンディングワイヤ
１３６、１３６Ａ ボンディングワイヤ
１４０ 封止用樹脂
１５０ ダイパッド
１５０ａ ハーフエッチング面
１５０ｂ 非エッチング面
２１０ 加工用素材
２１０Ａ 加工シート
２２０ レジスト
２２５ 開口
２３０ 端子部材
２３１ 外部端子部
２３２ 内部端子部
２３４ リード部
２３５ 凹部
２３５Ａ 切り欠け部
２３６ 支持部（連結部とも言う）
２３７ 非エッチング面（露出面）
２３８ 側面
２４０ ダイパッド
２５０ 半導体素子
２５１ 端子
２６０ ボンディングワイヤ
２７１、２７２ モールド固定用の平板
２８０ （モールド用の）テープ、２８５は（切断用の）テープ
２９０ 封止用樹脂
４０１ 単位の樹脂封止型半導体装置
４１０Ａ 加工シート
４１５ 枠部
４１６ 治具孔
４１７ 長孔部
４８５ 切断ライン
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング形成した端子部材とダイパッドを用いた、小型、薄型の樹脂封止型半導体装置と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められている。
このような状況のもと、薄型化に対応するものとして、特開平１１−３０７６７５号公報に記載の接続用リードの上面及び下面を露出させた構造の樹脂封止型半導体装置や、特開平１１−２６０９８９号公報に記載の接続用リードの一部を露出して外部端子としている樹脂封止型半導体装置が提案されている。
特開平１１−３０７６７５号や 特開平１１−２６０９８９号公報に記載のものは、ダイパッドの一面を外部に露出し、露出した面でない方の面上に半導体装置を搭載する構造で、面付け状態で一括してモールドを行うには、不適な構造である。
また、特開平１１−３０７６７５号や 特開平１１−２６０９８９号公報には、ペリフェラルパッド配列の半導体素子上に更に半導体素子を積層して１つのパッケージとした樹脂封止型半導体装置で、量産性の良い構造のものを開示されていない。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−３０７６７５号公報
【特許文献２】
特開平１１−２６０９８９号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、近年、半導体部品の小型化、薄型化が進んでおり、更なる薄型化を廉価に達成できるパッケージが求められており、この対応が求められていた。
本発明はこれらに対応するもので、具体的には、半導体部品の更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適し、且つ、耐湿性、放熱性に優れた、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージあるいはＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎｌｅａｄ）パッケージ構造の半導体装置を提供しようとするものである。
更に、ペリフェラルパッド配列の半導体素子上に１つ以上の半導体素子を積層して１つのパッケージとした樹脂封止型半導体装置で、薄型で量産性の良い構造のものを提供しようとするものである。
同時に、このような樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子１つとを用い、半導体素子をダイパッドに搭載し、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側に向けて、内部端子部を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、半導体素子の端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにし、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載しており、各端子部材のリード部のハーフエッチング面側に内部端子部の端子面側を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
あるいは、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子複数個を用い、前記半導体素子複数個を積層した状態としてダイパッドに搭載し、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、ダイパッド側の半導体素子をペリフェラルパッド配列の半導体素子とし、その端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにし、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載し、更に、前記ダイパッド側の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記ダイパッド側の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載しており、各端子部材のリードのハーフエッチング面側に内部端子部の端子面側を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
そして、上記の樹脂封止型半導体装置おいて、樹脂封止されて、全体が板状方形であることを特徴とするものである。
【０００６】
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子１つとを用い、半導体素子をダイパッドに搭載し、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側に向けて、内部端子部を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、半導体素子の端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにして、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載しており、各端子部材のリード部のハーフエッチング面側に内部端子部の端子面を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各端子部材の外側側面を含む側面部とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
あるいはまた、本発明の樹脂封止型半導体装置は、外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子複数個を用い、前記半導体素子複数個を積層した状態としてダイパッドに搭載し、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、ダイパッド側の半導体素子をペリフェラルパッド配列の半導体素子とし、その端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにし、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載し、更に、前記ダイパッド側の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記ダイパッド側の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載しており、各端子部材のリード部のハーフエッチング面側に内部端子部の端子面を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各端子部材の外側側面を含む側面部とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とするものである。
【０００７】
そして、上記の樹脂封止型半導体装置において、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることを特徴とするものである。
また、上記の樹脂封止型半導体装置において、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層として設けていることを特徴とするものである。
【０００８】
第１の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項１ないし３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材とダイパッドの配置に対応した、端子部材およびダイパッドの配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を位置決めして、ダイパッド上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、反対側はキャビティを設けるように、表裏をモールド固定用の平板にて囲み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（ｇ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
【０００９】
第２の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、請求項４ないし５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ１）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材とダイパッドの配置に対応した、端子部材およびダイパッドの配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ１）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ１）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を位置決めして、ダイパッド上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ１）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ１）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ１）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、モールド固定用の平板にて固定し、反対側には、所定の面付け数をまかなう所定の型を設け、前記モールド固定用の平板と前記型間を樹脂で埋めるモールドを行う、モールド工程と、（ｇ１）モールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、このような構成にすることにより、半導体部品の更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適し、且つ、耐湿性、放熱性に優れたＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の半導体装置の提供を可能にしている。
更に、ペリフェラルパッド配列の半導体素子上に１つ以上の半導体素子を積層して１つのパッケージとした樹脂封止型半導体装置で、薄型で量産性の良い構造の半導体装置の提供を可能にしている。
この半導体素子積層構造の場合、半導体チップの薄化に対応して、１つのパッケージ内に半導体素子を３次元方向に積層したパッケージでシステムＬＳＩを実現するシステムパッケージ（システムインパッケージあるいはＳＩＪとも言う）としての適用を可能としている。
即ち、ハーフエッチング法にて作製され、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材と、加工用素材からハーフエッチング加工法を用いて全体を薄肉にして形成されたダイパッドと、半導体素子とを用い、具体的には、端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、あるいは、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることにより、これを達成している。
また、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、後述する、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製でき、量産性の良い構造といえる。
特に、樹脂封止されて、全体が板状方形で、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、外部端子部の外側側面とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている場合には、樹脂封止工程（モールド工程）において、特別な型を設ける必要はなく、一括モールドが簡単に行え、量産性、設備の面からも好ましい構造と言える。
詳しくは、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしていることにより、一括モールドがし易いものとしている。
また、ダイパッドのハーフエッチング面側がを封止用樹脂で満たされることから、チップへのクラック、欠けが生じにくいものとし、樹脂封止により耐湿性を向上させることができる。
また、前述のようなダイパッドと端子部材との位置関係から、ダイパッドより大サイズの半導体素子を搭載することを可能としている。
また、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、あるいは、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させていることにより、放熱性の良いものとしている。
尚、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることにより、個片化の際の切断を容易なものとしている。
端子部材としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金からなるものが挙げられる。
また、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層としていることにより、ワイヤボンディング接続を信頼性良いものとしている。
【００１１】
第１の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項１ないし３の発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
また、第２の本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このような構成にすることにより、請求項４ないし５の発明の薄型の樹脂封止型半導体装置を、量産性良く製造できるものとしている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図で、図２（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１側から透視してみた図で、図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ１側から透視してみた図で、図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ１側から透視してみた図で、図５（ａ）、図５（ｂ）はそれぞれ第１の例、第３の例の変形例の断面図で、図６は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の製造工程の一部を示した工程断面図で、図７は図６に続く工程を示した工程断面図で、図８はダイシングソーによる切断状態を示した図である。
尚、図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ１−Ａ２側から見た図で、図２（ａ）は図２（ｂ）のＢ１−Ｂ２側から見た図で、図３（ａ）は図３（ｂ）のＣ１−Ｃ２側から見た図で、図４（ａ）は図４（ｂ）のＤ１−Ｄ２側から見た図である。
また、図７（ｇ）における両方向矢印は、ダイシングソーの昇降方向を示している。
図１〜図８中、１１０は端子部材、１１１は外部端子部、１１２は内部端子部、１１２ａ、１１２ｂは端子面、１１４はリード部、１１４ａはハーフエッチング面、１１６は切り欠け部、１１７、１１７ａは非エッチング面、１１８は側面、１２０、１２０Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２０ａは端子面、１２０ｂは裏面、１２１は端子、１２５、１２５Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２５ａは端子面、１２５ｂは裏面、１２６、１２６Ａは端子、１２８、１２８Ａは半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）、１２８ａは端子面、１２８ｂは裏面、１２９、１２９Ａは端子、１３０、１３５、１３５Ａはボンディングワイヤ、１３６、１３６Ａはボンディングワイヤ、１４０は封止用樹脂、１５０はダイパッド、１５０ａはハーフエッチング面、１５０ｂは非エッチング面、２１０は加工用素材、２１０Ａは加工シート、２２０はレジスト、２２５は開口、２３０は端子部材、２３１は外部端子部、２３２は内部端子部、２３４はリード部、２３５は凹部、２３５Ａは切り欠け部、２３６は支持部（連結部とも言う）、２３７は非エッチング面（露出面）、２３８は側面、２４０はダイパッド、２５０は半導体素子、２５１は端子、２６０はボンディングワイヤ、２７１、２７２はモールド固定用の平板、２８０は（モールド用の）テープ、２８５は（切断用の）テープ、２９０は封止用樹脂、４０１は単位の樹脂封止型半導体装置、４１０Ａは加工シート、４１５は枠部、４１６は治具孔、４１７は長孔部、４８５は切断ラインである。
【００１３】
はじめに、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例を図１に基づいて説明する。
第１の例は、外部回路と接続するための外部端子部１１２と、半導体素子と接続するための内部端子部１１１をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材（図示していない）から、外部端子部１１２の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部１１４をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１５０と、対向する２辺に沿い端子が配列されたペリフェラルパッド配列の半導体素子１２０とを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材の内部端子部１１２とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置で、端子部材１１０をその対向する２辺に沿い配置したＳＯＮタイプの半導体装置である。
そして、各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部１１１の表裏の面および内部端子部１１２の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、
周辺部に、外部端子部１１１を外側に向けて、内部端子部１１２を内側に向けて、各端子部材１１０を配しており、ダイパッド１５０のハーフエッチング面１５０ａの向きは、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａの向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面１５０ｂを端子部材１１０のハーフエッチング面１１４ａ側の外部端子部の非エッチング面１１７ａ、と一平面上に、揃うようにしている。
また、半導体素子１２０の端子面１２０ａを、端子部材１１０のハーフエッチング面側１１４ａと同じ向きにし、その裏面１２０ｂを、ダイパッド１５０の非エッチング面１５０ａ側に搭載しており、各端子部材１１０のリード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側に内部端子部１１１の端子面側を配し、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側でない各端子部材１１０の非ハーフエッチング面１１７と、各外部端子部１１１の外側側面１１８とを、露出させ、これ以外を樹脂１４０中にして樹脂封止されている。
尚、ここでは、ダイパッド１５０より大きい半導体素子１２０を用いている。
【００１４】
本例は、端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面（ここでは非エッチング面１１７のこと）側が、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
また、半導体素子自体の厚さの薄化に伴ない、薄型化が達成できる。
本例では、加工用素材の厚さと半導体素子の総厚により、その厚さは決まる。
また、本例においては、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、本例は、後述する、（図６、図７に示す）本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法により、面付け状態で作製できる、量産性に適した構造といえる。
また、本例は、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
【００１５】
端子部材１１０は、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２％Ｎｉ−Ｆｅ系合金等が挙げられるが、通常は、導電性等から、Ｃｕ、Ｃｕ系合金が用いられる。
第１の例においては、外部端子部１１２の外側側面の端子面１１２ｂは切断部で、それ以外の表面には、接続用のめっき層が設けられている。
接続用のめっき層としては、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層が用いられる。
封止用樹脂１４０としては、通常、エポキシ系のものが用いられるが、これに限定はされない。
【００１６】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例を図２に基づいて説明する。
第２の例は、外部回路と接続するための外部端子部１１２と、半導体素子と接続するための内部端子部１１１をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材（図示していない）から、外部端子部１１２の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部１１４をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１５０と、その４辺に沿い端子が配列されたペリフェラルパッド配列の半導体素子１２０Ａとを用い、半導体素子１２０の所定の端子部１２１と所定の端子部材の内部端子部１１２とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した平板状方形の樹脂封止型半導体装置で、端子部材１１０をその対向する２辺に沿い配置したＱＦＮタイプの半導体装置である。
第２の例においては、端子部材１１０の配列を周辺の４辺に沿うように配設している。
端子部材１１０の配列、半導体素子１２０Ａ以外は第１の例と同じであり、半導体素子１２０Ａ以外の各部については、第１の例のものと同じである。
そして、第２の例も、第１の例と同様に、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側でない各端子部材１１０の非ハーフエッチング面１１７と、各外部端子部１１１の外側側面１１８とを、露出させ、これ以外を樹脂１４０中にして樹脂封止されている。
第２の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面（ここでは非エッチング面１１７のこと）側が、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
ここでも、ダイパッド１５０より大きい半導体素子１２０を用いている。
また、本例においても、ワイヤボンディング接続をとっていることにより、接続作業性を良いものとし、且つ、接続信頼性を良いものとしている。
また、本例も、基本的には、第１の例とほぼ同じように面付け状態で作製でき、量産性に適した構造と言える。
また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００１７】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例を図３に基づいて説明する。
第３の例の樹脂封止型半導体装置も、第１の例と同様、外部回路と接続するための外部端子部１１１と、半導体素子と接続するための内部端子部１１２をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１５０と、その対向する２辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の２つの半導体素子１２５、１２５Ａとを用い、２つの半導体素子１２５、１２５Ａを積層した状態でダイパッドに搭載し、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した、ＳＯＮタイプの樹脂封止型半導体装置である。
そして、第１の例と同様、各端子部材１１０を同じ向きにし、外部端子部１１１の表裏の面および内部端子部１１２の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部１１１を外側に向けて、内部端子部１１２を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしている。
第３の例においては、ダイパッド１５０側の半導体素子１２５の端子面１２５ａを、端子部材１１０のハーフエッチング面１１４ａ側と同じ向きにし、その裏面１２５ｂを、ダイパッド１５０の非エッチング面１５０ｂ側に搭載し、更に、該ダイパッド１５０側の半導体素子１２５の端子面１２５ａ上に、もう１つの半導体素子１２５Ａをその裏面にて重ねて搭載している。
そして、各端子部材１１０のリード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側に内部端子部１１２の端子面側を配し、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側でない各端子部材の非ハーフエッチング面１１７と、各外部端子部の外側の側面１１８とを、露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている。
半導体素子１２５、１２５Ａの端子１２６、１２６Ａの端子部材１１０との接続は、リード部１１４のエッチング面１１４ａで行なっている。
【００１８】
第３の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面（ここでは非エッチング面１１７のこと）側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、半導体素子を１つのパッケージ内に重ね搭載するタイプのものにおいて、薄型化が達成できる。
半導体素子を２個用いるが基本的には第１の例と同様にして、面付けで作製することができる、量産性に適した構造で、また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００１９】
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例を図４に基づいて説明する。
第４の例の樹脂封止型半導体装置も、第１の例と同様、外部回路と接続するための外部端子部１１１と、半導体素子と接続するための内部端子部１１２をその一部として含むリード部１１４とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材１１０を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１５０と、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の２つの半導体素子１２８、１２８Ａとを用い、２つの半導体素子１２８、１２８Ａを積層した状態でダイパッドに搭載し、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した、ＱＦＮタイプの樹脂封止型半導体装置である。
本例は、第３の例において、その対向する２辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１２５、１２５Ａに代え、その４辺に沿いパッドが配置されたペリフェラルパッド配列の半導体装置１８５、１８５Ａを用い、更に、端子部材１１０を周辺４辺に沿い配設した形態のものである。
半導体素子１２８、１２９Ａの端子１２９、１２９Ａの端子部材との接続は、リード部１１４のエッチング面１１４ａで行なっている。
【００２０】
第４の例も端子部材１１０の加工用素材（図示していない）の一面（ここでは非エッチング面１１７のこと）側が、第１の例と同様、露出するようにして樹脂封止していることにより、薄型化が達成できる。
本例も、半導体素子を２個用いるが基本的には第１の例と同様にして、面付けで作製することができ、量産性に適した構造で、また、第１の例と同様に、樹脂封止工程（モールド工程）においては、特別な形状にキャビティーを設ける必要はなく、平板状のものでその両側を抑えた状態でモールドが簡単に行える構造で、設備の面からも好ましい構造と言える。
各部については第１の例と同じものが用いられる。
【００２１】
第１の例、第３の例の変形例としては、樹脂のモールド領域がこれらとは若干異なり、
リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側でない各端子部材の非ハーフエッチング面１１７と、各端子部材の外側側面１８を含む側面部１９とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている形態の、それぞれ、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すものが挙げられる。
勿論、第２の例、第４の例の変形例として、同様の形態を採るものを挙げることができる。
第３の例、第４の例の変形例としては、それぞれ、第３の例において、半導体素子１２５Ａをセンターパッド配列の半導体素子に置き換えたもの、第４の例において、半導体素子１２８Ａをセンターパッド配列の半導体素子に置き換えたものが挙げられる。
第３の例において、半導体素子１２５、１２５Ａを、３個以上の半導体素子に置き換え、あるいは、第４の例において、半導体素子１２８、１２５８を、３個以上の半導体素子に置き換え、これらの半導体素子を積層した状態とし、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置も変形例として挙げられる。
この場合、ダイパッド側の半導体素子をペリフェラルパッド配列の半導体素子とし、その端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにし、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載し、更に、前記ダイパッド側の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記ダイパッド側の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載している。
【００２２】
次いで、第１の例の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１例を図６、図７に基づいて説明する。
尚、これを以って、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の説明に代える。
先ず、加工用素材２１０の両面に所定形状にレジスト２２０を配設し（図６（ａ））、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、この配置状態に、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工法にて、両面からエッチングを行い、端子部材２３０を、支持部２３６にて連結した状態で、面付けして形成する。（図６（ｂ））
これにより、１つの樹脂封止型半導体装置の端子部材の配置に対応した、端子部材の配置を１単位として、これが支持部２３６にて連結され面付けされた、加工シート２１０Ａを得る。
加工用素材２１０としては、Ｃｕ、Ｃｕ系合金、４２合金（Ｎｉ４２％−Ｆｅ合金）等が用いられ、エッチング液としては、塩化第二鉄溶液が用いられる。
また、レジスト３２０としては、耐エッチング性のもので、所望の解像性を有し、処理性の良いものであれば特に限定はされない。
次いで、レジスト２２０を除去（図６（ｃ））後、洗浄処理等を施し、全面に接続用の表面めっきを施した（図示していない）後、面付け形成され、表面めっきが施された加工シート２１０Ａのハーフエッチング面２３４ａ側ではない側に、面付け分の数だけ、半導体素子２５０を所定の位置に位置決めして、ダイパッド２４０に載せ、この状態で、各半導体素子２５０について、その端子２５１と端子部材２３０の内部端子部（図１の１１１に相当）のハーフエッチング面である端子面とをワイヤボンディング接続する。（図６（ｄ））
次いで、モールド用のテープ２８０を、加工シート３２０Ａのハーフエッチング面２３４ａ側を覆うように、平面状に貼り、 更に、表裏をモールド固定用の平板２７１、２７２にて挟み、加工シート２１０Ａ全体について、一括してモールドを行う。（図７（ｅ））
尚、加工シート２１０Ａの端子部材２３０を支持する支持部２３６は、通りぬけ孔等を設けたもので、モールドの際、各面付け間モールド用の樹脂が通りぬけできるような形状になっている。
【００２３】
次いで、表裏のモールド固定用の平板２７１、２７２を除去し、更にテープ２８０を除去し（図７（ｆ））、切断用のテープ２８５を貼り（図７（ｇ））、該切断用のテープ２８５とは反対側からダイシングソー（図示していない）にて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る。（図７（ｈ））
ダイシングソー（図示していない）による切断状態は、例えば、図８（ａ）や、図８（ｂ）のようになる。
尚、図８において、単位の樹脂封止型半導体装置４０１は、切断ライン４８５にて互いに分けられた各領域であり、ここでは、説明を分かり易くするため図示していないが、図７（ｇ）の支持部２３６を凹部２３５で切断する。
加工シート２１０Ａは、フレームとも呼ばれる。
また、この切断面が、作製される樹脂封止型半導体装置の外部端子の外側側面２３８となる。
尚、切り欠け部２３５Ａの切断された面でない面には接続用のめっきが配設されておりこの部分は接続用に利用し易い。
このようにして、図１に示す第１の例の樹脂封止型半導体装置は製造することができる。
【００２４】
第２の例〜第４の例の製造は、半導体素子と端子部材のリード部との位置関係は異なる、あるいは、半導体素子を積層する工程やワイヤボンディング工程が余分にあっても、大筋は、上記第１の例の製造と同様にして行うことができる。
【００２５】
図５に示す、第１の例、第３の例の変形例のように、リード部１１４のハーフエッチング面１１４ａ側でない各端子部材の非ハーフエッチング面１１７と、各端子部材の外側側面１８を含む側面部１９とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されている形態のものの、樹脂モールドは、図６〜図７に示す製造方法のように面付け状態で半導体素子を搭載し、更にワイヤボンディング接続を行った後、露出させる外部端子部の端子面は、上記製造法方と同様、平板で抑え、反対側に、所定の型を用いて所定のキャビティーを形成して、分割方式により、繰り返し行う。
例えば、図８（ａ）に示す、１６個分の型を用い、領域Ｇ毎に繰り返して行う。
他の変形例の製造についても、半導体素子を積層する工程やワイヤボンディング工程が余分にあっても、大筋は、第１の例の製造、あるいは、図５に示す、第１の例、第３の例の変形例についての製造方法と同様にして行うことができる。
【００２６】
【発明の効果】
本発明は、上記のように、更なる小型化、薄型化を廉価に達成でき、量産性に適し、且つ、耐湿性、放熱性に優れたＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の半導体装置の提供を可能にした。
特に、積層型のＱＦＮパッケージあるいはＳＯＮパッケージ構造の樹脂封止型半導体装置で、このような半導体装置の提供を可能にした。
同時に、このような薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法の提供を可能とした。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第１の例の断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１側から透視してみた図である。
【図２】図２（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第２の例の断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ１側から透視してみた図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第３の例の断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）のＣ１側から透視してみた図である。
【図４】図４（ａ）は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施の形態の第４の例の断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）のＤ１側から透視してみた図である。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）はそれぞれ第１の例、第３の例の変形例の断面図である。
【図６】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例の製造工程の一部を示した工程断面図である。
【図７】図６に続く工程を示した工程断面図である。
【図８】ダイシングソーによる切断状態を示した図である。
【符号の説明】
１１０ 端子部材
１１１ 外部端子部
１１２ 内部端子部
１１２ａ、１１２ｂ 端子面
１１４ リード部
１１４ａ ハーフエッチング面
１１６ 切り欠け部
１１７、１１７ａ 非エッチング面
１１８ 側面
１２０、１２０Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２０ａ 端子面
１２０ｂ 裏面
１２１ 端子
１２５、１２５Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２５ａ 端子面
１２５ｂ 裏面
１２６、１２６Ａ 端子
１２８、１２８Ａ 半導体素子（半導体チップあるいは単にチップとも言う）
１２８ａ 端子面
１２８ｂ 裏面
１２９、１２９Ａ 端子
１３０、１３５、１３５Ａ ボンディングワイヤ
１３６、１３６Ａ ボンディングワイヤ
１４０ 封止用樹脂
１５０ ダイパッド
１５０ａ ハーフエッチング面
１５０ｂ 非エッチング面
２１０ 加工用素材
２１０Ａ 加工シート
２２０ レジスト
２２５ 開口
２３０ 端子部材
２３１ 外部端子部
２３２ 内部端子部
２３４ リード部
２３５ 凹部
２３５Ａ 切り欠け部
２３６ 支持部（連結部とも言う）
２３７ 非エッチング面（露出面）
２３８ 側面
２４０ ダイパッド
２５０ 半導体素子
２５１ 端子
２６０ ボンディングワイヤ
２７１、２７２ モールド固定用の平板
２８０ （モールド用の）テープ、２８５は（切断用の）テープ
２９０ 封止用樹脂
４０１ 単位の樹脂封止型半導体装置
４１０Ａ 加工シート
４１５ 枠部
４１６ 治具孔
４１７ 長孔部
４８５ 切断ライン
Claims (9)
- 外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子１つとを用い、半導体素子をダイパッドに搭載し、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側に向けて、内部端子部を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、半導体素子の端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにし、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載しており、各端子部材のリード部のハーフエッチング面側に内部端子部の端子面側を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子複数個を用い、前記半導体素子複数個を積層した状態としてダイパッドに搭載し、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、ダイパッド側の半導体素子をペリフェラルパッド配列の半導体素子とし、その端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにし、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載し、更に、前記ダイパッド側の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記ダイパッド側の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載しており、各端子部材のリードのハーフエッチング面側に内部端子部の端子面側を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各外部端子部の外側側面とを、露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１ないし２に記載の樹脂封止型半導体装置おいて、樹脂封止されて、全体が板状方形であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子１つとを用い、半導体素子をダイパッドに搭載し、半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側に向けて、内部端子部を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、半導体素子の端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにして、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載しており、各端子部材のリード部のハーフエッチング面側に内部端子部の端子面を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各端子部材の外側側面を含む側面部とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 外部回路と接続するための外部端子部と、半導体素子と接続するための内部端子部をその一部として含むリード部とを、一体的に連結してなる端子部材で、且つ、ハーフエッチング加工法を用いて、加工用素材から、外部端子部の少なくとも一部を加工用素材の厚さの厚肉にし、リード部全体をハーフエッチングにて薄肉にしている端子部材を、複数個と、前記加工用素材から、ハーフエッチング加工法を用いて、全体を薄肉にして形成されたダイパッド１つと、半導体素子複数個を用い、前記半導体素子複数個を積層した状態としてダイパッドに搭載し、各半導体素子の所定の端子部と所定の端子部材の内部端子部とをワイヤボンディング接続して、樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、各端子部材を同じ向きにし、外部端子部の表裏の面および内部端子部の端子面が、それぞれ、一平面上に、揃うようにし、周辺部に、外部端子部を外側、内部端子部側を内側に向けて、各端子部材を配しており、ダイパッドのハーフエッチング面の向きは、リード部のハーフエッチング面の向きとは反対にして、そのハーフエッチング面でない非エッチング面を端子部材のハーフエッチング面側の外部端子部の非エッチング面と一平面上に、揃うようにしており、ダイパッド側の半導体素子をペリフェラルパッド配列の半導体素子とし、その端子面を、端子部材のハーフエッチング面側と同じ向きにし、その裏面を、ダイパッドの非エッチング面側に搭載し、更に、前記ダイパッド側の半導体素子の端子面でない裏面上に、一番上以外をペリフェラルパッド配列の半導体素子として、順次、その裏面側を前記ダイパッド側の半導体素子側に向けて、半導体素子を重ねて搭載しており、各端子部材のリード部のハーフエッチング面側に内部端子部の端子面を配し、リード部のハーフエッチング面側でない各端子部材の非ハーフエッチング面と、各端子部材の外側側面を含む側面部とを露出させ、これ以外を樹脂中にして樹脂封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１ないし５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置において、外部端子部の外側側面部に切り欠け部を設けていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１ないし６のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置において、内部端子部の端子面および外部端子部の表裏の端子面に、半田めっき層、金めっき層、銀めっき層、パラジウムめっき層、錫めっき層から選ばれた１つの金属めっき層を、接続用のめっき層として設けていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
- 請求項１ないし３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材とダイパッドの配置に対応した、端子部材およびダイパッドの配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を位置決めして、ダイパッド上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、反対側はキャビティを設けるように、表裏をモールド固定用の平板にて囲み、加工シート全体について、一括してモールドを行う、一括モールド工程と、（ｇ）表裏のモールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
- 請求項４ないし５のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、順に、（ａ１）１つの樹脂封止型半導体装置の各端子部材とダイパッドの配置に対応した、端子部材およびダイパッドの配置を１単位として、ハーフエッチング技術を用いたエッチング加工にて、端子部材の外部端子部側を支持部で連結した状態で、面付けして形成し、面付け形成された加工シートを得る加工工程と、（ｂ１）接続用の表面めっきを施すめっき処理工程と、（ｃ１）加工シートを固定した状態で、面付け分だけ、半導体素子を位置決めして、ダイパッド上に搭載する半導体素子搭載工程と、（ｄ１）この状態で、各半導体素子について、その端子と端子部材の内部端子部の端子面とをワイヤボンディング接続するワイヤボンディング工程と、（ｅ１）面付け形成された加工シートのハーフエッチング面側を覆うように平面状に、モールド用のテープを貼る、平面状に貼る、テープ貼り工程と、（ｆ１）モールド用のテープ側は、テープに添わせ、モールド固定用の平板にて固定し、反対側には、所定の面付け数をまかなう所定の型を設け、前記モールド固定用の平板と前記型間を樹脂で埋めるモールドを行う、モールド工程と、（ｇ１）モールド固定用の平板、テープを除去し、切断用のテープを貼り、該切断用のテープとは反対側からダイシングソーにて切断して、樹脂封止型半導体装置を１個づつに個片化して得る個片化工程と、を行うことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
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